KR101694579B1 - 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법 - Google Patents

고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101694579B1
KR101694579B1 KR1020137015459A KR20137015459A KR101694579B1 KR 101694579 B1 KR101694579 B1 KR 101694579B1 KR 1020137015459 A KR1020137015459 A KR 1020137015459A KR 20137015459 A KR20137015459 A KR 20137015459A KR 101694579 B1 KR101694579 B1 KR 101694579B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vinylidene fluoride
composite
polymer
hydroxyethylcellulose
piezoelectric
Prior art date
Application number
KR1020137015459A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140009253A (ko
Inventor
데츠 미요시
츠토무 사사키
유키오 사카시타
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20140009253A publication Critical patent/KR20140009253A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101694579B1 publication Critical patent/KR101694579B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/09Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/098Forming organic materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/04Carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L29/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical; Compositions of hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L29/02Homopolymers or copolymers of unsaturated alcohols
    • C08L29/04Polyvinyl alcohol; Partially hydrolysed homopolymers or copolymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/04Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
    • H10N30/045Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning by polarising
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/077Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/09Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/092Forming composite materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/852Composite materials, e.g. having 1-3 or 2-2 type connectivity
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/857Macromolecular compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

본 발명은, 대면적에서도 절연 파괴나 박리되지 않고 높은 제조 수율을 실현할 수 있는 고분자 복합 압전체의 제조 방법 및 고분자 복합 압전체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 고분자 복합 압전체는, 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 고분자 매트릭스 중에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 복합체가 분극 처리되어 이루어지는 것이다.

Description

고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법{POLYMER COMPOSITE PIEZOELECTRIC BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은, 압전 소자, 센서, 초음파 탐촉자, 발전 소자, 진동 발전기 등에 적합한 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 고분자 매트릭스에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
현재, 고분자 압전 재료는, 가요성, 내충격성, 가공 용이성, 대면적화가 가능하거나 하는 고분자 재료 특유의 특성을 구비한 압전 재료이며, 무기 압전 재료에 비해 전력 출력 정수 (定數) (압전 g 정수) 가 높고, 또 음향 임피던스가 인체 또는 물에 가깝기 때문에, 각종 센서, 또는 초음파 탐촉자 혹은 하이드로폰 등의 초음파 트랜스듀서, 제진재 (댐퍼), 또는 진동 발전에 대한 응용이 기대되고 있다. 이들 응용 분야에 있어서는, 단위 전계당의 변형량 (발신능) 의 지표인 압전 변형 정수 (d 정수) 및 단위 응력당의 발생 전계 강도 (수신능) 의 지표인 g 정수의 쌍방의 크기, 또는 그 밸런스가 우수한 압전 재료가 요구되고 있다.
고분자 압전 재료로는, 폴리불화비닐리덴 (PVDF) 으로 대표되는 고분자 물질 자체에 압전성을 갖는 압전 고분자가 알려져 있는데, 무기 압전 재료에 비해 d 정수가 낮기 때문에, 고분자 압전 재료를 상기 용도에 사용하는 경우에는 충분한 성능이 얻어지지 않는다.
한편, 고분자 재료를 매트릭스로 하고, 이 고분자 매트릭스 중에 무기 압전체를 복합화하여 압전성을 부여하는 고분자 복합 압전체는, 상기 고분자 재료 특유의 장점과 무기 압전체의 우수한 압전 성능 (d 정수) 이 살려진 압전체이다. 고분자 복합 압전체는, 매트릭스가 되는 고분자의 종류, 무기 압전체의 종류 혹은 조성, 커넥티비티, 또는 형상, 그리고 배합비를 변화시킴으로써, 다양한 용도에 따른 재료 설계가 가능한 압전체로서 주목받고 있다. 이 때문에, 고분자 복합 압전체에 대해서는 다양한 것이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1).
또한, 고분자 복합 압전체에 사용하는 압전체로는, 말할 필요도 없이 높은 압전 성능을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하며, d 정수가 현격히 높은 티탄산지르콘산납 (Pb(Zr,Ti)O3 : PZT) 을 비롯한 납계 압전 재료가 주로 사용되고 있다.
특허문헌 1 에는, 시아노에틸화셀룰로오스 및/또는 시아노에틸화풀루란으로 이루어지는 유전성 바인더에 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 세라믹스 입자로 이루어지는 강유전성 물질을 균일하게 분산 혼합하여 형성한 복합물에 소정 전압을 인가하여 이루어지는 양호한 고유전성, 초전성, 압전성을 갖는 전자 부품 재료가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2007-157413호
그러나, 특허문헌 1 에 개시된 전자 부품 재료에 있어서, 시아노에틸화풀루란과 압전체 입자를 조합한 복합물을 기판 상에 캐스트법으로 제조한 후, 이 복합물에 폴링 (분극 처리) 을 실시하면, 복합물에 있어서의 두께 불균일 또는 입자 분산의 불균일성에 의해 발생하는 내압이 낮은 지점에서 절연 파괴되기 쉬워, 대면적에서의 제조가 곤란하다는 문제가 있었다. 나아가서는, 시아노에틸화풀루란은 이종 재료와의 밀착성이 부족하고, 캐스트 후의 건조 공정시에 크랙이나 박리 등의 트러블이 일어나기 쉬워, 역시 대면적에서의 제조가 곤란하다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 상기 종래 기술에 있어서의 문제점을 해소하고, 대면적에서도 절연 파괴나 박리되지 않고 높은 제조 수율을 실현할 수 있는 고분자 복합 압전체의 제조 방법 및 고분자 복합 압전체를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 시아노에틸화폴리비닐알코올 (시아노에틸화 PVA) 로 이루어지는 고분자 매트릭스 중에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 복합체가 폴링되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 복합 압전체를 제공하는 것이다.
또한, 고분자 매트릭스 중에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 복합체가 폴링되기 전의 것, 및 복합체가 분극 처리 (폴링) 되어 이루어지는 고분자 복합 압전체 중 어느 것에 대해서도, 압전 컴포지트라고 한다.
본 발명에 있어서는, 상기 고분자 매트릭스는, 시아노에틸화폴리비닐알코올에 대하여 고유전성 혹은 강유전성 폴리머인 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체 및 폴리불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소계 고분자, 또는 시안화비닐리덴-아세트산비닐 공중합체, 시아노에틸셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시사카로오스, 시아노에틸하이드록시셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시풀루란, 시아노에틸메타크릴레이트, 시아노에틸아크릴레이트, 시아노에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 시아노에틸아밀로오스, 시아노에틸하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸디하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시프로필아밀로오스, 시아노에틸폴리아크릴아미드, 시아노에틸폴리아크릴레이트, 시아노에틸풀루란, 시아노에틸폴리하이드록시메틸렌, 시아노에틸글리시돌풀루란, 시아노에틸사카로오스 및 시아노에틸소르비톨 등의 시아노기 혹은 시아노에틸기를 갖는 폴리머, 또는 니트릴 고무 및 클로로프렌 고무 등의 합성 고무 중 적어도 1 개가 첨가된 것인 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서는, 상기 압전체 입자는, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 세라믹스 입자로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 세라믹스 입자는, 예를 들어, 티탄산지르콘산납, 티탄산지르콘산란탄산납, 티탄산바륨, 또는 티탄산바륨과 비스무트페라이트의 고용체에 의해 구성된다.
또, 본 발명은, 지지 기판 상에 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 고분자 매트릭스 중에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 복합체를 형성하는 공정과, 상기 복합체에 폴링을 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 복합 압전체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 복합체를 형성하는 공정은, 상기 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 유전성 바인더를 용해시킨 유기 용매 중에 상기 압전체 입자를 분산시킴으로써 얻은 압전체 입자 함유 도포액을 상기 지지 기판 상에 캐스팅한 후, 상기 유기 용매를 증발시킴으로써 피막 형성시키는 것인 것이 바람직하다.
상기 지지 기판으로는 각종 금속판, 혹은 적어도 일방의 면에 하부 전극이 되는 알루미늄이나 구리와 같은 금속막/금속박을 부여한 고분자 필름이 바람직하다. 또, 유기 고분자와 도전성 입자로 이루어지는 복합물을 지지 기판에 사용해도 된다. 이 경우, 유기 고분자를 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머 및 가황 고무 중 적어도 1 종으로 구성하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자에는, C, Pd, Fe, Sn, Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Cr, Mo 또는 이들의 합금이 사용된다.
상기 지지 기판 상에 상기 도포액을 캐스팅하는 방법으로는, 닥터 코팅법이나 블레이드 코팅법 등의 종래 공지된 어느 캐스팅법도 사용할 수 있다. 이와 같이 하여 형성되는 복합체의 두께는 통상적으로 약 50 ∼ 100 ㎛ 정도이다.
한편, 상기 폴링을 실시하는 공정은, 상기 복합체에 있어서 상기 지지 기판과 접하는 면과 대향하는 표면에 상부 전극을 형성하고, 추가로 상기 복합체를 소정의 온도로 가열하고, 상기 지지 기판 (하부 전극) 과 상기 상부 전극 사이에 직류 전계를 소정 시간 인가하는 것인 것이 바람직하다.
또, 상기 폴링을 실시하는 공정은, 상기 복합체를 소정의 온도로 가열 유지한 상태에서, 상기 지지 기판 (하부 전극) 과, 상기 복합체에 있어서 상기 지지 기판과 접하는 면과 대향하는 표면과 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 복합체의 표면을 따라 이동 가능한 봉상 혹은 와이어상의 코로나 전극 사이에 소정의 직류 전계를 인가하여 코로나 방전을 발생시키면서, 상기 코로나 전극을 상기 복합체의 표면을 따라 상대적으로 이동시키는 공정을 구비하는 것이어도 된다.
또한, 상기 폴링의 공정에 있어서의 상기 복합체의 가열 온도는 60 ℃ ∼ 120 ℃ 인 것이 바람직하다.
상기 압전체 입자는, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 세라믹스 입자로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 세라믹스 입자는, 예를 들어, 티탄산지르콘산납, 티탄산지르콘산란탄산납, 티탄산바륨, 또는 티탄산바륨과 비스무트페라이트의 고용체에 의해 구성된다.
상기 유전성 바인더는, 시아노에틸화폴리비닐알코올에 대하여 고유전성 혹은 강유전성 폴리머인 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체 및 폴리불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소계 고분자, 또는 시안화비닐리덴-아세트산비닐 공중합체, 시아노에틸셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시사카로오스, 시아노에틸하이드록시셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시풀루란, 시아노에틸메타크릴레이트, 시아노에틸아크릴레이트, 시아노에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 시아노에틸아밀로오스, 시아노에틸하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸디하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시프로필아밀로오스, 시아노에틸폴리아크릴아미드, 시아노에틸폴리아크릴레이트, 시아노에틸풀루란, 시아노에틸폴리하이드록시메틸렌, 시아노에틸글리시돌풀루란, 시아노에틸사카로오스 및 시아노에틸소르비톨 등의 시아노기 혹은 시아노에틸기를 갖는 폴리머, 또는 니트릴 고무 및 클로로프렌 고무 등의 합성 고무 중 적어도 1 개가 첨가되어 있어도 된다.
본 발명에 의하면, 연화 온도가 실온 부근에 있는 시아노에틸화 PVA 를 고분자 매트릭스에 사용함으로써, 비교적 낮은 가열 온도에서 리크 전류의 증대를 초래하지 않고 압전체 입자에 대한 기계적 구속을 저감시키는 것이 가능해진다. 이 때문에, 폴링에 필요한 전계 강도가 대폭 낮아져, 복합체에 두께 불균일 또는 압전체 입자의 입자 분산의 불균일성에 의해 발생하는 내압이 낮은 지점이 있어도 절연 파괴를 억제할 수 있다. 또한, 이종 재료와의 밀착성이 우수한 시아노에틸화 PVA 를 바인더로서 사용함으로써, 캐스트 후의 건조 공정시의 크랙이나 박리 등의 트러블을 억제할 수 있다.
이상과 같이, 시아노에틸화 PVA 를 고분자 매트릭스에 사용함으로써, 대면적에서도 절연 파괴나 박리되지 않고 높은 제조 수율을 실현할 수 있는 고분자 복합 압전체의 제조 방법 및 고분자 복합 압전체를 얻을 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태의 고분자 복합 압전체를 나타내는 모식도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태의 고분자 복합 압전체의 제조에 사용되는 폴링 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3 의 (a) 는 본 발명의 실시형태의 고분자 복합 압전체의 제조에 사용되는 폴링 방법의 다른 예를 나타내는 모식도이고, (b) 는 폴링 방법의 다른 예를 나타내는 모식적 사시도이다.
도 4 는 유전성 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용하여 제조한 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 조건과 d33 의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5 는 유전성 바인더에 시아노에틸화풀루란을 사용하여 제조한 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 조건과 d33 의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6 은 유전성 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용하여 제조한 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 온도와 d33 의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7 은 유전성 바인더에 시아노에틸화풀루란을 사용하여 제조한 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 온도와 d33 의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8 은 각종 바인더의 전기 특성 (유전율) 의 온도 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 9 는 각종 바인더의 기계 특성 (경도) 의 온도 의존성을 나타내는 그래프이다.
이하에 첨부 도면에 나타내는 바람직한 실시형태에 기초하여, 본 발명의 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법을 상세하게 설명한다.
도 1 은 본 발명의 실시형태의 고분자 복합 압전체를 나타내는 모식도이다.
도 1 에 나타내는 고분자 복합 압전체 (압전 컴포지트) (10) 는, 시아노에틸화폴리비닐알코올 (이하, 시아노에틸화 PVA 라고도 한다) 로 이루어지는 고분자 매트릭스 (12) 중에 강유전체 재료로 이루어지는 압전체 입자 (14) 가 균일하게 분산되어 있는 복합체 (16) 가 폴링되어 이루어지는 것이다. 예를 들어, 고분자 복합 압전체 (10) 에 있어서, 복합체 (16) 의 하면 (16b) 에 하부 전극 (20) 이 형성되어 있고, 상면 (16a) 에 상부 전극 (22) 이 형성되어 있다.
고분자 매트릭스 (12) 는, 시아노에틸화 PVA 단체에 한정되는 것이 아니며, 시아노에틸화 PVA 에 추가로 고유전성 혹은 강유전성 폴리머인 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체 및 폴리불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소계 고분자, 또는 시안화비닐리덴-아세트산비닐 공중합체, 시아노에틸셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시사카로오스, 시아노에틸하이드록시셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시풀루란, 시아노에틸메타크릴레이트, 시아노에틸아크릴레이트, 시아노에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 시아노에틸아밀로오스, 시아노에틸하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸디하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시프로필아밀로오스, 시아노에틸폴리아크릴아미드, 시아노에틸폴리아크릴레이트, 시아노에틸풀루란, 시아노에틸폴리하이드록시메틸렌, 시아노에틸글리시돌풀루란, 시아노에틸사카로오스 및 시아노에틸소르비톨 등의 시아노기 혹은 시아노에틸기를 갖는 폴리머, 또는 니트릴 고무 및 클로로프렌 고무 등의 합성 고무 중 적어도 1 개가 첨가된 것이어도 된다.
압전체 입자 (14) 는, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 세라믹스 입자로 이루어지는 것이다. 압전체 입자 (14) 를 구성하는 세라믹스 입자는, 예를 들어, 티탄산지르콘산납 (PZT), 티탄산지르콘산란탄산납 (PLZT), 티탄산바륨 (BaTiO3), 또는 티탄산바륨과 비스무트페라이트 (BiFe3) 의 고용체 (BFBT) 에 의해 구성된다.
고분자 복합 압전체 (10) 는 고분자 매트릭스 (12) 를 사용하고 있기 때문에, 가요성이 우수한 것이 된다.
고분자 복합 압전체 (10) 에 있어서는, 예를 들어, 복합체 (16) 의 상면 (16a) 및 하면 (16b) 중 적어도 일방에 도전성 또는 비도전성의 지지 기판을 형성해도 된다. 이 지지 기판은 가요성을 갖는 것인 것이 바람직하다.
다음으로, 고분자 복합 압전체 (10) 의 제조 방법에 대해 도 2 에 기초하여 설명한다.
먼저, 도전성의 하부 전극 (20) 을 준비한다. 이 하부 전극 (20) 은, 다른 지지 기판 (도시 생략) 상에 스퍼터링법 등에 의해 형성한 도전성을 갖는 막이어도 된다.
다음으로, 하부 전극 (20) 의 표면 (20a) 에 복합체 (16) 를 형성한다.
복합체 (16) 의 형성 방법으로는, 고분자 매트릭스 (12) 가 되는 시아노에틸화 PVA 로 이루어지는 유전성 바인더를 용해시킨 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드 (DMF) 등의 유기 용매 중에 압전체 입자 (14) 를 소정량 균일하게 분산시킴으로써 얻은 압전체 입자 함유 도포액을 하부 전극 (20) 의 표면 (20a) 에 캐스트한 후, 유기 용매를 증발시킴으로써 복합체 (16) 를 형성한다.
복합체 (16) 는, 상기 서술한 캐스트법 이외에도, 용융된 유전성 바인더에 압전체 입자를 분산시킨 것을 사용함으로써 압출 성형법으로 형성할 수도 있다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 시아노에틸화 PVA 단체를 유전성 바인더에 사용하는 것에 한정되는 것이 아니며, 시아노에틸화 PVA 에 대하여 추가로 고유전성 혹은 강유전성 폴리머인 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체 및 폴리불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소계 고분자, 또는 시안화비닐리덴-아세트산비닐 공중합체, 시아노에틸셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시사카로오스, 시아노에틸하이드록시셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시풀루란, 시아노에틸메타크릴레이트, 시아노에틸아크릴레이트, 시아노에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 시아노에틸아밀로오스, 시아노에틸하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸디하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시프로필아밀로오스, 시아노에틸폴리아크릴아미드, 시아노에틸폴리아크릴레이트, 시아노에틸풀루란, 시아노에틸폴리하이드록시메틸렌, 시아노에틸글리시돌풀루란, 시아노에틸사카로오스 및 시아노에틸소르비톨 등의 시아노기 혹은 시아노에틸기를 갖는 폴리머, 또는 니트릴 고무 및 클로로프렌 고무 등의 합성 고무 중 적어도 1 개가 첨가된 것을 사용할 수도 있다.
다음으로, 복합체 (16) 의 상면 (16a) 에 상부 전극 (22) 을, 예를 들어, 스퍼터링법을 사용하여 형성한다.
다음으로, 하부 전극 (20) 과 상부 전극 (22) 을 직류의 전원 (24) 에 접속시킨다. 또한, 복합체 (16) 를 가열 유지하는 가열 수단, 예를 들어, 핫 플레이트를 준비한다. 그리고, 복합체 (16) 를, 예를 들어, 온도 100 ℃ 로 가열 유지하면서 전원 (24) 으로부터 하부 전극 (20) 과 상부 전극 (22) 사이에 수십 ∼ 수백 ㎸/㎝ 의 직류 전계, 예를 들어 50 ㎸/㎝ 를 소정 시간 인가하여 폴링한다.
이 폴링에서는, 압전체 입자 (14) 에 대하여, 하부 전극 (20) 과 상부 전극 (22) 이 마주보는 복합체 (16) 의 두께 방향의 직류 전계가 가해져 폴링되고, 이로써, 고분자 복합 압전체 (10) 가 얻어진다.
하부 전극 (20) 및 상부 전극 (22) 은, 폴링시에 복합체 (16) 에 소정의 전압을 인가할 수 있는 도전성의 것으로, 예를 들어, C, Pd, Fe, Sn, Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Cr, Mo 등 또는 이들의 합금에 의해 구성할 수 있다.
하부 전극 (20) 및 상부 전극 (22) 은, 예를 들어, 진공 증착법 및 스퍼터링법 등의 기상 성막법, 그리고 스크린 인쇄 및 잉크젯법 등의 인쇄법에 의해 형성할 수 있다. 또, 하부 전극 (20) 및 상부 전극 (22) 은, 상기 서술한 C, Pd, Fe, Sn, Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Cr, Mo 등 또는 이들의 합금으로 이루어지는 박상의 것이어도 된다.
나아가서는, 하부 전극 (20) 및 상부 전극 (22) 에는 유기 고분자와 도전성 입자로 이루어지는 복합물을 사용할 수도 있다. 이 경우, 유기 고분자에는 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 가황 고무 중 적어도 1 종을, 도전성 입자에는 상기 서술한 C, Pd, Fe, Sn, Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Cr, Mo 등 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 도 3 의 (a), (b) 에 나타내는 바와 같이 하여 폴링을 할 수도 있다. 이 경우, 도 3 의 (a), (b) 에 나타내는 바와 같이, 하부 전극 (20) 의 표면 (20a) 에 복합체 (16) 를 형성한 후, 이 복합체 (16) 의 상면 (16a) 으로부터 간격 (δ) 을 수 ㎜, 예를 들어, 1 ㎜ 두고 복합체 (16) 의 상면 (16a) 상에 이 상면 (16a) 을 따라 이동 가능한 봉상 혹은 와이어상의 코로나 전극 (26) 을 형성한다. 그리고, 이 코로나 전극 (26) 과 하부 전극 (20) 을 직류 전원 (24) 에 접속시킨다. 또한, 복합체 (16) 를 가열 유지하는 가열 수단, 예를 들어, 핫 플레이트를 준비한다.
그리고, 복합체 (16) 를, 예를 들어, 온도 100 ℃ 로 가열 유지한 상태에서, 전원 (24) 으로부터 하부 전극 (20) 과 코로나 전극 (26) 사이에 수 ㎸, 예를 들어, 6 ㎸ 의 직류 전압을 인가하여 코로나 방전을 발생시키고, 코로나 전극 (26) 을 복합체 (16) 의 상면 (16a) 상을 그 상면 (16a) 을 따라 이동시켜 폴링을 한다. 또한, 이하, 코로나 방전을 사용한 폴링을 코로나 폴링 처리라고도 한다.
이 경우, 코로나 전극 (26) 의 이동은 공지된 이동 수단을 사용할 수 있다. 또, 코로나 전극 (26) 이 이동하는 것에 한정되는 것은 아니며, 복합체 (16) 를 이동시키는 이동 기구를 형성하고, 이 복합체 (16) 를 이동시켜 폴링을 해도 된다. 이와 같이, 코로나 전극 (26) 의 이동 수단은, 코로나 전극 (26) 을 복합체 (16) 에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 하부 전극 (20) 은, 폴링 후, 고분자 복합 압전체 (10) 를 사용하는 양태 등에 따라 하부 전극 (20) 을 제거할 수도 있다. 또, 코로나 전극 (26) 의 수는 1 개에 한정되는 것이 아니며, 복수 개여도 된다.
또, 도 3 의 (a), (b) 에 나타내는 폴링 방법과 같이 코로나 전극 (26) 을 사용하는 경우, 롤투롤 방식을 사용하여, 복합체 (16) 의 반송로에 있어서 그 상면 (16a) 에 대향하여 코로나 전극 (26) 을 복수 형성하고, 복합체 (16) 를 길이 방향으로 반송하면서 폴링을 할 수도 있다. 이로써, 대면적의 고분자 복합 압전체 (10) 를 제조할 수도 있다.
본 실시형태의 고분자 복합 압전체는, 예를 들어, 초음파 센서, 압력 센서, 촉각 센서, 변형 센서 등의 각종 센서, 마이크로폰, 픽업, 스피커 등의 음향 디바이스, 초음파 탐촉자, 하이드로폰 등의 초음파 트랜스듀서, 탈것이나 건물 또는 스키나 라켓 등의 스포츠 용구에 사용하는 제진재 (댐퍼), 나아가서는 발전 소자로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 바닥, 신발, 타이어 등에 적용하여 사용하는 진동 발전 장치로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명은, 기본적으로 이상과 같이 구성되는 것이다. 이상, 본 발명의 고분자 복합 압전체 및 제조 방법에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 개량 또는 변경을 해도 되는 것은 물론이다.
실시예
이하, 본 발명의 고분자 복합 압전체의 효과에 대해 상세하게 설명한다.
본 실시예에 있어서는, 이하에 나타내는 바와 같이, 유전성 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용하여 고분자 복합 압전체를 제조하고, 각 폴링 조건에 있어서의 d33 을 측정하였다. 또한, 본 발명의 고분자 복합 압전체의 효과를 확인하기 위해, 비교용으로 유전성 바인더에 시아노에틸화풀루란을 사용하여 고분자 복합 압전체를 제조하고, 동일하게 각 폴링 조건에 있어서의 d33 을 측정하였다.
샘플은, 먼저 PZT 입자와 바인더로서 시아노에틸화 PVA (CR-V 신에츠 화학 공업사 제조) 를 하기의 조성비로 디메틸포름아미드 (DMF) 로 이루어지는 유기 용매 중에 첨가하고, 프로펠러 믹서 (회전수 2000 rpm) 로 분산시켜 압전체 입자 함유 도포액을 조제하였다.
· PZT 입자 ……………… 300 질량부
· 시아노에틸화 PVA ……… 30 질량부
또한, PZT 입자로는, 시판되는 PZT 원료 분말을 1000 ∼ 1200 ℃ 에서 소결한 후, 이것을 평균 입경 5 ㎛ 가 되도록 해쇄 및 분급 처리한 것을 사용하였다.
다음으로, 알루미늄 기판 (두께 300 ㎛) 상에 슬라이드 코터를 사용하여 압전체 입자 함유 도포액을 건조 도막의 막두께가 70 ㎛ 가 되도록 A4 사이즈 (30 ㎝ × 21 ㎝) 의 도포 면적에서 도포한 후, 120 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 가열 건조시킴으로써 DMF 를 증발시켰다. 이로써, 두께가 70 ㎛ 이고 A4 사이즈의 복합체가 알루미늄 기판 상에 형성되었다.
다음으로, 복합체 및 알루미늄 기판을 일괄하여 가로세로 20 ㎜ 의 크기로 분할한 후, 진공 증착법으로 직경 15 ㎜, 두께 0.5 ㎛ 의 알루미늄으로 이루어지는 상부 전극을 각 복합체 상에 형성하였다.
다음으로, 상부 전극-알루미늄 기판 (하부 전극) 사이에 소정의 직류 전계를 인가하여 폴링을 실시하였다. 폴링 조건은 이하와 같다.
· 온도 : 20 ℃ ∼ 160 ℃
· 전계 강도 : 5 ㎸/㎝ ∼ 200 ㎸/㎝
· 시간 : 3 분
이와 같이 하여 각 폴링 조건에서 제조된 고분자 복합 압전체 샘플의 압전 정수 d33 을 d33 미터 (PIEZO TEST 사 제조의 PM-300) 를 사용하여 주파수 110 ㎐, 클램핑 포스 10 N, 다이나믹 포스 0.25 N 로 측정하였다.
도 4 에 본 실시예에서 제조한 시아노에틸화 PVA 를 바인더에 사용한 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 조건과 d33 의 관계를 나타낸다. 도 5 에 비교를 위해 제조한 시아노에틸화풀루란을 바인더에 사용한 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 조건과 d33 의 관계를 나타낸다.
도 4 및 도 5 를 보면, 시아노에틸화 PVA, 시아노에틸화풀루란 중 어느 것을 바인더에 사용한 경우에도, 온도 상승과 함께 d33 의 전계에 대한 상승이 향상된 것을 알 수 있다.
도 6 은 도 4 에 있어서의 전계 강도 50 ㎸/㎝ 및 100 ㎸/㎝ 에 있어서의 d33 의 값을 플롯한 것이다. 동일하게, 도 7 은 도 5 에 있어서의 전계 강도 50 ㎸/㎝ 및 100 ㎸/㎝ 에 있어서의 d33 의 값을 플롯한 것이다.
도 6 을 보면, 시아노에틸화 PVA 를 사용한 경우, 폴링 온도 40 ℃ 이상에서 d33 이 향상된 것을 알 수 있다. 전계 강도 50 ㎸/㎝ 의 조건에서는 100 ℃ ∼ 120 ℃ 의 온도 범위에서, 전계 강도 100 ㎸/㎝ 의 조건에서는 60 ℃ ∼ 120 ℃ 의 온도 범위에서, d33 은 55 pC/N 이상의 높은 값을 나타냈다.
한편, 도 7 을 보면, 시아노에틸화풀루란을 사용한 경우, 폴링 온도 100 ℃ 이상에서 d33 이 향상된 것을 알 수 있다. 단, 전계 강도 50 ㎸/㎝ 의 조건에서는 어느 온도에서도 d33 은 50 pC/N 을 상회하지 않았고, 전계 강도 100 ㎸/㎝ 의 조건에서는 유일하게 온도를 120 ℃ 로 한 경우에만 d33 은 55 pC/N 을 상회하였다.
또한, 시아노에틸화 PVA, 시아노에틸화풀루란 중 어느 것을 바인더에 사용한 경우에도, 폴링 온도가 120 ℃ 를 상회하면 d33 이 저하되는 경향이 보여지는데, 이것은 폴링시의 리크 전류가 매우 커져, 압전 입자에 충분한 전계가 인가되지 않기 때문이다.
이상과 같이, 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용함으로써, 시아노에틸화풀루란을 사용한 경우에 비해 폴링시의 온도 및 전계 강도를 대폭 낮추는 것이 가능해지는 것인데, 그 이유에 대해 이하에 서술한다.
일반적으로 PZT 로 대표되는 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 압전 세라믹스는, 퀴리점보다 저온측에서는 결정 구조가 대칭 중심을 갖지 않고, 이온이 변위되어 분극을 발생시키는 것인데, 이 이온 변위가 클수록 폴링에는 큰 에너지 (전계 강도) 가 필요해지기 때문에, 폴링시에 절연 파괴되기 쉬워진다. 또, 이온 변위가 클수록 폴링에 수반되는 변형량도 커지기 때문에, 세라믹스에 크랙이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 압전 세라믹스를 폴링할 때의 고안으로서, 시료를 퀴리점 이하의 온도로 가열하여, 결정 대칭성을 높임으로써 폴링에 필요한 전계 강도나 폴링에 수반되는 변형량을 저감시키는 수법이 통상적으로 사용되고 있다.
그런데, 본 실시예에 있어서는, 동일한 압전 세라믹스 입자를 사용하고 있음에도 불구하고, 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용한 경우와 시아노에틸화풀루란을 사용한 경우에서 d33 이 최대가 되는 폴링의 온도 범위가 상이하다. 이것은, 고분자 매트릭스와 압전 세라믹스로 이루어지는 고분자 복합 압전체를 폴링하는 경우, 시료를 가열함으로써 상기 서술한 압전 세라믹스의 결정 대칭성을 높이는 것 이외에도 폴링에 필요한 전계 강도를 낮추는 어떠한 메커니즘이 작용하는 것을 시사하고 있다.
그래서, 본 실시예에서 사용한 시아노에틸화 PVA 및 시아노에틸화풀루란의 각종 바인더 단체에서의 전기 특성 (유전율) 및 기계 특성 (경도) 의 온도 의존성을 조사하였다. 또한, 전기 특성 및 기계 특성의 평가용 시료는 이하와 같이 제조하였다.
먼저, 메틸포름아미드 (DMF) 로 이루어지는 유기 용매 중에 시아노에틸화 PVA 및 시아노에틸화풀루란의 각종 바인더를 용해시키고, 이것을 알루미늄 기판 (두께 300 ㎛) 상에 건조 도막의 막두께가 30 ㎛ 가 되도록 A4 사이즈 (30 ㎝ × 21 ㎝) 의 도포 면적에서 도포한 후, 120 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 가열 건조시킴으로써 DMF 를 증발시켰다. 이로써, 두께가 30 ㎛ 이고 A4 사이즈의 시트상 바인더가 알루미늄 기판 상에 형성되었다. 다음으로, 바인더 및 알루미늄 기판을 일괄하여 가로세로 20 ㎜ 의 크기로 분할한 후, 진공 증착법으로 직경 15 ㎜, 두께가 0.5 ㎛ 인 알루미늄으로 이루어지는 상부 전극을 각 바인더 상에 형성하였다.
이와 같이 하여 제조된 시트상의 각종 바인더의 유전율을 임피던스 애널라이저 (애질런트사 제조의 4294A) 를 사용하여, 온도 범위 20 ℃ ∼ 120 ℃, 주파수 1 ㎑ 에서 측정하였다. 한편, 각종 바인더의 경도를 열 기계 분석 장치 (시마즈 제작소 제조의 TMA-60) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃/min, 하중 10 g 으로 측정하였다.
도 8 은 각종 바인더에 있어서의 비유전율의 온도 의존성을 나타낸 것이다. 도 8 에 있어서, 실선은 시아노에틸화 PVA 를 나타내고, 점선은 시아노에틸화풀루란을 나타내고 있다. 도 8 을 보면, 시아노에틸화 PVA 의 유전율은 온도 상승과 함께 급격하게 상승하여 60 ℃ 부근에서 최대가 된 후, 다시 저하되고 있다. 고분자 바인더 중의 압전 세라믹스에 인가되는 전계 강도는 바인더의 유전율이 높을수록 커지는 것인데, 유전율의 관점에서만 논의한다면 60 ℃ 부근이 가장 폴링에 적합한 온도로 예상된다. 그러나, 폴링 온도와 d33 의 관계 (도 6) 를 보면, 전계 강도 50 ㎸/㎝ 의 조건하에서는, d33 은 40 ℃ 부근에서부터 상승하여 100 ℃ 부근에서 최대가 되고 있다. 한편, 시아노에틸화풀루란의 유전율은 온도 상승에 수반하여 거의 직선적으로 상승하고 있다. 그러나, 폴링 온도와 d33 의 관계 (도 7) 를 보면, 전계 강도 50 ㎸/㎝ 의 조건하에서는, d33 은 20 ℃ 내지 100 ℃ 의 범위에서 변화가 보여지지 않았으며, 120 ℃ 부근에서부터 마침내 상승하기 시작하였다. 이상과 같이, 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용한 경우와 시아노에틸화풀루란을 사용한 경우에서 d33 이 최대가 되는 폴링의 온도 범위가 상이한 이유를 바인더의 유전율만으로 설명하기는 곤란하다.
한편, 도 9 는 각종 바인더에 있어서의 침입 (針入) 깊이의 온도 의존성을 나타낸 것이다. 도 9 에 있어서, 실선은 시아노에틸화 PVA 를 나타내고, 점선은 시아노에틸화풀루란을 나타내고 있다. 도 9 를 보면, 시아노에틸화 PVA 의 연화점은 30 ℃ ∼ 40 ℃ 부근, 시아노에틸화풀루란의 연화점은 100 ℃ ∼ 120 ℃ 부근인 것을 알 수 있다. 그리고, 이들 각종 바인더의 연화점이 상기 서술한 폴링 온도와 d33 의 관계 (도 6, 도 7) 에 있어서의 d33 이 상승하기 시작하는 온도와 일치하고 있는 것은 분명하다. 즉, 바인더에 시아노에틸화 PVA 를 사용한 경우와 시아노에틸화풀루란을 사용한 경우에서 d33 이 최대가 되는 폴링의 온도 범위가 상이한 것은 바인더의 경도의 차이에서 기인하는 것으로, 시료를 가열하여 바인더를 부드럽게 함으로써 폴링에 필요한 전계 강도를 낮출 수 있을 것으로 생각된다.
그런데, 압전 세라믹스를 폴링하는 물리적 의미는, 바로 각 결정 입자 내의 180 °도메인 벽을 움직임으로써 분극 방향을 가지런히 하는 것이다. 단, 본 실시예의 고분자 복합 압전체와 같이 고분자 매트릭스 중에 분산된 압전 세라믹스의 경우, 대부분의 180 °도메인 벽은 바인더에 구속된 상태이기 때문에, 180 ° 도메인 벽을 움직이려면 그 구속을 극복해야 한다. 또, 180 °도메인 벽의 이동에 수반하여 비 (非) 180 °도메인 벽이 이동하는 경우도 알려져 있다. 이 경우, 세라믹스 입자는 큰 변형을 수반하기 때문에, 역시 바인더로부터의 저항을 극복해야 한다. 즉, 고분자 복합 압전체에 있어서의 180 °및 비 180 °도메인 벽을 이동시키는 데에 필요한 에너지는 바인더로부터의 구속력에 강하게 영향을 받는 것이므로, 시료를 바인더의 연화점 이상으로 가열함으로써 압전체 입자에 대한 기계적 구속을 저감시키는 것이 폴링에 필요한 전계 강도를 낮추는 데에 있어서 매우 유효할 것으로 생각된다.
이상과 같이, 본 발명자들은, 고분자 매트릭스와 압전 세라믹스로 이루어지는 고분자 복합 압전체에 있어서의 폴링 조건을 상세하게 조사한 결과, 폴링 온도를 고분자 바인더의 연화 온도 이상으로 하는 것이 폴링에 필요한 전계 강도를 낮추는 데에 있어서 매우 유효하다는 것을 알아냈다. 이것은, 압전 세라믹스의 결정 대칭성을 높임으로써 폴링에 필요한 전계 강도를 낮추고자 하는 종래의 어프로치와는 상이한 것이다. 그리고, 유전성 바인더 중에서도 특히 연화 온도가 낮은 시아노에틸화 PVA 를 사용함으로써, 비교적 낮은 가열 온도에서 리크 전류의 증대를 초래하지 않고 압전체 입자에 대한 기계적 구속을 저감시키는 것이 가능해진다. 이로써, 폴링에 필요한 전계 강도가 대폭 낮아져, 복합체에 두께 불균일 또는 압전체 입자의 입자 분산의 불균일성에 의해 발생하는 내압이 낮은 지점이 있어도 절연 파괴를 억제하는 것이 가능해졌다. 또한, 이종 재료와의 밀착성이 우수한 시아노에틸화 PVA 를 바인더로서 사용함으로써, 캐스트 후의 건조 공정시의 크랙이나 박리 등의 트러블을 억제하는 것도 가능해졌다. 즉, 시아노에틸화 PVA 를 고분자 매트릭스에 사용함으로써, 대면적에서도 절연 파괴나 박리되지 않고 높은 제조 수율을 실현할 수 있는 고분자 복합 압전체의 제조 방법 및 고분자 복합 압전체를 얻을 수 있다.
10 : 고분자 복합 압전체
12 : 고분자 매트릭스
14 : 압전체 입자
16 : 복합체
20 : 하부 전극
22 : 상부 전극
24 : 전원

Claims (17)

  1. 삭제
  2. 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 고분자 매트릭스 중에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 복합체가 분극 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 복합 압전체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자 매트릭스는, 시아노에틸화폴리비닐알코올에 대하여 유전성 바인더가 첨가된 것인, 고분자 복합 압전체.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자 매트릭스는, 시아노에틸화폴리비닐알코올에 대하여 고유전성 혹은 강유전성 폴리머인 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체 및 폴리불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체의 불소계 고분자, 또는 시안화비닐리덴-아세트산비닐 공중합체, 시아노에틸셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시사카로오스, 시아노에틸하이드록시셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시풀루란, 시아노에틸메타크릴레이트, 시아노에틸아크릴레이트, 시아노에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 시아노에틸아밀로오스, 시아노에틸하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸디하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시프로필아밀로오스, 시아노에틸폴리아크릴아미드, 시아노에틸폴리아크릴레이트, 시아노에틸풀루란, 시아노에틸폴리하이드록시메틸렌, 시아노에틸글리시돌풀루란, 시아노에틸사카로오스 및 시아노에틸소르비톨의 시아노기 혹은 시아노에틸기를 갖는 폴리머, 또는 니트릴 고무 및 클로로프렌 고무의 합성 고무 중 적어도 1 개가 첨가된 것인, 고분자 복합 압전체.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 압전체 입자는, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 세라믹스 입자로 이루어지는, 고분자 복합 압전체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 세라믹스 입자는, 티탄산지르콘산납, 티탄산지르콘산란탄산납, 티탄산바륨, 또는 티탄산바륨과 비스무트페라이트의 고용체에 의해 구성되는, 고분자 복합 압전체.
  7. 지지 기판 상에 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 고분자 매트릭스 중에 압전체 입자가 균일하게 분산 혼합된 복합체를 형성하는 공정과,
    상기 복합체에 분극 처리를 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복합체를 형성하는 공정은, 상기 시아노에틸화폴리비닐알코올로 이루어지는 유전성 바인더를 용해시킨 유기 용매 중에 상기 압전체 입자를 분산시킴으로써 얻은 압전체 입자 함유 도포액을 상기 지지 기판 상에 캐스팅한 후, 상기 유기 용매를 증발시킴으로써 피막 형성시키는 공정을 갖는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 분극 처리를 실시하는 공정은, 상기 복합체에 있어서 상기 지지 기판과 접하는 면과 대향하는 표면에 상부 전극을 형성하고, 추가로 상기 복합체를 소정의 온도로 가열하고, 상기 지지 기판과 상기 상부 전극 사이에 직류 전계를 소정 시간 인가하는 것인, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  10. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 분극 처리를 실시하는 공정은, 상기 복합체를 소정의 온도로 가열 유지한 상태에서, 상기 지지 기판과, 상기 복합체에 있어서 상기 지지 기판과 접하는 면과 대향하는 표면과 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 복합체의 표면을 따라 이동 가능한 봉상 혹은 와이어상의 코로나 전극 사이에 소정의 직류 전계를 인가하여 코로나 방전을 발생시키면서, 상기 코로나 전극을 상기 복합체의 표면을 따라 상대적으로 이동시키는 공정을 구비하는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  11. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 압전체 입자는, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 세라믹스 입자로 이루어지는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 유전성 바인더는, 시아노에틸화폴리비닐알코올에 대하여 고유전성 혹은 강유전성 폴리머인 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴-트리플루오로에틸렌 공중합체 및 폴리불화비닐리덴-테트라플루오로에틸렌 공중합체의 불소계 고분자, 또는 시안화비닐리덴-아세트산비닐 공중합체, 시아노에틸셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시사카로오스, 시아노에틸하이드록시셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시풀루란, 시아노에틸메타크릴레이트, 시아노에틸아크릴레이트, 시아노에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 시아노에틸아밀로오스, 시아노에틸하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸디하이드록시프로필셀룰로오스, 시아노에틸하이드록시프로필아밀로오스, 시아노에틸폴리아크릴아미드, 시아노에틸폴리아크릴레이트, 시아노에틸풀루란, 시아노에틸폴리하이드록시메틸렌, 시아노에틸글리시돌풀루란, 시아노에틸사카로오스 및 시아노에틸소르비톨의 시아노기 혹은 시아노에틸기를 갖는 폴리머, 또는 니트릴 고무 및 클로로프렌 고무의 합성 고무 중 적어도 1 개가 첨가되어 있는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 분극 처리를 실시하는 공정에 있어서의 상기 복합체의 가열 온도는 60 ℃ ∼ 120 ℃ 인, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  14. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 지지 기판은, 고분자 필름에 금속막 혹은 금속박이 부여된 것인, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  15. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 유기 고분자와 도전성 입자로 이루어지는 복합물로 구성되는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 유기 고분자에는, 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머 및 가황 고무 중 적어도 1 종이 사용되는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 도전성 입자에는, C, Pd, Fe, Sn, Al, Ni, Pt, Au, Ag, Cu, Cr, Mo 또는 이들의 합금이 사용되는, 고분자 복합 압전체의 제조 방법.
KR1020137015459A 2010-12-17 2011-11-30 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법 KR101694579B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-282068 2010-12-17
JP2010282068 2010-12-17
JP2011153022A JP5588934B2 (ja) 2010-12-17 2011-07-11 高分子複合圧電体およびその製造方法
JPJP-P-2011-153022 2011-07-11
PCT/JP2011/077678 WO2012081403A1 (ja) 2010-12-17 2011-11-30 高分子複合圧電体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140009253A KR20140009253A (ko) 2014-01-22
KR101694579B1 true KR101694579B1 (ko) 2017-01-09

Family

ID=46244512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137015459A KR101694579B1 (ko) 2010-12-17 2011-11-30 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8771541B2 (ko)
EP (1) EP2654094B1 (ko)
JP (1) JP5588934B2 (ko)
KR (1) KR101694579B1 (ko)
CN (1) CN103262275B (ko)
WO (1) WO2012081403A1 (ko)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5599856B2 (ja) * 2011-09-30 2014-10-01 富士フイルム株式会社 電気音響変換器および表示デバイス
JP6061374B2 (ja) * 2012-08-02 2017-01-18 アルプス電気株式会社 圧電素子の製造方法
TWI484675B (zh) * 2012-12-20 2015-05-11 Nat Univ Tsing Hua 具有複合式奈米結構的壓電薄膜及具有其的觸控感測裝置
JP6221270B2 (ja) * 2013-03-11 2017-11-01 株式会社リコー 電気−機械変換素子の製造装置、電気−機械変換素子の製造方法
JP6132190B2 (ja) * 2013-03-15 2017-05-24 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド、液体吐出装置、画像形成装置、電気機械変換素子の分極処理方法、及び、液滴吐出ヘッドの製造方法
JP6344634B2 (ja) * 2013-03-15 2018-06-20 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、画像形成装置、電気機械変換素子の分極処理方法、及び、液滴吐出ヘッドの製造方法
JP5993772B2 (ja) * 2013-03-28 2016-09-14 富士フイルム株式会社 電気音響変換フィルム、フレキシブルディスプレイ、声帯マイクロフォンおよび楽器用センサー
JP6005093B2 (ja) * 2013-03-28 2016-10-12 富士フイルム株式会社 電気音響変換フィルム、電気音響変換器、フレキシブルディスプレイおよびプロジェクター用スクリーン
WO2014157684A1 (ja) 2013-03-29 2014-10-02 富士フイルム株式会社 スピーカシステム
JP6005089B2 (ja) 2013-03-29 2016-10-12 富士フイルム株式会社 電気音響変換フィルム
JP6071932B2 (ja) * 2013-04-01 2017-02-01 富士フイルム株式会社 電気音響変換フィルム
KR101442632B1 (ko) * 2013-04-03 2014-09-22 한국세라믹기술원 압전 복합 필름 및 이를 포함하는 압전 장치
KR101465346B1 (ko) * 2013-06-27 2014-11-25 성균관대학교산학협력단 압전물질 및 중합체가 혼합된 복합체를 포함한 압전 에너지 발전 소자
JP6099096B2 (ja) * 2013-09-04 2017-03-22 アルプス電気株式会社 複合圧電素子
JP6255827B2 (ja) * 2013-09-17 2018-01-10 株式会社リコー 電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置
KR101994736B1 (ko) 2014-07-16 2019-07-01 삼성전기주식회사 정전기 보호용 페이스트 및 이의 제조방법
KR101577961B1 (ko) * 2014-10-16 2015-12-16 한국세라믹기술원 압전 파이버 컴포지트 구조체
JP6275018B2 (ja) * 2014-11-25 2018-02-07 公益財団法人鉄道総合技術研究所 圧電材とその製造方法、接触検出装置、荷重検出装置及び異常状態検出装置
TWI572262B (zh) * 2014-12-16 2017-02-21 國立清華大學 壓電換能器之製造方法
CN104638103A (zh) * 2015-02-04 2015-05-20 兰州大学 一种可发电的透明薄膜及制备方法
JPWO2016136591A1 (ja) 2015-02-27 2017-11-24 富士フイルム株式会社 電気音響変換器、および、電気音響変換システム
JP6297204B2 (ja) * 2015-03-12 2018-03-20 富士フイルム株式会社 高分子複合圧電体、電気音響変換フィルムおよび電気音響変換器
KR101682912B1 (ko) * 2015-04-10 2016-12-06 한국세라믹기술원 잉크젯 프린팅법을 이용한 플렉서블 압전 소자 제조 방법
JP6993555B2 (ja) * 2015-05-22 2022-01-13 ダイキン工業株式会社 有機圧電フィルム
DE112016004292B4 (de) 2015-10-21 2019-03-07 Fujifilm Corporation Video-Audio-System
KR102339058B1 (ko) 2016-03-11 2021-12-16 한국전자통신연구원 유연 압전 콤포지트 및 이를 포함하는 압전 장치
JP6873156B2 (ja) 2016-04-26 2021-05-19 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 接触する超音波装置
WO2017221892A1 (ja) 2016-06-23 2017-12-28 日本化学工業株式会社 圧電体材料用フィラー、複合圧電体材料及び複合圧電体素子、複合圧電体材料用フィラー及びニオブ酸アルカリ化合物の製造方法
FR3060857A1 (fr) * 2016-12-20 2018-06-22 Compagnie Generale Des Etablissements Michelin Composites piezoelectriques en matrice souple
TWI765953B (zh) * 2017-01-17 2022-06-01 學校法人 關西大學 新穎的鐵電體材料及聚合物作為有機鐵電體材料的用途
CN106893236A (zh) * 2017-03-01 2017-06-27 东北大学秦皇岛分校 一种铁酸铋有机-无机复合材料及其制备方法
US10636959B2 (en) * 2017-03-31 2020-04-28 General Electric Company Insitu corona poling of piezoelectric ceramics
CN111433003A (zh) * 2017-11-17 2020-07-17 惠普发展公司,有限责任合伙企业 三维打印
WO2019135911A1 (en) * 2018-01-08 2019-07-11 Applied Materials, Inc. Piezoelectric materials and devices and methods for preparing the same
US20210028347A1 (en) * 2018-03-20 2021-01-28 Sabic Global Technologies B.V. Flexible and low cost piezoelectric composites with high d33 values
CN108504012B (zh) * 2018-04-11 2020-06-30 中国科学院福建物质结构研究所 一种聚电解质复合介电层材料及其制备的有机薄膜晶体管
FR3083005B1 (fr) 2018-06-21 2020-11-20 Michelin & Cie Dispositif en matrice elastomere comprenant des charges piezoelectriques et des electrodes
FR3082781B1 (fr) * 2018-06-21 2022-12-02 Michelin & Cie Pneumatique comprenant un composite piezoelectrique
CN113169268A (zh) * 2018-11-28 2021-07-23 大阪有机化学工业株式会社 压电材料和压电材料用组合物
CN110320519A (zh) * 2019-06-09 2019-10-11 重庆工商大学融智学院 一种空间数据的表达与快速显示方法
CN111048852A (zh) * 2019-12-13 2020-04-21 深圳先进技术研究院 一种锂离子电池超声导波监测装置及方法
FR3105590B1 (fr) 2019-12-23 2022-12-23 Michelin & Cie Materiaux composites piezoelectriques ayant des proprietes piezoelectriques ameliorees
FR3105589B1 (fr) 2019-12-23 2022-12-30 Michelin & Cie Dispositif piezoelectrique ayant des proprietes piezoelectriques ameliorees
CN111245081B (zh) * 2020-01-21 2023-06-20 电子科技大学 自供能汽车尾气传感器与方法
TWI751524B (zh) * 2020-04-10 2022-01-01 馗鼎奈米科技股份有限公司 壓電薄膜之電極化方法
CN111662469B (zh) * 2020-04-23 2023-04-07 湖北大学 一种铁酸铋/聚偏二氟乙烯-三氟乙烯多层复合薄膜及其制备方法
CN112708228B (zh) * 2020-12-04 2022-09-27 南昌航空大学 一种高储能性能陶瓷/聚合物介电复合材料及其制备方法
US20220231218A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Wafer-Scale Piezoelectric Bio-Organic Thin Films
FR3128606A1 (fr) * 2021-10-22 2023-04-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif piezoelectrique a faible tension de polarisation
WO2024004695A1 (ja) * 2022-06-30 2024-01-04 富士フイルム株式会社 重合体、組成物、複合圧電体、圧電フィルム、圧電素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7119406B2 (ja) 2018-02-13 2022-08-17 大日本印刷株式会社 伸縮性配線基板およびその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07119406B2 (ja) * 1989-07-04 1995-12-20 日亜化学工業株式会社 Elランプ
JPH05315072A (ja) * 1992-05-11 1993-11-26 Nichia Chem Ind Ltd El素子
JPH06267656A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Fuji Electric Co Ltd 電場発光素子
JP3252010B2 (ja) * 1993-04-05 2002-01-28 三菱化学株式会社 高分子複合圧電体の製造方法
JP4572522B2 (ja) * 2003-07-31 2010-11-04 Dic株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物、及びノボラック樹脂
JP2007157413A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Forestry & Forest Products Research Institute 良好な高誘電性、焦電性、圧電性を有する電子部品材料
KR100903502B1 (ko) * 2006-07-19 2009-06-17 주식회사 엘지화학 유/무기 복합체가 도입된 전극 및 상기 전극을 포함하는 전기화학소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7119406B2 (ja) 2018-02-13 2022-08-17 大日本印刷株式会社 伸縮性配線基板およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2654094B1 (en) 2020-07-29
EP2654094A1 (en) 2013-10-23
EP2654094A4 (en) 2017-05-03
CN103262275B (zh) 2015-12-02
KR20140009253A (ko) 2014-01-22
WO2012081403A1 (ja) 2012-06-21
US20130256581A1 (en) 2013-10-03
CN103262275A (zh) 2013-08-21
JP5588934B2 (ja) 2014-09-10
US8771541B2 (en) 2014-07-08
JP2012142546A (ja) 2012-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101694579B1 (ko) 고분자 복합 압전체 및 그 제조 방법
US11171281B2 (en) Piezoelectric nanoparticle-polymer composite structure
Gerhard-Multhaupt et al. Porous PTFE space-charge electrets for piezoelectric applications
WO2013008781A1 (ja) 圧電素子
JP6018108B2 (ja) 高分子複合圧電体
JP5859370B2 (ja) エネルギ変換素子およびその製造方法
Waller et al. Poling of lead zirconate titanate ceramics and flexible piezoelectric composites by the corona discharge technique
KR100707949B1 (ko) O-3형 압전 복합체를 이용한 필름스피커 및 그 제조 방법
EP2507848A1 (de) Piezoelektrisches polymerfilmelement, insbesondere polymerfolie, und verfahren zu dessen herstellung
Marandi et al. Additive manufacturing of single-And double-layer piezoelectric PVDF-TrFE copolymer sensors
Waller et al. Corona poling of PZT ceramics and flexible piezoelectric composites
JP2021132496A (ja) アクチュエータ
CN116114401A (zh) 压电复合材料及方法
EP2380220B1 (en) Electromechanical materials and devices including the same
Du et al. The influence of processing parameters on piezoelectric and dielectric properties of dome-shaped composite PZT-epoxy actuators
EP4093050A1 (en) Polymer composite piezoelectric film
JP5844741B2 (ja) 静電誘導型機械電気変換素子
KR102610162B1 (ko) 압전물질 복합체, 이의 필름과 제조방법, 및 이 필름을 이용한 센서
WO2023277118A1 (ja) 発電用複合材料および発電用複合材料の製造方法
KR101451152B1 (ko) 센서용 압전 세라믹 조성물
CN114730828A (zh) 高分子复合压电体及复合体用原料粒子的制造方法
Gowdhaman et al. Preparation and investigation of PZT-PVDF composites of 0-3 connectivity for pressure sensor applications
Tandon Dielectric and Piezoelectric Properties of a Flexible Polymer-Ceramic Composite Based on Polyvinylidene Fluoride and Barium Titanate
EP3718151A1 (en) Apparatus, system and method for manufacturing piezoelectronics
JPH0462984A (ja) 樹脂系圧電素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 4