KR102213680B1

KR102213680B1 - 상 가열 장치 및 상 가열 장치에 사용되는 히터

Info

Publication number: KR102213680B1
Application number: KR1020207008485A
Authority: KR
Inventors: 야스히로 시무라; 아키라 가토; 아츠시 이와사키
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2015-09-11
Filing date: 2016-08-12
Publication date: 2021-02-08
Also published as: EP3347770A1; EP4355028A3; US10671001B2; US10983463B2; US20240210865A1; US20220221814A1; JP6661311B2; EP4355028A2; CN107949811B; KR20210014775A; CN114755903A; EP3347770A4; US11953851B2; CN114721239A; WO2017043020A1; US20210200130A1; US20230244166A1; EP3347770B1; JP2017054071A; US20190391515A1

Abstract

히터의 길이 방향에서 독립적으로 제어가능한 복수의 발열 블록을 갖는 상 가열 장치에서, 히터의 크기의 증가가 억제될 수 있으며, 복수의 발열 블록의 온도가 검출될 수 있다.
히터는 제1 발열 블록에 대응하는 제1 온도 센서, 제2 발열 블록에 대응하는 제2 온도 센서, 상기 제1 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 도전체, 상기 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 도전체, 및 상기 제1 및 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 공통 도전체를 갖는다.

Description

상 가열 장치 및 상 가열 장치에 사용되는 히터{IMAGE HEATING DEVICE AND HEATER FOR USE IN IMAGE HEATING DEVICE}

본 발명은, 복사기 및 프린터 등의 전자사진 기록을 위한 화상 형성 장치에 탑재하는 정착기, 및 기록재에 정착된 토너 화상을 재가열함으로써 토너 화상의 광택 레벨을 향상시키는 광택 부여 장치 같은 상 가열 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상 가열 장치에 사용되는 히터에 관한 것이다.

상 가열 장치는 통형의 필름, 필름의 내면에 접촉하는 히터, 필름을 통해 히터와 함께 닙부를 형성하는 롤러를 포함한다. 상 가열 장치를 구비하는 화상 형성 장치가 소형 사이즈 시트를 연속적으로 프린트하기 위해 사용되면, 닙부의 길이 방향으로 용지가 통과하지 않는 영역의 온도가 서서히 상승하는 현상(용지 비통과 부분의 온도 상승)이 발생할 수 있다. 용지 비통과 부분의 과도한 온도 상승은 장치 내의 부품을 손상시킬 수 있다. 용지 비통과 부분의 온도 상승이 발생할 때에 대형 사이즈 용지에 대해 프린트가 실행되는 경우, 소형 사이즈 용지에 대한 용지 비통과 부분에 대응하는 영역에서 필름에 대해 토너의 고온 오프셋이 발생할 수 있다.

이러한 용지 비통과 부분의 온도 상승을 억제하는 대책 중 하나로서, 히터의 길이방향 발열 저항체의 복수의 그룹(발열 블록)을 포함하고, 기록재의 사이즈에 따라 히터의 발열 분포를 변경하는 장치가 제안되었다(특허문헌 1).

일본 특허 공개 제2014-59508호

이러한 장치의 고장의 발생을 고려하여, 장치는 각각의 발열 블록의 온도를 모니터하도록 구성될 수 있다. 복수의 발열 블록 중 하나가 제어불가능해지고 비정상적인 발열이 발생해도, 각각의 발열 블록의 온도 모니터링에 기초하여 전력 공급을 신속하게 정지시킬 수 있다.

그러나, 발열 블록의 수가 증가함에 따라, 온도를 각각 모니터하기 위한 온도 센서의 수도 증가한다. 히터의 기판의 영역 내에 많은 온도 센서를 제공하면 히터의 사이즈가 증가할 수 있다.

본 발명의 양태는 상 가열 장치에 사용되는 히터를 제공하고, 상기 히터는, 기판, 상기 기판에 제공되고, 공급되는 전력으로부터 열을 발생시키도록 구성된 제1 발열 블록; 상기 기판의 길이 방향에서 상기 제1 발열 블록의 위치와 상이한 위치에 제공되고, 상기 제1 발열 블록과 독립적으로 제어되도록 구성된 제2 발열 블록; 상기 제1 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제1 온도 센서; 상기 제2 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제2 온도 센서; 상기 제1 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 도전 패턴; 상기 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 도전 패턴; 및 상기 제1 온도 센서 및 상기 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 공통 도전 패턴을 포함한다.

본 발명의 다른 양태는 상 가열 장치에 사용가능한 히터를 제공하며, 상기 히터는, 기판, 상기 기판의 하나의 표면에 제공되고, 공급되는 전력으로부터 열을 발생시키도록 구성된 열 발생 부재, 상기 기판의 상기 하나의 표면의 반대측의 다른 표면에 제공되고, 상기 히터의 온도를 검출하도록 구성된 온도 센서, 및 상기 열 발생 부재에 전력을 공급하기 위한 전기 접점과 접촉하는 전극으로서, 상기 기판의 하나의 표면에서 상기 히터의 길이 방향으로 열 발생 부재를 갖는 영역 내에 배치되는, 전극을 포함한다.

본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명에 따르면, 히터의 사이즈의 증가가 억제될 수 있다.

도 1은 화상 형성 장치의 단면도이다.
도 2는 상 가열 장치의 단면도이다.
도 3a는 제1 예시적인 실시예에 따른 히터의 구성을 도시한다.
도 3b는 제1 예시적인 실시예에 따른 히터의 구성을 도시한다.
도 3c는 제1 예시적인 실시예에 따른 히터의 구성을 도시한다.
도 4는 제1 예시적인 실시예에 따른 히터 제어 회로를 도시한다.
도 5는 제1 예시적인 실시예에 따른 히터 제어 흐름도이다.
도 6a는 제2 예시적인 실시예에 따른 히터의 구성을 도시한다.
도 6b는 제2 예시적인 실시예에 따른 히터의 구성을 도시한다.
도 7은 제2 예시적인 실시예에 따른 히터 제어 회로를 도시한다.
도 8은 제2 예시적인 실시예에 따른 히터 제어 흐름도이다.
도 9a는 히터의 변형예를 도시한다.
도 9b는 히터의 변형예를 도시한다.
도 10a는 히터의 변형예를 도시한다.
도 10b는 히터의 다른 변형예를 도시한다.
도 11a는 히터의 통전 제어 패턴을 도시한다.
도 11b는 히터의 다른 통전 제어 패턴을 도시한다.

[제1 실시예]

도 1은 전자사진 기록 기술을 적용한 레이저 프린터(화상 형성 장치)(100)의 단면도이다. 프린트 신호의 발생에 응답하여, 스캐너 유닛(21)은, 대전 롤러(16)에 의해 미리결정된 극성으로 대전된 감광 부재(19)가 주사될 수 있도록, 화상 정보에 기초하여 변조된 레이저광을 출사한다. 따라서, 감광 부재(19)에는 정전 잠상이 형성된다. 화상 정보에 따른 토너 화상이 감광 부재(19)에 형성되도록 토너가 현상 유닛(17)으로부터 정전 잠상에 공급된다. 한편, 급지 카세트(11)에 적재된 기록재(기록지)(P)는 픽업 롤러(12)에 의해 1매씩 급지되고, 롤러(13)에 의해 레지스트 롤러(14)를 향해서 반송된다. 각각의 기록재(P)는, 감광 부재(19) 상의 토너 화상이 감광 부재(19)와 전사 롤러(20)에 의해 형성되는 전사 위치에 도달하는 타이밍과 동시에 레지스트 롤러(14)로부터 전사 위치로 반송된다. 기록재(P)가 전사 위치를 통과하는 과정 중에, 감광 부재(19) 상의 토너 화상은 기록재(P)에 전사된다. 그 후, 기록재(P)는 상 가열 장치(정착 장치)(200)에 의해 가열되어서 토너 화상이 가열되고 기록재(P)에 정착된다. 정착된 토너 화상을 담지하는 기록재(P)는 롤러(26, 27)를 통해 레이저 프린터(100)의 상부의 트레이에 출력된다. 클리너(18)가 감광 부재(19)를 클리닝한다. 모터(30)가 상 가열 장치(200) 등을 구동한다. 상업용 교류 전류(AC) 전원(401)에 연결된 제어 회로(400)로부터 상 가열 장치(200)에 전력이 공급된다. 감광 부재(19), 대전 롤러(16), 스캐너 유닛(21), 현상 유닛(17), 및 전사 롤러(20)는 기록재(P)에 미정착 화상을 형성하도록 구성되는 화상 형성 유닛의 구성요소이다. 카트리지(15)는 교환가능 유닛이다. 레이저 프린터(100)는 광원(22), 폴리곤 미러(23), 및 반사 미러(24)를 더 포함한다.

본 예시적인 실시예에 따른 레이저 프린터(100)는 복수의 사이즈의 기록재를 지원한다. 급지 카세트(11)에는, Letter지(약 216 mm × 279 mm) 및 Legal지(약 216 mm × 356 mm)를 세트할 수 있다. 또한, A4지(210 mm × 297 mm), Executive지(약 184 mm × 267 mm), JIS B5지(182 mm × 257 mm), 및 A5지(148 mm × 210 mm)도 세트할 수 있다.

본 실시예의 프린터는, 기본적으로 용지를 수직으로 급지하도록 구성되는 레이저 프린터이다(또는 용지는 용지의 장변이 반송 방향과 평행할 수 있도록 반송될 수 있다). 또한, 용지를 수평으로 급지하는 프린터에도 본 구성이 적용가능하다. Letter지 및 Legal지는 장치에 의해 지원되는 정형의 기록재 중(카탈로그 상의 기록재의 폭에 기초하여) 최대(최대 폭)이며, 약 216 mm의 폭을 갖는다. 본 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명에서, 장치에 의해 지원되는 최대 사이즈보다 작은 용지 폭을 갖는 기록재(P)를 소형 사이즈 용지라 칭한다.

도 2는 상 가열 장치(200)의 단면도이다. 상 가열 장치(200)는, 통형의 필름(202), 필름(202)의 내면에 접촉하는 히터(300), 필름(202)을 통해서 히터(300)와 함께 정착 닙부(N)를 형성하는 가압 롤러(닙부 형성 부재)(208)를 갖는다. 필름(202)은 폴리이미드 같은 내열성 수지 또는 스테인리스 같은 금속으로 구성된 베이스층이다. 필름(202)은 내열성 고무의 탄성층을 가질 수 있다. 가압 롤러(208)는, 철, 알루미늄 등으로 구성된 코어 금속(209)과, 실리콘 고무로 구성된 탄성층(210)을 갖는다. 히터(300)는 액정 중합체 같은 내열성 수지로 된 보유지지 부재(201)에 의해 보유지지된다. 보유지지 부재(201)는 필름(202)의 회전을 안내하는 가이드 기능을 갖는다. 가압 롤러(208)는 모터(30)로부터 동력을 받아서 도 2에 도시된 화살표에 의해 나타낸 바와 같은 방향으로 회전한다. 가압 롤러(208)의 회전함으로써 필름(202)이 회전한다. 미정착 토너 화상을 담지하는 기록재(P)는, 정착 닙부(N)에 의해 끼워지고 반송되어 가열 및 정착된다. 장치(200)는 상술한 바와 같이 통형의 필름(202) 및 필름(202)의 내면에 접촉하는 히터(300)를 갖고, 기록재에 형성된 화상이 필름(202)을 통해 히터(300)에 의해 가열된다.

히터(300)는, 세라믹 기판(305)과, 전력의 공급에 의해 열을 발생시키는 기판(305) 상에 제공되는 발열 저항체(열 발생 부재)(도 3a 내지 도 3c 참조)를 갖는다. 기판(305)의 정착 닙부(N)에 가까운 표면(제1 표면)에는 필름(202)에 미끄럼 특성을 제공하기 위한 유리로 된 표면 보호층(308)이 제공된다. 기판(305)의 정착 닙부(N)에 가까운 면의 반대측 표면(제2 표면)에는 발열 저항체를 절연하기 위한 유리로 된 표면 보호층(307)이 제공된다. 제2 표면은 노출된 전극(대표로서 E4로 나타냄)을 갖고, 급전용의 전기 접점(대표로서 C4로 나타냄)이 전극에 닿을 때, 발열 저항체는 AC 전원(401)에 전기적으로 연결된다. 히터(300)의 상세는 이하에서 설명한다.

서모 스위치 및 온도 퓨즈 같은 보호 소자(212)가 히터(300)의 비정상적인 발열에 응답하여 히터(300)에 전력이 공급되는 것을 차단하도록 구성된다. 보호 소자(212)는, 히터(300)에 맞닿을 수 있거나, 히터(300)에 대하여 간극을 두고 배치될 수 있다. 보유지지 부재(201)에, 도시되지 않은 스프링의 압력을 가하기 위한 금속 스테이(204)가 보유지지 부재(201) 및 히터(300)를 보강하는 역할을 한다.

도 3a 및 도 3b는 제1 예시적인 실시예에 따른 히터(300)의 구성을 도시한다. 도 3a는 도 3b에 도시된 기록재(P)의 반송 기준 위치(X) 부근의 히터(300)의 단면도를 도시한다. 도 3b는 히터(300)의 층의 평면도이다. 도 3c는 히터(300)를 보유지지하도록 구성되는 보유지지 부재의 평면도이다.

본 실시예에 따른 프린터는 기록재의 폭 방향(반송 방향에 대하여 직교)의 중심을 반송 기준 위치(X)에 배치함으로써 기록재를 반송하도록 구성되는 중심 기준 프린터이다.

이어서, 히터(300)의 구성의 상세에 대해서 설명한다. 필름(202)과 접촉하는 히터 표면의 반대측의 히터 표면인 히터(300)의 이면층(1)은, 히터(300)의 길이 방향으로 제1 도전체(301), 제2 도전체(303), 및 발열 저항체(열 발생 부재)(302)의 그룹을 각각 갖는 복수의 발열 블록을 구비한다. 본 예시적인 실시예의 히터(300)는 총 7개의 발열 블록(HB1 내지 HB7)을 갖는다. 7개의 발열 블록 중 1개를 제1 발열 블록으로 하고, 다른 발열 블록을 제2 발열 블록으로 하면, 히터(300)는 이하의 구성을 갖는다. 즉, 히터(300)는 기판, 및 전력 공급을 받음으로써 열을 발생시키는 기판에 제공된 제1 발열 블록을 갖는다. 히터(300)는 또한 기판의 길이 방향의 제1 발열 블록의 위치와 상이한 위치에 제공되며 제1 발열 블록과 독립적으로 제어되는 제2 발열 블록을 갖는다. 발열 블록에 대한 독립적인 제어는 이하에서 설명한다.

발열 블록 각각은 제1 도전체(301) 및 제2 도전체(303)를 갖는다. 제1 도전체(301)는 기판의 길이 방향을 따라 제공되고, 제2 도전체(303)는 기판의 단변 방향으로 제1 도전체(301)의 위치와 상이한 위치에서 기판의 길이 방향을 따라 제공된다. 발열 블록 각각은 제1 도전체(301) 및 제2 도전체(303)를 통해 공급되는 전력으로부터 열을 발생시키기 위해서 제1 도전체(301)와 제2 도전체(303) 사이에 제공되는 발열 저항체(302)를 더 갖는다.

발열 블록의 발열 저항체(302)는, 히터(300)의 단변 방향으로 기판의 중심에 대해 서로 대칭인 위치에서 발열 저항체(302a) 및 발열 저항체(302b)로 분할될 수 있다. 제1 도전체(301)는 발열 저항체(302a)에 연결된 도전체(301a) 및 발열 저항체(302b)에 연결된 도전체(301b)로 분할될 수 있다. 발열 저항체(302a) 및 발열 저항체(302b)는 기판의 중심에 대해 서로 대칭인 위치에 배치되기 때문에, 기판에서 히터가 열을 발생시키고 열 응력이 발생해도 기판은 용이하게 파단되지 않는다.

히터(300)는 7개의 발열 블록(HB1 내지 HB7)을 가지므로, 발열 저항체(302a)는 7개의 발열 저항체(302a-1 내지 302a-7)를 포함한다. 동일한 방식으로, 발열 저항체(302b)는 302b-1 내지 302b-7의 7개를 포함한다. 제2 도전체(303)는 7개의 도전체(303-1 내지 303-7)를 포함한다. 발열 저항체(302a-1 내지 302a-7)는 기판(305) 내에서 기록재(P)의 반송 방향의 상류 측에 배치되고, 발열 저항체(302b-1 내지 302b-7)는 기판(305) 내에서 기록재(P)의 반송 방향의 하류 측에 배치된다.

히터(300)의 이면층(2)에는, 발열 저항체(302), 제1 도전체(301) 및 제2 도전체(303)를 덮는 (본 예시적인 실시예에서는 유리로 된) 절연성 표면 보호층(307)이 구비된다. 이 경우, 표면 보호층(307)은, 급전용의 전기 접점(C1 내지 C7, 및 C8-1 및 C8-2)과 접촉하는 전극(E1 내지 E7, 및 E8-1 및 E8-2)을 덮지 않는다. 전극(E1 내지 E7)은, 각각, 제2 도전체(303-1 내지 303-7)를 통해 발열 블록(HB1 내지 HB7)에 전력을 공급한다. 전극(E8-1 및 E8-2)은, 제1 도전체(301a 및 301b)를 통해 발열 블록(HB1 내지 HB7)에 전력을 공급한다.

도전체의 저항값은 0이 아니기 때문에, 저항은 히터(300)의 길이 방향의 발열 분포에 영향을 준다. 따라서, 제1 도전체(301a, 301b) 및 제2 도전체(303-1 내지 303-7)의 전기 저항에 의해 영향을 받아도 발열 분포가 불균일해지지 않도록, 전극(E8-1 및 E8-2)은 히터(300)의 길이 방향 양 단부에 분리되어 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 스테이(204)와 보유지지 부재(201) 사이에는 안전 소자(212) 및 전기 접점(C1 내지 C7, C8-1, 및 C8-2)이 배치된다. 도 3c에 도시하는 바와 같이, 보유지지 부재(201)는, 전극(E1 내지 E7, E8-1 및 E8-2)에 연결되는 전기 접점(C1 내지 C7, C8-1 및 C8-2)이 연장되는 구멍(HC1 내지 HC7, HC8-1 및 HC8-2)을 갖는다. 보유지지 부재(201)는 보호 소자(212)의 감열부가 연장되는 구멍(H212)을 더 갖는다. 전기 접점(C1 내지 C7, C8-1 및 C8-2)은, 스프링의 가압, 용접 또는 다른 대책에 의해 대응하는 전극에 전기적으로 연결된다. 보호 소자(212)도 스프링에 의해 가압되고, 감열부는 표면 보호층(307)에 접촉하고 있다. 전기 접점은, 스테이(204)와 보유지지 부재(201) 사이에 제공된 얇은 금속판 같은 도전 부재 또는 케이블을 통해 이하에서 설명하는 히터(300)의 제어 회로(400)에 연결된다.

히터(300)의 이면에 전극을 제공함으로써, 제2 도전체(303-1 내지 303-7)를 전기적으로 연결하는 배선을 위한 영역을 기판(305)에 제공할 필요성을 제거할 수 있기 때문에, 기판(305)의 단변 방향의 폭을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 히터의 크기의 증가를 방지할 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 전극(E2 내지 E6)은 기판의 길이 방향으로 발열 저항체를 갖는 영역 내에 제공된다.

본 실시예의 히터(300)는 이하에서 설명되는 다양한 발열 분포가 형성될 수 있도록 복수의 발열 블록을 개별적으로 제어한다. 예를 들어, 기록재의 사이즈에 따른 발열 분포가 규정될 수 있다. 또한, 발열 저항체(302)는 PTC(Positive Temperature Coefficient)를 갖는 재료로 형성될 수 있다. PTC를 갖는 재료를 사용함으로써 기록재의 단부가 발열 블록의 경계와 일치되지 않는 경우에도 용지 비통과 부분의 온도 상승을 억제할 수 있다.

히터(300)의 미끄럼 이동 표면(필름과 접촉함)에 가까운 미끄럼 표면층(1)에는 발열 블록(HB1 내지 HB7)의 온도를 감지하도록 구성되는 복수의 서미스터(온도 센서)(T1-1 내지 T1-4 및 T2-4 내지 T2-7)가 구비된다. 서미스터는, 정 또는 부의 큰 TCR(Temperature Coefficient of Resistance)를 갖는 재료로 구성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 서미스터는 NTC(Negative Temperature Coefficient)를 갖는 재료를 기판에 얇게 인쇄함으로써 형성된다. 발열 블록(HB1 내지 HB7) 각각에 제공된 1개 이상의 서미스터는 모든 발열 블록의 온도를 검지할 수 있다.

서미스터(T1-1 내지 T1-4) 중 하나를 제1 온도 센서로 하고 서미스터(T1-1 내지 T1-4) 중 다른 하나를 제2 온도 센서로 하면, 히터(300)는 이하의 구성을 갖는다. 즉, 히터(300)는, 제1 발열 블록에 대응하는 위치에 제1 온도 센서를 가지며 제2 발열 블록에 대응하는 위치에 제2 온도 센서를 갖는다.

서미스터(T1-1 내지 T1-4)는, 각각, 기판(305) 상의 도전 패턴(ET1-1 내지 ET1-4)에 전기적으로 연결된다. 도전 패턴(ET1-1 내지 ET1-4) 중 제1 온도 센서에 연결되는 도전 패턴을 제1 도전 패턴으로 하고, 제2 온도 센서에 연결되는 도전 패턴을 제2 도전 패턴으로 하면, 히터(300)는 이하의 구성을 갖는다. 즉, 히터(300)는, 제1 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 도전 패턴 및 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 도전 패턴을 갖는다. 히터(300)는 제1 및 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 공통 도전 패턴(EG1)을 더 갖는다. 이하, 서미스터(T1-1 내지 T1-4), 도전 패턴(ET1-1 내지 ET1-4), 및 공통 도전 패턴(EG1)의 그룹을 서미스터 그룹(TG1)이라 칭한다.

히터(300)는, 서미스터(T2-4 내지 T2-7), 도전 패턴(ET2-4 내지 ET2-7), 및 공통 도전 패턴(EG2)의 서미스터 그룹(TG2)을 더 갖는다. 서미스터 그룹(TG1 및 TG2)은, 기판(305)의 제1 및 제2 발열 블록을 갖는 기판 표면의 반대측의 기판 표면에 제공된다.

본 예에 따르면, 적어도 하나의 대응하는 서미스터가 발열 블록(HB1 내지 HB7) 각각에 제공된다. 그러나, 적어도 2개의 발열 블록에 대해 하나의 대응하는 서미스터를 제공하는 것도 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 그러나, 본 실시예에서와 같이, 적어도 하나의 대응하는 서미스터가 모든 발열 블록에 제공될 수 있다.

제1 및 제2 온도 센서를 하나의 그룹으로서 다루기 위해서 본 실시예에서와 같이 공통 도전 패턴(EG1 및 EG2)을 사용함으로써, 이하의 효과가 제공될 수 있다. 즉, 공통 도전 패턴을 사용하지 않고 서미스터(T1-1 내지 T1-4) 각각에 2개의 도전 패턴이 연결되는 경우와 비교하여, 도전 패턴의 비용을 저감할 수 있고 히터의 크기 증가를 방지할 수 있다.

필름(202)의 미끄럼 특성을 취득하기 위해서, 기판(305)의 정착 닙부(N)에 가까운 표면(미끄럼 표면층(2))이 (본 실시예에서는 유리로 된) 절연성 표면 보호층(308)에 의해 코팅된다. 표면 보호층(308)은, 서미스터(T1-1 내지 T1-4, 및 T2-4 내지 T2-7), 도전 패턴(ET1-1 내지 ET1-4, 및 ET2-4 내지 ET2-7) 및 공통 도전 패턴(EG1 및 EG2)을 덮는다. 그러나, 전기 접점에 대한 연결을 취득하기 위해서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 히터(300)의 양 단부에서, 도전 패턴(ET1-1 내지 ET1-4, 및 ET2-4 내지 ET2-7)의 일부 및 공통 도전 패턴(EG1 및 EG2)의 일부가 노출된다.

도 4는 히터(300)의 제어 회로(400)의 회로도이다. 상업용 AC 전원(401)이 레이저 프린터(100)에 연결된다. 히터(300)에 대한 전력 제어는 트라이액(411 내지 414)의 통전/비통전에 의해 행해진다. 트라이액(411 내지 414)은, CPU(420)로부터의 FUSER1 내지 FUSER4 신호에 따라서 동작한다. 트라이액(411 내지 414)에 대한 구동 회로는 도 4에는 도시되지 않는다.

도 3a 내지 도 3c 및 도 4로부터, 7개의 발열 블록(HB1 내지 HB7)은 4개의 그룹(그룹 1:HB4, 그룹 2:HB3 및 HB5, 그룹 3:HB2 및 HB6, 및 그룹 4:HB1 및 HB7)로 분할된다는 것을 이해할 수 있다. 히터(300)의 제어 회로(400)는 4개의 그룹을 서로 독립적으로 제어할 수 있는 회로 구성을 갖는다. 트라이액(411), 트라이액(412), 트라이액(413) 및 트라이액(414)은 각각 그룹 1, 그룹 2, 그룹 3 및 그룹 4를 제어할 수 있다.

제로-크로스 검출 유닛(421)은 AC 전원(401)의 제로-크로스를 검출하도록 구성되는 회로이며, CPU(420)에 ZEROX 신호를 출력한다. ZEROX 신호는, 예를 들어 트라이액(411 내지 414)의 위상을 제어하기 우한 기준 신호로서 사용가능하다.

이어서, 히터(300)의 온도를 검출하는 방법에 대해서 설명한다. 먼저, 서미스터 그룹(TG1)에 대해서 설명한다. CPU(420)는, 전압(Vcc)을, 서미스터(T1-1 내지 T1-4)의 저항값 및 저항(451 내지 454)의 저항값에 의해 분할함으로써 취득된 신호(Th1-1 내지 Th1-4)를 수신한다. 예를 들어, 신호(Th1-1)는, 전압(Vcc)을, 서미스터(T1-1)의 저항값 및 저항(451)의 저항값에 의해 분할함으로써 취득된 신호이다. 서미스터(T1-1)는 온도에 따른 저항값을 갖기 때문에, 발열 블록(HB1)의 온도가 변화하면, CPU에 입력되는 신호(Th1-1)의 레벨도 변화한다. CPU(420)는 입력된 신호(Th1-1)를 그 레벨에 따른 온도로 환산한다. 서미스터 그룹(TG1)의 다른 서미스터(T1-2 내지 T1-4)에 대응하는 신호(Th1-2 내지 Th1-4)에 대해서 동일한 처리가 실행되기 때문에, 임의의 반복적인 설명은 생략한다.

이어서, 서미스터 그룹(TG2)에 대해서 설명한다. 서미스터 그룹(TG2)에서도, 서미스터 그룹(TG1)과 마찬가지로, CPU(420)는, 전압(Vcc)을, 서미스터(T2-4 내지 T2-7)의 저항값과 저항(464 내지 467)의 저항값에 의해 분할함으로써 취득된 신호(Th2-4 내지 Th2-7)를 수신한다. CPU(420)에 의한 온도로의 환산 방법은 서미스터 그룹(TG1)에 대한 것과 동일하기 때문에, 임의의 반복적인 설명은 생략한다.

이어서, 히터(300)에 대한 전력 제어(히터에 대한 온도 제어)에 대해서 설명한다. 정착 처리 중에, 발열 블록(HB1 내지 HB7)은, 서미스터 그룹(TG1) 내의 서미스터(T1-1 내지 T1-4)에 의해 검지된 온도가 설정 온도(제어 목표 온도)에 유지될 수 있도록 제어된다. 더 구체적으로는, 그룹 1(발열 블록 HB4)에 공급되는 전력은, 서미스터(T1-4)에 의해 검지된 온도가 설정 온도에 유지될 수 있도록, 트라이액(411)의 구동을 제어함으로써 제어된다. 그룹 2(발열 블록 HB3 및 HB5)에 공급되는 전력은, 서미스터(T1-3)에 의해 검지되는 온도가 설정 온도에 유지될 수 있도록, 트라이액(412)의 구동을 제어함으로써 제어된다. 그룹 3(발열 블록 HB2 및 HB6)에 공급되는 전력은, 서미스터(T1-2)에 의해 검지되는 검지 온도가 설정 온도에 유지될 수 있도록, 트라이액(413)의 구동을 제어함으로써 제어된다. 그룹 4(발열 블록 HB1 및 HB7)에 공급되는 전력은, 서미스터(T1-1)에 의해 검지되는 온도가 설정 온도에 유지될 수 있도록, 트라이액(414)의 구동을 제어함으로써 제어된다. 서미스터 그룹(TG1) 중의 서미스터는 발열 블록을 미리결정된 온도에 유지시키기 위한 제어를 실행하기 위해 사용된다.

CPU(420)는, 발열 블록에 대한 설정 온도(제어 목표 온도) 및 서미스터 그룹(TG1) 내의 서미스터(T1-1 내지 T1-4)에 의해 검지된 온도에 기초하여 예를 들어, PI 제어를 실행함으로써 전력 공급의 양을 산출한다. 또한, 전력 공급의 양을 대응하는 위상 각(위상 제어) 또는 파수(파수 제어)를 위한 제어 타임으로 환산하고, 제어 타임에 기초하여 트라이액(411 내지 414)을 제어한다. 본 실시예의 장치의 그룹에 대한 설정 온도는 최대 사이즈를 갖는 보통지를 정착하기 위해서는 250℃이다. 그룹 1에 대한 설정 온도는 250℃이고, 더 작은 사이즈를 갖는 보통지를 정착하기 위한 다른 그룹에 대한 설정 온도는 250℃ 미만이다. 그룹에 대한 설정 온도는 기록재의 사이즈, 유형, 및 표면 특성 같은 정보에 따라 규정될 수 있다.

릴레이(430)와 릴레이(440)는, 예를 들어 장치의 고장에 의해 히터(300)의 온도가 과도하게 상승한 경우, 히터(300)에의 전력을 차단하는 유닛으로서 탑재된다. 이어서, 릴레이(430) 및 릴레이(440)의 회로 동작을 설명한다.

CPU(420)로부터 출력되는 RLON 신호가 High 상태로 변화되면, 트랜지스터(433)가 ON 상태로 변경되고, 직류 전원(전압 Vcc)으로부터 릴레이(430)의 2차 코일로 통전이 이루어진다. 릴레이(430)의 1차측 접점은 ON 상태로 변경된다. RLON 신호가 Low 상태로 변경되면, 트랜지스터(433)는 OFF 상태로 변경된다. 전원(전압(Vcc))으로부터 릴레이(430)의 2차 코일에 공급되는 전류는 차단되고, 릴레이(430)의 1차측 접점은 OFF 상태로 변경된다. 또한, RLON 신호가 High 상태로 변경되면, 트랜지스터(443)는 ON 상태로 변경된다. 전원(전압(Vcc))으로부터 릴레이(440)의 2차 코일에의 통전이 이루어지고, 릴레이(440)의 1차측 접점은 ON 상태로 변경된다. RLON 신호가 Low 상태로 변경되면, 트랜지스터(443)는 OFF 상태로 변경된다. 전원(전압(Vcc))으로부터 릴레이(440)의 2차 코일에 공급되는 전류는 차단되고, 릴레이(440)의 1차측 접점은 OFF 상태로 변경된다.

이어서, 릴레이(430) 및 릴레이(440)를 채용한 보호 회로(CPU(420)를 통하지 않는 하드웨어 회로)의 동작에 대해서 설명한다. 신호(Th1-1 내지 Th1-4) 중 어느 하나의 레벨이, 비교 유닛(431) 내에 설정된 미리결정된 값을 초과한 경우, 비교 유닛(431)은 래치 유닛(432)을 동작시키고, 래치 유닛(432)은 RLOFF1 신호를 Low 상태로 래치한다. RLOFF1 신호가 Low 상태로 변경되면, CPU(420)이 RLON 신호를 High 상태로 변경해도, 트랜지스터(433)는 OFF 상태에서 유지된다. 따라서, 릴레이(430)는 OFF 상태(또는 안전한 상태)에 유지될 수 있다. 비래칭 모드의 래치 유닛(432)은 오픈 상태를 위한 RLOFF1 신호를 출력한다.

또한, 신호(Th2-4 내지 Th2-7) 중 하나의 레벨이 비교 유닛(441) 내에 설정된 미리결정된 값을 초과하는 경우, 비교 유닛(441)은 래치 유닛(442)을 동작시키고, 래치 유닛(442)은 RLOFF2 신호를 Low 상태로 래치한다. RLOFF2 신호가 Low 상태로 변경되면, CPU(420)가 RLON 신호를 High 상태로 변경해도, 트랜지스터(443)는 OFF 상태에서 유지되기 때문에 릴레이(440)는 OFF 상태(또는 안전한 상태)를 유지할 수 있다. 비래칭 상태의 래치 유닛(442)은 오픈 상태를 위한 RLOFF 신호를 출력한다. 비교 유닛(431) 내에 설정된 미리결정된 값 및 비교 유닛(441) 내에 설정된 미리결정된 값의 양자 모두는 300℃에 상당한다.

이어서, 2개의 서미스터 그룹(TG1 및 TG2)을 채용하는 회로의 보호 동작에 대해서 설명한다. 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시한 바와 같이, 4개의 그룹(그룹 1 내지 4) 각각에는 서미스터 그룹(TG1)의 1개의 서미스터와 서미스터 그룹(TG2)의 1개의 서미스터가 제공된다. 발열 블록(HB1 내지 HB7) 각각에는 적어도 1개의 서미스터가 제공된다. 더 구체적으로는, 그룹 1(HB4)에 대해서는, 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-4)와 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-4)가 대응하여 배치된다. 그룹 2(HB3 및 HB5)에 대해서는, 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-3)와 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-5)가 대응하여 배치된다. 그룹 3(HB2 및 HB6)에 대해서는, 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-2)와 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-6)가 대응하여 배치된다. 그룹 4(HB1 및 HB7)에 대해서는, 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-1)와 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-7)가 대응하여 배치된다. 발열 블록(HB1 내지 HB7) 각각에 대하여, 8개의 서미스터 중 적어도 1개의 서미스터가 대응하여 배치된다. 이러한 서미스터의 레이아웃은 장치가 고장날 때에 회로에 의해 실행되는 보호 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이를 이하에서 설명한다.

예를 들어, 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-1 내지 T1-4) 중 하나가 고장나는 경우를 상정한다. 고장난 서미스터에 의해 고장난 서미스터에 대응하는 발열 블록을 포함하는 그룹이 제어불가능하게 되어도, 고장난 서미스터를 갖는 발열 블록을 갖는 그룹은 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-4 내지 T2-7 중 하나)도 포함한다. 따라서, 보호 회로는 서미스터 그룹(TG2) 중의 서미스터를 통해 작용한다(전력 공급을 정지한다).

이어서, 발열 블록(HB1 내지 HB7) 중 하나에 대하여, 8개의 서미스터 중 적어도 1개의 서미스터가 대응하여 배치되어 있는 구성의 장점을 설명한다.

예를 들어, 그룹 2에 대응하는 서미스터(T2-5)가 발열 블록(HB5)에 대응하는 위치가 아니고 발열 블록(HB5)과 동일한 그룹(2)의 발열 블록(HB3)에 대응하는 위치에 배치되는 경우를 상정한다. 이 경우, 발열 블록(HB3)에 대응하는 위치에 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-3)와 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-5)가 배치되고, 발열 블록(HB5)에 대응하는 위치에는 서미스터가 배치되지 않는다. 이런 구성에서도, 그룹 2의 온도는 모니터될 수 있다. 그러나, 이 구성에서의 전극(E3)과 전기 접점(C3)이 접촉 불량인 경우, 발열 블록(HB3)은 발열되지 않고 발열 블록(HB3)과 동일한 그룹(2)의 발열 블록(HB5)이 발열될 수 있는 가능성이 있다. 그룹 2의 발열 블록(HB5)이 비정상적으로 열을 발생시켜도, 그룹 2에 대응하는 2개의 서미스터(T1-3 및 T2-5)는 이를 모니터할 수 없고, 보호 회로가 작용하지 않는다.

한편, 본 실시예에 따르면, 발열 블록(HB3)에 대응하는 위치에 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터(T1-3)가 배치되며, 발열 블록(HB5)에 대응하는 위치에는 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터(T2-5)가 배치된다. 그러므로, 전극(E3)과 전기 접점(C3)이 접촉 불량이고, 그룹 2의 발열 블록(HB5)만이 발열하는 경우에도, 온도는 서미스터(T2-5)에 의해 모니터될 수 있으며, 보호 회로가 동작될 수 있다. 상술한 바와 같이, 발열 블록(HB1 내지 HB7) 하나에 대해 8개의 서미스터 중 적어도 1개의 서미스터가 대응하여 배치되기 때문에, 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.

도 5는 CPU(420)에서의 제어 회로(400)의 제어 순서를 도시하는 흐름도이다. S100에서 프린트 요구가 발생하면, S101에서는 릴레이(430) 및 릴레이(440)는 ON 상태로 변경된다.

S102에서는, 서미스터(T1-1)에 의해 검지된 온도(신호 Th1-1)가 제어 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(414)이 PI 제어되어, 발열 블록(HB1 및 HB7)에 공급되는 전력을 제어한다.

S103에서는, 서미스터(T1-2)에 의해 검지된 온도(신호 Th1-2)가 제어 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(413)이 PI 제어되어, 발열 블록(HB2 및 HB6)에 공급되는 전력을 제어한다.

S104에서는, 서미스터(T1-3)에 의해 검지된 온도(신호 Th1-3)가 제어 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(412)이 PI 제어되어, 발열 블록(HB3 및 HB5)에 공급하는 전력을 제어한다.

S105에서는, 서미스터(T1-4)에 의해 검지된 온도(신호 Th1-4)가 제어 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(411)이 PI 제어되어, 발열 블록(HB4)에 공급되는 전력을 제어한다.

상술한 바와 같이, 각 발열 블록에 대한 제어 목표 온도는 주어진 기록재의 사이즈에 관한 정보에 기초하여 설정된다. 본 실시예에 따른 장치에서는, 반송 기준(X)을 포함하는 발열 블록(HB4)에 대한 제어 목표 온도가 기록재의 사이즈에 관계없이 하나의 온도로 설정되고, 다른 발열 블록에 대한 제어 목표 온도는 기록재의 사이즈에 기초하여 변경된다. 기록재의 사이즈가 작을수록, 발열 블록(HB4) 이외의 다른 발열 블록에 대해 설정되는 제어 목표 온도는 감소된다.

S106에서는, 용지 비통과 부분의 온도 상승이 미리결정된 임계 온도(허용 온도(Tmax) 이하인지 여부가 결정된다. 본 실시예에 따르면, Tmax는 발열 블록(HB4)에 대한 250℃의 제어 목표 온도보다 높게 설정되고, 비교 유닛(431)과 비교 유닛(441)에 대해 설정된 300℃의 미리결정된 값보다 낮은 온도인 280℃로 설정된다. 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터와 기준(X) 사이의 위치 관계는 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터와 기준(X) 사이의 위치 관계와 상이하다. 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터는, 서미스터 그룹(TG1)의 서미스터에 비하여, 각 발열 블록 내에서, 반송 기준 위치(X)에 대해 히터(300)의 길이 방향 외측에 배치된다. 도 3b에 도시하는 바와 같이, 발열 블록(HB4)에 대응하는 서미스터(T1-4)에 대한 기준(X)으로부터의 거리와, 발열 블록(HB4)에 대응하는 서미스터(T2-4)에 대한 기준(X)으로부터의 거리를 비교함으로써 관계가 이해하기 용이해질 수 있다. 이런 배치에 의해, 하나의 발열 블록 내에서 발생하는 용지 비통과 부분의 온도 상승을 어떤 경우에도 서미스터 그룹(TG2)의 서미스터에 의해 검출할 수 있다.

S106에서 서미스터(T2-4 내지 T2-7)에 의해 검지되는 온도가 임계 온도(Tmax) 이하라고 판정되는 경우, 처리는 S108로 이행한다. S108에서 프린트 JOB의 종료가 검출될 때까지, S102 내지 S106의 제어가 반복된다.

S106에서 서미스터(T2-4 내지 T2-7)의 온도가 임계 온도(Tmax)보다 높다고 판정되는 경우, S107에서 화상 형성 장치(100)에 의한 화상 형성의 처리 속도가 저감되고, 서미스터(T1-1 내지 T1-4)에 대한 제어 목표 온도가 저하되어, 정착 처리가 실행될 수 있다. 화상 형성의 저하된 처리 속도는 전속에서의 처리에 비해 낮은 온도에서도 정착 특성을 제공할 수 있다. 그러므로, 용지 비통과 부분에서의 온도 상승을 억제할 수 있다.

상기 처리가 반복되고, S108에서 프린트 JOB의 종료가 검출되면, S109에서 릴레이(430) 및 릴레이(440)가 오프된다. 그리고, S110에서 화상 형성에 대한 제어 순서가 종료된다.

[제2 예시적인 실시예]

이어서, 제1 예시적인 실시예에 따른 히터(300) 및 히터를 위한 제어 회로(400)가 히터(600) 및 제어 회로(700)로 변경되는 제2 예시적인 실시예에 대해서 설명한다. 제1 및 제2 예시적인 실시예의 설명에서와 동일한 부분은 동일한 번호로 나타내고, 임의의 반복적인 설명을 생략한다. 제2 예시적인 실시예에 따른 히터(600)는 미끄럼 표면층(1)의 구성에 있어서 히터(300)와 상이하다. 제어 회로(700)는 모두가 독립적으로 제어되는 발열 블록(HB1 내지 HB7)을 갖는다.

도 6a 및 도 6b는 제2 예시적인 실시예에 따른 히터(600)의 구성을 도시한다. 미끄럼 표면층(1)을 제외한 구성은 히터(300)의 구성과 동일하기 때문에, 임의의 반복적인 설명을 생략한다.

히터(600)의 미끄럼 표면층(1)에는, 발열 블록(HB1 내지 HB7)의 온도를 검출하도록 구성되는 서미스터(T3-1a 내지 T3-4a, T3-1b 내지 T3-3b, T4-4a 내지 T4-7a, T4-5b 내지 T4-7b 및 T5)가 구비된다. 발열 블록(HB1 내지 HB7)의 모두에는 2개 이상의 서미스터가 연계되어 있기 때문에, 서미스터 중 하나가 고장나는 경우에도 발열 블록 모두의 온도를 검출할 수 있다.

서미스터 그룹(TG3)은, 7개의 서미스터(T3-1a 내지 T3-4a, 및 T3-1b 내지 T3-3b), 도전 패턴(ET3-1a 내지 ET3-4a, 및 ET3-3b, ET3-12b), 공통 도전 패턴(EG3)을 갖는다.

또한, 서미스터 그룹(TG4)은, 7개의 서미스터(T4-4a 내지 T4-7a) 및 서미스터(T4-5b 내지 T4-7b)와, 도전 패턴(ET4-4a 내지 ET4-7a, ET4-5b, 및 ET4-67b)와, 공통 도전 패턴(EG4)을 갖는다.

우선은, 서미스터 그룹(TG3)에 대해서 설명한다. 서미스터(T3-1b)와 서미스터(T3-2b)는 발열 블록(HB1 및 HB2)의 온도를 검지하도록 구성되며, 2개의 서미스터는 도전 패턴(ET3-12b)과 공통 도전 패턴(EG3) 사이에서 병렬로 연결된다. 발열 블록(HB1과 HB2) 중 하나의 온도가 상승하는 경우에도, 서미스터(T3-1b)와 서미스터(T3-2b)의 저항값 중 하나가 크게 저하된다. 이로 인해, 발열 블록(HB1과 HB2)의 양자의 온도는 서미스터의 저항값을 검출하도록 구성된 하나의 도전 패턴(ET3-12b)에 의해 검출될 수 있다. 그러므로, 도전 패턴이 서미스터(T3-1b)와 서미스터(T3-2b)에 연결되고 배선되는 경우에 비해, 도전 패턴의 배선을 형성하는 비용을 저감할 수 있다. 기판(305)의 단변 방향의 폭은 저감될 수 있다. 또한, 서미스터(T4-6b)와 서미스터(T4-7b)를 병렬로 연결할 수 있다.

공통 도전 패턴(EG3 및 EG4)은, 도 7에 도시된 바와 같이 단선 검출을 위해 도전 패턴(EG34)을 통해 기판(305)에 연결된다. 이러한 단선 검출을 실행함으로써 단선 고장의 발생시의 안전성 레벨을 증가시킬 수 있다.

하나의 발열 블록(HB3)에 대하여 2개의 서미스터(T3-3a 및 T3-3b)가 제공되며, 저항값을 검출하도록 구성된 도전 패턴(ET3-3a 및 ET3-3b)과 공통 도전 패턴(EG3)에 의해 온도 검출가능한 구성이 제공된다.

발열 블록(HB3)의 범위에서, 반송 기준 위치(X)로부터 이격된 위치에 배치된 서미스터(T3-3b)는 에지의 온도를 검출하도록 구성되며, 반송 기준 위치(X)에 가까운 위치에 배치되어 있는 서미스터(T3-3a)는 온도 조정을 위해 구성된다. 필요에 따라, 하나의 발열 블록에 복수의 서미스터가 제공될 수 있다.

서미스터 그룹(TG4)의 구성 및 동작은 서미스터 그룹(TG3)과 동일하기 때문에, 임의의 반복적인 설명을 생략한다.

서미스터(T5)는, 저항값 검출용의 도전 패턴(ET5 및 EG5) 사이에 제공된 단일 서미스터이다. 필요에 따라, 단일 서미스터가 서미스터 그룹과 조합될 수 있다.

도 7은 제2 예시적인 실시예에 따른 히터(600)의 제어 회로(700)의 회로도이다. 히터(600)에 대한 전력 제어는 트라이액(711) 내지 트라이액(717)의 통전/비통전에 의해 행해진다. 트라이액(711 내지 717)은, CPU(420)로부터의 FUSER1 내지 FUSER7 신호에 따라서 동작한다. 히터(600)의 제어 회로(700)는, 7개의 트라이액(711 내지 717)이 7개의 발열 블록(HB1 내지 HB7)을 독립적으로 제어하기 위해 사용되는 회로 구성을 갖는다.

이어서, 히터(600)의 온도를 검출하는 방법에 대해서 설명한다. CPU(420)는, 전압(Vcc)을, 서미스터 그룹(TG3)의 서미스터(T3-1a 내지 T3-4a, T3-1b, 및 T3-2b)의 저항값과 저항(751 내지 756)의 저항값에 의해 분할함으로써 취득되는 신호(Th3-1a 내지 Th3-4a, Th3-3b, Th3-12b)를 수신한다. 또한, CPU(420)는, 전압(Vcc)을, 서미스터 그룹(TG4)의 서미스터(T4-4a 내지 T4-7a, T4-5b 내지 T4-7b)의 저항값과, 저항(771 내지 776)의 저항값에 의해 분할함으로써 취득되는 신호를 수신한다. 이 신호는 도 7에서 Th4-4a 내지 Th4-7a, Th4-5b, 및 Th4-67b에 의해 나타난다. 또한, CPU는, 저항(Vcc)을 서미스터 T5의 저항값과 저항(761)의 저항값에 의해 분할함으로써 취득되는 신호(Th5)를 수신한다. CPU(420)는 수신된 신호를 그 레벨에 기초하여 온도로 환산한다.

CPU(420)는, 예를 들어 발열 블록의 설정 온도(제어 목표 온도)와 서미스터에 의해 검지된 온도에 기초하여, PI 제어를 실행함으로써 전력 공급의 양을 산출한다. 산출된 전력 공급의 양은 대응하는 위상 각(위상 제어) 또는 파수(파수 제어)에 대한 제어 타임으로 환산되고, 제어 타임에 기초하여 트라이액(711 내지 717)이 제어된다.

이어서, 릴레이(430) 및 릴레이(440)를 채용한 보호 회로의 동작에 대해서 설명한다. 서미스터 그룹(TG3)의 Th3-1a 내지 Th3-4a 신호 및 서미스터 그룹(TG4)의 Th4-5b 및 Th4-67b 신호에 기초하여, 검지된 온도 중 하나가 각각 설정된 미리결정된 값을 초과하는 경우, 비교 유닛(431)은 래치 유닛(432)을 동작시킨다.

또한, 서미스터 그룹(TG4)의 Th4-4a 내지 Th4-7a 신호 및 서미스터 그룹(TG3)의 Th3-3b 및 Th3-12b 신호에 기초하여, 검지된 온도 중 하나가 각각 설정된 미리결정된 값을 초과하는 경우, 비교 유닛(441)은 래치 유닛(442)을 동작시킨다.

이어서, 단선 검출 회로(780)에 대해서 설명한다. 단선 검출 회로(780)는, 공통 도전 패턴(EG3 및 EG4)이 단선된 경우에 안전성을 향상시키는데 유용한 회로이다.

단선 검출 회로(780)의 회로 동작에 대해서 설명한다. 공통 도전 패턴(EG3 및 EG4)이 단선된 경우, 저항(781) 및 저항(782)에 의한 전원 전압(Vcc)으로의 풀업은 단선 검출 신호(ThSafe)를 High 상태로 변경한다. 저항(781) 및 저항(782)은 저항의 단락으로 인한 고장을 고려하여 제공된다. 단선 검출 신호(ThSafe)가 High 상태로 변경되면, 래치 유닛(432) 및 래치 유닛(442)을 동작시킨다.

이어서, 단선 검출 회로(780) 및 도전 패턴(EG34)의 효과를 설명한다. 먼저, 도전 패턴(EG34)과 단선 검출 회로(780)의 양자 모두를 갖지 않고, 제1 예시적인 실시예의 구성에서와 같이, 공통 도전 패턴(EG3) 및 공통 도전 패턴(EG4)이 GND에 연결되는 경우에 대해서 설명한다. 이 경우, 공통 도전 패턴(EG3)이 단선되면, 서미스터 그룹(TG3)의 서미스터 모두가 불능화된다. 따라서, 발열 블록(HB1 내지 HB3)에의 전력 공급을 종료하도록 구성되는 보호 회로가 작용하지 않는다. 또한, 공통 도전 패턴(EG4)이 단선되면, 서미스터 그룹(TG4)의 서미스터 모두가 불능화된다. 따라서, 발열 블록(HB5 내지 HB7)을 종료시키도록 구성되는 보호 회로는 작용하지 않는다.

이어서, 공통 도전 패턴(EG3 및 EG4)을 연결하는 도전 패턴(EG34)은 제공되지만, 단선 검출 회로(780)를 갖지 않고, 제1 예시적인 실시예의 구성에서와 같이, 공통 도전 패턴(EG3 및 EG4)이 GND에 연결되는 경우에 대해서 설명한다. 이 경우, 도전 패턴(EG34)의 효과에 의해, 공통 도전 패턴(EG3 및 EG4) 중 하나가 단선된 경우에도 다른 하나는 도전 패턴(EG34)을 통해 GND에 연결된다. 따라서, 서미스터 그룹(TG3 및 TG4)에 의해 온도 검출이 실행될 수 있다. 그러나, 서미스터 그룹(TG3)의 도전 패턴(ET3-1a 내지 ET3-4a, 및 ET3-12b, ET3-3b, 및 EG3)과 제어 회로(700)를 연결하도록 구성되는, 도시하지 않은 커넥터가 단선되고, 서미스터 그룹(TG3)의 서미스터 모두는 불능화된다. 따라서, 발열 블록(HB1 내지 HB3)에의 전력 공급을 종료시키는 보호 회로는 작용하지 않는다. 또한, 서미스터 그룹(TG4)의 도전 패턴(ET4-4a 내지 ET4-7a, 및 ET4-67b, ET4-5b, 및 EG4)과 제어 회로(700)를 연결하도록 구성되는 커넥터가 단선되고, 서미스터 그룹(TG4)의 서미스터 모두는 불능화된다. 따라서, 발열 블록(HB5 내지 HB7)에의 전력 공급을 종료하도록 구성되는 보호 회로는 작용하지 않는다.

한편, 본 실시예의 장치는 도전 패턴(EG34) 및 단선 검출 회로(780)를 갖는다. 따라서, 공통 도전 패턴(EG3, EG4)이 단선되고, 서미스터 그룹(TG3, TG4)과 제어 회로(700)를 연결하는 커넥터가 단선되는 양 경우의 고장 상태를 검출할 수 있다.

도 8은, CPU(420)에 의해 실행되는 제어 회로(700)에 대한 제어 순서를 도시하는 흐름도이다. 도 5 및 도 8에서와 동일한 구성요소는 동일한 번호로 나타내고, 임의의 반복적인 설명을 생략한다.

S201에서는, 서미스터(T3-1a)에 의해 검지된 온도(신호 Th3-1a)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(711)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB1)에 공급되는 전력을 제어한다.

S202에서는, 서미스터(T3-2a)에 의해 검지되는 온도(신호 Th3-2a)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(712)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB2)에 공급되는 전력을 제어한다.

S203에서는, 서미스터(T3-3a)에 의해 검지되는 온도(신호 Th3-3a)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(713)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB3)에 공급되는 전력을 제어한다.

S204에서는, 서미스터(T5)에 의해 검지되는 온도(신호 Th5)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(714)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB4)에 공급되는 전력을 제어한다.

S205에서는, 서미스터(T4-5a)에 의해 검지되는 온도(신호 Th4-5a)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(715)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB5)에 공급되는 전력을 제어한다.

S206에서는, 서미스터(T4-6a)에 의해 검지되는 온도(신호 Th4-6a)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(716)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB6)에 공급되는 전력을 제어한다.

S207에서는, 서미스터(T4-7a)에 의해 검지되는 온도(신호 Th4-7a)가 미리결정된 목표 온도에 도달할 수 있도록 트라이액(717)을 PI 제어하여, 발열 블록(HB7)에 공급되는 전력을 제어한다.

S208에서는, 용지 비통과 부분의 온도 상승이 미리결정된 임계 온도(허용 온도)(Tmax) 이하인지 여부를 판정한다.

S208에서, 서미스터(T3-4a, T4-4a, T3-3b, T4-5b)를 감지한 온도가 임계 온도(Tmax) 이하라고 판정되는 경우, 처리는 S108로 이행한다. 그리고, S108에서 프린트 JOB의 종료가 검출될 때까지 S201 내지 S208의 제어를 반복한다.

[제3 예시적인 실시예]

도 9a 및 도 9b의 히터(800)는 정착 닙부(N)에 가까운 발열 저항체(802) 및 정착 닙부(N)의 반대 측의 서미스터 그룹(TG6)을 구비한다. 동일한 번호는 제1 및 제3 예시적인 실시예의 설명에서와 동일한 부분을 나타내고, 임의의 설명을 생략한다.

도 9a는 히터(800)의 중심 영역(반송 기준 위치(X) 부근)의 단면도이다. 이면층(1)은 도전 패턴만을 구비하며, 칩 서미스터(T6-2)는 접합되지 않는다. 히터(800)는 칩 서미스터(T6-2)를 위한 전극(810 및 811)을 더 갖는다. 칩 서미스터(T6-2)는, 전극(810)과 전극(811)을 통해 도전 패턴(EG6)과 도전 패턴(ET6-2)에 연결된다. 히터(800)에서와 같이, 서미스터 그룹(TG6)을 정착 닙부(N)의 반대 측에 배치함으로써, 미끄럼 표면층의 평탄성의 필요성을 제거할 수 있어, 두꺼운 칩 서미스터(T6-2)가 탑재될 수 있다.

히터(800)의 이면층(1)에 제공된 서미스터 그룹(TG6)은, 3개의 칩 서미스터(T6-1 내지 T6-3), 서미스터의 저항값을 검출하도록 구성되는 도전 패턴(ET6-1 내지 ET6-3), 및 공통 도전 패턴(EG6)을 갖는다.

히터(800)의 미끄럼 표면층(1)은 3개의 발열 블록(HB1 내지 HB3)을 갖는다. 발열 저항체(802)는, 802-1 내지 802-3의 3개로 분할되어 있고, 제1 도전체(801)와 3개의 제2 도전체(803-1 내지 803-3)를 통해 전력 공급을 받는다. 제2 도전체(803-1 내지 803-3)는 전극(E1 내지 E3)에 연결되어 있고, 제1 도전체(801)는 전극(E8)에 연결되어 있다. 전극(E8)을 공통 전극으로서 제공하여, 전극(E1 내지 E3)의 각각에 대해 트라이액 같은 스위치 소자를 제공함으로써, 3개의 발열 블록(HB1 내지 HB3)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 히터(800)의 미끄럼 표면층(2)은 미끄럼 특성 및 절연 특성을 갖는 유리로 된 보호층(808)을 갖는다.

히터(800)에서는, 발열 블록(HB1 내지 HB3)에의 전력 공급을 위해, 제1 도전체(801)와 제2 도전체(803)를 히터의 단변 방향의 양 단부에서의 배선에 의해 연결할 수 있다. 그러한 필요성으로 인해, 특히 발열 블록의 수가 증가하면, 제1 도전체(801)와 제2 도전체(803)를 배선하기 위한 면적이 증가할 수 있어, 히터의 크기를 증가시킨다.

제1 예시적인 실시예에 따른 히터(300) 및 제2 예시적인 실시예에 따른 히터(600)에서와 같이 발열 영역 내에 전극(E2 내지 E6)을 제공할 수 있어, 제1 도전체(301)와 제2 도전체(303)를 배선하는데 필요한 면적이 요구되지 않는다. 따라서, 히터의 크기가 증가하지 않으며, 발열 블록의 수를 증가시킬 수 있다. 발열 영역 내에 전극(E2 내지 E6)을 갖는 구성에서, 전극(E2) 내지 전극(E6)은 전기 접점(C2 내지 C6)을 연결하기 위해 정착 닙부(N)의 반대 측에 제공되는 것이 요구될 수 있다. 그로 인해, 발열 블록(HB1 내지 HB7)은 정착 닙부(N)의 반대 측에 제공될 수 있고, 서미스터 그룹(TG1, TG2, TG3, TG4)은 정착 닙부(N)에 근접하게 형성될 수 있다.

적은 수의 발열 블록이 제공되는 경우에는, 본 예시적인 실시예에 따른 히터(800)에서와 같이, 복수의 칩 서미스터를 갖는 서미스터 그룹(TG6)이 정착 닙부(N)의 반대 측에 배치될 수 있다.

[제4 예시적인 실시예]

도 10a 및 도 10b에 도시된 제4 예시적인 실시예에 따른 히터는 발열 저항체의 형상에 있어서 제1 예시적인 실시예 및 제2 예시적인 실시예에 따른 히터와 상이하다. 도 10a에 도시된 히터(900)의 발열 저항체(902a 및 902b)는 길이 방향으로 연속한다(또는 분할되지 않는다).

도 10a는 히터(900)의 이면층(1)의 평면도이다. 도전체(303)는 길이 방향으로 7개로 분할되기 때문에, 발열 저항체(902a 및 902b)는 발열 블록(HB1 내지 HB7)의 영역에서 독립적으로 온도 제어된다. 발열 저항체(902a, 902b)는 분할되지 않기 때문에, 히터(900)는 도전체(303)가 분할되는 간극 영역에서도 길이 방향으로 연속적으로 열을 발생시킨다. 따라서, 발열값이 0(제로)인 영역이 존재하지 않고, 따라서 히터는 길이 방향에서 균일하게 열을 발생시킬 수 있다.

도 10b에 도시된 히터(1000)는 병렬로 연결되는 복수의 발열 저항체로 추가로 분할되는 발열 저항체(1002a 및 1002b)를 갖는다.

도 10b는 히터(1000)의 이면층(1)의 평면도이다. 발열 저항체(1002a)는, 연결된 도전체(303)와 도전체(301a) 사이에 병렬로 연결되는 복수의 발열 저항체로 분할된다. 또한, 발열 저항체(1002b)는 도전체(303)와 도전체(301a) 사이에 병렬로 연결되는 복수의 발열 저항체로 분할된다.

발열 저항체(1002a 및 1002b)를 분할함으로써 취득된 발열 저항체는, 히터(1000)의 길이 방향 및 단변 방향으로 기울어져 있고, 히터(1000)의 길이 방향에서 서로 중첩한다. 이에 의해, 복수의 분할된 발열 저항체 사이의 간극의 영향을 저감할 수 있고, 히터(1000)의 길이 방향의 발열 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. 히터(1000)에서는, 인접하는 발열 블록의 에지의 분할된 발열 저항체가 길이 방향으로 서로 중첩하기 때문에, 발열 블록 사이의 간극에서도 히터(1000)의 길이 방향으로 더 균일한 발열 분포를 제공할 수 있다. 인접하는 발열 블록의 에지의 발열 저항체는 예를 들어 발열 블록(HB1)의 우측 단부의 발열 저항체 및 발열 블록(HB2)의 좌측 단부의 발열 저항체일 수 있다.

발열 저항체(1002a, 1002b)의 발열 분포의 균일성은 분할된 발열 저항체의 폭, 길이, 간격, 기울기 등을 조정함으로써 획득될 수 있다. 히터(900) 또는 히터(1000)의 구성을 채용함으로써, 복수의 발열 블록 사이의 간극에서의 온도의 불균일을 억제할 수 있다.

[제5 예시적인 실시예]

도 11a 및 도 11b는 제1 예시적인 실시예에 따른 제어 회로(400)에서 발열 블록에 공급되는 전류의 파형을 도시한다. 도 11a는, 히터(300)에 공급되는 전력의 각각 듀티비마다 규정되는, 트라이액(411)의 구동 패턴(또는 발열 블록(HB4)에 공급되는 전류의 파형의 테이블)흘리는 전류 파형의 테이블)을 도시한다. 또한, 도 11b는, 트라이액(412 내지 414)의 구동 패턴(또는 발열 블록(HB1 내지 HB3 및 HB5 내지 HB7)에 공급되는 전류의 파형의 테이블)을 도시한다.

CPU(420)는, 각각의 하나의 제어 기간마다 히터에 공급되는 전력의 레벨(듀티비)을 산출하며, 그 후 전력이 공급되는 각각의 발열 블록에 대한 듀티비에 따른 파형을 선택한다. 본 예시적인 실시예에 따른 제어 방법에서는, 4개의 반파를 하나의 제어 기간으로서 규정하여 각각의 트라이액에 대한 통전 제어 패턴을 설정하고 다라서 히터(300)에 공급되는 전력을 제어한다.

듀티비가 25%인 경우의 트라이액(411)에 대한 통전 제어 패턴의 예에 대해서 설명한다. 도 11a에 나타내는 트라이액(411)에 대한 통전 제어 패턴 A에 따라, 제1 반파 내지 제2 반파를 90°의 위상 각으로 제어하여 50%의 전력을 공급하고, 제3 반파 내지 제4 반파에서 전력 공급을 오프로 한다. 따라서, 히터(300)의 발열 블록(HB4)에는 평균 25%의 전력이 공급된다. 통전 제어 패턴 A에서는, 제1 반파 내지 제2 반파에서 위상 제어가 실행된다.

도 11b에 나타내는 트라이액(412 내지 414)의 통전 제어 패턴에서는, 제3 반파 내지 제4 반파를 90°의 위상 각으로 제어하여 50%의 전력을 공급하고, 제1 반파 내지 제2 반파에서 전력 공급을 오프로 한다. 따라서, 히터(300)의 발열 블록(HB1 내지 HB3, 및 HB5 내지 HB7)에는 평균 25%의 전력이 공급된다. 통전 제어 패턴(B)은 제3 반파 내지 제4 반파에서 위상 제어를 실행한다.

히터(300)의 발열 블록(HB4)은 다른 발열 블록의 것보다 낮은 저항값을 갖기 때문에, 다른 발열 블록에 비해 위상 제어 동안의 전류의 변화량이 크다. 본 실시예에 따르면, 발열 블록(HB4)에 위상 제어의 전류를 공급하는 기간(제1 반파 내지 제2 반파)은 다른 발열 블록(HB1 내지 HB3, 및 HB5 내지 HB7)에 위상 제어의 전류를 공급하는 기간(제3 반파 내지 제4 반파)와 상이하다. 따라서, 전체 히터(300)에 공급되는 위상 제어 하의 전류의 변동이 억제될 수 있다. 25% 이외의 다른 듀티비에 대해서도 마찬가지이다.

도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 복수의 트라이액에 대한 제어 기간은 제어에 대해 동기화될 수 있으므로(복수의 트라이액에 대한 동기 제어라 칭함), 상 가열 장치(200)의 고조파 전류를 저감할 수 있다. 도 11a 및 도 11b는 예시적인 동기 제어를 도시하며, 예를 들어 플리커를 감소시키도록 복수의 트라이액에 대한 동기 제어가 실행될 수 있다.

복수의 트라이액에 대한 동기 제어를 행하기 위해서 제어 회로(700)의 트라이액(711 내지 717)에 대해서 동일한 방법을 적용할 수 있다.

복수의 트라이액에 대한 동기 제어는 유리하게는 고조파 전류 및 플리커를 감소시킬 수 있고, 또한 히터(300)의 총 저항값이 낮게 설정되는 경우에도 고조파 전류 및 플리커에 대한 규격을 충족할 수 있다. 히터(300)에 대해 낮은 저항값이 설정될 수 있는 경우, AC 전원(401)으로부터 히터(300)에 공급될 수 있는 최대 전력은 증가될 수 있다.

상술한 바와 같은 복수의 예시적인 실시예에서, 기록재의 폭 방향의 중심을 반송 기준 위치(X)에 배치함으로써 기록재가 반송되는 중심 기준 프린터가 사용된다. 그러나, 본 발명은 히터의 길이 방향의 일 단부를 반송 기준 위치로서 규정하고, 기록재의 폭 방향의 일 단부를 반송 기준 위치에 배치함으로써 기록재가 반송되는 편측 기준 프린터에도 적용가능하다.

본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

본 출원은 전문이 본원에 참조로 통합되는 2015년 9월 11일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-179567호의 이익을 청구한다.

200 상 가열 장치
300 히터
301 제1 도전체
302 발열 저항체
303 제2 도전체
305 기판
E1 내지 E7, E8-1, E8-2 전극
HB1 내지 HB7 발열 블록

Claims

상 가열 장치에 사용되는 히터이며,
기판;
상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제1 발열 블록 - 상기 제1 발열 블록은 제1 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 기판의 길이 방향에서 상기 제1 발열 블록의 위치와 상이한 위치에서 상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제2 발열 블록 - 상기 제2 발열 블록은 제2 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 기판의 상기 길이 방향에서 상기 제1 및 제2 발열 블록의 위치와 상이한 위치에서 상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제3 발열 블록 - 상기 제3 발열 블록은 상기 제1 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 기판의 상기 길이 방향에서 상기 제1, 제2 및 제3 발열 블록의 위치와 상이한 위치에서 상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제4 발열 블록 - 상기 제4 발열 블록은 상기 제2 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 제1 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제1 온도 센서;
상기 제2 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제2 온도 센서;
상기 제3 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제3 온도 센서;
상기 제4 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제4 온도 센서;
상기 제1 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 도전 패턴;
상기 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 도전 패턴;
상기 제1 및 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 공통 도전 패턴;
상기 제3 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제3 도전 패턴;
상기 제4 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제4 도전 패턴; 및
상기 제3 및 제4 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 공통 도전 패턴을 포함하는, 히터
제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 발열 블록 각각은, 상기 길이 방향을 따라 제공되는 제1 도전체와, 상기 기판의 단변 방향에 있어서 상기 제1 도전체의 위치와는 상이한 위치에서 상기 길이 방향을 따라 제공되는 제2 도전체와, 상기 제1 도전체와 상기 제2 도전체 사이에 제공되고 상기 제1 도전체 및 상기 제2 도전체를 통해 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 열 발생 부재를 갖는, 히터.
제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 온도 센서와, 상기 제1 내지 제4 도전 패턴과, 상기 제1 및 제2 공통 도전 패턴은 상기 기판의 상기 제1 내지 제4 발열 블록을 갖는 기판 표면의 반대측의 기판 표면 상에 제공되는, 히터.
제1항에 있어서,
상기 히터는, 상기 제1 온도 센서, 상기 제3 온도 센서, 상기 제1 도전 패턴, 상기 제3 도전 패턴 및 상기 제1 공통 도전 패턴을 갖는 제1 그룹과, 상기 제2 온도 센서, 상기 제4 온도 센서, 상기 제2 도전 패턴, 상기 제4 도전 패턴 및 상기 제2 공통 도전 패턴을 갖는 제2 그룹을 갖는, 히터.
기록재에 형성된 화상을 가열하는 상 가열 장치이며,
통형의 필름;
상기 필름의 내부 공간에 제공되는 히터;
전력을 제어하도록 구성된 제1 스위칭 소자; 및
전력을 제어하도록 구성된 제2 스위칭 소자
를 포함하고,
상기 히터는,
기판;
상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제1 발열 블록 - 상기 제1 발열 블록은 상기 제1 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 기판의 길이 방향에서 상기 제1 발열 블록의 위치와 상이한 위치에서 상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제2 발열 블록 - 상기 제2 발열 블록은 상기 제2 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 기판의 상기 길이 방향에서 상기 제1 및 제2 발열 블록의 위치와 상이한 위치에서 상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제3 발열 블록 - 상기 제3 발열 블록은 상기 제1 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 기판의 상기 길이 방향에서 상기 제1, 제2 및 제3 발열 블록의 위치와 상이한 위치에서 상기 기판 상에 제공되고, 공급되는 전력에 의해 열을 발생시키도록 구성된 제4 발열 블록 - 상기 제4 발열 블록은 상기 제2 스위칭 소자에 의해 제어됨 -;
상기 제1 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제1 온도 센서;
상기 제2 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제2 온도 센서;
상기 제3 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제3 온도 센서;
상기 제4 발열 블록에 대응하는 위치에 제공된 제4 온도 센서;
상기 제1 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 도전 패턴;
상기 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 도전 패턴;
상기 제1 및 제2 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제1 공통 도전 패턴;
상기 제3 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제3 도전 패턴;
상기 제4 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제4 도전 패턴; 및
상기 제3 및 제4 온도 센서에 전기적으로 연결되는 제2 공통 도전 패턴을 포함하는, 상 가열 장치.
제5항에 있어서,
상기 히터는 상기 필름의 내면에 접촉하는, 상 가열 장치.
제6항에 있어서,
상기 필름을 통해 상기 히터와 협력하여 상기 기록재를 니핑(nipping)하기 위한 닙부를 형성하도록 구성된 롤러
를 더 포함하는, 상 가열 장치.