CN100449583C

CN100449583C - 图像显示装置及其使用的玻璃基板的评价方法

Info

Publication number: CN100449583C
Application number: CNB2003801000969A
Authority: CN
Inventors: 足立大辅; 辻弘恭; 住田圭介
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-11-29
Filing date: 2003-11-27
Publication date: 2009-01-07
Anticipated expiration: 2023-11-27
Also published as: US20050062416A1; KR100643043B1; CN1685386A; WO2004051606A1; US7545561B2; US20080049305A1; KR20040072712A

Abstract

本发明提供通过抑制玻璃基板的黄变而可以进行良好的图像显示的图像显示装置和其使用的玻璃基板的评价方法。使用波长220nm的反射率小于等于5%的玻璃基板构成图像显示装置，另外，图像显示装置用的玻璃基板的评价方法利用玻璃基板的波长220nm的反射率分析玻璃基板的Sn^艹的量。

Description

图像显示装置及其使用的玻璃基板的评价方法

技术领域

本发明涉及等离子体显示屏(PDP)等的图像显示装置和该图像显示装置使用的玻璃基板的评价方法。

背景技术

作为用于以大画面显示高品质电视图像的图像显示装置，有各种方式。PDP是其中之一，以下，以PDP为例进行说明。

PDP由作为显示图像的一侧的前面侧玻璃基板和与其相对的背面侧玻璃基板这2块玻璃基板构成。在前面侧玻璃基板上，在其一方的主面上形成由条纹状的透明电极和总线电极构成的显示电极，并以覆盖该显示电极的方式形成起电容器的作用的电介质膜和在该电介质膜上形成的MgO保护层。另一方面，在背面侧玻璃基板上，在其一方的主面上形成条纹状的地址电极和覆盖该地址电极的电介质膜，进而再在其上形成隔壁并在各隔壁间形成分别以红色、绿色和蓝色发光的荧光体层。

这里，作为前面侧玻璃基板和背面侧玻璃基板，使用容易大面积化、平坦性优异并且廉价的浮法玻璃基板。这些已在例如电子日报的增刊册「2001FPD工艺大全」((株)电子日报出版、2000年10月25日、p706-p707)中公开。

所谓浮法，就是通过在还原性氛围下使熔融玻璃材料浮在熔融金属锡上传送而将玻璃形成板状的方法，具有可以高精度地并且廉价地制造大面积的板状玻璃的特长，广泛地应用于窗玻璃的制造等。

但是，在用浮法制造的浮法玻璃基板(以下，称为玻璃基板)上形成使用银材料的Ag电极时，在玻璃基板的表面将形成着色层，从而变为黄色(以下，称为黄变)。

这种玻璃基板由于Ag电极而着色的现象是由于玻璃基板表面存在的还原性的2价的锡离子(以下，称为Sn⁺⁺)和银离子(以下，称为Ag⁺)的氧化还原反应生成银胶体、由此而在波长350nm～450nm附近发生光吸收而引起的。

即，玻璃基板在成为熔融金属锡浴的浮法炉内的成形过程中，处在含有氢的还原性氛围中，在玻璃基板表面成为由熔融锡(Sn)生成存在锡离子(Sn⁺⁺)的厚度为数微米的还原层的状态。在表面具有还原层的玻璃基板上形成由Ag电极构成的总线电极时，在进行热处理时，银离子(Ag⁺)将从总线电极中脱出，通过与包含在玻璃中的碱金属离子之间的离子交换，银离子(Ag⁺)侵入到玻璃中。并且，侵入的银离子(Ag⁺)被还原层中的锡离子(Sn⁺⁺)所还原，生成金属银(Ag)的胶体。于是，玻璃基板由于该金属银(Ag)胶体而成为着色成黄色的状态。在透明电极上形成总线电极的例如前面侧玻璃基板上，同样也能发现这样的现象。

玻璃基板特别是前面侧玻璃基板成为着色成黄色的状态时，作为图像显示装置，就是致命的缺陷。因为，由于玻璃基板的着色，显示屏成为黄色，商品价值就降低，同时，由于蓝色的显示亮度降低，显示色度发生变化，特别是在进行白色显示时由于色温降低而画质劣化。

上述问题不限于PDP，对于具有在玻璃基板上形成Ag电极的结构的图像显示装置是共同的。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提案的，目的旨在提供通过抑制在玻璃基板上的黄变的发生而可以进行良好的图像显示的图像显示装置和该图像显示装置用的玻璃基板的评价方法。

为了解决上述问题，本发明的图像显示装置使用波长220nm的反射率小于等于5％的玻璃基板。

按照这样的结构，在使用通过浮法制造的玻璃基板在其表面上形成由Ag材料构成的电极的图像显示装置中，玻璃基板也不发生黄变等现象，从而可以提供图像显示品质优异的图像显示装置。

另外，本发明的图像显示装置用的玻璃基板的评价方法，根据波长220nm的反射率分析玻璃基板的Sn⁺⁺的量。按照这样的方法，在利用浮法制造的玻璃基板上形成由Ag材料构成的电极而提供图像显示装置时，可以简便而有效地选择不发生黄变的玻璃基板，提供最适合于图像显示品质优异的图像显示装置的玻璃基板。

附图说明

图1是表示作为本发明实施例的图像显示装置的PDP的概略结构的剖面立体图。

图2是表示浮法玻璃基板的表面除去量与反射频谱的关系的图。

图3是表示对波长220nm的反射率与玻璃着色度的关系的图。

图4是表示玻璃基板的反射频谱R_S(λ)与不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱R_B(λ)的差值ΔR的图。

图5是表示玻璃基板的反射频谱的分析结果的图。

图6是说明玻璃基板的反射频谱R_S(λ)与不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱R_B(λ)的差值ΔR最大的波长λ^＊的图。

图7是表示本发明实施例的图像显示装置用的玻璃基板的制造装置的概略结构的图。

图8是表示本发明实施例的图像显示装置用的玻璃基板的其他制造装置的概略结构的图。

图9是表示本发明实施例的图像显示装置用的玻璃基板的其他制造装置的概略结构的图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施例。

在以下的说明中，作为图像显示装置，以PDP为例进行说明，但是，不限于PDP，对于具有在利用浮法制造的表面存在Sn⁺⁺的玻璃基板上作为电极而配置使用Ag材料的电极的结构的图像显示装置都是有用的。

图1是表示PDP的概略结构的剖面立体图。PDP1由作为显示图像的一侧的前面侧玻璃基板3和与其相对的背面侧玻璃基板10这2块玻璃基板构成。

PDP1的前面基板2具有由在前面侧玻璃基板3的一主面上形成的扫描电极4和维持电极5构成的显示电极6、覆盖该显示电极6的电介质层7和进而覆盖该电介质层7的由例如由MgO形成的保护层8。扫描电极4和维持电极5是为了降低电阻，具有在透明电极4a、5a上叠层由Ag材料构成的总线电极4b、5b的结构。

背面基板9具有在背面侧玻璃基板10的一主面上形成的由Ag材料构成的地址电极11、覆盖该地址电极11的电介质层12、位于与电介质层12上的地址电极11之间相当的位置的隔壁13和隔壁13间的荧光体层14R、14G、14B。

前面基板2和背面基板9将隔壁13夹在中间、并以使显示电极6与地址电极11正交的方式相对，利用密封部件将图像显示区域的外周部密封，利用66.5kPa(500Torr)的压力将例如Ne-Xe5％的放电气体封入到在前面基板2与背面基板9之间形成的放电空间15中。

并且，放电空间15的显示电极6与地址电极11的交叉部起放电单元16(单位发光区域)的作用。

这里，如前所述，前面侧玻璃基板3和背面侧玻璃基板10使用容易大面积化、平坦性优异并且廉价的利用浮法制造的玻璃基板。

在上述结构中，前面侧玻璃基板3的总线电极4b、5b由Ag电极形成，所以，在前面侧玻璃基板3上存在Sn⁺⁺时，即使透明电极4a、5a介于总线电极4b、5b与玻璃基板3之间，玻璃基板也发生黄变。于是，根据其黄变的程度将对作为图像显示装置的图像显示特性产生不良影响。

因此，首先对作为图像显示装置的PDP1的前面侧玻璃基板3而使用的玻璃基板进行形成作为Ag电极的总线电极4b、5b的面上的Sn⁺⁺的量的分析。另外，如果外观上的品质也是问题的话，则对背面侧玻璃基板10同样也进行形成作为Ag电极的地址电极11的面上的Sn⁺⁺的量的分析。

这时的分析的具体的方法，是测定玻璃基板对波长220nm的反射率并根据该反射率进行分析的方法。本发明者等人进行研究的结果，发现波长220nm附近的反射率随玻璃基板上存在的Sn⁺⁺的量的增加而增加，而且，波长220nm附近的反射率与银胶体引起的玻璃基板的着色有相互关系。该分析方法是基于上述研究结果的方法。这里，反射率的测定可以使用普通的测定装置。

另一方面，在玻璃基板上存在的Sn⁺⁺的量，可以通过二次离子质量分析法(SIMS：Secondary Ion-Mass Spectrometry)或ICP发光分析法(ICP：Inductively-Coupled Plasuma)而求得。因此，Sn⁺⁺的量的允许值由根据上述分析法得到的玻璃基板的Sn⁺⁺的量和根据测定的反射率的关系求出的检量线所决定。因此，可以不破坏玻璃基板而根据反射率判断Sn⁺⁺的量的允许值。

即，首先，在波长200nm～300nm测定将浮法玻璃基板与锡的非接触面侧(顶面侧)表面均匀地除去3、7、15、20μm后的玻璃基板的反射频谱。其结果示于图2。在图2中，为了进行比较还示出了未进行除去的玻璃基板的测定结果。这里，除去顶面侧的表面，是由于顶面侧锡的附着和扩散量小于底面侧(锡接触面侧)，黄变的程度低，所以，将Ag作为电极材料形成总线电极时，通常在顶面侧形成。在底面侧形成Ag电极时，着色将是在顶面侧形成时的2～3倍。

由图2可知，除去量在15μm之前，波长220nm附近的峰值A的反射率随除去量的增加而减少。另一方面，除去量大于等于15μm时，反射率的减少趋于饱和。对于距离玻璃基板的顶面侧的深度方向，可以认为Sn⁺⁺的量单调地减少，图2所示的结果与此一致，是可以认为峰值A的反射率的减少与Sn⁺⁺的量的减少一致的理由。

其次，为了明确反射频谱中出现的220nm附近的峰值与玻璃基板的黄变的关系，在上述玻璃基板上实际形成Ag电极并测定了玻璃基板的着色度。即，作为Ag电极，在玻璃基板上用丝网印刷法涂布厚5μm的银浆，并在600℃下进行烧结，之后检查了玻璃基板的着色度与波长220nm的反射率的关系。图3表示其结果。这里，玻璃基板的着色度使用L^＊a^＊b^＊表色系(参见JISZ 8729)的b^＊进行了评价。b^＊的值越大，黄色的着色越强.玻璃基板的着色度测定从未形成Ag电极的面侧进行。由图3可知，可以认为玻璃基板对波长220nm的光的反射率与玻璃基板的着色度b^＊之间存在正的相关关系。

根据以上的研究结果可知，玻璃基板对波长220nm的反射率的增加与玻璃基板上存在的Sn⁺⁺的量即至少与成为黄变的原因的还原性物质的量有相关关系。因此，通过测定波长220nm的反射率，可以根据上述检量线进行在形成Ag电极的玻璃基板上存在的Sn⁺⁺的量的分析，进而，可以推断玻璃基板的黄变程度。因此，作为评价对于图像显示装置是否为最佳的玻璃基板的方法是有用的。

另外，在图2中，从表面将玻璃基板除去15μm或以上之后的波长220nm附近的反射率(在图2中约为2％)与Sn⁺⁺的存在无关，与在其他波长具有峰值的反射频谱的下摆部分有关。即，波长220nm的反射率的减少趋于饱和，可以认为是由于在玻璃基板上存在的Sn⁺⁺的量变为微量而造成的。即，图2所示的玻璃基板的反射频谱R_S(λ)与不存在Sn⁺⁺的状态下即除去15μm或以上的表面使反射率的减少趋于饱和状态下的反射频谱R_B(λ)之差ΔR(λ)＝R_S(λ)-R_B(λ)示于图4。可以认为图4所示的ΔR是与存在Sn⁺⁺的反射频谱的差值。

另外，波长220nm的反射率也可以从图2所示的反射频谱的分布中读取。但是，为了更准确地研究与Sn⁺⁺有相关关系的反射频谱的信号强度，可以使用以下的方法。即，在例如波长180nm～280nm的更宽的范围内测定反射频谱，使用数式1，利用曲线拟合法分离为图5所示的与Sn⁺⁺有相关关系的成分和没有相关关系的成分的2个高斯型峰值。然后，可以比较与Sn⁺⁺有相关关系的成分的峰值面积。

【数式1】

M 1 \exp {- \frac{{(1240 / λ - 1240 / M 2)}^{2}}{{M 3}^{2}}} + M 4 \exp {- \frac{{(1240 / λ - 1240 / M 5)}^{2}}{{M 6}^{2}}}

其中，λ是波长(单位：nm)、M1～M6是拟合参量。

取测定波长范围的下限为180nm的原因是，在比180nm波长短的一侧由于大气中的氧引起的光吸收，测定必须在真空中或不含氧的氛围中进行，从而测定系统的构筑和测定就十分麻烦。

这个方法，作为评价对于图像显示装置是否为最佳的玻璃基板的方法是有用的。

另外，Sn⁺⁺引起的反射率的峰值波长的位置，有时随玻璃基板的制造条件或组成而伴有若干变化。因此，为了提高Sn⁺⁺的分析精度，不仅仅根据波长220nm的反射率，而且包含更宽范围的例如200～250nm的反射率的下摆宽阔的范围进行分析时，则更有效。

具体而言，例如，如图6所示，波长200nm～250nm中的玻璃基板的反射频谱R_S(λ)与不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱R_B(λ)之差ΔR(λ)＝R_S(λ)-R_B(λ)为最大的波长λ^＊可以认为就是表示存在Sn⁺ ⁺的波长。图6是表示图4的ΔR(λ)最大的波长λ^＊的图。因此，根据该波长λ^＊的反射率R_S(λ^＊)或者反射率之差ΔR(λ^＊)＝R_S(λ^＊)-R_B(λ^＊)分析玻璃基板的Sn⁺⁺的量。

上述反射率之差ΔR(λ^＊)＝R_S(λ^＊)-R_B(λ^＊)，根据其意义，就是和玻璃基板的波长200nm～250nm的反射频谱R_S(λ)与不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱R_B(λ)之差ΔR(λ)＝R_S(λ)-R_B(λ)的最大值相同。

如图2所示，Sn⁺⁺仅存在于从玻璃基板最表面到约15μm的深度的区域中。因此，可以将从玻璃基板的顶面侧除去15μm或以上最好20μm或以上的部分的反射频谱作为不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱R_B(λ)。

此外，作为包含反射频谱的下摆宽阔的范围进行分析的其他具体例子，还有根据例如200nm～250nm的反射频谱的面积积分求平均的反射率，并根据该反射率分析Sn⁺⁺的量的方法。

上述任一方法，作为评价对于图像显示装置是否为最佳的玻璃基板的方法，是有用的。

下面，说明按上述方法进行的对玻璃基板的形成Ag电极的面上的Sn⁺⁺的量的分析结果的判断基准。

由于Sn⁺⁺的存在，来自Ag电极中的Ag⁺还原，生成Ag胶体，从而玻璃基板发生黄变。因此，由Sn⁺⁺的量决定玻璃基板发生变色(黄变)的程度，故作为图像显示装置用而使用时，Sn⁺⁺的量的允许值就成为判断基准。

这里，根据图2的结果，从防止黄变的观点考虑，希望表示存在Sn⁺ ⁺的波长的反射率例如波长220nm的反射率R_S(220)、反射频谱的差值ΔR(λ)＝R_S(λ)-R_B(λ)为最大的波长λ^＊的反射率R_S(λ^＊)、或者反射率的差值ΔR(λ^＊)＝R_S(λ^＊)-R_B(λ^＊)、或者波长200～250nm的平均的反射率R_S-mean(200～250)小。具体而言，反射率R_S(200)小于等于5％、或者反射率R_S(λ^＊)小于等于5％、或者反射率的差值ΔR(λ^＊)小于等于3％、或者平均的反射率R_S-mean(200～250)小于等于5％。含有这些Sn⁺⁺量时，即使在玻璃基板上形成Ag电极而制造图像显示装置，玻璃基板的黄变也不成问题，这已得到了确认。

但是，玻璃基板的Sn⁺⁺量少时，有时引起浮法炉内的氛围的还原力减弱。这时，在制造玻璃基板时，包含在锡浴中的金属锡将不断地氧化而挥发。因此，玻璃基板的Sn⁺⁺的量太少对玻璃基板的制造也不利。

根据以上所述可知，优选反射率R_S(220)大于等于2.5％小于等于5％、或者反射率R_S(λ^＊)大于等于2.5％小于等于5％、或者反射率的差值ΔR(λ^＊)大于等于0.5％小于等于3％、或者平均的反射率R_S-mean(200～250)大于等于2.5％小于等于5％。

即，对玻璃基板的反射率的测定结果超出上述范围时，表示在该玻璃基板的表面存在超过玻璃基板发生黄变从而对图像显示有影响的允许值的Sn⁺⁺。因此，在该玻璃基板上形成Ag电极而制造图像显示装置时，将发生用于图像显示装置时成为问题的黄变。

因此，在分析出Sn⁺⁺的量超过允许值时，在玻璃基板的制造工序中，就控制减弱浮法炉内的还原力，从而减少玻璃基板的Sn⁺⁺的量。作为减弱浮法炉内的还原力的具体的方法，可以例举降低浮法炉内的氢浓度的方法。例如，作为浮法炉的氛围气体，通常使用氢和氮的混合气体，氢的比例约为2～10体积百分比(vol％)。因此，在上述氢浓度的范围内，通过根据Sn⁺⁺的量的允许值改变氢浓度而进行控制。

这时的玻璃基板的制造装置的一例示于图7，下面，利用图7说明玻璃基板的制造方法。

投入到熔融炉21中的玻璃基板的材料通过加热到高温而熔融之后，供给浮法炉22。浮法炉22的下部为熔融锡24、上部空间为了防止锡的氧化而设置了还原性氛围25(氢和氮的混合气体)。熔融玻璃通过在熔融锡24上连续地移动而形成板状的玻璃带23。玻璃带23通过传输滚轮26从锡浴提升并向渐冷炉27中移动。在该渐冷炉27中，玻璃带23通过逐渐地冷却而缓解成形时发生的畸变。

在图7所示的制造装置中，在渐冷工序之后设置了由反射率测定装置32测定反射率并分析玻璃基板的Sn⁺⁺的量的表面分析工序。在该工序，测定玻璃基板的表示Sn⁺⁺的存在的波长的反射率，即波长220nm的反射率R_S(220)、或ΔR(λ)＝R_S(λ)-R_B(λ)为最大的波长λ^＊的反射率R_S(λ^＊)、或反射率的差值ΔR(λ^＊)＝R_S(λ^＊)-R_B(λ^＊)、或波长200nm～250nm的平均的反射率R_S-mean(200～250)。

并且，通过反射率的测定，分析出Sn⁺⁺的量超过允许值时，就控制氛围气体的浓度以减弱浮法炉22内的还原力。这里，从防止黄变的角度考虑，反射率应尽可能低。另一方面，为了减少玻璃基板的Sn⁺⁺量而过分减弱浮法炉22内的氛围25的还原力时，在制造玻璃基板时包含在熔融锡24中的金属锡将不断地氧化而发挥。

因此，应该在与玻璃基板的Sn⁺⁺的量相当的反射率的允许值大于等于上述值时，控制降低氢浓度，而小于上述值时，为了防止金属锡的氧化而提高浮法炉氛围的氢浓度.

这里，反射率测定可以通过非破坏、非接触的方式进行，此外，可以在短时间内进行，所以，可以适用于日常的玻璃基板制造工序的工序管理。另外，图像显示装置特别追求面内均匀性，所以，为了掌握玻璃基板的偏差，最好在多个部位进行测定。

作为Sn⁺⁺的量的评价方法，有前面讲过的二次离子质量分析法(SIMS：Secondary Ion-mass spectrometry)和ICP发光分析法(ICP：Inductively-Coupled Plasma)等，但是，这些方法都是破坏检查，而且，大面积的测定困难，所以，不适合用于玻璃基板制造工序中的玻璃基板的Sn⁺⁺量的在线测定。但是，通过使用这些方法测定规定样品的Sn⁺⁺的量并测定该样品的反射率，预先制作检量线，可以根据反射率对Sn⁺⁺的量进行定量。

提高浮法炉的氛围的氢浓度时，氛围的还原性增强，所以，玻璃基板的Sn⁺⁺的量增加，如前所述，将出现玻璃基板的黄变问题。另外，如前所述，玻璃基板的Sn⁺⁺的量的变化是以玻璃基板的黄变程度的差别而出现的，所以，必须限定在一定范围内。玻璃基板的反射率超过上述规定的范围时，如果降低浮法炉的氢浓度，就可以减弱氛围的还原性，从而可以降低玻璃基板的反射率。

并且，在测定反射率的表面分析工序之后，玻璃带23在切断工序由裁断装置28切断成任意的大小，完成玻璃基板100。

另外，如上所述，尽管控制减弱浮法炉22内的还原力，所得到的形成Ag电极的玻璃基板的Sn⁺⁺的量的分析结果有时仍然会超过允许值。这时，如图8所示，可以在表面除去炉29中通过表面除去工序除去玻璃基板的Ag电极的形成面直至Sn⁺⁺的量减少至小于允许值的区域。这就是通过控制减弱浮法炉22内的还原力并同时使用除去玻璃基板表面的方法，对通过减少玻璃基板的Sn⁺⁺的量而得到的玻璃基板表面进而再除去其表面。因此，与不控制浮法炉22内的还原力而除去表面的情况相比，可以降低需要除去的量。如图2所示，不控制浮法炉内的还原力时，直至距离玻璃表面约15μm的深度都存在Sn⁺⁺。因此，为了完全除去Sn⁺⁺，必须将大面积的玻璃基板除去15μm或以上最好20μm或以上的均匀的深度.这些除去加工需要镜面精加工，从这一点来说，除去量越多成本越会极端地上升，所以，降低除去量，对降低成本非常有利。

这里，表面除去工序可以是通过将玻璃基板100浸渍到氟酸溶液或氢氧化钠水溶液等腐蚀液30中而腐蚀玻璃基板表面的化学方法，也可以是抛光研磨法或喷砂法等物理方法。根据上述反射率的研究，表面除去量约为3μm～15μm就足够了。

另外，如图9所示，在表面除去炉29中进行表面除去处理之后，再次由反射率测定装置32进行分析玻璃基板100的Sn⁺⁺的量的第2表面分析工序，如果需要，可以再次除去表面，如此反复进行表面分析工序和表面除去工序，通过严密管理玻璃基板的表面状态，可以进一步提高本发明的效果。

另外，也可以在分析出Sn⁺⁺的量超过允许值时，将该玻璃基板作为图像显示装置的背面侧玻璃基板使用；在Sn⁺⁺的量小于允许值时，作为图像显示装置的前面侧玻璃基板使用。

使用上述那样得到的玻璃基板制造的图像显示装置即PDP中不会发生能够影响其图像显示特性的黄变，可以进行良好的图像显示。

下面，说明对根据本发明制作的PDP进行的研究结果。

首先，对利用浮法制造的玻璃基板(旭硝子制PD-200)进行了除去，使波长210nm～250nm的范围中的反射频谱R_S(λ)与反射频谱R_B(λ)之差：ΔR(λ)＝R_S(λ)-R_B(λ)的最大值为0.1％、0.8％、2.1％、3.3％、4.0％，如此这般使玻璃基板表面的还原层的残余量不同。作为表面除去的具体方法，采用将玻璃基板浸渍到氟酸水溶液(10％)的腐蚀液中的方法，表面除去量通过浸渍时间进行控制。氟酸水溶液的温度为27℃时，腐蚀速度为每分钟2μm。并且，在规定时间的浸渍之后，进行水洗。然后，进行反射频谱的测定。

使用这些玻璃基板制造了分辨率和结构不同的3种PDP，研究反射频谱的差值ΔR(λ)和PDP的黄变引起的着色度(b^＊)的关系。

PDP111与VGA(480×640像素)相当，在Ag电极(总线电极)与玻璃基板之间具有透明电极。另外，PDP222与XGA(768×1024像素)相当，在Ag电极与玻璃基板之间具有透明电极。并且，PDP333与XGA相当，在Ag电极与玻璃基板之间没有透明电极.

表1表示3种PDP的反射频谱的差值ΔR(λ)与PDP的黄变引起的着色度(b^＊)的测定结果。希望b^＊的值尽可能小，但是，实际上，如果b^＊的值小于2，黄变就不是什么特别问题。因此，在Ag电极和玻璃基板之间有透明电极并且像素间隔宽的PDP111中如果ΔR(λ)大致小于等于3％、在Ag电极和玻璃基板之间有透明电极但像素间隔窄的PDP222中如果ΔR大致小于等于2％、在没有透明电极的PDP333中如果ΔR大致小于等于1％，则作为图像显示装置就没有什么问题。

【表1】

本发明的效果，作为图像显示装置不限于PDP，对于具有在氟法玻璃基板等表面存在Sn⁺⁺的玻璃基板上作为电极配置了Ag电极的结构的图像显示装置都有用。

如上所述，本发明提供即使在利用氟法制造的玻璃基板上形成Ag电极也可以抑制在玻璃基板上发生的黄变的图像显示品质优异的图像显示装置，同时可以提供该图像显示装置使用的玻璃基板的制造方法。

Claims

1.一种图像显示装置，其中，该图像显示装置使用表面存在Sn⁺⁺并且对波长220nm的光的反射率小于等于5％的玻璃基板。

2.按权利要求1所述的图像显示装置，其中，波长220nm的反射率根据波长180nm～280nm的反射频谱利用

M 1 \exp {- \frac{{(1240 / λ - 1240 / M 2)}^{2}}{{M 3}^{2}}} + M 4 \exp {- \frac{{(1240 / λ - 1240 / M 5)}^{2}}{{M 6}^{2}}}

而导出，其中，λ是波长、单位为nm，M1～M6是拟合参量。

3.一种图像显示装置，其中，该图像显示装置使用这样的玻璃基板：表面存在Sn⁺⁺，并且反射率小于等于5％，该反射率是波长200nm～250nm下的反射频谱与不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱之差为最大的波长下的反射率。

4.一种图像显示装置，其中，该图像显示装置使用这样的玻璃基板：表面存在Sn⁺⁺，并且波长200nm～250nm下的反射频谱与不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱之差的最大值小于等于3％。

5.按权利要求3或4所述的图像显示装置，其中，不存在Sn⁺⁺的状态下的反射频谱是从玻璃基板表面向深度方向将表面除去大于等于15μm的部分的反射频谱。

6.一种图像显示装置，其中，该图像显示装置使用表面存在Sn⁺⁺并且对波长200nm～250nm的光的平均的反射率小于等于5％的玻璃基板。