KR20020065742A - 반도체패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼에서 다이를 분리하는 소잉 장치의 구조를 개선하여 실리콘 더스트의 제거가 효과적으로 이루어지도록 하므로써 와이어본딩 불량등 후공정에서의 상기 실리콘 더스트로 인한 불량을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.

이를 위해, 본 발명은 웨이퍼(1)를 단위칩 별로 분리되도록 절단하는 소우휠(2)과, 상기 웨이퍼(1) 상에 이산화탄소가 혼합된 초순수를 분사하는 초순수 분사유니트와, 상기 초순수 분사유니트에 연결되는 공급라인(3)을 구비한 웨이퍼 소잉 장치에 있어서; 상기 공급라인(3) 상에, 초순수와 더불어 질소가 웨이퍼(1) 상으로 분사되도록 하기 위한 질소공급라인(4)이 추가적으로 연결됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치가 제공된다.

Description

반도체패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치{DEVICE FOR SAWING WAFER IN FABRICATION SEMICONDUCTOR PACKAGE}

본 발명은 반도체패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에서 다이를 분리하는 소잉 장치의 구조를 개선하여 실리콘 더스트의 제거가 효과적으로 이루어지도록 하므로써 와이어본딩 불량등 후공정에서의 상기 실리콘 더스트로 인한 불량을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.

일반적으로, 웨이퍼(1)에서 단위 칩(즉, 다이)을 분리하는 소잉 장치는 도 1에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(1)를 단위 칩별로 분리되도록 절단하는 소우휠(2)과,상기 웨이퍼(1) 상에 이산화탄소가 혼합된 초순수를 분사하는 초순수 분사유니트와, 상기 초순수 분사유니트에 연결되는 공급라인(3)을 구비하고 있다.

이에 따라, 웨이퍼(1) 소잉시에는 소우휠(2)의 회전에 따라 다이아몬드 재질로 된 블레이드가 웨이퍼(1)를 자르게 된다.

이 때 블레이드의 니켈, 다이아몬드 가루, 합금 및 찌꺼기가 발생하는데, 이를 실리콘 더스트라고 부르며, 상기 실리콘 더스트는 이물질로서 작용하므로 크리닝을 통해 제거해 주게 된다.

한편, 종래에는 실리콘 더스트를 제거하는 방법으로 초순수(DI water)에 이산화탄소를 섞어 분사하는 방법을 사용하였다.

상기에서, 초순수는 물에서 양이온 또는 음이온성 불순물을 제거하고, 미세먼지, 박테리아등을 제거한 완전히 순수한 물로서, 체적저항으로 순도를 측정하며 반도체 공정에서는 최소 10메가 옴(Ω)이상의 순도를 갖는 초순수가 사용된다.

단점으로는, 고저항을 갖기 때문에 정전기가 대전되기 쉽다. 따라서, 반도체조립 공정에서는 초순수에 이산화탄소 가스를 주입하여 이산화탄소가스를 이온화시키므로써 초순수의 저항을 낮추게 된다.

그러나, 이와 같은 종래에는 크리닝이 제대로 이루어지지 않아, 실리콘 더스트가 다이의 본딩패드 상에 잔류하게 될 경우, 와이어 본딩시 와이어가 본드패드에 붙는 면적이 축소되므로 인해, 미싱(missing) 와이어등이 발생하여 본딩 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.

한편, 상기한 실리콘 더스트는 완전히 제거되지 않을 경우, 상기한 와이어본딩 공정 뿐만 아니라 다른 후공정에서도 패키지 불량의 원인으로 작용하게 되는 등 여러 가지 문제점 있었다.

본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼에서 다이를 분리하는 소잉 장치의 구조를 개선하여 실리콘 더스트의 제거가 효과적으로 이루어지도록 하므로써 와이어본딩 불량등 후공정에서의 상기 실리콘 더스트로 인한 불량을 미연에 방지할 수 있도록 한 반도체 패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 개략도

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 개략도

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1:웨이퍼2:소우 휠

3:공급라인4:질소공급라인

5:레귤레이터6:역류방지용 체크밸브

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 웨이퍼를 단위칩 별로 분리되도록 절단하는 소우 휠과, 상기 웨이퍼 상에 이산화탄소가 혼합된 초순수를 분사하는 초순수 분사유니트와, 상기 초순수 분사유니트에 연결되는 공급라인을 구비한 웨이퍼 소잉 장치에 있어서; 상기 공급라인 상에, 초순수와 더불어 질소가 웨이퍼 상으로 분사되도록 하기 위한 질소공급라인이 추가적으로 연결됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치가 제공된다.

이하, 본 발명의 일실시예를 첨부도면 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 소잉 장치를 나타낸 개략도로서, 웨이퍼(1)를 단위 칩별로 분리되도록 절단하는 소우휠(2)과, 상기 웨이퍼(1) 상에 이산화탄소가 혼합된 초순수를 분사하는 초순수 분사유니트와, 상기 초순수 분사유니트에 연결되는 공급라인(3)을 구비한 웨이퍼 소잉 장치에 있어서; 상기 공급라인(3) 상에, 초순수와 더불어 질소가 웨이퍼(1) 상으로 분사되도록 하기 위한 질소공급라인(4)이 추가적으로 연결되어 구성된다.

이 때, 상기 질소공급라인(4) 상에는 공급되는 질소 압력이 일정하게 유지되도록 하는 레귤레이터(5)와, 상기 질소의 역류를 방지하는 역류방지용 체크밸브(6)가 구비된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용은 다음과 같다.

본 발명에서는 실리콘 더스트를 제거하는 방법으로 초순수(DI water)에 이산화탄소를 섞어 분사함과 더불어 질소가 섞여 분사되도록 한다.

물의 장력을 낮추는 방법으로서, 기존 이산화탄소를 포함한 초순수의 압력을 높게 만들고 질소공급라인(4)을 통해 질소를 공급하여 상기 초순수에 질소를 섞어 웨이퍼(1) 상으로 분사하면 질소가 물의 장력을 일시적으로 낮추게 된다.

이에 따라, 물의 안쪽에 포함되어 있던 실리콘 더스트는 물의 표면으로 나오게 되어, 제거가 용이하게 된다.

즉, 실리콘 더스트를 제거하는 방법으로서는 계면활성제를 쓰는 방법과, 물의 표면장력을 낮추는 두가지 방식이 있는데, 본 발명에서는 물의 표면장력을 낮추는 방식을 쓴 것이다.

이와 같이, 일정 압력을 갖는 초순수에 질소를 섞어 웨이퍼(1) 표면에 분사하므로써 물의 표면장력을 낮추는 방식은 계면활성제를 사용하는 방식의 단점인 화학작용의 잔류등의 문제가 없다.

한편, 상기에서 본 발명은 상기 질소공급라인(4) 상에는 레귤레이터(5)가 설치되어 있어 질소공급라인(4)을 통해 공급되는 질소의 압력이 일정하게 유지된다.

또한, 본 발명의 소잉 장치는, 질소공급라인(4) 상에 역류방지용 체크밸브(6)가 구비되어 있어, 질소의 역류가 방지된다.

이상에서와 같이, 본 발명은 웨이퍼에서 다이를 분리하는 소잉 장치의 구조를 개선한 것이다.

이에 따라, 본 발명은 실리콘 더스트의 제거가 효과적으로 이루어지도록 하므로써, 와이어본딩 불량등 후 공정에서의 실리콘 더스트로 인한 불량을 미연에 방지할 수 있게 되며, 이로써 패키지 제조 공정의 수율을 높일 수 있게 된다.

Claims (2)

1. 웨이퍼를 단위칩 별로 분리되도록 절단하는 소우 휠과, 상기 웨이퍼 상에 이산화탄소가 혼합된 초순수를 분사하는 초순수 분사유니트와, 상기 초순수 분사유니트에 연결되는 공급라인을 구비한 웨이퍼 소잉 장치에 있어서;

   상기 공급라인 상에, 초순수와 더불어 질소가 웨이퍼 상으로 분사되도록 하기 위한 질소공급라인이 추가적으로 연결됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 질소공급라인 상에는 공급되는 질소 압력이 일정하게 유지되도록 하는 레귤레이터와, 상기 질소의 역류를 방지하는 역류방지용 체크밸브가 구비됨을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조를 위한 웨이퍼 소잉 장치.