JP2003168659A - 高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置 - Google Patents

高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置

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JP2003168659A
JP2003168659A JP2001369625A JP2001369625A JP2003168659A JP 2003168659 A JP2003168659 A JP 2003168659A JP 2001369625 A JP2001369625 A JP 2001369625A JP 2001369625 A JP2001369625 A JP 2001369625A JP 2003168659 A JP2003168659 A JP 2003168659A
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grinding
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water
nozzle
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JP2001369625A
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Tei Adachi
禎 足立
Masayuki Azuma
正幸 東
Takayuki Kaneko
貴幸 金子
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】上面にハンダボール電極が形成されたCSPで
あっても、研削屑を表面に付着させずに流し去ることの
できるシンギュレーション装置を提供すること。 【解決手段】切断ラインを含む鉛直面内に配置され、回
転刃12の一方側から回転刃12に研削水を供給する研
削水供給ノズル21と、前記鉛直面内に配置され、回転
刃12の他方側から切断中のワークWに向けて、前記研
削水よりも高圧の洗浄水を供給する高圧洗浄ノズル13
と、ワークWの切断ストローク端近傍に配置され、切断
後のワークWに向けて、研削水よりも高圧の洗浄水を供
給してワークWを洗浄する高圧洗浄水供給ノズル51と
を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は切断装置に関し、 特
にCSP半導体を個々のチップに切断するシンギュレー
ション装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の高密度化、小型化に伴って、
その電子機器に用いられるICやLSI等の半導体装置
はより一層の小型化が要求されている。これらの要求に
応えるため、半導体装置は内部回路のシュリンクのみな
らず、パッケージング方法を大幅に変更して外形を縮小
する方式が取られてきた。このような流れの一環とし
て、CSP(Chip Size Package)と
いう、完成品の外形寸法がベアチップの寸法とほとんど
同じ大きさのパッケージ方法が用いられるようになって
きた。これは、先ずガラスエポキシ樹脂等の基板に半導
体装置のベアチップをバンプ接続等により複数個搭載
し、樹脂で一括モールドしてウエーハ状にする。次いで
このウエーハ状CSPをシンギュレーション装置で個々
の完成品チップに切断(シンギュレーション)してい
る。
【0003】最初にこの状況を図5(a)、図5(b)
にて説明する。図5(a)はウエーハ状CSPを吸着冶
具に載置した状態の平面図であり、図5(b)は図5
(a)上のA−A断面図である。吸着冶具17は図5
(a)に示すように、冶具本体17Aと底板17Eとで
囲う部分に空気室17Fが設けられ、空気室17Fはニ
ップル17Gを介してチューブ17Hで図示しない真空
ポンプに接続されている。吸着冶具17の上面には、ワ
ーク(ウエーハ状CSP)Wの各チップCに相当する位
置にポケット17Bを備えた通気孔17Cがあり、空気
室17Fに連通している。この吸着冶具17は、シンギ
ュレーション装置のワークテーブル上に取付けられてお
り、ワークWはこの冶具を用いてシンギュレーション装
置にセットされる。この時ワークWは、図5(a)に示
すように吸着冶具17の上面に設けられた位置決めピン
17I、17I、17Iで位置決めされて吸着される。
【0004】この状態でシンギュレーション装置の回転
刃によって、図5(a)に示す2点鎖線X1−X1、X
2−X2、X3−X3、X4−X4、X5−X5、Y1
−Y1、Y2−Y2、Y3−Y3に沿って切断され、個
々のチップC、C、…に分割される。尚、冶具本体17
Aの上面には図5(b)に示すように切断位置に相当す
る位置に逃げ溝17D、17D、…が設けてあるので、
ワークWの切断の際、吸着冶具17を傷つけることがな
い。切断にあたって、個々のチップCは夫々単独で吸着
されているので、切り離されても吸着冶具17に吸着さ
れたまま残っているが、ワークWのスクラップ(端材)
Sは切り離されると研削水によって流されたり、吹き飛
ばされたりする。
【0005】図6に従来のシンギュレーション装置の加
工部を示す。図6に示すように、研削水ノズル121か
ら回転刃12に向けて研削水が供給され、回転刃12を
挟むように配置された冷却水ノズル123、123から
冷却水が回転刃の供給されている。この研削水及び冷却
水はどちらも薄い回転刃を損傷しないように、市水並の
0. 5MPa程度の中圧力で供給されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエーハ状
CSPの切断加工は、樹脂モールドされた部分を切断す
るため大量の研削屑が発生する。この研削屑の大部分は
研削水及び冷却水で流されるが、研削水及び冷却水の圧
が低いため全部の研削屑は流されず、分割された個々の
チップCの表面に付着する。上面にハンダボール電極が
形成されているCSPの場合には、この研削屑の付着が
特に顕著である。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、上面にハンダボール電極が形成されたCSP
であっても、研削屑を表面に付着させずに流し去ること
のできるシンギュレーション装置を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、ワークを加工する回転刃
と、該ワークを載置して前記回転刃に対して相対的に研
削送り方向に移動するワークテーブルとを有し、前記回
転刃でワークを個々のチップに切断するシンギュレーシ
ョン装置において、切断ラインを含む鉛直面内に配置さ
れ、前記回転刃の一方側から回転刃に研削水を供給する
研削水供給ノズルと、前記鉛直面内に配置され、前記回
転刃の他方側から切断中の前記ワークに向けて、前記研
削水よりも高圧の洗浄水を供給する高圧洗浄ノズルと、
が設けられていることを特徴としている。
【0009】請求項1の発明によれば、切断中のワーク
に研削水よりも高圧の洗浄水を供給して、切断溝とその
周辺を洗浄できるので、研削屑を有効に洗い流すことが
できる。
【0010】請求項2に記載の発明は、ワークを加工す
る回転刃と、該ワークを載置して前記回転刃に対して相
対的に研削送り方向に移動するワークテーブルとを有
し、前記回転刃でワークを個々のチップに切断するシン
ギュレーション装置において、切断ラインを含む鉛直面
内に配置され、前記回転刃の一方側から回転刃に研削水
を供給する研削水供給ノズルと、前記ワークの切断スト
ローク端近傍に配置され、切断後の前記ワークに向け
て、前記研削水よりも高圧の洗浄水を供給して前記ワー
クを洗浄する高圧洗浄水供給ノズルと、が設けられてい
ることを特徴としている。
【0011】請求項2の発明によれば、切断後のワーク
に研削水よりも高圧の洗浄水を供給して、ワーク全面を
洗浄できるので、切断溝とワーク表面の研削屑を有効に
洗い流すことができる。。更に、ワークをアンロードし
た後でワークテーブルの上面又はワーク吸着冶具を洗浄
することができるので、ワーク載置面を常にクリーンに
保つことができる。
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記ワークの切断ストローク端近傍に
配置され、切断後の前記ワークに向けて、前記研削水よ
りも高圧の洗浄水を供給して前記ワークを洗浄する高圧
洗浄水供給ノズルが設けられていることを特徴としてい
る。請求項3の発明によれば、ワークの切断中及び切断
後に夫々研削水よりも高圧の洗浄水で洗浄できるので、
上面にハンダボール電極が形成されたCSPであって
も、研削屑を表面に付着させずに流し去ることができ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るシンギュレーション装置の好ましい実施の形態につい
て詳説する。尚各図において、同一の部材については同
一の番号又は記号を付している。
【0014】図1は、本発明に係るシンギュレーション
装置を説明する正面断面図である。また、図2、及び図
3は主要部の拡大図である。図1、図2、及び図3に示
すように、シンギュレーション装置10は、高速で回転
してワークWを切断する回転刃12と、ワークWを載置
したワークテーブル15と、該ワークテーブル15を鉛
直方向を軸線としてθ回転させるθテーブル16と、更
にθテーブル16を載置してワークテーブル15をX方
向(研削送り方向)に研削送りするXテーブル18と、
切断中のワークWを高圧洗浄する高圧洗浄ノズル13
と、切断後のワークW又はワークテーブル15を高圧洗
浄する高圧洗浄水供給ノズル51とを有している。
【0015】Xテーブル18は、マシンベース22に設
けられたXガイド20でガイドされ図示しない駆動手段
によってX方向に駆動される。Xテーブル18にはθテ
ーブル16が載置され、θテーブル16にはワークテー
ブル15が取付けられている。更にワークテーブル15
には、図5に示す吸着冶具17を介して、吸着冶具17
の位置決めピン17I、17I、17Iで位置決めされ
たCSP型半導体装置であるワークWが吸着されてい
る。ワークテーブル15に取付けられた吸着冶具17の
構造は、前記図5(b)で説明したとうりのものであ
る。
【0016】図1、及び図2に示すように、回転刃12
は、高周波モータ内臓のエアーベアリング式スピンドル
11に取付けられ、20,000rpm〜40,000
rpmの高速で回転されると共に、X方向と直角なY方
向のインデックス送りと、垂直方向であるZ方向の切込
み送りとがなされる。回転刃には、ダイヤモンド又はC
BN(Cubic Boron Nitride)の微
細砥粒を電着法で基盤に積層したり、あるいはボンド材
で結合した、直径50mm〜100mm、厚さ30μm
〜100μm程度の薄型砥石が用いられている。エアー
ベアリング式スピンドル11にはホルダーアーム19A
を介して顕微鏡19が取付けられている。この顕微鏡1
9はワークWを観察するためのものである。
【0017】図1、図2、及び図3に示すように、回転
刃12はまた、前面と下方が開口されたフランジカバー
14で囲われ、フランジカバー14には回転刃12を含
む鉛直面内に配置された研削水供給ノズル21が取付け
られている。また、フランジカバー14には回転刃12
を前後で挟み込むように配置された冷却水ノズル23、
23が設けられている。ワークWの切断時には、研削水
ノズル21から研削水が加工ポイント供給されるととも
に、冷却水ノズル23、23から冷却水が回転刃12に
供給される。研削水及び冷却水は薄い回転刃12を損傷
しないように、市水並の0. 5MPa程度の中圧力で供
給される。
【0018】更に、フランジカバー14には回転刃12
を含む鉛直面内で研削水供給ノズル21と反対側に、ワ
ークWに向かって高圧洗浄水を噴射する高圧洗浄ノズル
13が設けられている。この高圧洗浄ノズル13にはス
プレーノズルが用いられ、このスプレーノズルからは、
ワークWの切断中に、加工溝及びその周辺に向けて2M
Pa程度の高圧洗浄水が扇型又は円錐型に広げられて噴
射される。この高圧洗浄ノズル13の材質は、噴射口の
耐摩耗性を高めるため、超硬合金又はセラミックス等の
硬質材料が用いられている。また、フランジカバー14
には回転刃12の損傷の有無を検出するブレード破損検
出器61が取付けられている。
【0019】また、ワークWの加工ストローク端近傍に
はワークWの全幅に亘って洗浄水を供給することのでき
る高圧洗浄水供給ノズル51が設けられている。図4は
高圧線浄水供給ノズル51の取付け位置関係を示してい
る。図2、図3、及び図4に示すように、高圧洗浄水供
給ノズル51は、支持パイプ52と、ホルダ51Bと、
複数の噴射ノズル51A、51A、…とから構成されて
いる。噴射ノズル51A、51A、…も前記高圧洗浄ノ
ズル13と同様にスプレーノズルが用いられている。複
数の噴射ノズル51A、51A、…はホルダ51Bに1
列に並べて取付けられ、噴射ノズル集合体を形成してお
り、ホルダ51B内部で高圧水流路が連結されている。
この噴射ノズル51A、51A、…の材質も、超硬合金
又はセラミックス等の硬質材料が用いられている。
【0020】ホルダ51Bは、図4のY方向の位置調整
と高圧水の噴射方向が調整できるように支持パイプ52
に取付けられ、取付けブロック53、53を介してオイ
ルパン24に取付けられている。この高圧洗浄水供給ノ
ズル51からは、加工後のワークWに向けて、又はワー
クWを搬送後のワークテーブル15に向けて、扇型又は
円錐型に広げられた2MPa程度の高圧洗浄水がワーク
Wの幅方向(Y方向)に1列になって噴射される。
【0021】図2、及び図4に示すように、高圧洗浄水
供給ノズル51と顕微鏡19との間には、加工部内の研
削屑や、水の飛沫、及びミストが加工部外の顕微鏡19
等に付着するのを防止するための、ウオーターシャワー
とエアーシャワーを発生させるウオーターシャワーノズ
ル32と、エアーシャワーノズルと33が取付けブロッ
ク35、35を介してオイルパン24に取付けられてい
る。また、加工後のワークWがこのエアーシャワーの下
を搬送されることにより、表面の水滴が飛ばされて、乾
燥される。
【0022】加工部では、このように研削水、冷却水、
及び洗浄水が用いられているが、図1に示すように、こ
の大量な研削水、冷却水、及び洗浄水を受けるオイルパ
ン24が、前記ワークテーブル15を囲むようにしてマ
シンベース22に取付けられている。このオイルパン2
4には、溜まった切削水を排水する図示しないドレーン
が設けられている。またオイルパン24の端には、切断
されたワークWのスクラップSを収納する端材収納器2
6が設置されている。更にオイルパン24に設けられ
た、ワークテーブル16の移動のための開口部24Aを
覆うように2つの蛇腹型カバー28、28が取付けら
れ、切削水の飛散やミストがXテーブル18の駆動部分
にかかるのを防いでいる。2個の蛇腹型カバー28、2
8はどちらも、一端がオイルパン24に固定され、他端
がθテーブル16に固定されていて、Xテーブル18の
移動に伴って一方の蛇腹型カバー28が伸ばされる時、
他方の蛇腹型カバー28が縮められ、一方の蛇腹型カバ
ー28が縮められる時は他方の蛇腹型カバー28が伸ば
されるようになっている。
【0023】ワークテーブル15には、吸着冶具17を
囲む形で端材受34が設けられていて、切断されたワー
クWのスクラップSの一部分は切削水で流されてこの端
材受34に溜まるようになっている。2個の蛇腹型カバ
ー28、28の内、前記端材収納器26側の蛇腹型カバ
ー28の上部にはスライドカバー30が設けられてい
る。このスライドカバー30の一端は前記端材受34に
固定され、他端は前記端材収納器26の上部にややかか
る位置で前記オイルパン24の固定部分48に取付けら
れている。スライドカバー30は、剛性を有する金属性
又は樹脂制の板状体を複数枚重ねて構成されている。前
記端材収納器26の上方には、前記回転刃12の回転に
よって作り出される切削水の水しぶきを受けるゴム板か
らなる飛沫受38が垂下している。またシンギュレーシ
ョン装置10の本体カバーには、窓40があり、窓40
には把手46付の扉44が設けられている。
【0024】このように構成された本発明の切断装置の
作用を説明する。先ず、ウエーハ状CSP半導体装置で
あるワークWが、ワークテーブル15に取付けられた図
4(a ) 及び図4( b ) に示す吸着冶具17に載置され
吸着される。載置される際は吸着冶具17に設けられた
位置決めピン17I、17I、17IにワークWが押し
付けて位置決めされる。次いで回転刃12が回転し、研
削水ノズル21と冷却水ノズル23、23から0. 5M
Pa程度の中圧力の研削水と冷却水が回転刃12に供給
される。また、高圧洗浄ノズル13から2MPa程度の
高圧洗浄水がワークWに噴射される。ワークWはXテー
ブル18のX方向研削送りによって図5( a ) に示す最
初のラインX1−X1が研削され、次いで回転刃12が
Y方向にインデックス送りされ図5( a ) 上のX2−X
2に位置決めされる。次いでXテーブル18のX方向研
削送りによってラインX2−X2が研削される。同様に
してラインX3−X3、X4−X4、X5−X5が研削
されると、ワークテーブル15は90度回転して、X方
向と同様にしてY方向のラインの研削を行う。加工中は
高圧洗浄ノズル13からの高圧洗浄水でワークWに形成
された切断溝とその周辺が洗浄される。
【0025】CSP型半導体装置の切断においては、研
削中に回転刃12に目詰まりが発生して切れ味が低下す
るので、所定本数のラインを研削する毎にワークテーブ
ル15は通常の研削ストロークよりも左方向に多く移動
して、回転刃12でワークテーブル15上に固定されて
いるドレスバー59に溝研削をする。予め定められたラ
イン数ドレスバー59を研削すると、回転刃12のドレ
ッシングは終了する。このドレッシングによって回転刃
12の切れ味が回復するので、またワークWの研削に戻
る。この動作は予め定められたシーケンスに従い、自動
的に行われる。
【0026】加工が終了したワークWは、ワークテーブ
ル15に載置されたまま加工部外に移動される。この時
高圧洗浄水供給ノズル51から2MPa程度の高圧洗浄
水がワークWの全幅に亘って噴射されるので、ワークW
が高圧洗浄水供給ノズル51の下を通過する時にワーク
Wの切断溝及び表面から研削屑が洗い流される。ワーク
テーブル15が更に移動してエアーシャワーノズル33
の下部を通過する時、ワークWの表面の水分が吹き飛ば
され、乾燥される。
【0027】ワークWがワークテーブル15からアンロ
ードされると、ワークテーブル15は加工部内に戻り、
高圧洗浄水供給ノズル51の下を通過する。この時高圧
洗浄水供給ノズル51から高圧洗浄水が噴射され、ワー
クテーブル15の上面又は吸着冶具17が洗浄される。
加工後のワークWの高圧洗浄水供給ノズル51による高
圧洗浄とエアーシャワーノズル33による乾燥、及び高
圧洗浄水供給ノズル51によるワークテーブル15又は
吸着冶具17の洗浄の時は、Xテーブル18が洗浄及び
乾燥に必要な十分遅いスピードで移動するように制御さ
れる。
【0028】Xテーブル18のX方向研削送りの時は、
前記蛇腹型カバー28、28がXテーブル18の動きに
従って伸びあるいは縮みすると同時に、蛇腹型カバー2
8の上方に設けられた前記スライドカバー30もスライ
ドして伸び縮みする。なお、研削中の研削水、冷却水、
及び洗浄水は全て前記オイルパン24に集められ前記ド
レーンから排水される。また、ワークWの切断によって
生ずるスクラップSは、研削水、冷却水、及び洗浄水に
よって流されて、一部分は端材受34に溜められる。し
かし研削水の水しぶきによって飛ばされたスクラップS
は、前記スライドカバー30上に落下するか、あるいは
前記端材収納器26の上方に垂下された飛沫受38に当
接して端材収納器26に落下する。前記スライドカバー
30上に落下したスクラップSは、スライドカバー30
の板状体の重畳により順次押し出されて端材収納器26
に落下する。また1番上の板状体上に落下したスクラッ
プSは、Xテーブル18が図1上最右行時に、図1に示
す高圧洗浄水供給ノズル51から放出される洗浄水によ
って流し落とされる。このように研削水によって飛ばさ
れたスクラップSは、シンギュレーション装置10の切
断動作中に自動的に端材収納器26に収納される。多数
枚のワークWの切断が終了すると、オペレータは前記端
材受34に溜まったスクラップを回収すると共に、本体
カバーの窓40に設けられた扉44を開け、該窓40か
ら端材収納器26を取り出し、中のスクラップを回収す
る。
【0029】以上が本発明に係るシンギュレーション装
置10でCSP型半導体装置を切断して、個々のチップ
Cに分割する動作である。
【0030】尚、本実施の形態では、高圧洗浄ノズル1
3及び高圧洗浄水供給ノズル51として洗浄水を扇型又
は円錐型の末広がりにして供給するスプレーノズルを用
いたが、これに限らず、単なる孔開きノズルや、板状に
広がるライン噴射ノズルを採用してもよい。また、高圧
洗浄水として2MPa程度の圧力が用いられていたが、
研削水よりも高圧の適宜の圧力を選択することができ
る。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、切
断中のワークに研削水よりも高圧の洗浄水を供給して、
切断溝とその周辺を洗浄できるので、研削屑を有効に洗
い流すことができる。更に、切断後のワークに研削水よ
りも高圧の洗浄水を供給して、ワーク全面を洗浄できる
ので、上面にハンダボール電極が形成されたCSPであ
っても、研削屑を表面に付着させずに流し去ることがで
きる。また、ワークをアンロードした後でワークテーブ
ルの上面又はワーク吸着冶具を洗浄することができるの
で、ワーク載置面を常にクリーンに保つことができる。
また、高圧洗浄水のノズルが超硬合金又はセラミックス
でできているので、噴射口の耐摩耗性が良好である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るシンギュレーション
装置の正面断面図
【図2】主要部の構造を示す正面図
【図3】主要部の構造を示す拡大正面図
【図4】高圧洗浄水ノズルの配置を示す斜視図
【図5】ウエーハ状CSPを吸着冶具に載置した状態の
平面図(a)及び断面図(b)
【図6】従来のシンギュレーション装置を説明する正面
【符号の説明】 C…チップ、W…ワーク、10…シンギュレーション装
置、11…スピンドル、12…回転刃、13…高圧洗浄
ノズル、15…ワークテーブル、17…吸着冶具、19
…顕微鏡、51…高圧洗浄水供給ノズル、61…ブレー
ド破損検出器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成13年12月6日(2001.12.
6)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 貴幸 東京都三鷹市下連雀9丁目7番1号 株式 会社東京精密内 Fターム(参考) 4F033 AA04 BA04 CA01 CA04 DA01 EA01 FA01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ワークを加工する回転刃と、該ワークを載
    置して前記回転刃に対して相対的に研削送り方向に移動
    するワークテーブルとを有し、前記回転刃でワークを個
    々のチップに切断するシンギュレーション装置におい
    て、 切断ラインを含む鉛直面内に配置され、前記回転刃の一
    方側から回転刃に研削水を供給する研削水供給ノズル
    と、 前記鉛直面内に配置され、前記回転刃の他方側から切断
    中の前記ワークに向けて、前記研削水よりも高圧の洗浄
    水を供給する高圧洗浄ノズルと、が設けられていること
    を特徴とするシンギュレーション装置。
  2. 【請求項2】ワークを加工する回転刃と、該ワークを載
    置して前記回転刃に対して相対的に研削送り方向に移動
    するワークテーブルとを有し、前記回転刃でワークを個
    々のチップに切断するシンギュレーション装置におい
    て、 切断ラインを含む鉛直面内に配置され、前記回転刃の一
    方側から回転刃に研削水を供給する研削水供給ノズル
    と、 前記ワークの切断ストローク端近傍に配置され、切断後
    の前記ワークに向けて、前記研削水よりも高圧の洗浄水
    を供給して前記ワークを洗浄する高圧洗浄水供給ノズル
    と、が設けられていることを特徴とするシンギュレーシ
    ョン装置。
  3. 【請求項3】前記ワークの切断ストローク端近傍に配置
    され、切断後の前記ワークに向けて、前記研削水よりも
    高圧の洗浄水を供給して前記ワークを洗浄する高圧洗浄
    水供給ノズルが設けられていることを特徴とする請求項
    1に記載のシンギュレーション装置。
  4. 【請求項4】前記高圧洗浄ノズルは、前記高圧の洗浄水
    を扇型又は円錐型の末広がりにして供給するスプレーノ
    ズルであることを特徴とする請求項1又は請求項3に記
    載のシンギュレーション装置。
  5. 【請求項5】前記高圧洗浄ノズルの材質は、超硬合金又
    はセラミックスであることを特徴とする請求項1又は請
    求項3又は請求項4に記載のシンギュレーション装置。
  6. 【請求項6】前記高圧洗浄水供給ノズルは、前記ワーク
    の全幅に亘って前記高圧の洗浄水を供給するライン噴射
    ノズル又は噴射ノズル集合体であることを特徴とする請
    求項2又は請求項3に記載のシンギュレーション装置。
  7. 【請求項7】前記高圧洗浄水供給ノズルの材質は、超硬
    合金又はセラミックスであることを特徴とする請求項2
    又は請求項3又は請求項6に記載のシンギュレーション
    装置。
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