JPH10256574A - ダイオード装置 - Google Patents

ダイオード装置

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JPH10256574A
JPH10256574A JP9079112A JP7911297A JPH10256574A JP H10256574 A JPH10256574 A JP H10256574A JP 9079112 A JP9079112 A JP 9079112A JP 7911297 A JP7911297 A JP 7911297A JP H10256574 A JPH10256574 A JP H10256574A
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Takeshi Kasahara
健 笠原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 同じ表面に両極の電極を形成することによ
り、フエースダウンボンディングの手法を用いて回路基
板に接続できるダイオード装置を提供することにある。 【解決手段】 半導体基体内にあって電極を表面に接続
できない領域３のために、基板１に接続し領域３と同じ
導電形の領域８を形成し、領域８の基体表面の露呈部分
に電極７を形成する。このことにより、ダイオードの接
合を形成する片端の領域３の電極７と他端の電極６が半
導体基体の同じ表面に形成できるので課題を達成でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同じ表面に両極の
電極を形成してあり、回路基板の導体パターンにリード
線を用いることなく直接接続が可能なダイオード装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の電子回路を形成する場合に、プリ
ント基板等の回路基板に集積回路をリード線を用いるこ
となく直接接続する手法、いわゆるフエースダウンボン
ディングの手法がある。この手法は、集積回路の同じ表
面に電極を形成してその表面を下にして回路基板に直接
電極を接続するものであり、集積回路のパッケージング
の必要がないので集積回路の小型化と低価格化の見地か
ら多用される。しかしこのような手法は、トランジスタ
を主に形成してあって同じ表面に電極を引き出せる集積
回路には使用できるが、電極が二つだけのダイオード装
置、例えば可変容量ダイオード装置には使用できなかっ
た。
【０００３】図４は従来の可変容量ダイオード装置を示
す断面の説明図であるが、シリコンからなる半導体基板
１上のエピタキシャル層２内には導電形の異なる領域３
と領域４が形成され、この領域により超階段接合のよう
なのＰＮ接合が形成されている。５は酸化シリコンから
なる絶縁膜、６は領域４に接続する電極、１５はリード
線、１６と１７はリードフレームにより形成された板状
の端子である。領域４は、基板１とエピタキシャル層２
からなる半導体基体の表面に露呈しているのでその表面
に電極６を形成できるが、領域３は領域４の下側に配置
されているので領域３に接続する電極１８は基板１の裏
面に形成される。
【０００４】裏面の電極１８は端子１６に固着されてお
り、固着部分ではリボン状の金を基板１と端子１６との
間に挟んで加熱することにより、端子１６、金、基板１
の共晶が形成されている。表面の電極６は、金のリード
線１５により端子１７に接続される。そして、端子１
６、１７だけを外部に露呈させて樹脂封止等のパッケー
ジングが行われ、端子１６、１７が回路基板に接続され
る。このように、従来のダイオード装置は同じ表面に二
つの電極を形成することができないのでフエースダウン
ボンディングによる回路基板への接続もできなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、同じ
表面に両極の電極を形成することによりフエースダウン
ボンディングの手法を用いて回路基板に接続できるダイ
オード装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のダイオード装置
は、半導体基体内に形成され、その表面に露呈する１導
電形の第１の領域、第１の領域の下側に配置され、第１
の領域と接合を形成する反対導電形の第２の領域、第２
の領域の下側に配置された第２の領域と同じ導電形の第
３の領域、基体の表面に露呈し、第３の領域まで垂直に
延在する第２の領域と同じ導電形の第４の領域、基体の
表面に設けられた第１の領域に接続する第１の電極と第
４の領域に接続する第２の電極とを有しており、第３の
領域は第４の領域を経て第２の電極に接続されているこ
とを特徴とする。第１の領域と第３の領域間に別の領域
が存在する場合もある。
【０００７】
【発明の実施の形態】半導体基体内にあり表面において
電極を接続できない領域のために、該領域と同じ導電形
の表面に露呈する別の領域を形成し、その別の領域を介
して表面で電極を接続可能にするものである。
【０００８】
【実施例】以下、本発明のダイオード装置の実施例を可
変容量ダイオード装置を例にとり図１と図２を参照しな
がら説明する。図１は断面図、図２は平面図であり、図
４と同一部分は同じ符号を付してある。図１において、
１は導電形がＮ形で低比抵抗のシリコンの半導体基板で
あり、その基板１上に同じ導電形で高比抵抗のエピタキ
シャル層２が形成されている。エピタキシャル層２に
は、その表面に露呈する導電形がＰ形で低比抵抗の第１
の領域４とその下側に配置された導電形がＮ形で低比抵
抗の第２の領域３を形成してある。領域４と領域３はＰ
Ｎ接合を形成している。また、エピタキシャル層２には
領域４と領域３から離れたところに、その表面から基板
１まで延在する導電形がＮ形で低比抵抗の第４の領域８
を形成してある。そして、領域４には第１の電極６、領
域８には第２の電極７が夫々エピタキシャル層２の表面
で接続している。また、フエースダウンボンディングを
行うためのバンプ９、バンプ１０を夫々電極６と電極７
の上に形成してある。
【０００９】このような可変容量ダイオード装置は、ア
ノード電極である電極６が直接に領域４に接続し、カソ
ード電極である電極７は領域８、第３の領域の役割をす
る基板１、わずかの厚みのエピタキシャル層２を介して
領域３に接続する。電極６、電極７はいずれも半導体基
体のエピタキシャル層２の同じ表面にあり、フエースダ
ウンボンディングが可能である。このような可変容量ダ
イオード装置の製造に際しては、エピタキシャル層２内
に最初に領域８を形成する以外は通常の可変容量ダイオ
ード装置の製造方法を用いればよい。
【００１０】図３は本発明のダイオード装置の他の実施
例を示す断面図であり、ＰＩＮダイオード装置を示して
いる。半導体基板１の上には非常に高比抵抗の真性半導
体のエピタキシャル層１１を形成してあり、このエピタ
キシャル層１１内にその表面に露呈した領域４を形成し
てある。したがって、導電形がＮ形の基板１と領域４間
に第５の領域である真性半導体のエピタキシャル層１１
が挟まれており、基板１とエピタキシャル層１１間、領
域４とエピタキシャル層１１間に夫々接合があり、ＰＩ
Ｎダイオード装置が形成されている。エピタキシャル層
１１内にはその表面から基板１まで領域８が延在してお
り、領域８に電極７が接続している。電極７は第３の領
域の役割をする基板１に領域８を介して接続している。
このＰＩＮダイオード装置においても、同じ表面に両極
の電極を形成してある。
【００１１】この実施例では、第３の領域である基板１
がＰＩ接合を形成してダイオードを構成する片端の領域
であり、その片端の領域が同じ導電形の領域８を介して
電極７に接続している。最初の実施例では、基板１はＰ
Ｎ接合を形成してダイオードを構成する片端の領域では
なく、ＰＮ接合を形成してダイオードを構成する片端の
領域である領域３を領域８と共に電極７に接続する役割
のみを有する。第３の領域は、このように接合を形成し
てダイオードを構成する場合と、ダイオードを構成しな
いで単に導体の役割をする場合がある。また、基板１が
第３の領域の役割を行ったが、基板とは別に埋め込み層
を形成してその埋め込み層を第３の領域として用いるこ
ともできる。実施例においては、領域８はダイオードの
接合を形成して表面に露呈する領域４の近傍に一箇所形
成されているが、例えば周囲に円状に形成してもよい。
さらに実施例では、可変容量ダイオード装置とＰＩＮダ
イオード装置について説明したが、種々のダイオード装
置に広く応用できることは明らかである。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のダイオード
装置は表面に露呈しない領域を表面に露呈する別の領域
に接続してあり、表面に露呈しない領域はその別の領域
を介して必要な表面の電極に接続する構成である。した
がって、同じ表面に両極の電極を形成することができ、
リード線を用いることなく回路基板に接続することが可
能になる。このようにして、本発明のダイオード装置
は、トランジスタを形成する集積回路と同じように回路
基板に接続することができ、小形化と経済性の見地から
極めて実用的な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のダイオード装置の実施例を示す断面
図である。
【図２】 図１の平面図である。
【図３】 本発明のダイオード装置の他の実施例を示す
断面図である。
【図４】 従来のダイオード装置の断面の説明図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ エピタキシャル層 ３、４ 領域 ６、７ 電極

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基体内に形成され、その表面に露
    呈する１導電形の第１の領域、第１の領域の下側に配置
    され、第１の領域と接合を形成する反対導電形の第２の
    領域、第２の領域の下側に配置された第２の領域と同じ
    導電形の第３の領域、基体の表面に露呈し、第３の領域
    まで垂直に延在する第２の領域と同じ導電形の第４の領
    域、基体の表面に設けられた第１の領域に接続する第１
    の電極と第４の領域に接続する第２の電極とを有してお
    り、第３の領域は第４の領域を経て第２の電極に接続さ
    れていることを特徴とするダイオード装置。
  2. 【請求項２】 第１の領域、第２の領域および第４の領
    域はエピタキシャル層内に形成され、第３の領域は半導
    体基板により形成されている請求項１のダイオード装
    置。
  3. 【請求項３】 半導体基体内に形成され、その表面に露
    呈する１導電形の第１の領域、第１の領域の下側に配置
    された反対導電形の第３の領域、第１の領域と第３の領
    域間に配置され、両方の領域と夫々に接合を形成する真
    性半導体の第５の領域、基体の表面に露呈し、第３の領
    域まで垂直に延在する第３の領域と同じ導電形の第４の
    領域、基体の表面に設けられた第１の領域に接続する第
    １の電極と第４の領域に接続する第２の電極とを有して
    おり、第３の領域は第４の領域を経て第２の電極に接続
    されていることを特徴とするダイオード装置。
  4. 【請求項４】 第５の領域はエピタキシャル層により形
    成され、第１の領域および第４の領域はそのエピタキシ
    ャル層内に形成され、第３の領域は半導体基板により形
    成されている請求項３のダイオード装置。
JP9079112A 1997-03-14 1997-03-14 ダイオード装置 Pending JPH10256574A (ja)

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