KR100991164B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100991164B1
KR100991164B1 KR1020087012912A KR20087012912A KR100991164B1 KR 100991164 B1 KR100991164 B1 KR 100991164B1 KR 1020087012912 A KR1020087012912 A KR 1020087012912A KR 20087012912 A KR20087012912 A KR 20087012912A KR 100991164 B1 KR100991164 B1 KR 100991164B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
top plate
center
electric field
planar antenna
antenna member
Prior art date
Application number
KR1020087012912A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080072881A (ko
Inventor
차이쫑 티엔
테츠야 니시즈카
토시히사 노자와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20080072881A publication Critical patent/KR20080072881A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100991164B1 publication Critical patent/KR100991164B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D17/00—Radial-flow pumps, e.g. centrifugal pumps; Helico-centrifugal pumps
    • F04D17/08—Centrifugal pumps
    • F04D17/16—Centrifugal pumps for displacing without appreciable compression
    • F04D17/168—Pumps specially adapted to produce a vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 천장부가 개구되어 내부가 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와, 피처리체를 재치하기 위해 상기 처리 용기 내에 설치된 재치대와, 상기 천장부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과, 상기 천판의 상면에 설치되어 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하기 위한 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재의 중심부에 접속된 중심 도체를 갖는 마이크로파 공급을 위한 동축 도파관을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 중심 도체와 상기 평면 안테나 부재의 중심부와 상기 천판의 중심부를 관통하도록 가스 통로가 형성되어 있고, 상기 천판의 중심 영역의 상면측에, 해당 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

Description

플라즈마 처리 장치 {PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해서, 마이크로파에 의해 발생되는 플라즈마를 작용시켜 처리를 실시할 때에 사용되는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 제품의 고밀도화 및 고미세화에 따라, 반도체 제품의 제조 공정에 있어서 성막, 에칭, 애싱 등의 처리를 위해 플라즈마 처리 장치가 사용되고 있다. 특히, 0.1 mTorr(13.3 mPa) ~ 수 10 mTorr(수 Pa) 정도의 비교적 압력이 낮은 고(高)진공 상태에서도 안정되게 플라즈마를 발생시킬 수 있다는 점으로부터, 마이크로파를 이용하여 고밀도 플라즈마를 발생시키는 마이크로파 플라즈마 장치가 사용되는 경향이 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치는, 일본 특허 공개 평3-191073호 공보, 일본 특허 공개 평5-343334호 공보, 일본 특허 공개 평9-181052호 공보, 일본 특허 공개 2003-332326호 공보 등에 개시되어 있다. 여기서, 마이크로파를 이용한 일반적인 마이크로파 플라즈마 처리 장치를, 도 8을 참조하여 개략적으로 설명한다. 도 8은, 종래의 일반적인 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 도시한 개략적인 구성도이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 이 플라즈마 처리 장치(202)는, 진공 배기가 가능하도록 이루어진 처리 용기(204)와, 처리 용기(204) 내에 설치된 반도체 웨이퍼(W) 를 재치하는 재치대(206)를 구비하고 있다. 재치대(206)에 대향하는 천장부에는, 마이크로파를 투과하는 원판 형상의 질화 알루미늄 또는 석영 등으로 이루어진 천판(208)이 기밀하게 설치되어 있다. 그리고, 처리 용기(204)의 측벽에는 처리 용기(204) 내로 소정의 가스를 도입하기 위한 가스 노즐(209)이 설치되어 있다.
천판(208)의 상면 내지 상방에는, 두께 수 mm 정도의 원판 형상의 평면 안테나 부재(210)가 설치되어 있다. 평면 안테나 부재(210)의 반경 방향에서의 마이크로파의 파장을 단축시키기 위해, 예를 들면 유전체로 이루어진 지파재(212)가 평면 안테나 부재(210)의 상면 내지 상방에 설치되어 있다.
평면 안테나 부재(210)에는 다수의, 예를 들면 긴 홈 형상의 관통 홀로 이루어진 마이크로파 방사 홀(214)이 형성되어 있다. 이 마이크로파 방사 홀(214)은, 일반적으로는 동심원 형상으로 배치되거나, 또는 나선 형상으로 배치되어 있다. 또한, 평면 안테나 부재(210)의 중심부에는 동축 도파관(216)의 중심 도체(218)가 접속되어, 마이크로파 발생기(220)에 의해 발생된, 예를 들면 2.45 GHz의 마이크로파가 모드 변환기(222)에 의해 소정의 진동 모드로 변환된 후에 유도되도록 되어 있다. 이에 의해, 마이크로파는 안테나 부재(210)의 반경 방향으로 방사 형상으로 전파되면서 평면 안테나 부재(210)에 설치된 마이크로파 방사 홀(214)로부터 방출되고, 천판(208)을 투과하여 처리 용기(204)의 내부로 도입된다. 이 마이크로파에 의해 처리 용기(204) 내의 처리 공간(S)에 플라즈마가 발생되어, 재치대(206) 상의 반도체 웨이퍼(W)에 에칭 또는 성막 등의 소정의 플라즈마 처리가 실시될 수 있다.
그런데, 상기 플라즈마 처리가 실시될 경우에는, 웨이퍼면 내에 균일하게 처 리가 실시될 필요가 있다. 그러나, 플라즈마 처리에 필요한 처리 가스는 처리 용기(204)의 측벽에 설치된 가스 노즐(209)로부터 공급된다. 따라서, 가스 노즐(209)의 출구 근방의 영역과 웨이퍼(W)의 중심 영역에서는, 확산되는 처리 가스가 플라즈마에 노출되는 시간이 상이해지므로, 가스의 해리도가 상이하게 된다. 이 점에 기인하여, 웨이퍼면 내에서의 플라즈마 처리(구체적으로는, 에칭 레이트 또는 성막 시의 막 두께)가 면 내 불균일한 상태가 된다. 이 현상은, 특히 웨이퍼 사이즈가, 예를 들면 8 에서 12 인치로 커짐에 따라 특히 현저하게 나타나는 경향이 있다.
이 점에 대하여, 예를 들면 일본 특허 공개 2003-332326호 공보에는, 동축 도파관(216)의 중심을 통과하는 봉 형상의 중심 도체(218)를 속이 빈 공동(空洞) 상태로 하여 그 내부에 가스 유로(流路)를 설치하고, 또한 천판(208)을 관통하는 가스 유로를 설치하여, 이들 양 가스 유로를 연통(접속)하는 것이 기재되어 있다. 이 경우, 처리 가스는 처리 공간(S)의 중심부로 직접적으로 도입된다.
그러나, 이 경우, 천판(208)의 중앙부에 형성된 가스 유로의 내부에서의 전계 강도가 어느 정도 증가되므로, 처리 가스의 출구 근방의 가스 유로 내에서 플라즈마 이상 방전이 발생되는 경우가 있다. 이러한 플라즈마 이상 방전은 천판(208)의 중앙부를 과도하게 가열하여 천판(208)을 파손시킬 우려가 있다.
또한, 이 경우, 천판(208) 자체에, 그 주변부로부터 그 중심부까지 연장되는 가스 유로를 형성하는 것도 생각할 수 있다. 그러나 이 경우에도, 가스 유로 내의 전계 강도가 증가하게 되므로, 상술한 플라즈마 이상 방전이 발생될 우려가 있다.
본건 발명자 등은, 플라즈마 처리 장치에서의 천판 중의 전계 분포에 대하여 집중 연구하였다. 그 결과, 천판의 중앙부 상면에 소정의 치수 형상의 오목부를 설치함으로써, 해당 오목부에서의 전계 강도를 감쇠시켜 저감시킬 수 있다는 점을 발견하여 본 발명을 도출하는데에 이르렀다.
본 발명은, 이상의 내용과 같은 문제점에 착안하여, 이를 효과적으로 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠 또는 저감시켜, 가스 통로 내에 플라즈마 이상 방전이 발생되는 것을 억제할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 천장부가 개구되어 내부가 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와, 피처리체를 재치하기 위해 상기 처리 용기 내에 설치된 재치대와, 상기 천장부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과, 상기 천판의 상면에 설치되어 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하기 위한 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재의 중심부에 접속된 중심 도체를 갖는 마이크로파 공급을 위한 동축 도파관을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 중심 도체와 상기 평면 안테나 부재의 중심부와 상기 천판의 중심부를 관통하도록 가스 통로가 형성되어 있고, 상기 천판의 중심 영역의 상면측에, 해당 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.
본 발명에 의하면, 천판의 중심 영역의 상면측에 가스 통로가 형성된 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있으므로, 가스 통로 내에서 플라즈마 이상 방전이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 플라즈마 이상 방전을 억제할 수 있으므로, 천판이 부분적으로 과도하게 과열되지 않고, 천판이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한 천판의 중심부로부터 가스가 공급되므로, 처리 공간에서 가스가 플라즈마에 노출되는 시간을 평균화할 수 있고, 그 결과, 가스의 해리 상태를 균일화할 수 있다.
예를 들면, 상기 천판의 중심부의 전계 강도는 실질적으로 제로가 될 때까지 감쇠된다.
또한, 바람직하게는, 상기 평면 안테나 부재의 상면측에 상기 마이크로파의 파장을 단축시키기 위한 판 형상의 지파재(遲波材)가 설치된다.
또한, 예를 들면, 상기 전계 감쇠용 오목부는 원통형으로 형성되어 있고, 해당 전계 감쇠용 오목부의 직경(D1)은 상기 마이크로파의 상기 지파재 중의 파장(λ)의 1/2의 정수배이고, 또한, 상기 전계 감쇠용 오목부의 깊이(H1)는 상기 파장(λ)의 1/4의 홀수배이다.
또한, 바람직하게는, 상기 가스 통로의 가스 출구측에, 상기 처리 용기 내로 가스를 확산시키기 위한 다공질 부재가 장착된다. 이 경우, 처리 용기 내로 가스를 확산시켜 도입할 수 있다. 또한, 처리 용기 내의 플라즈마가 가스 통로 내로 회전하며 들어가는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 예를 들면, 상기 중심 도체의 선단부(先端部)가 상기 평면 안테나 부재의 중심부를 관통하여 상기 천판의 상면까지 연장되어 있고, 상기 중심 도체의 선단부와 상기 천판의 상면의 사이에 씰 부재가 개재되어 설치되어 있다.
또한, 예를 들면, 상기 마이크로파의 주파수는 2.45 GHz이며, 상기 가스 통로의 직경은 적어도 16 mm이다.
또한, 바람직하게는, 상기 처리 용기의 측벽을 관통하여 설치된 가스 도입 노즐을 갖는 보조 가스 도입 수단이 설치된다. 이 경우, 보조 가스 도입 수단을 이용함으로써, 처리 공간에서의 가스의 해리 상태를 한층 균일화시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 2는, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 평면 안테나 부재를 도시한 평면도이다.
도 3은, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 전계 감쇠용 오목부를 도시한 평면도이다.
도 4는, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 전계 감쇠용 오목부를 도시한 부분 확대 단면도이다.
도 5는, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 동축 도파관을 도시한 확대 단면도이다.
도 6은, 도 5의 A - A선 단면도이다.
도 7A는, 종래의 천판에 대한 마이크로파의 전계 분포의 상태를 도시한 사진이다.
도 7B는, 본 발명의 일 실시예에 따른 천판에 대한 마이크로파의 전계 분포 의 상태를 도시한 사진이다.
도 8은, 종래의 일반적인 플라즈마 처리 장치를 도시한 개략적인 구성도이다.
이하에, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 실시예를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 구성도이다. 도 2는, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 평면 안테나 부재를 도시한 평면도이다. 도 3은, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 전계 감쇠용 오목부를 도시한 평면도이다. 도 4는, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 전계 감쇠용 오목부를 도시한 부분 확대 단면도이다. 도 5는, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 동축 도파관을 도시한 확대 단면도이다. 도 6은, 도 5의 A - A선 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 플라즈마 처리 장치(플라즈마 에칭장치)(32)는, 전체가 통(筒體) 형상으로 성형된 처리 용기(34)를 갖추고 있다. 처리 용기(34)의 측벽 또는 저부는 알루미늄 등의 도체로 구성되어 접지되어 있다. 처리 용기(34)의 내부는 밀폐된 처리 공간(S)으로서 구성되고, 이 처리 공간(S) 내에 플라즈마가 형성되어 있다.
처리 용기(34) 내에는, 상면에 피처리체로서의 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)를 재치하는 재치대(36)가 수용되어 있다. 재치대(36)는, 예를 들면 알루마이트 처리된 알루미늄 등으로 이루어진 평탄한 원판 형상으로 형성되어 있다. 재치대(36) 는 처리 용기(34)의 저부로부터 기립하는, 예를 들면 절연성 재료로 이루어진 지지 기둥(38)에 지지되어 있다.
재치대(36)의 상면에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 정전 척 또는 클램프 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 재치대(36)는, 예를 들면 13.56 MHz의 바이어스용 고주파 전원에 접속될 수 있다. 또한, 필요에 따라 재치대(36)의 내부에는 가열용 히터가 설치될 수 있다.
처리 용기(34)의 측벽에는, 보조 가스 도입 수단(40)으로서, 처리 용기(34)내로 소정의 가스를 도입하기 위한 석영 파이프제의 가스 도입 노즐(40A)이 설치되어 있다. 이 각 노즐(40A)로부터, 필요에 따라 가스가 유량 제어되면서 공급될 수 있도록 이루어져 있다. 보조 가스 도입 수단(40)은 필요에 따라 설치된다. 복수의 노즐에 의해 복수 종류의 가스를 도입할 수 있도록 해도 좋다.
또한, 처리 용기(34)의 측벽에는, 처리 용기(34)의 내부에 대해 웨이퍼를 반입 및 반출하기 위해 개폐되는 게이트 밸브(42)가 설치되어 있다. 또한, 처리 용기(34)의 저부에는 배기구(44)가 설치되어 있다. 배기구(44)에는 도시하지 않은 진공 펌프가 개재되어 접속된 배기로(46)가 접속되어 있다. 이에 의해, 필요에 따라 처리 용기(34) 내를 소정의 압력까지 진공 배기할 수 있도록 되어 있다.
또한, 처리 용기(34)의 천장부는 개구되어 있다(개구부를 갖추고 있다). 여기서, 마이크로파에 대해서는 투과성을 갖는 천판(48)이 O링 등의 씰 부재(50)를 개재하여 기밀하게 설치되어 있다. 천판(48)은, 예를 들면 석영 또는 세라믹재 등으로 이루어진다. 천판(48)의 두께는 내압성을 고려하여, 예를 들면 20 mm 정도로 설정된다.
그리고, 천판(48)의 중앙부(중심 영역)의 상면측에, 원통형으로 오목하게 파여 이루어진 본 발명의 특징인 전계 감쇠용 오목부(52)가 형성되어 있다. 이 전계 감쇠용 오목부(52)의 구조의 상세에 대하여 후술한다. 또한, 원판 형상의 평면 안테나 부재(54)가 천판(48)의 상면에 접하여 설치되어 있다.
평면 안테나 부재(54)는, 8 인치 사이즈의 웨이퍼에 대응하는 경우에는, 예를 들면 직경이 300 ~ 400 mm, 두께가 1 ~ 수 mm 정도의 전도성 재료로 구성된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 표면이 은 도금된 동판 또는 알루미늄판으로 구성될 수 있다. 평면 안테나 부재(54)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 예를 들면 긴 홈 형상의 관통 홀로 이루어진 다수의 마이크로파 방사 홀(56)이 형성되어 있다. 마이크로파 방사 홀(56)의 배치 형태는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 동심원 형상, 나선 형상, 방사 형상 등으로 배치될 수 있다. 또는, 평면 안테나 부재 전면(全面)에 균일하게 되도록 분포될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시한 예에서는, 2 개의 마이크로파 방사 홀(56)을 약간 사이를 띄워 T 자형으로 배치하여 이루어지는 쌍을 중심부측에서 6 쌍 배치하고, 주변부측에서 24 쌍 배치함으로써, 전체적으로는 2 개의 동심원 형상의 배치를 실현하고 있다.
평면 안테나 부재(54)의 중심부에는 소정의 크기의 관통 홀(58)이 형성되어 있다. 후술하는 바와 같이, 이 관통 홀(58)을 거쳐 가스가 공급되도록 되어 있다.
도 1로 되돌아 와서, 평면 안테나 부재(54)에는 마이크로파 공급 수단(60)이 접속되어 있다. 평면 안테나 부재(54)는, 마이크로파 공급 수단(60)에 의해 공급되 는 마이크로파를 처리 공간(S)으로 도입하도록 되어 있다. 마이크로파 공급 수단(60)은 동축 도파관(62)을 갖추고 있다.
또한, 평면 안테나 부재(54)의 상면측에는, 고유전율 특성을 갖는 판 형상의 지파재(64)가 설치되어 있다. 지파재(64)는 전파(傳播)되는 마이크로파의 파장을 단축하도록 되어 있다. 지파재(64)로서는, 예를 들면 석영 또는 질화 알루미늄 등을 이용할 수 있다.
지파재(64)의 상방 및 측방의 대략 전면(全面)은, 전도성의 속이 빈 원통 형상의 용기로 이루어진 도파함(66)에 의하여 덮혀져 있다. 평면 안테나 부재(54)는 도파함(66)의 저판(底板)으로서 구성되어 재치대(36)에 대향하고 있다.
도파함(66) 및 평면 안테나 부재(54)의 주변부는 모두 처리 용기(34)와 도통되어 접지되어 있다. 도파함(66)의 상면에 동축 도파관(62)의 외측 도체(70)가 접속되어 있다. 동축 도파관(62)은, 중심 도체(68)와 이 중심 도체(68)의 주위를 소정 간격씩 이격시켜 동축 형상으로 둘러싸도록 설치된, 예를 들면 단면이 원형인 통 형상의 외측 도체(70)로 이루어져 있다. 이들 중심 도체(68) 및 외측 도체(70)는, 예를 들면 스테인레스 스틸 또는 구리 등의 도체로 이루어진다. 도파함(66)의 상부의 중심에 동축 도파관(62)의 통 형상의 외측 도체(70)가 접속되고, 내부의 중심 도체(68)는 지파재(64)의 중심에 형성된 홀(72)을 통하여 평면 안테나 부재(54)의 중심부에 용접 등에 의해 접속되어 있다. 용접 등에 의해 접속부(74)가 형성되어 있다.
중심 도체(68)는, 또한 평면 안테나 부재(54)의 관통 홀(58)(도 4 참조)을 통과하여 하방으로 연장되어, 천판(48)의 상면측에 설치된 전계 감쇠용 오목부(52) 내에 도달하고, 중심 도체(68)의 하단부는, 그 직경이 확대되어 접속 플랜지(76)를 형성하고 있다. 그리고, 천판(48)의 전계 감쇠용 오목부(52)의 중심부에는, 하방의 처리 공간(S)으로 관통하는 관통 홀(78)(도 3도 참조)이 형성되어 있다. 이 관통 홀(78)의 주변부에, O링 등의 씰 부재(80)를 개재하여 중심 도체(68)의 접속 플랜지(76)가 기밀하게 접속되어 있다.
동축 도파관(62)의 상부는, 모드 변환기(82) 및 매칭 회로(86)가 개재된 도파관(84)을 거쳐, 예를 들면 2.45 GHz의 마이크로파 발생기(88)에 접속되어 있다. 이에 의해, 평면 안테나 부재(54)로 마이크로파를 전파할 수 있도록 되어 있다. 마이크로파의 주파수는 2.45 GHz에 한정되지 않고, 그 밖의 주파수, 예를 들면 8.35 GHz 등이어도 좋다. 여기서, 중심 도체(68)의 상단부는 모드 변환기(82)의 천장 구획벽에 접속되어 있다.
도파관(84)으로서는, 단면이 원형 또는 단면이 구형(矩形)인 도파관을 이용할 수 있다. 또한, 도파함(66)의 상부에, 도시하지 않은 천장 냉각 쟈켓을 설치해도 좋다. 그리고, 도파함(66) 내에 있어서, 평면 안테나 부재(54)의 상면측에 설치된 고유전율 특성을 갖는 지파재(64)는, 그 파장 단축 효과에 의해 마이크로파의 파장을 단축시킨다. 또한, 지파재(64)로서는, 예를 들면 석영 또는 질화 알루미늄 등을 이용할 수 있다.
그리고, 가스 도입 수단(90)이 설치되어 있다. 구체적으로는, 가스 도입 수단(90)은 동축 도파관(62)의 중심 도체(68)와 천판(48)을 관통하도록 형성된 가스 통로(92)를 갖추고 있다. 가스 통로(92)는 중심 도체(68)에서는, 도 6에도 도시한 바와 같이, 중심 도체(68)를 공동 형상 또는 파이프 형상으로 성형함으로써, 중공로로서 형성되어 있다. 또한, 천판(48)에서는, 천판의 중심부에 형성된 관통 홀(78)이 가스 통로(92)의 일부를 형성하고 있다. 또한, 본 실시예에서는, 중심 도체(68)가 지파재(64)와 평면 안테나 부재(54)를 관통함으로써, 가스 통로(92)가 지파재(64)와 평면 안테나 부재(54)를 관통하고 있다.
한편, 중심 도체(68)의 상단부에 형성된 가스 입구(94)에 개폐 밸브(96) 또는 매스플로우 콘트롤러와 같은 유량 제어기(98) 등이 개재되어 설치된 가스 공급계(100)가 접속되어 있다. 이에 의해, 필요에 따라 원하는 가스가 유량 제어되면서 가스 통로(92)로 공급될 수 있도록 되어 있다. 또한, 가스 통로(92)의 가스 출구측인 천판(48)의 관통 홀(78)에는, 이곳으로부터 방출되는 가스를 확산시키기 위해 다공질 부재(102)가 장착되어 있다. 다공질 부재(102)로서는, 예를 들면 석영 포러스재 또는 알루미나 포러스재를 이용할 수 있다. 특히 천판(48)이 석영판으로 구성되어 있을 때에는, 열 팽창율이 대략 동일한 석영 포러스재를 이용함으로써 장착성을 향상시킬 수 있다.
여기서, 천판(48)에 설치된 전계 감쇠용 오목부(52)의 치수에 대하여 설명 한다. 전계 감쇠용 오목부(52)는, 천판(48)의 중심부에서의 전계 강도를 감쇠시키는 것이며, 조건에 따라서는 전계 강도를 대략 제로가 될 때까지 감쇠시키는 것이다. 그러기 위해서는, 하기 식 1 및 식 2에 도시한 바와 같이, 전계 감쇠용 오목부(52)의 직경(D1)은 마이크로파의 지파재(64) 중의 파장(λ)의 1/2의 정수배이며, 또한, 그 깊이(H1)는 파장(λ)의 1/4의 홀수배로 설정하는 것이 바람직하다(도 3 및 도 4 참조).
D1 = λ/2 × n ………식 1
H1 = λ/4 × (2n - 1) ………식 2
(단, n은 양의 정수)
즉, 도 4에 도시한 바와 같이, 전계 감쇠용 오목부(52)에는, 마이크로파의 반사파도 포함하여, 그 전체 둘레 방향 및 상하 방향으로부터 마이크로파가 전파된다. 여기서, 전체 둘레 방향으로부터 전파되는 마이크로파(Ex)에 관해서는, 상기 식 1을 만족시킴으로써, 서로 반대 방향의 마이크로파(Ex)가 상쇄된다. 또한, 상하 방향으로부터 전파되는 마이크로파(Ey)에 관해서는, 한 쪽이 반사파로 되어 있으므로, 상기 식 2를 만족시킴으로써, 서로 반대 방향의 마이크로파(Ey)가 상쇄된다. 그 결과, 해당 부분, 즉, 천판(48)의 중앙부에서의 전계 강도를 감쇠시킬 수가 있어, 예를 들면 대략 제로가 될 때까지 감쇠시킬 수도 있게 되는 것이다.
이어서, 동축 도파관(62)의 구조에 대하여, 도 5 및 도 6을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
본 실시예에서는, 모드 변환기(82)에서, 마이크로파 발생기(88)로 발생된 마이크로파의 진동 모드가 TE 모드로부터 TEM 모드로 변환되며, 또한, 마이크로파의 진행 방향이 90도로 휘어진다. 모드 변환기(82)의 외측 구획벽은, 구(矩) 형상의 상자 형태로서 형성되어 있다. 그리고, 동축 도파관(62)의 중심 도체(68)의 상단부인 기단부(基端部)가 상방측의 직경이 큰 원추 형상으로 성형된 접합부(104)로 되 어 있고, 모드 변환기(82)의 천장판인 구획벽(82A)에 대해 접합되어 있다. 이 원추 형상의 접합부(104)의 원추면의 경사 각도(θ)는, 도파관(84)측으로부터 진행되는 마이크로파의 진행 방향을 90도로 휘게하여 아래 방향으로 향하게 하기 위하여 45도로 설정되어 있다.
그리고, 동축 도파관(62)의 중심 도체(68)와 외측 도체(70)의 직경은, 종래 의 플라즈마 처리 장치의 경우와 비교하여, 마이크로파의 전파에 관한 기본적인 성능을 유지할 수 있는 범위에서, 모두 보다 크게 설정되어 있다. 그리고, 중심 도체(68)가 속이 빈(공동) 상태가 되어 형성된 가스 통로(92)의 내경(D2)이 제 1 소정치 이상으로 설정되어 있다. 여기서, 제 1 소정치는, 종래의 마이크로파 발생 장치의 중심 도체의 일반적인 굵기(외경)인 16 mm 정도이다. 즉, 내경(D2)은 16 mm 이상의 큰 값으로 설정된다.
또한, 중심 도체(68) 및 외측 도체(70)의 각 두께는, 모두 적어도 2 mm 정도로 설정된다. 이보다 두께가 얇으면 마이크로파에 의한 가열의 원인이 된다.
여기서, 중심 도체(68) 또는 외측 도체(70)의 직경을 단순히 크게 설정하는 것만으로는, 마이크로파에 복수의 진동 모드가 혼재하거나, 또는 마이크로파의 반사 특성이 열화되는 등의 문제가 발생될 수 있다. 따라서, 이하에 설명하는 바와 같은 설계 기준을 만족시키는 것이 필요하다.
제 1 기준으로서는, 외측 도체(70)의 내경의 반경(r1)과, 중심 도체(68)의 외경의 반경(r2)과의 비(r1 / r2)가 제 2 소정치로 유지되며, 또한, 외측 도체(70)의 내경(D3)(= 2 × r1)이 제 3 소정치 이하로 되는 것이다.
이 경우, 하기 식 3과 상기 비(r1 / r2)에 기초하여 구해지는 특성 임피던스(Zo)가, 예를 들면 40 ~ 60 Ω의 범위 내에 들어가는 것이 요구된다. 구체적으로는, 이러한 특성 임피던스 값을 만족시키는 제 2 소정치는, e2 /3 ~ e(e = 2.718…)의 범위 내의 일정 값이다.
Zo = h / 2π·ln(r1 / r2) ………식 3
h：전파 임피던스(전계와 자계의 비)
ln：자연 대수
(식 3에서, 40 ≤ Zo ≤60으로 하면, 비 r1 / r2의 범위가 정해진다.)
또한, 동축 선로에서의 특성 임피던스를 구하는 방법 및 TEM 모드에 한정된 마이크로파의 전파에 대해서는, 문헌 「마이크로파 공학」(모리키타 전기 공학 시리즈 3, 마이크로파 광학 ― 기초와 원리 ― 저자: 나카지마 마사미츠, 발행처： 모리키타 출판, 1998년 12월 18일 발행)의 「동축 선로」(67 - 70 페이지)에 상세하게 기재되어 있다. 따라서, 그 설명은 여기에서는 생략한다.
또한, 제 3 소정치로서는, 경험적인 안전 계수를 고려하여, 전파되는 마이크로파의 대기중의 파장(λO)의「0.59 - 0.1」(= 0.49) 파장이다. 여기서, 하기 식 4에 도시된 바와 같이, 상기 내경(D3)은 0.49 × λO 이하의 값이 되도록 설정된다.
D3 ≤ λO (0.59 - 0.1) ………식 4
이 조건을 만족시킴으로써, 모드 변환 후의 동축 도파관(62) 내를 전파하는 마이크로파의 진동 모드를 TEM 모드만으로 할 수 있는, 즉, 그 밖의 진동 모드가 혼재하지 않는 상태로 할 수 있다.
식 4에 도시된 조건식은, 다음과 같이 구하여진다. 즉, TEM 모드 외에 원형 도파관(동축 도파관이 아님)으로 가장 전파하기 쉬운 모드는, 전파 계수가 높은 쪽으로부터 TE11 모드이며, 그 경우의 차단 주파수(fc)는 이하의 식이 된다.
Fc = 1.841 / 2πr√(με)
여기서, 상기 fc, r, μ, ε는 각각, 차단 주파수, 원형 도파관의 반경, 대기 중의 투자율(透磁率), 대기중의 유전율이다.
이 식을 변형하면, r = 0.295 λO(λO：전자파의 대기 중에서의 파장)이 되고, 원형 도파관의 직경은 2r = 0.59 λO이 된다.
여기서, λO보다 파장이 긴 전자파를 이용하면, TEM 모드만이 전파되게 된다. 또한, 원형 도파관을 동축 도파관으로 보면, 2r ≒ 2r1 = D3 ≤ 0.59 λO의 조건 하에서 TEM 모드만이 전파되게 된다. 또한, 경험적인 안전 계수를 고려하면, ‘D3 ≤ (0.59 - 0.1) λO’이 되어 상기 식 4가 도출된다.
그 결과, 외측 도체(70)의 내경(D3：(2 × r1))을 최대 60 mm로 할 수 있고, 또한, 중심 도체(68)의 외경(2 × r2)을 30 mm 정도로 할 수 있으며, 중심 도체(68)의 두께를 2 mm로 하면, 그 내경(D2)을 26 mm로 할 수 있다.
또한, 바람직하게는, 제 2 기준으로서 하기 식 5에 도시한 바와 같이, 모드 변환기(82)와 동축 도파관(62)을 포함하는 전체 길이(H2)를, 마이크로파의 대기 중 의 파장(λO)의 1/4 파장의 홀수배로 설정하는 것이 바람직하다.
H2 = 1/4 × λO × (2n - 1) ………식 5
n : 양의 정수
높이(H2)는, 구체적으로는, 모드 변환기(82)의 천장의 구획벽(82A)과 도파함(66)의 천장판과의 사이의 거리이다. 이 제 2 기준을 만족시킴으로써, 동축 도파관(62) 내를 진행하는 진행파와 평면 안테나 부재(54)측으로부터의 반사파를 효율적으로 상쇄시킬 수 있다.
또한, 더욱 바람직하게는, 제 3 기준으로서 하기 식 6에 도시한 바와 같이, 모드 변환기(82)로 들어가는 마이크로파의 진행 방향의 내측에 위치하는 단면(도 5의 좌단면), 즉, 단락판(82B)과 접합부(104)의 해당측의 원추면의 중간점과의 사이의 거리(H4)가, 마이크로파의 대기압 중의 파장(λO)의 1/2 파장의 정수배의 길이로 설정되는 것이 바람직하다.
H4 = 1/2 × λO × n ………식 6
n : 양의 정수
여기서, 접합부(104)의 원추 형상의 경사면의 중간점의 위치는, 동축 도파관(62)의 통 형상의 외측 도체(70)의 수직 방향의 연장선 상에 위치하도록 되어 있다.
이 제 3 기준을 만족시킴으로써, 도파관(84) 내로부터 전파되는 진행파와, 모드 변환기(82)의 단락판(82B)에서 반사되는 반사파가 동기하여 효율적으로 합성 되고, 그 합성 전파가 아래 방향의 동축 도파관(62)을 향하여(90도로 진행 방향을 바꾸어) 진행될 수 있다.
이상의 바와 같이, 상기 제 1 기준을 만족시킴으로써, 마이크로파에 관한 기본적인 성능을 유지하면서, 중심 도체에 형성되는 가스 통로(92)의 내경을 확대시킬 수 있다. 또한, 상기 제 2 및 제 3 기준을 만족시킴으로써, 상기 작용 효과를 보다 향상시킬 수 있다.
이어서, 이상의 바와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치(32)를 이용하여 실시되는 처리 방법(에칭 방법)에 대하여 설명한다.
우선, 게이트 밸브(42)를 거쳐, 반도체 웨이퍼(W)가 반송 암(도시하지 않음)에 의해 처리 용기(34) 내에 수용된다. 리프터 핀(도시하지 않음)을 상하 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 재치대(36)의 상면인 재치면에 재치된다.
또한, 보조 가스 도입 수단(40)의 가스 공급 노즐(40A) 및 가스 도입 수단(90)의 가스 통로(92) 등을 거쳐, 처리 용기(34) 내에, 처리 태양에 따른 가스, 예를 들면 에칭 처리라면 에칭 가스가(성막 처리라면 성막용 가스가) 유량 제어되면서 공급된다. 가스 도입 수단(90)에서는, 공급해야 할 가스는 가스 공급계(100)를 흘러 동축 도파관(62)의 중심 도체(68)의 상단부에 설치된 가스 입구(94)로부터 가스 통로(92) 내로 들어가고, 가스 통로(92)를 흘러 내려간 후, 천판(48)에 설치된 관통 홀(78)의 하단부의 가스 출구로부터 처리 공간(S) 내에 도입된다. 그리고, 처리 용기(34) 내가 소정의 프로세스 압력, 예를 들면 0.01 ~ 수 Pa의 범위 내로 유지된다.
이와 동시에, 마이크로파 공급 수단(60)의 마이크로파 발생기(88)에서 발생된 TE 모드의 마이크로파가 도파관(84)을 거쳐 모드 변환기(82)로 전파되고, 여기에서 진동 모드가 TEM 모드로 변환된 후, 동축 도파관(62)을 거쳐 평면 안테나 부재(54)로 공급된다. 평면 안테나 부재(54)로부터 처리 공간(S)으로는, 지파재(64)에 의해 파장이 단축된 마이크로파가 도입된다. 이에 의해, 처리 공간(S) 내에 플라즈마가 발생되어 소정의 에칭 처리가 실시된다.
여기서, 마이크로파 발생기(88)로부터 발생된, 예를 들면 2.45 GHz의 마이크로파는, 상기한 바와 같이, 동축 도파관(62) 내를 전파하여 도파함(66) 내의 평면 안테나 부재(54)로 전파한다. 그리고, 원판 형상의 평면 안테나 부재(54)의 중심부로부터 주변부로 방사 형상으로 전파할 동안에, 평면 안테나 부재(54)에 형성된 다수의 마이크로파 방사 홀(56)로부터 마이크로파가 천판(48)을 투과하여, 평면 안테나 부재(54)의 직하의 처리 공간(S)에 도입된다. 이 마이크로파에 의하여 아르곤 가스 또는 에칭 가스가 여기되어 플라즈마화되고, 하방으로 확산되어 처리 가스를 활성화하여 활성종을 만든다. 그리고, 이 활성종의 작용에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 박막이 에칭된다.
여기서, 가스 통로(92)의 일부를 구성하는 천판(48)의 관통 홀(78) 내에는, 이 곳을 가스가 흐르므로, 마이크로파에 의한 전계에 의하여 플라즈마 이상 방전이 발생될 우려가 있다. 그러나, 본 실시예에서는, 천판(48)의 중앙부(중심 영역)의 상면측에 전계 감쇠용 오목부(52)가 설치되고, 해당 부분에서의 전계 강도를 감쇠시키고 있으므로(예를 들면, 대략 제로가 되도록 하고 있다), 플라즈마 이상 방전 의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
구체적으로는, 상술한 바와 같이, 식 1 및 식 2에 도시한 바와 같이, 전계 감쇠용 오목부(52)의 직경(D1)은, 마이크로파의 지파재(64) 중의 파장(λ)의 1/2의 정수배로, 또한 그 깊이(H1)는, 파장(λ)의 1/4의 홀수배로 설정된다(도 3 및 도 4 참조). 마이크로파의 주파수를 2.45 GHz, 천판(48) 및 지파재(64)를 구성하는 재료가 석영으로, 그 비(比)유전율이 3.8이라고 가정하면 λ = 62 mm가 되므로, 예를 들면, D1 = 31 mm, H1 = 15.1 mm로 설정될 수 있다.
그리고, 도 4에 도시한 바와 같이, 전계 감쇠용 오목부(52)에는, 마이크로파의 반사파도 포함하여, 그 전체 둘레 방향 및 상하 방향으로부터 마이크로파가 전파된다. 이 때, 전체 둘레 방향으로부터 전파되는 마이크로파(Ex)에 관해서는, 상기 식 1을 만족시킴으로써, 서로 반대 방향의 마이크로파(Ex)가 상쇄된다. 또한, 상하 방향으로부터 전파되는 마이크로파(Ey)에 관해서는, 한 쪽이 반사파로 되어 있으므로, 상기 식 2을 만족시킴으로써, 서로 반대 방향의 마이크로파(Ey)가 상쇄된다. 그 결과, 해당 부분, 즉, 천판(48)의 중앙부에서의 전계 강도를 감쇠시킬 수 있고, 예를 들면 대략 제로가 될 때까지 감쇠시킬 수도 있다.
천판(48)의 관통 홀(78) 내 또는 중심 도체(68)의 하단부 근방의 전계 강도가 대략 제로가 되면, 해당 부분에서 플라즈마 이상 방전이 발생되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 천판(48)이 국부적으로 고온으로 가열되지 않으므로, 천판(48)이 파손되는 것도 방지할 수 있다.
또한, 천판(48)의 관통 홀(78) 내에 다공질 부재(102)가 장착되어 있으므로, 이 다공질 부재(102)의 기능에 의해 처리 공간(S)에 도입되어야 하는 가스가 확산된 상태에서 처리 공간(S)에 도입될 수 있다. 또한, 처리 공간(S) 내에서 발생되고 있는 플라즈마 방전이 다공질 부재(102)로 저해되어, 관통 홀(78) 내로 회전하며 들어가는 것이 방지될 수 있다. 그 결과, 중심 도체(68)의 하단부를 씰링하는 씰 부재(80)가 플라즈마에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 필요한 가스가 가스 도입 수단(90)에 의해 천판(48)의 중심부로부터 공급되므로, 해당 가스가 처리 공간(S) 내의 주변부로 균등하게 확산된다. 이에 의해, 종래의 장치와 비교하여, 처리 공간(S)에서의 가스의 해리도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 가스 도입 수단(90)뿐만 아니라, 처리 용기(34)의 측벽에 설치된 보조 가스 도입 수단(40)으로부터도 동종의 가스를 공급하면, 중심으로부터의 가스 확산과 주변으로부터의 가스 확산이 합성될 수 있다. 그 결과, 처리 공간(S)의 전역에 걸쳐 가스가 균일하게 확산됨으로써, 처리 공간(S)에서의 가스의 해리도의 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 천판(48)의 중심부의 직하의 처리 공간(S)에서는 플라즈마 전계 강도가 감쇠되고 있는 점으로부터, 해당 부분에서는 플라즈마 방전이 발생되기 어렵다. 그러나, 그 주변부로부터 충분히 해리 가스가 보급되므로, 플라즈마 처리 자체에는 문제가 발생되지 않는다.
여기서, 천판(48) 중의 마이크로파의 전계 강도의 분포에 대하여, 실제로 측정하여 평가를 실시하였다. 그 평가 결과에 대하여 설명한다.
도 7A는, 종래의 천판에 대한 마이크로파의 전계 강도 분포의 상태를 도시한 사진이다. 도 7B는, 본 실시예에 따른 천판(48)에 대한 마이크로파의 전계 강도 분포의 상태를 도시한 사진이다. 각각 이해를 용이하게 하기 위하여 모식도를 병기하고 있다.
도 7A에 도시한 바와 같이, 종래의 구조의 천판의 경우에는, 천판의 중심부에서 플라즈마의 전계 강도가 크게 나타나고 있다. 이에 대해, 도 7B에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 경우에는, 천판의 중심에서 플라즈마의 전계 강도는 대략 제로가 되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한 여기서는, 플라즈마 처리 장치로서 플라즈마 에칭 장치를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 플라즈마 CVD 장치, 플라즈마 애싱 장치, 산화 장치, 질화 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 막 두께 측정기가 필요에 따라 당연히 설치될 수 있다.
또한, 상기의 실시예에서는, 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명 하였으나, 이에 한정되지 않는다. LCD 기판, 글라스 기판, 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
특히, 최근의 대형화된 LCD 기판에서는, 평면 안테나 부재의 복수의 개소에 마이크로파를 공급해도 좋다. 이에 의해, 대(大)면적의 처리 공간으로, 보다 균일한 플라즈마를 방전시킬 수 있다. 이 경우에도, 마이크로파가 공급되는 복수 개소의 각각에 본원 발명의 전계 감쇠용 오목부를 설치할 수 있다.

Claims (9)

  1. 천장부가 개구되어 내부가 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와,
    피처리체를 재치하기 위해 상기 처리 용기 내에 설치된 재치대와,
    상기 천장부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과,
    상기 천판의 상면에 설치되어 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하기 위한 평면 안테나 부재와,
    상기 평면 안테나 부재의 중심부에 접속된 중심 도체를 갖는 마이크로파 공급을 위한 동축 도파관을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 중심 도체와 상기 평면 안테나 부재의 중심부와 상기 천판의 중심부를 관통하도록 가스 통로가 형성되어 있고,
    상기 천판의 중심 영역의 상면측에, 상기 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 천판의 중심부의 전계 강도는 제로가 될 때까지 감쇠되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 평면 안테나 부재의 상면측에 상기 마이크로파의 파장을 단축시키기 위한 판 형상의 지파재(遲波材)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전계 감쇠용 오목부는 원통형으로 형성되어 있고,
    상기 전계 감쇠용 오목부의 직경(D1)은 상기 마이크로파의 상기 지파재 중의 파장(λ)의 1/2의 정수배이고, 또한, 상기 전계 감쇠용 오목부의 깊이(H1)는 상기 파장(λ)의 1/4의 홀수배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 통로의 가스 출구측에, 상기 처리 용기 내로 가스를 확산시키기 위한 다공질 부재가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 중심 도체의 선단부가 상기 평면 안테나 부재의 중심부를 관통하여 상기 천판의 상면까지 연장되어 있고,
    상기 중심 도체의 선단부와 상기 천판의 상면의 사이에 씰 부재가 개재되어 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 마이크로파의 주파수는 2.45 GHz이며,
    상기 가스 통로의 직경은 적어도 16 mm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 용기의 측벽을 관통하여 설치된 가스 도입 노즐을 갖는 보조 가스 도입 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 천장부가 개구되어 내부가 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와,
    피처리체를 재치하기 위해 상기 처리 용기 내에 설치된 재치대와,
    상기 천장부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과,
    상기 천판의 상면에 설치되어 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하기 위한 평면 안테나 부재와,
    상기 평면 안테나 부재에 접속된 중심 도체를 갖는 마이크로파 공급을 위한 동축 도파관을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 중심 도체와 상기 평면 안테나 부재와 상기 천판을 관통하도록 가스 통로가 형성되어 있고,
    상기 천판의 상면측에, 상기 천판의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
KR1020087012912A 2005-11-29 2006-11-15 플라즈마 처리 장치 KR100991164B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005344643A JP5082229B2 (ja) 2005-11-29 2005-11-29 プラズマ処理装置
JPJP-P-2005-00344643 2005-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080072881A KR20080072881A (ko) 2008-08-07
KR100991164B1 true KR100991164B1 (ko) 2010-11-02

Family

ID=38092043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087012912A KR100991164B1 (ko) 2005-11-29 2006-11-15 플라즈마 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8480848B2 (ko)
JP (1) JP5082229B2 (ko)
KR (1) KR100991164B1 (ko)
CN (1) CN101316946B (ko)
TW (1) TWI407843B (ko)
WO (1) WO2007063708A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101541642B1 (ko) * 2013-02-25 2015-08-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (264)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094046A (zh) * 2007-08-28 2013-05-08 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板
JP5249547B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス排気方法
TWI498988B (zh) * 2008-02-20 2015-09-01 Tokyo Electron Ltd A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method
KR101094982B1 (ko) * 2008-02-27 2011-12-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 처리 장치 및 플라즈마 에칭 처리 방법
JP5304062B2 (ja) * 2008-07-09 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5304061B2 (ja) * 2008-07-09 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN102084469B (zh) * 2008-07-09 2013-05-01 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8771537B2 (en) 2009-08-20 2014-07-08 Tokyo Electron Limited Plasma treatment device and plasma treatment method
JP5410882B2 (ja) * 2009-08-20 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング処理装置とプラズマエッチング処理方法
JP5410881B2 (ja) * 2009-08-20 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置とプラズマ処理方法
JP5851899B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5955062B2 (ja) * 2011-04-25 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5377587B2 (ja) * 2011-07-06 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5792315B2 (ja) * 2011-10-07 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5992288B2 (ja) 2012-10-15 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 ガス導入装置及び誘導結合プラズマ処理装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
WO2015151153A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2015151148A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6404111B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9928993B2 (en) * 2015-01-07 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma antenna with slotted spiral waveguide
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
JP6752117B2 (ja) * 2016-11-09 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102024568B1 (ko) 2018-02-13 2019-09-24 한국기초과학지원연구원 환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈 및 점상 식각 모듈의 식각 프로파일을 제어하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US11393661B2 (en) * 2018-04-20 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Remote modular high-frequency source
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
WO2021152655A1 (ja) * 2020-01-27 2021-08-05 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP2023108422A (ja) * 2022-01-25 2023-08-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039972A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
JP2004266268A (ja) 2003-02-14 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法ならびにリモートプラズマ処理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03191073A (ja) * 1989-12-21 1991-08-21 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05343334A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Hitachi Ltd プラズマ発生装置
JP3039160B2 (ja) * 1992-10-07 2000-05-08 住友金属工業株式会社 マイクロ波導入装置
JP3233575B2 (ja) * 1995-05-26 2001-11-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
EP0831680A4 (en) * 1996-03-28 2000-02-02 Sumitomo Metal Ind DEVICE AND METHOD FOR TREATING PLASMA
JP3217274B2 (ja) * 1996-09-02 2001-10-09 株式会社日立製作所 表面波プラズマ処理装置
WO1999049705A1 (fr) * 1998-03-20 1999-09-30 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement plasmique
US6528752B1 (en) * 1999-06-18 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP3977962B2 (ja) * 1999-08-30 2007-09-19 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置及び方法
KR100762754B1 (ko) * 1999-11-30 2007-10-09 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치
US6910440B2 (en) * 2000-03-30 2005-06-28 Tokyo Electron Ltd. Apparatus for plasma processing
JP4747404B2 (ja) * 2000-09-04 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2002299331A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
JP4183934B2 (ja) * 2001-10-19 2008-11-19 尚久 後藤 マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置
JP4008728B2 (ja) * 2002-03-20 2007-11-14 株式会社 液晶先端技術開発センター プラズマ処理装置
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3723783B2 (ja) * 2002-06-06 2005-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2004265916A (ja) * 2003-02-06 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 基板のプラズマ酸化処理方法
KR100988085B1 (ko) * 2003-06-24 2010-10-18 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 처리 장치
JP4563729B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4430560B2 (ja) * 2004-02-16 2010-03-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039972A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
JP2004266268A (ja) 2003-02-14 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法ならびにリモートプラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101541642B1 (ko) * 2013-02-25 2015-08-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
US9343270B2 (en) 2013-02-25 2016-05-17 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20090242130A1 (en) 2009-10-01
TW200806094A (en) 2008-01-16
TWI407843B (zh) 2013-09-01
WO2007063708A1 (ja) 2007-06-07
KR20080072881A (ko) 2008-08-07
US8480848B2 (en) 2013-07-09
CN101316946B (zh) 2011-11-02
JP2007149559A (ja) 2007-06-14
JP5082229B2 (ja) 2012-11-28
CN101316946A (zh) 2008-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100991164B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP5166501B2 (ja) 天板およびプラズマ処理装置
KR100507717B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100967459B1 (ko) 마이크로파 도입 장치
KR101851436B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101008746B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
WO2015037508A1 (ja) プラズマ処理装置
KR100863842B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20070108929A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치
JP4910396B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4366856B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5374853B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2007335346A (ja) マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
KR20100122894A (ko) 평면 안테나 부재, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치
JP4709192B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4252220B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH1145799A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141007

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151001

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 10