DE19810545A1 - Wafer mit Lasermarkierung - Google Patents
Wafer mit LasermarkierungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Wafer mit einer Lasermar
kierung zur Anzeige einer Kristallorientierung, Spezifikation usw.
Ein von einem Kristallrohling abgeschnittener Wafer wird in verschiedenen
Schritten, wie Läppen, Abschrägen und Ätzen, bearbeitet. In diesen Schritten
wird eine Markierung zur Anzeige der Kristallorientierung auf einer Kante des
Wafers eingraviert. Diese Markierung wird für das Einstellen des Wafers ver
wendet, wenn der Wafer beispielsweise entlang einer Spaltungsebene geritzt
wird.
Eine derartige Markierung wurde auf einen Wafer mittels verschiedenster
Verfahren aufgebracht.
Das OF-Verfahren ist das gängigste, mit welchem eine Orientierungsfase
bzw. -abflachung an einer Kante eines Wafers ausgebildet wird. Die Orientie
rungsfase wird für eine Kristallausrichtung des Wafers in den folgenden Schritten
verwendet. Es ist jedoch schwierig, einen Wafer präzise unter Verwendung der
Orientierung auszurichten, da die Orientierungsfase in einem relativ breiten
Bereich, welcher eine Kante des Wafers in einem stumpfen Winkel kreuzt,
ausgebildet ist. Die Orientierungsfase reduziert auch eine wirksame Fläche des
Wafers. Daneben trägt die Orientierungsfase zu Einschränkungen in bezug auf
eine Form einer elektrostatischen Vakuumansaugvorrichtung bei, welche für das
Handling eines Wafers verwendet wird, und bewirkt einen störenden Einfluß auf
das dynamische Gleichgewicht während der Spinrotation eines Wafers.
Eine an einer Kante bzw. einem Rand eines Wafers eingravierte Kerbe wird
auch als eine Markierung für die Anzeige einer Kristallorientierung verwendet. In
diesem Fall sollte eine gekerbte Kante bis zu Spiegelglanz poliert werden, um das
gekerbte Teil während der Messung in den folgenden Schritten deutlich detek
tieren zu können. Ein derartiges Polieren ist schwierig und es verbleiben un
vermeidlicherweise Restspannungen in der Nähe des gekerbten Teils. Es ist
schwierig, derartige Restspannungen vollständig zu beseitigen.
Es wurde kürzlich eine Lasermarkierung, welche als Anzeige einer Kristallaus
richtung nützlich ist, vorgeschlagen. Die Lasermarkierung wird auf einer Vorder- oder
Rückseite eines Wafers durch teilweises Schmelzen einer Oberflä
chenschicht des Wafers durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl aufgebracht.
Die Lasermarkierung kann leicht auf der Vorder- oder Rückseite des Wafers ohne
Einbringen von irgendwelchen mechanischen Spannungen bzw. Beanspruchun
gen eingraviert werden. Jedoch reduziert die Lasermarkierung eine wirksame
Fläche eines Wafers und erfordert unvermeidlicherweise schwierige Verfahren
zur Richtigstellung von Daten, um Fehler, welche durch den markierten Teil
während des Messens einer Form des Wafers bewirkt werden, zu eliminieren.
Die vorliegende Erfindung zielt auf das zur Verfügungstellen eines Wafers ab,
dessen Kristallausrichtung, Spezifikation usw. leicht ohne nachteilige Beein
flussungen, wie eine Rest-Bearbeitungsspannung oder thermische Spannung auf
einem Wafer, ausgelesen werden.
Ein Wafer gemäß der vorliegenden Erfindung hat eine abgeschrägte Kante,
welche bis zu Spiegelglanz poliert ist, und eine Lasermarkierung zur Anzeige
einer Kristallorientierung ist auf der abgeschrägten Kante aufgebracht. Eine
andere Lasermarkierung zur Anzeige einer Spezifikation, Waferidentifikation,
einer Chargennummer usw. kann als ein Strichcode auf der abgeschrägten Kante
zusätzlich zu der Lasermarkierung zur Anzeige einer Kristallorientierung aufge
bracht sein.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht gemeinsam mit einer teilweise ver
größerten Ansicht, welche einen Wafer mit einer abgeschrägten Kante zeigt, auf
welcher eine Markierung zur Anzeige einer Kristallorientierung und eine Mar
kierung zur Identifikation des Wafers durch Lasermarkieren aufgebracht sind.
Ein Wafer 1 hat eine abgeschrägte Kante 2, welche bis zu Spiegelglanz
poliert ist. Eine Markierung 3 zur Anzeige einer Kristallorientierung und ge
gebenenfalls eine Markierung 4 zur Identifikation eines Wafers sind auf der
abgeschrägten Kante 2 aufgebracht. Die Markierungen 3, 4 können mit einer
Tiefe von 200-500 µm auf der abgeschrägten Kante 2 durch ein Markieren mit
Hard- oder Softlaser eingraviert sein. Wenn ein Strichcode als die Markierung 4
aufgebracht ist, wird jede feine Linie vorzugsweise in einem Bereich von 10-100 µm
in der Breite gesteuert.
Ein Markieren mit Hardlaser, welches einen Strahl hoher Energie verwendet,
bringt die Markierungen 3, 4 auf der Kante 2, nachdem diese abgeschrägt
wurde, auf und dann wird die markierte Kante 2 bis zu Spiegelglanz poliert. In
diesem Fall verbleiben die Markierungen 3 und 4 auf der polierten Kante 2 mit
einer Tiefe von über etwa 10 µm.
Ein Markieren mit Softlaser, welches einen Strahl niedriger Energie verwen
det, bringt Markierungen 3, 4 auf die polierte Kante 2 auf. In diesem Fall ver
bleiben die Markierungen 3, 4 auf der Kante mit einer Tiefe von unter etwa 3
µm.
Wenn ein Strichcode als die Markierung 4 aufgebracht wird, können ver
schiedene Informationen, z. B. die Identifikation, die Reinheit, die Arbeitsnummer
und Verwenderdaten, welche für das Hysteresis-Management eines Wafers
erforderlich sind, in die abgeschrägte Kante 2 eingeschrieben werden. Die Mar
kierung 4 für die Identifikation eines Wafers wird vorzugsweise auf der abge
schrägten Kante 2 in einer Position aufgebracht, welche um 2-10 mm von der
Markierung 3 zur Anzeige einer Kristallorientierung entfernt ist, um die Markie
rung 4 von der Markierung 3 zu unterscheiden.
Da die abgeschrägte Kante 2 von dem Wafer 1 entfernt wird, wenn der
Wafer in Plättchen geteilt wird, wird eine wirksame bzw. nutzbare Fläche des
Wafers 1 durch die Markierung nicht reduziert. Das Lasermarkieren für das Ein
gravieren der Markierungen 3, 4 auf der abgeschrägten Kante 2 bringt keine
schädlichen Einflüsse für den Wafer mit sich, da es nur eine sehr geringe Hitze
auf den Wafer 1 aufbringt.
Wenn eine Form des Wafers 1 unter Verwendung eines kapazitiven Abtast
verfahrens oder eines optischen Sensors gemessen wird, sind Fehler, welche
durch die Unebenheiten an den markierten Teilen bewirkt werden, nicht in den
Meßdaten inkludiert, da die Lasermarkierungen 3, 4 nicht auf einer Vorder- oder
Rückseite des Wafers 1 vorhanden sind. Folglich sind die erhaltenen Daten für
eine genaue Bestimmung der Form des Wafers 1 ohne Erfordernis eines aufwen
digen Verfahrens zum Eliminieren von Effekten, welche durch die Markierungen
3, 4 bewirkt werden, verwendbar.
Die Markierungen 3, 4, welche auf der abgeschrägten Kante 2 aufgebracht
sind, können mit unbewaffneten Augen oder einem optischen Lesegerät, wel
ches auf dem Markt erhältlich ist, ausgelesen werden. Daten, welche durch die
Markierungen 3 und 4 dargestellt sind, können in unterscheidender Weise und
genau ausgelesen werden, da die abgeschrägte Kante 2, auf welcher die Markie
rungen 3, 4 aufgebracht sind, bis zu Spiegelglanz poliert ist. Bei der Messung
einer Form des Wafers 1 sind Fehler, welche durch die Rauheit an den markier
ten Teilen bewirkt werden, von den Meßdaten ausgeschlossen, um so das
Weg lassen eines aufwendigen Verfahrens zum Eliminieren der Effekte, welche
durch die markierten Teile bewirkt werden, zu ermöglichen.
Die ausgelesenen Daten werden für verschiedene Zwecke, wie die Qualitäts
kontrolle eines Wafers, die Produktionskontrolle, die Verladung, den Erhalt oder
die Verarbeitung in dem folgenden, eine Vorrichtung bildenden Schritt, verwen
det.
Daher können erforderliche Daten in den Wafer durch ein Lasermarkieren
ohne jegliche störende Einflüsse auf den Vorder- und Rückseiten des Wafers
eingeschrieben werden.
Ein Wafer gemäß der zuvor beschriebenen, vorliegenden Erfindung hat eine
abgeschrägte Kante, welche zu Spiegelglanz poliert ist, und es ist eine Markie
rung zur Anzeige einer Kristallausrichtung und gegebenenfalls eine Markierung
zur Identifikation des Wafers an der Kante bzw. dem Rand aufgebracht. Da die
abgeschrägte Kante entfernt wird, wenn der Wafer in Plättchen geteilt wird, wird
eine wirksame Fläche des Wafers überhaupt nicht reduziert. Im Fall eines Mes
sens der Form eines Wafers ist es möglich, schwierige Verfahren zum Eliminieren
von Defekten, welche durch die markierten Teile bewirkt werden, aus einem
Meßergebnis wegzulassen. Zusätzlich werden die Markierungen auf die abge
schrägte Kante des Wafers, ohne derartige störende Einflüsse, wie eine ver
bleibende Bearbeitungsspannung oder thermische Spannung, welche in einem
konventionellen OF-Verfahren oder einem Kerbverfahren unvermeidbar sind,
aufgebracht. Folglich behält der markierte Wafer exzellente kristallografische
Eigenschaften und ist in der Handhabung und Verarbeitbarkeit verbessert.
Claims (3)
1. Wafer mit einer abgeschrägten Kante (2), welche bis zu Spiegelglanz
poliert ist und auf welcher wenigstens eine Lasermarkierung (3) zur Anzeige
einer Kristallorientierung eingraviert ist.
2. Wafer mit einer abgeschrägten Kante (2), welche bis zu Spiegelglanz
poliert ist und auf welcher eine Lasermarkierung (3) zur Anzeige einer Kristall
orientierung und eine weitere Lasermarkierung (4) zur Identifikationsanzeige
eingraviert sind.
3. Wafer nach Anspruch 2, worin die Lasermarkierung (4) zur Identifikationsanzeige
an einer von einer Position, an welcher die Lasermarkierung (3) zur
Anzeige einer Kristallorientierung eingraviert ist, entfernten Position auf der
abgeschrägten Kante angebracht ist.
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