KR102471131B1 - 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터 - Google Patents

플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 형성하기 위한 잉크 조성물로, 플라즈마 처리에 의해 변색층이 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산하거나 하는 것이 전자 디바이스 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제되고, 내열성이 양호한 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물을 제공한다.
본 발명은 구체적으로는 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 형성하기 위한 잉크 조성물로, Mo, W, Sn, V, Ce, Te 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 금속 산화물 입자 및 바인더 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물을 제공한다.

Description

플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터{INK COMPOSITION FOR PLASMA PROCESSING DETECTION, AND INDICATOR FOR PLASMA PROCESSING DETECTION USING SAID INK COMPOSITION}
본 발명은 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터에 관한 것이며, 특히 전자 디바이스 제조 장치에서 사용하는 인디케이터로서 유용한, 변색 성분으로 금속 산화물 입자를 사용하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터에 관한 것이다.
종래, 전자 디바이스의 제조 공정에서는, 전자 디바이스 기판(피처리 기판)에 대해서 각종 처리를 수행한다. 예를 들면, 전자 디바이스가 반도체인 경우, 반도체 웨이퍼(wafer)을 투입한 후, 절연막이나 금속막을 형성하는 성막 공정, 포토 레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그라피 공정, 포토 레지스트 패턴을 사용하여 막을 가공하는 에칭 공정, 반도체 웨이퍼에 도전층을 형성하는 불순물 첨가 공정(도핑 또는 확산 공정이라고도 한다), 요철이 있는 막의 표면을 연마하여 평탄하게 하는 CMP공정(화학적 기계적 연마) 등을 거쳐서, 패턴의 만듦새나 전기 특성을 체크하는 반도체 웨이퍼 전기 특성 검사를 수행한다(여기까지의 공정을 총칭해서 전 공정이라고 하는 경우가 있다). 다음으로, 반도체 칩을 형성하는 후 공정으로 이행한다. 이러한 전 공정은 전자 디바이스가 반도체인 경우 뿐만 아니라, 다른 전자 디바이스(발광 다이오드(LED), 태양 전지, 액정 디스플레이, 유기 EL(Electro-Luminescence), 디스플레이 등)을 제조하는 상에 있어서도 동일하게 수행된다.
전 공정에서는, 상술한 공정의 외, 플라즈마, 오존, 자외선 등에서의 세정 공정; 플라즈마, 라디컬 함유 가스 등에 의한 포토 레지스트 패턴의 제거 공정(에싱 또는 회화 제거라고도 한다); 등의 공정이 포함된다. 또한, 상기 성막 공정에 있어서는, 웨이퍼 표면에서 반응성 가스를 화학 반응시켜 성막하는 CVD나, 금속막을 형성하는 스퍼터링 등이 있고, 상기 에칭 공정에서는 플라즈마에서 반응으로 드라이 에칭, 이온 빔에 의한 부식 등을 들 수 있다. 여기서 플라즈마는 가스가 전리된 상태를 의미하며 이온, 라디칼 및 전자가 그 내부에 존재한다.
전자 디바이스의 제조 공정에서는, 전자 디바이스의 성능, 신뢰성 등을 확보하기 위해서, 상기의 각종 처리가 적절하게 이뤄질 필요가 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 성막 공정, 에칭 공정, 에싱 공정, 불순물 첨가 공정, 세정 공정 등으로 대표되는 플라즈마 처리에서는 플라즈마 처리 완료를 확인하기 위해서, 분광 장치를 이용한 플라즈마의 발광 분석, 플라즈마 처리 분위기 속에서 변색하는 변색층을 가지는 플라즈마 처리 검지 인디케이터를 이용한 완료 확인 등이 실시되고 있다.
플라즈마 처리 검지 인디케이터의 예로는, 특허 문헌 1에는 1) 안트라퀴논계 색소, 아조계 색소 및 프탈로시아닌계 색소의 적어도 1종 및 2) 바인더 수지, 양이온계 계면 활성제 및 중량제의 적어도 1종을 함유하는 플라즈마 처리 검지용 잉크 조성물로, 상기 플라즈마 처리에 이용하는 플라즈마 발생용 가스는 산소 및 질소의 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 잉크 조성물 및 해당 잉크 조성물로부터 된 변색층을 기재 상에 형성한 플라즈마 처리 검지 인디케이터가 공개되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에는 1) 안트라퀴논계 색소, 아조계 색소 및 메틴계 색소의 적어도 1종 및 2) 바인더 수지, 양이온계 계면 활성제 및 중량제의 적어도 1종을 함유하는 불활성 기체 플라즈마 처리 검지용 잉크 조성물로, 상기 불활성 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤과 크세논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 잉크 조성물 및 해당 잉크 조성물로부터 된 변색층을 기재 상에 형성한 플라즈마 처리 검지 인디케이터가 공개되어 있다.
그러나, 발광 분석이나 종래의 플라즈마 처리 검지 인디케이터를 이용한 확인 방법은, 전자 디바이스 제조 장치에서 사용하는 인디케이터로서는 성능이 충분치 않은 경우가 있다. 구체적으로는 발광 분석을 이용한 확인 방법은 전자 디바이스 제조 장치에 설치된 창으로부터의 측정 및 분석에 한정되므로 전자 디바이스 제조 장치 내를 바라볼 수 없는 경우에는 효율적으로 측정 및 분석하는 것이 어려워지기 쉽다. 또한, 종래 플라즈마 처리 검지 인디케이터를 이용한 경우에는 변색층의 변색의 플라즈마 처리 완료를 확인할 수 있다는 점에서 간편하고 뛰어난 수단이지만, 변색 재료인 유기 색소가 플라즈마 처리에 의해서 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산하여 전자 디바이스 제조 장치의 높은 청정성의 저하와 전자 디바이스의 오염(콘타미네이션)로 이어질 것으로 우려된다. 또한, 변색 재료의 가스화는 전자 디바이스 제조 장치의 진공성에도 영향을 주는 것이 우려된다. 나아가, 변색 재료가 유기 색소인 기존 변색층은 내열성이 부족하므로, 전자 디바이스 제조 장치가 고온의 경우 인디케이터로 사용하기 어렵다는 문제가 있다.
이에, 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 가지는 인디케이터에 있어서, 플라즈마 처리에 의해 변색 재료가 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산하거나 하는 것이, 전자 디바이스 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제되고, 내열성이 양호한 플라즈마 처리 검지 인디케이터의 개발이 요구되고 있다.
특개 2013-98196호 공보 특개 2013-95764호 공보
본 발명은, 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 형성하기 위한 잉크 조성물에 있어서, 플라즈마 처리에 의해 변색층이 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산되거나 하는 것이, 전자 디바이스 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제되고, 내열성이 양호한 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물을 제공하고자 한다. 또한, 상기 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물을 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성할 수 있도록 예의 연구를 거듭한 결과, 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물에 포함된 변색 재료로서 특정의 금속 산화물 입자를 이용하는 경우에는 상기 목적을 달성할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기의 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터에 관한 것이다.
1. 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 형성하기 위한 잉크 조성물에 있어서, Mo, W, Sn, V, Ce, Te 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 금속 산화물 입자 및 바인더 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
2. 상기 금속 산화물 입자는 산화 몰리브덴 입자(IV), 산화 몰리브덴 입자(VI), 산화 텅스텐 입자(VI), 산화 주석 입자(IV), 산화 바나듐 입자(II), 산화 바나듐 입자(III), 산화 바나듐 입자(IV), 산화 바나듐 입자(V), 산화 세륨 입자(IV), 산화 텔루륨 입자(IV), 산화 비스무트 입자(III), 탄산 산화 비스무트 입자(III) 및 산화 황산 바나듐 입자(IV)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 상기 1의 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
3. 상기 금속 산화물 입자는 산화 몰리브덴 입자(VI), 산화 텅스텐 입자(VI), 산화 바나듐 입자(III), 산화 바나듐 입자(V) 및 산화 비스무트 입자(III)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 상기 1 또는 2의 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
4. 상기 금속 산화물 입자는 평균 입자 지름이 50 μm 이하인 상기 1 내지 3의 어느 하나인 플라즈마 검지 처리 잉크 조성물.
5. 상기 바인더 수지는 석유계 탄화 수소 수지, 비닐 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 아크릴로니트릴 수지, 불소 수지, 실리콘 수지, 포르말린 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리 에틸렌 수지, 케톤 수지, 폴리아미드 수지, 말레산 수지, 쿠마론 수지, 폴리이미드 수지, 폴리 에테르 에테르 케톤 수지 및 지환족 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 상기 1 내지 4의 어느 하나인 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
6. 상기 바인더 수지는 연화점이 70℃ 이상인 상기 1 내지 5의 어느 하나인 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
7. 기재 상에, 상기 1 내지 6 중 어느 하나인 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물의 경화 도막으로부터 형성되는 변색층을 가지는 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
8. 상기 플라즈마 처리 검지 인디케이터는 전자 디바이스 제조 장치에서 사용하는 인디케이터인 상기 7의 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
9. 상기 인디케이터의 형상은 전기 전자 디바이스 제조 장치에서 사용되는 전자 장치 기판의 형상과 동일한 상기 8의 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
10. 상기 전자 디바이스 제조 장치는 성막 공정, 에칭 공정, 에싱 공정, 불순물 첨가 공정 및 세정 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 플라즈마 처리를 수행하는 상기 8 또는 9의 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
11. 상기 플라즈마 처리 검지 인디케이터는 플라즈마 처리에 의해 변색하지 않는 비변색층을 가지는 상기 7 내지 10 중 어느 하나인 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
12. 상기 비변색층은 산화 티탄(IV), 산화 지르코늄(IV), 산화 이트륨(III), 황산 바륨, 산화 마그네슘, 이산화 규소, 알루미나, 알루미늄, 은, 이트륨, 지르코늄, 티타늄, 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 상기 11의 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
13. 상기 기재 상에, 상기 비변색층 및 상기 변색층이 차례로 형성되어 있고, 상기 비변색층이 상기 기재의 주면 상에 인접하여 형성되어 있으며, 상기 변색층이 상기 비변색층의 주면 상에 인접하여 형성되어 있는 상기 11 또는 12의 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
본 발명의 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물을 이용하여 얻을 수 있는 플라즈마 처리 검지 인디케이터는 변색층에 포함되는 변색 재료로서 특정의 금속 산화물 입자를 사용하고 해당 변색층은 플라즈마 처리에 의해 금속 산화물 입자 가수가 변화함으로써 화학적으로 변색되어 플라즈마 처리에 의해 변색층이 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산하거나 하는 것이 전자 디바이스 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제되고 있다. 또한, 변색 재료가 무기 성분으로 구성되어 있어 전자 디바이스 제조시의 프로세스 온도에 견딜 수 있는 내열성을 가진다. 이러한 본 발명의 인디케이터는 높은 청정성에 더하여 진공성, 고온 처리 등이 요구되는 전자 디바이스 제조 장치에서 사용하는 플라즈마 처리 검지 인디케이터로서 특히 유용하다. 또한, 전자 디바이스로는 반도체, 발광 다이오드(LED), 반도체 레이저, 파워 디바이스, 태양 전지, 액정 디스플레이, 유기 EL, 디스플레이 등을 들 수 있다.
[도 1] 실험예 1에서 사용한 용량 결합 플라즈마(평행 평판형; Capacitively Coupled Plasma)형 플라즈마 에칭 장치(13.56MHz의 고주파 전원을 사용)의 개략 단면도이다. 또한, 도 중의 TMP는 터보 롤레큘러 펌프(Turbo-Molecular Pump)의 약칭을 나타낸다.
[도 2] 실험예 2에서 승온과 진공도와 관계를 나타내는 그래프이다.
[도 3] 실험예 2에서의 200℃까지 승온 시의 변색층의 상태를 나타내는 도이다. (a)는 실시예 1(b)는 종래예 1의 상태를 나타낸다.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물 및 플라즈마 처리 검지 인디케이터에 대하여 상세히 설명한다.
플라즈마 처리 검지 잉크 조성물
본 발명의 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물(이하, 「본 발명의 잉크 조성물」이라고도 한다)는, 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 형성하기 위한 잉크 조성물에 있어서, Mo, W, Sn, V, Ce, Te 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 금속 산화물 입자 및 바인더 수지를 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 잉크 조성물을 이용하여 얻을 수 있는 플라즈마 처리 검지 인디케이터(이하,「본 발명의 인디케이터」이라고도 한다)는 잉크 조성물의 경화 도막인 변색층에 포함되는 변색 재료가 특정 금속 산화물 입자이며, 해당 변색층은 플라즈마 처리에 의해 금속 산화물 입자 가수가 변화함으로써 화학적으로 변색되어 플라즈마 처리에 의해 변색층이 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산하거나 하는 것이 전자 디바이스 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제되고 있다. 또한, 변색 재료가 무기 성분으로 구성되어 있어 전자 디바이스 제조시의 프로세스 온도에 견딜 수 있는 내열성을 가진다.
본 발명의 잉크 조성물은 Mo, W, Sn, V, Ce, Te 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 금속 산화물 입자 및 바인더 수지를 함유한다. 이 외에, 바인더 수지를 용해하기 위하여 용제를 함유하고, 임의 성분으로서 본 발명의 효과에 영향을 주지 않는 범위 내에서 증점제 등의 공지의 첨가제를 함유할 수 있다. 이하, 본 발명의 잉크 조성물을 구성하는 각 성분에 대해서 설명한다.
(금속 산화물 입자)
금속 산화물 입자로는, 산화 몰리브덴 입자(IV), 산화 몰리브덴 입자(VI), 산화 텅스텐 입자(VI), 산화 주석 입자(IV), 산화 바나듐 입자(II), 산화 바나듐 입자(III), 산화 바나듐 입자(IV), 산화 바나듐 입자(V), 세륨 산화물 입자(IV), 산화 텔루륨 입자(IV), 산화 비스무트 입자(III), 탄산 산화 비스무트 입자(III) 및 산화 황산 바나듐 입자(IV)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 또한, 금속 산화물 입자는 분자 중에 약간의 결정수를 가지는 것도 허용되나, 물 분자(수분 가스) 방출 가능성이 있어 결정 수는 포함되지 않는 것이 바람직하다.
특히 본 발명에서는, 플라즈마 처리에 의해 금속 산화물 입자 가수가 변화함으로써 화학적으로 변색이 생긴다. 이러한 금속 산화물 입자는 종래의 변색 재료인 유기 색소와는 달리 플라즈마 처리에 의해 가스화하거나 미세한 찌거기가 되어 비산하거나 하는 것이 전자 디바이스 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제되고 있고 전자 디바이스 제조 시의 프로세스 온도에 견딜 수 있는 내열성을 가진다.
금속 산화물 입자는, 상기 중에서도 플라즈마 처리에 의한 변색성을 고려하면 산화 몰리브덴 입자(VI), 산화 텅스텐 입자(VI), 산화 바나듐 입자(III), 산화 바나듐 입자(V) 및 산화 비스무트 입자(III)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 매우 적합한 것으로 들 수 있다.
금속 산화물 입자의 평균 입자 지름은 한정적이지는 않으나, 플라즈마 처리에 의해 변색성(감수성)을 높이는 점에서는 50μm 이하가 바람직하고 0.01~10μm 정도가 보다 바람직하고, 본 명세서의 평균 입자 지름은 레이저 회절·산란식 입자 지름 분포 측정 장치(제품명: 마이크로 트럭 MT3000, 닛키소 제)의 방법으로 측정한 값이다.
본 발명의 잉크 조성물 중의 금속 산화물 입자의 함유량은 한정적이지는 않으나, 10~90 중량%가 바람직하고, 30~60 중량%가 보다 바람직하다. 금속 산화물 입자의 함유량이 10 중량% 미만의 경우에는 플라즈마 처리의 변색성이 저하할 우려가 있다. 또한, 금속 산화물 입자의 함유량이 90 중량%를 넘는 경우에는 비용 상승과 함께 기재 상에 잉크 조성물 건조 도막인 변색층을 형성했을 때 변색층의 기재에 정착성이 저하할 우려가 있다.
(바인더 수지)
바인더 수지로서는 기재 상에 변색층을 형성했을 경우 변색층에 양호한 정착성을 부여할 수 있으면 된다. 이러한 바인더 수지로는 석유계 탄화 수소 수지, 비닐 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 아크릴로니트릴 수지, 불소 수지, 실리콘 수지, 포르말린 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리 에틸렌 수지, 케톤 수지, 폴리아미드 수지, 말레산 수지, 쿠마론 수지, 폴리이미드 수지, 폴리 에테르에테르 케톤 수지 및 지환족 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 일종을 들 수 있다. 이들 바인더 수지는, 통상, 후술하는 용제에 용해함으로써 잉크 조성물에 함유할 수 있다.
이들 바인더 수지 중에서도, 연화점이 70℃ 이상인 수지가 바람직하고, 그 중에서도 연화점이 130℃ 이상인 폴리이미드 수지, 로진 변성 케톤 수지, 실리콘 수지, 부티랄 수지, 폴리아미드 수지, 불소 수지 등이 보다 바람직하다. 특히, 변색층의 변색성에 미치는 영향이 적고, 내열성이 뛰어난 것과 동시에 플라즈마 처리에서의 가스화가 낮게 억제되고 있다는 점에서는, 부티랄 수지 중에서도 폴리비닐 부티랄 수지(PVB 수지)가 바람직하다.
본 발명은, 바인더 수지로서 상기 예시한 이외에 열 경화성 수지, 광 경화형 수지 등을 이용할 수도 있다. 이들의 수지를 이용하는 경우에는, 열, 광 등의 조사로 중합 경화함으로써 수지를 경화시키기 때문에 잉크 조성물 중에는, 중합 경화 등에 의해서 목적의 바인더 수지가 되는 수지 전구체를 사용할 수 있으며 열, 광 등의 조사는 후술에 의한 잉크 조성물의 도막에 대해서 수행하면 된다.
본 발명의 잉크 조성물 중의 바인더 수지의 함유량은 바인더 수지의 종류 등에 따라 한정적이지는 않으나 0.5~30 중량%가 바람직하고, 5~10 중량%가 보다 바람직하다. 바인더 수지의 함량이 3 중량% 미만의 경우 및 15 중량%를 넘는 경우 모두 변색층 기재에 정착성이 저하할 우려가 있다.
용제는 바인더 수지를 용해하고 잉크 조성물에 좋은 도포성을 부여할 수 있으면 한정되지 않는다. 예를 들면, 석유계 용제 등을 이용하는 것이 바람직하다, 특히 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르(부틸 셀로솔브), 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르(에틸 셀로솔브)등이 바람직하다.
본 발명의 잉크 조성물 중의 용제의 함유량은 바인더 수지의 종류 등에 따라서 한정적이지는 않으나, 10~70 중량%가 바람직하고 25~40 중량%가 보다 바람직하다. 용제의 함유량이 10 중량% 미만의 경우 및 70 중량%를 넘는 경우 모두 잉크 조성물의 도색성이 저하할 우려가 있다. 또한, 용제의 함유량이 과잉량인 경우에는 잉크 조성물 건조에 시간이 걸릴 우려가 있다.
(증점제 등의 첨가제)
본 발명의 잉크 조성물은 상기 성분 외에 임의 성분으로 증점제 등의 공지의 첨가제를 함유할 수 있다. 증점제는 잉크 조성물에 증점 효과를 부여하고 금속 산화물 입자 침강을 억제하는 것과 동시에 도포성을 향상시킬 수 있는 것이 바람직하다.
증점제로는, 예를 들면, 규산염 광물 및 규산염 합성물의 적어도 일종이 바람직하고, 그 중에서도 실리카가 특히 바람직하다.
본 발명의 잉크 조성물 중의 증점제의 함유량은 한정적이지는 않으나, 첨가하는 경우에는 10 중량% 이하가 바람직하고 3~6 중량%가 보다 바람직하다. 증점제 함유량이 10 중량%를 넘는 경우에는 잉크 조성물이 고점성화하고 도포성이 저하할 우려가 있다. 또한, 증점제으로 실리카를 함유할 경우에는 변색층에 하지 은폐성을 부여할 수 있어 하지 은폐성을 바탕으로 변색층의 변색성 향상의 효과도 얻을 수 있다.
본 발명의 잉크 조성물을 조제할 경우는 상기 성분을 공지의 방법으로 혼합하여, 교반함으로써 조제할 수 있다.
플라즈마 처리 검지 인디케이터
본 발명의 인디케이터는 기재 상에 본 발명의 잉크 조성물의 경화 도막으로부터 형성되는 변색층을 가지는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 경화 도막에는 용제 제거로 형성되는 건조 도막의 외, 열, 광 등의 조사에 의해 수지 전구체가 중합 경화함으로써 형성되는 경화 도막의 양쪽의 양태가 포함된다.
변색층의 형성 방법으로는, 기재 상에 잉크 조성물의 경화 도막을 형성하는 방법이면 한정되지 않으나, 예를 들면, 잉크 조성물을 기판 상에 도포하는 용매 류거한 후, 대기 중에서 건조하는 것에 의해 변색층을 형성할 수 있다. 또한, 바인더 수지(및 그 수지 전구체)의 종류에 따라, 건조에 대신해서 또는 건조와 함께 열, 광 등의 조사를 해도 좋다.
(기재)
기재로는, 변색층을 형성 및 지지할 수 있으면 특히 제한되지 않는다. 예를 들면, 금속 또는 합금, 세라믹, 석영, 유리, 콘크리트, 수지류, 섬유류(부직포, 직포, 유리 섬유 거름 종이, 기타의 섬유 시트), 이들의 복합 재료를 이용할 수 있으며 일반적으로 전자 디바이스 기판으로 알려진 실리콘, 갈륨 비소, 탄화 규소, 사파이어, 유리, 질화 갈륨, 게르마늄 등도 본 발명의 인디케이터의 기재로 채용할 수 있다. 기재의 두께는 인디케이터의 종류에 따라서 적절히 설정할 수 있다.
상기 수지류로는 열 가소성 수지 및 열 경화성 수지 모두 사용할 수 있으며 예를 들면, PE(폴리 에틸렌)수지, PP(폴리 프로필렌)수지, PS(폴리스티렌)수지, AS(아크릴로니트릴 스티렌)수지, ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체)수지, 비닐 수지, PMMA(아크릴-메타 크릴)수지, PET(폴리 에틸렌 테레프탈레이트)수지, PA(나일론)수지, POM(폴리 아세탈)수지, PC(폴리)수지, PBT(폴리 부틸렌 테레프탈레이트)수지, PPS(폴리페닐렌 설파이드)수지, PI(폴리이미드)수지, PEI(폴리에테르이미드)수지, PSF(폴리설폰)수지, PTFE(테플론(등록 상표)수지, PCTFE(불소)수지, PAI(폴리아미드 이미드)수지, PF(페놀)수지, UF(우레아)수지, MF(멜라민)수지, UP(불포화 폴리에스테르)수지, PU(폴리우레탄)수지, PDAP(아릴)수지, EP(에폭시)수지, SI(실리콘)수지, FF(퓨란)수지, PEEK(폴리 에테르 에테르 케톤)수지 등을 들 수 있다. 이들의 수지 중에서도, 내열성 및 변색층의 정착성이 양호한 점에서 PI 수지가 바람직하다.
(변색층)
기재 상에 변색층을 형성할 경우의 잉크 조성물의 도색 방법으로는 한정되지 않으나, 예를 들면, 스핀 코트, 슬릿 코트, 스프레이 코트, 딥 코트 등의 공지의 도색 방법, 실크 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 오프셋 인쇄, 릴리프 인쇄, 플렉소 인쇄 등의 공지의 인쇄 방법 등이 폭넓게 채용할 수 있다. 본 발명에서 도포에는 도포 이외의 인쇄, 숙성 등의 개념도 포함되어 있다.
잉크 조성물을 도포한 후에는 도막을 건조시킨다. 건조 온도는 한정적이지는 않지만 통상 80~200℃ 정도가 바람직하고, 100~150℃ 정도가 보다 바람직하다.
본 발명의 인디케이터의 변색층의 두께는 한정적이지는 않으나, 500 nm ~ 2 mm 정도가 바람직하고, 1 ~ 100 μm 정도인 것이 보다 바람직하다.
(비변색층)
본 발명의 인디케이터는 변색층의 시인성을 높이기 위해서 하지층으로서 플라즈마 처리에 의해 변색하지 않는 변색층을 설치해도 좋다. 비변색층으로는, 내열성이 있고, 가스화가 억제되어야 한다. 비변색층으로는, 백색층, 메탈층 등이 바람직하다.
백색층은, 예를 들면, 산화 티탄(IV), 산화 지르코늄(IV), 산화 이트륨(III), 황산 바륨, 산화 마그네슘, 이산화 규소, 알루미나 등으로 형성할 수 있다.
메탈층은, 예를 들면, 알루미늄, 은, 이트륨, 지르코늄, 티타늄, 백금 등으로 형성할 수 있다.
비변색층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 물리 증착(PVD), 화학 증착(CVD), 스퍼터링의 외에, 비변색층으로 되는 물질을 포함하는 슬러리를 조제 이후, 해당 슬러리를 기판 상에 도포하고, 용매 류거한 후 대기 중에서 연소함으로써 형성할 수 있다. 상기 슬러리를 도포, 인쇄하는 방법으로서는 예를 들면, 스핀 코트, 슬릿 코트, 스프레이 코트, 딥 코트, 실크 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 오프셋 인쇄, 릴리프 인쇄, 플렉소 인쇄 등의 공지의 도색 방법, 인쇄 방법 등이 폭넓게 채용할 수 있다. 비변색층의 두께는 인디케이터의 종류에 따라서 적절히 설정할 수 있다.
본 발명에는, 플라즈마 처리의 완료가 확인 가능한 한, 변색층과 비변색층을 어떻게 조합해도 좋다. 예를 들면, 변색층의 변색에 의해 처음으로 변색층과 비변색층의 색 차가 식별할 수 있게 변색층 및 비변색층을 형성하거나, 또는 변색에 의해 처음으로 변색층 및 비변색층의 색 차가 소멸하도록 형성할 수도 있다. 본 발명은 특히 변색에 의해 처음으로 변색층과 비변색층의 색 차가 식별할 수 있게 변색층 및 비변색층을 형성하는 것이 바람직하다.
색 차가 식별되도록 하는 경우에는, 예를 들면, 변색층의 변색에 의해 처음 으로 문자, 패턴 및 기호의 적어도 하나가 나타나도록 변색층 및 비변색층을 형성하면 된다. 본 발명은 문자, 패턴 및 기호는 변색을 알리는 모든 정보를 제공한다. 이들 문자 등은 사용 목적 등에 따라 적절하게 디자인하면 된다.
또한, 변색 전의 변색층과 비변색층을 서로 다른 색깔로 하여도 좋다. 예를 들면, 양자를 실질적으로 동일한 색으로 하여, 변색 후 처음으로 변색층과 비변색층의 색 차(콘트라스트)가 식별할 수 있도록 해도 좋다.
본 발명에 있어서, 층 구성의 바람직한 형태로는, (i)변색층이 기재의 최소 한쪽의 주인 행세하는 얼굴상에 인접하고 형성된 인디케이터(ii)기재 데 상기비변색층 및 상기 변색층이 차례로 형성되어 있으며, 상기 비변색층이 상 디바이스재의 주인 행세하는 얼굴상에 인접하고 형성되어 있으며, 상기 변색층이 상기비변색층의 주인 행세하는 얼굴상에 인접하고 형성된 인디케이터를 든다.
(점착층)
본 발명의 인디케이터는 필요에 따라, 기재 이면(변색층 형성면과 반대면)에 점착층을 가지고 있어도 좋다. 기재 이면에 점착층을 가짐으로써 본 발명의 인디케이터를 플라즈마 처리 장치 내 소망 부위(예를 들면, 플라즈마 처리에 제공하는 대상물, 장치 저면 등)에 확실히 고정할 수 있어 바람직하다.
점착층의 성분으로서는, 그 자체가 플라즈마 처리에 의해 가스화하는 것이 억제되어 있는 것이 바람직하다. 이런 성분으로서는 예를 들면, 특수 접착제가 바람직하고, 중에서도 실리콘계 접착제가 바람직하다.
(본 발명의 인디케이터의 형상)
본 발명의 인디케이터의 형상은 특히 한정되지 않고, 공지의 플라즈마 처리 검지 인디케이터에 채용되고 있는 형상을 폭넓게 사용할 수 있다. 이 중에서도 본 발명의 인디케이터의 형상을 전자 디바이스 제조 장치로 사용되는 전자 장치 기판의 형상과 동일한 경우에는 이른바 유령 기판으로 간편하게 플라즈마 처리가 전자 디바이스 기판 전체에 대해서 균일하게 이루어지고 있는지 여부를 검지하는 것이 가능하게 된다.
여기에서, 「인디케이터의 형상이 전자 디바이스 제조 장치로 사용되는 전자 장치 기판의 형상과 동일」이란, (i) 인디케이터의 형상이 전자 디바이스 제조 장치로 사용되는 전자 장치 기판의 형상과 완전히 동일한 것 및 (ii) 인디케이터의 형상이 전자 디바이스 제조 장치로 사용되는 전자 장치 기판의 형상과 플라즈마 처리 전자 디바이스 장치 내의 전자 디바이스 기판의 설치 장소에 두는(set) 것을 할 수 있을 정도에 실질적으로 동일한 것, 모두 포함한다.
예를 들면, 상기 (ii)에 있어서, 실질적으로 동일로는, 전자 디바이스 기판의 주면의 길이(기판의 주면 형상이 원형이면 직경, 기판의 주면 형상이 정사각형, 직사각형 등일 경우에는 세로 및 가로 길이)에 대한 본 발명의 인디케이터의 주면의 길이의 차이가 ±5.0 mm 이내, 전자 장치 기판에 대한 본 발명의 인디케이터의 두께의 차이가 ±1000 μm 이내 정도의 것이 포함된다.
본 발명 인디케이터는 전자 디바이스 제조 장치에서의 사용에 한정되지 않으나, 전자 디바이스 제조 장치로 사용할 경우에는 성막 공정, 에칭 공정, 에싱 공정, 불순물 첨가 공정 및 세정 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 일종의 공정을 플라즈마 처리에 의해 수행하는 전자 디바이스 제조 장치에 이용되는 것이 바람직하다.
(플라즈마)
플라즈마로는, 특히 한정되지 않고, 플라즈마 발생용 가스에 의해 발생하는 플라즈마를 사용할 수 있다. 플라즈마 중에서도 산소, 질소, 수소, 염소, 아르곤, 실란, 암모니아, 브롬화 유황, 삼염화 붕소, 브롬화 수소, 수증기, 아산화 질소, 테트라에톡시실란, 삼플루오르화 질소, 사불화 탄소, 퍼플루오로 사이클로 부탄, 디플루오로 메탄, 트리 플루오로 메탄, 사염화 탄소, 사염화 규소, 육불화 황, 육 플루오린화 에탄, 사염화 티타늄, 디클로로 실란, 트리메틸 갈륨, 트리메틸 인듐, 및 트리메틸 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 일종의 플라즈마 발생용 가스에 의하여 발생하는 플라즈마가 바람직하다. 이들 플라즈마 발생용 가스 중에서도 특히 사플루오르화 탄소; 퍼플루오로 사이클로 부탄; 트리 플루오로 메탄, 육불화 황; 아르곤과 산소와의 혼합 가스;로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
플라즈마는, 플라즈마 처리 장치(플라즈마 발생용 가스를 함유하는 분위기 하에서 교류 전력, 직류 전력, 펄스 전력, 고주파 전력, 마이크로파 전력 등을 인가하고 플라즈마를 발생시킴으로써 플라즈마 처리 장치)에 의해 발생시킬 수 있다. 특히 전자 디바이스 제조 장치에서는 플라즈마 처리는 하기에 설명된 성막 공정, 에칭 공정, 에싱 공정, 불순물 첨가 공정, 세정 공정 등에서 사용된다.
성막 공정으로는 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Depositon, 화학 기상 증착)에 있어서, 플라즈마와 열 에너지를 병용하고, 400℃ 이하의 저온에서 비교예 빠른 성장 속도로 반도체 웨이퍼 상에 막을 성장시킬 수 있다. 구체적으로는 재료 가스를 감압한 반응실에 도입하여, 플라즈마 여기에 의해 가스를 라디칼 이온화하고 반응시킨다. 플라즈마 CVD로서는 용량 결합형(양극 결합형, 평행 평판형), 유도 결합형, ECR(Electron Cyclotron Resonance: 전자 사이클로트론 공명)형의 플라즈마를 들 수 있다.
다른 성막 공정으로는, 스퍼터링에 의한 성막 공정을 들 수 있다. 구체적인 예시로는, 고주파 방전 스퍼터 장치에서 1 Torr ~ 10-4 Torr 정도의 불활성 가스(예를 들면 Ar) 중으로 반도체 웨이퍼를 타겟 간에 수 10 V ~수 kV의 전압을 가하면, 이온화된 Ar가 타겟 향해서 가속화 및 충돌하고 타겟 물질이 스퍼터되고 반도체 웨이퍼에 퇴적된다. 이때 동시에 타겟에서 고에너지 γ-전자가 생기고, Ar 원자와 충돌할 경우에 Ar 원자를 이온화(Ar+)시켜, 플라즈마를 지속시킨다.
또한, 다른 성막 공정으로는, 이온 플레이팅에 의한 성막 공정을 들 수 있다. 구체적인 예시로는 내부를 10-5 Torr ~ 10-7 Torr 정도의 고진공 상태로 하여 불활성 가스(예를 들면 Ar) 또는 반응성 가스(질소, 탄화 수소 등)를 주입하고 가공 장치의 열 전자 발생 음극(전자 총)으로부터 전자 빔을 증착재로 향해서 방전을 하고, 이온과 전자로 분리된 플라즈마를 발생시킨다. 다음으로, 전자 빔으로 금속을 고온으로 가열, 증발시킨 후 증발한 금속 입자는 플러스 전압을 걸어줌으로써 플라즈마에서 전자와 금속 입자와 충돌하고 금속 입자가 양이온으로 피가공물로 향해가면 동시에 금속 입자 반응성 가스가 연결되어 화학 반응이 촉진된다. 화학 반응이 촉진된 입자는 마이너스 전자의 가한 피가공물로 향하여 가속되고, 고에너지로 충돌하면서 금속 화합물로서 표면에 퇴적된다. 또한, 이온 플레이팅과 유사한 증착 법도 성막 공정으로 들 수 있다.
또한, 산화, 질소화 공정으로서, ECR 플라즈마, 표면파 플라즈마 등에 의해플라즈마 산화로 반도체 웨이퍼 표면을 산화막을 변환시키는 방법이나, 암모니아 가스를 도입하고 플라즈마 여기에 의해 상기 암모니아 가스를 이온화, 분해, 이온화하고 반도체 웨이퍼 표면을 질화막으로 변환하는 방법 등을 들 수 있다.
에칭 공정에서는, 예를 들면, 반응성 이온 에칭 장치(RIE)에 있어서, 원형 평판 전극을 평행으로 마주하여, 감압 반응실(챔버)에 반응 가스를 도입하고 플라즈마 자극에 의해 도입 가스를 중성 라디칼화 이온화하고, 전극 간에 생성하여 이들의 라디칼 이온과 반도체 웨이퍼 상의 재료와 화학 반응에 의해 휘발 물질화하는 에칭과 물리적 스퍼터링의 양쪽의 효과를 이용한다. 또한, 플라즈마 에칭 장치로서, 상기 평행 평판형 외에 배럴형(원통형)도 들 수 있다.
다른 에칭 공정으로는, 역 스퍼터링을 들 수 있다. 역 스퍼터링은 상기 스퍼터링과 원리는 유사하나, 플라즈마 중의 이온화된 Ar이 반도체 웨이퍼에 충돌하고 에칭하는 방법이다. 또한, 역 스퍼터링과 유사한 이온 빔 에칭도 에칭 공정으로 들 수 있다.
에싱 공정에서는, 예를 들면, 감압 하에서 산소 가스를 플라즈마 여기시킨 산소 플라즈마를 이용하여 포토 레지스트를 분해 및 휘발한다.
불순물 첨가 공정에서는, 예를 들면, 감압 챔버 내에 도핑하는 불순물 원자를 포함하는 가스를 도입하여 플라즈마를 진동시켜서 불순물을 이온화하여 반도체 웨이퍼에 마이너스의 바이어스 전압을 걸고 불순물 이온을 도핑한다.
세정 공정은 반도체 웨이퍼에 각 공정을 하기 전에 반도체 웨이퍼에 부착한 이물질을 반도체 웨이퍼에 손상을 주지 않고 제거하는 공정이며, 예를 들면, 산소 가스 플라즈마에서 화학 반응시킨 플라즈마 세정이나, 불활성 가스(아르곤 등) 플라즈마에서 물리적으로 제거하는 플라즈마 세정(역 스퍼터)등을 들 수 있다.
[실시예]
이하에 실시예 및 비교 예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 1~5 및 비교예 1
하기 표 1에 나타낸 조성의 잉크 조성물을 준비하여, 그것을 기판 필름 상에 도포 및 건조함으로써 폴리이미드 필름 상에 20μm의 변색층을 형성하였다.

조성		 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 비교예1
PVB 니트로
셀룰로오스		 스티렌
아크릴		 폴리아미드 페놀 바인더없음
산화비스무트 30.00 30.00 30.00 30.00 30.00 30.00
실리카 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00
PVB 7.00
니트로셀룰로오스 7.00
스티렌아크릴 수지 7.00
폴리아미드 수지 7.00
페놀 수지 7.00
부틸 셀로솔브 60.00 60.00 60.00 60.00 60.00 67.00
총 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00
변색층의 변색성 ○ ○ ○ ○ × ×(측정불능)
변색층의 벗겨짐 ○ × ○ ○ ○ ○
구체적으로는 기재인 폴리이미드 필름에 실크 스크린 인쇄로 플라즈마 처리 검지용 잉크 조성물을 인쇄하여, 도막을 170℃에서 10분 건조하여 인디케이터를 제작하였다.
실험예 1
도 1은 용량 결합 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma)형 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도이다.
본 장치는, 진공 용기 내에 평행 평판형의 전극이 설치되어 있으며, 상부 전극이 샤워 구조로 되어 있고, 반응성 가스가 샤워 형으로 피처리물 표면에 공급된다.
실제로 에칭을 실시하는 경우에는, 진공 용기 내를 배기한 후, 상부 전극 샤워부로부터 반응성 가스를 도입하여, 상부 전극에 의해 공급한 고주파 전력에 의한 평행 평판 전극 내의 공간에 플라즈마를 발생시키고, 발생한 여기 종에 의해 피처리물 표면에서의 화학 반응에 의해 에칭한다.
실험예 1에서는, 본 장치 내에 실시예 1~5 및 비교예 1로 제작한 인디케이터를 재치하고, 반응성 가스로서 사플루오르화 탄소 가스(CF4)를 도입하여 플라즈마 처리한 경우에 대해서 각 인디케이터의 변색층의 변색성(처리 전후의 색차 ΔE의 측정) 및 벗겨짐을 평가하였다.
표 2에 플라즈마 처리 조건을 나타낸다.
가스 유량
(sccm)		 압력
(Pa)		 고주파전력
(W)		 처리시간
(min.)
10 10 50 10
표 1에 변색성의 결과를 나타낸다. 변색성의 평가 기준은 다음과 같이 규정하였다.
○: 색 차 ΔE > 15
×: 색 차 ΔE < 15
표 1에 벗겨짐의 결과를 나타낸다. 벗겨짐의 평가 기준은 다음과 같이 규정하였다.
○: 플라즈마 처리 후, 변색층에 접하면 변색층이 벗겨지지 않음.
×: 플라즈마 처리 후, 변색층에 접하면 변색층이 벗겨짐.
실험예 2
실시예 1로 제작한 인디케이터와 변색층에 유기 색소를 함유하는 종래예 1의 플라즈마 처리 검지 인디케이터(월 사 제, Wahl Instruments. Inc. Temp-plate(등록 상표) 101-6-215C)을 준비하여, 승온 시 방출 가스 특성을 비교하였다.
구체적으로는, 실시예 1의 인디케이터와 종래예 1의 인디케이터를 승온 가능한 시료대 위에 설치 부착된 진공 장치 내에 재치하여, 진공 배기에 의해 1.0 E-6 Pa대의 진공도로 한 다음, 30℃/분으로 시료대를 승온시킨 경우의 진공 장치 내 진공도 변화에서 방출 가스 특성을 조사하였다. 방출 가스 특성의 결과를 도 2에 나타낸다.
도 2의 결과에서 밝혀진 대로, 종래예 1의 인디케이터는 150℃~200℃에 걸쳐 진공도가 크게 변화하는 반면, 실시예 1의 인디케이터는 진공도 변화가 종래예 1의 인디케이터보다 적은 것을 알 수 있다. 그러므로, 변색 재료로서 금속 산화물 입자를 이용하는 본 발명의 인디케이터는 변색층에 유기 색소를 함유하는 종래예 1의 인디케이터와 비교하여 승온 시 방출 가스가 적은 것을 알 수 있다.
또한, 도 3의 결과에서 밝혀진 대로, 승온 후의 각 샘플의 색을 관찰한 결과 종래예 1의 인디케이터(도 3(b))는 열에 의해서 변색하여 버린 반면, 실시예 1로 제작한 인디케이터(도 3(a))에서는 열에 의한 변색은 볼 수 없었다.
이러한 이유로는, 종래예 1의 인디케이터는 변색층에 유기 색소를 함유하기 때문에 200℃ 부근에서 유기물의 분해가 발단되어, 이에 따른 방출 가스의 발생과 유기 색소의 변색이 있었으나 한편, 실시예 1로 제작한 인디케이터는 변색층에 금속 산화물 입자(무기물)을 함유하고 있어 우수한 방출 가스 특성과 내열성을 가진다고 생각한다.

Claims (13)

  1. 플라즈마 처리에 의해 변색하는 변색층을 형성하기 위한 잉크 조성물에 있어서,
    Mo, W, V, Ce, Te 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 금속 산화물 입자를 30중량% 내지 60중량% 함유하고 바인더 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자는 산화 몰리브덴 입자(IV), 산화 몰리브덴 입자(VI), 산화 텅스텐 입자(VI), 산화 주석 입자(IV), 산화 바나듐 입자(II), 산화 바나듐 입자(III), 산화 바나듐 입자(IV), 산화 바나듐 입자(V), 산화 세륨 입자(IV), 산화 텔루륨 입자(IV), 산화 비스무트 입자(III), 탄산 산화 비스무트 입자(III) 및 산화 황산 바나듐 입자(IV)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자는 산화 몰리브덴 입자(VI), 산화 텅스텐 입자(VI), 산화 바나듐 입자(III), 산화 바나듐 입자(V) 및 산화 비스무트 입자(III)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자는 평균 입자 지름이 50 μm 이하인 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 석유계 탄화 수소 수지, 비닐 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 아크릴로니트릴 수지, 불소 수지, 실리콘 수지, 포르말린 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리 에틸렌 수지, 케톤 수지, 폴리아미드 수지, 말레산 수지, 쿠마론 수지, 폴리이미드 수지, 폴리 에테르 에테르 케톤 수지 및 지환족 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 연화점이 70℃ 이상인 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물.
  7. 기재 상에, 제1항에 기재된 플라즈마 처리 검지 잉크 조성물의 경화 도막으로부터 형성되는 변색층을 가지는 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 검지 인디케이터는 전자 디바이스 제조 장치에서 사용하는 인디케이터인 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 인디케이터의 형상은 전기 전자 디바이스 제조 장치에서 사용되는 전자 장치 기판의 형상과 동일한 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 전자 디바이스 제조 장치는 성막 공정, 에칭 공정, 에싱 공정, 불순물 첨가 공정 및 세정 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 플라즈마 처리를 수행하는 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 검지 인디케이터는 플라즈마 처리에 의해 변색하지 않는 비변색층을 가지는 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 비변색층은 산화 티탄(IV), 산화 지르코늄(IV), 산화 이트륨(III), 황산 바륨, 산화 마그네슘, 이산화 규소, 알루미나, 알루미늄, 은, 이트륨, 지르코늄, 티타늄, 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 기재 상에, 상기 비변색층 및 상기 변색층이 차례로 형성되어 있고, 상기 비변색층이 상기 기재의 주면 상에 인접하여 형성되어 있으며, 상기 변색층이 상기 비변색층의 주면 상에 인접하여 형성되어 있는 플라즈마 처리 검지 인디케이터.
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