CN1795546A - 氟化碳膜的形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行所述被处理基板的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。

Description

氟化碳膜的形成方法
技术领域
本发明涉及绝缘膜的形成方法，特别涉及氟化碳膜的形成方法。
背景技术
伴随着近年的半导体器件的高性能化，正在尝试降低半导体器件的配线间的寄生电容来使半导体器件的运转速度高速化。在降低配线间的寄生电容上采用这样的方法：例如在半导体器件的配线间形成的层间绝缘膜上使用介电常数低的材料。
在所述层间绝缘膜上，虽然一直使用了相对介电常数为4左右的氧化硅膜(SiO2膜)，但是近年来使用了相对介电常数为3～3.5左右的氟化的硅氧化膜(SiOF膜)，实现了半导体器件的高速化。
但是，所述的SiOF膜在降低相对介电常数上有界限，难以使相对介电常数达到3以下。
虽然相对介电常数低、所谓的低介电常数层间绝缘膜有很多的候选材料，但是有一个必要条件是，要具有低相对介电常数、且具有耐用于半导体器件的机械强度。因此，着眼于具有足够的机械强度，且相对介电常数为2.5左右、或者可以在其以下的氟化碳膜(CF膜)，进行着作为下一代的低介电常数层间绝缘膜用于半导体器件的尝试。
专利文献1：WO 99/35684号公报
但是，在将所述的氟化碳膜作为半导体器件的层间绝缘膜来使用的情况下，有氟化碳膜与该氟化碳膜的衬底的粘合力弱的问题。
图1的(A)～(C)示出了在硅氮化膜(SiN膜)上形成氟化碳膜的情况的例子。在将氟化碳膜作为半导体器件的层间绝缘膜来使用的情况下，有很多情况是以Cu层作为该半导体器件的配线层，在作为该Cu层的盖层的SiN膜上形成氟化碳膜。
参考图1的(A)，在图中未示出的被处理基板上形成有SiN膜101。另外，在所述SiN膜101上形成有附着层102，该附着层102与所述SiN膜101相比非常薄，由例如水、有机物及自然氧化膜等形成。所述附着层102大多是例如在所述SiN膜101形成后，将被处理基板暴露在空气中而形成的。
接着在图1的(B)中，例如通过等离子体CVD(化学气相沉积)法形成氟化碳膜103。
但是如所述那样，因为在SiN膜101上存在附着层102，所以如图1(C)所示，会产生所述氟化碳膜103与所述附着层102一起从所述SiN膜101脱落，或者产生所述氟化碳膜103从所述附着层102脱落的情况。
另外，在所述氟化碳膜103的形成后不久，即使在没有产生所述那样的脱落的情况下，例如对于半导体器件的制造工序，在消除热应力的热处理工序、而且在消除剪切应力的CMP(化学机械性研磨)等工序中，也有氟化碳膜脱落的情况，从而难以满足这样的要求，并确保衬底膜与氟化碳膜的足够的粘合力。
另外，当为了确保粘合力而除去所述附着层102时，例如有通过等离子体处理装置用溅射蚀刻来将其除去的方法。但是由于溅射蚀刻的离子撞击，有个问题是，成为氟化碳膜的衬底膜的所述SiN膜101会遭受损害。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种解决了上述问题的氟化碳膜的形成方法。
本发明的具体的课题在于提供一种氟化碳膜的形成方法，其能够不给氟化碳膜的衬底膜造成损害，并使氟化碳膜与所述衬底膜具有良好的粘合力。
本发明为了解决上述问题，利用了一种氟化碳膜的形成方法，该方法用于在被处理基板上形成氟化碳膜，其特征在于，包括第一工序与第二工序，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行所述被处理基板的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有被设置成与所述被处理基板相面对的微波透过窗，通过所述微波窗，从被设置在所述微波透过窗上的与微波电源电连接的微波天线，向所述被处理基板上的加工空间导入微波，对包含所述稀有气体的等离子气体进行等离子体激发。
根据本发明，等离子体处理装置通过进行被处理基板的表面处理，使得能够提高在该表面处理后形成的氟化碳膜与被处理基板表面的粘合力。
另外，因为所述等离子体处理装置利用了高密度且电子温度低的微波等离子体，所以可以不给被处理表面造成损害而进行所述表面处理。
附图说明
图1中的(A)～(C)是表示氟化碳膜脱落的状态的示意图；
图2中的(A)～(C)是简要示出本发明的氟化碳膜的形成方法的示意图；
图3是表示本发明的氟化碳膜的形成方法的流程图(其一)；
图4中的(A)、(B)是实施本发明的氟化碳膜的形成方法的等离子体处理装置的简图；
图5是在图4的等离子体处理装置中使用的处理气体供给结构的仰视图；
图6是表示本发明的氟化碳膜的形成方法的流程图(其二)；
图7是表示本发明的氟化碳膜的形成方法的流程图(其三)；
图8是简要示出氟化碳膜的粘合力的检测方法的示意图；
图9是表示氟化碳膜的粘合力的检测结果的示意图。
具体实施方式
原理：
首先，基于图2的(A)～(C)，对于通过本发明的氟化碳膜的形成方法，改善形成该氟化碳膜的衬底膜与该氟化碳膜之间的粘合力的原理进行说明。
将氟化碳膜作为在半导体器件的配线间形成的层间绝缘膜来使用，例如有很多情况是以Cu层作为半导体器件的配线层，在作为该Cu层的盖层的硅氮化膜(SiN膜)上形成的。
首先参考图2的(A)，在图中未示出的被处理基板上形成有成为氟化碳膜的衬底膜的SiN膜(硅氮化膜)201。在所述SiN膜201上形成有附着层202，该附着层202由例如水、有机物及自然氧化膜等构成。典型的所述附着层202是0.1～1nm左右的很薄的层。
所述附着层202大多时是例如将所述SiN膜202暴露在存在有水或者有机物的空气中而形成的。通常，由于形成所述SiN膜201的装置与在所述SiN膜201上形成氟化碳膜的装置不同，因而需要在空气中搬送形成所述SiN膜201的被处理基板，所以很难防止所述那样的附着层的形成。
因此，如图2的(B)所示，本发明通过由微波等离子体激发稀有气体而得的离子、游离基等反应种203，进行除去所述SiN膜201上的所述附着层202的、衬底膜的表面处理。另外，若此时等离子体的电子温度高，所述反应种的离子的能量高的话，则离子对所述SiN膜201的撞击能量将变大，从而出现给所述SiN膜201造成损害的情况。因此，需要的是不会给作为衬底膜的所述SiN膜201造成损害、且除去所述附着层202，在本发明中，在使用后述的微波等离子体的等离子体处理装置中，通过电子温度低的微波等离子体来进行处理，可以不给所述SiN膜201造成损害地进行处理。
在图2的(B)的工序中除去所述附着层202后，如图2的(C)所示，形成了氟化碳膜204。如所述的那样，在图2的(B)的工序中，附着层202是使所述SiN膜201与所述氟化碳膜204的粘合力降低的原因，因为除去了该附着层202，所以可以使所述SiN膜201与所述氟化碳膜204保持良好的粘合力。
接着基于附图来说明对于本发明的实施方式。
(第一实施例)
图3示出了本发明的第一实施例的氟化碳膜的形成方法的流程图。参考图3，在本发明的氟化碳膜形成方法中，首先在步骤100(图中标记为S100，下同)中开始处理，在步骤200中，如所述那样对形成于被处理基板上的氟化碳膜的衬底膜的表面进行处理，除去形成于衬底膜的表面上的附着层。
接着在步骤300中，将氟化碳膜形成在已除去附着层的衬底膜上，在步骤400中结束处理。
如上述那样，在本发明的氟化碳膜的形成方法中，大致包括除去衬底膜表面的附着层的表面处理工序P和形成氟化碳膜的成膜工序D。
接着，对实施所述表面处理工序P及所述成膜工序D的等离子体处理装置进行说明。
(第二实施例)
首先，基于图4的(A)、(B)及图5，对进行所述表面处理工序P及所述成膜工序D的等离子体处理装置10进行说明。
首先，参考图4的(A)，所述等离子体处理装置10具有处理容器11与支撑台13，所述支撑台13设置于所述处理容器11内，通过静电卡盘支撑被处理基板12，该支撑台13最好由通过热等静压烧结法(HIP)形成的AlN或者Al2O3制成。
所述处理容器11内被大致呈圆筒状的内部隔板15分割成：与所述支撑台13的中心接近的中心部的空间，和在所述内部隔板15与所述处理容器之间形成的空间11C。另外，所述中心部的空间被后述的处理气体供给结构24的网格状的气体通路24A大致分割成空间11B及空间11A，所述空间11B与所述支撑台13接近；所述空间11A与该处理气体供给结构24隔开的所述空间11B相对。
形成在所述处理容器11内的所述空间11A、11B及11C通过排气口11D用真空泵等排气装置来进行排气、减压，所述排气口11D包围所述支撑台13，即对于所述支撑台13上的被处理基板12，以大致轴对称的关系等间隔地形成在至少两处，优选的是三处以上。
所述处理容器11优选的是由含有A1的奥氏体不锈钢制成，在内壁表面上通过氧化处理形成有由氧化铝形成的保护膜。在所述处理容器11的外壁上，在对应于所述被处理基板12的部分设置有透过微波的微波透过窗17，另外在所述微波透过窗17与所述处理容器11之间插入有导入等离子气体的等离子气体导入环14，分别构成了所述处理容器11的外壁。
所述微波透过窗17的结构为，在其边缘部分具有阶梯差形状，该阶梯差形状部与设置在所述等离子气体导入环14的阶梯差形状相接合，而且通过密封环16A保持所述处理容器11内的气密性。
在所述等离子气体导入环上通过等离子气体导入口14A导入等离子气体，扩散到形成为近似环状的气体槽14B中。从与所述气体槽14B连通的多个等离子气体孔14C、而且通过等离子气体供给孔15B向所述空间11A供给所述气体槽14B中的等离子气体，所述等离子气体供给孔15B形成于所述内部隔板15上，所述内部隔板15被安装在所述等离子气体导入环14上。
所述内部隔板15的大致呈圆筒状的导电体例如由不锈钢合金制成，在所述内部隔板15的外侧、即与所述处理容器11的外壁相对的表面上设置有加热器15B，其可以加热所述内部隔板15。而且所述内部隔板15电连接在所述等离子气体导入环14上，通过该等离子气体导入环14接地。
另外，所述微波透过窗17由通过HIP法形成的致密的Al2O3制成。通过HIP法形成的Al2O3的微波透过窗17是使用Y2O3作为烧结添加剂而形成的，孔隙率在0.03％以下且实质上不含有气孔或针孔，虽然赶不上AlN，但作为陶瓷具有非常大的热传导率，达到了30W/m·K。
在所述微波透过窗17上设置有径向线隙缝天线30，所述径向线隙缝天线30由盘状的狭缝板18、盘状的天线主体22及滞相板19构成，其中，所述狭缝板18与所述微波透过窗17紧密接触，形成有图4的(B)中所示的多个狭缝18a、18b；所述天线主体22支撑所述狭缝板18；所述滞相板19被夹持在所述狭缝板18与所述天线主体22之间，由Al2O3、SiO2或Si3N4的低损耗电介体材料制成。
所述径向线隙缝天线30通过所述等离子气体导入环14被安装在所述处理容器11上，通过同轴导波管21，由外部的微波波源(图中未示出)向所述径向线隙缝天线30供给频率为2.45GHz或8.3GHz的微波。
被供给的微波通过所述微波透过窗17，从所述狭缝板18上的狭缝18a、18b径向进所述处理容器11中，在所述微波透过窗17正下方的空间11A中，在从所述等离子气体供给孔15A供给的等离子气体中激发等离子体。可以通过检测窗25来观察激发起的等离子体，或进行发光的分光等的检测，所述检测窗25设置在所述处理容器11上，由例如石英、蓝宝石等制成。
所述径向线隙缝天线30与所述等离子气体导入环之间由密封环16B密封，因为提高了所述径向线隙缝天线30与所述微波透过窗17的密封性，通过真空泵(图中未示出)对形成于所述狭缝板18与所述微波透过窗17之间的间隙进行减压，所以可以通过大气压将所述径向线隙缝天线30紧密地压紧在所述微波透过窗17上。
所述同轴导波管21A中，外侧的导波管21A连接在所述盘状的天线主体22上，中心导体21B通过形成于所述滞相板19上的开口部连接在所述狭缝板18上。因此提供给所述同轴导波管21A的微波在所述天线主体22与狭缝板18之间在径向上前进的同时，也从所述狭缝18a、18b放射。
图4的(B)表示形成在所述狭缝板18上的狭缝18a、18b。
参考图4的(B)，所述狭缝18a被排列成同心圆状，对应于各个狭缝18a，与其垂直的狭缝18b同样形成同心圆状。在所述狭缝板18的半径方向上，微波被所述滞相板19压缩，以对应于该微波的波长的间隔形成了所述狭缝18a、18b，其结果是微波变成近似平面波，从所述狭缝板18放射。此时，因为所述狭缝18a及18b形成了相互垂直的关系，所以这样放射的微波形成了包含两个垂直的偏振波分量的圆偏振波。
而且，在图4的(A)的等离子体处理装置10中，在所述天线主体22上形成有冷却块20，所述冷却块20形成有冷却水通路20A，通过所述冷却水通路20A中的冷却水来冷却所述冷却块20，可以通过所述径向线隙缝天线30吸收积蓄在所述微波透过窗17的热量。所述冷却水通路20A在所述冷却块20上形成螺旋状，优选的是使H2气体起泡来排除溶解氧，且使控制氧化还原电势的冷却水流通。
另外，在图4的(A)的等离子体处理装置10中，在所述处理容器11中，在所述微波透过窗17与所述支撑台13上的被处理基板12之间设置有处理气体供给结构24，所述处理气体供给结构24由导体制成，由处理气体导入通路23支撑而立起。在所述处理气体导入通路23上还有这样的结构：通过设置在所述处理容器11的外壁上的处理气体注入口(图中未示出)来导入处理气体。
所述处理气体供给结构24具有与处理气体导入通路23连通的网格状的处理气体通路24A，而且通过与所述空间11B连通的多个处理气体供给孔24B，从所述处理气体通路24A向所述空间11B供给处理气体，在所述空间11B中，进行所希望的均匀的基板处理。
图5是表示图4的(A)的处理气体供给结构24的结构的仰视图。
参考图5，所述处理气体供给结构24由例如含有Mg的Al合金或添加了Al的不锈钢等的导电体构成，网格状的所述处理气体通路24A连接在所述处理气体导入通路23上来提供处理气体，从下面形成的多个所述处理气体供给孔24B向所述空间11B均匀地释放出处理气体。另外，所述处理气体导入通路23由导体制成，所述处理气体供给结构24电连接在所述处理气体导入通路23上，通过该处理气体导入通路23接地。
另外，在所述处理气体供给结构24上，在相邻连接的处理气体通路24A之间形成有通过等离子体或气体的开口部24C。在所述处理气体供给结构24由含有Mg的Al合金制成的情况下，优选的是在表面事先形成氟化物膜。另外在所述处理气体供给结构24由添加了Al的不锈钢制成的情况下，优选的是在表面事先形成氧化铝的钝态膜。在本发明的等离子体处理装置10中，因为激发的等离子体中的电子温度低，所以等离子体的入射能量小，可以避免相关的处理气体供给结构24被阴极溅镀而在被处理基板12上产生金属污染的问题。
图5中虚线表示的是被处理基板12，与被处理基板12相比，所述网格状的处理气体通路24A及处理气体供给孔24B被设置成覆盖了稍微大的区域。通过将相关的处理气体供给结构24设置在所述微波透过窗17与被处理基板12之间，等离子体激发所述处理气体，通过该被等离子体激发的处理气体，可以均匀地进行处理。
在所述处理气体供给结构24由金属等的导体制成的情况下，通过将所述网格状的处理气体通路24A相互的间隔设定得比所述微波的波长小，所述处理气体供给结构24形成了微波的短路面。
在这种情况下，只在所述空间11A中产生等离子体的微波激发，在包含所述被处理基板12表面的空间11B中，通过从所述激发空间11A中扩散的等离子体，可以使处理气体活性化。另外，因为在等离子体点火时可以防止所述被处理基板12直接暴露在微波下，所以也可以防止基板被微波损伤。
在本实施例的等离子体处理装置10中，通过使用处理气体供给结构24，可以将处理气体的供给控制得很均匀，因而可以解决在处理气体的被处理基板12表面的过度分解的问题，即使在被处理基板12的表面上形成了纵横比大的结构的情况下，也可以将所希望的基板处理实施到该高纵横结构的内部。即，等离子体处理装置10对于设计规则不同的多代半导体器件的制造来说很有效。
(第三实施例)
接着，关于利用所述等离子体装置10的具体的氟化碳膜的形成方法，用图6的流程图来表示。图6具体地表示了图2的(A)～(C)及图3所示的氟化碳膜的形成方法。
参考图6，如所述那样，本发明的氟化碳膜的形成方法包括被处理基板的表面处理工序P及在进行了表面处理后的被处理表面上进行氟化碳膜成膜的成膜工序D。
首先，在步骤500开始处理，在步骤510中，作为第一等离子气体的Ar气体被从所述等离子气体供给环14导入400sccm。
接着在步骤520中，通过所述微波透过窗17，从所述径向线隙缝天线30向所述处理容器11内导入微波，激发微波等离子体。此时，因为利用了所述径向线隙缝天线30，所以微波变为近似平面波而从所述狭缝板18放射，而且因为形成了包含两个垂直的偏振波分量的圆偏振波，所以可以激发高密度、且电子温度低的等离子体。
因此，在步骤530中，可以充分地生成包含有基板表面处理所需要的Ar离子的反应种，主要通过Ar离子的阴极溅镀，可以除掉所述SiN层201上的所述附着层202。而且因为电子温度低而能够将该Ar离子撞击所述SiN膜201的能量抑制得很低，所以不会给所述SiN膜201造成损害。这样，为了不会给例如SiN膜等的氟化碳膜的衬底膜造成损害，需要离子的能量在6eV左右以下的电子温度低的等离子体。
在本步骤中，通过以微波功率1800W、Ar流量400sccm、压力133Pa(1Torr)，进行20秒时间的处理，可以不给所述SiN膜201造成损害，而除掉所述SiN膜201上的水分或有机物、自然氧化物等的所述附着层202。这种情况下的Ar离子的能量是5.6eV，不会给SiN膜201造成损害。
接着，若在步骤540中导入微波，则停止供给等离子气体，表面处理工序P结束。
接着，结束了表面处理，在变得清洁的所述SiN膜201上，开始形成氟化碳膜的成膜工序D。
在步骤550中开始成膜工序D后，首先作为第二等离子气体的Ar与H2被分别从所述等离子气体供给环14向所述处理容器11内导入600sccm、40sccm。
接着，在步骤560导入微波，在步骤520中如所述那样激发起等离子体后，在步骤570中，从所述处理气体供给结构24导入作为处理气体的碳氟化合物类的气体、例如导入C4F8 30sccm，开始形成氟化碳膜。
在步骤580中，以Ar流量600sccm、H2流量40sccm、C4F8流量30sccm、微波功率2000W，通过进行成膜处理，以340nm/min的成膜速度在所述SiN膜201上形成介电常数2.1左右的氟化碳膜204。此时如所述那样，通过利用高密度且电子温度低的微波等离子体，可以形成介电常数低、膜质量良好的氟化碳膜
接着，在步骤590中停止导入等离子气体、处理气体及微波，在步骤600处理结束。
如所述那样，因为从成为形成氟化碳膜的衬底膜的所述SiN膜201上，除掉了所述附着层202，所以在步骤590中形成的氟化碳膜204与所述SiN膜201的粘合性变好，而且如所述那样没有对氟化碳膜的衬底产生损害的影响。
根据所述的理由，通过本发明的氟化碳膜的形成方法而形成的氟化碳膜可以确保耐得住半导体器件的制造工序中的热处理工序或CMP工序的粘合力，可作为低介电常数层间绝缘膜用于半导体器件。
另外，在本发明中，虽然在所述步骤510导入了Ar气体，但是在等离子体激发的情况下，而且也可以采用可以将离子能量抑制得很低的Kr或Xe。例如，在本实施例中使用Kr代替Ar的情况下，可以抑制离子能量到3.9eV，在使用Xe的情况下可以抑制到2.9eV，进一步有效地抑制了对SiN膜的损害。
另外，根据本发明，改善与氟化碳膜的粘合性的衬底膜并不限于SiN膜(硅氮化膜)。作为衬底膜，例如可以使用Si、SiO2、SiON、SiOC、SiCO(H)、W、WN、Ta、TaN、Ti、TiN、Cu、Al，另外还有用旋压覆盖法形成的绝缘膜(SOD膜)等的绝缘膜或、金属膜、金属氮化膜、金属氧化膜等，即使在该衬底膜上形成氟化碳膜的情况下，也与本实施例一样，可以不会给衬底膜造成损害，并提高氟化碳膜与衬底膜的粘合力。
(第四实施例)
另外，对于图6所示的氟化碳膜的形成方法来说，即使如图7所示的那样进行变更，也会产生与第三实施例所示的情况相同的效果。
图7是表示本发明第四实施例的氟化碳膜的形成方法的流程图。这里，在图中针对先前说明过的部分标注相同的参考符号，并省略对其说明。
本实施例的步骤500～530及步骤570～600与图6所示情况相同。
在本实施例中，在步骤560A进行等离子气体的替换。其表示：在前面的步骤530中，若除去所述附着层202的表面处理结束后，则为了进行接着的氟化碳膜的成膜处理，进行从所述第一等离子气体向所述第二等离子气体的替换处理。
具体来说，将Ar作为前面的步骤530中的第一等离子气体，从供给400sccm的状态，与Ar一起导入H2作为第二等离子气体，Ar与H2的流量分别为600sccm、40sccm。此后，转为连续地形成氟化碳膜。
这样，通过在激发等离子体的同时进行气体的替换，可以连续地、从表面处理工序P向成膜工序D转移，从而可以缩短基板处理时间，高效地形成氟化碳膜。
在本实施例中，也可以不给氟化碳膜的衬底膜造成损害，且能够形成与该衬底膜的粘合力良好的氟化碳膜。
(第五实施例)
接着以下通过本发明的氟化碳膜的形成方法，说明提高衬底膜与氟化碳膜的粘合力的结果。
首先图8示出了氟化碳膜的粘合力的检测方法。但是在图中，在先前说明过的部分上标注相同的参考符号，并省略对其说明。例如，在检测图2(C)中所述的、检测在被处理基板上的SiN膜上形成氟化碳膜的粘合力的情况，首先如图8所示，在所述氟化碳膜204上用规定的粘合剂固定试验棒205。接着在固定被处理基板的状态下，在所述试验棒205上施加从被处理基板离开的方向上的载荷，将氟化碳膜204脱离时的载荷作为粘合力。
图9示出了通过图8所示的粘合力检测方法所检测的氟化碳膜与衬底膜的粘合力的检测结果。实验对以下两种情况下的结果进行了比较：通过图6所示的本发明的氟化碳膜的形成方法而形成的情况；没有进行图6的步骤500～550的工序的情况、即没有进行衬底膜的表面处理的情况。
另外，对所述两种情况分别进行了实验：在Si基板上形成的SiN膜上形成氟化碳膜的情况；在Si基板上直接形成氟化碳膜的情况。
参考图9，分别对于在SiN膜上形成氟化碳膜的情况及在Si基板上直接形成氟化碳膜的情况，通过进行图6的步骤500～550所示的表面处理，可以大幅改善氟化碳膜与衬底的粘合力。
例如，在SiN膜上形成氟化碳膜的情况下，没有进行SiN膜的表面处理的情况时的粘合力为32MPa，与此相对，若进行表面处理，则粘合力可提高到48MPa。
如所述那样，通过除掉氟化碳膜的衬底上的水分或有机物、自然氧化物等，是为了提高氟化碳膜与SiN膜的粘合力。
另外，衬底膜并不限于SiN膜或Si，在利用其他的绝缘膜，例如氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、金属膜、金属氧化膜及金属氮化膜等作为衬底膜的情况下，也不会给衬底膜造成损害，也能够提高氟化碳膜与衬底膜的粘合力。
虽然以上对于本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明并不限于上述的特定的实施例，在权利要求记载的主旨范围内可以有各种变形、变更。
工业实用性
根据本发明，通过等离子体处理装置进行被处理基板的表面处理，可以提高在该表面处理后形成的氟化碳膜与被处理基板表面的粘合力。
另外，所述等离子体处理装置因为利用了高密度且电子温度低的微波等离子体，所以可以不给被处理基板表面造成损害，而进行所述表面处理。

Claims (12)

1.一种氟化碳膜的形成方法，用于在被处理基板上形成氟化碳膜，其特征在于，
包括：
第一工序，通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行所述被处理基板的表面处理；
第二工序，在所述被处理基板上形成氟化碳膜；
并且，所述基板处理装置具有被设置成与所述被处理基板相面对的微波透过窗，通过所述微波窗，从被设置在所述微波透过窗上的与微波电源电连接的微波天线，向所述被处理基板上的加工空间导入微波，对包含所述稀有气体的等离子气体进行等离子体激发。
2.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
在所述第二工序中，在第一工序中被进行所述表面处理的所述被处理基板上形成氟化碳膜。
3.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
所述基板处理装置具有：
处理容器，所述处理容器配有通过外壁构成的支撑所述被处理基板的支撑台；
排气口，所述排气口排出所述处理容器内气体；
所述微波透过窗被设置在所述处理容器上，供给所述等离子气体的等离子体供给部被插入在所述处理容器与所述微波透过窗之间，形成了所述外壁的一部分。
4.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
所述微波天线通过同轴导波管供电，其包括：
天线主体，其具有开口部；
微波放射面，其具有多个狭缝，所述狭缝覆盖所述开口部地被设置在所述天线主体上；
电介体，其被设置在所述天线主体与所述微波放射面之间。
5.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，所述稀有气体含有Ar。
6.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，所述稀有气体含有Kr。
7.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，所述稀有气体含有Xe。
8.如权利要求1所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
所述加工空间被导电材料结构物分割成面对所述微波透过窗的第一空间与面对所述被处理基板的第二空间，向所述第二空间提供作为形成氟化碳膜的原料的处理气体，在所述基板处理装置中进行所述第二工序。
9.如权利要求8所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
所述导电材料结构物是处理气体供给部，其将所述处理气体提供给所述第二空间。
10.如权利要求9所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
所述处理气体供给部配有：
多个开口部，其使在所述处理容器内形成的等离子体通过；
处理气体通路；和
多个处理气体供给孔，其从所述处理气体通路连通到所述处理容器内。
11.如权利要求8所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，所述第一工序与所述第二工序是在所述基板处理装置中连续地进行的。
12.如权利要求11所述的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，
所述第二工序在所述第一工序后进行，所述第一工序是在切断所述基板处理装置的所述处理气体的供给的状态下进行的。
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