KR19980080075A - 레이저 마크를 갖는 웨이퍼 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
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- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
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- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/959—Mechanical polishing of wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
제안된 웨이퍼(1)는 경면광택 가공된 챔퍼 에지(2)를 가지며, 결정방위의 표시를 위한 레이저 마크는 챔퍼 에지(2)상에 각인된다. 사양, 제조번호, 아이덴티피케이션 등을 위한 또다른 레이저 마크(4)가 챔퍼 에지(2)상에 바코드로서 새겨질 수 있다. 이 마크(3,4)는 웨이퍼(1)상에 어떤 해로운 영향도 미치지 않는 레이저 마킹으로 챔퍼 에지(2)상에 새겨진다.
Description
본 발명은 결정 방위, 사양 등의 표시를 위한 레이저 마크를 가진 웨이퍼에 관한 것이다.
잉곳으로부터 잘려진 웨이퍼는 래핑, 챔퍼링 및 에칭과 같은 다양한 단계로 가공된다. 이 단계들중, 결정 방위의 표시를 위한 마크가 웨이퍼의 에지상에 새겨진다. 상기 마크는 예를 들어 웨이퍼가 벽개면을 따라서 스크라이빙될 때, 웨이퍼 세팅을 위해 이용된다.
이러한 마크는 다양한 방법으로 웨이퍼에 각인되어왔다.
오리엔테이션 플랫이 웨이퍼의 에지에 형성되는 OF방법이 가장 보편적이다. 오리엔테이션 플랫은 후속 단계에서 웨이퍼의 결정 방위를 위해 이용된다. 그러나, 오리엔테이션 플랫이 둔각으로 웨이퍼의 에지와 교차하는 상대적으로 넓은 구역에서 형성되기 때문에, 방위를 이용하는 웨이퍼를 정밀하게 정렬시키는 것은 매우 어렵다. 오리엔테이션 플랫은 또한 웨이퍼의 유효면적을 감소시킨다. 게다가 오리엔테이션 플랫은 웨이퍼의 핸들링을 위해 사용되는 정전 척의 형태를 제한하고, 웨이퍼의 스핀회전동안의 동적 균형에 해로운 영향을 야기한다.
웨이퍼의 에지상에 새겨지는 노치 또한 결정 방위의 표시를 위한 마크로 이용된다. 이 경우에는 노칭된 에지가 경면광택 가공되어서 다음의 단계에서 측정동안 노칭된 부분을 명백하게 검출하게 된다. 이러한 경면광택가공은 어렵고, 잔류응력이 필연적으로 노칭된 부분근처에 남게된다. 이러한 잔류응력을 완전히 제거하는 것은 어렵다.
결정 방위의 표시로서 유용한 레이저 마크가 최근에 제안되어왔다. 레이저 마크는 어떤 기계적인 응력을 도입하지 않고 레이저 빔의 조사로 웨이퍼의 표층을 부분용융시켜서 웨이퍼의 전면 또는 후면 상에 용이하게 각인될 수 있다. 그러나 레이저 마크는 웨이퍼의 유효면적을 감소시키고, 웨이퍼의 형상을 측정하는 동안 각인된 부분에 의해 야기되는 에러를 제거하기 위해 데이터를 조정하는 까다로운 과정을 필연적으로 요구한다.
본 발명은 웨이퍼상에 잔류가공변형 또는 열응력과 같은 해로운 영향을 미치지 않고 결정 방위, 사양 등이 용이하게 읽혀지는 웨이퍼의 제공을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼는 경면광택 가공된 챔퍼 에지를 가지며, 결정 방위의 표시를 위한 레이저 마크가 챔퍼 에지상에 각인된다. 사양, 웨이퍼 아이덴티피케이션, 로트번호 등의 표시를 위한 또다른 레이저 마크가 결정 방위의 표시를 위한 레이저 마크에 더하여 챔퍼 에지상에 바코드로서 각인될 수 있다.
도 1은 결정 방위의 표시를 위한 마크 및 웨이퍼의 아이덴티피케이션(identification)을 위한 마크가 레이저 마킹으로 각인되는 챔퍼 에지가 있는 웨이퍼를 도시하는 조감도와 부분확대도이다.
웨이퍼(1)는 경면광택 가공된 챔퍼 에지(2)를 가진다. 결정 방위의 표시를 위한 마크(3)와 임의로 웨이퍼의 아이덴티피케이션을 위한 마크(4)가 챔퍼 에지(2)상에 각인된다. 마크(3,4)는 하드 또는 소프트 레이저 마킹으로 챔퍼 에지(2)상에 200-500㎛ 깊이로 새겨질 수 있다. 바코드가 마크(4)로서 각인될 때, 각 파인 라인은 바람직하게는 10-100㎛ 폭의 범위 내에서 조절된다.
고출력 에너지빔을 사용하는 하드 레이저 마킹이 챔퍼링된 후의 에지(2)상에 마크(3,4)를 각인한 후 각인된 에지(2)는 경면광택 가공된다. 이 경우에 마크(3,4)는 대략 10㎛ 이상의 깊이로 광택가공된 에지(2)상에 남는다.
저출력 에너지빔을 사용하는 소프트 레이저 마킹은 마크(3,4)를 광택가공된 에지(2)상에 각인한다. 이 경우에 마크(3,4)는 대략 3㎛ 이하의 깊이로 에지상에 남는다.
마크(4)로서 바코드가 적용될 때, 웨이퍼의 히스테리시스 관리를 위해 필요한 다양한 정보, 예를 들어 아이덴티피케이션, 그레이드, 오퍼레이션 넘버 및 유저 데이터가 챔퍼 에지(2)에 기록될 수 있다. 웨이퍼의 아이덴티피케이션을 위한 마크(4)는 바람직하게는 결정 방위의 표시를 위한 마크(3)로부터 2-10mm 떨어진 위치에 챔퍼 에지(2)상에 각인되어 마크(3)와 마크(4)가 구별된다.
웨이퍼(1)가 팁으로 분할될 때 챔퍼 에지(2)가 웨이퍼(1)로부터 제거되기 때문에, 웨이퍼(1)의 유효면적은 각인으로 감소되지 않는다. 챔퍼 에지(2)에 마크(3,4)를 새기기 위한 레이저 마킹은 웨이퍼(1)에 단지 매우 작은 열을 투입하기 때문에 웨이퍼에 어떤 해로운 영향도 미치지 않는다.
웨이퍼(1)의 형상이 용량성 감지법 또는 광학센서를 사용하여 측정될 때, 레이저 마크(3,4)는 웨이퍼(1)의 전면 또는 후면 상에 존재하지 않기 때문에, 각인된 부분의 울퉁불퉁함에 의해 야기되는 에러는 측정 데이터에 포함되지 않는다. 따라서 얻어진 데이터는 마크(3,4)에 의해 야기되는 결과를 제거하기 위한 까다로운 과정이 필요 없이 웨이퍼(1)의 형상을 정확히 측정하기 위해 유용하다.
챔퍼 에지(2)상에 각인된 마크(3,4)는 육안 또는 시판되는 옵티컬 리더로 읽을 수 있다. 마크(3,4)로 표시되는 데이터는 마크(3,4)가 각인된 챔퍼 에지(2)가 경면광택 가공되기 때문에 명백하고 정확하게 읽을 수 있다. 웨이퍼(1)의 형상 측정에서, 각인된 부분의 울퉁불퉁함에 의해 야기된 에러는 측정 데이터로부터 배제되어 각인된 부분에 의해 야기된 결과를 제거하기 위한 까다로운 과정의 생략을 가능하게 한다.
판독하여 얻어진 데이터는 웨이퍼의 품질관리, 생산 관리, 출하, 입하 또는 후속 디바이스제조 단계의 공정과 같은 다양한 목적을 위해 이용된다.
따라서, 웨이퍼의 전면 및 후면에 어떤 해로운 영향도 미치지 않고 필요 데이터를 레이저 마킹으로 웨이퍼에 기록할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼는 경면광택 가공된 챔퍼 에지를 가지며, 결정 방위의 표시를 위한 마크와 임의로 웨이퍼의 아이덴티피케이션을 위한 마크가 에지상에 각인된다. 웨이퍼가 팁으로 분할될 때 챔퍼 에지가 제거되므로, 웨이퍼의 유효면적은 전혀 감소하지 않는다. 웨이퍼의 형태를 측정하는 경우, 측정 결과로부터 각인된 부분에 의해 야기된 결점을 제거하기 위한 까다로운 과정을 생략하는 것이 가능하다. 게다가 마크는 종래의 OF법 또는 노치법에서 피할 수 없는 잔류가공변형 또는 열응력과 같은 해로운 영향 없이 웨이퍼의 챔퍼 에지상에 각인된다. 따라서 각인된 웨이퍼는 우수한 결정학적 특성을 유지하고 핸들링 및 작동성에서 개선된다.
Claims (3)
- 경면광택 가공된 챔퍼 에지를 가지며 챔퍼 에지에 결정 방위의 표시를 위한 적어도 한 개의 레이저 마크가 새겨지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
- 경면광택 가공된 챔퍼 에지를 가지며 챔퍼 에지에 결정 방위의 표시를 위한 레이저 마크와 아이덴티피케이션의 표시를 위한 또다른 레이저 마크가 새겨지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
- 제 2 항에 있어서, 아이덴티피케이션의 표시를 위한 레이저 마크는 결정 방위의 표시를 위한 마크가 새겨진 위치로부터 떨어진 위치에서 챔퍼 에지상에 각인되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP97-055994 | 1997-03-11 | ||
JP9055994A JPH10256105A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | レーザマークを付けたウェーハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980080075A true KR19980080075A (ko) | 1998-11-25 |
Family
ID=13014646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980007868A KR19980080075A (ko) | 1997-03-11 | 1998-03-10 | 레이저 마크를 갖는 웨이퍼 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6004405A (ko) |
JP (1) | JPH10256105A (ko) |
KR (1) | KR19980080075A (ko) |
DE (1) | DE19810545A1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1997
- 1997-03-11 JP JP9055994A patent/JPH10256105A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-09 US US09/036,875 patent/US6004405A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-10 KR KR1019980007868A patent/KR19980080075A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-03-11 DE DE19810545A patent/DE19810545A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19810545A1 (de) | 1998-09-17 |
JPH10256105A (ja) | 1998-09-25 |
US6004405A (en) | 1999-12-21 |
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A201 | Request for examination | ||
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E601 | Decision to refuse application | ||
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J801 | Dismissal of trial |
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