JP2001144538A

JP2001144538A - 電圧制御型発振器

Info

Publication number: JP2001144538A
Application number: JP32742599A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Imaoka; 俊一今岡
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-11-17
Filing date: 1999-11-17
Publication date: 2001-05-25
Also published as: US6380814B1

Abstract

(57)【要約】【課題】位相雑音特性の劣化が低減された電圧制御型
発振器を提供することである。【解決手段】誘電体基板１上に誘電体共振器６が形成
される。誘電体共振器６と電磁的に結合するようにマイ
クロストリップ線路９，１１が形成されている。マイク
ロストリップ線路９，１１の一端部は開放され、開放端
９ａ，１１ａとなり、他端部は誘電体共振器６に近接す
るように配置され、結合点１０，１２となる。マイクロ
ストリップ線路９，１１の結合点１０，１２にはバラク
タダイオード８のカソード電極Ｃおよびアノード電極Ａ
がそれぞれ接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧制御により発
振周波数を変化させることができる電圧制御型発振器に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、バラクタダイオード等の可変
容量素子を用いた電圧制御型発振器が提案されている。
図１３は特開昭５７−８７２０９号公報に開示された従
来の電圧制御型発振器の平面図である。

【０００３】図１３において、誘電体基板５１上に金属
−半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ；以下ト
ランジスタと略記する）５５が形成されている。また、
誘電体基板５１上には、トランジスタ５５のソース電極
Ｓ、ゲート電極Ｇおよびドレイン電極Ｄにそれぞれ接続
されるマイクロストリップ線路５２，５３，５４が形成
されている。マイクロストリップ線路５３の端部にはゲ
ート側安定化抵抗５７が接続されている。

【０００４】さらに、誘電体基板５１上には、マイクロ
ストリップ線路５３，５４と電磁的に結合するように誘
電体共振器５６が配置されている。また、誘電体基板５
１上に、誘電体共振器５６と電磁的に結合するようにマ
イクロストリップ線路５９が形成されている。このマイ
クロストリップ線路５９は所定の周波数に対応する波長
の２分の１（以下１／２波長と称する）の長さを有し、
その中点で誘電体共振器５６に近接している。それによ
り、マイクロストリップ線路５９の中点が誘電体共振器
５６との結合点７０となる。

【０００５】マイクロストリップ線路５９の一端部５９
ａは開放されている。マイクロストリップ線路５９の他
端部５９ｂにはバラクタダイオード５８を介してマイク
ロストリップ線路６０が配置されている。マイクロスト
リップ線路６０は、所定の周波数に対応する波長の４分
の１（以下１／４波長と称する）の長さを有する。

【０００６】バラクタダイオード５８のカソード電極Ｃ
がマイクロストリップ線路５９の他端部５９ｂに接続さ
れ、アノード電極Ａがマイクロストリップ線路６０の一
端部６０ａに接続されている。マイクロストリップ線路
６０の他端部６０ｂは開放されている。

【０００７】図１３の電圧制御型発振器においては、ゲ
ート電極Ｇで発生する微小なマイクロ波信号がトランジ
スタ５５で増幅されてドレイン電極Ｄに出力される。マ
イクロストリップ線路５４、マイクロストリップ線路５
３および誘電体共振器５６により帯域通過フィルタが構
成される。ドレイン電極Ｄに出力されたマイクロ波信号
はこの帯域通過フィルタを通してゲート電極Ｇに正帰還
される。それにより、一定の発振周波数で発振するマイ
クロ波電力が得られる。この発振周波数は、誘電体共振
器５６の共振周波数で決まる。

【０００８】バラクタダイオード５８のカソード電極Ｃ
とアノード電極Ａとの間に制御電圧が印加される。バラ
クタダイオード５８の容量値は、カソード電極Ｃとアノ
ード電極Ａとの間に印加される制御電圧によって変化す
る。

【０００９】誘電体共振器５６とマイクロストリップ線
路５９とが電磁的に結合されており、誘電体共振器５６
の共振周波数が、バラクタダイオード５８の容量値によ
り変化する。したがって、この電圧制御型発振器では、
カソード電極Ｃとアノード電極Ａとの間に印加する制御
電圧を変化させることにより発振周波数を変化させるこ
とができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の電圧制御
型発振器においては、マイクロストリップ線路５９が１
／２波長の長さを有し、一端部５９ａが開放されている
ので、中央部の結合点７０は高周波的に短絡状態（ショ
ート）となり、他端部５９ｂは高周波的に開放状態（オ
ープン）となる。また、マイクロストリップ線路６０は
１／４波長の長さを有し、他端部６０ｂが開放されてい
るので、一端部６０ａは高周波的に短絡状態となる。

【００１１】このような電圧制御型発振器の構成では、
誘電体共振器５６がマイクロストリップ線路５９を介し
てバラクタダイオード５８と電磁的に結合されているの
で、一定の発振周波数で発振するマイクロ波電力の一部
がバラクタダイオード５８に到達する。このとき、バラ
クタダイオード５８のアノード電極Ａは高周波的に接地
されているため、アノード電極Ａの電位は常に０に保た
れる。一方、バラクタダイオード５８のカソード電極Ｃ
は高周波的に開放状態となってるため、マイクロ電力に
よる電圧が制御電圧に重畳する。それにより、バラクタ
ダイオード５８のカソード電極Ｃとアノード電極Ａとの
間の電位差Ｖ_vaは次式のようになる。

【００１２】Ｖ_va＝Ｖ_c＋Ｖ_po・ｓｉｎ（２πｆｔ）ここで、Ｖ_cはバラクタダイオード５８のカソード電極
Ｃとアノード電極Ａとの間に印加される制御電圧であ
り、ｆは発振周波数であり、Ｖ_poは発振周波数ｆで発振
するマイクロ波電力による電圧の振幅、ｔは時間であ
る。

【００１３】上式からわかるように、バラクタダイオー
ド５８のカソード電極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位
差Ｖ_vaが変動し、それに伴ってバラクタダイオード５８
の容量値が変動する。その結果、発振周波数ｆに揺らぎ
が起こり、結果的に発振波の位相雑音特性が劣化する。

【００１４】また、バラクタダイオード５８の容量値は
電圧に対して非線形性を有する。このような非線形性を
有するバラクタダイオード５８の両極間の電位差が変動
すると、トランジスタ５５およびバラクタダイオード５
８の有するベースバンド雑音が発振周波数ｆの近傍の周
波数に変換され、結果的に発振波の位相雑音特性が劣化
する。誘電体共振器５６とマイクロストリップ線路５９
との間の結合を高めるほど、バラクタダイオード５８に
到達するマイクロ波電力が増加し、位相雑音特性の劣化
がより顕著になる。

【００１５】バラクタダイオードの制御電圧に重畳する
電圧による位相雑音特性の劣化を低減するために、例え
ば特開平４−２２３６０１号公報に開示されているよう
に、２つのバラクタダイオードを互いに逆極性にして並
列に接続することが提案されている。

【００１６】しかしながら、このような構成では、容量
値の電圧依存性が完全に同一である２つのバラクタダイ
オードが必要になる。また、バラクタダイオードの容量
値が制御電圧に対して対称性を有さないと、カソード電
極とアノード電極との間の電位差の変動により２つのバ
ラクタダイオードの合成容量値が変動する。そのため、
発振周波数の揺らぎを解消することができない。

【００１７】本発明の目的は、位相雑音特性の劣化が低
減された電圧制御型発振器を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る電圧制御型発振器は、発振動作を行う発振部
と、発振部の発振周波数に共振する共振回路と、共振回
路の共振周波数を変化させることにより発振部の発振周
波数を発振帯域内で変調するための変調回路とを備え、
変調回路は、共振回路と高周波的に結合される結合部
と、制御電圧が印加される一対の電極を有する可変容量
素子とを含み、発振帯域内の周波数における共振回路側
から見た結合部の入力インピーダンスが実質的に短絡状
態に設定されるとともに、可変容量素子の一対の電極の
うち一方の電極が結合部に接続されたものである。

【００１９】本発明に係る電圧制御型発振器において
は、共振回路が発振部の発振周波数に共振する。変調回
路における可変容量素子の一対の電極間に印加される制
御電圧を変化させると、共振回路の共振周波数が変化
し、発振部の発振周波数が発振帯域内で変調される。

【００２０】この場合、発振帯域内の周波数における共
振回路側から見た結合部の入力インピーダンスが実質的
に短絡状態に設定されているので、発振周波数で発振す
る電力の一部が変調回路の結合部に到達した場合でも、
結合部の電位の変動が抑制される。それにより、可変容
量素子の一対の電極間の電位差が一定に保たれ、可変容
量素子の容量値の変動が防止される。したがって、発振
周波数の揺らぎが生じず、結果的に位相雑音特性が劣化
しない。

【００２１】また、可変容量素子の一対の電極間の電位
差が一定に保たれるので、可変容量素子の容量値と電圧
との間の非線形性によって発振部および可変容量素子の
有するベースバンド雑音が発振周波数の近傍の周波数に
変換されて結果的に発振波の位相雑音特性が劣化するこ
とが防止される。

【００２２】共振回路は、円柱状の誘電体または円板状
の導電体により形成された共振素子を含み、結合部は、
共振回路と電磁的に結合されてもよい。

【００２３】また、変調回路は、開放端および結合部を
有する伝送線路をさらに含み、伝送線路の開放端と結合
部との間の長さが発振帯域内の周波数に対応する実効波
長の４分の１の奇数倍にほぼ設定されてもよい。それに
より、発振帯域内の周波数における共振回路側から見た
結合部の入力インピーダンスが実質的に短絡状態にな
る。

【００２４】なお、伝送線路が長くなると、占有面積が
増大するとともに、伝送損失が増大し、回路のＱ（ｑｕ
ａｌｉｔｙｆａｃｔｏｒ）が低下し、雑音特性が劣化
する。したがって、伝送線路の開放端と結合部との間の
長さが発振帯域内の周波数に対応する実効波長のほぼ４
分の１に設定されることが好ましい。

【００２５】伝送線路の開放端と結合部との間の長さが
発振帯域内の周波数に対応する実効波長の４分の１の奇
数倍よりも短く設定されてもよい。それにより、伝送線
路の開放端に存在する容量に起因して伝送線路が実効的
に延長される場合に、発振帯域内の周波数における共振
回路側から見た結合部の入力インピーダンスが実質的に
短絡状態になる。

【００２６】伝送線路の開放端に存在する容量に起因し
て実効的に延長された伝送線路の開放端と結合部との間
の長さが発振帯域内の周波数に対応する実効波長の４分
の１の奇数倍に設定されてもよい。それにより、伝送線
路の開放端に容量が存在する場合に、発振帯域内の周波
数における共振回路側から見た結合部の入力インピーダ
ンスが実質的に短絡状態になる。

【００２７】第２の発明に係る電圧制御型発振器は、発
振動作を行う発振部と、発振部の発振周波数に共振する
共振回路と、共振回路の共振周波数を変化させることに
より発振部の発振周波数を発振帯域内で変調するための
変調回路とを備え、変調回路は、共振回路と高周波的に
結合される一対の結合部と、制御電圧が印加される一対
の電極を有する可変容量素子とを含み、可変容量素子の
一対の電極がそれぞれ一対の結合部に接続されたもので
ある。

【００２８】本発明に係る電圧制御型発振器において
は、共振回路が発振部の発振周波数に共振する。変調回
路における可変容量素子の一対の電極間に印加される制
御電圧を変化させると、共振回路の共振周波数が変化
し、発振部の発振周波数が発振帯域内で変調される。

【００２９】この場合、変調回路の一対の結合部が共振
回路と高周波的に結合されているので、一定の発振周波
数で発振する電力の一部が変調回路の一対の結合部に到
達した場合に、発振電力による電圧が可変容量素子の一
対の電極に等しく与えられる。したがって、可変容量素
子の一対の電極間の電位差が一定に保たれ、可変容量素
子の容量値が変動しない。したがって、発振周波数の揺
らぎが生じず、結果的に位相雑音特性が劣化しない。

【００３０】また、可変容量素子の一対の電極間の電位
差が一定に保たれるので、可変容量素子の容量値と電圧
との間の非線形性によって発振部および可変容量素子の
有するベースバンド雑音が発振周波数の近傍の周波数に
変換されて結果的に発振波の位相雑音特性が劣化するこ
とが防止される。

【００３１】発振帯域内の周波数における共振回路側か
ら見た一対の結合部の入力インピーダンスがそれぞれ実
質的に短絡状態に設定されてもよい。

【００３２】この場合には、発振電力により変調回路の
一対の結合部に異なる電圧が与えられた場合でも、一対
の結合部の電位の変動が抑制され、可変容量素子の一対
の電極間の電位差が一定に保たれる。その結果、可変容
量素子の容量値の変動が確実に防止される。

【００３３】共振回路は、円柱状の誘電体または円板状
の導電体により形成された共振素子を含み、一対の結合
部は、共振素子と電磁的に結合されてもよい。

【００３４】変調回路は、一対の伝送線路をさらに含
み、一対の伝送線路のうち一方の伝送線路は開放端およ
び一対の結合部のうちの一方の結合部を有し、一対の伝
送線路のうち他方の伝送線路は開放端および一対の結合
部のうちの他方の結合部を有してもよい。

【００３５】一方の伝送線路の開放端と一方の結合部と
の間の長さは、他方の伝送線路の開放端と他方の結合部
との間の長さに等しくてもよい。この場合には、共振回
路と一方の結合部との間の結合および共振回路と他方の
結合部との間の結合を等しく設定することにより、可変
容量素子の一対の電極間の電位差を一定に保つことがで
きる。

【００３６】一方の伝送線路の開放端と一方の結合部と
の間の長さは、他方の伝送線路の開放端と他方の結合部
との間の長さと異なってもよい。この場合には、共振回
路と一方の結合部との間の結合および共振回路の他方の
結合部との間の結合とを異なるように設定することによ
り、可変容量素子の一対の電極間の電位差を一定に保つ
ことができる。

【００３７】共振回路は、分布定数素子を含んでもよ
い。この場合には、分布定数線路により共振回路が構成
される。

【００３８】共振回路は、集中定数素子を含んでもよ
い。この場合には、集中定数回路により共振回路が構成
される。

【００３９】

【発明の実施の形態】図１は本発明の電圧制御型発振器
の構成の一例を示すブロック図である。

【００４０】図１の電圧制御型発振器は、発振部１０
０、共振部２００および終端回路３００により構成され
る。発振部１００は、増幅回路１１０および帰還回路１
２０を含み、発振動作を行う。また、共振部２００は、
共振回路２１０および変調回路２２０を含み、性能（位
相雑音特性）の向上および機能（周波数可変）の向上を
行う。増幅回路１１０には必要に応じて出力回路４００
が接続される。

【００４１】増幅回路１１０は、トランジスタ、および
そのトランジスタ用のバイアス印加回路からなる。バイ
アス回路は、所定の周波数（発振周波数）の通過を阻止
するように帯域制限されている。帰還回路１２０は、増
幅回路１１０とともに帰還ループを構成し、増幅回路１
１０の出力信号を同位相で入力側に戻し、発振を成長さ
せる。

【００４２】共振回路２１０は、共振素子を含み、その
共振素子の共振特性を利用して発振波の周波数を狭帯域
に制限し、位相雑音を低減して発振波の純度を高める。
変調回路２２０は、可変容量素子、その可変容量素子用
のバイアス印加回路、および共振回路２１０との結合部
からなる。この変調回路２２０は、共振回路２１０と結
合して共振回路２１０の共振周波数を変化させることに
より発振周波数を変調する。

【００４３】終端回路３００は、発振周波数以外の周波
数の電力を熱として消費し、発振動作の安定化を図る。
出力回路４００は、直流成分を除去するためのコンデン
サ、負荷変動を低減するための減衰器等からなる。

【００４４】図２は図１の共振部２００の共振回路２１
０の構成の例を示す模式図である。図２（ａ）の例で
は、共振回路２１０は、誘電体円柱２１１により構成さ
れる。誘電体円柱２１１は、発振部１００に接続された
マイクロストリップ線路２１２および変調回路２２０と
電磁的に結合している。この場合、誘電体円柱２１１が
共振素子として働く。

【００４５】図２（ｂ）の例では、共振回路２１０は、
金属円板２１３により構成される。金属円板２１３は、
発振部１００に接続されたマイクロストリップ線路２１
４および変調回路２２０と電磁的に結合している。この
場合、金属円板２１３が共振素子として働く。

【００４６】図２（ｃ）の例では、共振回路２１０は、
互いに平行に配置されたマイクロストリップ線路２１
５，２１６により構成される。一方のマイクロストリッ
プ線路２１５は発振部１００に接続され、他方のマイク
ロストリップ線路２１６は変調回路２２０に接続されて
いる。この場合、２つのマイクロストリップ線路２１
５，２１６が共振素子として働く。この共振回路２１０
は、共振素子が分布定数回路からなる例である。

【００４７】図２（ｄ）の例では、共振回路２１０は、
直列に接続されたインダクタ２１７およびコンデンサ２
１８により構成される。インダクタ２１７は発振部１０
０に接続され、コンデンサ２１８は変調回路２２０に接
続されている。この場合、インダクタ２１７およびコン
デンサ２１８が共振素子として働く。この共振回路２１
０は、共振素子が集中定数回路からなる例である。

【００４８】なお、図２（ａ）の例は、後述する第１の
実施例および第２の実施例における電圧制御型発振器の
共振回路２１０に適用される。また、図２（ｃ）の例
は、後述する第３の実施例における電圧制御型発振器の
共振回路２１０に適用される。さらに、図２（ｄ）の例
は、後述する第４の実施例における電圧制御型発振器の
共振回路２１０に適用される。

【００４９】図３は本発明の第１の実施例における電圧
制御型発振器の平面図、図４は図３の電圧制御型発振器
の回路図である。以下の説明では、電圧制御型発振器の
発振帯域の中心の発振周波数をｆ₀とする。また、発振
周波数ｆ₀に対応する実効波長をλ_gとする。

【００５０】図３において、誘電体基板１上に、ＧａＡ
ｓからなる金属−半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳ
ＦＥＴ；以下トランジスタと略記する）５が形成されて
いる。誘電体基板１の裏面には接地導体が形成されてい
る。また、誘電体基板１上には、トランジスタ５のソー
ス電極Ｓ、ゲート電極Ｇおよびドレイン電極Ｄにそれぞ
れ接続される出力用マイクロストリップ線路２、ゲート
側帰還用マイクロストリップ線路３およびドレイン側帰
還用マイクロストリップ線路４が形成されている。マイ
クロストリップ線路２の端部が出力ノード２ａとなる。
マイクロストリップ線路３の端部には終端抵抗７が接続
されている。

【００５１】さらに、誘電体基板１上には、マイクロス
トリップ線路３と電磁的（空間的）に結合するように誘
電体共振器６が配置されている。また、誘電体基板１上
に、誘電体共振器６と電磁的に結合するように結合用マ
イクロストリップ線路９が形成されている。マイクロス
トリップ線路９の一端部は開放され、開放端９ａとなっ
ている。マイクロストリップ線路９の他端部の近傍は誘
電体共振器６に近接するように配置され、結合点１０と
なっている。

【００５２】マイクロストリップ線路９の開放端９ａと
結合点１０との間の長さは実効波長λ_gのほぼ４分の１
（以下λ_g／４と称する）に設定される。なお、後述す
るように、実際には、マイクロストリップ線路９の開放
端９ａと結合点１０との間の長さはλ_g／４よりも短く
設定される。

【００５３】マイクロストリップ線路９の結合点１０ま
たはその近傍にはバラクタダイオード８のカソード電極
Ｃが接続されている。また、バラクタダイオード８のカ
ソード電極Ｃにはバイアス印加回路２１が接続されてい
る。バイアス印加回路２１は、高インピーダンスを有す
るマイクロストリップ線路１３，１５、低インピーダン
スを有するマイクロストリップ線路１４およびパッド電
極１６からなる。パッド電極１６には正の制御電圧Ｖ_c
が印加される。

【００５４】バラクタダイオード８のアノード電極Ａに
はバイアス印加回路２２が接続されている。バイアス印
加回路２２は、高インピーダンスを有するマイクロスト
リップ線路１７，１９、低インピーダンスを有するマイ
クロストリップ線路１８およびパッド電極２０からな
る。パッド電極２０は基準電位となる接地電位ＧＮＤに
保持される。

【００５５】バイアス印加回路２１，２２は、発振帯域
の高周波の通過を阻止する帯域阻止フィルタとして働
く。それにより、制御電圧Ｖ_cおよび接地電位ＧＮＤが
バラクタダイオード８のカソード電極Ｃおよびアノード
電極Ａにそれぞれ印加されるとともに、発振周波数で発
振するマイクロ波電力の漏洩が防止される。

【００５６】図３の電圧制御型発振器では、トランジス
タ５およびバイアス印加回路（図示せず）が図１の増幅
回路１１０を構成し、マイクロストリップ線路３，４が
帰還回路１２０を構成する。また、誘電体共振器６、お
よびマイクロストリップ線路３との電磁的結合部が共振
回路２１０を構成し、マイクロストリップ線路９および
バラクタダイオード８が変調回路２２０を構成する。さ
らに、終端抵抗７が終端回路３００を構成する。

【００５７】図４に示すように、マイクロストリップ線
路３と誘電体共振器６とは電磁的に結合している。ま
た、誘電体共振器６とマイクロストリップ線路９の結合
点１０とは電磁的に結合している。

【００５８】ここで、図３の電圧制御型発振器の発振動
作を説明する。ゲート電極Ｇで発生する微小なマイクロ
波信号がトランジスタ５で増幅されてドレイン電極Ｄに
出力される。ドレイン電極Ｄに出力されたマイクロ波信
号はマイクロストリップ線路４の開放端で全反射され、
主としてドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇとの間の容量を
介してゲート電極Ｇに帰還される。

【００５９】このとき、マイクロストリップ線路３およ
び誘電体共振器６は、発振帯域の信号の通過を阻止する
帯域阻止フィルタとして働く。それにより、帰還された
マイクロ波信号のうち帯域阻止フィルタの阻止帯域のマ
イクロ波信号のみが全反射され、ゲート電極Ｇに帰還す
るループが形成される。このとき、所望の発振周波数で
帰還ループが正帰還となるようにマイクロストリップ線
路４の長さ、およびマイクロストリップ線路３と誘電体
共振器６との電磁的結合の箇所を設定する。このように
して、一定の発振周波数で発振するマイクロ波電力が得
られる。この発振周波数は、誘電体共振器６の共振周波
数と同一である。なお、終端抵抗７は、上記の帯域阻止
フィルタを通過した信号を熱として消費する。それによ
り、不要な周波数での発振が防止される。

【００６０】次に、図３の電圧制御型発振器の変調動作
を説明する。バイアス印加回路２１，２２を通してバラ
クタダイオード８のカソード電極Ｃとアノード電極Ａと
の間に制御電圧Ｖ_cが印加される。バラクタダイオード
８の容量値は、カソード電極Ｃとアノード電極Ａとの間
に印加される制御電圧Ｖ_cによって変化する。

【００６１】誘電体共振器６とマイクロストリップ線路
９の結合点１０とが電磁的に結合されているため、誘電
体共振器６の共振周波数がバラクタダイオード８の容量
値により変化する。したがって、制御電圧Ｖ_cを変化さ
せることにより発振周波数を変化させることができる。

【００６２】本実施例の電圧制御型発振器においては、
マイクロストリップ線路９の開放端９ａと結合点１０と
の間の長さがほぼλ_g／４に設定されているので、結合
点１０が高周波的に接地状態となる。すなわち、発振周
波数ｆ₀において誘電体共振器６側から見たマイクロス
トリップ線路９の結合点１０の入力インピーダンスが短
絡状態（ショート）となる。そのため、発振周波数ｆ₀
で発振するマイクロ波電力の一部が誘電体共振器６とマ
イクロストリップ線路９との間の電磁的結合を介してバ
ラクタダイオード８に到達した場合でも、結合点１０の
電位の変動が抑制される。それにより、バラクタダイオ
ード８のカソード電極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位
差が一定に保たれ、バラクタダイオード８の容量値の変
動が防止される。したがって、発振周波数の揺らぎが生
じず、結果的に位相雑音特性の劣化が生じない。

【００６３】また、バラクタダイオード８のカソード電
極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位差が一定に保たれる
ため、バラクタダイオード８の容量値と電圧との間の非
線形性によってトランジスタ５およびバラクタダイオー
ド８の有するベースバンド雑音が発振周波数の近傍の周
波数に変換されて結果的に発振波の位相雑音特性が劣化
することが防止される。

【００６４】図５は図３の電圧制御型発振器におけるマ
イクロストリップ線路９の開放端９ａと結合点１０との
間の長さを説明するための図である。

【００６５】図５に示すように、マイクロストリップ線
路９の開放端９ａと誘電体基板１（図３参照）の裏面の
接地導体との間には容量Ｃ_openが存在する。それによ
り、マイクロストリップ線路９の実効的な長さが破線で
示すように延長される。したがって、容量Ｃ_openを考慮
してマイクロストリップ線路９の開放端９ａから結合点
１０までの長さをλ_g／４よりも短くした場合に、発振
周波数ｆ₀において図３の誘電体共振器６側から見た結
合点１０の入力インピーダンスが短絡状態となる。

【００６６】この場合、電圧は、実効的に延長されたマ
イクロストリップ線路９の開放端で最大となり、結合点
１０で最小となる。したがって、図３のバラクタダイオ
ード８のカソード電極Ｃをマイクロストリップ線路９の
結合点１０に一致させると、発振電力によりバラクタダ
イオード８のカソード電極Ｃの制御電圧Ｖ_cに重畳され
る電圧が０となり、カソード電極Ｃとアノード電極Ａと
の間の電位差が一定に保たれる。その結果、発振周波数
の揺らぎがなくなるとともに、位相雑音特性が向上す
る。

【００６７】また、電流は、実効的に延長されたマイク
ロストリップ線路９の開放端で最小となり、結合点１０
で最大となる。したがって、結合点１０近傍では磁束密
度が高くなり、図３の誘電体共振器６と電磁的に結合し
やすくなる。それにより、誘電体共振器６の位置決めに
求められる精度が緩和される。

【００６８】このように、マイクロストリップ線路９の
開放端９ａと誘電体基板１の裏面の接地導体との間の容
量Ｃ_openにより実効的に延長されたマイクロストリップ
線路９の開放端と結合点１０との間の長さがλ_g／４と
なるように、マイクロストリップ線路９の開放端９ａと
結合点１０との間の長さをλ_g／４よりも短く設定する
ことが好ましい。

【００６９】図６は図３の電圧制御型共振器に用いるマ
イクロストリップ線路９の形状の例を示す図である。

【００７０】図６（ａ）の例では、マイクロストリップ
線路９は直線の帯状に形成されている。この場合、マイ
クロストリップ線路９は、開放端９ａから所定の距離離
れた結合点１０で誘電体共振器６と電磁的に結合する。
マイクロストリップ線路９の開放端９ａから結合点１０
までの長さは、上記のように、発振周波数ｆ₀において
誘電体共振器６側から見た結合点１０の入力インピーダ
ンスが短絡状態となるように設定される。

【００７１】図６（ｂ）の例では、マイクロストリップ
線路９は誘電体共振器６と同心円の帯状に形成されてい
る。この場合、マイクロストリップ線路９は、開放端９
ａから所定の距離離れた結合点１０で誘電体共振器６と
電磁的に結合する。マイクロストリップ線路９の開放端
９ａから結合点１０までの長さは、上記のように、発振
周波数ｆ₀において誘電体共振器６側から見た結合点１
０の入力インピーダンスが短絡状態になるように設定さ
れる。

【００７２】図６（ｃ）の例では、マイクロストリップ
線路９は扇形に形成されている。この場合、マイクロス
トリップ線路９は、開放端９ａから所定の距離離れた結
合点１０で誘電体共振器６と電磁的に結合する。マイク
ロストリップ線路９の開放端９ａから結合点１０までの
長さは、上記のように、発振周波数ｆ₀において誘電体
共振器６側から見た結合点１０の入力インピーダンスが
短絡状態になるように設定される。

【００７３】なお、マイクロストリップ線路９の形状
は、上記の例に限らず、発振周波数ｆ ₀において誘電体
共振器６側から見た結合点の入力インピーダンスを短絡
状態に設定可能な任意の形状を選択することができる。

【００７４】また、図３の電圧制御型発振器の共振回路
２１０における誘電体共振器６に代えて図２（ｂ）に示
した金属円板２１３を用いてもよい。

【００７５】図７は本発明の第２の実施例における電圧
制御型発振器の平面図、図８は図７の電圧制御型発振器
の回路図である。

【００７６】図７の電圧制御型発振器の構成は、次の点
を除いて図３の電圧制御型発振器の構成と同様である。
図７の電圧制御型発振器においては、誘電体基板１上
に、誘電体共振器６と電磁的に結合するように結合用マ
イクロストリップ線路１１がさらに形成されている。マ
イクロストリップ線路９とマイクロストリップ線路１１
とは、誘電体共振器６の中心点を通る線に関して互いに
対称な位置に配置されている。

【００７７】マイクロストリップ線路９の一端部は開放
され、開放端９ａとなっており、マイクロストリップ線
路１１の一端部は開放され、開放端１１ａとなってい
る。また、マイクロストリップ線路９の他端部は誘電体
共振器６に近接するように配置され、結合点１０となっ
ており、マイクロストリップ線路１１の他端部は誘電体
共振器６に近接するように配置され、結合点１２となっ
ている。マイクロストリップ線路１１の開放端１１ａと
結合点１２との間の長さは、マイクロストリップ線路９
の開放端９ａと結合点１０との間の長さと同様に、ほぼ
λ_g／４に設定される。なお、実際には、マイクロスト
リップ線路１１の開放端１１ａと結合点１２との間の長
さは、マイクロストリップ線路９と同様に、図５に示し
たように、λ_g／４よりも短く設定される。

【００７８】マイクロストリップ線路９の結合点１０ま
たはその近傍にはバラクタダイオード８のカソード電極
Ｃが接続され、マイクロストリップ線路１１の結合点１
２またはその近傍にはバラクタダイオード８のアノード
電極Ａが接続されている。また、バラクタダイオード８
のカソード電極Ｃにはバイアス印加回路２１が接続さ
れ、アノード電極Ａにはバイアス印加回路２２が接続さ
れている。

【００７９】図７の電圧制御型発振器では、マイクロス
トリップ線路９，１１およびバラクタダイオード８が変
調回路２２０を構成する。図７の電圧制御型発振器の他
の部分の構成は、図３の電圧制御型発振器の構成と同様
である。

【００８０】図８に示すように、マイクロストリップ線
路３と誘電体共振器６とは電磁的に結合している。ま
た、誘電体共振器６とマイクロストリップ線路９の結合
点１０とが電磁的に結合し、誘電体共振器６とマイクロ
ストリップ線路１１の結合点１２とが電磁的に結合して
いる。

【００８１】図７の電圧制御型発振器の発振動作は、図
３の電圧制御型発振器の発振動作と同様である。以下、
図９を参照しながら図７の電圧制御型発振器の変調動作
を説明する。

【００８２】図９（ａ），（ｂ）は図７の電圧制御型発
振器における共振回路２１０と変調回路２２０との結合
を説明するための模式図および回路図である。

【００８３】図９において、ＺｉｎＣは、バラクタダイ
オード８のアノード電極Ａ側の結合点１２と共振回路２
１０との電磁的結合を考慮しない場合に、発振周波数ｆ
₀において共振回路２１０側から見たマイクロストリッ
プ線路９の結合点１０の入力インピーダンスである。Ｚ
ｉｎＡは、バラクタダイオード８のカソード電極Ｃ側の
結合点１０と共振回路２１０との電磁的結合を考慮しな
い場合に、発振周波数ｆ₀において共振回路２１０側か
ら見たマイクロストリップ線路１１の結合点１２の入力
インピーダンスである。また、Ｚｉｎ１は、発振周波数
ｆ₀においてバラクタダイオード８側から見たバイアス
印加回路２１の入力インピーダンスであり、Ｚｉｎ２
は、発振周波数ｆ₀においてバラクタダイオード８側か
ら見たバイアス印加回路２２の入力インピーダンスであ
る。バラクタダイオード８のインピーダンスをｊＸ_VDと
する。

【００８４】ここで、発振周波数ｆ₀において次式が成
立するようにバイアス印加回路２１，２２を構成する。

【００８５】Ｚｉｎ１＝Ｚｉｎ２＝ｊＸこの場合、結合点１０での入力インピーダンスＺｉｎＣ
は次式のようになる。

【００８６】ＺｉｎＣ＝ｊ｛Ｘ（Ｘ＋Ｘ_VD）｝／（２Ｘ＋Ｘ_VD） …（１）また、結合点１２での入力インピーダンスＺｉｎＡは次
式のようになる。

【００８７】ＺｉｎＡ＝ｊ｛Ｘ（Ｘ＋Ｘ_VD）｝／（２Ｘ＋Ｘ_VD） …（２）上式（１），（２）において、制御電圧Ｖ_cを変化させ
ることによりバラクタダイオード８の容量値すなわちイ
ンピーダンスｊＸ_VDが変化すると、結合点１０での入力
インピーダンスＺｉｎＣおよび結合点１２での入力イン
ピーダンスＺｉｎＡが変化する。これにより、誘電体共
振器６の共振周波数が変化する。したがって、制御電圧
Ｖ_cを変化させることにより発振周波数を変化させるこ
とができる。

【００８８】この場合、上式（１），（２）からＺｉｎ
Ｃ＝ＺｉｎＡとなるので、一定の発振周波数で発振する
マイクロ波電力の一部が誘電体共振器６とマイクロスト
リップ線路９，１１との間の電磁的結合を介してバラク
タダイオード８に到達した場合に、発振電力による電圧
がカソード電極Ｃおよびアノード電極Ａに等しく与えら
れる。そのため、バラクタダイオード８のカソード電極
Ｃとアノード電極Ａとの間の電位差が一定に保たれ、バ
ラクタダイオード８の容量値が変動しない。したがっ
て、発振周波数の揺らぎが生じず、結果的に位相雑音特
性の劣化が生じない。

【００８９】また、バラクタダイオード８のカソード電
極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位差が一定に保たれる
ので、バラクタダイオード８の容量値と電圧との間の非
線形性によってトランジスタ５およびバラクタダイオー
ド８の有するベースバンド雑音が発振周波数の近傍の周
波数に変換されて結果的に発振波の位相雑音特性が劣化
することが防止される。

【００９０】特に、本実施例の電圧制御型発振器では、
マイクロストリップ線路９の開放端９ａから結合点１０
までの長さおよびマイクロストリップ線路１１の開放端
１１ａから結合点１２までの長さがそれぞれほぼλ_g／
４に設定されているので、発振周波数ｆ₀において誘電
体共振器６側から見た結合点１０，１２の入力インピー
ダンスがそれぞれ短絡状態となる。そのため、発振電力
によりマイクロストリップ線路９，１１の結合点１０，
１２に異なる電圧が与えられた場合でも、結合点１０，
１２の電位の変動が抑制され、バラクタダイオード８の
カソード電極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位差変動も
抑制される。その結果、バラクタダイオード８の容量値
の変動が抑制される。

【００９１】なお、誘電体共振器６とマイクロストリッ
プ線路９の結合点１０との電磁的結合および誘電体共振
器６とマイクロストリップ線路１１の結合点１２との電
磁的結合が等しくなるようにマイクロストリップ線路
９，１１を配置した場合には、マイクロストリップ線路
９の開放端９ａから結合点１０までの長さおよびマイク
ロストリップ線路１１の開放端１１ａから結合点１２ま
での長さをほぼλ_g／４と異なる長さに設定してもよ
い。この場合には、発振電力による電圧がカソード電極
Ｃおよびアノード電極Ａに等しく与えられるので、バラ
クタダイオード８のカソード電極Ｃとアノード電極Ａと
の間の電位差が一定に保たれる。

【００９２】また、本実施例の電圧制御型発振器におい
ては、マイクロストリップ線路９の開放端９ａと結合点
１０との間の長さおよびマイクロストリップ線路１１の
開放端１１ａと結合点１２との間の長さを同一に形成し
ているが、マイクロストリップ線路９の開放端９ａと結
合点１０との間の長さおよびマイクロストリップ線路１
１の開放端１１ａと結合点１２との間の長さを異なるよ
うに設定してもよい。その場合には、マイクロストリッ
プ線路９の結合点１０とマイクロストリップ線路１１の
結合点１２とを誘電体共振器６の中心点を通る線に関し
て非対称に配置する。

【００９３】なお、図７の電圧制御型発振器の共振回路
２１０における誘電体共振器６に代えて図２（ｂ）に示
した金属円板２１３を用いてもよい。

【００９４】図１０は本発明の第３の実施例における電
圧制御型発振器の主として共振回路および変調回路の平
面図である。

【００９５】図１０において、共振回路２１０は、互い
に平行に配置されたマイクロストリップ線路２３，２
４，２５により構成される。マイクロストリップ線路２
４，２５は、マイクロストリップ線路２３の両側におい
てマイクロストリップ線路２３に関して対称な位置に配
置されている。

【００９６】マイクロストリップ線路２３の一端部は発
振部１００に接続され、他端部は開放され、開放端２３
ａとなっている。マイクロストリップ線路２３の開放端
２３ａと反対側において、マイクロストリップ線路２４
の一端部は開放され、開放端２４ａとなっている。マイ
クロストリップ線路２４の他端部にはバラクタダイオー
ド８のカソード電極Ｃが接続されている。マイクロスト
リップ線路２３の開放端２３ａと反対側において、マイ
クロストリップ線路２５の一端部は開放され、開放端２
５ａとなっている。マイクロストリップ線路２５の他端
部にはバラクタダイオード８のアノード電極Ａが接続さ
れている。

【００９７】マイクロストリップ線路２３の開放端２３
ａからほぼλ_g／４の長さの範囲およびマイクロストリ
ップ線路２４，２５の開放端２４ａ，２５ａからほぼλ
_g／４の長さの範囲においてマイクロストリップ線路２
３がマイクロストリップ線路２４，２５に隣接してい
る。それにより、マイクロストリップ線路２３，２４，
２５は、発振周波数ｆ₀の信号を結合する方向性結合器
として機能する。

【００９８】なお、実際には、マイクロストリップ線路
２３の開放端２３ａとマイクロストリップ線路２４，２
５の開放端２４ａ，２５ａとの間の長さは、図５に示し
たように、λ_g／４よりも短く設定される。

【００９９】バラクタダイオード８のカソード電極Ｃお
よびアノード電極Ａには、図７の電圧制御型発振器と同
様に、それぞれバイアス印加回路（図示せず）が接続さ
れている。

【０１００】図１１は図１０の共振回路２１０の動作原
理を説明するための図である。図１１（ａ）に示すよう
に、ほぼλ_g／４の長さを有する２本のマイクロストリ
ップ線路ＭＬ１，ＭＬ２を平行に配置する。図１１
（ｂ）に示すように、マイクロストリップ線路ＭＬ１，
ＭＬ２の対角位置の端子Ｔ２，Ｔ４を開放状態にする
と、マイクロストリップ線路ＭＬ１上の発振周波数ｆ₀
の信号は端子Ｔ２で全反射され、マイクロストリップ線
路ＭＬ２上の発振周波数ｆ₀の信号は端子Ｔ４で全反射
される。それにより、マイクロストリップ線路ＭＬ１，
ＭＬ２は、端子Ｔ１，Ｔ３間で発振周波数ｆ₀の信号を
通過させる帯域通過フィルタとして働く。

【０１０１】図１１（ｃ）に示すように、マイクロスト
リップ線路ＭＬ１，ＭＬ２の対角位置の端子Ｔ２，Ｔ４
を短絡状態にすると、マイクロストリップ線路ＭＬ１上
の発振周波数ｆ₀の信号は端子Ｔ２で全反射され、マイ
クロストリップ線路ＭＬ２上の発振周波数ｆ₀の信号は
端子Ｔ４で全反射される。それにより、マイクロストリ
ップ線路ＭＬ１，ＭＬ２は、端子Ｔ１，Ｔ３間で発振周
波数ｆ₀の信号を通過させる帯域通過フィルタとして働
く。

【０１０２】図１０の共振回路２１０においては、マイ
クロストリップ線路２３，２４が発振周波数ｆ₀の信号
を通過させる帯域通過フィルタとして働き、マイクロス
トリップ線路２３，２５が発振周波数ｆ₀の信号を通過
させる帯域通過フィルタとして働く。それにより、共振
回路２１０がバラクタダイオード８のカソード電極Ｃお
よびアノード電極Ａに結合される。この場合、マイクロ
ストリップ線路２４，２５がそれぞれ結合部となる。

【０１０３】本実施例の電圧制御型発振器においては、
バラクタダイオード８のカソード電極Ｃおよびアノード
電極Ａが共振回路２１０のマイクロストリップ線路２
４，２５と対称的に結合される。それにより、一定の発
振周波数で発振するマイクロ波電力の一部がマイクロス
トリップ線路２４，２５を介してバラクタダイオード８
に到達した場合に、発振電力による電圧がカソード電極
Ｃおよびアノード電極Ａに等しく与えられる。したがっ
て、バラクタダイオード８のカソード電極Ｃとアノード
電極Ａとの間の電位差が一定に保たれ、バラクタダイオ
ード８の容量値が変動しない。その結果、発振周波数の
揺らぎが生じず、結果的に位相雑音特性の劣化が生じな
い。

【０１０４】また、バラクタダイオード８のカソード電
極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位差が一定に保たれる
ので、バラクタダイオード８の容量値と電圧との間の非
線形性によってトランジスタ５およびバラクタダイオー
ド８の有するベースバンド雑音が発振周波数の近傍の周
波数に変換されて結果的に発振波の位相雑音特性が劣化
することが防止される。

【０１０５】本実施例では、共振回路２１０を平行結合
のマイクロストリップ線路２３，２４，２５により構成
しているが、これに限定されず、分布定数素子としてシ
ョートスタブ等の伝送線路により共振回路２１０を構成
してもよい。

【０１０６】図１２は本発明の第４の実施例における電
圧制御型発振器の主として共振回路および変調回路の回
路図である。

【０１０７】図１２において、共振回路２１０は、直列
に接続されたインダクタ３１およびコンデンサ３２を含
む。インダクタ３１は発振部１００に接続されている。
コンデンサ３２は大容量のコンデンサ３３，３４を介し
てそれぞれバラクタダイオード８のカソード電極Ｃおよ
びアノード電極Ａに接続されている。この場合、コンデ
ンサ３３，３４とバラクタダイオード８のカソード電極
Ｃおよびアノード電極Ａとの接続点がそれぞれ結合点と
なる。

【０１０８】バラクタダイオード８のカソード電極Ｃお
よびアノード電極Ａには、図７の電圧制御型発振器と同
様に、それぞれバイアス印加回路（図示せず）が接続さ
れている。

【０１０９】本実施例の電圧制御型発振器においては、
バラクタダイオード８のカソード電極Ｃおよびアノード
電極Ａがそれぞれコンデンサ３３，３４を介して変調回
路２２０のコンデンサ３２と対称的に結合されている。
それにより、一定の発振周波数で発振するマイクロ波電
力の一部がコンデンサ３３，３４を介してバラクタダイ
オード８に到達した場合に、発振電力による電圧がカソ
ード電極Ｃおよびアノード電極Ａに等しく与えられる。
したがって、バラクタダイオード８のカソード電極Ｃと
アノード電極Ａとの間の電位差が一定に保たれ、バラク
タダイオード８の容量値が変動しない。その結果、発振
周波数の揺らぎが生じず、結果的に位相雑音特性の劣化
が生じない。

【０１１０】また、バラクタダイオード８のカソード電
極Ｃとアノード電極Ａとの間の電位差が一定に保たれる
ので、バラクタダイオード８の容量値と電圧との間の非
線形性によってトランジスタ５およびバラクタダイオー
ド８の有するベースバンド雑音が発振周波数の近傍の周
波数に変換されて結果的に発振波の位相雑音特性が劣化
することが防止される。

【０１１１】本実施例では、共振回路２１０をインダク
タ３１およびコンデンサ３２の直列接続回路により構成
しているが、これに限定されず、集中定数素子としてイ
ンダクタ、コンデンサ等の並列接続回路、または直列接
続および並列接続の組み合わせ回路により共振回路２１
０を構成してもよい。

【０１１２】また、分布定数素子および集中定数素子の
組み合わせにより共振回路２１０を構成してもよい。例
えば、共振回路２１０に平行結合の伝送線路の開放端を
容量を介して接地する構成を用いてもよい。

【０１１３】なお、上記実施例では、本発明の電圧制御
型発振器をハイブリッド集積回路（モジュール）により
構成した例を説明したが、本発明の電圧制御型発振器は
モノリシック集積回路（オンチップ）により構成するこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電圧制御型発振器の構成の一例を
示すブロック図である。

【図２】図１の共振部の共振回路の構成の例を示す模式
図である。

【図３】本発明の第１の実施例における電圧制御型発振
器の平面図である。

【図４】図３の電圧制御型発振器の回路図である。

【図５】図３の電圧制御型発振器におけるマイクロスト
リップ線路の開放端と結合点との間の長さを説明するた
めの図である。

【図６】図３の電圧制御型発振器に用いるマイクロスト
リップ線路の形状の例を示す図である。

【図７】本発明の第２の実施例における電圧制御型発振
器の平面図である。

【図８】図７の電圧制御型発振器の回路図である。

【図９】図７の電圧制御型発振器における共振回路と変
調回路との結合を説明するための模式図および回路図で
ある。

【図１０】本発明の第３の実施例における電圧制御型発
振器の主として共振回路および変調回路の平面図であ
る。

【図１１】図１０の共振回路の動作原理を説明するため
の図である。

【図１２】本発明の第４の実施例における電圧制御型発
振器の主として共振回路および変調回路の平面図であ
る。

【図１３】従来の電圧制御型発振器の平面図である。

【符号の説明】

１誘電体基板２，３，４，９，１１，２３，２４，２５，２１２，２
１４，２１５，２１６マイクロストリップ線路５トランジスタ６誘電体共振器７終端抵抗８バラクタダイオード１０，１２結合点２１，２２バイアス印加回路３１，２１７インダクタ３２，３３，３４，２１８コンデンサ１００発振部１１０増幅回路１２０帰還回路２００共振部２１０共振回路２２０変調回路３００終端回路４００出力回路Ａアノード電極Ｃカソード電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発振動作を行う発振部と、前記発振部の
発振周波数に共振する共振回路と、前記共振回路の共振
周波数を変化させることにより前記発振部の発振周波数
を発振帯域内で変調するための変調回路とを備え、前記変調回路は、前記共振回路と高周波的に結合される
結合部と、制御電圧が印加される一対の電極を有する可
変容量素子とを含み、前記発振帯域内の周波数における前記共振回路側から見
た前記結合部の入力インピーダンスが実質的に短絡状態
に設定されるとともに、前記可変容量素子の前記一対の
電極のうち一方の電極が前記結合部に接続されたことを
特徴とする電圧制御型発振器。
【請求項２】前記共振回路は、円柱状の誘電体または
円板状の導電体により形成された共振素子を含み、前記
結合部は、前記共振回路と電磁的に結合されたことを特
徴とする請求項１記載の電圧制御型発振器。
【請求項３】前記変調回路は、開放端および前記結合
部を有する伝送線路をさらに含み、前記伝送線路の前記
開放端と前記結合部との間の長さが前記発振帯域内の周
波数に対応する実効波長の４分の１の奇数倍にほぼ設定
されたことを特徴とする請求項１または２記載の電圧制
御型発振器。
【請求項４】前記伝送線路の前記開放端と前記結合部
との間の長さが前記発振帯域内の周波数に対応する実効
波長の４分の１の奇数倍よりも短く設定されたことを特
徴とする請求項３記載の電圧制御型発振器。
【請求項５】前記伝送線路の前記開放端に存在する容
量に起因して実効的に延長された前記伝送線路の開放端
と前記結合部との間の長さが前記発振帯域内の周波数に
対応する実効波長の４分の１の奇数倍に設定されたこと
を特徴とする請求項４記載の電圧制御型発振器。
【請求項６】発振動作を行う発振部と、前記発振部の
発振周波数に共振する共振回路と、前記共振回路の共振
周波数を変化させることにより前記発振部の発振周波数
を発振帯域内で変調するための変調回路とを備え、前記変調回路は、前記共振回路と高周波的に結合される
一対の結合部と、制御電圧が印加される一対の電極を有
する可変容量素子とを含み、前記可変容量素子の前記一対の電極がそれぞれ前記一対
の結合部に接続されたことを特徴とする電圧制御型発振
器。
【請求項７】前記発振帯域内の周波数における前記共
振回路側から見た前記一対の結合部の入力インピーダン
スがそれぞれ実質的に短絡状態に設定されたことを特徴
とする請求項６記載の電圧制御型発振器。
【請求項８】前記共振回路は、円柱状の誘電体または
円板状の導電体により形成された共振素子を含み、前記
一対の結合部は、前記共振素子と電磁的に結合されたこ
とを特徴とする請求項６または７記載の電圧制御型発振
器。
【請求項９】前記変調回路は、一対の伝送線路をさら
に含み、前記一対の伝送線路のうち一方の伝送線路は開
放端および前記一対の結合部のうちの一方の結合部を有
し、前記一対の伝送線路のうち他方の伝送線路は開放端
および前記一対の結合部のうちの他方の結合部を有する
ことを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の電圧
制御型発振器。
【請求項１０】前記一方の伝送線路の前記開放端と前
記一方の結合部との間の長さは、前記他方の伝送線路の
前記開放端と前記他方の結合部との間の長さに等しいこ
とを特徴とする請求項９記載の電圧制御型発振器。
【請求項１１】前記一方の伝送線路の前記開放端と前
記一方の結合部との間の長さは、前記他方の伝送線路の
前記開放端と前記他方の結合部との間の長さと異なるこ
とを特徴とする請求項９記載の電圧制御型発振器。
【請求項１２】前記共振回路は、分布定数素子を含む
ことを特徴とする請求項６または７記載の電圧制御型発
振器。
【請求項１３】前記共振回路は、集中定数素子を含む
ことを特徴とする請求項６または７記載の電圧制御型発
振器。