JP2003017444A

JP2003017444A - 半導体ウェーハの加工取り代の測定方法およびその装置

Info

Publication number: JP2003017444A
Application number: JP2001198656A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Wakahara; 浩若原; Tsutomu Kimoto; 勉木本; Takahiro Ikeuchi; 隆啓池内
Original assignee: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの加工取り代を高精度に管理
する半導体ウェーハの加工取り代の測定方法およびその
装置を提供する。【解決手段】シリコンウェーハＷの面取り部に、深さ
測定用のスケール穴Ｓ１，Ｓ２を形成し、その後、シリ
コンウェーハＷの面取り部に所定の加工を施す。そし
て、この加工の前後において、シリコンウェーハＷのス
ケール穴Ｓ１，Ｓ２の深さを測定する。次いで、この深
さの差から、その加工の取り代を算出する。これによ
り、従来では困難とされていたシリコンウェーハＷの高
精度な加工取り代の管理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
加工取り代の測定方法およびその装置、詳しくは半導体
ウェーハの加工取り代を高精度に管理する半導体ウェー
ハの加工取り代の測定方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の標準的な半導体ウェーハの加工プ
ロセスの一例を、図４を参照して説明する。図４は、従
来手段に係る半導体ウェーハの製造方法を示すフローシ
ートである。まず、スライス工程（Ｓ４０１）では、ブ
ロック切断後のインゴットをスライスし、シリコンウェ
ーハを得る。次いで、面取り工程（Ｓ４０２）では、シ
リコンウェーハの外周部に面取りを施す。ここでは、＃
８００の砥粒を結合材によって結合した粗面取り砥石を
使用し、１００μｍ程度の加工取り代となるように研削
した後、＃１５００の砥粒を結合材によって結合した仕
上げ面取り砥石を使用し、１０μｍ程度の加工取り代と
なるように研削する。続くラップ工程（Ｓ４０３）で
は、ラップ盤により、シリコンウェーハの表裏両面をラ
ッピングする。ここでは、通常、片面で２０〜５０μ
ｍ、両面で４０〜１００μｍ程度がラッピングされる。

【０００３】その後、シリコンウェーハを、所定のエッ
チング液（混酸またはアルカリ＋混酸）に浸漬し、ラッ
プ時のひずみ、面取り時のひずみなどを除去する（Ｓ４
０４）。その場合、通常、片面で２０μｍ、両面で４０
μｍをエッチングする。それから、シリコンウェーハの
外周面およびノッチ部にテープ面取りが施される（Ｓ４
０５）。すなわち、固定砥粒が表面に付着したテープを
所定の緊張状態でウェーハ外周面およびノッチ部に押し
つける。そして、純水を流しながらテープを揺動させ、
これらのウェーハ外周部およびノッチ部を面取りする。
次のＰＣＲ（ＰｏｌｉｓｈｉｎｇＣｏｒｎｅｒＲｏ
ｕｎｄｉｎｇ）工程（Ｓ４０６）では、シリコンウェー
ハの表裏両面をチャックに吸着した状態で、ウェーハ外
周部にＰＣＲ加工を施す。ＰＣＲ加工では、面取り面が
スラリーと研磨布により鏡面仕上げされる。ここでの加
工取り代は、通常、片面で１．０〜３．０μｍ、両面で
２．０〜６．０μｍである。

【０００４】続く１次研磨工程（Ｓ４０７）では、両面
研磨装置を使用し、シリコンウェーハの表裏両面を１〜
５μｍ研磨する。こうして、エッチング後のシリコンウ
ェーハの歪みを除去したり、ＰＣＲ加工で発生したシリ
コンウェーハの吸着面のあれなどが除去される。次の仕
上げ研磨工程（Ｓ４０８）では、ＰＣＲ加工時の吸着・
保持面が、１μｍ以下の研磨量で仕上げ研磨される。そ
の後、最終洗浄（Ｓ４０９）および検査が施されて、受
注先のデバイスメーカーなどへ出荷される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記シリコ
ンウェーハの面取り工程（Ｓ４０２）、ＰＣＲ工程（Ｓ
４０６）では、例えば砲弾形などに、シリコンウェーハ
の外周部が面取りされている。この面取り面には、面取
り時、ウェーハ中心線を中心として周方向へ延びた多数
本のスジ（研削条痕）が発生していた。また、ピットも
発生していた。これらのスジ不良、ピット不良の発生の
メカニズムを究明するには、面取り部の面状態と、加工
取り代との調査が不可欠である。しかしながら、従来に
あっては、レーザ顕微鏡を使って面取り部の面状態を検
査する技術が知られているだけで、面取り部の取り代を
正確に測定する技術は開発されていなかった。

【０００６】そこで、発明者は、長期にわたる鋭意研究
の結果、ウェーハ面取り部に、底面を有する深さ測定用
のスケール穴を形成し、このスケール穴の面取り加工の
前後の深さの差またはＰＣＲ加工の加工前後の深さの差
から、その際の加工取り代を正確に求めることができる
ことを知見し、この発明を完成させた。

【０００７】

【発明の目的】この発明は、半導体ウェーハの加工取り
代を高精度に管理することができる半導体ウェーハの加
工取り代の測定方法およびその装置を提供することを、
その目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体ウェーハの被加工取り代部に、底面を有する
深さ測定用のスケール穴を形成する工程と、加工前のこ
のスケール穴の深さを測定する工程と、加工取り代が発
生する加工を半導体ウェーハに施す工程と、加工後の上
記スケール穴の深さを測定する工程と、上記加工前のス
ケール穴の深さから上記加工後のスケール穴の深さを減
算して上記加工取り代を求める工程とを備えた半導体ウ
ェーハの加工取り代の測定方法である。

【０００９】半導体ウェーハとしては、シリコンウェー
ハ，ガリウム砒素ウェーハなどがある。被加工取り代部
としては、半導体ウェーハの平坦な表面部、裏面部だけ
でなく、傾斜面を有する面取り部などが挙げられる。こ
のスケール穴は、半導体ウェーハの被加工取り代部を貫
通しない深さの穴である。スケール穴は、半導体ウェー
ハの平坦な表面部だけに形成してもよいし、このウェー
ハの裏面部だけに形成してもよい。さらに、このウェー
ハの表面部と裏面部との両方に形成してもよい。そし
て、この半導体ウェーハの面取り部に形成してもよい。
スケール穴の直径は限定されない。例えば、５０〜２０
０μｍである。スケール穴の深さは限定されない。例え
ば、５０〜２００μｍである。スケール穴の形成数も限
定されない。被加工取り代部に１つ形成してもよいし、
複数形成してもよい。

【００１０】スケール穴の深さを測定する測定機器も限
定されない。例えば、レーザ顕微鏡などが挙げられる。
半導体ウェーハの外周部の斜面に形成されたスケール穴
の深さの測定は、通常、スケール穴の中心線上での測定
となる。ただし、これには限定されない。加工取り代を
伴う半導体ウェーハの加工（除去加工）の種類は限定さ
れない。半導体ウェーハの表面と、半導体ウェーハの裏
面と、半導体ウェーハの外周面とに施されるさまざまな
加工が挙げられる。例えば、面取り、ラッピング、エッ
チング（ただし、スケール穴の底部に影響を与えないこ
と）、研削、ＰＣＲ加工、研磨などが挙げられる。

【００１１】請求項２に記載の発明は、上記スケール穴
が、半導体ウェーハの面取り部の斜面およびまたは先端
面に形成された請求項１に記載の半導体ウェーハの加工
取り代の測定方法である。面取り部の斜面は、半導体ウ
ェーハの表面側の斜面だけでもよいし、裏面側の斜面だ
けでもよい。また、表面側の斜面および裏面側の斜面の
両方でもよい。スケール穴は、半導体ウェーハの面取り
部の斜面だけに形成してもよいし、この半導体ウェーハ
の面取り部の先端面だけに形成してもよい。さらには、
半導体ウェーハの面取り部の斜面と先端面との両方に、
それぞれスケール穴を形成してもよい。

【００１２】請求項３に記載の発明は、上記スケール穴
が、レーザマーキングにより形成された請求項１または
請求項２に記載の半導体ウェーハの加工取り代の測定方
法である。レーザマーキングの種類は限定されない。浅
い穴が形成されるソフトレーザマーキング（マークの深
さ０．１〜５μｍ）でもよいし、深い穴が形成されるハ
ードレーザマーキング（マーク深さ５〜２００μｍ）で
もよい。通常、被加工取り代部の加工を施しても穴の消
失が起きにくいハードレーザマーキングとなる。また、
レーザマーキング時のレーザ光線のビーム径、出力、照
射時間などの各種の条件は、周知のレーザマーキング
（ソフトレーザマークまたはハードレーザマーク）と同
じである。使用されるレーザ光線も限定されない。例え
ば、レーザ加工用のＴＥＡＣＯ₂ レーザ、Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｘ線レーザなどが挙げら
れる。

【００１３】請求項４に記載の発明は、半導体ウェーハ
の被加工取り代部に、底面を有する深さ測定用のスケー
ル穴を形成するスケール穴形成手段と、上記半導体ウェ
ーハに、加工取り代の発生を伴う加工を施すウェーハ加
工手段と、加工前の上記スケール穴の深さおよび加工後
のこのスケール穴の深さを測定する深さ測定手段とを備
え、上記加工前のスケール穴の深さから上記加工後のス
ケール穴の深さを減算して上記加工取り代を求める半導
体ウェーハの加工取り代の測定装置である。スケール穴
形成手段は限定されない。例えば、レーザマーカーなど
が採用される。ウェーハ加工手段は限定されない。例え
ば、面取り装置、ラッピング装置、エッチング装置、研
削装置、ＰＣＲ装置および研磨装置などが挙げられる。

【００１４】請求項５に記載の発明は、上記スケール穴
形成手段が、半導体ウェーハの被加工取り代部をレーザ
マーキングするレーザマーカーである請求項４に記載の
半導体ウェーハの加工取り代の測定装置である。レーザ
マーカーは、浅い穴を形成するソフトレーザマーカーで
もよいし、深い穴を形成するハードレーザマーカーでも
よい。通常は、ハードレーザマーカーとなる。

【００１５】請求項６に記載の発明は、上記深さ測定手
段がレーザ顕微鏡である請求項４または請求項５に記載
の半導体ウェーハの加工取り代の測定装置である。

【００１６】

【作用】この発明によれば、例えば半導体ウェーハの外
周部（面取り部）などの半導体ウェーハの露出した部分
に、深さ測定用のスケール穴を形成し、その後、半導体
ウェーハの露出した部分に所定の加工を施す。そして、
この加工の前後において、半導体ウェーハのスケール穴
の深さを測定する。次いで、この深さの差から、加工取
り代を算出する。これにより、従来にあっては困難とさ
れていた半導体ウェーハの加工取り代を高精度に管理す
ることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１は、この発明の一実施例に係る
半導体ウェーハの加工取り代の測定方法を示すフローシ
ートである。図２（ａ）は、この発明の一実施例に係る
半導体ウェーハの加工取り代の測定装置に組み込まれた
レーザマーカーの使用状態を示す断面図である。図２
（ｂ）は、この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの
加工取り代の測定装置に組み込まれたレーザ顕微鏡の使
用状態を示す断面図である。図３（ａ）は、この発明の
一実施例に係る半導体ウェーハの加工取り代の測定方法
におけるウェーハ表裏面部の加工取り代の求め方を示す
断面図である。図３（ｂ）は、この発明の一実施例に係
る半導体ウェーハの加工取り代の測定方法におけるウェ
ーハ面取り部の加工取り代の求め方を示す断面図であ
る。

【００１８】図１に示すように、この実施例にあって
は、スライス、面取り、レーザマーキング、第１のスケ
ール穴の深さ測定、ラップ、第２のスケール穴の深さ測
定（ラップ取り代の算出）、エッチング、第３のスケー
ル穴の深さ測定、テープ面取り、第４のスケール穴の深
さ測定、ＰＣＲ、第５のスケール穴の深さ測定、１次研
磨、仕上げ研磨、洗浄の各工程を経て、表面が鏡面仕上
げされた半導体ウェーハが作製される。以下、各工程を
詳細に説明する。

【００１９】ＣＺ法により引き上げられたシリコンイン
ゴットは、スライス工程（Ｓ１０１）で、ノッチ付きの
厚さ８６０μｍ程度の８インチのシリコンウェーハにス
ライスされる。ここでは、市販のスライス装置が用いら
れる。次に、このスライスドウェーハＷは、続く面取り
工程（Ｓ１０２）で、その外周部に面取り砥石が押し付
けられ、所定の形状に面取りされる（図２参照）。ここ
では、市販の面取り装置が採用される。面取り砥石は、
粗面取り用の＃８００のメタルボンド円柱砥石と、仕上
げ用の＃１５００のメタルボンド円柱砥石とを有し、各
外周面が研削作用面となっている。シリコンウェーハＷ
および面取り砥石を、所定の回転速度でそれぞれ回転さ
せて面取りする。面取り量は、それぞれウェーハ半径方
向の内側へ向かって粗面取りが１００μｍ程度、仕上げ
面取りが数１０μｍ程度である。これにより、シリコン
ウェーハＷの外周部は、所定の丸みを帯びた形状（例え
ばＭＯＳ型の面取り形状）に加工される。

【００２０】その後、図２（ａ）に示すように、シリコ
ンウェーハＷの表面部の面取り部付近（ノッチ部を含
む）と、シリコンウェーハＷの面取り部の斜面（ノッチ
部を含む）とに、それぞれレーザマーカー（スケール穴
形成手段）１０により周知の条件でハードレーザマーキ
ングが施される（Ｓ１０３）。ここでは、市販のレーザ
マーカーが採用されている。これにより、ウェーハ面取
り部の斜面に、底面を有するスケール穴Ｓ１が形成され
る一方、ウェーハ表面部の面取り部付近に、同じく底面
を有するスケール穴Ｓ２が形成される。各スケール穴Ｓ
１，Ｓ２のサイズは、それぞれ直径５０μｍ、深さ１４
０μｍである。このように、各スケール穴Ｓ１，Ｓ２
は、ウェーハ面取り部の斜面またはウェーハ表面部の面
取り部付近に形成されている。そのため、スケール穴Ｓ
１，Ｓ２が、ウェーハ表面のデバイス形成領域を狭める
おそれはほとんどない。次いで、レーザ顕微鏡（深さ測
定手段）１１により、各スケール穴Ｓ１，Ｓ２の深さを
測定する（Ｓ１０４、第１のスケール穴の深さ測定）。
具体的なレーザ顕微鏡１１としては、ＫＥＹＥＮＣＥ社
製の「超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００」が採用さ
れている。スケール穴Ｓ１の深さの測定時には、スケー
ル穴Ｓ１の中心線上での深さを測定する。これらの測定
結果が、各スケール穴Ｓ１，Ｓ２の測定基準値となる。

【００２１】次に、シリコンウェーハＷにラッピングを
施し、シリコンウェーハＷの表裏両面の平行度を高める
（Ｓ１０５）。このラッピング工程は、シリコンウェー
ハＷを互いに平行なラップ定盤間に配置し、その後、こ
のラップ定盤間に、アルミナ砥粒と分散剤と水の混合物
であるラップ液を流し込む。そして、加圧下で回転・摺
り合わせを行うことで、シリコンウェーハＷの表裏両面
を機械的にラッピングする。ラッピング装置には、市販
のものを使用する。また、ここでのラッピングは、ウェ
ーハ面取り部の斜面のスケール穴Ｓ１の底部に影響を及
ぼさない加工とする。

【００２２】次に、ラッピング後のラップドウェーハＷ
のスケール穴Ｓ２の深さを、上記レーザ顕微鏡により測
定し（第２のスケール穴の深さ測定）、正確なシリコン
ウェーハＷのラップ量を算出する（Ｓ１０６）。図３
（ｂ）に示すように、加工前のスケール穴Ｓ２の深さを
ｈ３、加工後のスケール穴Ｓ２の深さをｈ４とすると、
そのラップ量は（ｈ３−ｈ４）の数式から簡単に求めら
れる。続いて、仕上げ面取りされたシリコンウェーハＷ
をエッチングする（Ｓ１０７）。具体的には、フッ酸と
硝酸とを混合した混酸液（常温〜５０℃）中に、シリコ
ンウェーハＷを所定時間だけ浸漬する。エッチング装置
としては、東京マイクロテック社製の「エッチングマシ
ン」が採用される。エッチング後、ステップ１０４と同
様に、各スケール穴Ｓ１，Ｓ２の深さを測定する（Ｓ１
０８、第３のスケール穴の深さ測定）。エッチングで
は、各スケール穴Ｓ１，Ｓ２の全体がエッチングされる
ので、加工取り代は算出できない。そのため、ここでの
測定結果（ノッチ部を含む）が、各スケール穴Ｓ１，Ｓ
２の再基準値となる。

【００２３】それから、シリコンウェーハＷのウェーハ
外周部およびノッチ部をテープ面取りが施される（Ｓ１
０９）。すなわち、固定砥粒が表面に付着したテープを
所定の緊張状態でウェーハ外周部およびノッチ部に押し
つける。なお、ノッチ部では、それ以外の外周部に使用
するテープに比較して幅の狭いテープを使用する。そし
て、純水を流しながらこのテープを揺動させ、このウェ
ーハ外周部およびノッチ部を面取りする。市販のテープ
面取り装置を使用する。次に、ステップＳ１０４と同様
の作業により、テープ面取り後のノッチ部の斜面に形成
されたスケール穴Ｓ１の深さを、上記レーザ顕微鏡によ
り測定し（第４のスケール穴の深さ測定）、正確なテー
プ面取り量を算出する（Ｓ１１０）。図３（ａ）に示す
ように、加工前のスケール穴Ｓ１の深さをｈ１、加工後
のスケール穴Ｓ１の深さをｈ２とすると、そのラップ量
は（ｈ１−ｈ２）の数式から簡単に求められる。

【００２４】そして、テープ面取り後のシリコンウェー
ハＷの外周部（ノッチ部を含む）をＰＣＲ加工する（Ｓ
１１１）。この加工には、市販の装置が用いられる。す
なわち、ここでは円筒形状のウレタンバフをモータ回転
させる装置が採用されている。モータによりウレタンバ
フを回転し、この回転中のバフ外周面にシリコンウェー
ハＷの外周面を接触させ、接触点にはスラリーを供給す
る。これにより、ウェーハ外周面が鏡面仕上げされる。
その際、シリコンウェーハＷは、保持板にその片面だけ
が吸着・保持されている。シリコンウェーハＷは、この
保持板にホースなどを介して外部接続される負圧発生装
置により吸引される。さらに、ＰＣＲ加工されたウェー
ハ面取り部の斜面に形成されたスケール穴Ｓ１の深さを
レーザ顕微鏡により測定し（第４のスケール穴の深さ測
定）、加工前のスケール穴Ｓ１の深さと加工後のスケー
ル穴Ｓ１の深さとの差から、正確なＰＣＲ加工の取り代
を算出する（Ｓ１１２）。

【００２５】続く１次研磨工程（Ｓ１１３）では、両面
研磨装置または片面研磨装置を使用し、シリコンウェー
ハＷの表裏両面を１〜５μｍ研磨する。こうして、エッ
チング後のシリコンウェーハＷの歪みを除去したり、Ｐ
ＣＲ加工で発生したシリコンウェーハＷの吸着面のあれ
などが除去される。その後の仕上げ研磨工程（Ｓ１１
４）では、ＰＣＲ加工時の吸着・保持面が、１μｍ以下
の研磨量で仕上げ研磨される。その後、最終洗浄（Ｓ１
１５）および検査が施されて、受注先のデバイスメーカ
ーなどへ出荷される。このように、あらかじめシリコン
ウェーハＷの面取り部の斜面にスケール穴Ｓ１を形成す
る一方、このウェーハ表面部の面取り部付近にスケール
穴Ｓ２を形成し、その後、所定のウェーハ加工の前後に
おける各スケール穴Ｓ１，Ｓ２の深さの差をそれぞれ算
出するようにしたので、従来では困難とされたシリコン
ウェーハＷの面取り部の斜面を含む、シリコンウェーハ
Ｗの各加工取り代を高精度に管理することができる。

【００２６】なお、面取り工程（Ｓ１０２）の前に、あ
らかじめシリコンウェーハＷの面取り部の先端面に、軸
線がウェーハ半径方向へ向かったスケール穴Ｓ３（図２
中の二点鎖線）を形成し、このスケール穴Ｓ３を形成す
る前後における穴の深さを測定し、その深さの差を求め
れば、面取り工程におけるウェーハ半径方向の加工取り
代を高精度に管理することもできる。また、あらかじめ
加工取り代を予測し、この予測された加工取り代と同じ
深さのスケール穴を形成し、スケール穴が消滅した時点
で加工を終えれば、スケール穴が存在しない製品を出荷
することができる。

【００２７】ここで、実際に、上記各装置および各測定
機器を用いて、シリコンウェーハＷの外周部に形成され
たスケール穴Ｓ１，Ｓ２について、各加工取り代（(1)
ラップ量、(2) テープ面取り量（ノッチ部）、(3) ＰＣ
Ｒ加工量）の算出結果を報告する。 (1) ラップ量ラップ前のスケール穴Ｓ１の深さ１４１．１μｍ、ラッ
プ後のスケール穴Ｓ１の深さ１４０．３μｍ（スケール穴Ｓ１のラップ量）１４１．１−１４０．
３＝０．８μｍラップ前のスケール穴Ｓ２の深さ１４１．１μｍ、ラッ
プ後のスケール穴Ｓ２の深さ１４０．３μｍ（スケール穴Ｓ２のラップ量）１４１．１−１４０．
３＝０．８μｍ

【００２８】(2) テープ面取り量テープ面取り前のスケール穴Ｓ１の深さ１２３．２μ
ｍ、テープ面取り後のスケール穴Ｓ１の深さ１１２．５
μｍ（スケール穴Ｓ１のテープ面取り量）１２３．２−１
１２．５＝１０．７μｍテープ面取り前のスケール穴Ｓ
２の深さ１０５．４μｍ、テープ面取り後のスケール穴
Ｓ２の深さ９０．２μｍ（スケール穴Ｓ２のテープ面取り量）１０５．４−９
０．２＝１５．２μｍ

【００２９】(3) ＰＣＲ加工量ＰＣＲ加工前のスケール穴Ｓ１の深さ１１２．５μｍ、
ＰＣＲ加工後のスケール穴Ｓ１の深さ１１２．４μｍ（スケール穴Ｓ１のＰＣＲ加工量）１１２．５−１１
２．４＝０．１μｍＰＣＲ加工前のスケール穴Ｓ２の深さ９０．２μｍ、Ｐ
ＣＲ加工後のスケール穴Ｓ２の深さ８６．５μｍ（スケール穴Ｓ２のＰＣＲ加工量）９０．２−８６．
５＝３．７μｍこのように、スケール穴Ｓ１，Ｓ２を利用して正確な加
工取り代を求めることができる。

【００３０】

【発明の効果】この発明によれば、半導体ウェーハに所
定の加工を施す前後に、あらかじめ半導体ウェーハの被
加工取り代部に形成されたスケール穴の深さを測定し、
その加工前後での深さの差から加工取り代を求めるの
で、従来にあっては困難とされていた半導体ウェーハの
加工取り代を高精度に管理することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの加
工取り代の測定方法を示すフローシートである。

【図２】（ａ）は、この発明の一実施例に係る半導体ウ
ェーハの加工取り代の測定装置に組み込まれたレーザマ
ーカーの使用状態を示す断面図である。（ｂ）は、この
発明の一実施例に係る半導体ウェーハの加工取り代の測
定装置に組み込まれたレーザ顕微鏡の使用状態を示す断
面図である。

【図３】（ａ）は、この発明の一実施例に係る半導体ウ
ェーハの加工取り代の測定方法におけるウェーハ表裏面
部の加工取り代の求め方を示す断面図である。（ｂ）
は、この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの加工取
り代の測定方法におけるウェーハ面取り部の加工取り代
の求め方を示す断面図である。

【図４】従来手段に係る半導体ウェーハの製造方法を示
すフローシートである。

【符号の説明】

１０レーザマーカー（スケール穴形成手段）、１１レーザ顕微鏡（深さ測定手段）、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３スケール穴、Ｗシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池内隆啓東京都千代田区大手町１丁目５番１号三菱マテリアルシリコン株式会社内Ｆターム(参考） 3C034 BB93 CA01 CB01 DD01 DD10 3C049 AA02 AC02 BA07 BC02 CA01 CB01 CB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加工取り代を伴う加工を施す前の半導体
ウェーハの被加工取り代部に、底面を有する深さ測定用
のスケール穴を形成する工程と、この加工前のスケール穴の深さを測定する工程と、上記加工を半導体ウェーハに施す工程と、加工後の上記スケール穴の深さを測定する工程と、上記加工前のスケール穴の深さから上記加工後のスケー
ル穴の深さを減算して上記加工取り代を求める工程とを
備えた半導体ウェーハの加工取り代の測定方法。
【請求項２】上記スケール穴が、半導体ウェーハの面
取り部の斜面およびまたは先端面に形成された請求項１
に記載の半導体ウェーハの加工取り代の測定方法。
【請求項３】上記スケール穴が、レーザマーキングに
より形成された請求項１または請求項２に記載の半導体
ウェーハの加工取り代の測定方法。
【請求項４】加工取り代を伴う加工を施す前の半導体
ウェーハの被加工取り代部に、底面を有する深さ測定用
のスケール穴を形成するスケール穴形成手段と、上記半導体ウェーハに、上記加工を施すウェーハ加工手
段と、加工前の上記スケール穴の深さおよび加工後のこのスケ
ール穴の深さを測定する深さ測定手段とを備え、上記加工前のスケール穴の深さから上記加工後のスケー
ル穴の深さを減算して上記加工取り代を求める半導体ウ
ェーハの加工取り代の測定装置。
【請求項５】上記スケール穴形成手段が、半導体ウェ
ーハの被加工取り代部をレーザマーキングするレーザマ
ーカーである請求項４に記載の半導体ウェーハの加工取
り代の測定装置。
【請求項６】上記深さ測定手段がレーザ顕微鏡である
請求項４または請求項５に記載の半導体ウェーハの加工
取り代の測定装置。