CN116487366A - 一种硅片研磨去除量测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及晶圆制造领域，公开了一种硅片研磨去除量的测量方法。本发明中所提供硅片研磨去除量的测量方法，包括如下步骤：在硅片的上表面和下表面分别凹雕标识符号；使用显微镜测量硅片上表面和下表面标识符号的实际深度；对硅片进行双面研磨；研磨过程中抽查测量上表面和下表面的标识符号深度；根据研磨过程中硅片上表面和下表面标识符号的深度变化计算硅片上表面和下表面的研磨去除量，以便根据上表面和下表面研磨去除量的差异，调整研磨工艺参数，保证最终硅片上表面和下表面研磨去除量的一致性，有效地去除损伤层，保证硅片的质量，减少报废，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆制造领域，特别涉及一种硅片研磨去除量测量方法。
背景技术
在晶圆制作过程中，切片成型后的硅片上下表面会有线痕，需要对硅片进行上下表面的研磨去除线痕缺陷，由于对于硅片研磨的总去除量厚度有一定的要求，需尽量保证上下面研磨去除量保持一致，才能在保证硅片厚度的情况下，确保上下面的线痕缺陷能够去除。以现在的8寸半导体硅片为例，常规硅片的来料为835μm，研磨后的厚度则为770μm左右，在切片后硅片的线痕深度在27μm左右，如果上下去除量不能大于27μm，会造成不良及成本的损失，产品的报废。
现有技术中，对于半导体硅片上下面研磨的去除量无法做到同步，上下表面去除量厚度不等，存在不能有效去除在切片工序时所造成的损伤层的风险，需要找出一种方法，能够有效地测量管控硅片上下面的研磨去除量，使硅片上下面的研磨去除量保持一致，有效地保证硅片上下面的损伤层能够有效去除。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅片研磨去除量测量方法，使得研磨过程中硅片上表面和下表面的研磨去除量能够精准地进行测量和计算，以便能够根据硅片上下表面研磨去除量的差异对比，来调整研磨的工艺参数，使硅片上表面和下表面的研磨去除量保持一致。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种硅片研磨去除量测量方法，包含：
一种硅片研磨去除量的测量方法，包括如下步骤：
在硅片的上表面和下表面分别凹雕标识符号；
测量硅片上表面和下表面标识符号的实际深度；
对硅片进行双面研磨；
抽查测量研磨过程中硅片上表面和下表面的标识符号深度；
根据研磨过程中硅片上表面和下表面标识符号的深度变化计算硅片上表面和下表面的研磨去除量。
进一步，所述标识符号是形状图形。
进一步，所述标识符号位于硅片的边缘部。
进一步，所述标识符号的深度为40-80微米。
进一步，所述标识符号的深度测量工具为显微镜。
进一步，所述硅片上表面的研磨去除量等于硅片上表面标识符号的实际深度减去研磨过程中硅片上表面标识符号的深度，所述硅片下表面的研磨去除量等于硅片下表面标识符号的实际深度减去研磨过程中硅片下表面标识符号的深度。
本发明所提供的硅片研磨去除量的测量方法，通过在硅片的上表面和下表面增加标识符号的形式，使用显微镜能够方便、准确地测量出硅片研磨过程中，硅片上表面和下表面的研磨去除量，以便根据上下表面研磨去除量的差异，调整研磨工艺参数，保证最终硅片上表面和下表面研磨去除量的一致性，有效地去除损伤层，保证硅片的质量，减少报废，降低成本。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是本发明实施例中硅片结构示意图；
附图标记：1、硅片；11，12、标识符号；13、上表面；14、下表面。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
如图1所示，晶圆柱经线切割设备进行切片工序后，因工艺限制，不可避免地在硅片1的两个表面留有线痕，形成损伤层，因此，需要对切片后的硅片1进行表面研磨，硅片1的两个表面分别为上表面13和下表面14，首先，在上表面13以凹雕的形式，激光雕刻标识符号11，在下表面14以凹雕的形式，激光雕刻标识符号12，所述标识符号可以是任意字符，如数字，字母，形状图形等，优选为形状图形，所述标识符号优选设置在硅片的边缘位置，雕刻深度设定为40至80微米，优选设定为60微米，然后，对雕刻的标识符号11和12的实际深度进行测量，可以使用普通的光学显微镜观测聚焦的方式，对标识符号11和12底部及顶部分别聚焦，通过调焦距离的变化来计算标识符号11和12的深度，优选的可以使用激光扫描显微镜对标识符号11和12的雕刻深度进行测量；其次，使用双面研磨设备对带有标识符号的硅片进行双面研磨，研磨过程中，定时抽查，检查研磨的进度，检查方法如下，对研磨阶段的硅片使用显微镜观察测量标识符号11的深度，使用研磨前的标识符号11深度减去研磨过程中硅片的标识符号11深度，可以计算得出与标识符号11对应的上表面13研磨去除量的厚度，再对研磨过程中硅片使用显微镜观察测量标识符号12的深度，使用研磨前的标识符号12深度减去研磨过程中的硅片的标识符号12深度，可以计算得出与标识符号12对应的下表面14研磨去除量的厚度；当测量计算得出，上表面13和下表面14的研磨去除量厚度不一致时，则需要根据实际差异，通过调整硅片研磨设备上定盘压力及设备转速等工艺参数，使硅片两个表面的最终研磨去除量保持一致，保证硅片两个表面的残留线痕造成的损伤层能够彻底清除，保证研磨的质量。
本发明所提供的硅片研磨去除量测量方法，通过在硅片表面增加标识符号的方式，使用显微镜测量的方式，能够对硅片表面研磨工序中上下表面去除量的厚度进行准确的测量，依据测量结果，及时调整硅片研磨工艺参数，使得作业人员能够简单有效地把控硅片上下表面研磨去除量，保证硅片在表面研磨工序中，上下表面的研磨去除量保持一致，有效地去除硅片上下表面的损伤层，保证硅片的质量，减少报废数量，降低成本。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (6)
1.一种硅片研磨去除量的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
在硅片的上表面和下表面分别凹雕标识符号；
测量硅片上表面和下表面标识符号的实际深度；
对硅片进行双面研磨；
抽查测量研磨过程中硅片上表面和下表面的标识符号深度；
根据研磨过程中硅片上表面和下表面标识符号的深度变化计算硅片上表面和下表面的研磨去除量。
2.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量的测量方法，其特征在于，所述标识符号是形状图形。
3.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量的测量方法，其特征在于，所述标识符号位于硅片的边缘部。
4.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量的测量方法，其特征在于，包括：所述标识符号的深度为40-80微米。
5.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量的测量方法，其特征在于，所述标识符号的深度测量工具为显微镜。
6.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量的测量方法，其特征在于，所述硅片上表面的研磨去除量等于硅片上表面标识符号的实际深度减去研磨过程中硅片上表面标识符号的深度，所述硅片下表面的研磨去除量等于硅片下表面标识符号的实际深度减去研磨过程中硅片下表面标识符号的深度。
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2023
- 2023-03-20 CN CN202310271841.5A patent/CN116487366A/zh active Pending
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