KR20020046985A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 반도체 장치에 있어서,제1 단면 및 상기 제1 단면에 대향하는 제2 단면과, 상기 제1 및 제2 단면을 접속하는 제1 외측면으로 이루어진 제1 도전형의 제1 반도체 영역;제3 단면 및 상기 제3 단면에 대향하며 상기 제1 단면과 접촉하는 제4 단면과, 상기 제3 및 제4 단면을 접속하는 제2 외측면으로 이루어진 제2 도전형의 제2 반도체 영역;상기 제2 단면에서 상기 제1 반도체 영역과 접속된 상기 제1 도전형의 제3 반도체 영역;상기 제3 단면에서 상기 제2 반도체 영역과 접속된 상기 제2 도전형의 제4 반도체 영역; 및상기 제1 및 제2 외측면과 접촉하는 내주면을 갖고, 상기 제1 반도체 영역보다 낮은 불순물 농도를 가지며, 상기 제3 및 제4 반도체 영역 사이에 끼워져 상기 제1 및 제2 반도체 영역을 둘러싸도록 구성된 제5 반도체 영역으로 이루어진 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제5 반도체 영역의 외측면이 상기 반도체 장치의 칩 외측면으로서 기능하고, 상기 칩 외측면이 상기 제1 반도체 영역의 제2 단면에 대하여 실질적으로 수직인 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제5 반도체 영역이 벌크 결정으로부터 절단된 웨이퍼인 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제3 반도체 영역의 밑면에 형성된 제1 주 전극 층과, 상기 제4 반도체 영역의 표면에 형성된 제2 주 전극 층을 더 포함하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제1 반도체 영역의 전도율보다 전도율이 높고, 상기 제1 주 전극 층과 접촉하도록 상기 제4 반도체 영역을 관통하여 상기 제1 반도체 영역에 파묻힌 제1 주 전극 플러그를 더 포함하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제2 반도체 영역의 전도율보다 전도율이 높고, 상기 제2 주 전극 층과 접촉하도록 상기 제2 반도체 영역에 파묻힌 제2 주 전극 플러그를 더 포함하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제5 반도체 영역이 상기 제1 도전형을 갖는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서,제1 단면 및 상기 제1 단면에 대향하는 제2 단면과, 상기 제1 및 제2 단면을 접속하는 제1 외측면으로 이루어진 제1 도전형의 제1 반도체 영역;제3 단면 및 상기 제3 단면에 대향하며 상기 제1 단면과 접촉하는 제4 단면과, 상기 제3 및 제4 단면을 접속하는 제2 외측면으로 이루어진 제2 도전형의 제2 반도체 영역;상기 제2 단면에서 상기 제1 반도체 영역과 접속된 상기 제1 도전형의 제3 반도체 영역;상기 제3 단면 근처에서 상기 제2 외측면의 상부와 접속된 상기 제2 도전형의 제4 반도체 영역; 및상기 제1 및 제2 외측면과 접촉하는 내주면을 갖고, 상기 제1 반도체 영역보다 낮은 불순물 농도를 가지며, 상기 제3 및 제4 반도체 영역 사이에 끼워져 상기 제1 및 제2 반도체 영역을 둘러싸도록 구성된 제5 반도체 영역으로 이루어진 반도체 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제5 반도체 영역의 외측면이 상기 반도체 장치의 칩 외측면으로서 기능하고, 상기 칩 외측면이 상기 제1 반도체 영역의 제2 단면에 대하여 실질적으로 수직인 반도체 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제5 반도체 영역이 벌크 결정으로부터 절단된 웨이퍼인 반도체 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제3 반도체 영역의 밑면에 형성된 제1 주 전극 층과, 상기 제4 반도체 영역의 표면에 형성된 제2 주 전극 층을 더 포함하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서,상기 제1 반도체 영역의 전도율보다 전도율이 높고, 상기 제1 주 전극 층과 접촉하도록 상기 제1 반도체 영역에 파묻힌 제1 주 전극 플러그를 더 포함하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서,상기 제2 반도체 영역의 전도율보다 전도율이 높고, 상기 제2 주 전극 층과 접촉하도록 상기 제2 반도체 영역에 파묻힌 제2 주 전극 플러그를 더 포함하는 반도체 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제5 반도체 영역이 상기 제1 도전형을 갖는 반도체 장치.
- 반도체 장치 제조방법에 있어서,제1 주면과 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면으로 이루어진 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 제2 주면에 소정의 확산깊이로 형성된 제1 확산창 전면에 제1 도전형의 불순물 원소를 선택적으로 도핑하여 제1 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 제2 주면에 상기 제1 확산창보다 넓은 영역으로 형성된 제2 확산창 전면에 제2 도전형의 불순물 원소를 선택적으로 도핑하여, 상기 제1 반도체 영역과 pn 접합을 형성하도록 제2 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 제1 주면 전체에 상기 제1 도전형의 불순물 원소를 도핑하여 제3 반도체 영역을 형성하는 단계; 및상기 제2 주면 전체에 상기 제2 도전형의 불순물 원소를 도핑하여 제4 반도체 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 장치 제조방법.
- 반도체 장치 제조방법에 있어서,제1 주면과 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면으로 이루어진 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 제1 주면에 소정의 확산깊이로 형성된 제1 확산창 전면에 제1 도전형의 불순물 원소를 선택적으로 도핑하여 제1 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 제2 주면에 형성된 제2 확산창 전면에 제2 도전형의 불순물 원소를 선택적으로 도핑하여, 상기 제1 반도체 영역과 pn 접합을 형성하도록 제2 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 제1 주면 전체에 상기 제1 도전형의 불순물 원소를 도핑하여 제3 반도체 영역을 형성하는 단계; 및상기 제2 주면 전체에 상기 제2 도전형의 불순물 원소를 도핑하여 제4 반도체 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 장치 제조방법.
- 반도체 장치 제조방법에 있어서,제1 주면과 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면으로 이루어진 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 제1 주면 전체에 상기 제1 도전형의 불순물 원소를 도핑하여 제3 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 제2 주면 전체에 상기 제2 도전형의 불순물 원소를 도핑하여 제4 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 제1 주면의 일부로부터 상기 제3 반도체 영역을 관통하는 제1 확산 트렌치를 형성하는 단계;상기 제2 주면의 일부로부터 상기 제4 반도체 영역을 관통하는 제2 확산 트렌치를 형성하는 단계;상기 제1 확산 트렌치의 내벽 및 하부로부터 상기 제1 도전형의 불순물 원소를 선택적으로 도핑하여 제1 반도체 영역을 형성하는 단계; 및상기 제2 확산 트렌치의 내벽 및 하부로부터 상기 제2 도전형의 불순물 원소를 선택적으로 도핑하여 제2 반도체 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 장치 제조방법.
- 제15항에 있어서,상기 반도체 기판을 상기 제1 주면에 대하여 실질적으로 수직인 면에서 절단함으로써 분할하여 각각 직육면체형으로 형성된 복수의 반도체 칩을 취득하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치 제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 반도체 기판을 상기 제1 주면에 대하여 실질적으로 수직인 면에서 절단함으로써 분할하여 각각 직육면체형으로 형성된 복수의 반도체 칩을 취득하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 반도체 기판을 상기 제1 주면에 대하여 실질적으로 수직인 면에서 절단함으로써 분할하여 각각 직육면체형으로 형성된 복수의 반도체 칩을 취득하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치 제조방법.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4126872B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2008-07-30 | サンケン電気株式会社 | 定電圧ダイオード |
US6784520B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor devices constitute constant voltage devices used to raise internal voltage |
DE10243813A1 (de) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2004296883A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Sharp Corp | 半導体装置とその製造方法 |
FR2857506A1 (fr) * | 2003-07-11 | 2005-01-14 | St Microelectronics Sa | Diode de redressement et de protection |
US7259411B1 (en) | 2003-12-04 | 2007-08-21 | National Semiconductor Corporation | Vertical MOS transistor |
EP1702366A1 (fr) * | 2003-12-05 | 2006-09-20 | STMicroelectronics S.A. | Composant semiconducteur actif a surface reduite |
DE102004026100B4 (de) * | 2004-05-25 | 2007-10-25 | Infineon Technologies Ag | ESD-Schutzstrukturen für Halbleiterbauelemente |
US7602015B2 (en) * | 2005-08-25 | 2009-10-13 | International Rectifier Corporation | Process to control semiconductor wafer yield |
JP5168765B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2013-03-27 | 富士電機株式会社 | 縦型ツェナーダイオードの製造方法および縦型ツェナーダイオード |
JP5002974B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2012-08-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5411422B2 (ja) | 2007-01-31 | 2014-02-12 | 関西電力株式会社 | バイポーラ型半導体装置、その製造方法およびツェナー電圧の制御方法 |
JP2009059999A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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JP5235596B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Siエッチング方法 |
US20100279493A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Kishore Kamath | Doping of semiconductor layer for improved efficiency of semiconductor structures |
JP6065198B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2017-01-25 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6001309B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2016-10-05 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
US9281359B2 (en) * | 2012-08-20 | 2016-03-08 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device comprising contact trenches |
JP2014041920A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
CN103972273A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-08-06 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 低反向漏电流的单向瞬态电压抑制芯片 |
CN113130663B (zh) * | 2021-02-25 | 2022-07-12 | 西安电子科技大学 | 一种钳位电压可选的SiC-TVS器件及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
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---|---|---|---|---|
DE2916114A1 (de) * | 1978-04-21 | 1979-10-31 | Hitachi Ltd | Halbleitervorrichtung |
NL7907680A (nl) * | 1979-10-18 | 1981-04-22 | Philips Nv | Zenerdiode. |
JPS62105481A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2573736B2 (ja) * | 1990-09-18 | 1997-01-22 | 三菱電機株式会社 | 高耐圧低抵抗半導体装置及びその製造方法 |
JPH07193259A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | pn接合素子 |
JPH10189761A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPH10256574A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Toko Inc | ダイオード装置 |
JPH11251604A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Tokin Corp | 半導体装置 |
JP2000101098A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | ソフトリカバリーダイオード |
KR100332626B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2002-04-17 | 곽정소 | 가변용량 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2001352079A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Nec Corp | ダイオードおよびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101121702B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2012-02-28 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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