KR20010112275A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20010112275A
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Abstract

본 발명은 은전극을 이용한 PDP에 있어서 패널의 황색변환을 비교적 간단히 억제하는 기술을 제공하고, 고휘도·고화질로 화상을 표시할 수 있는 PDP를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명은 은전극을 형성할 때에 은을 주체로 하여, 특정의 천이금속(Cu, Cr, Co, Ni, Mn, Fe) 또는 특정의 금속(Ru, Rh, Ir, Os, Re)의 어느 하나를 함유하는 합금으로 형성하거나 이들 금속의 산화물을 첨가하기로 하였다.
또는 은전극을 형성할 때에 은입자의 표면을 금속(Pd, Cu, Cr, Ni, Ir, Ru 등) 또는 금속산화물 (SiO2, Al2O3, NiO, ZrO2, Fe2O3등)로 피복한 것을 이용하였다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR PRODUCTION THERE0F}
최근 디스플레이의 분야에 있어서 고정밀한 표시(하이비전 등)나 플랫화라는 고성능화의 요구가 이루어지고 있고, 그에 따르는 여러 가지 연구개발이 이루어지고 있다.
플랫 디스플레이의 대표적인 것으로서는 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)을 들 수 있지만, 이 중 PDP는 박형이고 또한 대화면에 적당하여, 이미 50인치급의 제품이 개발되고 있다.
PDP는 크게 구별하여 직류형(DC형)과 교류형(AC형)으로 나뉘지만, 현재는 대형화에 알맞은 AC형이 주류가 되고 있다.
일반적으로 PDP는 각색 발광셀이 매트릭스형상으로 배열된 구성으로, 교류면방전형 PDP에서는, 예컨대 일본국 특개평 9-35628호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 프론트유리기판과 백유리기판이 격벽을 개재하여 평행하게 배치되고, 프론트유리기판상에는 표시전극쌍(주사전극과 유지전극)이 평행하게 배치되어, 그 위를 덮어 유전체층이 형성되고, 백유리기판상에는 주사전극과 직교하여 어드레스전극이 배치되며, 양플레이트간에 있어서의 격벽으로 구분된 공간내에는 적색, 녹색, 청색의 형광체층이 배치되고, 방전가스가 봉입됨으로써 각색 발광셀이 형성된 패널구조로 되어 있다. 그리고, 구동회로에서 각 전극에 전압을 인가함으로써 방전하면 자외선이 방출되고, 형광체층의 형광체입자(적색, 녹색, 청색)가 이 자외선을 받아 여기발광함으로써 화상이 표시된다.
이러한 PDP에 있어서 프론트유리기판이나 백유리기판은 붕규소나트륨계 유리재료로 플로트법으로 제조되는 유리판이 일반적으로 이용되고, 표시전극이나 어드레스전극에는 Cr-Cu-Cr전극도 이용되고 있지만, 비교적 염가의 은전극이 많이 이용되고 있다.
이 은전극은 일반적으로 후막법에 의해서 형성된다. 즉, 은입자, 유리프릿, 수지, 용제 등을 함유하는 은페이스트를 스크린인쇄법으로 패터닝도포하거나 은입자, 유리프릿, 수지 등을 함유하는 필름을 래미네이트법으로 접착하여 패터닝한다. 그리고, 어느 경우도 수지를 제거하는 동시에 은끼리 융착하여 도전율을 상승시키기 위해서 500℃ 이상에서 소성처리를 행한다.
또한, 유전체층은 통상 저융점 납유리 등의 분말과 수지로 이루어진 페이스트를 스크린인쇄법, 다이코트도포법 또는 래미네이트법 등에 의해서 도공하고, 500℃ 이상에서 가열, 소성함으로써 형성된다.
그런데, 이와 같이 은전극을 이용한 PDP에서는 유리기판이나 유전체층에 Ag가 이온으로서 확산되고, 그것이 기판이나 유전체층 중에서 환원되어 Ag콜로이드가생김으로써 황색변환이 발생하기 쉽고, 이 황색변환 때문에 PDP의 구동시에 백(白)표시시에서의 색온도가 저하되어, PDP의 화질이 열화되는 문제가 있는 것이 알려져 있다.
그리고, 이와 같이 유리기판이나 유전체층에 황색변환이 생기면 청색셀의 휘도저하 및 백표시시의 색온도가 저하되는 원인이 된다.
이러한 PDP에서의 황색변환 문제에 대하여, 예컨대 일본국 특개평 10-255669호 공보에는 사용하는 유리기판의 표면을 기계적으로 연마함으로써, 1㎛ 이상 1000㎛ 이하의 표면층을 제거하는 기술이 나타나 있다.
이 기술은 유리기판의 황색변환 억제에 유효하다고 생각되지만, PDP에 이용하는 대형의 유리기판을 단시간에 균일하게 1㎛ 이상 연마하는 것은 대단히 곤란하다. 예컨대 오스카식 연마장치로 유리기판의 표면을 1㎛ 연마하기 위해서는 수십분 이상을 필요로 한다. 또한, 이와 같이 연마를 1㎛ 이상 행하면 유리기판의 두께에 편차가 발생하기 쉽다.
따라서, 은전극을 이용한 PDP에 있어서 황색변환을 억제하기 위한 새로운 해결수단이 요망된다.
본 발명은 표시디바이스 등에 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 실시예에 관한 AC면방전형 PDP를 나타내는 요부사시도
도 2는 상기 PDP에서의 전면패널판의 일례의 부분단면도
도 3은 패널황색변환 발생의 메커니즘을 설명하는 도면
도 4는 스퍼터법으로 은합금으로 이루어진 은전극막을 형성하는 방법을 설명하는 도면
도 5는 Ag합금으로 이루어진 은전극막을 후막형성법으로 형성하는 방법을 설명하는 도면
도 6은 Ag합금으로 이루어진 은전극막을 후막형성법으로 형성하는 방법을 설명하는 도면
도 7은 후막형성법으로 형성된 은전극의 구성을 나타내는 도면
도 8은 은전극 전구체 및 유전체 전구체층의 동시 소성법을 설명하는 공정도
도 9는 Ag입자의 표면을 금속 또는 금속산화물로 피복한 은전극에 대해서 설명하는 도면
도 10은 전면유리기판의 표면에칭 처리공정을 설명하는 도면
도 11은 전면유리기판의 소성에 의한 실활공정을 설명하는 도면
도 12는 유리기판의 에칭심도에 관한 실험데이터
본 발명은 은전극을 이용한 PDP에 있어서 패널의 황색변환을 비교적 간단히 억제하는 기술을 제공하고, 그것에 의하여 고휘도·고화질로 화상을 표시할 수 있는 PDP를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명은 제 1로, 은전극을 형성할 때에 은을 주체로 하여 천이금속(transition metal) (Cu, Cr, Co, Ni, Mn, Fe 중에서 선택되는 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 합금으로 형성하기로 하였다. 또는 은전극을 형성할 때에 은과 천이금속의 산화물(CuO, CoO, NiO, Cr2O3, MnO, Fe2O3중의 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 유리로 형성하기로 하였다. 은과 천이금속의 산화물(CuO, CoO, NiO, Cr2O3, MnO, Fe2O3의 중의 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 유리로 형성하기로 하였다.
또한 본 발명은 제 2로, 은전극을 형성할 때에 은을 주체로 하여 금속(Ru, Rh, Ir, Os, Re의 어느 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 합금으로 형성하기로 하였다. 또는 은전극을 형성할 때에 은과 금속산화물(RuO2, RhO, IrO2, OsO2, ReO2또는 PdO의 어느 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 유리로 형성하기로 하였다.
또한 본 발명은 제 3으로, 은전극을 형성할 때에 은입자의 표면을 금속(Pd, Cu, Cr, Ni, Ir, Ru 등), 또는 금속산화물(SiO2, Al2O3, NiO, ZrO2, Fe2O3, ZnO, In2O3, CuO, TiO2, Pr6O11등)로 피복한 것을 이용하기로 하였다.
여기서, 은입자의 표면을 금속 또는 금속산화물로 피복하는 방법으로서는 아래의 ①∼③의 방법이 있다.
① 은입자 표면에 무전해도금법으로 금속을 피복하는 방법.
② 은입자의 표면에 메커노퓨전법으로 금속산화물 또는 금속을 피복하는 방법.
③ 은입자의 표면에 졸겔법으로 금속산화물을 피복시키는 방법이다.
또한 본 발명은 제 4로, PDP에 이용하는 유리기판에 있어서 표면으로부터 깊이 5㎛까지의 영역에 Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온이 포함되는 농도를 1000ppm 이하로 규정하기로 하였다.
이러한 PDP용 유리기판은 통상의 유리기판에 대하여, Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온을 에칭처리에 의해서 제거하는 공정을 통하여, 또는 가열함으로써 Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 환원성을 실활(失活)시키는 공정을 통하여 제조할 수 있다.
상기 제 1∼제 4의 어느 것에 있어서도 유리기판이나 유전체층의 황색변환이 억제되기 때문에, PDP의 청색셀의 휘도를 향상시키고 백표시시의 색온도를 향상시킬 수 있다. 또한, 은전극의 도전성 자체는 제 1∼제 4의 어느 경우도 충분히 확보할 수 있다.
여기서, 상기 본 발명에 의해서 황색변환을 방지할 수 있는 이유에 대해서 설명한다.
도 3은 종래의 PDP에 있어서 유리기판이나 유전체층에 황색변환이 생기는 메커니즘을 설명하는 도면이다.
본 도면에 나타내는 바와 같이 유리기판의 황색변환은 Ⅰ∼Ⅳ의 단계를 거쳐 이루어지는 것으로 생각된다.
Ⅰ. 은전극을 형성할 때의 소성공정이나 유전체유리층을 형성할 때의 소성공정 중에 전극 중의 Ag가 이온화된다.
Ⅱ. 이온화되어 Ag이온이 유리기판 표면이나 유전체층 중으로 확산한다.
Ⅲ. 이 확산된 Ag이온이 기판유리 표면이나 유전체층 중에 존재하는 금속이온(Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온으로, 기판유리 표면에는 주로 Sn이온, 유전체유리 중에는 Na이온, Pb이온 등이 존재한다)에 의해서 환원된다.
Ⅳ. 환원된 Ag가 Ag콜로이드입자로서 침전하여 성장한다.
이 Ag콜로이드입자는 400㎚의 파장에 흡수영역이 있기 때문에, 기판이나 유전체층이 황색변환한다.
또한, 은에 의해서 유리가 황색변환하는 메커니즘에 관해서, 유리핸드북(아사쿠라서점:1977년 7월 15일 발행)의 p.166에는 유리 중에 있어서 Ag+와 Sn2+가 공존하는 경우에 열환원반응으로서 2Ag++ Sn2+ 2Ag + Sn4+가 생기는 경우나, 은콜로이드에 의해서 유리에 착색이 생기는 경우가 기재되어 있다. 또한, 이 외에 관련된 문헌으로서, J.E.SHELBY and J.VITKO. Jr Journal of Non Crystalline Solids Vo.150 (1982) 107-117을 들 수 있다.
이에 대하여 상기 제 1의 경우, 은전극 중에 포함되어 있는 천이금속 또는 천이금속산화물이 Ag이온의 확산을 억제하기 때문에, Ag콜로이드입자의 성장이 억제된다. 또한, 이들의 천이금속 또는 천이금속산화물은 녹색∼청색으로 착색되지만, 이 녹색∼청색은 황색에 대하여 보색의 관계에 있기 때문에, 이것에 의해서도 황색변환이 방지된다.
또한, 상기 제 2의 경우, 은전극 중에 포함되는 백금족금속(또는 Re) 또는이들 금속의 산화물에 의한 핀닝효과에 의해서 소성시에 Ag이온이 유리기판 중 또는 유전체유리 중으로 확산되기 어려워지는 동시에, Ag이온이 환원되기 어려워진다. 따라서, Ag콜로이드입자의 성장이 억제되고, 황색변환이 방지된다.
또한, 상기 제 3의 경우 은입자의 표면에 존재하는 금속산화물 또는 금속이 소성시에 Ag이온이 확산되는 것을 억제한다. 따라서, Ag콜로이드입자의 성장이 억제된다.
또한, 상기 제 4의 경우 PDP용 기판의 표면 근방에 있어서 Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 농도가 1000ppm 이하로 규정되어 있기 때문에, 은전극으로부터 Ag이온이 기판표면으로 확산되었다고 해도 그것이 환원되기 어렵다. 따라서, Ag콜로이드입자의 성장이 억제된다.
(제 1 실시예)
도 1은 실시예에 관한 AC면방전형 PDP를 나타내는 요부사시도로, PDP표시영역의 일부를 나타내고 있다.
이 PDP는 전면패널판(10)과 배면패널판(20)이 서로 평행하게 간격을 두고 배치, 구성되어 있다.
전면패널판(10)은 전면유리기판(11)의 대향면상에 제 1 전극으로서의 표시전극(12)(주사전극(12a), 유지전극(12b)), 투명유전체층(13), 보호층(14)이 순서대로 배치되어 이루어진다. 한편, 배면패널판(20)은 배면유리기판(21)의 대향면상에 제 2 전극으로서의 어드레스전극(22), 백색유전체층(23), 격벽(30)이 순서대로 배치되고, 격벽(30)끼리의 사이에 형광체층(31)이 배치되어 있다. 또한, 형광체층(31)은 적색, 녹색, 청색의 순으로 반복하여 나열되어 있다.
상기 전면유리기판(11), 배면유리기판(21)에는 플로트법에 의하여 제조되는유리판이 이용되고 있다.
그리고, 전면패널판(10)과 배면패널판(20)과의 간극은 스트라이프형상의 격벽(30)으로 구분됨으로써 방전공간(40)이 형성되고, 당해 방전공간(40)내에는 방전가스가 봉입되어 있다.
상기 표시전극(12) 및 어드레스전극(22)은 모두 스트라이프형상으로, 표시전극(12)은 격벽(30)과 직교하는 방향에 배치되고, 어드레스전극(22)은 격벽(30)과 평행하게 배치되어 있다. 그리고, 표시전극(12)과 어드레스전극(22)이 교차하는 지점에, 적색, 녹색, 청색의 각색을 발광하는 셀이 형성된 패널구성으로 되어 있다.
도 2는 전면패널판(10)의 일례의 부분단면도이다.
전면패널판(10)에 있어서 표시전극(12a, 12b)의 각각은 도 2(a)에 나타내는 바와 같이 은전극막만으로 형성할 수도 있고, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이 ITO, SnO2, ZnO 등의 도전성 금속산화물로 이루어진 폭이 넓은 투명전극막 위에, 버스전극으로서 폭이 좁은 은전극막을 적층시킨 전극구성으로 할 수도 있지만, 표시전극에 폭이 넓은 투명전극을 설치하면 셀내의 방전면적을 넓게 확보하는데 있어서는 바람직하다. 한편, 표시전극을 은전극막만으로 형성하는 편이 제조가 간단하다. 또한, 정밀한 셀구조의 경우는 표시전극의 폭을 작게, 예컨대 50㎛ 이하로 설정할 필요가 있기 때문에, 은전극막만으로 형성하는 것이 적당하다고 할 수 있다.
투명유전체층(13)은 전면유리기판(11)의 표시전극(12)이 배치된 표면 전체를 덮어 배치된 유전물질로 이루어진 층으로, 일반적으로 납계 저융점유리가 이용되고있지만, 비스무트계 저융점유리, 또는 납계 저융점유리와 비스무트계 저융점유리의 적층물로 형성해도 된다.
보호층(14)은 산화마그네슘(Mg0)으로 이루어진 박층으로, 투명유전체층(13)의 표면전체를 덮고 있다.
한편, 배면패널판(20)에 있어서 어드레스전극(22)은 은전극막으로 형성되어 있다.
백색유전체층(23)은 투명유전체층(13)과 동일한 것이지만, 가시광을 반사하는 반사층으로서의 작용도 겸하도록 TiO2입자가 혼합되어 있다.
격벽(30)은 유리재료로 이루어지고, 배면패널판(20)의 백색유전체층(23)의 표면상에 돌출되어 있다.
형광체층(31)을 구성하는 형광체재료로서 여기서는,
청색형광체: BaMgAl10O17:Eu
녹색형광체: Zn2SiO4:Mn
적색형광체: (Y, Gd) BO3: Eu
를 이용하기로 한다.
이 PDP의 표시전극(12) 및 어드레스전극(22)에 구동회로(도시생략)가 접속됨으로써 PDP표시장치가 구성된다. 그리고, 당해 구동회로에서 주사전극(12a)과 어드레스전극(22)과 어드레스방전펄스를 인가함으로써, 발광시키고자 하는 셀에 벽전하를 축적하고, 그 후 표시전극쌍(12a, 12b)에 유지방전펄스를 인가함으로써 벽전하가 축적된 셀로 유지방전을 행하는 동작을 반복함으로써 화상을 표시한다.
[PDP의 제작방법에 대해서]
이하, 상기 구성의 PDP를 제조하는 방법에 대해서 설명한다.
(전면패널판의 제작)
전면유리기판(11)상에 필요에 따라 투명전극을 형성하고, 은전극용 페이스트를 스크린인쇄로 도포한 후에 소성함으로써, 표시전극(12)을 형성한다. 여기서, 사용하는 은페이스트에 대해서는 나중에 상술한다.
그리고, 표시전극(12) 위를 덮도록 연화점이 600℃ 이하의 유리분말(그 조성은 예컨대 산화납[PbO] 70중량%, 산화붕소[B2O3] 15중량%, 산화규소[SiO2] 15중량%)을 포함하는 페이스트를 다이코트법 또는 스크린인쇄법으로 도포하고 소성함으로써 투명유전체층(13)을 형성한다.
다이코트법으로 투명유전체층(13)을 형성하는 경우, 우선 유전체용 유리를 제트밀로 평균입경이 1.5㎛까지 분쇄한다. 다음으로, 이 유리분말 35중량%∼70중량%와 에틸셀룰로스를 5중량%∼15중량%을 포함하는 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트 또는 펜탄디올로 이루어진 바인더성분 30중량%∼65중량%을 제트밀로 잘 섞어, 다이코트용 페이스트를 작성한다. 또한, 페이스트를 섞는 중에는 유리분체의 분산성이나 침강방지효과를 향상시킬 목적으로 음이온계 계면활성제를 0.1중량%∼3.0중량% 정도 첨가하여도 된다.
그리고 페이스트점도를 30만센티포이즈 이하로 조정하여 도포한다.
다음으로, 건조 후 유리의 연화점보다 약간 높은 온도(550℃∼590℃)에서 소성한다.
이와 같이 형성된 투명유전체층(13)의 표면에, 예컨대 스퍼터법에 의해서 MgO보호층(14)을 형성한다.
(배면패널판의 제작)
배면유리기판(21)상에 은전극용 페이스트를 스크린인쇄하고 그 후 소성하는 방법에 의해서 어드레스전극(22)을 형성하고, 그 위에 TiO2입자(평균입자직경: 0.1㎛∼0.5㎛)와 유전체유리입자(평균입자직경: 1.5㎛)를 포함하는 페이스트를 스크린인쇄법으로 도포하고 소성함으로써 백색유전체층(23)을 형성하고, 격벽용의 유리 페이스트를 스크린인쇄법으로 도포한 후 소성함으로써, 또는 샌드블라스트법에 의하여 격벽(30)을 형성한다.
그리고, 적색, 녹색, 청색의 각색 형광체 페이스트(또 형광체 잉크)를 제작하고, 이것을 격벽(30)끼리의 간극에 도포하여, 공기 중에서 소성(예컨대 500℃에서 10분간 소성)함으로써 각색 형광체층(31)을 형성한다.
격벽사이로의 형광체 페이스트의 도포는 일반적으로는 스크린인쇄법으로 행하지만, 패널구조가 정밀한 경우에는 1.0Pas(파스칼, 세크) 정도의 형광체 잉크를 노즐로부터 분사하면서 주사하는 방법(잉크젯법)을 이용하면 정밀도 좋게 균일적으로 도포할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 각색 형광체층(31)은 각색의 형광체재료를 함유하는 감광성 수지의 시트를 제작하고, 이것을 배면유리기판(21)의 격벽(30)을 배치한 측의 면에 접착하여, 포토리소그래피로 패터닝하고 현상함으로써 불필요한 부분을 제거하는 방법에 의해서도 형성할 수 있다.
(전면패널판과 배면패널판의 봉착)
이와 같이 제작한 전면패널판(10) 및 배면패널판(20)의 어느 한쪽 또는 양쪽에 봉착용 유리(유리프릿)를 도포하고, 가소성하여 봉착유리층을 형성하고, 전면패널판(10)의 표시전극(12)과 배면패널판(20)의 어드레스전극(22)이 직교하여 대향하도록 포개고, 양기판(20 및 30)을 가열하여 봉착유리층을 연화시킴으로써 봉착한다.
그리고, 부착한 패널판의 내부공간으로부터 배기하면서 패널을 소성함으로써, 이 내부공간으로부터 가스를 빼낸다. 그리고, 이 내부공간을 고진공(1.1 ×10-4Pa(8 ×10-7Torr))으로 배기한 후, 방전가스를 봉입함으로써 PDP가 제작된다.
(표시전극(12)·어드레스전극(22)의 특징 및 그 제조방법에 대해서)
표시전극(12)은 상기한 바와 같이 투명전극막 위에, 버스전극으로서 폭이 좁은 은전극막을 적층시킨 전극 또는 은전극막만으로 구성되지만, 이 은전극막에 특징이 있다.
즉, 종래의 일반적인 은전극은 Ag입자와 유리성분과의 혼합물이 소성된 것이 일반적이지만, 본 실시예의 은전극막은 다음의 (1), (2) 어느 하나의 특징을 갖고 있다.
(1) Ag를 주체로 하여, 천이금속(동(Cu), 코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe) 중의 1종 이상을 포함한다)을 포함하는 Ag합금으로 형성된 은전극막이다.
이러한 Ag합금으로 이루어진 은전극막은 박막형성법으로 형성할 수 있고, 후막형성법으로도 형성할 수 있다.
박막형성법으로 형성하는 경우, 상기 Ag합금을 박막형성법(스퍼터법)으로 제막하고, 포토리소그래피법으로 스트라이프형상으로 패터닝함으로써 형성할 수 있다.
도 4는 이 Ag합금으로 이루어진 은전극막을 형성하는 방법을 설명하는 도면이다.
전면유리기판(11)의 전면상에, Ag와 천이금속과의 합금(예컨대 Ag-Cu합금)을 타깃으로서 이용하고, 스퍼터링법에 의하여 Ag합금으로 이루어진 은전극막을 형성한다(도 4(a), (b)).
그 후, 은전극막의 전면상에, 포토레지스트를 도포하고(도 4(c)), 전극을 형성하고자 하는 영역을 패턴마스크로 덮어 노광한다(도 4(d)). 그리고, 이것을 현상함으로써 노광된 부분의 포토레지스트를 제거한다. 이 상태에서 은전극막을 에칭함으로써 전면유리기판(11) 상에 스트라이프형상의 은전극막이 형성된다.
이상과 같이 하여, Ag합금의 치밀한 박막으로 이루어진 은전극이 형성된다.
다음으로, Ag합금으로 이루어진 은전극막을 후막형성법으로 형성하는 경우에 대하여 도 5, 도 6을 참조하여 설명한다.
도 5에 나타내는 바와 같이 Ag와 천이금속과의 합금으로 이루어진 입자(예컨대 Ag-Cu합금입자)와 유리프릿과 감광성 수지 등이 혼합된 감광성 은페이스트(또는 감광성 은필름)를 전면유리기판(11)상에 전면 도포하고(도 5(b)), 상기 (1)에서 설명한 포토리소그래피법(또는 리프트오프법)으로 스트라이프형상으로 패터닝하여(도 5(c)), 은전극 전구체를 형성한다(도 5(d)). 그리고, 이 은전극 전구체를 소성함으로써 은전극을 형성한다(도 5(e)).
또는, 도 6에 나타내는 바와 같이 Ag합금입자와 유리프릿을 포함하는 인쇄용 은페이스트를 스크린인쇄법에 의하여 스트라이프형상으로 도포하고(도 6(b)), 전극 전구체를 형성한다(도 6(c)). 그리고, 이 은전극 전구체를 소성함으로써 은전극을 형성한다(도 6(d)).
이와 같이 후막형성법으로 형성된 은전극은 도 7(a)에 나타내는 바와 같이 Ag합금입자가 유리프릿에 의하여 소결된 구성으로 되어 있다.
(2) 은입자가 천이금속의 산화물(산화동(CuO), 산화크롬(Cr2O3), 산화니켈(NiO), 산화망간(Mn2O3), 산화코발트(Co2O3), 산화철(Fe2O3) 중의 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 유리로 소결되어 이루어진 은전극막이다.
이러한 은전극막은 Ag입자와 천이금속의 산화물을 첨가한 유리프릿을 포함하는 은페이스트 또는 은필름을 이용하여, 상기 (1)의 도 5, 도 6에서 설명한 것과 동일한 후막형성법에 의하여 형성할 수 있다.
여기서, 천이금속의 산화물을 유리프릿에 첨가하는 형태로서는 유리프릿의조성에 천이금속의 산화물을 함유시켜 놓아도 되고, 유리프릿분말에 천이금속의 산화물분말을 혼합첨가하여도 된다.
어떤 경우도 소결 후의 은전극은 도 7(b)에 나타내는 바와 같이 Ag입자가 천이금속의 산화물을 함유하는 유리프릿에 의하여 소결된 구성으로 되어 있다.
투명전극막 상에 은전극막을 적층시킨 적층형전극을 형성하는 경우는 투명전극막을 형성한 후에, 상기 어느 하나의 방법으로 은전극을 형성하면 된다.
이상과 같은 표시전극(12) 상에 투명유전체층(13)을 형성하면 양쪽은 치밀하게 결합한다.
또한, 어드레스전극(22)에 대해서도 표시전극(12)과 동일하게, 상기 (1) 또는 (2)의 특징을 갖는다.
(본 실시예의 효과에 대해서)
종래의 은전극을 배치한 PDP와 비교하면 본 실시예의 PDP에서는 패널의 황색변환이 억제된다.
그 이유로서 우선, 종래의 은전극에 있어서는 도 3(Ⅱ)에 나타낸 바와 같이 전극 또는 유전체층을 소성할 때에 Ag이온이 유리기판 중 또는 유전체층 중으로 확산되기 쉽지만, 본 실시예와 같이 은전극 안에 천이금속인 Cu, Cr, Co, Ni, Mn, Fe 또는 이들 천이금속의 산화물이 포함되어 있으면 이들의 천이금속이 Ag이온의 확산을 억제하는 점을 들 수 있다.
다음으로, 이들의 천이금속이나 천이금속산화물은 유리를 녹색∼청색으로 착색시키는 성질을 갖지만, 이 녹색∼청색은 황색에 대하여 보색의 관계에 있기 때문에, Ag콜로이드에 의한 황색변환을 부정하는 작용(즉, L*a*b*표색계에 의한 색차의 b값을 마이너스방향으로 시프트시키는 작용)이 있는 점도 들 수 있다.
Ag합금 중에서의 천이금속의 함유량은 황색변환 억제효과를 충분히 얻기 위해서 5중량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 유리프릿에서의 천이금속산화물의 함유량에 대해서도 5중량% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
단, Ag합금 중에서의 천이금속성분의 비율은 너무 많아지면 은전극의 저항값이 높아지기 쉽고, 따라서 은전극의 도전성을 확보하는 데에 있어서 20중량% 이하로 억제하는 것이 바람직하다. 또한 천이금속성분의 비율이 많아지면 천이금속에 의한 착색으로 패널의 광투과율이 저하되기 쉬운 점에서도 20중량% 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
한편, 유리프릿에 포함되는 천이금속산화물의 양에 대해서도 너무 많으면 천이금속에 의한 착색으로 패널의 광투과율이 저하되기 쉽기 때문에, 20중량% 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에 의하면 첨가하는 천이금속 또는 천이금속산화물로서는 위에서 열거한 수종의 금속 및 수종의 천이금속산화물 중에서 PDP의 제조조건이나 재료를 입수하기 쉬운 점 등을 고려하여, 적당한 것을 선택하면 된다. 따라서, 이 점에서도 실용적 가치가 높다.
[실시예 1]
표 1에 나타내는 No.1∼12의 PDP는 표시전극(제 1 전극) 및 어드레스전극(제 2 전극)을 형성할 때에 Ag와 천이금속(Cu, Co, Ni, Cr, Mn, Fe)을 포함하는 Ag합금을 이용하여 스퍼터법과 포토리소그래피법에 의해 은전극을 형성한 실시예이다.
표 2에 나타내는 No.14∼25, 표 3에 나타내는 No.27∼38, 표 4에 나타내는 No.40∼51의 PDP는 PbO-B2O3-SiO2로 이루어진 유리프릿 중에 천이금속의 산화물(CuO, CoO, NiO, Cr2O3, MnO, Fe2O3)을 첨가한 Ag페이스트를 이용하여 표시전극(제 1 전극) 및 어드레스전극(제 2 전극)을 형성한 실시예이다.
이 중에서 표 2의 No.14∼25는 감광성 은페이스트[Ag입자와, PbO-B2O3-SiO2-MO (단, MO는 천이금속의 산화물로 이루어진다) 유리프릿과, 감광유기성분(감광성 모노머, 감광성 폴리머와 광중합개시제, 증감제 및 유기용제로 이루어진다)을 포함한다]를 이용하여, 포토리소그래피법으로 패터닝하고, 550℃에서 소성함으로써 은전극을 형성한 것이다.
또한, 표 3의 No.27∼38에서는 인쇄용 Ag페이스트[Ag입자와, Bi2O3-B2O3-SiO2-MO (단 MO는 천이금속의 산화물)로 이루어진 유리프릿과, 유기비히클(에틸셀룰로스와 부틸카르비톨아세테이트 및 테르피네올로 이루어진다)을 포함한다]를 스크린인쇄법에 의하여 도포하고, 550℃에서 소성함으로써 은전극을 형성한 것이다.
또한, 표 4의 No.40∼51에서는 산화인듐-산화주석(ITO)막을 스퍼터링법으로 성막하고, 그 후 포토리소그래피법으로 패터닝함으로써 폭이 굵은 ITO투명전극을 형성하고, 그 투명전극상에 감광성 은페이스트를 도포하고, 포토리소그래피법으로패터닝하여 550℃에서 소성하고 은전극을 형성함으로써 표시전극(제 1 전극)을 형성한 것이다.
이들의 PDP는 모두 아래의 사양으로 제작하였다.
셀크기는 42인치의 VGA용의 디스플레이에 맞추어, 격벽(30)의 높이는 0.15㎚, 격벽(30)의 간격(셀피치)은 0.36㎚로 설정하였다.
표시전극쌍의 전극간거리 d는 0.10㎚, 은전극의 폭을 100㎛로 설정하였다. 투명전극을 형성하는 경우는 그 폭을 150㎛로 설정하였다.
또한, 방전가스로서는 Xe의 함유량이 5체적%의 Ne-Xe계 혼합가스를 봉입압 80000Pa (600Torr)로 봉입하였다.
투명유전체층(13)은 일본전기유리(주)제 PLS-3244(PbO-B2O3-SiO3-CaO계 유리)를 다이코트법 또는 스크린인쇄법으로 도포하고 소성함으로써 형성하고, 그 막두께는 30㎛∼40㎛로 하였다.
MgO보호층(14)은 스패터법에 의해 형성하고, 두께는 1.0㎛로 하였다.
배면패널측의 백색유전체층(23)은 투명유전체층(13)과 동일한 유리에 산화티타늄(TiO2)을 첨가한 것을 다이코트법으로 도포하고 소성함으로써 형성하였다.
No.13, 26, 39, 52의 PDP는 비교예에 관한 것으로, Ag입자 및 유리프릿의 어느 쪽에도 천이금속이 포함되지 않지만, 다른 작성조건에 대해서는 상기의 시료 No.1∼12, 14∼25, 27∼38, 40∼51과 동일하다.
[실험 1]
상기 No.1∼52의 PDP를 작성하는 도중의 전면패널판(10)에 대해서 색차계[일본전색공업(주) 제품번호 NF777]를 이용하여, a값 및 b값[JIS Z8730 색차표시방법]을 측정하였다.
이 a값 및 b값은 전면패널판(10)의 착색정도나 착색경향을 나타내는 지표가 되어, a값이 +방향으로 커지는 만큼 적색이 강해지고, -방향으로 커지는 만큼 녹색이 강해진다. 한편, b값은 +방향으로 커지는 만큼 황색이 강해지고, -방향으로 커지는 만큼 청색이 강해진다.
그리고, a값이 -5∼+5의 범위, b값이 -5∼+5의 범위이면 육안으로도 유리기판의 착색(황색변환)은 거의 보이지 않지만, b값이 10을 넘으면 황색변환이 눈에 띈다.
또한, 상기 No.1∼52의 PDP에 대해서 화면 전체 백표시시의 색온도를 멀티채널분광계[오츠카전자(주) MCPD-7000]로 측정하였다.
상기 표 1∼표 4에는 이들의 실험결과가 기재되어 있다.
(고찰)
비교예의 시료 No.13, 26, 39, 52에서는 b값이 +14∼+16.2로, 상당히 황색변환되어 있음을 알 수 있는데 대해, 실시예의 시료 No.1∼12, 14∼25, 27∼38, 40∼51에서는 b값이 0∼+4.5로 낮은 값이 되어 있어, 황색변환색이 적은 우수한 PDP임을 알 수 있다.
또한, 비교예의 PDP에서는 색온도의 값이 6290∼6500°K인데 대해, 실시예의 PDP에서는 색온도가 8300∼9200°K로 높다. 이것은, 실시예의 PDP는 비교예의 PDP와 비교하여 색재현성이 좋고, 선명한 표시를 할 수 있음을 나타내고 있다.
또한, 투명유전체층을 형성하는 유리에 대해서는 상기 PbO계 이외에 Bi2O3계나 ZnO계의 유전체유리를 이용한 경우에 있어서도 동일한 결과를 얻었다.
(제 2 실시예)
본 실시예는 상기 제 1 실시예와 동일하지만, 은전극에 첨가되어 있는 금속의 종류가 달라, 백금족금속 또는 Re 또는 이들 금속의 산화물이 첨가되어 있다.
즉, 본 실시예에 있어서 표시전극(12) 및 어드레스전극에 이용되고 있는 은전극막은 (1)Ag을 주체로 하여, 금속(루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 레늄(Re) 중의 1종 이상을 포함한다)을 포함하는 Ag합금으로 형성된 은전극막이거나 또는 (2)Ag입자가 금속산화물(산화루테늄(RuO2), 산화로듐(RhO), 산화이리듐(IrO2), 산화오스뮴(OsO2), 산화레늄(ReO2) 또는 산화팔라듐(PdO)의 어느 1종 이상을 포함한다)을 함유하는 유리로 소결되어 이루어진 은전극막이다.
이러한 은전극의 제작방법에 대해서는 (1)의 경우는 박막형성법, 후막형성법의 어느 쪽으로도 형성할 수 있고, (2)의 경우는 후막형성법으로 형성할 수 있다. 그 상세한 것은 제 1 실시예에서 설명한 것과 동일하다.
이와 같이, 은전극에 금속(Ru, Rh, Ir, Os, Re 중의 1종 이상을 포함한다), 또는 금속산화물(RuO2, RhO, IrO2, OsO2, ReO2, PdO 1종 이상을 포함한다)이 첨가되어 있으면 패널의 황색변환이 억제된다. 그 이유는, 상기의 금속(주로 백금족) 또는 이들의 금속의 산화물에 의한 핀닝효과에 의해서, 전극소성시 또는 유전체층소성시에 Ag이온이 유리기판 중 또는 유전체층 중으로 확산되기 어려워지는 동시에, Ag이온이 환원되기 어려워지고(즉, 도 3의 Ⅱ, Ⅲ단계의 진행이 억제된다), 그로 인해, Ag콜로이드입자의 성장이 억제되어, 황색변환이 방지된다고 생각된다.
Ag합금 중에서의 금속(Ru, Rh, Ir, Os, Re)의 함유량 및 유리프릿에서의 금속산화물의 함유량에 대해서는 제 1 실시예의 경우와 동일한 이유로, 5중량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 20중량% 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에 의하면 Ag에 첨가하는 금속 또는 금속산화물로서는 위에서 열거한 수종의 금속 및 수종의 금속산화물 중에서 PDP의 제조조건이나 재료를 입수하기 쉬운 점 등을 고려하여, 적당한 것을 선택하면 된다. 따라서, 이 점에서도 실용적 가치가 높다.
(은전극 전구체와 유전체 전구체층과의 동시 소성에 대해서)
후막형성법으로 은전극막을 형성하는 경우, 아래에 설명하는 바와 같이 은전극 전구체와 유전체 전구체층을 동시 소성하면 더욱 황색변환 억제효과를 얻을 수 있다.
도 8은 은전극 전구체 및 유전체 전구체층의 동시 소성법을 설명하는 공정도이다.
제 1 공정: 은전극 전구체 형성공정
전면유리기판(11)에 대하여 Ag페이스트 또는 은전극필름을 이용하여, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이 스트라이프형상의 은전극 전구체(120a, 120b)를 형성한다.
사용하는 은전극 페이스트에 포함되는 유기바인더로서는 에틸셀룰로스 등의 셀룰로스화합물이나 메틸메타크릴레이트 등의 아크릴 중합체 등이 바람직하지만, 이것에 한정되는 것이 아니다.
Ag페이스트를 이용하는 경우는 스크린인쇄법을 이용하여, 전극패턴형상으로 도포하고 건조하여도 되고, 스크린인쇄법이나 다이코트법 등을 이용하여 전면으로 도포하고 건조한 후, 포토리소그래피법(또는 리프트오프법)으로 패터닝을 행하여도 된다.
한편, 은전극필름은 상기 Ag페이스트와 동일한 성분을, 예컨대 블레이드법을 이용하여 필름형상으로 가공한 것이다. 이 은전극필름을 이용하는 경우는 전면으로 도포한 후, 포토리소그래피법(또는 리프트오프법)에 의하여 패터닝을 행하여도 된다.
제 2 공정: 유전체 전구체층 형성공정
상기와 같이 전극패턴형상으로 형성된 은전극 전구체(120)를 덮도록 유전체 전구체층(130)을 형성한다(도 8(b)).
이 유전체 전구체층(130)은 유리와 유기바인더를 필수성분으로 하고, 용제를 더한 유전체 페이스트를 스크린인쇄법 또는 다이코트법을 이용하여 도포하고 건조함으로써 형성한다. 또한, 상기 필수성분을 필름형상으로 가공한 유전체필름을 래미네이트법으로 장착함으로써도 형성할 수 있다.
제 3 공정: 수지분해공정
소성로 중에서 은전극 전구체(120a, 120b) 및 유전체 전구체층(130)에 포함되는 수지가 분해되는 온도까지 상승시켜 수지를 소실시킨다. 바람직하게는 수지의 분해개시온도 이상으로 온도상승속도를 늦추거나 온도상승을 정지하거나 함으로써, 유전체 전구체층(130) 중의 수지를 완전하게 분해한다(도 8(c)).
또한, 이 공정에서 산화를 촉진시키기 위해서 산소 등의 산화성 가스를 공급하거나 금속 등의 산화를 막기 위해서 수소 등의 환원성 가스를 공급하여도 된다.
또한, 보다 염가로 산화를 촉진시키기 위해서 건조공기를 공급하거나 가열분위기를 감압함으로써, 수지의 산화에 따라 발생하는 가스를 빠르게 계외로 제거하 도록 하여도 된다.
제 4 공정: 소성공정
상기 열처리공정에 이어서, 또한 온도상승을 행함으로써 은전극 전구체(120a, 120b)에 포함되는 유리성분 및 유전체 전구체층(130)에 포함되는 유리성분을 연화시킨다. 그리고, 이들 유리성분연화점 이상의 온도에서 수분에서 수십분 방치함으로써 소결시킨다.
소성공정종료 후에 온도하강시킴으로써, 전극(12a, 12b) 및 투명유전체층(13)이 형성된다(도 8(d)).
(은전극 전구체와 유전체 전구체층과의 동시 소성에 의한 효과)
종래, 일반적으로 유리기판상에 은전극을 형성하는 경우, 유리기판상에 은전극 전구체를 형성한 후, 이것을 소성하지만, 이 경우 은전극 전구체가 피복되어 있지 않은 상태에서 소성되기 때문에, Ag이온이 유리기판상으로 확산되기 쉽다.
그리고, 유리기판상에는 주석 등의 환원성 물질이 존재하기 때문에, 확산한Ag이온이 은으로 환원되고, Ag콜로이드가 생성되어 황색으로 착색되기 쉽다.
이것에 대하여, 상기와 같이 은전극 전구체와 유전체 전구체층을 동시에 소성하면 은전극 전구체를 소성할 때에는 유전체 전구체층에 의해서 피복된 상태가 되어 있기 때문에, 유리기판상으로 확산되는 Ag이온은 적어진다.
여기서, 유전체 전구체층 중으로도 Ag이온은 확산되지만, 유리기판상과 비교하여, 유전체 전구체층 중에는 환원성 물질은 적기 때문에, Ag이온은 환원되기 어렵다.
따라서, 은전극 전구체와 유전체 전구체층을 동시 소성하면 전체적으로는 Ag콜로이드의 생성이 억제되고, 황색변환이 억제된다.
[실시예 2]
표 5에 나타낸 시료 No.61∼No.72의 PDP는 상기 제 2 실시예에 근거하여, Ag와 금속(Ru, Rh, Ir, Os, Pd, Re의 적어도 1종을 포함한다)을 포함하는 Ag합금을 이용하여 표시전극(제 1 전극)·어드레스전극(제 2 전극)을 형성한 실시예이다. 단, 시료 No.66은 Ag-Pd합금분말을 이용한 참고예이다.
시료 No.61∼No.72에서의 전면패널판의 제조방법은 다음과 같다.
Ag합금분말과 에틸셀룰로스, 부틸카르비톨아세테이트 및 테르피네올을 주성분으로 하는 유기비히클, Bi2O3-B2O3-SiO2를 주성분으로 하는 유리프릿을 소정의 중량비로 섞고, 스크린인쇄법에 의해서 전극전구체를 패턴형성하였다.
그리고, 상기 전극전구체를 피복하도록 유전체용 유리페이스트(표 5에 나타내는 바와 같이 PbO-B2O3-SiO2-CaO계 유리, Bi2O3-ZnO-SiO2계 유리 또는 ZnO-B2O3-SiO2-K2O계 유리)를 인쇄법으로 약 30㎛의 두께로 형성하였다.
그리고, 전극전구체 및 유전체 전구체층을 590℃에서 가열, 소성함으로써, 전면패널판을 제작하였다.
표 6에 나타낸 시료 No.74∼85의 PDP는 제 2 실시예에 근거하여, 은전극을 형성할 때에 RuO2, ReO2, IrO2, RhO, OsO2또는 PdO를 포함하는 유리프릿을 이용하여 표시전극(제 1 전극)·어드레스전극(제 2 전극)을 형성한 실시예이다.
이 시료 No.74∼85에서는 감광성 Ag페이스트(포토 Ag페이스트)를 이용하여, 포토리소그래피법에 의하여 은전극을 형성하였다. 감광성 Ag페이스트 중의 유리프릿은 PbO-B2O3-SiO2계, Bi2O3-B2O3-SiO2계 또는 P2O5-B2O3-SiO2계의 유리분말에, RuO2, ReO2, IrO2, RhO, OsO2, PdO를 각각 5중량% 첨가한 것을 이용하여, 그 이외에 대해서는 상기 시료 No.61∼No.72와 동일하게 하여 전면패널을 제작하였다.
또한, 시료 No.73, 86은 비교예로, Ag입자에는 Ru, Re, Ir, Rh, Os가 포함되지 않고, 유리프릿에도 RuO2, ReO2, IrO2, RhO, OsO2가 포함되지 않은 예이다.
표 5, 표 6의 시료 No.61∼No.86에 있어서 PDP의 셀크기나 유전체층, 보호층, 방전가스에 대해서는 상기 실시예 1과 동일하게 설정하였다.
(실험 2)
상기 No.61∼86의 PDP를 작성하는 도중의 전면패널판(10)에 대해서, 상기 실험 1과 동일하게 하여, a값 및 b값을 측정하였다. 또한, 상기 No.61∼86의 PDP에 대해서 화면 전체 백표시시의 색온도를 측정하였다.
실험결과는 표 6에 나타나 있다.
(고찰)
비교예의 시료 No.73, 86에서는 b값이 10을 크게 상회하고 있고, 패널이 상당히 황색변환하고 있음을 알 수 있는데 대해, 실시예 및 참고예의 시료 No.61∼72, 74∼85에서는 b값이 0∼+4.0으로 낮은 값으로 되어 있고, 황색변환색이 적은 우수한 PDP임을 알 수 있다.
또한, 비교예의 PDP에서는 색온도의 값이 6500°K 이하인 데 대해, 실시예 및 참고예의 PDP에서는 색온도가 8300∼9200°K로 높은 것도 알 수 있다.
또한, 참고예의 시료 No.66은 비교예의 시료 No.73과 비교하여 b값이 상당히 작지만, 실시예의 No.61∼65, No.67∼71과 비교하면 b값이 약간 높음을 알 수 있다.
(제 3 실시예)
본 실시예는 상기 제 1 실시예와 동일하지만, 표시전극(12) 및 어드레스전극(22)을 형성할 때에 표면에 금속 또는 금속산화물이 피복된 Ag입자를 이용하여 은전극막을 형성하는 점이 다르다.
여기서, 표면 코트하는 바람직한 금속으로서는 팔라듐(Pb), 동(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru)을 들 수 있고, 표면 코트하는 바람직한 금속산화물로서 산화알루미늄(Al2O3), 산화니켈(NiO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화코발트(CoO), 산화철(Fe2O3), 산화아연(ZnO), 산화인듐(In2O3), 산화동(CuO), 산화티타늄(TiO2), 산화프라제오듐(Pr6O11), 산화규소(SiO2)를 들 수 있다.
이러한 은전극막을 형성하는 방법에 대해서 설명한다.
우선, Ag입자에 상기 금속 또는 금속산화물을 피복한다. 이 피복방법으로서, 아래와 같이 ①무전해도금법, ②메커노퓨전법, ③졸겔법의 3종류를 들 수 있다.
①무전해도금법:
예컨대 Ag입자의 표면에 Pd를 부착시키는 경우, 염화팔라듐(PbC12)수용액 중에 Ag입자를 투입하고 교반함으로써, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이 Ag입자의 표면에 Pd입자를 부착시킨다.
Cu, Ni, Co, Cr, Rh, Ir, Ru 등의 금속을 부착시키는 경우도, 그들의 염화물의 수용액을 작성하고, Ag입자를 투입 후 교반함으로써, Ag입자 상에 이들의 금속을 부착시킬 수 있다. 이 경우 Cu, Ni, Co, Cr, Ir, Ru 등의 금속이 Ag입자로 부착하는 힘을 증가시키기 때문에, 우선 염화팔라듐 수용액을 이용하여 Pd입자를 부착시킨 후에, 이들의 금속을 부착시키는 것이 좋다.
②메커노퓨전법:
금속산화물 또는 금속의 분말을 Ag분말과 혼합하여 기계에너지를 가함으로써, Ag입자 표면에서 메커노케미컬적인 반응을 하게 하고, 이들 금속산화물 또는 금속의 분말을 Ag입자 상에 부착시키는 방법이다.
이 메커노퓨전법에 의하면 Ag입자의 표면에 금속산화물을 부착시켜 금속산화물층을 형성할 수도 있고, Ag입자의 표면에 금속입자를 부착시켜 금속층을 형성하는 것도 가능하다.
구체적으로는, Ag입자 및 상기의 금속산화물의 분말(예컨대 평균입경 0.1㎛의 SiO2)을 준비한다. 이 Ag입자는 구형상이 바람직하다.
그리고, 메커노퓨전장치(예컨대, 호소카와미크론(주)제, 메커노퓨전장치 AMS)로 처리한다. 이것에 의해서, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이 모입자인 Ag입자의 표면에 자입자인 금속산화물이 융합하여, 모입자가 자입자에 의해서 피복된다.
③졸겔법:
Ag입자를 금속산화물의 알콕시드를 알코올용액 중에 투입하여, 이것을 가수분해시킴으로써 금속산화물을 부착시킨다.
즉, Ag분말과, 금속알콕시드 M·(O·R)n, (단, M은 금속, O는 산소, R은 알콕시기, n은 정수, 예컨대 Si(OC2H5)4)를 알코올용액 중에 투입하여, 금속알콕시드를 가수분해함으로써, 도 9(c)에 나타내는 바와 같이 Ag입자표면상에 금속산화물층(SiO2층)이 형성된다.
이상과 같이, Ag입자의 표면상에 금속 또는 금속산화물을 표면에 피복(부착)시킨 Ag입자를 이용하여 은전극을 제작한다. 여기서, 은전극을 제작하는 때에는 제 1 실시예의 도 5에서 설명한 바와 같이 감광성 은페이스트(또는 감광성 은필름)를 제작하여, 포토리소그래피법(또는 리프트오프법)을 이용하여도 되고, 제 1 실시예의 도 6에서 설명한 바와 같이 인쇄용 은페이스트를 제작하여 스크린인쇄법을 이용하여도 된다.
이와 같이 하여 제작된 은전극은 도 9(d)에 나타내는 바와 같이 금속 또는 금속산화물층으로 표면이 피복된 Ag입자가 유리프릿에 의해서 소결된 구성으로 되어 있다.
(본 실시예의 효과에 대해서)
본 실시예에 있어서는 은전극 성형에 이용하는 Ag입자의 표면이 금속이나 금속산화물로 피복되어 있기 때문에 Ag입자로부터 Ag이온이 주위에 확산되기 어렵다.따라서, 전극을 소성하는 공정이나 유전체층을 소성하는 공정에서 유리기판 표면이나 유전체층에 Ag콜로이드가 생성되는 것이 억제된다.
또한, 상기의 금속이나 금속산화물은 제 1 실시예에서 이용한 천이금속 또는 천이금속산화물 또는 제 2 실시예에서 이용한 금속 또는 금속산화물과 동일한 것이기 때문에, 제 1 실시예에서 설명한 천이금속(천이금속산화물)의 보색에 의한 황색변환 억제효과 및 Ag이온의 확산억제효과(도 3의 Ⅱ단계의 진행억제), 또는 제 2 실시예에서 설명한 금속(금속산화물)에 의한 Ag이온의 환원억제효과(도 3의 Ⅲ단계의 진행억제)를 얻는다.
또한, 본 실시예에서는 이들의 금속이나 금속산화물이 Ag입자의 표면에 편재되어 있기 때문에, Ag에 대한 첨가량이 적어도 큰 Ag콜로이드 생성억제효과를 얻을 수 있다.
따라서, 본 실시예에 의하면 은전극의 도전성을 확보하면서 패널황색변환을 억제할 수 있다.
Ag입자의 표면을, 금속 또는 금속산화물로 피복하는 양에 대해서는 Ag이온의 확산을 충분히 억제하기 위해서, 피복층의 평균두께(표면에 입자가 부착되어 있는 경우는 그것을 균일층으로 환산한 경우의 두께)를 0.1㎛ 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 한편, 당해 피복층의 두께가 너무 크면 도전성이 낮아지기 때문에, 당해 피복층의 두께는 1㎛ 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
또한 본 실시예에서는 피복하는 금속이나 금속산화물로서는 위에서 열거한 금속 및 금속산화물 중에서 PDP의 제조조건이나 재료를 입수하기 쉬운 점 등을 고려하여 적당한 것을 선택하면 된다. 따라서 이 점에서도 실용적 가치가 높다.
[실시예 3]
표 7, 8에 나타낸 시료 No.91∼No.112의 PDP는 본 실시예에 근거하여, Ag입자(평균입경 2㎛)에 대하여 금속 또는 금속산화물을 피복한 것을 이용하여 표시전극(제 1 전극)·어드레스전극(제 2 전극)을 형성하였다.
본 실시예에 있어서 Ag입자에 대하여 금속을 코팅하는 경우, 금속층의 평균두께는 0.1㎛∼1.0㎛의 범위, Ag입자에 대하여 금속산화물을 코팅하는 경우, 금속산화물층의 평균두께는 0.1㎛∼0.5㎛의 범위내로 설정하였다.
포토리소그래피법으로 제작하는 경우, 금속 또는 금속산화물로 피복된 Ag입자의 분말과, PbO-B2O3-SiO2계 유리프릿과, 감광성 바인더(주성분으로서 바인더수지, 광중합개시제, 감광성 모노머, 용제 및 소량 부성분으로서 색소, 가소제, 중합금지제 등을 포함하는 바인더)를 3개 롤로 섞어 감광성 은페이스트를 제작하였다. 그리고, 이 감광성 은페이스트를 도포한 후, 포토리소그래피법으로 패터닝하고, 450℃∼600℃에서 소성함으로써 은전극을 형성하였다.
스크린인쇄법의 경우는, 금속 또는 금속산화물로 피복된 Ag입자의 분말과, PbO-B2O3-SiO2계 유리프릿과, 유기비히클(에틸셀룰로스 5∼10중량%, 테르피네올, 가소제를 포함한다)을 3개 롤로 섞어 인쇄용 은페이스트를 제작하였다. 그리고, 이 페이스트를 스크린인쇄법에 의하여 패터닝하고, 450℃∼600℃에서 소성함으로써 은전극을 형성하였다.
시료 No.113은 비교예로, 피복하고 있지 않은 Ag입자를 이용한 예이다.
표 7, 8에 나타낸 시료 No.91∼No.113에 있어서 PDP의 셀크기나 유전체층,보호층, 방전가스에 대해서는 상기 실시예 1과 동일하게 설정하였다.
(실험 3)
상기 시료 No.91∼113의 PDP를 작성하는 도중의 전면패널판(10)에 대하여 상기 실험 1과 동일하게 하여, a값 및 b값을 측정하였다. 또한, 상기 No.91∼113의 PDP에 대해서 화면 전체 백표시시의 색온도를 측정하였다.
이 실험결과는 표 7, 8에 나타나 있다.
(고찰)
종래예의 시료 No.113에서는 b값이 +16.3으로, 상당히 황색변환되어 있음을 알 수 있는데 대해, 실시예의 시료 No.91∼112에서는 b값이 -0.2∼2.1로 낮은 값으로 되어 있고, 황색변환색이 적은 우수한 PDP임을 알 수 있다.
또한, 종래의 PDP(No.113)에서는 색온도의 값이 6300°K인 데 대해, 실시예의 PDP에서는 색온도가 8950∼9720°K로 색온도가 높다. 이것은, 실시예의 PDP는 비교예의 PDP와 비교하여 색재현성이 좋고, 선명한 표시를 할 수 있음을 나타내고 있다.
또한, 투명유전체층을 형성하는 유리에 대해서는, 상기 Pb0계 이외에 Bi2O3계나 ZnO계의 유전체유리를 이용하여도 동일한 결과가 얻어졌다.
(제 4 실시예)
본 실시예의 PDP는 그 전체 구성은 제 1 실시예와 동일하지만, 표시전극에는 일반적인 Ag입자로 형성된 은전극을 이용하고, 그 대신에 전면패널판(10)을 제작할때에, 우선 전면유리기판(11)의 표면 근방에 존재하는 금속이온(Ag이온에 대한 환원작용을 갖는 금속이온)을 저감하는 처리를 한 후, 표시전극(12)(은전극)을 형성한다.
통상의 유리기판에 있어서, 특히 플로트법에 의해서 제조한 유리기판에 있어서는 그대로는 표면 근방(표면으로부터 5㎛의 깊이까지의 범위)에 은에 대한 환원작용을 갖는 금속이온이 상당히 존재한다.
여기서,「은에 대한 환원작용을 갖는 금속이온」이라는 것은 구체적으로는 4가 미만의 주석, 4가 미만의 규소, 3가 미만의 알루미늄, 1가 미만의 나트륨, 1가 미만의 칼륨, 2가 미만의 마그네슘, 2가 미만의 칼슘, 2가 미만의 스트론튬, 2가 미만의 바륨, 2가 미만의 지르코늄, 4가 미만의 망간, 4가 미만의 인듐, 3가 미만의 철 등을 나타낸다.
그러나, 상기한 바와 같이 Ag이온에 대한 환원작용을 갖는 금속이온을 저감하는 처리를 실시한 후에, 은전극을 형성하면 전면유리기판(11)의 표면에서의 Ag이온의 환원이 억제되기 때문에, Ag콜로이드의 생성이 억제되고, 황색변환이 억제된다.
이와 같이 전면유리기판 표면의 금속이온을 저감시키는 처리의 구체적 방법으로서는, (1)전면유리기판의 표면을 에칭하는 방법 및 (2)전면유리기판을 소성하는 방법을 들 수 있다. 각각에 대하여 아래에 설명한다.
(1) 에칭방법에 대해서
도 10은 전면유리기판(11)의 표면에 대하여, 에칭에 의해서 금속이온을 저감하는 처리를 행하고, 그 후 표시전극(12)을 형성하는 공정을 설명하는 도면이다.
제 1 공정: 에칭공정
전면유리기판(11)에 대하여 에칭처리를 행한다. 이 에칭처리는 에칭액(예컨대 불산 및 황산으로 이루어진 불황산)을 저장한 에칭조(101) 중에 전면유리기판(11)을 담근 후, 세정장치(102)에 의해서 세정하여 건조한다(도 10(a)).
본 공정에 의해 표면 근방에 존재하는 금속이온(은에 대한 환원작용을 갖는 금속이온)이 제거된다.
에칭처리의 깊이는 5㎛ 이상 행하는 것이 바람직하다. 이것은, 후술하는 실험에서 알 수 있듯이, 황색변환 억제효과는 5㎛ 이상의 깊이까지 에칭을 하면 현저하게 나타나기 때문이다.
한편, 그 이상 에칭하여도 황색변환 억제효과는 그다지 변하지 않는다. 또한, 에칭소요시간은 불황산의 농도에도 의존하지만, 에칭심도에 거의 비례하기 때문에, 에칭깊이는 작은 편이 양산성의 점에서 유리하다. 이 점에서 에칭깊이는 15㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 에칭액은 유리표면의 에칭을 행할 수 있다면 불황산 이외의 것을 이용하여도 되고, 예컨대 불화칼슘, 불화알루미늄소다, 불화암모늄 등의 불화물과 황산이나 염산 등의 산을 조합함으로써 생성되는 불화수소를 이용하는 것도 가능하다.
제 2 공정: 연마공정
상기 에칭공정에서의 에칭에 의해서 전면유리기판의 표면에는 불균일성(에칭이 고르지 못함)이 생기기 때문에, 본 공정에서는 이 표면을 연마함으로써, 에칭에 의한 불균일성을 시정한다.
이 연마는 전면유리기판(11)의 표면잔사(殘渣) 및 에칭의 불균일성 등을 제거하기 위한 것이기 때문에, 단시간 연마하면 충분하다. 즉, 연마량은 얼마 안 되도 되므로, 이 연마에 의해서 유리기판의 두께가 불균일하게 되는 일도 없다.
이 연마는, 예컨대 도 10(b)에 나타내는 바와 같이 벨트방식 연마기를 이용하여 행해진다.
당해 연마기에는 연마시트(103) 및 실린더(104)가 구비되어 있어, 실린더(104)에 의해서 유리기판(11)에 연마시트(103)를 누름으로써 행한다.
단, 사용하는 연마기는 유리 표면을 물리적으로 연마할 수 있는 것이면 되고, 예컨대 오스카식 연마장치 등을 이용하여도 된다.
또한, 이 제 2 공정은 에칭공정에 있어서 생긴 에칭의 불균일성을 없애고 균일성이 높은 PDP를 제조하기 위해서는 행하는 것이 바람직하지만, 필수라고는 할 수 없다.
다음으로, (2)기판소성에 의한 처리방법에 대해서 설명한다.
제 1 공정: 소성에 의한 실활공정:
도 11에 나타내는 바와 같이 제조한 전면유리기판(11)에 대해, 가열장치(110) 중에서 유리기판을 500℃ 이상의 온도에서 가열한 후 냉각한다.
이 공정에 의해서 유리기판 표면 근방에 존재하는 금속이온(은에 대한 환원작용을 갖는 금속이온)은 산화되어 실활한다(은에 대한 환원작용을 잃는다).
전면유리기판(11)의 가열은 통상의 공기 중에서 행하여도 되지만, 도 7에 나타내는 바와 같이 가열장치(110)에 가스공급관(111) 및 가스배기관(112)을 설치하고, 가스공급관(111)으로부터 산화성 가스(산소 또는 산소분압을 높인 공기 등)를 공급하면서 가열하면 보다 단시간에서의 표면산화처리를 행할 수 있다.
이상의 (1) 또는 (2)의 처리방법에 의해서 유리기판(11)의 표면에서의 금속이온의 농도를 저감시킬 수 있다.
또한, 유리기판의 표면 근방(예컨대 표면으로부터 5㎛의 깊이까지의 영역)에서의 Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 농도는 1000ppm 이하로 저감시키는 것이 황색변환 억제효과를 얻을 때의 목표라고 생각된다. 또한, 이 농도는 SIMS(secocdary-ionization mass spectroscopy)로 측정할 수 있다.
이와 같이 전면유리기판(11)의 표면을 처리한 후, 전극전구체(120)를 형성한다(도 10(c)). 이 전극전구체는 은을 주체로 하는 은분말, 유리프릿 및 유기바인더를 포함하는 전극페이스트 또는 은전극필름을 이용하여 형성한다. 그리고, 이 전극전구체(120)를 소성함으로써, 은전극(표시전극(12))이 형성된다.
(본 실시예의 효과에 대한 설명)
은전극의 소성시에는 전면유리기판(11)의 은전극 주위에 Ag이온이 확산되지만, Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 농도가 저감되어 있기 때문에, Ag콜로이드의 성장은 억제된다. 따라서, 전면유리기판(11)의 황색변환은 억제된다.
그리고, 이 표시전극(12)(은전극) 위에 제 1 실시예에서 설명한 바와 같이 투명유전체층(13), MgO보호층(14)을 형성함으로써, 황색변환이 적은전면패널판(10)을 제작할 수 있다. 따라서, 이 전면유리판(10)을 이용하여, 양호한 색온도 특성을 나타내는 PDP를 제작할 수 있다.
(기판표면처리의 정도에 대한 실험과 고찰)
도 12(a)는 유리기판의 에칭심도와 은전극 및 유전체층을 형성하였을 때의 착색색도 b와의 관계를 나타내는 실험데이터로, 다음과 같이 측정한 것이다.
유리기판(아사히유리제 PD200)에 대하여 에칭심도를 여러가지로 바꾸면서 HF에칭을 행한 것을 준비하였다.
그 각각에 스크린인쇄법으로 Ag페이스트를 인쇄하고 소성함으로써 은전극을 형성하였다. 또한, 유전체유리(#PLS-3244)를 도포하고, 소정온도(520℃, 545℃, 560℃, 593℃)에서 2회 소성함으로써, 두께 23㎛의 유전체층을 형성하였다.
그 후, 각 유리기판의 착색색도 b를 측정하였다.
도 12(a)로부터 에칭심도가 5㎛ 이상에서는 5㎛ 미만의 범위와 비교하여, 착색색도 b가 낮은 값을 나타내고 있고, 또한 5㎛ 이상의 범위에서는 착색색도 b는 그다지 변하지 않음을 알 수 있다.
도 12(b)는 10% HF수용액을 이용하여 225.5℃에서 유리기판을 에칭하였을 때의 에칭시간과 에칭깊이의 관계를 나타내는 실험데이터이다.
이 도 12(b)로부터 에칭깊이는 에칭시간에 거의 비례하고 있음을 알 수 있다.
[실시예 4]
표 9에 나타내는 시료 No.121∼No.127의 PDP는 본 실시예에 근거하여 전면유리기판의 표면을 에칭·연마처리한 실시예이다.
전면유리기판으로서는 플로트법으로 형성된 아사히유리제 PD200을 이용하고, 에칭에는 5%의 불산과 5%의 황산을 혼합한 불황산을 이용하였다. 또한, 연마장치로서는 산화세륨을 연마재로 한 오스카식 연마기를 이용하였다.
표시전극은 Ag입자, 에틸셀룰로스, 부틸카르비톨아세테이트 및 테르피네올을 주성분으로 하는 유기비히클, Bi2O3-B2O3-SiO2를 주성분으로 하는 유리프릿을 섞어 은페이스트를 제작하고, 이것을 인쇄·소성하는 방법으로 형성하였다.
시료 No.128∼131은 비교예로, 전면유리기판에 대하여, Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 농도를 저감하는 처리가 행해지고 있지 않은 또는 충분히 행해지고 있지 않은 것이다.
또한, 표 9에 나타낸 시료 No.121∼No.131에 있어서 PDP의 셀크기나 유전체층, 보호층, 방전가스에 대해서는 상기 실시예 1과 동일하게 설정하였다.
(실험 4)
상기 시료 No.121∼131의 PDP를 작성하는 도중의 전면패널판(10)에 대해서, 상기 실험 1과 동일하게 하여, a값 및 b값을 측정하였다. 또한, 상기 No.121∼No.131의 PDP에 대해서 화면 전체 백표시시의 색온도를 측정하였다.
그 실험결과는 표 9에 나타나 있다.
또한, 실시예의 No.121∼No.127에 대해서, 전면유리기판의 표면으로부터 5㎛영역에서는 4가 미만의 주석, 4가 미만의 망간, 2가 미만의 철, 2가 미만의 인듐의 농도는 1000ppm 이하로 저감되어 있었다.
(고찰)
표면처리를 행하고 있지 않은 시료 No.129, 기계연마만을 행한 시료 No.130에서는 b값이 10을 크게 상회하고 있고, 상당히 황색변환되어 있음을 알 수 있다.
이것에 대하여, 에칭을 5μ이상 행하고 기계연마를 행한 실시예의 시료 No.121∼No.125에서는 b값이 0.5∼+3.8로 낮은 값으로 되어 있고, 황색변환이 적은 우수한 PDP임을 알 수 있다.
또한, 400℃에서 소성을 행한 비교예(시료 No.128)에서는 b값이 15.0으로 높지만, 500℃ 이상에서 소성을 행한 실시예(시료 No.126, 127)에서는 b값이 2.5∼3.8로 낮은 값으로 되어 있고, 황색변환색이 적은 우수한 PDP임을 알 수 있다.
이것은 기판을 가열함으로써, 은에 대한 환원작용을 갖는 금속이온을 실활시키는 경우, 500℃ 이상에서 가열하는 것이 바람직한 것을 나타내고 있다.
또한, 비교예의 시료 No.128∼131에서는 색온도의 값이 6900K 이하인 데 대해, 실시예의 PDP에서는 색온도가 8900∼9600K로 높고, 색재현성이 좋은 선명한 화면의 패널임을 나타내고 있다.
깊이 1㎛만큼 에칭을 행한 시료 No.131에서는 b값이 10을 크게 상회하고 있다. 이것은 에칭의 깊이가 1㎛로 작기 때문에, 표면 근방의 금속이온 농도가 1000ppm 이하로 저감되어 있지 않기 때문이라고 생각된다.
(실시예에 관한 변형예 등)
배면패널판의 황색변환과 비교하여, 전면패널판의 황색변환은 화질에 큰 영향을 미치는 것을 고려하면, 상기 제 4 실시예와 같이 전면유리기판의 표면에 처리를 실시하고 황색변환을 억제하면 PDP의 색온도 등 화질향상에 충분한 효과를 얻지만, 배면유리기판의 표면에도 같은 처리를 실시하면 배면패널판의 황색변환도 억제할 수 있기 때문에, 보다 효과적이라고 생각된다.
제 4 실시예에서 설명한 유리기판의 표면처리와, 제 1∼제 3 실시예에서 설명한 은전극을 조합하여 적용하면 더욱 현저한 황색변환 억제효과를 기대할 수 있다.
은전극 전구체와 유전체 전구체층의 동시 소성에 대해서는 제 2 실시예에서 설명하였지만, 제 1, 제 3 실시예에서 적용할 수도 있고, 그 경우도 황색변환 억제효과의 향상을 기대할 수 있다.
마찬가지로, 상기 제 1∼제 3 실시예에서도 표시전극 및 어드레스전극의 양쪽에 본 발명에 관한 은전극을 이용하는 예를 나타내었지만, 전면패널측의 표시전극에만 본 발명의 은전극을 적용하면, PDP의 색온도향상 등의 화질향상 효과를 얻는다. 한편, 어드레스전극에만 본 발명의 은전극을 적용한 경우는 황색변환 억제효과는 떨어지지만, 어느 정도의 효과는 얻는 것이라고 생각된다.
또한, 상기 제 1∼제 4 실시예에서는 은전극상을 유전체층으로 덮은 AC면방전형의 PDP를 예로 들어 설명하였지만, 방전공간에 노출되는 은전극이 유리기판상에 형성된 DC형의 PDP에 있어서도 본 발명을 적용함으로써, 동일하게 유리기판의황색변환 억제효과를 얻는다.
또한, 은전극을 이용한 PDP에 한하지 않고, 유리기판상에 은전극이 배치된 형광표시관이나 EL 등에 있어서도 본 발명을 적용함으로써, 마찬가지로 유리기판의 황색변환을 억제할 수 있다.
본 발명에 관한 PDP 및 PDP표시장치는 컴퓨터나 텔레비전 등의 디스플레이장치, 특히 대형의 디스플레이장치에 유효하다.

Claims (55)

  1. 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고 배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 제 1 전극은,
    은(Ag)을 주성분으로 하여 천이금속을 함유하는 합금으로 이루어진 은전극을 갖고,
    상기 천이금속에는,
    동(Cu), 코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe) 중에서 선택된 1종 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 천이금속은,
    상기 합금 중에 5중량% 이상, 20중량% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 제 1 전극은,
    은(Ag)과 천이금속산화물을 함유하는 유리로 이루어진 은전극을 갖고,
    천이금속산화물은,
    산화동(CuO), 산화크롬(Cr2O3), 산화니켈(NiO), 산화망간(Mn2O3), 산화코발트(Co2O3), 산화철(Fe2O3) 중에서 선택된 1종 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 천이금속산화물은,
    상기 유리 중에 5중량% 이상, 20중량% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 유리는,
    산화납(PbO)계, 산화비스무트(Bi2O3)계 또는 산화아연(ZnO)계인 것을 특징으로 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은,
    투명전극막상에 상기 은전극이 적층되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은,
    유전체유리로 이루어진 유전체층으로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고 배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 제 1 전극은,
    은(Ag)을 주성분으로 하고,
    루테늄(Ru), 레늄(Re), 로듐(Rh), 오스뮴(Os) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택되는 1종 이상의 금속이 포함되는 합금으로 이루어진 은전극을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 금속은,
    상기 합금 중에 5중량% 이상, 20중량% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고 배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 제 1 전극은,
    은(Ag)과 금속산화물을 함유하는 유리로 이루어진 은전극을 갖고,
    상기 금속산화물에는,
    산화루테늄(RuO2), 산화로듐(RhO), 산화이리듐(IrO2), 산화오스뮴(OsO2), 산화레늄(ReO2) 및 산화팔라듐(PdO)에서 선택되는 1종 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 금속산화물은,
    상기 유리 중에 5중량% 이상, 20중량% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 유리는,
    PbO-B2O3-SiO2계, Bi2O3-B2O3-SiO2계 또는 P2O5-B2O3-SiO2계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 제 8항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은,
    유전체유리 재료로 이루어진 유전체층으로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고 배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 제 1 전극은,
    금속산화물 또는 금속으로 표면이 덮여져 있는 Ag입자에 의해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 금속산화물은,
    산화알루미늄(Al2O3), 산화니켈(NiO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화코발트(CuO), 산화철(Fe2O3), 산화아연(ZnO), 산화인듐(In2O3), 산화동(CuO), 산화티타늄(TiO2), 산화프라제오듐(Pr6O11), 산화규소(SiO2)에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 금속은,
    루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 레늄(Re)에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  17. 제 14항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ag입자의 표면을 덮는 금속산화물 또는 금속은,
    층형상으로, 그 평균두께가 0.1㎛ 이상, 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  18. 제 14항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은,
    유전체유리 재료로 이루어진 유전체층으로 피복되어 있는 것을 특징으로 플라즈마 디스플레이 패널.
  19. 은을 포함하는 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고 배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 플레이트는,
    대향표면 근방의 영역에 있어서 Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 농도가 1000ppm 이하가 되도록 표면처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  20. 은을 포함하는 제 1 전극이 표면에 배치된 제 1 플레이트와, 표면에 제 2 전극이 배치되어 있는 제 2 플레이트가 상기 제 1 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서, 간극을 두고 배치되는 동시에, 당해 간극에 가스매체가 봉입되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널이고,
    상기 제 1 플레이트는,
    대향표면 근방의 영역에 있어서 4가 미만의 주석, 4가 미만의 망간, 2가 미만의 철 및 2가 미만의 인듐의 농도가 1000ppm 이하가 되도록 표면처리가 실시되어있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  21. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트 중 적어도 제 1 플레이트는,
    유리판인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  22. 제 1, 3, 8, 10, 14, 19 또는 20항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널과,
    당해 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  23. Ag로 이루어진 입자의 표면에,
    금속 또는 금속산화물이 피복되어 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 은분체.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 금속은,
    팔라듐(Pd), 동(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 로듐(Rh) 및 루테늄(Ru)에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 은분체.
  25. 제 23항에 있어서,
    상기 금속은,
    무전해도금법에 의해서 Ag로 이루어진 입자의 표면에 층형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 은분체.
  26. 제 23항에 있어서,
    상기 금속산화물은,
    산화알루미늄(Al2O3), 산화니켈(NiO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화코발트(CuO), 산화철(Fe2O3), 산화아연(ZnO), 산화인듐(In2O3), 산화동(CuO), 산화티타늄(TiO2), 산화프라제오듐(Pr6O11), 산화규소(SiO2)에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 은분체.
  27. 제 23항에 있어서,
    상기 금속 또는 금속산화물은,
    메커노퓨전법에 의하여 Ag로 이루어진 입자의 표면에 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 은분체.
  28. 제 23항에 있어서,
    상기 금속산화물은,
    졸겔법에 의하여 Ag로 이루어진 입자의 표면에 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 은분체.
  29. 제 1 플레이트의 표면에 제 1 전극을 배치하는 제 1 전극 배치공정과,
    제 2 플레이트의 표면에 제 2 전극을 배치하는 제 2 전극 배치공정과,
    제 1 플레이트 및 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법이고,
    상기 제 1 전극 배치공정 및 제 2 전극 배치공정 중 적어도 제 1 전극 배치공정에서는,
    은(Ag)을 주성분으로 하여 천이금속을 함유하는 합금으로 이루어진 은전극을 형성하는 은전극형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  30. 제 1 플레이트의 표면에 제 1 전극을 배치하는 제 1 전극 배치공정과,
    제 2 플레이트의 표면에 제 2 전극을 배치하는 제 2 전극 배치공정과,
    제 1 플레이트 및 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법이고,
    상기 제 1 전극 배치공정 및 제 2 전극 배치공정 중 적어도 제 1 전극 배치공정에서는,
    은(Ag)을 주성분으로 하고,
    루테늄(Ru), 레늄(Re), 로듐(Rh), 오스뮴(Os) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택되는 1종 이상의 금속을 함유하는 합금으로 이루어진 은전극을 형성하는 은전극형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  31. 제 29항 또는 제 30항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 은합금을 스퍼터법으로 성막한 후, 형성된 은합금막을 패터닝함으로써 은전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  32. 제 29항 또는 제 30항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 은합금과 유리프릿을 포함하는 막을 형성한 후, 형성된 막을 패터닝하고 소성함으로써 은전극을 형성하는 것을 특징으로 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  33. 제 32항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 은합금과 유리프릿과 감광성 유기바인더를 포함하는 막을 형성한 후,
    형성된 막을 포토레지스트법을 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  34. 제 29항 또는 제 30항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 은합금과 유리프릿을 포함하는 페이스트를 전극형상으로 도포하고 소성함으로써 은전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  35. 제 34항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 은합금과 유리프릿과 유기바인더를 포함하는 페이스트를 전극형상으로 도포하고, 스크린인쇄법을 이용하여 전극형상으로 도포하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  36. 제 1 플레이트의 표면에 제 1 전극을 배치하는 제 1 전극 배치공정과,
    제 2 플레이트의 표면에 제 2 전극을 배치하는 제 2 전극 배치공정과,
    제 1 플레이트 및 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법이고,
    상기 제 1 전극 배치공정 및 제 2 전극 배치공정 중 적어도 제 1 전극 배치공정에서는,
    은과 천이금속산화물을 포함하는 유리프릿이 혼합된 막을 형성한 후, 형성된 막을 패터닝하고 소성함으로써 은전극을 형성하는 은전극형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  37. 제 1 플레이트의 표면에 제 1 전극을 배치하는 제 1 전극 배치공정과,
    제 2 플레이트의 표면에 제 2 전극을 배치하는 제 2 전극 배치공정과,
    제 1 플레이트 및 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법이고,
    상기 제 1 전극 배치공정 및 제 2 전극 배치공정 중 적어도 제 1 전극 배치공정에서는,
    은과,
    산화루테늄(RuO2), 산화로듐(RhO), 산화이리듐(IrO2), 산화오스뮴(OsO2), 산화레늄(ReO2) 및 산화팔라듐(PdO)에서 선택되는 1종 이상의 금속산화물을 포함하는 유리프릿이 혼합된 막을 형성한 후, 형성된 막을 패터닝하고 소성함으로써 은전극을 형성하는 은전극형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이패널의 제조방법.
  38. 제 1 플레이트의 표면에 제 1 전극을 배치하는 제 1 전극 배치공정과,
    제 2 플레이트의 표면에 제 2 전극을 배치하는 제 2 전극 배치공정과,
    제 1 플레이트 및 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법이고,
    상기 제 1 전극 배치공정 및 제 2 전극 배치공정 중 적어도 제 1 전극 배치공정은,
    은입자표면에 금속 또는 금속산화물을 피복하는 피복단계와,
    상기 피복된 은입자를 이용하여 은전극을 형성하는 은전극형성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  39. 제 38항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 피복된 은입자와 유리프릿을 혼합한 막을 형성하여 패터닝하고 소성함으로써 은전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  40. 제 38항에 있어서,
    상기 은전극형성 단계에서는,
    상기 피복된 은입자와 유리프릿을 포함하는 페이스트를 전극형상으로 도포하고 소성함으로써 은전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  41. 제 38항에 있어서,
    상기 피복단계에서는,
    은입자 표면에 도금법으로 금속을 피복하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  42. 제 38항에 있어서,
    상기 피복단계에서는,
    은입자 표면에 메커노퓨전법 또는 졸겔법으로 금속산화물을 피복하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  43. 제 1 플레이트의 표면을 에칭함으로써, Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온을 제거하는 에칭공정과,
    상기 제 1 플레이트의 표면에 은을 포함하는 제 1 전극을 배치하는 전극배치공정과,
    상기 제 1 플레이트와, 제 2 전극이 배치된 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  44. 제 1 플레이트에 대하여, Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 환원성을 실활시키는 실활공정과,
    상기 제 1 플레이트의 표면에 은을 포함하는 제 1 전극을 배치하는 전극배치공정과,
    상기 제 1 플레이트와, 제 2 전극이 배치된 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  45. 제 1 플레이트의 표면에 은과 유리프릿이 혼합된 재료로 이루어진 은전극 전구체를 형성하는 은전극 전구체 형성단계와,
    제 1 플레이트의 표면에 상기 은전극 전구체를 덮어 유전체유리로 이루어진 유전체층 전구체를 형성하는 유전체층 전구체 형성단계와,
    상기 은전극 전구체 및 유전체층 전구체를 함께 소성함으로써 제 1 전극 및 유전체층을 형성하는 소성단계와,
    상기 제 1 플레이트와, 제 2 전극이 배치된 제 2 플레이트를 상기 제 1 전극및 제 2 전극을 대향시킨 상태에서 간극을 두고 배치하는 동시에, 당해 간극에 가스매체를 봉입하는 배치공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  46. 유리판의 표면을 에칭함으로써, Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온을 제거하는 에칭공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  47. 제 46항에 있어서,
    상기 에칭공정에 있어서,
    상기 유리판의 표면으로부터 5㎛ 이상 20㎛ 미만의 깊이까지 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  48. 제 46항 또는 제 47항에 있어서,
    상기 에칭공정에서는,
    상기 유리판의 표면에 불소를 함유하는 액체를 함침시킴으로써 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  49. 제 46항 내지 제 48항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭공정에서는,
    에칭된 기판의 표면 근방의 영역에 있어서 Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 농도가 1000ppm 이하가 되도록 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  50. 제 46항 내지 제 48항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭공정에서는,
    에칭된 기판의 표면 근방의 영역에 있어서,
    4가 미만의 주석, 4가 미만의 망간, 2가 미만의 철 및 2가 미만의 인듐의 농도가 1000ppm 이하가 되도록 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  51. 제 46항 내지 제 48항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭공정 후에,
    에칭된 기판표면을 연마하는 연마공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  52. 유리판에 대하여,
    Ag이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온의 환원성을 실활시키는 실활공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  53. 제 52항에 있어서,
    상기 실활공정에서는,
    상기 유리판을 산성가스 분위기하에서 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  54. 제 53항에 있어서,
    상기 실활공정에서의 가열온도는 500℃ 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
  55. 제 52항 내지 제 54항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실활공정에서는,
    기판 표면으로부터 깊이방향으로 5㎛의 영역에 있어서,
    4가 미만의 주석, 4가 미만의 망간, 2가 미만의 철 및 2가 미만의 인듐의 농도가 1000ppm 이하가 되도록 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 제조방법.
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