KR19980085413A - 웨이퍼 소잉 장치 - Google Patents

웨이퍼 소잉 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980085413A
KR19980085413A KR1019970021503A KR19970021503A KR19980085413A KR 19980085413 A KR19980085413 A KR 19980085413A KR 1019970021503 A KR1019970021503 A KR 1019970021503A KR 19970021503 A KR19970021503 A KR 19970021503A KR 19980085413 A KR19980085413 A KR 19980085413A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
nozzle
cutting blade
cleaning liquid
sorting apparatus
Prior art date
Application number
KR1019970021503A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100225909B1 (ko
Inventor
선용균
장삼복
장동성
강현구
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970021503A priority Critical patent/KR100225909B1/ko
Priority to CH02499/97A priority patent/CH689112A5/fr
Priority to CN97120236A priority patent/CN1132970C/zh
Priority to TW086116091A priority patent/TW362248B/zh
Priority to DE19748055A priority patent/DE19748055C2/de
Priority to JP9345269A priority patent/JPH10335272A/ja
Priority to US09/019,121 priority patent/US6105567A/en
Publication of KR19980085413A publication Critical patent/KR19980085413A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100225909B1 publication Critical patent/KR100225909B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 복수의 단위 집적회로 칩이 형성된 웨이퍼를 스크라이빙(scribing)할 때 발생되는 웨이퍼 부스러기를 완벽하게 제거할 수 있는 웨이퍼 소잉 장치에 관한 것으로, 이 장치는 적어도 하나의 스트리트에 의해 구분되는 복수의 단위 집적회로 칩이 형성된 웨이퍼를 단위 집적회로 칩으로 분리하기 위하여 스크라이빙하는 웨이퍼 소잉 장치에 있어서, 스트리트를 따라 진행하며 회전하는 절단날, 회전하는 절단날의 진행방향 측방에서 세정액을 분사할 때 절단날과 웨이퍼 표면에 세정액 함께 분사되도록 하는 분사각을 갖는 사이드 노즐과 절단날의 진행방향 전방에서 세정액을 분사하는 센터 노즐을 갖는 분사 수단, 및 회전하는 절단날에 의해 발생되는 웨이퍼 부스러기를 흡입하는 흡입 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 소잉 장치
본 발명은 웨이퍼 소잉(wafer sawing) 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 복수의 집적회로 칩이 형성된 웨이퍼를 스크라이빙(scribing)할 때 발생되는 부스러기를 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 소잉 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 소잉 공정은 복수의 집적회로 칩이 형성되어 있는 웨이퍼를 각각의 단위 집적회로 칩으로 스크라이빙하는 공정으로서, 보통 다이아몬드 재질의 절단날을 구비한 웨이퍼 소잉 장치를 이용하고 있다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 사시도로서, 일본의 디스코(DISCO)사(社)에서 제작되어 현재 널리 사용되고 있는 웨이퍼 절단 설비인 DFD-640에 사용되는 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼 소잉 장치(100)는 구동 모터(62)의 회전축(64)에 절단날(70)이 결합되어 구동 모터(62)의 회전력에 의해 절단날(70)이 회전하도록 되어 있는 구조이다. 절단날(70)의 양측에서 세정액(90)을 분사하는 두 개의 사이드 노즐(side nozzle;72)이 고정 몸체(66)에 결합되어 있다. 사이드 노즐(72)은 복수의 개별 분사 노즐(76)을 갖고 있다. 그리고, 절단날(70)의 전방에서 세정액(90)을 분사하는 센터 노즐(center nozzle;74)이 고정 몸체(66)에 결합되어 있다.
이와 같은 구조의 웨이퍼 소잉 장치(100)를 이용하여 웨이퍼(50)를 단위 집적회로 칩(52)으로 분리하기 위한 스크라이빙을 진행하게 된다. 복수의 집적회로 칩(52)을 포함하는 웨이퍼(50)가 테이블(42) 위에 탑재된 상태에서, 웨이퍼 소잉 장치(100)의 구동 모터(62)의 동작으로 발생되는 회전력이 회전축(64)에 결합된 절단날(70)을 회전시키고, 그 절단날(70)과 웨이퍼(50)와의 마찰에 의해 웨이퍼(50)는 단위 집적회로 칩(52)으로 스크라이빙된다.
그런데, 절단날(70)을 갖는 웨이퍼 소잉 장치(100)를 이용하여 웨이퍼(50)를 스크라이빙하게 되면 웨이퍼 부스러기가 발생하게 된다. 이 웨이퍼 부스러기가 웨이퍼 상면에 잔존하게 되면, 이후에 진행되는 공정에서 많은 불량이 발생될 수 있다. 예를 들어, 와이어 본딩(wire bonding)불량이라든지 성형 불량 등이 발생될 수 있다. 또한, 웨이퍼(50)와 절단날(70)과의 마찰로 인하여 발생되는 열이 웨이퍼(50)에 형성되어 있는 집적회로에 손상을 줄 수 있다. 그렇기 때문에, 웨이퍼 소잉 장치(100)는 웨이퍼 부스러기나 발생되는 열을 제거하기 위하여, 웨이퍼(50)를 스크라이빙할 때 또는 스크라이빙후에 세정액(90)을 절단날(70) 또는 웨이퍼(50) 표면에 분사하는 사이드 노즐(72)과 센터 노즐(74)을 갖는다. 사이드 노즐(72)과 센터 노즐(74)을 통하여 분사되는 세정액(90)으로 절단날(70)과 웨이퍼(50)의 온도 상승을 방지함과 동시에 웨이퍼 세정과 윤활 작용을 하도록 하는 것이다. 보통, 세정액(90)으로는 냉각 기능과 세정 기능을 갖는 탈이온수(De-Ionize Water)가 주로 사용된다.
위에 설명한 바와 같은 웨이퍼 소잉 장치를 이용한 웨이퍼 스크라이빙은 웨이퍼 상에 웨이퍼 부스러기를 완전히 제거시키지 못하여 웨이퍼의 상면에 웨이퍼 부스러기가 잔존하게 되는 경우가 발생될 수 있다. 특히, 웨이퍼 절단시에 발생되는 미세한 웨이퍼 부스러기는 공기 중에 떠다니다 웨이퍼의 상면에 안착되어 후속 공정의 정상적인 진행을 방해하기도 한다. 클래스(class) 10 이상의 환경 조건에서 조립되는 전하 결합 소자(Charge Cupled Device)의 경우에는 공정상의 유도성 분진과 웨이퍼 분진 등과 같은 미세한 웨이퍼 부스러기 등이 집적회로 칩의 상면에 안착되어 화면에 영향을 주는 치명적인 불량으로 확대될 수 있다. 이와 같이 웨이퍼 부스러기의 잔류는 수율 및 생산성을 저해하여 제품의 경쟁력을 약화시키는 요인이기 때문에, 이점이 웨이퍼 조립 공정에서 해결되어야 할 중요한 과제중의 하나이다.
따라서 본 발명의 목적은 웨이퍼 소잉 공정에서 발생되는 웨이퍼 부스러기를 보다 완벽하게 제거하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 높은 청정도의 작업환경을 요구하는 집적회로 소자의 제조에 적합한 웨이퍼 소잉 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 사시도로서, 일본의 디스코(DISCO)사(社)에서 제작되어 현재 널리 사용되고 있는 웨이퍼 절단 설비인 DFD-640의 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치에서 사이드 노즐을 통하여 세정액이 분사되는 상태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치에서 센터 노즐을 통하여 세정액이 분사되는 상태를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 동작을 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10,100 : 웨이퍼 소잉 장치12,72 : 구동 모터
14,64 : 회전축16,66 : 고정 몸체
20,70 : 절단날22,72 : 사이드 노즐(side nozzle)
24,74 : 센터 노즐(center nozzle)26,76 : 개별 분사 노즐
28 : 세정액 탱크29 : 분사 노즐
30 : 흡입 펌프32 : 흡입 노즐
40,90 : 세정액42 : 테이블
50 : 웨이퍼52 : 단위 집적회로 칩
54 : 스트리트(street)56 : 웨이퍼 부스러기
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치는 적어도 하나의 스트리트에 의해 구분되는 복수의 단위 집적회로 칩을 갖는 웨이퍼를 단위 집적회로 칩으로 분리하기 위하여 스크라이빙하는 웨이퍼 소잉 장치에 있어서,
스트리트를 따라 진행하며 회전하는 절단날;
회전하는 절단날의 진행방향 측방에서 세정액을 분사할 때 절단날과 웨이퍼 표면에 세정액이 함께 분사되도록 하는 분사각을 갖는 사이드 노즐과, 절단날의 진행방향 전방에서 세정액을 분사하는 센터 노즐을 갖는 분사 수단; 및
회전하는 절단날에 의해 발생되는 웨이퍼 부스러기를 흡입하는 흡입 수단;
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 세정과 냉각의 효과를 크게 하기 위하여 센터 노즐이 절단날과 수직하는 선보다 15°±10°하방향으로 분사되도록 하고, 사이드 노즐의 분사각을 33.5±10°로 한다. 가장 바람직하게는 웨이퍼와 절단날의 상부에서 세정액이 분사되도록 상부 노즐이 설치됨과 동시에 센터 노즐이 절단날과 수직하는 선보다 15°하방향으로 분사되도록 하고, 사이드 노즐의 분사각을 33.5°로 하며, 절단날의 후방에 흡입 수단을 설치하는 것이다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 구조를 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치(10)의 구조를 설명하기로 한다. 여기에 나타나 있는 웨이퍼(50)는 전하 결합 소자 웨이퍼(50)이다. 전하 결합 소자 웨이퍼(50)는 스트리트(54)에 의해 구분되는 복수의 집적회로 칩(52)을 포함하고 있다. 전하 결합 소자 웨이퍼(50)는 기본적인 구동 회로가 형성되어 있고, 집적회로 칩(52)의 전체 상면이 카메라 촬상관 역할을 하도록 되어 있기 때문에, 집적회로가 형성되어 있는 상면이 일반적인 웨이퍼와는 달리 불활성층(passivation layer)이 없다. 이 웨이퍼(50)의 두께는 약 680㎛이다. 집적회로가 형성되어 있는 면은 불활성층이 없기 때문에 외부로부터 손상을 받기가 쉬어 스크라이빙 등의 작업이 보다 정교하게 이루어져야 한다. 도 2는 이러한 웨이퍼(50)가 단위 집적회로 칩(52)으로 스크라이빙되기 위하여 테이블(42) 위에 탑재되어 있는 상태이다.
웨이퍼(50)의 상부에는 웨이퍼 소잉 장치(10)가 위치하고 있다. 웨이퍼 소잉 장치(10)는 고정 몸체(16)에 결합된 구동 모터(도시 안됨)의 회전축(14)에 절단날(20)이 결합된 구조를 갖고 있다. 그리고, 고정 몸체(16)에는 절단날(20)의 좌우측에 위치하며 복수의 개별 분사 노즐(도시 안됨)이 형성되어 있는 사이드 노즐(22), 절단날(20)의 전방에 위치하는 센터 노즐(24), 절단날(20)의 상방에 위치하는 상부 노즐(29), 및 절단날(20)의 후방에 위치하는 흡입 노즐(32)이 결합되어 있다. 사이드 노즐(22), 센터 노즐(24), 및 상부 노즐(29)은 소정의 압력으로 세정액(40)을 분사하기 위하여 세정액 탱크(28)에 연결되어 있다. 그리고, 흡입 노즐(32)은 흡입력을 인가하기 위한 흡입 펌프(30)와 연결되어 있다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치에서 사이드 노즐을 통하여 세정액이 분사되는 상태를 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 사이드 노즐(22)은 각각의 개별 분사 노즐(26)이 웨이퍼(50)와 접촉되는 절단날 부분을 향하여 33.5°의 분사각을 갖도록 하고 있다. 세정액(40)이 종래에 절단날 부분에만 분사되던 것을 분사 각도를 넓게 하여 절단날(20)뿐만 아니라 웨이퍼(50)의 상면에까지 분사되도록 분사각을 조정한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치에서 센터 노즐을 통하여 세정액이 분사되는 상태를 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 분사되는 세정액(40)이 절단날(20)의 냉각 효과와 웨이퍼(50)를 스크라이빙할 때 발생되는 웨이퍼 부스러기를 제거하는 세정효과를 얻기 위하여 절단날(20)의 전방에 센터 노즐(24)이 설치되어 있다. 이 센터 노즐(24)은 분사되는 세정액(40)의 중심선과 절단날(20)이 이루는 각이 15° 하방향을 향하도록 설치된다. 절단날(20)과 수직하는 선상에서 일정한 각도만큼 수직 하방향으로 분사되도록 하여 절단날(20)뿐만 아니라 웨이퍼(50)의 상면에까지 분사되도록 하는 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 동작을 살펴보기로 한다. 웨이퍼(50)가 테이블(42) 위에 탑재되면, 웨이퍼 소잉 장치의 절단날(20)이 회전하면서 웨이퍼(50)를 향하여 하강하여 스트리트(54)에 접촉되어 웨이퍼(50)를 단위 집적회로 칩(52)으로 스크라이빙한다. 이때, 상부 노즐(29)을 통하여 세정액(40)으로서 약 200~400㏀㎝의 탈이온수가 웨이퍼(50)의 상면과 수직하는 방향에서 약 120㎏/㎠의 압력으로 분사된다. 그와 동시에 센터 노즐(24)이 15°하방향으로, 사이드 노즐(22)이 33.5°에서 1LPM(ℓ/min)의 유량으로 동시에 탈이온수(40)가 분사된다. 센터 노즐(24)과 사이드 노즐(22) 및 상부 노즐(29)을 통하여 분사된 세정액(40)이 웨이퍼(50)의 상면과 절단날(20)에 분사되어, 스크라이빙을 할 때 발생되는 웨이퍼 부스러기(56)를 제거함과 동시에 절단날(20)과 웨이퍼(50)의 온도 상승을 방지한다.
한편, 센터 노즐(24)과 사이드 노즐(22) 및 상부 노즐(29)이 동작되는 동안에 흡입 펌프(30)가 동작하여 흡입 노즐(32)을 통하여 약 1080Pa의 흡입력이 작용하여 스크라이빙할 때 발생되는 웨이퍼 부스러기(56)를 발생 즉시 흡입하게 된다. 흡입 노즐은 센터 노즐(24)과 사이드 노즐(22) 및 상부 노즐(29)의 동작전에 흡입 작용이 일어나도록 하는 것이 바람직하다. 웨이퍼(50)가 스크라이빙될 때 발생되는 웨이퍼 부스러기(56) 중에서 웨이퍼의 상면에 잔존하게 되는 비교적 큰 부스러기뿐만 아니라 먼지와 같은 형태로 발생되는 미세한 크기의 부스러기까지도 흡입 노즐(32)을 통하여 강제 흡입됨으로써 웨이퍼(50)에서 발생되는 웨이퍼 부스러기(56)를 제거하는 효과는 더욱 커진다.
본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 일 실시예로 웨이퍼를 단위 집적회로 칩으로 스크라이빙하는 웨이퍼 소잉 공정을 진행하였을 경우를 실험하여, 그에 따른 수율을 측정하였다. 그 결과는 다음에 나타나 있는 표 1의 내용과 같다.
[표 1]
적용성 검토 센터노즐 분사각 사이드 노즐 분사각 웨이퍼 상태 조립 수율 테스트 수율 전체수율
부적합 0。 23.0。 88.7% 65.6% 58.2%
부적합 15。 23.0。 87.0% 69.0% 60.2%
적용 15。 33.5。 92.0% 80.3% 74.2%
(테스트 수율은 실장 포함 수율임)
표 1을 참조하여 실험 결과를 설명하기로 한다. 센터 노즐과 사이드 노즐 및 상부 노즐을 통한 세정액 분사와 흡입 노즐을 통한 흡입이 이루어지는 경우이다.
첫 번째로, 종래의 웨이퍼 소잉 장치에서와 같이 센터 노즐의 분사각을 0。로 하고 사이드 노즐의 분사각을 23.0。로 하여 웨이퍼를 스크라이빙하였을 경우에 웨이퍼 상면의 가장자리 네 곳에서 집중적으로 웨이퍼 부스러기가 발생되었다. 그리고, 그 상태로 조립 공정을 거친 양호한 상태의 단위 집적회로 칩의 수율은 88.7%로 나타났고, 테스트 단계를 거친 수율은 69.0%이며, 전체 조립 공정을 모두 마친 전체 수율은 60.2%로 나타났다.
두 번째로, 사이드 노즐의 분사각은 그대로 두고 센터 노즐의 분사각도를 15。로 변경시켜 주었을 경우이다. 표 1의 웨이퍼 상태에서 나타난 것과 같이 웨이퍼 부스러기는 웨이퍼의 두 곳에서 발생되었다. 그에 따른 조립 공정을 거친 양호한 상태의 단위 집적회로 칩의 수율은 87.0%, 테스트 단계를 거친 수율은 69.0%, 그리고 전체 수율이 60.2%로 나타났다. 상기 첫 번째 경우보다는 최종적인 수율이 증가됨을 알 수 있다.
세 번째로 센터 노즐의 분사각을 15。로 하고, 사이드 노즐의 분사각을 33.5도로 하였을 경우이다. 웨이퍼의 상면에 잔존하게 되는 웨이퍼 부스러기가 전혀 나타나지 않았음을 알 수 있다. 웨이퍼 부스러기가 완전히 제거되었음을 알 수 있다. 이에 따라, 조립 수율이 92.0%, 테스트 수율이 80.3%, 그리고 전체 수율이 74.2%로 나타났다. 종래의 경우인 첫 번째 경우와 비교해볼 때 조립 수율이 약 3.3% 증가하였고, 테스트 수율이 4.7% 증가하였다. 그리고, 전체 수율이 약 14.2% 증가하였다. 웨이퍼 부스러기가 단위 집적회로 칩에 잔존하지 않기 때문에 이후에 진행되는 공정에서도 종래와 같이 잔존하는 웨이퍼 부스러기로 인한 불량이 발생되지 않기 때문에 최종적인 전체 수율을 크게 상승시키는 결과를 얻을 수 있었다.
위에 설명한 실시예에서 알 수 있듯이 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치는 단위 집적회로 칩으로 웨이퍼를 스크라이빙할 때, 센터 노즐이 절단날의 하방향을 향하게 하고 사이드 노즐의 분사각을 확대하여 세정액을 분사함으로써, 절단날뿐만 아니라 웨이퍼 상면에도 분사되도록 하고 있다. 그리고, 상부 노즐을 통하여 고압으로 세정액을 웨이퍼의 상면과 수직하도록 절단날의 상부에서 하방향으로 분사되도록 하고 있다. 센터 노즐과 사이드 노즐 및 상부 노즐을 통한 세정액 분사에 의하여 세정과 냉각 효과는 극대화된다. 그리고, 흡입 노즐을 통하여 흡입되도록 하는 흡입 펌프와 같은 흡입 수단이 흡입 작용을 통하여 스크라이빙시에 발생되는 웨이퍼 부스러기를 웨이퍼 상면에서 제거할 수 있다. 흡입 수단을 절단날의 후방, 특히 웨이퍼 부스러기가 발생되는 부분에 근접하게 설치하면 웨이퍼 부스러기는 발생하자마자 흡입될 수 있다. 또한, 흡입 수단의 흡입력에 의해 공기중에 떠 다니는 미세한 크기의 웨이퍼 부스러기까지 제거될뿐만 아니라 절단날의 회전에 의한 웨이퍼 부스러기의 역류를 방지할 수 있다.
상기 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치의 일 실시예는 디스코사의 DFD-640의 웨이퍼 소잉 장치를 개량한 형태의 웨이퍼 소잉 장치인 것을 설명하였으나, 본 발명의 중심 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명에 따른 웨이퍼 절단 장치는 다양하게 변형 실시될 수 있다. 또한, 실시예에서는 전하 결합 소자 웨이퍼에 적용되는 것을 소개하였으나, 일반적인 웨이퍼에 적용하는 것도 가능하다.
이상과 같은 본 발명에 의한 웨이퍼 소잉 장치에 따르면, 웨이퍼를 단위 집적회로 칩으로 절단할 때 발생되는 웨이퍼 부스러기들을 효과적으로 세정하여 웨이퍼 스크라이빙에 의한 수율을 크게 향상시킴으로써, 이후에 진행되는 공정을 통한 수율까지 크게 향상시킬 수 있다. 따라서, 설비 효율과 생산성 측면에서 대단한 효과를 얻을 수 있는 이점(利點)이 있다.

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 스트리트에 의해 구분되는 복수의 단위 집적회로 칩을 갖는 웨이퍼를 상기 단위 집적회로 칩으로 분리하기 위하여 스크라이빙하는 웨이퍼 소잉 장치에 있어서,
    상기 스트리트를 따라 진행하며 회전하는 절단날;
    상기 회전하는 절단날의 진행 방향의 측방에서 세정액을 분사할 때 상기 절단날과 웨이퍼 표면에 세정액이 함께 분사되도록 하는 분사각을 갖는 사이드 노즐과, 상기 절단날의 진행 방향의 전방에서 세정액을 분사하는 센터 노즐을 갖는 분사 수단; 및
    상기 회전하는 절단날에 의해 발생되는 웨이퍼 부스러기를 흡입하는 흡입 수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 분사 수단이 상기 회전하는 절단날의 상방에서 세정액을 분사하는 상부 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 분사 수단이 동작하기 전에 상기 흡입 수단이 동작되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 흡입 수단은 상기 회전하는 절단날의 진행방향의 후방에 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 상부 노즐을 통하여 분사되는 상기 세정액의 분사 압력은 120±20㎏/㎠인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 센터 노즐은 상기 웨이퍼의 측면과 15。±10。의 각도로 세정액을 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 사이드 노즐의 분사각은 33.5。±10。인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 분사 수단과 상기 흡입 수단은 하나의 고정 몸체에 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 세정액은 약 200~400㏀㎝의 탈이온수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 단위 집적회로 칩은 표면에 불활성층이 형성되어 있지 않는 전하 결합 소자인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 소잉 장치.
KR1019970021503A 1997-05-29 1997-05-29 웨이퍼 소잉 장치 KR100225909B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970021503A KR100225909B1 (ko) 1997-05-29 1997-05-29 웨이퍼 소잉 장치
CH02499/97A CH689112A5 (fr) 1997-05-29 1997-10-29 Appareil de découpage de plaquettes.
CN97120236A CN1132970C (zh) 1997-05-29 1997-10-29 晶片锯割机
TW086116091A TW362248B (en) 1997-05-29 1997-10-29 Wafer sawing apparatus
DE19748055A DE19748055C2 (de) 1997-05-29 1997-10-31 Wafersägegerät
JP9345269A JPH10335272A (ja) 1997-05-29 1997-12-15 ウェーハソーイング装置
US09/019,121 US6105567A (en) 1997-05-29 1998-02-05 Wafer sawing apparatus having washing solution spray and suction devices for debris removal and heat dissipation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970021503A KR100225909B1 (ko) 1997-05-29 1997-05-29 웨이퍼 소잉 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980085413A true KR19980085413A (ko) 1998-12-05
KR100225909B1 KR100225909B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19507624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970021503A KR100225909B1 (ko) 1997-05-29 1997-05-29 웨이퍼 소잉 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6105567A (ko)
JP (1) JPH10335272A (ko)
KR (1) KR100225909B1 (ko)
CN (1) CN1132970C (ko)
CH (1) CH689112A5 (ko)
DE (1) DE19748055C2 (ko)
TW (1) TW362248B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020065742A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 반도체패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치
KR100366922B1 (ko) * 1999-01-19 2003-01-06 메코 이큅먼트 엔지니어 베. 파우. 공통기판상에 장착된 제품을 절단선을 따라 서로 분리하기 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3894526B2 (ja) * 1998-07-06 2007-03-22 株式会社ディスコ 切削装置
JP3485816B2 (ja) * 1998-12-09 2004-01-13 太陽誘電株式会社 ダイシング装置
DE19904834A1 (de) * 1999-02-07 2000-08-10 Acr Automation In Cleanroom Vorrichtung zum Ablösen, Vereinzeln und Einlagern von dünnen, bruchempfindlichen scheibenförmigen Substraten
US6318351B1 (en) 1999-09-17 2001-11-20 Bioart Longyear Company Waste containment system for an abrading or cutting device
US7114494B2 (en) * 1999-09-17 2006-10-03 Husqvarna Professional Outdoor Products Inc. Fluid pickup assembly and blade guard for a pavement treatment apparatus
JP4592968B2 (ja) * 2001-01-31 2010-12-08 株式会社トプコン レンズ研削加工装置の研削液供給装置
JP2002319553A (ja) * 2001-04-19 2002-10-31 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング装置
JP3956643B2 (ja) * 2001-04-27 2007-08-08 株式会社東京精密 ダイシングマシン
ATE409107T1 (de) * 2002-08-05 2008-10-15 Nxp Bv Verfahren zur herstellung einer verpackten halbleitervorrichtung, mit solch einem verfahren erhaltene verpackte halbleitervorrichtung und zur verwendung in solch einem verfahren geeigneter metallträger
GB0320180D0 (en) * 2003-08-28 2003-10-01 Univ Southampton An electromagnetic device for converting mechanical vibrational energy into electrical energy
US7281535B2 (en) 2004-02-23 2007-10-16 Towa Intercon Technology, Inc. Saw singulation
KR101043674B1 (ko) * 2004-05-11 2011-06-23 엘지디스플레이 주식회사 스크라이빙 장치 및 방법
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US20070056138A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 International Business Machines Corporation High volume brush cleaning apparatus
US7521338B2 (en) * 2006-12-22 2009-04-21 Texas Instruments Incorporated Method for sawing semiconductor wafer
KR20090024408A (ko) * 2007-09-04 2009-03-09 삼성전자주식회사 스크라이브 래인 내의 금속 버를 제거하는 노즐을 갖는웨이퍼 소잉 장치, 웨이퍼 소잉 방법 및 이를 이용하여제작된 반도체 패키지
JP2009285769A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2011254036A (ja) * 2010-06-04 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP5758111B2 (ja) * 2010-12-02 2015-08-05 株式会社ディスコ 切削装置
CN102615726B (zh) * 2011-01-26 2016-01-13 北京中电科电子装备有限公司 刀体冷却装置及空气静压电主轴
CN102267198B (zh) * 2011-08-22 2014-07-16 北京中电科电子装备有限公司 划片机的刀具冷却装置及划片机
CN102503107A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 深圳市华星光电技术有限公司 一种切割机构的碎屑收集装置、lcd面板切割碎屑吸除装置
JP5975703B2 (ja) * 2012-04-09 2016-08-23 株式会社ディスコ 切削装置
KR20140046631A (ko) * 2012-10-09 2014-04-21 삼성디스플레이 주식회사 기판 연마 장치
FI10501U1 (fi) * 2013-02-26 2014-05-27 Nurmeksen Työstö Ja Tarvike Oy Kivisaha
JP6101140B2 (ja) * 2013-04-18 2017-03-22 株式会社ディスコ 切削装置
JP6255238B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-27 株式会社ディスコ 切削装置
CN103866679B (zh) * 2014-03-20 2016-01-27 王威 一种路面切割机用降温装置
JP6417227B2 (ja) 2015-01-27 2018-10-31 株式会社ディスコ 切削ブレード及び切削装置並びにウエーハの加工方法
JP6462422B2 (ja) * 2015-03-03 2019-01-30 株式会社ディスコ 切削装置及びウエーハの加工方法
US20160311127A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Disco Corporation Cutting apparatus and cutting method
KR101821638B1 (ko) * 2016-05-16 2018-01-24 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) 취성기판 스크라이버용 분진 제거장치
JP2017213628A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 株式会社ディスコ 切削装置
CN108621023B (zh) * 2017-03-20 2021-02-02 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨机台及化学机械研磨制程
CN109309025A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 无锡华润华晶微电子有限公司 晶圆划片设备及晶圆划片方法
CN107498720A (zh) * 2017-08-26 2017-12-22 安龙县喜莱莹建材装饰有限公司 一种石材切割加工循环水系统
CN107520982B (zh) * 2017-08-26 2019-08-09 贵州科睿捷信息技术有限公司 一种石材多路切割分流生产线控制系统
CN107672061B (zh) * 2017-08-26 2019-11-15 贵州筑信达创科技有限公司 一种石材加工生产线
CN107498725A (zh) * 2017-08-26 2017-12-22 安龙县喜莱莹建材装饰有限公司 一种石材切割装置
CN107486950B (zh) * 2017-08-26 2019-11-19 贵州筑信达创科技有限公司 一种石材切割加工生产线
CN107649956B (zh) * 2017-08-26 2019-10-25 贵州筑信达创科技有限公司 一种多自由度的石材打磨装置
CN107571413A (zh) * 2017-08-26 2018-01-12 安龙县喜莱莹建材装饰有限公司 一种石材切割控制系统
CN107803951A (zh) * 2017-08-26 2018-03-16 安龙县喜莱莹建材装饰有限公司 一种多自由度的石材切割装置
JP6974087B2 (ja) * 2017-09-14 2021-12-01 株式会社ディスコ 切削装置
JP7019241B2 (ja) * 2017-09-21 2022-02-15 株式会社ディスコ 切削ブレードの装着機構
CN108312369B (zh) * 2018-03-28 2024-05-07 深圳赛意法微电子有限公司 晶圆切割设备及晶圆切割方法
CN108705318B (zh) * 2018-06-22 2020-02-11 广州市欧林家具有限公司 一种智能家具生产用板材的精确切割装置
CN109773986B (zh) * 2019-01-18 2021-12-17 深圳市永而佳电子有限公司 一种发光二极管生产加工用划片装置
CN110117155A (zh) * 2019-05-30 2019-08-13 昆山国显光电有限公司 一种面板切割装置
CN112151446B (zh) * 2020-09-24 2023-09-08 长江存储科技有限责任公司 晶圆切割固定方法及其装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55111506A (en) * 1979-02-21 1980-08-28 Kobe Steel Ltd Method of attaching steel plate to web plate of bridge
JPS59122209U (ja) * 1983-02-07 1984-08-17 株式会社デイスコ 切断機
JPS6030314A (ja) * 1983-07-08 1985-02-15 富士通株式会社 ダイシング装置
SU1237401A1 (ru) * 1983-09-22 1986-06-15 Предприятие П/Я В-8657 Устройство дл подачи смазочно-охлаждающей жидкости
JPS6416611A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Nec Corp Dicing device for semiconductive wafer
JPH02193773A (ja) * 1989-01-23 1990-07-31 Mazda Motor Corp 車両の後輪操舵装置
JPH07115075A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Sony Corp ウェーハのダイシング装置
JPH0817765A (ja) * 1994-07-01 1996-01-19 Sony Corp 半導体ウエハ用ダイシング装置
US5718615A (en) * 1995-10-20 1998-02-17 Boucher; John N. Semiconductor wafer dicing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100366922B1 (ko) * 1999-01-19 2003-01-06 메코 이큅먼트 엔지니어 베. 파우. 공통기판상에 장착된 제품을 절단선을 따라 서로 분리하기 위한 방법 및 장치
KR20020065742A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 반도체패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CH689112A5 (fr) 1998-10-15
US6105567A (en) 2000-08-22
DE19748055C2 (de) 2001-05-03
JPH10335272A (ja) 1998-12-18
DE19748055A1 (de) 1998-12-03
CN1201083A (zh) 1998-12-09
CN1132970C (zh) 2003-12-31
TW362248B (en) 1999-06-21
KR100225909B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980085413A (ko) 웨이퍼 소잉 장치
JP5921373B2 (ja) バイト切削装置
US6974726B2 (en) Silicon wafer with soluble protective coating
JP2006289504A (ja) 半導体ウエーハの電極加工装置
JP4880267B2 (ja) 切削装置
JP2003168659A (ja) 高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置
JP2003209089A (ja) ウェハの洗浄方法、洗浄装置およびダイシング装置
JP4776431B2 (ja) 保護膜被覆装置
JP5875331B2 (ja) 切削装置
JP2019102514A (ja) 切削方法
JP3180295B2 (ja) ダイシング装置
JP5078392B2 (ja) 半導体ウエハのダイシング方法
JP6713214B2 (ja) デバイスウェーハの加工方法
JP2003234308A (ja) 切削装置
JP2680453B2 (ja) ダイシング方法
JP4292329B2 (ja) 電子部品の切断装置
JP2001345287A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005327838A (ja) 板状物に形成された電極の加工装置
KR101687423B1 (ko) 가공 장치
JPH03149183A (ja) 半導体基板の切削方法
JP2015208796A (ja) バイト切削装置
KR20000001843A (ko) 웨이퍼 소잉 장치
JP4373851B2 (ja) 板状物に形成された電極の加工方法
JP2014232741A (ja) 切り残し部除去装置
JP4494847B2 (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080701

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee