JPH0220903A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
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- JPH0220903A JPH0220903A JP17127788A JP17127788A JPH0220903A JP H0220903 A JPH0220903 A JP H0220903A JP 17127788 A JP17127788 A JP 17127788A JP 17127788 A JP17127788 A JP 17127788A JP H0220903 A JPH0220903 A JP H0220903A
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- Japan
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- line
- microstrip line
- microwave oscillator
- gate terminal
- fet
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 240000001980 Cucurbita pepo Species 0.000 description 1
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＦＥＴ（電果効果トランジスタ）を使用した
マイクロ波発振器に関するものである。
マイクロ波発振器に関するものである。
従来の技術
従来のマイクロ波発振器としては、例えば特公昭６０−
４８９２１号公報に示されているものがある。第６図は
従来のマイクロ波発振器の回路図を示すものであシ、１
はＦＥＴ、２はソース端子、３はドレイン端子、４はゲ
ート端子、６はマイクロストリップ線路、６はバイパス
コンデンサ、７はインピーダンス変換器、８は直流遮断
コンデンサ、９は負荷抵抗、１ｏは誘電体共振器、１１
はマイクロストリップ線路、１２はダミー抵抗、１３は
直流コンデンサ、１４はチョークコイル、１６は電源電
圧供給端子、１６はセルフバイアス抵抗、１７はチョー
クコイルである。
４８９２１号公報に示されているものがある。第６図は
従来のマイクロ波発振器の回路図を示すものであシ、１
はＦＥＴ、２はソース端子、３はドレイン端子、４はゲ
ート端子、６はマイクロストリップ線路、６はバイパス
コンデンサ、７はインピーダンス変換器、８は直流遮断
コンデンサ、９は負荷抵抗、１ｏは誘電体共振器、１１
はマイクロストリップ線路、１２はダミー抵抗、１３は
直流コンデンサ、１４はチョークコイル、１６は電源電
圧供給端子、１６はセルフバイアス抵抗、１７はチョー
クコイルである。
以上のように構成された従来のマイクロ波発振器におい
て電源電圧供給端子１６に電圧を供給すると、チョーク
コイル１４を介してドレイン端子３とソース端子２間に
電流が流れる。ＦＥＴ１のドレイン端子３をある長さを
もったマイクロストリップ線路６とバイパスコンデンサ
６を介して高周波的に接地することで、ＦＥＴ１のゲー
ト端子４は希望発振周波数である誘電体共振器１ｏの共
振周波数でマイクロストリップ線路１１からＦＥＴ１側
を見た反射率ＩＰ＋が正の値を持つようになる。
て電源電圧供給端子１６に電圧を供給すると、チョーク
コイル１４を介してドレイン端子３とソース端子２間に
電流が流れる。ＦＥＴ１のドレイン端子３をある長さを
もったマイクロストリップ線路６とバイパスコンデンサ
６を介して高周波的に接地することで、ＦＥＴ１のゲー
ト端子４は希望発振周波数である誘電体共振器１ｏの共
振周波数でマイクロストリップ線路１１からＦＥＴ１側
を見た反射率ＩＰ＋が正の値を持つようになる。
マイクロストリップ線路１１は誘電体共振器１゜と結合
して、誘電体共振器１０の共振周波数のみ反射する。こ
のため、ゲート端子４とマイクロストリップ線路１１間
でくシ返し反射が起こシ発振を開始する。６０〜２００
Ω程度の値を持つダミー抵抗１２を−ｑイクロストリッ
プ線路１１の一端に接続することで、誘電体共振器１ｏ
の共振周波数から離れた周波数ではゲート端子４よりマ
イクロストリップ線路を見たときのインピーダンスがほ
ぼ純抵抗となり発振しない。よって、第６図のマイクロ
波発振器は誘電体共振器１ｏの共振周波数で安定に発振
する。
して、誘電体共振器１０の共振周波数のみ反射する。こ
のため、ゲート端子４とマイクロストリップ線路１１間
でくシ返し反射が起こシ発振を開始する。６０〜２００
Ω程度の値を持つダミー抵抗１２を−ｑイクロストリッ
プ線路１１の一端に接続することで、誘電体共振器１ｏ
の共振周波数から離れた周波数ではゲート端子４よりマ
イクロストリップ線路を見たときのインピーダンスがほ
ぼ純抵抗となり発振しない。よって、第６図のマイクロ
波発振器は誘電体共振器１ｏの共振周波数で安定に発振
する。
発明が解決しようとする課題
゛しかしながら、上記のような構成では、ＦＥＴ１の性
能が低い場合等には、マイクロストリップ線路１１から
ＦＥＴ１側を見た反射率ＩＰ＋が低くなり、マイクロ波
発振器が発振しなかったシ、発振が途中で停止する場合
があるという問題点を有していた。
能が低い場合等には、マイクロストリップ線路１１から
ＦＥＴ１側を見た反射率ＩＰ＋が低くなり、マイクロ波
発振器が発振しなかったシ、発振が途中で停止する場合
があるという問題点を有していた。
本発明はかかる点に鑑み、性能の低いＦＥＴを使用して
も安定に発振するマイクロ波発振器を提供することを目
的とする。
も安定に発振するマイクロ波発振器を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するため、ＦＥＴを備え、こ
のＦＥＴのゲート端子に一端をダミー抵抗で終端したマ
イクロストリップ線路を接続し、前記ゲート端子とマイ
クロストリップ線路の接続部にインピーダンス変換手段
を設け、前記マイクロストリップ線路に発振周波数に一
致した共振周波数を持つ誘電体共振器を電磁的に結合さ
せたことを特徴とする。
のＦＥＴのゲート端子に一端をダミー抵抗で終端したマ
イクロストリップ線路を接続し、前記ゲート端子とマイ
クロストリップ線路の接続部にインピーダンス変換手段
を設け、前記マイクロストリップ線路に発振周波数に一
致した共振周波数を持つ誘電体共振器を電磁的に結合さ
せたことを特徴とする。
作 用
本発明によれば、ＦＥＴのゲート端子とマイクロストリ
ップ線路の接続部にインピーダンス変換手段を設けたこ
とにより、発振周波数においてマイクロストリップ線路
からＦＥＴ側を見た反射率を高くすることができ、安定
に発振を開始する。
ップ線路の接続部にインピーダンス変換手段を設けたこ
とにより、発振周波数においてマイクロストリップ線路
からＦＥＴ側を見た反射率を高くすることができ、安定
に発振を開始する。
実施例
第１図は本発明の第１の実施例におけるマイクロ波発振
器の構成図を示すものである。第１図において第６図と
同一物は同一番号を付して説明する。また、第２図は本
実施例の効果を示す特性図である。
器の構成図を示すものである。第１図において第６図と
同一物は同一番号を付して説明する。また、第２図は本
実施例の効果を示す特性図である。
第１図においてマイクロストリップ線路１１とゲート端
子４の間に線路幅Ｗ１．線路長ｔ１の高インピーダンス
線路２１で構成したインピーダンス変換器が存在する以
外は第６図と同じ構成である。２０はゲート端子４に接
続された共振回路である。また誘電体共振器１ｏの共振
周波数を１０．７５Ｇｌｂとする。
子４の間に線路幅Ｗ１．線路長ｔ１の高インピーダンス
線路２１で構成したインピーダンス変換器が存在する以
外は第６図と同じ構成である。２０はゲート端子４に接
続された共振回路である。また誘電体共振器１ｏの共振
周波数を１０．７５Ｇｌｂとする。
以上のように構成された本実施例のマイクロ波発振器に
ついて以下その動作を説明する。第２図は、モールドパ
ッケージに実装されたＦＥＴをＦＥＴ１として実装に使
用した場合のマイクロストリップ線路１１よりＦＥＴ側
を見た反射率ＩＰの周波数特性を第１図及び第６図の回
路について示したものである。
ついて以下その動作を説明する。第２図は、モールドパ
ッケージに実装されたＦＥＴをＦＥＴ１として実装に使
用した場合のマイクロストリップ線路１１よりＦＥＴ側
を見た反射率ＩＰの周波数特性を第１図及び第６図の回
路について示したものである。
第２図において、第１図の実施例で高インピーダンス線
路２１の長さｔｌを５ｆｆｌ１１．幅Ｗ１を０．６ｍｍ
としてテフロン基板上に構成した場合を破線で、第６図
の従来例の場合を実線で示している。第２図によれば、
高インピーダンス線路２１の長さｔｌ及び線路幅Ｗ１を
適当に定めることにより、従来例では２ｄＢであった反
射率ＩＰ＋ が本実施例ではｅ ｄＢまで向上している
。よって、本実施例のマイクロ波発振器は従来のマイク
ロ波発振器よシ確実に発振を開始し、発振停止の生起確
率も減少する。また、このマイクロ波発振器は従来のマ
イクロ波発振器よシ誘電体共振器１ｏとマイクロストリ
ップ線路１１この結合が弱くても発振可能となる。
路２１の長さｔｌを５ｆｆｌ１１．幅Ｗ１を０．６ｍｍ
としてテフロン基板上に構成した場合を破線で、第６図
の従来例の場合を実線で示している。第２図によれば、
高インピーダンス線路２１の長さｔｌ及び線路幅Ｗ１を
適当に定めることにより、従来例では２ｄＢであった反
射率ＩＰ＋ が本実施例ではｅ ｄＢまで向上している
。よって、本実施例のマイクロ波発振器は従来のマイク
ロ波発振器よシ確実に発振を開始し、発振停止の生起確
率も減少する。また、このマイクロ波発振器は従来のマ
イクロ波発振器よシ誘電体共振器１ｏとマイクロストリ
ップ線路１１この結合が弱くても発振可能となる。
以上のようにこの実施例によれば、マイクロ波発振器の
ＦＥＴ１のゲート端子４に高インピーダンス線路２１の
一端を接続し、高インピーダンス線路２１の他端を一端
をダミー抵抗で終端したマイクロストリップ線路１１に
接続することで、マイクロストリップ線路１１からＦＥ
Ｔ１側を見た反射率を向上させ、従来に比べ安定な発振
器を得ることができる。また、性能の低いＦＥＴを使用
することが可能になる。
ＦＥＴ１のゲート端子４に高インピーダンス線路２１の
一端を接続し、高インピーダンス線路２１の他端を一端
をダミー抵抗で終端したマイクロストリップ線路１１に
接続することで、マイクロストリップ線路１１からＦＥ
Ｔ１側を見た反射率を向上させ、従来に比べ安定な発振
器を得ることができる。また、性能の低いＦＥＴを使用
することが可能になる。
第３図は本発明の第２の実施例の場合の共振回路構成図
であシ、第１図の共振回路２ｏに相当する部分である。
であシ、第１図の共振回路２ｏに相当する部分である。
第１図、第６図と同一物は同一番号を付して説明する。
第３図において開放線路３１をマイクロストリップ線路
１１に接続してインピーダンス変換している以外は第１
図の実施例と同様な構成である。開放線路の長さｔ３９
幅Ｗ３ ＋位置ｄ３を適当に定め、ゲート端子４からマ
イクロストリップ線路１１側を見たインピーダンスを第
１の実施例と同等になるように調整すれば、第１の実施
例と同様な効果を得ることが可能である。
１１に接続してインピーダンス変換している以外は第１
図の実施例と同様な構成である。開放線路の長さｔ３９
幅Ｗ３ ＋位置ｄ３を適当に定め、ゲート端子４からマ
イクロストリップ線路１１側を見たインピーダンスを第
１の実施例と同等になるように調整すれば、第１の実施
例と同様な効果を得ることが可能である。
第４図は本発明の第３の実施例の場合の共振回路の構成
図であり第１図の共振回路２０に相当する部分である。
図であり第１図の共振回路２０に相当する部分である。
第１図、第３図、第６図と同一物は同一番号を付して説
明する。第４図において、短絡線路３２をマイクロスト
リップ線路１１に接続してインピーダンス変換している
以外は第１の実施例と同様な構成である。短絡線路の長
さｔ４゜幅Ｗ １位置ｄ４を適当に定め、ゲート端子４
からマイクロストリップ線路１１側を見たインピーダン
スを第１の実施例と同等にすれば、第１の実施例と同様
な効果を得ることが可能である。
明する。第４図において、短絡線路３２をマイクロスト
リップ線路１１に接続してインピーダンス変換している
以外は第１の実施例と同様な構成である。短絡線路の長
さｔ４゜幅Ｗ １位置ｄ４を適当に定め、ゲート端子４
からマイクロストリップ線路１１側を見たインピーダン
スを第１の実施例と同等にすれば、第１の実施例と同様
な効果を得ることが可能である。
第５図は本発明筒４の実施例の場合の共振回路の構成図
であり、第１図の共振回路２０に相当する部分である。
であり、第１図の共振回路２０に相当する部分である。
第１図、第３図、第４図、第６図と同一物は同一番号を
付して説明する。第６図において、マイクロストリップ
線路１１にギャップ３３を設けてインピーダンス変換し
ている以外は第１の実施例と同様な構成である。ギャッ
プ３３０幅ｓ１や長さｔｌを適当に定め、ゲート端子４
からマイクロストリップ線路１１側を見たインピーダン
スを第１の実施例と同等にすれば、第１の実施例と同様
な効果を得るとともに、ギャップ３３によシゲート端子
４とダミー抵抗１２０間が直流的に遮断されるため、直
流遮断コンデンサ１３は不要となる。
付して説明する。第６図において、マイクロストリップ
線路１１にギャップ３３を設けてインピーダンス変換し
ている以外は第１の実施例と同様な構成である。ギャッ
プ３３０幅ｓ１や長さｔｌを適当に定め、ゲート端子４
からマイクロストリップ線路１１側を見たインピーダン
スを第１の実施例と同等にすれば、第１の実施例と同様
な効果を得るとともに、ギャップ３３によシゲート端子
４とダミー抵抗１２０間が直流的に遮断されるため、直
流遮断コンデンサ１３は不要となる。
なお、第１．第２．第３．第４の実施例ではすべてドレ
イン接地構成のマイクロ波発振器であったが、ソース接
地構成のマイクロ波発振器に本発明を使用してもよいし
、その他の構成でもＦＥＴを使用したマイクロ波発振器
であれば本発明を適用できる。また、第１の実施例で述
べたｔｌ、Ｗｌの値はＦＥＴの特性及び発振周波数やマ
イクロ波発振器の回路構成により変化するのは言うまで
もない。また、第１の実施例で誘電体共振器１１の共振
周波数を１０．７５ＧＨｚとしたが、それ以外の周波数
でも本発明を適用できることは言うまでもない。
イン接地構成のマイクロ波発振器であったが、ソース接
地構成のマイクロ波発振器に本発明を使用してもよいし
、その他の構成でもＦＥＴを使用したマイクロ波発振器
であれば本発明を適用できる。また、第１の実施例で述
べたｔｌ、Ｗｌの値はＦＥＴの特性及び発振周波数やマ
イクロ波発振器の回路構成により変化するのは言うまで
もない。また、第１の実施例で誘電体共振器１１の共振
周波数を１０．７５ＧＨｚとしたが、それ以外の周波数
でも本発明を適用できることは言うまでもない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、ＦＥＴのゲート端
子とマイクロストリップ線路の接続部に設けたインピー
ダンス変換手段によりマイクロストリップ線路からＦＥ
Ｔ側を見た反射率を高くすることができ、従来のマイク
ロ波発振器では発振開始しなかったシネ安定で使用でき
なかった性能の低いＦＥＴを用いても安定に発振するマ
イクロ波発振器を構成でき、その実用的効果は大きい。
子とマイクロストリップ線路の接続部に設けたインピー
ダンス変換手段によりマイクロストリップ線路からＦＥ
Ｔ側を見た反射率を高くすることができ、従来のマイク
ロ波発振器では発振開始しなかったシネ安定で使用でき
なかった性能の低いＦＥＴを用いても安定に発振するマ
イクロ波発振器を構成でき、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明における第１の実施例のマイクロ波発振
器の構成図、第２図は同実施例の効果を示す特性図、第
３図は本発明における第２の実施例のマイクロ波発振器
の共振回路の構成図、第４図は本発明における第３の実
施例のマイクロ波発振器の共振回路の構成図、第５図は
本発明における第４の実施例のマイクロ波発振器の共振
回路の構成図、第６図は従来のマイクロ波発振器の構成
図である。 １・・・・・・ＦＥＴ、４・・・・・・ゲート端子、１
ｏ・・・・・・誘を体共振器、１１・・・・・・マイク
ロストリップ線路、１２・・・・・・ダミー抵抗、２１
・・・・・・高インピーダンス線路、３１・・・・・・
開放線路、３２・・・・・・短絡線路、３３・・・・・
・ギャップ。 第 第 図 図 ノー−ＦＥＴ ３１−関放塊瓢 第 図 第 図 贋羨毅 （ＧＨｚ）
器の構成図、第２図は同実施例の効果を示す特性図、第
３図は本発明における第２の実施例のマイクロ波発振器
の共振回路の構成図、第４図は本発明における第３の実
施例のマイクロ波発振器の共振回路の構成図、第５図は
本発明における第４の実施例のマイクロ波発振器の共振
回路の構成図、第６図は従来のマイクロ波発振器の構成
図である。 １・・・・・・ＦＥＴ、４・・・・・・ゲート端子、１
ｏ・・・・・・誘を体共振器、１１・・・・・・マイク
ロストリップ線路、１２・・・・・・ダミー抵抗、２１
・・・・・・高インピーダンス線路、３１・・・・・・
開放線路、３２・・・・・・短絡線路、３３・・・・・
・ギャップ。 第 第 図 図 ノー−ＦＥＴ ３１−関放塊瓢 第 図 第 図 贋羨毅 （ＧＨｚ）
Claims (4)
- （１）ＦＥＴを備え、このＦＥＴのゲート端子に一端を
ダミー抵抗で終端したマイクロストリップ線路を接続し
、前記ゲート端子とマイクロストリップ線路の接続部に
インピーダンス変換手段を設け、前記マイクロストリッ
プ線路に発振周波数に、一致した共振周波数を持つ誘電
体共振器を電磁的に結合させたことを特徴とするマイク
ロ波発振器。 - （２）インピーダンス変換手段を高インピーダンス線路
で構成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波
発振器。 - （３）インピーダンス変換手段をマイクロストリップ線
路に接続された開放線路又は短絡線路で構成したことを
特徴とする請求項１記載のマイクロ波発振器。 - （４）インピーダンス変換手段をマイクロストリップ線
路にギャップを設けることにより構成したことを特徴と
する請求項１記載のマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17127788A JPH0220903A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17127788A JPH0220903A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220903A true JPH0220903A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15920346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17127788A Pending JPH0220903A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008312112A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | 誘電体共振器型発振器及びそれを用いたレーダシステム |
| CN102581299A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-07-18 | 金淞电器(九江)有限公司 | 一种贵金属纳米粒子的光化学制备方法 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17127788A patent/JPH0220903A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008312112A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | 誘電体共振器型発振器及びそれを用いたレーダシステム |
| CN102581299A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-07-18 | 金淞电器(九江)有限公司 | 一种贵金属纳米粒子的光化学制备方法 |
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