KR20000064946A - 실리콘용 이방성 플루오르계 플라즈마 에칭방법 - Google Patents

실리콘용 이방성 플루오르계 플라즈마 에칭방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 기판에서 횡으로 정의된 구조물의 이방성 플라즈마 에칭방법에 관한 것으로서, 플라즈마 에칭전이나 에칭동안, 제 2 반응물을 구비한 적어도 하나의 실리콘 합성물로 구성된 보호층이 상기 횡으로 정의된 구조물의 측벽들 상에 증착되며, 상기 실리콘 합성물은 에칭공정과 화학적으로 완전히 양립할 수 있다.

Description

실리콘용 이방성 플루오르계 플라즈마 에칭방법
예를 들어 실리콘 기판에서 플라즈마 에칭방법에 의하여 오목부와 같은 구조를 형성하는 방법은 공지되어 있다. 또한 예를 들어 마이크로장치에서 사용하기 위해서, 이방성 플라즈마 에칭에 플루오르 합성물을 투입하는 것으로 알려져 있다. 플라즈마에서 생성된 플루오르는 실리콘 동위원소에 대해서만 반응하며, 소위 수평 에칭율은 본질적으로 수직 에칭율과 일치하며, 이로써 상응하는 마스크 아래쪽에 큰 절단부와 둥근 형상의 면을 형성한다. 플루오르합성물을 사용한 에칭방법에 의해 수직 측벽을 형성하기 위해서, 에칭을 시작하기 전에 측벽을 선택적으로 보호하기 위해서, 그리고 소위 오목부의 베이스라 불리는 구조물의 바닥 상에서는 에칭을 제한하기 위해서 추가의 비상조치가 강구된다. 강한 수직 방출을 통하여 오목부의 측벽과 에칭바닥을 분리하므로써, 화학적으로 활성인 중성기(neutral radical)에 가깝게 플라즈마 내에서 동시에 생성되는 에너지를 띤 이온 상태를 만든다. 이온은 기판의 표면 상에 도달하며, 이때 에칭바닥은 강하게, 오목부의 측벽은 상대적으로 약하게 이온충돌하게 된다. 측벽의 보호 메카니즘으로서는 CHF3와 같은 폴리머형성 가스가 투입되며, 이 폴리머형성 가스는 플루오르가 산출되는 에칭가스와 직접 혼합된다. 플라즈마에 생성된 플루오르가 이온방출로 인하여 폴리머가 자유롭게 된 에칭바닥 상에서 실리콘 기판과 동시에 에칭되는 동안, 플라즈마에 잔류하는 폴리머로 형성된 모노머로부터 측벽 상에 폴리머층이 증착된다. 단점으로 밝혀진 것으로는, 플라즈마에서 또는 에칭하고자 하는 기판까지의 경로 상에서 불포화성의 폴리머로 형성된 모노머와 플루오르 간의 강한 재결합이 이루어진다는 것이다. 이러한 단점을 극복하기 위해서, 즉 불포화성의 폴리머로 형성된 모노머와 실리콘 에칭 가능한 플루오르의 재결합을 방지하기 위해서, 플라즈마 에칭은 에칭층에서 플루오르를 발생시키는 가스를 제외한 가스만을 주입하거나, 폴리머로 형성된 가스와 같은 증착가스를 제외한 가스를 증착층에 이르게 하는 것이 공지되어 있다. 이들 두 가지 종류의 주입 가스가 플라즈마에서 마주치지 않도록 시간상으로 분리해서 사용되면 특별히 두드러진 재결합은 발생할 수 없다.
또한 측벽의 패시베이션(passivation)이 알려져 있는데, 이것은 플라즈마에서 에칭된 플루오르 가까이로 산소나 질소가 주입되면, 이들은 측벽의 실리콘이 표면적으로 산화실리콘이나 질화실리콘으로 치환되는 것이다. 여기서 유전성 표면은 플루오르를 통하여 특히 이온촉진제를 사용하여 강하게 그리고 이온촉진제없이는 약하게 에칭되며, 이때 측벽이 상대적으로 보호되어 유지되는 동안 본질적으로는 에칭바닥에서부터 에칭이 시작된다. 이 방법의 중요한 단점으로서, 표면상에 생성된 산화실리콘층이나 질화실리콘층이 원자 두께 정도인 1nm나 그 이하의 두께를 갖는다는 것이다. 그리하여 표면상에 생성된 산화실리콘층이나 질화실리콘층은 그렇게 두텁지 못하여 보호기능이 불완전하다. 이것은 공정제어를 어렵게 하거나 제 2 효과를 통하여 공정결과에 강하게 영향을 미친다. 형성된 구조물의 윤곽은 완전한 수직형상은 아니며 이 때문에 항상 측벽의 손상과 이에 따른 마스크 아래쪽에서 절단이 이루어진다. 이러한 패시베이션의 효과를 향상시키기 위하여, 측벽에서의 반응은 산소패시베이션이나 규소패시베이션에 추가로 실리콘 기판의 급냉을 통하여 온도를 -100oC까지 완전히 냉동시키는 빙정방법이 사용된다. 이 방법은 미국특허 제 4,943,344 호에 개재되어 있다. 이 방법의 단점으로서는 고가의 기계들과 이 기계들의 결합에 소요되는 비용, 또는 부품들의 비교적 낮은 신뢰성을 들 수 있다.
본 발명은 청구항 1의 전제부에 따라서 실리콘 기판에서 횡으로 정의된 구조물의 이방성 플라즈마 에칭방법에 관한 것이다.
도 1은 횡으로 정의된 구조물을 구비한 실리콘 기판을 도시한 입면도.
도 2는 에칭공정의 원리를 설명하는 도면.
본 발명은 실리콘 기판에서 횡으로 정의된 구조물의 이방성 플라즈마 에칭방법에 관한 것으로서, 플라즈마 에칭전이나 에칭동안에, 횡으로 정의된 구조물의 측벽들 상에서 적어도 하나의 실리콘 합성물들로 구성된 보호층이 증착된다. 본 발명은, 특히 빔, 그루브, 컬럼과 같은 횡으로 정의된 구조물의 측벽 상에 산화실리콘층 및 질화실리콘층을 증착하는데 특히 유리한다. 이 구조물은 특히 에칭 마스크로 형성된다. 본 발명에 따른 향상된 방법에 의하여 구조물의 측벽 상에 약 1nm 내지 약 10nm 두께의 산화실리콘층이나 질화실리콘층을 형성한다. 상온에서, 이 보호층은 플라즈마에서 형성된 라디칼, 특히 주로 주입된 플루오르의 에칭 손상을 방지할 수 있으며, 이 때문에 안전한 에칭공정이 가능하다. 또한 이 방법이 매우 낮은 기판온도에서 실시될 때, 그리고 기판의 각 온도에 대하여 가스조성의 특정 매개변수 영역이 사용될 때 유리하며, 이로 인하여 에칭윤곽을 수직으로 형성한다.
본 발명에서는, 플라즈마에서 플루오르의 결합이 해제된 에칭가스가 6-불화황(SF6)이나 불화질소(NF3), 그리고 필요한 경우에는 아르곤이 혼합된 혼합물인 것이 유리하다. 보호층을 형성하는 성분을 공급하기 위해서 산화생성물이나 질화생성물 또는 2차 반응물이 플루오르가 생성된 에칭가스에 첨가된다. 산화생성물이나 질화생성물로서는 산소(O2), 산화이질소(N2O), 다른 질화물(NO, NOX), 이산화탄소(CO2), 질소(N2)가 첨가된다. 본 발명에서는 에칭가스로서 NF3를 사용할 때, 에칭가스(NF3)가 붕괴하여 결합이 해제된 질소가 질화하도록 사용되는 질화생성물은 단일 형태로 주입되지 않는 것이 유리하다. 2차 반응물, 즉 보호층의 실리콘 성분을 생성하는 결합물로서는 실리콘테트라플루오르(SiF4)가 주입되는 것이 유리하다. 또한 본 발명에 따라, 2차 반응물, 특히 SiF4로부터 그리고 산화생성물이나 질화생성물로부터 생성된 반응생성물인 산소나 질소로부터 구조물의 측벽 상에 반응생성물 SiO2, SixNy, 또는 SixOyNz로 구성된 화합물이 증착된다. 2차 반응물(SiF4)은 SF6붕괴로 발생한 플루오르와는 반응하지 않고 산소나 규소와만 반응하며, 이때 플루오르가 부수적으로 결합 해제되어 생성된다(SiF4+ O2⇔ SiO2+ 4F*; SiF4+ xO*⇔ SiOxF4-x+ xF*). 물론 본 발명에 따른 플라즈마 에칭을 상호 이격된 에칭층과 증착층에서 분리하여 에칭층만을 에칭되는 동안에, 증착층에는 실리콘 합성물의 상술한 증착이 형성되도록 할 수 있다. 특히 양호한 방법으로서, 에칭층은 증착층과 교대로 실시된다.
2차 반응물, 특히 SiF4에 대하여 본 발명에 따른 양호한 산화생성물이나 질화생성물의 친화력은, 특히 본 발명에 따라 양호하게 낮은 공정압력과 본 발명에 따라 제시된 공정조건의 가스상태, 특히 플라즈마 내에서 자유 상태의 과잉 플루오르에 있어서, 고밀도의 플라즈마 전위의 작용하에서 산화생성물이나 질화생성물 그리고 2차 반응물 사이에 두드러진 치환이 스스로 발생하지 않을 정도로 충분히 낮다. 이 때문에 유리한 방식으로서, 예를 들면 SiF4와 산화생성물의 반응은 가스상태에서 SiO2를 생성하는 경향이 있으며, 이때 생성된 고체가 기판의 표면에서 떨어지게 되며 거기서 거친 에칭바닥을 갖는 마이크로 마스킹(mikro misking)을 야기할 수 있다. 본 발명에 따라 제시된 낮은 공정압력은 가스상태에서 세로방향을 통해 치환확률의 감소와 협폭의 오목부에서의 실리콘 에칭시에 미세한 하중의 감소에 의해 얻어진다. 또한 본 발명은, 횡으로 정의된 구조물의 측벽 상에 안정된 에칭을 형성하는 실리콘 합성물을 증착시키는 것이 유리하며 이로써 보호층을 형성한다. 본 발명에 따르는 방법의 장점은, 실리콘플루오르 화합물과 산소나 규소 또는 높은 비율의 플루오르가 실리콘 표면에서 계속해서 활동적으로 충돌한다는 것이다. 이때 거기에 두꺼운 유전층이 형성되어, 바람직하게도 본 발명에 따르는 강한 이온효과가 측벽 상에 형성되지 않는다. 구조물의 베이스인 이온붕괴면, 특히 오목부나 에칭바닥 상에서 플루오르의 유입과 에칭반응이 지배적이며, 그 결과 거기서 실리콘기판이 부식된다. 본 발명은 본 발명에 따라서 횡으로 정의된 구조물의 측벽을 위한 패시베이션 시스템을 제시하며, 이 시스템은 특히 부수적인 대책을 필요로하지 않고도 플루오르와 잘 결합한다.
특히 본 발명은 예를 들어 PIE(전달 이온 에칭)와, ICP(유도성 결합 플라즈마)와, ECR(전자 사이클로트론 공진)과 같은 플라즈마소스에 의해서 실시되며, 이를 통하여 에칭과 패시베이션 또는 이온으로부터 낮은 에너지를 갖는 높은 유동을 형성할 수 있다. 이를 통해서 높은 에칭율과 높은 마스크선택도에 도달되며, 이것은 마지막으로 마스크 재료의 낮은 손상이 동시에 발생할 때 높은 실리콘 손상을 이끈다.
유리한 방법으로서, 본 발명은 에칭 바닥에 형성된 실리콘화합물, 바람직하게는 SiO2붕괴의 촉진을 제시하며, 여기서 CHF3, C4F8, CF4, C2F6또는 C3F6과 같은 소위 SiO2흡착가스가 가스 혼합물에 첨가된다. SiO2흡착가스는 SiO2와 동일한 이온효과 하에서 이 흡착가스의 탄소함유량에 기초하여 특히 우수하게 에칭한다. 이 방법으로 인하여 깨끗한 에칭바닥과 높은 에칭율을 얻을 수 있다. 게다가 에칭바닥에서 에칭철침의 형성을 방지할 수 있다. 이러한 불순물 제거가스(불순물 제거재=산소화합물)는 일정한 첨가물로서 플라즈마에 계속해서 첨가될 수 있으며, 또는 짧은 시간 동안 에칭바닥의 산화 오염물질의 제거를 위하여 짧은 시간에 걸쳐 주기적으로나 간헐적으로 첨가될 수도 있다.
특히 유리한 방식으로서, 본 발명은 플라즈마 에칭이 동시에 발생하는 이온방출 하에서 실시되며, 이때 형성된 이온에너지는 바람직하게는 1 내지 100eV이며, 특히 30 내지 50eV이다.
플라즈마 에칭을 위하여 주입된 매질의 가스유동은 1 내지 50μbar의 공정압력에 대해 10 내지 200sccm이다.
또 다른 바람직한 형태로서, 본 발명은 500 내지 2000W 전력의 마이크로파 방출이나 고주파 방출을 통해서 플라즈마를 형성하는 것을 제시한다.
특히, 본 발명은 이온밀도와, 이온에너지와, 비활성 입자에 대한 활성 입자의 관계가 서로 독립적으로 조절되는 것을 제시한다.
특히 바람직한 실시예로서, 본 발명은 SF6(6-불화황)의 가스유동이 20 내지 200sccm에 이르는 것을 제시한다.
또한 본 발명은 SiF4의 가스유동이 10 내지 50sccm에 이르는 것을 제시한다.
또 다른 형태의 실시예로서, 본 발명은 O2가 10 내지 100sccm으로, SiO2흡착가스, 특히 C4F8가 2 내지 10sccm의 일정 가스유동으로 주입되는 것을 제시한다. 펄스화된 불순물 제거제의 가스유동에 있어서는 이 유동을 더 높게 선택할 수도 있으며, 예를 들어 C4F8의 가스유동을 매 5초 간격으로 50 내지 60초의 주기에서 30 내지 60sccm으로 지속할 수 있다. 불순물 제거제의 유동의 펄스는 공정내에서 형상에 영향을 주지 않고도 상응하는 높은 유동에 대해 단기간 내에 강한 정화효과를 나타내는 정화단계를 이끈다. 여기서 불순물 제거제는 짧은 시간 동안만 출현하며, 그것은 에칭형상에 불리한 영향을 주지 않으며, 에칭바닥에서 조차도 오염물질을 우수하게 제거한다. 불순물 제거제가 산화측벽(보호)을 통하여 돌파할 때, 에칭바닥에서 강한 이온방출을 통하여 오염물질은 빠르게 제거된다.
다른 실시예로서, 본 발명은 이온을 가속시키기 위해 기판전극에 5 내지 50W의 고주파전력과 20 내지 150V의 가속 전압이 공급되는 것을 제시한다.
첨부된 도면을 참고하여 다음과 같은 실시예를 통해서 상술한 본 발명을 설명한다.
도 1은 실리콘 기판에서 본 발명에 따른 플라즈마 에칭방법에 의하여 제조된 구조물을 도시한다.
이 도면에는 측벽(3)으로 규정된 오목부(2)를 구비한 기판(1)이 도시되어 있으며, 또한 에칭바닥(4)과 협폭 오목부(2')가 도시되어 있다.
실리콘 기판(1)에서 측면이 규정된 오목부(2, 2')들의 이방성 플라즈마 에칭방법은 에칭가스(SF6)와 75sccm의 가스(SF6)유동에 의해 실시된다. 산화제로서는 38sccm의 가스유동을 갖는 O2가 주입되고 2차 반응물로서는 38sccm의 가스유동을 갖는 SiF4가 주입된다. 보호층 또는 실리콘 합성물(SiO2)의 증착은 플라즈마 에칭과 동시에 자발적으로 발생된다. 이때 기판(1)의 온도는 10oC이며, 공정압력은 20μbar이고, 투입된 PIE소스(source)는 650W(2.45GHz)의 마이크로파를 출력한다. 이온가속에 필요한 전압을 발생시키기 위해 5W(13.56MHz)의 고주파가 기판전극에 입력되며, 이때 이온가속 전압(DC바이어스)은 40V에 이른다.
도 1은 상술한 조건을 이용한 유리한 방식으로 오목부(2, 2')의 수직 측벽(3)이 기판(1)에 형성되어 있는 것을 도시한다. 특히 유리한 방식으로서, 광폭 오목부(2)와 협폭 오목부(2') 사이에는 매우 작은 규모로 에칭율의 차이가 있다.
도 2에는 에칭공정의 원리가 도시되어 있다. 도 1의 부품과 동일 부품은 도 1과 같은 도면부호로 나타낸다. 여기에는 에칭공정에 의하여 측면 구멍(2')이 형성된 기판(1)이 도시되어 있다. 측벽의 패시베이션을 위하여, 플라즈마 내에는 플루오르와 양이온에 추가하여 실리콘테트라플루오르(SiF4)와 산소가 투입되어, 플루오르를 흡착하는 측벽의 패시베이션을 보장한다. 에칭바닥(4)에서는 이온촉진제에 의하여 실리콘과 플루오르로부터 휘발성의 실리콘테트라플루오르로의 치환이 실시되어 이 실리콘테트라플루오르가 에칭바닥에서 휘발하는 바람직한 에칭반응이 도시되어 있다. 에칭은 에칭바닥(4)에서 자발적으로 발생하며 이온촉진제를 꼭 필요로 하지는 않는다. 그런데도 거기에는 강한 이온방출 때문에 에칭을 방해하는 산화규소나 불화산소는 생성되지 않는다. 이에 대하여 비교적 작은 이온충격을 받는 측벽(3)에서는, 산소와 실리콘테트라플루오르의 반응으로 인하여 에칭을 방해하는 산화규소 또는 옥시불화규소를 발생할 수 있으며, 이것은 측벽(3) 상에 막으로 증착된다. 이때 측벽(3)들 상에서의 막형성에 대한 역반응으로써 에칭바닥에 형성되어 있으며 오목부를 떠날려고 하는 실리콘테트라플루오르의 일부는 소비되며, 이것은 도 2에서 실선으로 도시되어 있다. 그러나 측벽의 막형성에 필요한 실리콘테트라플루오르의 주요부분은 실리콘테트라플루오르가 플라즈마 내의 산소와 함께 패시베이션 가스를 촉진시키는 플라즈마 화학물로부터 생성되며, 이것은 도 2에서 점선으로 도시되어 있다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 이러한 막형성 반응에 있어서는 SiF4또는 추가의 플루오르로부터 화학결합을 해제하며, 이것은 에칭바닥에서 에칭반응을 추가로 촉진시킬 수 있다. 이 때문에 광폭 오목부에 비하여 협폭 오목부에서 에칭율이 감소된 RIE층이나 미세한 부하가 이러한 화학물에 있어서는 비교적 적당하게 형성되며, 여기서 벽의 막형성 반응에 의하여 오목부 내에 추가의 플루오르가 형성된다.
다른 실시예에서는 고주파 전위를 구비한 ICP-전위조건(ICP : 유전결합 플라즈마) 하에서 다음과 같은 유리한 매개변수들이 제시된다. 가스유동은 일정한 가스유동으로서 SF6은 40sccm에, O2는 60sccm에, SiF4는 21sccm에, C4F8는 5sccm에 이른다. 압력은 15mTorr = 20μbar이며, ICP-고주파 출력은 13.56Mhz에 대해 800W이며, 또한 기판 전력(바이어스력)은 13.56Mhz에 대해 10 내지 15W이다. 바이어스 전압은 40V부터 100V까지 가해진다. 펄스화된 C4F8유동에 있어서는, 다음과 같은 가스유동이 가해진다; SF6에는 40sccm이, O2에는 60sccm이, SiF4에는 21sccm이, C4F8에는 30 내지 60sccm, 바람직하게는 45sccm이 가해진다. 이때 C4F8은 매 5초 간격으로 30 내지 60초, 바람직하게는 45초의 주기로 주입된다. 이때 ICP-고주파 출력은 800W에 이르며 기판 전력은 12W에 이른다.

Claims (22)

  1. 실리콘 기판에서 횡으로 정의된 구조물에 의한 이방성 플라즈마 에칭방법에 있어서,
    플라즈마 에칭전이나 에칭동안, 횡으로 정의된 구조물의 측벽들 상에서 적어도 하나의 실리콘 합성물로 구성된 보호층이 증착되는 에칭방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 실리콘 합성물은 산화규소, 질화규소 또는 옥시질화규소인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 산화규소층이나 질화규소층은 에칭가스가 첨가된 실리콘 합성물로 증착되며, 반응물로서 산소 및 질소가 증착되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭가스가 첨가된 실리콘 합성물은 산소 및 질소와는 반응하지만 에칭화학물과는 반응하지 않는 것에 적합한 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭가스가 첨가된 실리콘 합성물은 SiF4인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭가스에는 O2, N2O, NO, NOX, CO2또는 N2가 첨가되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 반응물로서는 O2및 N2가 첨가되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 반응물로서는 에칭가스로 구성된 O2및 N2가 산출되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 에칭에 주입되는 에칭가스는 불화생성물 가스, 특히 SF6또는 NF6인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭가스에 SiO2흡착 가스, 특히 CHF3, CF4, C2F6, C3F6또는 C4F8을 계속해서 첨가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, SiO2흡착 가스는 정화단계 동안에 에칭바닥을 집중적으로 정화하기 위해 단기간 동안만 주기적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 에칭은 서로 분리된 에칭단계와 증착단계로 실시되며, 여기서 에칭단계는 증착단계와 교대로 실시되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 에칭은 1 내지 100eV, 특히 30 내지 50eV의 이온에너지를 갖는 동시 이온방출 하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 에칭에 투입된 매질은 10 내지 200sccm의 가스유동과 1 내지 50μbar(0.1 내지 5Pa)의 공정압력을 갖는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘 기판은 플라즈마 에칭동안 냉각되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마는 마이크로파 또는 고주파의 방출을 통해 500 내지 2,000W의 출력을 발생하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 이온밀도와, 이온에너지와, 비활성 입자(중성자)에 대한 활성 입자(이온)의 관계는 서로 독립적으로 조절되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 6-불화황(SF6)의 가스유동은 20 내지 200sccm에 이르는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘테트라플루오르(SiF4)의 가스유동은 10 내지 50sccm에 이르는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 산소(O2)의 가스유동은 10 내지 100sccm에 이르는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, SiO2흡착가스, 특히 C4F8의 가스유동은 2 내지 10sccm에 이르는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, C4F8은 매 5초 간격의 50 내지 60초 주기로써 30 내지 60sccm의 흐름으로 주입되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
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