JP2002298744A - プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＰＤＰ用基板において電極のエッジカールを
抑制する。 【解決手段】 第１基板１０では密着層４が下地絶縁層
１２の主面１２Ｓと（ペースト状材料を焼成して形成さ
れた）バス電極３との双方に接して端子領域ＡＲ２内に
形成されている。密着層４は例えば透明電極２と同じＳ
ｎＯ₂やＩＴＯから成り、ＣＶＤ法やスパッタリング法
で形成される。或いは、密着層はガラス材料を含有した
ペースト状材料を印刷・乾燥・焼成して形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はプラズマディスプ
レイパネル（以下「ＰＤＰ」とも呼ぶ）及びＰＤＰ用基
板に関し、特にＰＤＰ用基板の電極の端子領域内でのエ
ッジカールや剥離を抑制し、ＰＤＰの表示信頼性を向上
させる技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＰＤＰはＴＶやコンピュータ等の画像表
示に用いられている。ＡＣ型ＰＤＰでは、駆動動作の維
持期間において、対を成す表示電極に交互にパルス電圧
を印加することにより、放電空間内に維持放電を発生さ
せる。ＡＣ型ＰＤＰでは表示電極が誘電体層及び保護膜
で覆われているので、上記パルス電圧はこれらの誘電体
層及び保護膜を介して放電空間内に電界を形成し、当該
電界によって維持放電が形成される。この維持放電から
の可視光を表示発光に用いる。或いは、カラー表示の場
合、維持放電からの紫外線で蛍光体を励起し、この蛍光
体からの可視光を表示発光に用いる。

【０００３】上述のいずれの表示発光においてもＰＤＰ
の表示面側から表示発光を取り出す。このため、表示面
を成すガラス基板上の電極は表示発光を取り出すために
透明電極を含んで構成される。具体的には、この電極
は、ガラス基板上に形成された透明電極と、当該透明電
極上に形成されたバス電極とから成る。透明電極は例え
ば酸化錫（ＳｎＯ₂）や酸化インジウム錫（Indium Tin
Oxide；ＩＴＯ）等で形成され、バス電極は例えば銀で
形成される。

【０００４】バス電極は透明電極へ電圧を供給するため
に設けられており、バス電極は透明電極上のみならず表
示領域外の端子領域にまで延在している。従来のＰＤＰ
のバス電極は端子領域内ではガラス基板の表面上に直に
形成されている。バス電極は端子領域内において例えば
はんだ熱圧着や異方性導電膜（Anisotropic Conductive
Film；ＡＣＦ）の熱圧着等で以てフレキシブルプリン
トサーキット（Flexible Printed Circuit；ＦＰＣ）と
接続され、当該フレキシブルプリントサーキットを介し
て外部回路と接続される。

【０００５】上述のバス電極は以下のようにして形成さ
れる。まず、透明電極上にバス電極の材料となる感光性
銀ペーストを印刷し、乾燥させる。次に、乾燥した感光
性銀ペーストに露光マスクを介して紫外線（ＵＶ）光を
照射して所定のパターンに露光する。そして、パターン
露光された感光性銀ペーストを炭酸ナトリウム水溶液等
の現像液で現像し、その後、焼成する。

【０００６】なお、表示領域内の透明電極及びバス電極
を覆ってガラスペーストを印刷し、乾燥・焼成してガラ
ス質の誘電体層を形成する。更に、当該誘電体層上に、
真空蒸着等によって酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成
る保護膜層を形成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】さて、図１２の断面図
に示すように端子領域においてバス電極３Ｑは全体的に
ガラス基板１１Ｑに密着していることが望ましい。しか
し、上述のようにバス電極３Ｑをペースト状材料を焼成
して形成する場合、焼成時に図１３の断面図に示すよう
にバス電極３Ｑの端が捲れあがることがある。このよう
な捲れ上がりはエッジカールと呼ばれる。エッジカール
が顕著になるとバス電極の形成精度が低下してしまう。

【０００８】エッジカールはバス電極の高さないしは厚
さが大きくなるほど発生しやすいという傾向がある。ま
た、エッジカールの発生はバス電極の幅にも依存する。
更に、バス電極は端子領域では誘電体層に覆われていな
いので、エッジカールを有してバス電極が形成された場
合にはバス電極の形成後の焼成工程（例えば上記誘電体
層の焼成工程）においてエッジカールが進行してしま
う。

【０００９】エッジカールはバス電極とガラス基板との
接触面積を減少させるので、バス電極のガラス基板に対
する密着力が低下するし、バス電極自体の剥離といった
問題に至る場合もある。また、エッジカールを有するバ
ス電極は脆く断線しやすい。更に、エッジカールはバス
電極とフレキシブルプリントサーキットとの密着強度を
低下させるので、表示状態を不安定にする。即ち、端子
領域内においてバス電極はエッジカールを有することな
く、ガラス基板に高い強度で密着していることが要求さ
れる。

【００１０】ところで、銀は反射係数が大きいので、外
光がバス電極で反射し、ＰＤＰのコントラストが低下し
てしまう。このため、一般的には、上述の単層のバス電
極とガラス基板との間に黒色の導電層を挿入することに
より、外光の反射を低減している。つまり、バス電極と
して、表示面側（ＰＤＰの外面側）に黒の色調の導電層
が配置され且つＰＤＰの内面側に銀の（白の色調の）導
電層を配置した２層構造の電極が用いられている。この
ような２層構造のバス電極は、例えば特開平１１−２７
３５７８号公報に開示される。

【００１１】しかし、２層構造のバス電極は１層の場合
に比べて厚くなるので、エッジカールがより発生しやす
い。また、異なる感光性導電材料を積層してバス電極を
形成するので、積層の界面が不安定になる現象と相俟っ
て、特にエッジカールが発生し易い。

【００１２】これに対して、上述の特開平１１−２７３
５７８号公報に開示される従来のＰＤＰ用基板は端子領
域内において図１４及び図１５に示すような構造を有し
ている。なお、図１５は図１４の平面図中のＡＰ−ＡＰ
線における断面図である。図１４及び図１５に示すよう
に、上記公報に開示される従来のＰＤＰ用基板１０Ｐで
は、バス電極３Ｐの黒色導電層３ｂＰは透明電極２Ｐ上
にのみ（換言すれば表示領域ＡＲ１Ｐ内にのみ）設け、
バス電極３Ｐの低抵抗層３ｗＰを黒色導電層３ｂＰ上か
らガラス基板１１Ｐ上の端子領域ＡＲ２Ｐ内へ延在させ
ている。つまり、ＰＤＰ用基板１０Ｐではバス電極３Ｐ
のうちの低抵抗層３ｗＰのみが端子領域ＡＲ２Ｐ内に形
成されている。なお、透明電極２Ｐ及びバス電極３Ｐが
表示電極１３Ｐを成す。

【００１３】なお、図１４及び図１５に示すように、端
子領域ＡＲ２Ｐ内においてバス電極３Ｐはフレキシブル
プリントサーキット３０Ｐが接続される。また、透明電
極２Ｐ及びバス電極３Ｐの一部を覆って誘電体層１４Ｐ
及び保護膜層１５Ｐが順に積層されている。

【００１４】上記公報によれば、黒色導電層３ｂＰより
も低抵抗層３ｗＰの方がガラス基板１１Ｐとの密着強度
が大きいので、端子領域ＡＲ２Ｐ内においてバス電極３
Ｐ（の低抵抗層３ｗＰ）がガラス基板１０Ｐに密着しう
るとしている。

【００１５】しかしながら、このＰＤＰ用基板１０Ｐで
は端子領域ＡＲ２Ｐ内において低抵抗層３ｗＰがガラス
基板１１Ｐ上に直接、形成されているので、上述の単層
のバス電極と同様にエッジカールが生じうる。また、こ
のＰＤＰ用基板１０Ｐにおいても低抵抗層３ｗＰの厚さ
や幅に依存して端子領域ＡＲ２Ｐ内でエッジカールが生
じうる。上述のように、エッジカールが生じると、バス
電極３Ｐとフレキシブルプリントサーキット３０Ｐとの
密着強度が低下し、表示状態が不安定になる。

【００１６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、端子領域内での電極のエッジカールや剥離を抑制
可能なＰＤＰ用基板を提供することを第１の目的とす
る。

【００１７】更に、本発明は、エッジカールが抑制され
たＰＤＰ用基板を備えることにより、表示信頼性の高い
ＰＤＰを提供することを第２の目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のプラズ
マディスプレイパネル用基板は、基板主面を有してお
り、表示領域及び端子領域を含んだ基板と、前記基板主
面に対面して且つ前記表示領域及び前記端子領域に渡っ
て形成されており、ペースト状材料を焼成して形成され
た電極と、前記電極と前記基板主面との間に介在して且
つ前記電極及び前記基板主面に接して前記端子領域内に
形成されており、前記電極との密着性が前記基板主面よ
りも高い密着層とを備える。

【００１９】請求項２に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１に記載のプラズマディスプレイ
パネル用基板であって、前記密着層は前記電極よりも表
面粗さが大きい。

【００２０】請求項３に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１又は２に記載のプラズマディス
プレイパネル用基板であって、前記密着層はペースト状
材料を焼成して形成されたガラス材料から成る。

【００２１】請求項４に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１乃至３のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板であって、前記密着層は
透明な材料から成る。

【００２２】請求項５に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１に記載のプラズマディスプレイ
パネル用基板であって、前記密着層は透明導電材料から
成る。

【００２３】請求項６に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１乃至５のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板であって、前記電極は前
記端子領域内の方が前記表示領域内よりも薄い。

【００２４】請求項７に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１乃至６のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板であって、前記密着層は
鉛を含まない材料から成る。

【００２５】請求項８に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用基板は、請求項１乃至７のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板であって、前記電極は、
前記密着層に接して且つ前記基板主面に対面して配置さ
れた黒色導電層と、前記黒色導電層に接し且つ前記黒色
導電層を介して前記基板主面に対面して配置された、前
記黒色導電層よりも抵抗が低い低抵抗層とを含んでい
る。

【００２６】請求項９に記載のプラズマディスプレイパ
ネルは、請求項１乃至８のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用基板から成る第１基板と、前記電極
を介して前記基板主面に対面配置された第２基板とを備
える。

【００２７】

【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１に実施の形
態１に係るプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤ
Ｐ」とも呼ぶ）１を説明するための模式的な平面図を示
す。なお、図１は後述の第１基板（ないしはＰＤＰ用基
板）１０（図２参照）側からＰＤＰ１を見た場合にあた
る。図１に示すようにＰＤＰ１は表示領域ＡＲ１及び周
辺領域ＡＲ２に大別される。表示領域ＡＲ１は画像等を
表示する領域であり、表示領域ＡＲ１内には放電セル
（図示せず）が例えばマトリクス状に配置されている。
他方、周辺領域ＡＲ２とは表示領域ＡＲ１以外の領域を
総称する。周辺領域ＡＲ２内には例えばＰＤＰ１の端子
が配置されており、以下、周辺領域ＡＲ２を「端子領域
ＡＲ２」とも呼ぶ。

【００２８】なお、「表示領域ＡＲ１」及び「端子領域
（又は周辺領域）ＡＲ２」という用語は、以下に説明す
る第１及び第２基板１０，２０（図２参照）並びにこれ
らの構成要素における対応の領域に対しても用いる。

【００２９】図２にＰＤＰ１の表示領域ＡＲ１内の構造
を説明するための模式的な斜視図を示す。ここでは、Ｐ
ＤＰ１の一例としていわゆる交流型（ＡＣ型）の面放電
型ＰＤＰを挙げる。ＰＤＰ１は対面配置された第１基板
（ないしはＰＤＰ用基板）１０と第２基板２０とに大別
される。

【００３０】第１基板１０はガラス基板１１、下地絶縁
層１２、表示電極１３、誘電体層１４及び保護膜（ない
しはカソード膜）１５を備えている。

【００３１】詳細には、ガラス基板１１の第２基板２０
側の表面ないしは主面１１Ｓ上に下地絶縁層１２が形成
されており、下地絶縁層１２の第２基板２０側の表面な
いしは主面１２Ｓ上に複数の表示電極１３が形成されて
いる。なお、下地絶縁層１２はＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）法やスパッタリング法で成膜されたＳｉ
Ｏ₂から成る。

【００３２】このとき、表示電極１３が形成される「基
板」はガラス基板１１及び下地絶縁層１２を含んで成
り、下地絶縁層１２の主面１２Ｓが「基板主面」にあた
る。なお、下地絶縁層１２を形成せず、表示電極１３を
ガラス基板１１の主面１１Ｓ上に形成する場合がある。
そのような場合には上記「基板」はガラス基板１１にあ
たり、ガラス基板１１の主面１１Ｓが「基板主面」にあ
たる。

【００３３】表示電極１３は隣接する２本毎に対（電極
対）を成しており、対を成す一方の表示電極１３を走査
電極１３１とも呼び、他方の表示電極１３を維持電極１
３２とも呼ぶ。ＰＤＰ１では走査電極１３１と維持電極
１３２は交互に配置されている。

【００３４】各表示電極１３は帯状の透明電極２及び帯
状のバス電極（ないしは電極）３とを含んでいる。具体
的には、透明電極２は下地絶縁層１２の主面１２Ｓ上に
延在しており、表示領域ＡＲ１内に配置されている。透
明電極２は例えば酸化錫（ＳｎＯ₂）や酸化インジウム
錫（ＩＴＯ）等から成り、ＣＶＤ法やスパッタリング法
で形成される。

【００３５】バス電極３は透明電極２を介して下地絶縁
層１２の主面１２Ｓに対面し且つ透明電極２に接して配
置されている。なお、バス電極３は透明電極２よりも幅
が狭く、透明電極２上の一部に当該透明電極２に沿って
延在しており、又、電極対を成す相手方の表示電極１３
から遠い側に配置されている。バス電極３は透明電極２
に電圧を供給するために設けられており、表示領域ＡＲ
１及び端子領域ＡＲ２の双方に渡って延在している（後
述の図３及び図４を参照）。バス電極３の厚さ（ないし
は高さ）は第１基板１０全体において例えば８μｍであ
る。

【００３６】ＰＤＰ１のバス電極３は黒色（ないしは暗
色）の導電層３ｂと、当該黒色導電層３ｂよりも抵抗が
低い低抵抗層３ｗとを備えており、ＰＤＰ１の表示電極
１３は透明電極２／黒色導電層３ｂ／低抵抗層３ｗの積
層構造を有している。具体的には、黒色導電層３ｂは透
明電極２に接し且つ下地絶縁層１２の主面１２Ｓに対面
して配置されている。そして、低抵抗層３ｗは黒色導電
層３ｂに接し且つ黒色導電層３ｂを介して下地絶縁層１
２の主面１２Ｓに対面して配置されている。従って、黒
色導電層３ｂによって外光の反射を低減してコントラス
トを向上させることができ、又、低抵抗層３ｗによっ電
圧降下を低減することができる。なお、黒色導電層３ｂ
は外光の反射を低減可能であれば、バス電極３の厚さを
抑えるためにより薄く形成するのが好ましい。

【００３７】黒色導電層３ｂは例えば酸化ルテニウムを
主成分とする導電材料で形成されており、低抵抗層３ｗ
は例えば銀を主成分とする導電材料で形成されている。
なお、以下、銀は白色（ないしは明色）の材料であるた
め、低抵抗層３ｗを白色導電層２ｗとも呼ぶ。黒色導電
層３ｂ及び低抵抗層３ｗは以下のように形成される。ま
ず、黒色導電層３ｂ及び低抵抗層３ｗはそれぞれ上述の
材料に感光性が付与されたペースト状材料を印刷し、乾
燥させる。次に、乾燥したペースト状材料に露光マスク
を介して紫外線（ＵＶ）光を照射して所定のパターンに
露光する。そして、露光されたペースト状材料を炭酸ナ
トリウム水溶液等の現像液で現像し、その後、焼成す
る。

【００３８】表示電極１３を覆って表示領域ＡＲ１内に
（及び後述の図３及び図４に示すように端子領域ＡＲ２
内の一部に）下地絶縁層１２の主面１２Ｓ上に誘電体層
１４及び保護膜１５がこの順序で形成されている。保護
膜１５は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成り、放電の
カソードとして機能する。例えば、誘電体層１４はガラ
スペーストを印刷し、乾燥・焼成することにより形成さ
れ、保護膜１５はＭｇＯを真空蒸着することにより形成
される。

【００３９】第２基板２０はガラス基板２１、アドレス
電極２３、グレーズ層２４、バリアリブ（ないしは隔
壁）２６及び蛍光体層２７を備えている。詳細には、ガ
ラス基板２１の第１基板１０側の表面上に複数のアドレ
ス電極２３がストライプ状に形成されている。なお、ア
ドレス電極２３は上述の表示電極１３と（立体）交差す
る方向に延在している。アドレス電極２３を覆ってガラ
ス基板２１上に誘電体から成るグレーズ層２４が形成さ
れている。

【００４０】グレーズ層２４上には隣接するアドレス電
極２３を区画するようにバリアリブ２６がストライプ状
に形成されている。そして、バリアリブ２６とグレーズ
層２４とで形成される略Ｕ字型の溝の内面上に蛍光体層
２７が形成されている。なお、上述溝単位で、赤色発光
用の蛍光体層２７Ｒ、緑色発光用の蛍光体層２７Ｇ又は
青色発光用の蛍光体層２７Ｂのいずれかが形成されてい
る。

【００４１】第１基板１０と第２基板２０とは、バリア
リブ２６と保護膜１５とを接触させて対面配置されてお
り、不図示の周縁部で封着されている。第１基板１０と
第２基板２０との間の放電空間には放電用のガス、例え
ばＮｅ−Ｘｅの混合ガスが充填されている。

【００４２】ＰＤＰ１では、１対の表示電極１３が１本
の走査線に対応し、当該走査線とアドレス電極２３との
各（立体）交差点で以て１つの放電セルが規定される。
つまり、ＰＤＰ１では表示領域ＡＲ１内に放電セルがマ
トリクス状に配置されている。

【００４３】次に、図３に第１基板１０の端子領域ＡＲ
２内における構造を説明するための模式的な平面図を示
し、図３中のＡＡ−ＡＡ線における断面図を図４に示
す。なお、説明のため、図３及び図４にはフレキシブル
プリントサーキット３０を併せて図示している。

【００４４】図３及び図４に示すように、第１基板１０
は端子領域ＡＲ２内に密着層４を備えている。詳細に
は、密着層４は下地絶縁層１２の主面１２Ｓ上に形成さ
れており、透明電極２の（延在方向の）端部に接し透明
電極２に引き続いて形成されている。そして、上述の２
層構造のバス電極３が表示領域ＡＲ１から引き続いて端
子領域ＡＲ２内へ延在し、密着層４上に形成されている
（従って黒色導電層２ｂは密着層４に接している）。つ
まり、密着層４は下地絶縁層１２の主面１２Ｓと（ペー
スト状材料を焼成して形成された）バス電極３との間に
介在して且つ主面１２Ｓ及びバス電極３の双方に接して
形成されている。なお、密着層４は各バス電極３に対し
てそれぞれ設けられている。特に、密着層４は透明導電
材料、例えば透明電極２と同じＳｎＯ₂やＩＴＯから成
り、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成される。

【００４５】端子領域ＡＲ２内においてバス電極３の端
部は誘電体層１４（及び保護膜１５）に覆われておら
ず、露出している。バス電極３のかかる露出端部にフレ
キシブルプリントサーキット４が接続されて、バス電極
３が外部回路（図示せず）に接続される。

【００４６】このように、第１基板１０のバス電極３は
透明電極２上及び密着層４上に形成されており、端子領
域ＡＲ２内においても下地絶縁層１２上に直に形成され
ていない。このとき、バス電極３と密着層４との密着強
度（密着性）は、バス電極３と透明電極２とのそれと同
じであり、バス電極３を下地絶縁層１２の主面１２Ｓ上
に（又はガラス基板１１の主面１１Ｓ上に）形成した場
合よりも大きい。このため、バス電極３が下地絶縁層１
２の主面１２Ｓ上に（又はガラス基板１１の主面１１Ｓ
上に）直接形成された場合よりも、バス電極３のエッジ
カールを抑制することができる。しかも、単層の場合よ
りも比較的に厚く（高く）なりやすい２層構造のバス電
極３であってもエッジカールを効果的に抑制することが
できる。なお、密着層４はスパッタ法やＣＶＤ法で形成
されるので、下地絶縁層１２と十分な強度で密着してい
る。

【００４７】ところで、上述のように端子領域ＡＲ２内
ではバス電極３は誘電体層１４で覆われていない。即
ち、バス電極３の当該端部が露出したまま、バス電極３
の形成後の熱処理工程、例えば誘電体層１４の焼成工程
が実施される。しかし、この熱処理工程においても密着
層４によってエッジカールの進行が抑制されるので、バ
ス電極３が剥離してしまうことがない。従って、エッジ
カールや剥離が抑制されて、安定したパターン精度でバ
ス電極３を形成することができる。

【００４８】その結果、ＰＤＰ用基板１０によればフレ
キシブルプリントサーキット３０をバス電極３に安定的
に接続することができ、ＰＤＰ１の表示信頼性を向上さ
せることができる。

【００４９】密着層４と透明電極２との材料を違えるこ
とも可能ではあるが、密着層４を透明電極２と同じ材料
で以て透明電極２の形成時に同時に形成することができ
る。このとき、密着層４を形成するために別途の工程を
必要としないので、工程増によって製造歩留まりが低下
することはない。

【００５０】さて、一般に、フロート法によって形成さ
れたソーダライムガラスは表面に金属錫を含んでいる。
このため、ソーダライムガラスをガラス基板１１に用い
た場合、上記金属錫及びバス電極３中の銀が製造工程で
の熱履歴を経るにつれてガラス基板１１の厚さ方向に拡
散し、互いに反応して銀コロイドを生成する。この銀コ
ロイドは発色してソーダライムガラスを黄変させるた
め、表示品位上好ましくない。

【００５１】なお、フロート法で形成されたソーダライ
ムガラスは錫の含有量が相対的に多いボトム面及び少な
いトップ面を有している。ボトム面上に直接バス電極３
を形成すると黄変が非常に濃くなり茶褐色を呈する。ま
た、黄変色がバス電極２が形成されていない透光部にま
で及ぶとガラス基板１１の透光性が著しく低下する。こ
のため、ボトム面はほとんど使用に適さない。他方、ト
ップ面上に直接バス電極３を形成すると、黄変色はバス
電極３の形成領域のみに限定され又黄変色の度合いも相
対的に軽いが、バス電極３の配列に対応したマクロな濃
淡ムラ（黄変色斑）となって観測されるため、表示品位
上好ましくない。

【００５２】しかし、第１基板１０によれば、ガラス基
板１１にソーダライムガラスを用い、更に下地絶縁層１
２を設けない場合であっても、ガラス基板１１と（銀を
含んだ）バス電極３との間に介在する密着層４によって
ソーダライムガラスの黄変色を防止することができる
（表示品位の向上）。換言すれば、密着層４によれば、
安価なソーダライムガラスをガラス基板１１に用い、更
に下地絶縁層１２を省くことができるので、第１基板１
０及びＰＤＰ１を低価格化することができる。なお、表
示領域ＡＲ１内では透明電極２により黄変色が防止され
る。

【００５３】なお、密着層４と透明電極２との間に隙間
を設けることも可能であるが、上述の密着性の向上及び
黄変色の抑制に鑑みれば密着層４と透明電極２とは連続
的に形成されていることが望ましい。

【００５４】＜実施の形態２＞図５に実施の形態２に係
る第１基板１０Ｂの端子領域ＡＲ２内における構造を説
明するための模式的な平面図を示し、図５中のＡＢ−Ａ
Ｂ線における断面図を図６に示す。第１基板１０Ｂは第
１基板１０に変えてＰＤＰ１（図２参照）に適用可能で
あり、かかる点は後述の第１基板１０ＢＢ，１０Ｃ，１
０Ｄについても同様である。

【００５５】図５及び図６に示すように、第１基板１０
Ｂは端子領域ＡＲ２内に透明な密着層４Ｂを備えてい
る。詳細には、密着層４Ｂは下地絶縁層１２の主面１２
Ｓ上に形成されており、全ての透明電極２の（延在方向
の）端部に隣り合うように透明電極２と隙間をあけて形
成されている。そして、上述の２層構造のバス電極３が
表示領域ＡＲ１から引き続いて端子領域ＡＲ２内へ延在
し、密着層４Ｂ上に形成されている。つまり、密着層４
Ｂは下地絶縁層１２の主面１２Ｓと（ペースト状材料を
焼成して形成された）バス電極３との双方に接して端子
領域ＡＲ２内に形成されている。なお、密着層４Ｂと透
明電極２との隙間ではバス電極３は下地絶縁層１２上に
形成されている。

【００５６】特に、密着層４Ｂは透明なガラス材料から
成り、より好ましくは鉛（Ｐｂ）及び酸化鉛（ＰｂＯ）
を含まないガラス材料、例えば酸化亜鉛系又は酸化ビス
マス系のガラス材料から成る。密着層４Ｂは上述の材料
を含有したペースト状材料を印刷・乾燥・焼成して形成
される。更に、密着層４Ｂの表面粗さは黒色導電層３ｂ
の（従ってバス電極３の）よりも大きい。また、バス電
極３のフレキシブルプリントサーキット３０と接触する
部分の断線を防ぐため、密着層４Ｂの厚さ（ないしは高
さ）はバス電極３の厚さの１／３以下に設定している。

【００５７】図５には複数のバス電極３に対して共通の
１つの密着層４Ｂが設けられている場合を図示している
が、既述の図３の密着層４のように密着層４Ｂを各バス
電極３毎に設けても構わない。なお、第１基板１０Ｂの
他の構成は既述の第１基板１０（図２参照）と同様であ
る。

【００５８】既述の密着層４と同様に、密着層４Ｂによ
ってもエッジカールを抑制することができる。特に、密
着層４Ｂはペースト状材料を焼成して形成されるので、
バス電極３用のペースト状材料を焼成する際に密着層４
Ｂも軟化するので、バス電極３と密着層４Ｂとを高い強
度で密着させることができる。なお、下地絶縁層１２及
びガラス基板１１はバス電極３の焼成時に軟化しない。

【００５９】更に、密着層４Ｂの表面粗さはバス電極３
よりも大きいので、バス電極３と密着層４Ｂとの高い密
着力が得られる。このとき、密着層４Ｂについてペース
ト状材料及び焼成条件（例えば焼成温度や保持時間）を
選択・設定することによって、表面粗さを制御すること
ができる。例えば、ペースト状材料中のガラス材料の軟
化点よりも高い温度で焼成すれば表面粗さを小さくする
ことができ、軟化点よりも低い温度で焼成すれば表面粗
さを大きくすることができる。このように、ペースト状
材料の焼成によれば密着層４Ｂの表面粗さを例えばスパ
ッタリング法やＣＶＤ法等のプロセスと比較して制御し
やすい。

【００６０】また、密着層４Ｂは透明な材料から成るの
で、端子領域ＡＲ２内に設けられたアライメントマーク
の認識度を低下させることがない。このため、密着層４
Ｂを設けてもＰＤＰ１の製造歩留まりの低下（具体的に
は第１基板１０Ｂと第２基板２０とのアライメント不具
合）を招くことがない。このとき、ペースト状材料中の
ガラス材料の軟化点よりも高い温度で密着層４Ｂ用のペ
ースト状材料を焼成すれば透明度は高くなるのに対し
て、軟化点よりも低い温度で焼成すれば透明度が低くな
る。従って、密着層４Ｂの透明度及び表面粗さが所望の
レベルなるようにペースト状材料及び焼成条件を選択・
設定するのが望ましい。

【００６１】なお、密着層４Ｂはバス電極３に先だって
形成されるので、バス電極３が形成後に受ける焼成等の
熱処理工程の数は既述の第１基板１０と変わらない。

【００６２】ところで、密着層４Ｂが鉛成分又は酸化鉛
成分を含有し、ガラス基板１１がナトリウム成分を含有
し、下地絶縁層１２が無い場合、ガラス基板１１中のナ
トリウム成分と密着層４Ｂ中の鉛成分又は酸化鉛成分と
がＰＤＰ１の駆動時にマイグレーションして化学反応
（還元反応）を起こし、端子領域ＡＲ２内においてバス
電極３間に鉛が析出・成長する。かかる鉛は、バス電極
３の導電性を不安定にすると共に、隣接するバス電極３
間の絶縁性を損なってしまう。このため、一般的にはア
ルカリバリアとして機能する下地絶縁層１２が設けられ
る。

【００６３】しかし、密着層４Ｂを鉛及び酸化鉛を含ま
ないガラス材料（例えば酸化亜鉛系又は酸化ビスマス系
のガラス）で形成することによって、密着層４Ｂをアル
カリバリアとして機能させることができる。従って、上
述のマイグレーションを防止することができ、高い表示
信頼性が得られる。しかもこのとき、下地絶縁層１２を
設ける必要性を無くすることができるので、第１基板１
０Ｂ及びこれを備えたＰＤＰの低コスト化を図ることが
できる。なお、既述の密着層４（図３及び図４参照）を
成す例えばＳｎＯ₂やＩＴＯも鉛及び酸化鉛を含んでは
いない。

【００６４】また、既述の密着層４と同様に、密着層４
Ｂによってもガラス基板１１の黄変色を抑制することが
できる。

【００６５】なお、図７の模式的な平面図に示す実施の
形態２に係る他の第１基板１０ＢＢのように、密着層４
Ｂを透明電極２の（延在方向の）端部に接して設けても
良い。なお、第１基板１０ＢＢの他の構成は第１基板１
０Ｂと同様である。第１基板１０ＢＢによれば、第１基
板１０Ｂ（図５及び図６参照）における密着層４Ｂと透
明電極２との間の隙間に起因したバス電極３の断線やガ
ラス基板１１の黄変色を防止することができる。

【００６６】＜実施の形態３＞図８に実施の形態３に係
る第１基板１０Ｃの端子領域ＡＲ２内における構造を説
明するための模式的な平面図を示し、図８中のＡＣ−Ａ
Ｃ線における断面図を図９に示す。

【００６７】第１基板１０Ｃは既述の第１基板１０（図
３及び図４参照）においてバス電極３の低抵抗層３ｗを
低抵抗層３ｗＣに変えた構造を有しており、第１基板１
０Ｃの他の構成は既述の第１基板１０と同様である。こ
のとき、第１基板１０Ｃでは、低抵抗層３ｗＣと黒色導
電層３ｂとでバス電極３Ｃを成し、当該バス電極３Ｃと
透明電極２とで表示電極１３Ｃを成している。

【００６８】図９の断面図に示すように、低抵抗層３ｗ
Ｃの表示領域ＡＲ１内の厚さ（ないしは高さ）は低抵抗
層３ｗ（図４参照）と同様である一方、低抵抗層３ｗＣ
の端子領域ＡＲ２内の厚さが低抵抗層３ｗよりも薄い。
つまり、バス電極３Ｃの厚さは端子領域ＡＲ２内におい
て既述のバス電極３よりも、換言すればバス電極３Ｃの
表示領域ＡＲ１内よりも薄い。例えば、バス電極３Ｃの
表示領域ＡＲ２内の厚さが８μｍに、端子領域ＡＲ２内
の厚さが５μｍに設定されている。なお、平面視におけ
る低抵抗層３ｗＣ及びバス電極３Ｃの形状は既述の低抵
抗層３ｗ及びバス電極３Ｃと同様である（図８及び図３
参照）。

【００６９】低抵抗層３ｗＣは、例えば、端子領域ＡＲ
２内の厚さまでペースト状材料を積んだ後に表示領域Ａ
Ｒ１内の部分を積み増しするという２段階の形成ステッ
プにより形成される。

【００７０】第１基板１０Ｃによれば、既述の第１基板
１０（図３及び図４参照）と同様の効果を得ることがで
きる。特に、バス電極３Ｃは端子領域ＡＲ２内の方が表
示領域ＡＲ１内よりも薄いので、端子領域ＡＲ２内にお
けるバス電極３Ｃのエッジカールをよりいっそう抑制す
ることができる。なお、端子領域ＡＲ２内において黒色
導電層３ｂを薄くしても良いし、低抵抗層３ｗＣ及び黒
色導電層３ｂの両方を薄くしても良い。

【００７１】＜実施の形態４＞図１０に実施の形態４に
係る第１基板１０Ｄの端子領域ＡＲ２内における構造を
説明するための模式的な平面図を示し、図１０中のＡＤ
−ＡＤ線における断面図を図１１に示す。

【００７２】第１基板１０Ｄは既述の第１基板１０Ｂ
（図５及び図６参照）において表示電極１３を上述の表
示電極１３Ｃに変えた構造を有しており、第１基板１０
Ｄの他の構成は既述の第１基板１０Ｂと同様である。

【００７３】第１基板１０Ｄによれば、既述の第１基板
１０Ｂ（図５及び図６参照）と同様の効果を得ることが
できる。特に、第１基板１０Ｄはバス電極３Ｃを備える
ので、バス電極Ｃのエッジカールをよりいっそう抑制す
ることができる。

【００７４】なお、図７の第１基板１０ＢＢの表示電極
１３を表示電極１３Ｃに変えても構わない。

【００７５】上述の実施の形態１〜４では２層構造のバ
ス電極３，３Ｃを説明したが、第１基板１０，１０Ｂ，
１０ＢＢ，１０Ｃ，１０Ｄに単層のバス電極を適用して
も同様の効果を得ることができる。

【００７６】また、透明電極２を有さずバス電極３，３
Ｃと同様に形成される電極で以て表示電極を構成する場
合においても第１基板１０，１０Ｂ，１０ＢＢ，１０
Ｃ，１０Ｄの端子領域ＡＲ２内の構造を適用することが
できる。

【００７７】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、密着層は
電極との密着性が基板主面よりも高く、電極と基板主面
との間に介在して且つ電極及び基板主面に接して形成さ
れている。このため、当該電極が基板主面上に直接形成
された場合よりも、電極のエッジカールや剥離を抑制す
ることができ（従って精度良く電極を形成できる）、端
子領域内において電極に例えばフレキシブルプリントサ
ーキットを安定的に接続することができる。また、基板
にソーダライムガラスを用い且つ電極が銀を含む場合で
あっても、基板と電極との間に介在する密着層によって
ソーダライムガラスの黄変色を防止することができる。
換言すれば、安価なソーダライムガラスによってプラズ
マディスプレイパネル用基板及びＰＤＰを低価格化する
ことができる。

【００７８】請求項２に係る発明によれば、電極と密着
層との高い密着力が得られる。

【００７９】請求項３に係る発明によれば、密着層はペ
ースト状材料を焼成して形成されたガラス材料から成る
ので、電極をペースト状材料を焼成して形成する際に電
極と密着層とを高い強度で密着させることができる。ま
た、密着層はペースト状材料を焼成して形成されるの
で、密着層の表面粗さはペースト状材料及び焼成条件の
選択・設定によって制御しやすい。

【００８０】請求項４に係る発明によれば、端子領域内
に設けられたアライメントマークの認識度を低下させる
ことがないので、プラズマディスプレイパネルの製造歩
留まりの低下を招くことがない。

【００８１】請求項５に係る発明によれば、プラズマデ
ィスプレイパネル用基板が透明電極を備える場合に、透
明電極の形成時に同時に密着層を形成することができ
る。即ち、密着層を形成するために別途の工程を必要と
しないので、工程増によって製造歩留まりが低下するこ
とはない。

【００８２】請求項６に係る発明によれば、端子領域内
における電極のエッジカールをよりいっそう抑制するこ
とができる。

【００８３】請求項７に係る発明によれば、密着層をア
ルカリバリアとして機能させることができる。

【００８４】請求項８に係る発明によれば、外光の反射
を低減してコントラストを向上させることができる。

【００８５】請求項９に係る発明によれば、端子領域内
において電極に例えばフレキシブルプリントサーキット
を安定的に接続することができるので、表示信頼性の高
いプラズマディスプレイパネルを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１に係るＰＤＰの表示領域及び端
子領域を説明するための模式的な平面図である。

【図２】 実施の形態１に係るＰＤＰの表示領域内の構
造を説明するための模式的な斜視図である。

【図３】 実施の形態１に係る第１基板を説明するため
の模式的な平面図である。

【図４】 実施の形態１に係る第１基板を説明するため
の模式的な断面図である。

【図５】 実施の形態２に係る第１基板を説明するため
の模式的な平面図である。

【図６】 実施の形態２に係る第１基板を説明するため
の模式的な断面図である。

【図７】 実施の形態２に係る他の第１基板を説明する
ための模式的な平面図である。

【図８】 実施の形態３に係る第１基板を説明するため
の模式的な平面図である。

【図９】 実施の形態３に係る第１基板を説明するため
の模式的な断面図である。

【図１０】 実施の形態４に係る第１基板を説明するた
めの模式的な平面図である。

【図１１】 実施の形態４に係る第１基板を説明するた
めの模式的な断面図である。

【図１２】 バス電極を説明するための模式的な断面図
である。

【図１３】 バス電極のエッジカールを説明するための
模式的な断面図である。

【図１４】 従来のＰＤＰ用基板の模式的な平面図であ
る。

【図１５】 従来のＰＤＰ用基板の模式的な断面図であ
る。

【符号の説明】

１ ＰＤＰ、２ 透明電極、３ バス電極（電極）、３
ｂ 黒色導電層、３ｗ，３ｗＣ 低抵抗層、４，４Ｂ
密着層、１０，１０Ｂ〜１０Ｄ，１０ＢＢ 第１基板
（ＰＤＰ用基板）、１１ ガラス基板、１１Ｓ，１２Ｓ
主面、１２ 下地絶縁層、１３，１３Ｃ 表示電極、
２０ 第２基板、ＡＲ１ 表示領域、ＡＲ２ 周辺領域
（端子領域）。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板主面を有しており、表示領域及び端
   子領域を含んだ基板と、 前記基板主面に対面して且つ前記表示領域及び前記端子
   領域に渡って形成されており、ペースト状材料を焼成し
   て形成された電極と、 前記電極と前記基板主面との間に介在して且つ前記電極
   及び前記基板主面に接して前記端子領域内に形成されて
   おり、前記電極との密着性が前記基板主面よりも高い密
   着層とを備える、プラズマディスプレイパネル用基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマディスプレイ
   パネル用基板であって、 前記密着層は前記電極よりも表面粗さが大きい、プラズ
   マディスプレイパネル用基板。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のプラズマディス
   プレイパネル用基板であって、 前記密着層はペースト状材料を焼成して形成されたガラ
   ス材料から成る、プラズマディスプレイパネル用基板。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のプラ
   ズマディスプレイパネル用基板であって、 前記密着層は透明な材料から成る、プラズマディスプレ
   イパネル用基板。
5. 【請求項５】 請求項１に記載のプラズマディスプレイ
   パネル用基板であって、 前記密着層は透明導電材料から成る、プラズマディスプ
   レイパネル用基板。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載のプラ
   ズマディスプレイパネル用基板であって、 前記電極は前記端子領域内の方が前記表示領域内よりも
   薄い、プラズマディスプレイパネル用基板。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載のプラ
   ズマディスプレイパネル用基板であって、 前記密着層は鉛を含まない材料から成る、プラズマディ
   スプレイパネル用基板。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかに記載のプラ
   ズマディスプレイパネル用基板であって、 前記電極は、 前記密着層に接して且つ前記基板主面に対面して配置さ
   れた黒色導電層と、 前記黒色導電層に接し且つ前記黒色導電層を介して前記
   基板主面に対面して配置された、前記黒色導電層よりも
   抵抗が低い低抵抗層とを含んでいる、プラズマディスプ
   レイパネル用基板。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載のプラ
   ズマディスプレイパネル用基板から成る第１基板と、 前記電極を介して前記基板主面に対面配置された第２基
   板とを備える、プラズマディスプレイパネル。