KR101541642B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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미치타카 아이타
마사히로 야마자키
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후미히코 가지
고지 야마기시
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Abstract

본 발명은 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로의 전계 강도를 저감시키는 것을 목적으로 한다.
플라즈마 처리 장치는, 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 플라즈마 여기용 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 처리 공간을 밀폐하도록 처리 용기에 장착되어, 마이크로파 발생기에 의해 발생되는 마이크로파를 처리 공간으로 도입하는 유전체 부재를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 유전체 부재의 내부에 설치되어, 마이크로파에 의해 플라즈마화되는 처리 가스를 유전체 부재에 형성된 관통 구멍을 통해 처리 공간에 공급하는 인젝터를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 유전체 부재의 관통 구멍을 둘러싸도록 인젝터의 내부에 배치되어, 관통 구멍을 향해 유전체 부재의 내부를 전파하는 마이크로파를 인젝터의 내부 측에 도파하는 유전체제(製)의 도파판을 구비한다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 여러 가지 측면 및 실시형태는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체의 제조 프로세스에서는, 박막의 퇴적 또는 에칭 등을 목적으로 한 플라즈마 처리가 널리 행해지고 있다. 최근의 플라즈마 처리에서는, 처리 가스를 플라즈마화하기 위해서 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리 장치가 이용되는 경우가 있다.
마이크로파를 이용한 플라즈마 처리 장치는 마이크로파 발생기를 이용하여 플라즈마 여기용 마이크로파를 발생한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 처리 공간을 밀폐하도록 처리 용기에 장착된 유전체 부재에 의해, 플라즈마 여기용 마이크로파를 처리 공간으로 유도한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 유전체 부재의 내부에 설치된 인젝터에 의해, 처리 가스를 유전체 부재에 형성된 관통 구멍을 통해 처리 공간에 공급한다. 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍은, 처리 가스를 처리 공간에 공급하기 위한 경로(이하, 적절하게 「가스 공급 경로」라고 함)를 구축한다. 가스 공급 경로로부터 처리 공간에 공급된 처리 가스는, 유전체 부재를 통해 처리 공간에 도입된 마이크로파에 의해 플라즈마화된다.
그런데, 이러한 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 처리 가스를 처리 공간에 공급하기 위한 가스 공급 경로에 마이크로파가 침입함으로써 전계 강도가 증대되기 때문에, 가스 공급 경로에 마이크로파가 침입하는 것을 억제하는 것이 요구된다. 이 점, 특허문헌 1에서는, 가스 공급 경로의 일부가 되는 인젝터의 주위에 도전성의 전계 차폐 부재를 설치하여, 이 전계 차폐 부재를 이용하여 가스 공급 경로에 마이크로파가 침입하는 것을 차단하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2012-238845호 공보
그러나, 종래 기술과 같이, 도전성의 전계 차폐 부재를 이용하여 가스 공급 경로에의 마이크로파 침입을 차단하는 것만으로는, 전계 차폐 부재를 타고 넘어 가스 공급 경로에 침입하는 마이크로파가 발생하기 때문에, 가스 공급 경로의 전계 강도가 증대될 우려가 있다. 가스 공급 경로의 전계 강도가 지나치게 증대되면, 가스 공급 경로 내에서 이상 방전이 발생할 가능성이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 플라즈마 여기용 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 상기 처리 공간을 밀폐하도록 상기 처리 용기에 장착되어, 상기 마이크로파 발생기에 의해 발생되는 마이크로파를 상기 처리 공간으로 도입하는 유전체 부재를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 상기 유전체 부재의 내부에 설치되어, 상기 마이크로파에 의해 플라즈마화되는 처리 가스를 상기 유전체 부재에 형성된 관통 구멍을 통해 상기 처리 공간에 공급하는 인젝터를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는, 상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍을 둘러싸도록 상기 인젝터의 내부에 배치되어, 상기 관통 구멍을 향해 상기 유전체 부재의 내부를 전파하는 상기 마이크로파를 상기 인젝터의 내부 측으로 도파하는 유전체제(製)의 도파판(導波板)을 구비한다.
본 발명의 여러 가지 측면 및 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로의 전계 강도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치가 실현된다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 인젝터를 축선(X) 방향에서 본 평면도이다.
도 4a는 제1 실시형태에 있어서의 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 4b는 제1 실시형태에 있어서의 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 5a는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 5b는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 5c는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 6은 도 5a~도 5c의 시뮬레이션 결과 중, 유전체 부재의 관통 구멍에 대응하는 측정 영역(M)에 있어서의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 7a는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 7b는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 7c는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 8은 도 7a~도 7c의 시뮬레이션 결과 중, 유전체 부재의 관통 구멍에 대응하는 측정 영역(M)에 있어서의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 9a는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 9b는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 9c는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 9d는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 9e는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 9f는 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 10은 도 9a~도 9f의 시뮬레이션 결과 중, 유전체 부재의 관통 구멍에 대응하는 측정 영역(M)에 있어서의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 10은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다.
도 11은 변형예에 따른 도파판을 포함한 인젝터를 축선(X) 방향에서 본 평면도이다.
도 12는 제2 실시형태에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 13은 마이크로파의 상쇄 메카니즘에 관해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 14a는 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 14b는 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 14c는 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 14d는 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 15는 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(복수의 도파판의 형상에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)에 관해서 도시하는 도면이다.
도 16은 제3 실시형태에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 17은 마이크로파의 차단 메카니즘에 관해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 18a는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 18b는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 18c는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 18d는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(유전체 부재의 관통 구멍 부근의 형상에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)에 관해서 도시하는 도면이다.
도 20은 제3 실시형태의 변형예 1에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 21은 제3 실시형태의 변형예 2에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 개시하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법의 실시형태에 관해서 상세히 설명한다. 한편, 각 도면에 있어서 동일하거나 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 플라즈마 여기용 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기와, 처리 공간을 밀폐하도록 처리 용기에 장착되어, 마이크로파 발생기에 의해 발생되는 마이크로파를 처리 공간으로 도입하는 유전체 부재와, 유전체 부재의 내부에 설치되어, 마이크로파에 의해 플라즈마화되는 처리 가스를 유전체 부재에 형성된 관통 구멍을 통해 처리 공간에 공급하는 인젝터와, 유전체 부재의 관통 구멍을 둘러싸도록 인젝터의 내부에 배치되어, 관통 구멍을 향해 유전체 부재의 내부를 전파하는 마이크로파를 인젝터의 내부 측에 도파하는 유전체제(製)의 도파판을 구비한다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 유전체 부재가, 유전체 부재의 처리 공간을 밀폐하는 면과 반대쪽의 면에 형성되어, 인젝터가 수용되는 수용 오목부와, 수용 오목부와 처리 공간을 연통시키는 관통 구멍과, 관통 구멍을 둘러싸도록 수용 오목부에 형성된 홈부를 가지며, 인젝터는, 유전체 부재의 관통 구멍에 처리 가스를 공급하는 관통 구멍이 형성된 본체부와, 본체부로부터 유전체 부재의 홈부를 향해 융기하는 융기부를 가지며, 도파판은, 인젝터의 융기부에 매설됨으로써, 유전체 부재의 관통 구멍을 둘러싸도록 인젝터의 내부에 배치된다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 유전체 부재가, 유전체 부재의 처리 공간을 밀폐하는 면에, 유전체 부재의 관통 구멍을 둘러싸도록 형성된 제2 홈부를 갖는다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 도파판이, 유전체 부재의 관통 구멍으로부터 멀어지는 방향을 따라서 인젝터의 내부에 복수 배치된다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 복수의 도파판 중 적어도 하나의 도파판이, 그 적어도 하나의 도파판에 인접하는 다른 도파판과는 높이가 다르다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 복수의 도파판 중 적어도 하나의 도파판이, 그 적어도 하나의 도파판에 인접하는 다른 도파판과는 두께가 다르다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 복수의 도파판 중 적어도 한 쌍의 도파판이, 그 적어도 한 쌍의 도파판에 인접하는 다른 한 쌍의 도파판과는 간격이 다르다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 각 도파판이, 유전체 부재의 관통 구멍의 주위를 도는 방향을 따라서 정해진 간극을 두고서 서로 인접하는 복수의 단편(斷片)을 포함하고, 각 단편은, 다른 도파판에 포함되는 단편끼리의 간극을 차폐하는 위치에 배치된다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 도파판의 내부를 전파하는 마이크로파의 파장을 λ라고 하면, 도파판의 높이는 λ/4이다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 도파판의 내부를 전파하는 마이크로파의 파장을 λ라고 하면, 도파판의 두께는 λ/8 이상 λ/4 이하이다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 플라즈마 여기용 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기와, 처리 공간을 밀폐하도록 처리 용기에 장착되어, 마이크로파 발생기에 의해 발생되는 마이크로파를 처리 공간으로 도입하는 유전체 부재와, 유전체 부재의 내부에 설치되어, 마이크로파에 의해 플라즈마화되는 처리 가스를 유전체 부재에 형성된 관통 구멍을 통해 처리 공간에 공급하는 인젝터를 구비하고, 유전체 부재는, 유전체 부재의 처리 공간을 밀폐하는 면에, 유전체 부재의 관통 구멍을 둘러싸도록 형성된 홈부를 갖는다.
또한, 개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 관통 구멍이, 유전체 부재에 착탈 가능하게 부착되고, 유전체 부재의 일부가 되는 유전체제(製)의 부재에 형성된다.
(제1 실시형태)
도 1은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(12), 스테이지(14), 유전체 부재(16), 안테나(18), 동축 도파관(20), 인젝터(22) 및 배관 부재(24)를 구비한다.
처리 용기(12)는, 피처리 기체(基體)(W)에 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리 공간(S)을 구획하고 있다. 처리 용기(12)는 측벽(12a) 및 바닥부(12b)를 포함할 수 있다. 측벽(12a)은 축선(X) 방향으로 연장되는 대략 통 형상을 갖고 있다. 바닥부(12b)는 측벽(12a)의 하단측에 형성되어 있다. 바닥부(12b)에는 배기용 배기 구멍(12h)이 형성되어 있다. 측벽(12a)의 상단부는 개구되어 있다.
측벽(12a)의 상단부 개구는 유전체창이라고도 불리는 유전체 부재(16)에 의해 닫혀 있다. 유전체 부재(16)는 처리 공간(S)을 밀폐하도록 처리 용기(12)에 장착된다. 이 유전체 부재(16)와 측벽(12a)의 상단부 사이에는 O 링(28)이 개재하고 있더라도 좋다. 이 O 링(28)에 의해 처리 용기(12)의 밀폐가 보다 확실한 것으로 된다.
플라즈마 처리 장치(10)는 마이크로파 발생기(30)를 더 구비할 수 있다. 마이크로파 발생기(30)는 예컨대 2.45 GHz 주파수의 마이크로파를 발생한다. 마이크로파 발생기(30)는 튜너(30a)를 갖고 있다. 마이크로파 발생기(30)는, 도파관(32) 및 모드 변환기(34)를 통해, 동축 도파관(20)의 상부에 접속되어 있다.
동축 도파관(20)은 축선(X)을 따라서 연장되어 있다. 동축 도파관(20)은 외측 도체(20a) 및 내측 도체(20b)를 포함한다. 외측 도체(20a)는 축선(X) 방향으로 연장되는 통 형상을 갖고 있다. 외측 도체(20a)의 하단은 냉각 재킷(36)의 상부에 전기적으로 접속될 수 있다. 내측 도체(20b)는 외측 도체(20a)의 내측에 설치되어 있다. 내측 도체(20b)는 축선(X)을 따라서 연장되어 있다. 내측 도체(20b)의 하단은 안테나(18)의 슬롯판(18b)에 접속되어 있다.
안테나(18)는 유전체판(18a) 및 슬롯판(18b)를 포함한다. 유전체판(18a)은 대략 원판 형상을 갖고 있다. 유전체판(18a)은 예컨대 석영 또는 알루미나로 구성될 수 있다. 유전체판(18a)은 슬롯판(18b)과 냉각 재킷(36)의 하면 사이에 협지(狹持)되어 있다. 따라서, 안테나(18)는, 유전체판(18a), 슬롯판(18b) 및 냉각 재킷(36)의 하면에 의해 구성될 수 있다.
슬롯판(18b)은 복수의 슬롯이 형성된 대략 원판형의 금속판이다. 본 실시형태에서, 안테나(18)는 레이디얼 라인 슬롯 안테나라도 좋다. 즉, 본 실시형태에서, 슬롯판(18b)에는 복수의 슬롯쌍이 형성되어 있다. 각 슬롯쌍은 서로 교차 또는 직교하는 방향으로 연장되는 2개의 슬롯을 포함한다. 복수의 슬롯쌍은, 축선(X)을 중심으로 하여 직경 방향으로 정해진 간격으로 배치되고, 둘레 방향으로 정해진 간격으로 배치될 수 있다. 마이크로파 발생기(30)에 의해 발생된 마이크로파는, 동축 도파관(20)을 지나, 유전체판(18a)에 전파되어, 슬롯판(18b)의 슬롯으로부터 유전체 부재(16)에 도입된다.
유전체 부재(16)는 대략 원판 형상을 갖고 있고, 예컨대 석영 또는 알루미나로 구성되어 있다. 유전체 부재(16)는, 스테이지(14)와 축선(X) 방향에 있어서 대면하도록 설치되어 있고, 슬롯판(18b)의 바로 아래에 설치되어 있다. 유전체 부재(16)는 안테나(18)로부터 받은 마이크로파를 투과하여 처리 공간(S) 내에 도입한다. 이에 따라, 유전체 부재(16)의 바로 아래에 전계가 발생하여, 처리 공간(S) 내에 플라즈마가 발생한다. 이와 같이, 플라즈마 처리 장치(10)에 따르면, 자장을 가하지 않고서 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
본 실시형태에서, 유전체 부재(16)의 하면은 오목부(16d)를 구획할 수 있다. 오목부(16d)는 축선(X) 둘레로 환형으로 형성되어 있으며, 테이퍼 형상을 갖고 있다. 이 오목부(16d)는, 도입된 마이크로파에 의한 정재파(定在波)의 발생을 촉진하기 위해서 마련되어 있으며, 마이크로파에 의한 플라즈마를 효율적으로 생성하는 데에 기여할 수 있다.
플라즈마 처리 장치(10)에서, 내측 도체(20b)는, 축선(X)을 따라서 연장되는 통 형상을 가질 수 있다. 이 내측 도체(20b)의 내부에는 배관 부재(24)가 삽입될 수 있다. 배관 부재(24)의 일단에는 가스 공급계(40)가 접속되어 있다. 가스 공급계(40)는 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(40a) 및 개폐 밸브(40b)로 구성될 수 있다. 본 실시형태에서는, 가스 공급계(40)로부터의 처리 가스가 배관 부재(24)를 통해 인젝터(22)에 공급된다. 인젝터(22)는, 배관 부재(24)로부터의 처리 가스를 유전체 부재(16)에 형성된 관통 구멍(16a)에 공급한다. 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 공급된 처리 가스는 처리 공간(S)에 공급된다. 즉, 인젝터(22)는 처리 가스를 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 통해 처리 공간(S)에 공급한다. 한편, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 세부사항에 관해서는 후술한다.
본 실시형태에서, 플라즈마 처리 장치(10)는 별도의 가스 공급부(42)를 더 구비할 수 있다. 가스 공급부(42)는 가스관(42a)을 포함한다. 가스관(42a)은 유전체 부재(16)와 스테이지(14) 사이에 있어서 축선(X) 둘레로 환형으로 연장되어 있다. 가스관(42a)에는, 축선(X)을 향하는 방향으로 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 구멍(42b)이 형성되어 있다. 이 가스 공급부(42)는 가스 공급계(44)에 접속되어 있다.
가스 공급계(44)는, 가스관(44a), 개폐 밸브(44b) 및 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(44c)를 포함한다. 가스 공급부(42)의 가스관(42a)에는 유량 제어기(44c), 개폐 밸브(44b) 및 가스관(44a)을 통해 처리 가스가 공급된다. 한편, 가스관(44a)은 처리 용기(12)의 측벽(12a)을 관통하고 있다. 가스 공급부(42)의 가스관(42a)은 상기 가스관(44a)을 통해 측벽(12a)에 지지될 수 있다.
스테이지(14)는, 안테나(18)와 상기 스테이지(14) 사이에 처리 공간(S)을 사이에 두도록 설치되어 있다. 이 스테이지(14) 상에는, 피처리 기체(W)가 배치된다. 본 실시형태에서, 스테이지(14)는, 대(臺)(14a), 포커스 링(14b) 및 정전 척(14c)을 포함할 수 있다.
대(14a)는 통형 지지부(46)에 지지되어 있다. 통형 지지부(46)는 절연성의 재료로 구성되어 있고, 바닥부(12b)으로부터 수직 상방으로 연장되어 있다. 또한, 통형 지지부(46)의 외주에는, 도전성의 통형 지지부(48)가 형성되어 있다. 통형 지지부(48)는, 통형 지지부(46)의 외주를 따라서 처리 용기(12)의 바닥부(12b)으로부터 수직 상방으로 연장되어 있다. 이 통형 지지부(46)와 측벽(12a) 사이에는, 환형의 배기로(50)가 형성되어 있다.
배기로(50)의 상부에는, 복수의 관통 구멍이 형성된 환형의 배플판(52)이 부착되어 있다. 배기 구멍(12h)의 하부에는 배기관(54)을 통해 배기 장치(56)가 접속되어 있다. 배기 장치(56)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있다. 배기 장치(56)에 의해, 처리 용기(12) 내의 처리 공간(S)을 원하는 진공도까지 감압할 수 있다.
대(14a)는 고주파 전극을 겸하고 있다. 대(14a)에는, 매칭 유닛(60) 및 급전 막대(62)를 통해, RF 바이어스용 고주파 전원(58)이 전기적으로 접속되어 있다. 고주파 전원(58)은, 피처리 기체(W)에 인입되는 이온의 에너지를 제어하는 데 알맞은 일정한 주파수, 예컨대, 13.65 MHz의 고주파 전력을 정해진 파워로 출력한다. 매칭 유닛(60)은, 고주파 전원(58) 측의 임피던스와, 주로 전극, 플라즈마, 처리 용기(12)와 같은 부하(負荷) 측의 임피던스 사이에서 정합을 취하기 위한 정합기를 수용하고 있다. 이 정합기 중에 자기 바이어스 생성용 블로킹 콘덴서가 포함되어 있다.
대(14a)의 상면에는, 정전 척(14c)이 설치되어 있다. 정전 척(14c)은 피처리 기체(W)를 정전 흡착력으로 유지한다. 정전 척(14c)의 직경 방향 외측에는, 피처리 기체(W)의 주위를 환형으로 둘러싸는 포커스 링(14b)이 설치되어 있다. 정전 척(14c)은, 전극(14d), 절연막(14e) 및 절연막(14f)을 포함한다. 전극(14d)은 도전막에 의해 구성되어 있고, 절연막(14e)과 절연막(14f) 사이에 설치되어 있다. 전극(14d)에는, 고압의 직류 전원(64)이 스위치(66) 및 피복선(68)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 정전 척(14c)은, 직류 전원(64)으로부터 인가되는 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롱력에 의해, 피처리 기체(W)를 흡착 유지할 수 있다.
대(14a)의 내부에는, 둘레 방향으로 연장되는 환형의 냉매실(14g)이 설치되어 있다. 이 냉매실(14g)에는, 칠러 유닛(도시하지 않음)으로부터 배관(70, 72)을 통해 정해진 온도의 냉매, 예컨대 냉각수가 순환 공급된다. 냉매의 온도에 의해 정전 척(14c)의 전열 가스, 예컨대 He 가스가 가스 공급관(74)을 통해 정전 척(14c)의 상면과 피처리 기체(W)의 이면 사이에 공급된다.
여기서, 도 2 및 도 3을 참조하여, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 관해서 보다 상세하게 설명한다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다. 도 3은 제1 실시형태에 따른 인젝터를 축선(X) 방향에서 본 평면도이다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 유전체 부재(16)에는, 축선(X)을 따라서 위쪽에서부터 순서대로 수용 오목부(16s) 및 관통 구멍(16a)이 형성되어 있다. 관통 구멍(16a)은 수용 오목부(16s)와 처리 공간(S)을 연통시키고 있다.
수용 오목부(16s)는, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)를 밀폐하는 면과 반대쪽의 면에 형성된다. 수용 오목부(16s)에는 인젝터(22)가 수용된다. 또한, 수용 오목부(16s)에는, 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 환형의 홈부(16i)가 형성된다. 홈부(16i)는 제1 홈부의 일례이다.
인젝터(22)는, 유전체 부재(16)의 수용 오목부(16s)에 있어서, 배관 부재(24)의 선단의 아래쪽에 수용된다. 인젝터(22)는 도전체로 제조되며, 축선(X)을 중심축으로 하는 대략 원판형으로 형성된다. 인젝터(22)는 예컨대 알루미늄 또는 스테인리스로 제조된다.
인젝터(22)는 본체부(22a)와 융기부(22b)를 갖는다. 본체부(22a)에는, 배관 부재(24) 측의 표면에서부터 관통 구멍(16a) 측의 표면까지 연장되는 관통 구멍(22c)이 형성된다. 관통 구멍(22c)은, 배관 부재(24)로부터의 처리 가스를 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 공급한다. 융기부(22b)는, 본체부(22a)로부터 유전체 부재(16)의 홈부(16i)를 향해 융기한다. 즉, 관통 구멍(16a)을 둘러싸는 유전체 부재(16)의 홈부(16i)를 향해 도전체로 제조된 융기부(22b)가 융기됨으로써, 융기부(22b)는, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파를 차폐하는 전계 차폐 부재로서 기능한다.
인젝터(22)의 내부에는, 도파판(23)이 설치된다. 도파판(23)은 유전체로 제조되며, 축선(X)을 중심축으로 하는 대략 원통형으로 형성된다. 도파판(23)은 예컨대 알루미나 또는 석영으로 제조된다. 도파판(23)은, 유전체 부재(16)를 구성하는 유전체와 동일한 유전체 혹은 다른 유전체에 의해 형성된다. 예컨대, 유전체 부재(16) 및 도파판(23)을 알루미나로 형성할 수 있다. 또한, 유전체 부재(16)를 석영으로, 도파판(23)을 알루미나로 형성할 수 있다.
도파판(23)은 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 인젝터(22)의 내부에 배치된다. 상세하게는, 도파판(23)은, 인젝터(22)의 융기부(22b)에 매설됨으로써, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 인젝터(22)의 내부에 배치된다. 보다 상세하게는, 도파판(23)은, 일단면(一端面)이 유전체 부재(16)의 홈부(16i) 측에 노출된 상태로 인젝터(22)의 융기부(22b)에 매설됨으로써, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 인젝터(22)의 내부에 배치된다. 도파판(23)의 홈부(16i) 측에 노출된 일단면은, 유전체 부재(16)에 접촉하도록 배치되더라도 좋다. 도파판(23)은, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파를 유전체 부재(16)의 홈부(16i) 측으로 노출된 일단면으로부터 인젝터(22) 내부 측의 타단면으로 도파시킨다. 도파판(23)에 의해 마이크로파가 인젝터(22)의 내부 측으로 도파되면, 인젝터(22)의 내부에 있어서 마이크로파의 정재파가 발생하여, 마이크로파끼리 서로 상쇄된다. 바꿔 말하면, 도파판(23)에 의해 마이크로파가 인젝터(22)의 내부 측으로 도파됨으로써, 마이크로파가 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하기 어렵게 된다.
또한, 도파판(23)의 내부를 전파하는 마이크로파의 파장을 λ라고 하면, 도파판(23)의 높이(L)는 λ/4이다. 도파판(23)의 높이(L)는, 유전체 부재(16)의 홈부(16i) 측에 노출된 도파판(23)의 일단면에서부터, 인젝터(22)의 융기부(22b)에 매립된 도파판(23)의 타단면까지의 거리이다. 즉, 도파판(23)의 높이(L)를 λ/4로 함으로써, 도파판(23)에 의해 인젝터(22)의 내부 측으로 도파된 마이크로파의 정재파의 발생율이 향상되기 때문에, 마이크로파끼리의 상쇄가 촉진된다.
또한, 도파판(23)의 내부를 전파하는 마이크로파의 파장을 λ라고 하면, 도파판(23)의 두께(t)는 λ/8 이상 λ/4 이하이다. 즉, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8 이상 λ/4 이하로 함으로써, 마이크로파가 도파판(23)을 통해 인젝터(22)의 내부 측으로 도파되기 쉽게 된다.
도파판(23)은, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)으로부터 멀어지는 방향을 따라서 인젝터(22)의 내부에 복수 배치된다. 보다 상세하게는, 도파판(23)은, 원판형의 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 인젝터(22)의 내부에 복수 배치된다. 본 실시형태에서는, 3개의 도파판(23)이, 원판형의 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 인젝터(22)의 내부에 배치된다. 각 도파판(23)은, 인젝터(22)의 직경 방향의 내측을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파를 인젝터(22)의 내부 측으로 도파시킨다. 이에 따라, 인젝터(22)의 직경 방향의 내측을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파가 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하기 어렵게 된다.
본 실시형태와 같이 인젝터(22)의 내부에 도파판(23)을 배치함으로써, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파의 증대를 억제할 수 있다. 그 결과, 본 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 도파판(23)은, 유전체 부재(16)의 홈부(16i)를 향해 융기하는, 인젝터(22)의 융기부(22b)에 매설됨으로써, 인젝터(22)의 내부에 배치된다. 이 때문에, 본 실시형태에 따르면, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파를 인젝터(22)의 융기부(22b)에 의해 차폐하면서, 도파판(23)을 통해 인젝터(22)의 내부 측으로 도파시킬 수 있다. 그 결과, 본 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 한층 더 저감시킬 수 있다.
한편, 전술한 설명에서는, 도파판(23)은, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)으로부터 멀어지는 방향을 따라서 인젝터(22)의 내부에 복수 배치되는 실시형태를 일례로서 나타냈지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 도파판(23)은 인젝터(22)의 내부에 하나만 배치되더라도 좋다.
이어서, 도 4~도 10을 참조하여, 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에 의한 효과에 관해서 설명한다. 여기서는, 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에 의한 효과(시뮬레이션 결과)를 설명하기 전에, 제1 실시형태에 있어서의 시뮬레이션 모델에 관해서 설명한다. 도 4a 및 도 4b는 제1 실시형태에 있어서의 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 4a에 도시한 시뮬레이션 모델(100)은, 도 2에 도시한 단면도의 우측 절반에 대응하는 모델이다. 구체적으로는, 시뮬레이션 모델(100)은 모델(101~106)을 포함한다. 모델(101)은 외측 도체(20a)와 내측 도체(20b) 사이의 공간에 대응하는 모델이다. 모델(102)은 안테나(18)의 유전체판(18a)에 대응하는 모델이다. 모델(103)은 유전체 부재(16)에 대응하는 모델이다. 모델(104)은 처리 공간(S)에 대응하는 모델이다. 모델(105)은 유전체 부재(16)의 수용 오목부(16s)와 인젝터(22) 사이의 공간에 대응하는 모델이다. 모델(106)은 도파판(23)에 대응하는 모델이다.
시뮬레이션 모델(100)의 시뮬레이션 조건은, 모델(101)에 투입되는 마이크로파의 전력, 즉, 외측 도체(20a)와 내측 도체(20b) 사이의 공간에 투입되는 마이크로파의 전력을 3000 (W)으로 했다. 또한, 시뮬레이션 모델(100)의 시뮬레이션 조건은, 모델(104)의 전자 밀도, 즉, 처리 공간(S)의 전자 밀도를 0 (개/m3)으로 했다. 즉, 시뮬레이션 모델(100)의 시뮬레이션 조건은, 유전체 부재(16)에 대응하는 모델(103)과 처리 공간(S)에 대응하는 모델(104)과의 경계면에 마이크로파가 흡수되는 것을 나타낸다.
도 4b에 도시한 시뮬레이션 모델(200)은 기본적으로는 도 4a에 도시한 시뮬레이션 모델(100)에 대응하는 모델이다. 시뮬레이션 모델(200)은, 모델(104) 대신에 모델(204)을 포함하는 점 및 모델(204)에 적용하는 시뮬레이션 조건이 시뮬레이션 모델(100)과 다르다.
시뮬레이션 모델(200)의 시뮬레이션 조건은, 모델(204)의 전자 밀도, 즉, 처리 공간(S)의 전자 밀도를 8.0E+16 (개/m3) 이상으로 했다. 즉, 시뮬레이션 모델(200)의 시뮬레이션 조건은, 유전체 부재(16)에 대응하는 모델(103)과 처리 공간(S)에 대응하는 모델(204)과의 경계면에 마이크로파가 흡수되고, 또한, 마이크로파의 일부가 그 경계면에 반사되는 것을 나타낸다. 여기서, 마이크로파에 의해 여기된 플라즈마는 유전체라고 가정하고, 플라즈마의 유전율은 전자 밀도의 함수로서 계산했다.
한편, 도 4a 및 도 4b에 도시하는 바와 같이, 유전체 부재(16)에 대응하는 모델(103)에는, 전계 강도를 측정하는 대상이 되는 영역으로서, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 대응하는 측정 영역(M)이 설정된 것으로 한다.
또, 도 4a 및 도 4b는, 인젝터(22)의 내부에 하나의 도파판(23)이 배치된 경우를 도시한 것이기 때문에, 도파판(23)에 대응하는 모델(106)의 수가 하나로 되어 있다. 인젝터(22)의 내부에 도파판(23)이 배치되어 있지 않은 경우를 시뮬레이션하는 경우에는, 모델(106)의 수를 0으로 한다. 또한, 인젝터(22)의 내부에 2개 이상의 도파판(23)이 배치된 경우를 시뮬레이션하는 경우에는, 모델(106)의 수를 2개 이상으로 한다.
도 5a~도 5c 및 도 6은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다. 도 5a~도 5c는, 도 4a에 도시한 시뮬레이션 모델(100)에 있어서의, 도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 5a의 시뮬레이션 결과는, 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 인젝터(22)의 내부에 하나의 도파판(23)이 배치된 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 5b의 시뮬레이션 결과는, 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 인젝터(22)의 내부에 2개의 도파판(23)이 배치된 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 한편, 도 5c의 시뮬레이션 결과는, 비교예로서, 인젝터(22)의 내부에 도파판(23)이 배치되어 있지 않은 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 6은, 도 5a~도 5c의 시뮬레이션 결과 중, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 대응하는 측정 영역(M)에 있어서의 시뮬레이션 결과이다.
도 5c 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 도파판(23)이 배치되어 있지 않은 경우, 측정 영역(M)의 전계 강도, 즉, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 「1324.0」 (V/m)으로 되어, 미리 정해진 허용 스펙을 만족하는 것은 아니었다. 이것은, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파 중, 인젝터(22)의 융기부(22b)를 타고 넘어 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파가 증대했기 때문이라고 생각된다.
이에 대하여, 도 5a 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 하나의 도파판(23)이 배치된 경우, 측정 영역(M)의 전계 강도, 즉, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 「229.6」 (V/m)으로 되어, 미리 정해진 허용 스펙을 만족하는 것이었다. 또한, 도 5b 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 2개의 도파판(23)이 배치된 경우, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 「59.4」 (V/m)으로 되어, 미리 정해진 허용 스펙을 만족하는 것이었다. 즉, 도파판(23)을 배치함으로써, 인젝터(22)의 융기부(22b)를 타고 넘어 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파가 증대하는 것을 억제할 수 있었다. 그 결과, 하나의 도파판(23)이 배치된 경우, 도파판(23)이 배치되어 있지 않은 경우와 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 저감시킬 수 있었다. 또한, 2개의 도파판(23)이 배치된 경우, 하나의 도파판(23)이 배치된 경우와 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 더 저감시킬 수 있었다.
도 7a~도 7c 및 도 8은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다. 도 7a~도 7c는, 도 4b에 도시한 시뮬레이션 모델(200)에 있어서의, 도파판의 수에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 7a의 시뮬레이션 결과는, 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서, 인젝터(22)의 내부에 하나의 도파판(23)이 배치된 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 7b의 시뮬레이션 결과는, 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서, 인젝터(22)의 내부에 2개의 도파판(23)이 배치된 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 한편, 도 7c의 시뮬레이션 결과는, 비교예로서, 인젝터(22)의 내부에 도파판(23)이 배치되어 있지 않은 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 8은, 도 7a~도 7c의 시뮬레이션 결과 중, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 대응하는 측정 영역(M)에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 도 8에 있어서, 횡축은 시뮬레이션 모델(200)의 모델(204)에 적용되는 전자 밀도(개/m3)이고, 종축은 전계 강도(V/m)이다. 한편, 도 8의 파선으로 둘러싸이는 영역이, 도 5a~도 5c에 있어서의 측정 영역(M)에 대응한다.
도 7a~도 7c 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 하나의 도파판(23)이 배치된 경우, 도파판(23)이 배치되어 있지 않은 경우와 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 저감시킬 수 있었다. 또한, 2개의 도파판(23)이 배치된 경우, 하나의 도파판(23)이 배치된 경우와 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 더 저감시킬 수 있었다. 즉, 처리 공간(S)의 전자 밀도가 설정된 시뮬레이션 모델(200)을 이용한 시뮬레이션 결과에서는, 처리 공간(S)의 전자 밀도가 설정되어 있지 않은 시뮬레이션 모델(100)을 이용한 시뮬레이션 결과와 같은 경향을 얻을 수 있었다.
도 9a~도 9f 및 도 10은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)를 도시하는 도면이다. 도 9a~도 9f는, 도 4a에 도시한 시뮬레이션 모델(100)에 있어서의, 도파판의 두께에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 9a 및 도 9b의 시뮬레이션 결과는, 도 2 및 도 3에 있어서 인젝터(22)의 내부에 하나의 도파판(23)이 배치되어, 도파판(23) 및 유전체 부재(16)가 알루미나로 제조된 플라즈마 처리 장치(10)를 전제로 하고 있다. 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 내부를 전파하는 마이크로파의 파장(λ)은 39 (mm)이다.
도 9a의 시뮬레이션 결과는, 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8 이상 λ/4 이하인 6 (mm)로 한 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 9b의 시뮬레이션 결과는, 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8 이상 λ/4 이하인 8 (mm)로 한 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다.
한편, 도 9c의 시뮬레이션 결과는, 비교예로서, 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/4를 넘는 10 (mm)로 한 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 9d의 시뮬레이션 결과는, 비교예로서, 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/4를 넘는 12 (mm)로 한 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 9e의 시뮬레이션 결과는, 비교예로서, 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/4를 넘는 14 (mm)로 한 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다. 도 9f의 시뮬레이션 결과는, 비교예로서, 전제가 되는 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8보다 작은 2 (mm)로 한 경우의, 인젝터(22) 및 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 주변에 있어서의 전계 강도의 시뮬레이션 결과이다.
또한, 도 10은, 도 9a~도 9f의 시뮬레이션 결과 중, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 대응하는 측정 영역(M)에 있어서의 시뮬레이션 결과이다.
도 9c~도 9e 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/4를 넘는 값으로 한 경우, 측정 영역(M)의 전계 강도, 즉, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 「529.7」 (V/m) 이상이 되었다. 이 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 미리 정해진 허용 스펙을 만족하는 것은 아니었다. 이것은, 도파판(23)을 통해 인젝터(22)의 내부측에 도파된 마이크로파가 도파판(23)의 외부로 다시 새어나와, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파가 증대했기 때문이라고 생각된다.
또한, 도 9f 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8보다 작은 값으로 한 경우, 측정 영역(M)의 전계 강도, 즉, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 「461.0」 (V/m) 이상이 되었다. 이 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 미리 정해진 허용 스펙을 만족하는 것은 아니었다. 이것은, 마이크로파가 도파판(23)을 통해 인젝터(22)의 내부측으로 도파되기 어렵게 되어, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파가 증대했기 때문이라고 생각된다.
이에 대하여, 도 9a, 도 9b 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8 이상 λ/4 이하로 한 경우, 측정 영역(M)의 전계 강도, 즉, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 「154.4」 (V/m) 또는 「295.4」 (V/m)으로 되었다. 이 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도는 미리 정해진 허용 스펙을 만족하는 것이었다. 즉, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8 이상 λ/4 이하로 함으로써, 마이크로파가 도파판(23)을 통해 인젝터(22)의 내부 측으로 도파되기 쉽게 되는 것이 확인되었다. 그 결과, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8 이상 λ/4 이하로 한 경우, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/4를 넘는 값으로 한 경우와, 도파판(23)의 두께(t)를 λ/8보다 작은 값으로 한 경우과 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 저감시킬 수 있었다.
이상 설명해 온 바와 같이, 제1 실시형태의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 인젝터(22)의 내부에 도파판(23)을 배치하고 있기 때문에, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파의 증대를 억제할 수 있다. 그 결과, 제1 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
(제2 실시형태)
이어서, 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 관해서 설명한다. 도 12는 제2 실시형태에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다. 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 인젝터(22)의 내부에 배치된 복수의 도파판(23)의 형상이 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 다를 뿐이며, 그 밖의 구성은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 마찬가지이다. 따라서, 이하에서는 제1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는 그 설명을 생략한다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서, 제1 실시형태와 마찬가지로, 도파판(23)은, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)으로부터 멀어지는 방향, 바꿔 말하면, 원판형의 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 인젝터(22)의 내부에 복수 배치된다. 본 실시형태에서는, 5개의 도파판(23)이 원판형의 인젝터(22)를 따라서 인젝터(22)의 내부에 배치된다. 도 12에 도시하는 예에서, 5개의 도파판(23)은, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 중심 측으로부터 도파판(23-1), 도파판(23-2), 도파판(23-3), 도파판(23-4) 및 도파판(23-5)으로 나타내어져 있다.
여기서, 제2 실시형태에서, 복수의 도파판(23) 중 적어도 하나의 도파판(23)은, 그 적어도 하나의 도파판(23)에 인접하는 다른 도파판(23)과는 높이가 다르다. 예컨대, 복수의 도파판(23)은, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 중심 측으로부터 멀어질수록 높이가 높아지게 되어 있다. 도 12에 도시하는 예에서는, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 중심측으로부터 도파판(23-1), 도파판(23-2), 도파판(23-3), 도파판(23-4) 및 도파판(23-5)의 순서로 도파판(23)의 높이(L)가 높아지게 되어 있다.
본 실시형태와 같이, 적어도 하나의 도파판(23)의 높이를 인접하는 다른 도파판(23)의 높이와는 다르게 함으로써, 도파판(23)의 일단면에서 인젝터(22)의 내부 측으로 도파되고 또한 도파판(23)의 타단면에서 반사되는 마이크로파의 위상을 다양화할 수 있다. 바꿔 말하면, 본 실시형태에 따르면, 복수의 도파판(23)을 이용하여, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파를 발생시킬 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파의 진행파를, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파에 의해 효율적으로 상쇄할 수 있다. 그 결과, 본 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 효율적으로 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 안정적으로 피할 수 있다.
여기서, 도 13을 이용하여, 적어도 하나의 도파판(23)의 높이와, 인접하는 다른 도파판(23)의 높이가 다른 경우의, 마이크로파의 상쇄의 메카니즘에 관해서 설명한다. 도 13은 마이크로파의 상쇄 메카니즘에 관해서 설명하기 위한 설명도이다. 도 13에서는, 복수의 도파판(23) 중 도파판(23-2)과 도파판(23-3)이 나타내어져 있다. 도 13에 있어서, 도파판(23)의 내부를 전파하는 마이크로파의 파장을 λ라고 하면, 복수의 도파판(23) 중 도파판(23-3)의 높이(L1)가 λ/4이고, 도파판(23-2)의 높이(L2)가 도파판(23-3)의 높이(L1)와는 다른 것으로 한다.
도 13에 도시하는 예에서는, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파로서, 진행파(W1)와, 진행파(W2), 반사파(RW1)와, 반사파(RW2)가 존재한다. 진행파(W1)는, 도파판(23)에 의해 인젝터(22)의 내부측으로 도파되는 일없이 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파이다. 또한, 진행파(W2)는 진행파(W1)가 처리 공간(S) 내의 플라즈마로 반사되어 얻어지는 마이크로파이다. 처리 공간(S) 내의 플라즈마에 의한 반사에 따라, 진행파(W2)의 위상은 진행파(W1)의 위상에 대하여 틀어지고 있다.
또한, 반사파(RW1)는, 유전체 부재(16)의 홈부(16i) 측에 노출된 도파판(23-3)의 일단면으로부터 인젝터(22)의 내부측으로 도파되고 또한 도파판(23-3)의 타단면에서 반사되는 마이크로파이다. 도파판(23-3)의 높이(L1)가 λ/4이기 때문에, 반사파(RW1)의 위상은 도 13에 도시하는 바와 같이 진행파(W1)의 위상에 대하여 λ/2분(즉, π)만큼 어긋나 있다. 이 때문에, 진행파(W1)는 반사파(RW1)에 의해 상쇄된다. 그러나, 진행파(W2)의 위상은, 진행파(W1)의 위상에 대하여 어긋나 있기 때문에, 진행파(W2)는 반사파(RW1)에 의해 상쇄되지 않는다.
또한, 반사파(RW2)는, 유전체 부재(16)의 홈부(16i) 측에 노출된 도파판(23-2)의 일단면으로부터 인젝터(22)의 내부 측으로 도파되고 또한 도파판(23-2)의 타단면에서 반사되는 마이크로파이다. 도파판(23-2)의 높이(L2)와 도파판(23-3)의 높이(L1)가 다르기 때문에, 반사파(RW2)의 위상은 반사파(RW1)의 위상과는 다르다. 여기서, 반사파(RW2)의 위상이, 진행파(W2)의 위상에 대하여 λ/2분(즉, π)만큼 어긋나 있는 것으로 한다. 그렇게 하면, 반사파(RW1)에 의해 상쇄되지 않은 진행파(W2)는 반사파(RW2)에 의해 상쇄된다.
이와 같이, 도파판(23-3)의 높이와, 도파판(23-3)에 인접하는 다른 도파판(23-2)의 높이가 다른 경우, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파(예컨대, 반사파(RW1, RW2))를 발생시키는 것이 가능하다. 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파 발생수가 증가할수록, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파의 진행파(예컨대, 진행파(W1, W2))가 반사파에 의해 상쇄될 가능성이 높아진다. 그래서, 본 실시형태에서는, 복수의 도파판(23) 중 적어도 하나의 도파판(23)의 높이를 인접하는 다른 도파판(23)의 높이와는 다르게 함으로써, 복수의 도파판(23)을 이용하여, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파를 발생시킨다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파에 의해서, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파의 진행파를 효율적으로 상쇄할 수 있다. 그 결과, 본 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 효율적으로 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 안정적으로 피할 수 있다.
한편, 전술한 설명에서, 복수의 도파판(23)은, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 중심측으로부터 멀어질수록 높이가 높아지는 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 예컨대, 복수의 도파판(23)은, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 중심측으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지도록 하더라도 좋다. 또한, 예컨대, 복수의 도파판(23)은 무작위로 높이가 다르도록 하더라도 좋다. 요컨대, 복수의 도파판(23) 중 적어도 하나의 도파판이 그 적어도 하나의 도파판에 인접하는 다른 도파판과는 높이가 다르도록 하면 된다.
이어서, 도 14a~도 14d 및 도 15를 참조하여, 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(복수의 도파판의 형상에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)에 관해서 설명한다. 도 14a~도 14d는 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 14a에 도시하는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 실시예 1로서의 시뮬레이션 모델예 1은, 복수의 도파판(23)이, 인젝터의 직경 방향을 따라서 중심측으로부터 멀어질수록 높이가 높아지는 경우를 나타낸다. 또한, 도 14b에 도시하는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 실시예 2로서의 시뮬레이션 모델예 2는, 복수의 도파판(23)이, 인젝터의 직경 방향을 따라서 중심측으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 경우를 나타낸다.
이에 대하여, 도 14c에 도시하는 바와 같이, 비교예 1로서의 시뮬레이션 모델예 3은 하나의 도파판(23)이 인젝터의 내부에 배치된 경우를 나타낸다. 또한, 도 14d에 도시하는 바와 같이, 비교예 2로서의 시뮬레이션 모델예 4는 복수의 도파판(23)이 인젝터의 직경 방향을 따라서 높이가 일정한 경우를 나타낸다.
한편, 시뮬레이션 모델예 1~4의 시뮬레이션 조건은 어느 것이나 투입구로부터 투입되는 마이크로파의 전력을 3000 (W)으로 했다.
도 15는, 제2 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(복수의 도파판의 형상에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)에 관해서 도시하는 도면이다. 도 15에서는, 도 14a 및 도 14b에서 나타내어지는 실시예 1, 2 및 도 14c 및 도 14d에서 나타내어지는 비교예 1, 2에 있어서의 시뮬레이션 결과를 도시했다. 도 15에서, 「Enlarged+1FIN(ver.1)」은 비교예 1에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 또한, 「Enlarged+5FIN(ver.1)」은 비교예 2에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 또한, 「Enlarged+5FIN(ver.2)」는 실시예 1에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 또한, 「Enlarged+5FIN(ver.3)」은 실시예 2에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 한편, 도 15에서, 횡축은 처리 공간(S)의 전자 밀도(1/m3)이며, 종축은 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도(V/m)이다.
도 15에 도시하는 바와 같이, 복수의 도파판 중 적어도 하나의 도파판의 높이가 인접하는 다른 도파판의 높이와는 다른 실시예 1 및 2에서는, 하나의 도파판을 이용한 비교예 1과 비교하여, 특정 전자 밀도 범위에 걸친 전계 강도가 작아졌다. 또한, 복수의 도파판 중 적어도 하나의 도파판의 높이가 인접하는 다른 도파판의 높이와는 다른 실시예 1 및 2에서는, 높이가 일정한 복수의 도파판을 이용한 비교예 2와 비교하여, 특정 전자 밀도의 범위에 걸친 전계 강도가 작아졌다.
이와 같이, 비교예 1, 2와 실시예 1, 2의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 및 2에서는, 복수의 도파판 중 적어도 하나의 도파판의 높이를 인접하는 다른 도파판의 높이와는 다르게 함으로써, 하나의 도파판을 이용한 경우나 높이가 일정한 복수의 도파판을 이용한 경우와 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 저감시킬 수 있게 되었다.
이상 설명해 온 바와 같이, 제2 실시형태의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 복수의 도파판(23) 중 적어도 하나의 도파판의 높이가 인접하는 다른 도파판의 높이와는 다르기 때문에, 복수의 도파판(23)을 이용하여, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파를 발생시킬 수 있다. 따라서, 제2 실시형태에 따르면, 서로 다른 위상을 갖는 복수의 마이크로파의 반사파에 의해, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파의 진행파를 효율적으로 상쇄할 수 있다. 그 결과, 제2 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 효율적으로 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 안정적으로 피할 수 있다.
(제3 실시형태)
이어서, 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 관해서 설명한다. 도 16은 제3 실시형태에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다. 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a) 부근의 형상이 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 다를 뿐이며, 그 밖의 구성은 제1 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 마찬가지다. 따라서, 이하에서는 제1 실시형태와 같은 구성에 관해서는, 그 설명을 생략한다.
도 16에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서, 유전체 부재(16)는, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 형성된 환형의 홈부(16e)를 갖는다. 홈부(16e)는, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파를 홈부(16e)로 유도하는 기능(이하, 「도파 기능」이라고 함)을 갖는다. 홈부(16e)의 도파 기능은 홈부(16e)에 있어서의 전계 강도를 증대시킨다. 그러면, 홈부(16e)에서는, 플라즈마의 발생이 촉진되어, 결과적으로 홈부(16e)에서 발생한 플라즈마에 의해, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파가 차단된다. 홈부(16e)는 제2 홈부의 일례이다.
여기서, 도 17을 이용하여, 홈부(16e)의 도파 기능에 의한 마이크로파의 차단 메카니즘에 관해서 설명한다. 도 17은 마이크로파의 차단 메카니즘에 관해서 설명하기 위한 설명도이다.
홈부(16e)의 도파 기능에 의해 홈부(16e)에 있어서의 전계 강도가 증대되면, 도 17에 도시하는 바와 같이, 홈부(16e)에서 플라즈마(P)의 발생이 촉진된다. 홈부(16e)에서 발생한 플라즈마(P)는, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파(W10)를 차단한다. 이에 따라, 홈부(16e)를 타고 넘어 관통 구멍(16a)에 침입하는 마이크로파(W11)의 발생이 억제된다. 결과적으로, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도가 저감되어, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 피하게 된다.
이어서, 도 18a~도 18d 및 도 19를 참조하여, 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(유전체 부재의 관통 구멍 부근의 형상에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)에 관해서 설명한다. 도 18a~도 18d는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 시뮬레이션 모델에 관해서 도시하는 도면이다.
도 18a에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 실시예 1로서의 시뮬레이션 모델예 1은, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 2 mm폭의 홈부(16e)가 형성된 경우를 나타낸다. 또한, 도 18b에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 실시예 2로서의 시뮬레이션 모델예 2는, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 4 mm폭의 홈부(16e)가 형성된 경우를 나타낸다. 또한, 도 18c에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과를 검증하기 위한 실시예 3으로서의 시뮬레이션 모델예 1은, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 6 mm폭의 홈부(16e)가 형성된 경우를 나타낸다.
이에 대하여, 도 18d에 도시하는 바와 같이, 비교예 1로서의 시뮬레이션 모델예 4는, 유전체 부재(16)의, 홈부(16e)가 형성되어 있지 않은 경우를 나타낸다.
한편, 시뮬레이션 모델예 1~4의 시뮬레이션 조건은, 어느 것이나 투입구로부터 투입되는 마이크로파의 전력을 3000 (W)으로 했다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 의한 효과(유전체 부재의 관통 구멍 부근의 형상에 따른 전계 강도의 시뮬레이션 결과)에 관해서 도시하는 도면이다. 도 19에서는, 도 18a~도 18c에 나타내어지는 실시예 1~3 및 도 18d에 나타내어지는 비교예 1에 있어서의 시뮬레이션 결과를 도시했다. 도 19에 있어서, 「STD」는 비교예 1에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 또한, 「2 mm폭」은 실시예 1에 있어서의 시뮬레이션 결과이고, 「4 mm폭」은 실시예 2에 있어서의 시뮬레이션 결과이며, 「6 mm폭」은 실시예 3에 있어서의 시뮬레이션 결과이다. 한편, 도 15에 있어서, 종축은, 비교예 1과 실시예 1~3의 각각과의 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도의 비, 바꿔 말하면, 비교예 1의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 1로 한 경우의 실시예 1~3의 각각의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 나타내고 있다.
도 19에 도시하는 바와 같이, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 홈부(16e)가 형성된 실시예 1~3에서는, 홈부(16e)가 형성되지 않는 비교예 1과 비교하여, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도가 작아졌다. 또한, 홈부(16e)의 폭이 넓어질수록, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도가 작아졌다.
이상 설명해 온 바와 같이, 제3 실시형태의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 홈부(16e)가 형성되기 때문에, 홈부(16e)에 있어서의 전계 강도를 증대시킬 수 있다. 이 때문에, 홈부(16e)에서는, 플라즈마의 발생이 촉진되어, 결과적으로 홈부(16e)에서 발생한 플라즈마에 의해, 관통 구멍(16a)을 향해 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파가 차단된다. 그 결과, 제3 실시형태에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 효율적으로 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 보다 안정적으로 피할 수 있다.
이상, 여러 가지 실시형태에 관해서 설명했지만, 본 발명의 사상은 여러 가지 변형 양태를 구성할 수 있다. 예컨대, 전술한 플라즈마 처리 장치(10)는, 플라즈마원으로서 레이디얼 라인 슬롯 안테나로부터 공급되는 마이크로파를 이용하는 플라즈마 처리 장치이지만, 다른 타입의 플라즈마 처리 장치에도 본 발명의 사상을 적용할 수 있다. 예컨대, SWP(Surface Wave Plasma, 표면파 플라즈마)형의 플라즈마 처리 장치에 있어서의 유전체창 내에 전술한 인젝터 및 도파판이 이용되더라도 좋다. 또한, ECR(Electron Cyclotron Resonance, 전자 사이클로트론 공명)형의 플라즈마 처리 장치에 있어서의 유전체창 내에 전술한 인젝터 및 도파판이 이용되더라도 좋다.
또한, 전술한 설명에서는, 도파판(23)을 인젝터(22)의 내부에 복수 배치하고, 각 도파판(23)을 축선(X)을 중심축으로 하는 대략 원통형으로 연속적으로 형성한 실시형태를 일례로서 나타냈지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 이하, 도파판(23)의 변형예에 관해서 설명한다. 도 11은 변형예에 따른 도파판을 포함한 인젝터를 축선(X) 방향에서 본 평면도이다.
도 11에 도시하는 바와 같이, 도파판(230)은, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)으로부터 멀어지는 방향, 바꿔 말하면, 원판형의 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 인젝터(22)의 내부에 복수 배치된다. 한편, 도파판(230)은, 설명의 편의상, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 가장 내측에 배치된 것을 도파판(230-1)으로 한다. 또한, 도파판(230)은, 인젝터(22)의 직경 방향을 따라서 가장 외측에 배치된 것을 도파판(230-3)으로 한다. 또한, 도파판(230)은, 도파판(230-1)과 도파판(230-3)의 중간에 배치된 것을 도파판(230-2)으로 한다. 또한, 도파판(230-1~230-3)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 단순히 도파판(230)이라고 한다.
각 도파판(230)은, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 주위를 도는 방향, 바꿔 말하면, 원판형의 인젝터(22)의 원주 방향을 따라서 정해진 간극을 두고서 서로 인접하는 복수의 단편(230a)을 포함한다. 각 단편(230a)은, 다른 도파판(230)에 포함되는 다른 단편(230a)끼리의 간극을 차폐하는 위치에 배치된다. 예컨대, 도파판(230-1)에 포함되는 단편(230a)은, 도파판(230-2)에 포함되는 단편(230a)끼리의 간극을 차폐하는 위치에 배치된다. 또한, 도파판(230-2)에 포함되는 단편(230a)은, 도파판(230-3)에 포함되는 단편(230a)끼리의 간극을 차폐하는 위치에 배치된다. 이와 같이, 변형예에 따른 도파판(230)은, 대략 원통형으로 연속적으로 형성되는 것은 아니며, 원판형 인젝터(22)의 원주 방향을 따라서 복수의 단편(230a)을 배치한다.
변형예의 도파판(230)에 따르면, 인젝터(22)의 원주 방향을 따라서 복수의 단편(230a)을 배치함으로써, 인젝터(22)의 원주 방향을 따라서 유전체 부재(16)의 내부를 전파하는 마이크로파를 국소적으로 인젝터(22)의 내부 측으로 도파시킬 수 있다. 이 때문에, 변형예의 도파판(230)에 따르면, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)에 도달하는 마이크로파의 증대를 억제할 수 있다. 그 결과, 변형예의 도파판(230)에 따르면, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 한층 더 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서 이상 방전이 발생하는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 제1 실시형태 및 제2 실시형태에서는, 인젝터(22)에 도파판(23)을 설치하는 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되지 않는다. 도파판(23)과 유전체 부재(16)가 일체적으로 형성되더라도 좋다. 이 경우, 인젝터(22)로부터 유전체 부재(16)의 홈부(16i) 측에 노출된, 도파판(23)의 일단면과, 유전체 부재(16)의 홈부(16i)가 연접(連接)되도록 도파판(23)과 유전체 부재(16)가 일체적으로 형성된다.
또한, 상기 제2 실시형태에서는, 복수의 도파판(23) 중 적어도 하나의 도파판이, 그 적어도 하나의 도파판에 인접하는 다른 도파판과는 높이가 다른 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 예컨대, 복수의 도파판(23) 중 적어도 하나의 도파판(23)은, 그 적어도 하나의 도파판(23)에 인접하는 다른 도파판(23)과는 두께가 다른 것으로 하여도 좋다. 또한, 예컨대, 복수의 도파판(23) 중 적어도 한 쌍의 도파판(23)은, 그 적어도 한 쌍의 도파판(23)에 인접하는 다른 한 쌍의 도파판(23)과는 간격이 다른 것으로 하여도 좋다.
또한, 상기 제3 실시형태에서는, 인젝터(22)의 내부에 유전체제의 도파판(23)이 배치되고, 유전체 부재(16)의 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에 홈부(16e)가 형성되는 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 예컨대, 인젝터(22)의 내부에 유전체제의 도파판(23)이 배치되지 않더라도 좋다. 이하, 제3 실시형태의 변형예 1에 관해서 설명한다. 도 20은 제3 실시형태의 변형예 1에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 20에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태의 변형예 1에서는, 제3 실시형태와 마찬가지로, 유전체 부재(16)가, 유전체 부재(16)의, 처리 공간(S)을 밀폐하는 면에, 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)을 둘러싸도록 형성된 환형의 홈부(16e)를 갖는다. 그러나, 제3 실시형태의 변형예 1에서는, 인젝터(22)의 내부에 유전체제의 도파판(23)이 배치되지 않는다.
제3 실시형태의 변형예 1에 따르면, 제3 실시형태와 마찬가지로, 플라즈마화되는 처리 가스를 공급하기 위한 경로가 되는 유전체 부재(16)의 관통 구멍(16a)의 전계 강도를 효율적으로 저감시킬 수 있기 때문에, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 보다 안정적으로 피할 수 있다.
또한, 상기 제3 실시형태의 변형예 1에서는, 유전체 부재(16)가 하나의 유전체에 의해 형성되는 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 예컨대, 유전체 부재(16)의 본체와, 관통 구멍(16a)이 형성되는 부재가 별도의 부재로서 구성되더라도 좋다. 이하, 제3 실시형태의 변형예 2에 관해서 설명한다. 도 21은 제3 실시형태의 변형예 2에 따른 인젝터 및 유전체 부재의 관통 구멍을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 21에 도시하는 유전체 부재(16)에 있어서, 관통 구멍(16a)은, 유전체 부재(16)에 착탈 가능하게 부착되며, 유전체 부재(16)의 일부가 되는 유전체제의 부재(16f)에 형성된다.
제3 실시형태의 변형예 1에 따르면, 관통 구멍(16a)에 있어서의 이상 방전의 발생을 피하고, 관통 구멍(16a)이 형성된 부재(16f)를 용이하게 교환할 수 있게 된다.
10: 플라즈마 처리 장치, 12: 처리 용기, 14: 스테이지, 16: 유전체 부재, 16a: 관통 구멍, 16d: 오목부, 16e: 홈부, 16f: 부재, 16i: 홈부, 16s: 수용 오목부, 18: 안테나, 20: 동축 도파관, 22: 인젝터, 22a: 본체부, 22b: 융기부, 22c: 관통 구멍, 23, 230: 도파판, 230a: 단편, 24: 배관 부재, 30: 마이크로파 발생기, 32: 도파관, 34: 모드 변환기, 36: 냉각 재킷, 40: 가스 공급계, 42: 가스 공급부, 44: 가스 공급계, S: 처리 공간, W: 피처리 기체.

Claims (12)

  1. 처리 공간을 구획하는 처리 용기와,
    플라즈마 여기용 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기와,
    상기 처리 공간을 밀폐하도록 상기 처리 용기에 장착되어, 상기 마이크로파 발생기에 의해 발생되는 마이크로파를 상기 처리 공간으로 도입하는 유전체 부재와,
    상기 유전체 부재의 내부에 설치되어, 상기 마이크로파에 의해 플라즈마화되는 처리 가스를 상기 유전체 부재에 형성된 관통 구멍을 통해 상기 처리 공간에 공급하는 도전체제(製)의 인젝터와,
    상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍을 둘러싸도록 상기 인젝터의 내부에 배치되어, 상기 관통 구멍을 향해 상기 유전체 부재의 내부를 전파하는 상기 마이크로파를 상기 인젝터의 내부 측에 도파하는 유전체제(製)의 도파판을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체 부재는, 상기 유전체 부재의 상기 처리 공간을 밀폐하는 면과 반대쪽의 면에 형성되어, 상기 인젝터가 수용되는 수용 오목부와, 상기 수용 오목부와 상기 처리 공간을 연통시키는 상기 관통 구멍과, 상기 관통 구멍을 둘러싸도록 상기 수용 오목부에 형성된 제1 홈부를 가지며,
    상기 인젝터는, 상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍에 상기 처리 가스를 공급하는 관통 구멍이 형성된 본체부와, 상기 본체부로부터 상기 유전체 부재의 상기 제1 홈부를 향해 융기하는 융기부를 가지며,
    상기 도파판은, 상기 인젝터의 상기 융기부에 매설됨으로써, 상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍을 둘러싸도록 상기 인젝터의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유전체 부재는, 상기 유전체 부재의 상기 처리 공간을 밀폐하는 면에, 상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍을 둘러싸도록 형성된 제2 홈부를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도파판은, 상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍으로부터 멀어지는 방향을 따라서 상기 인젝터의 내부에 복수 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 복수의 상기 도파판 중 적어도 하나의 도파판은, 그 적어도 하나의 도파판에 인접하는 다른 도파판과는 높이가 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 복수의 상기 도파판 중 적어도 하나의 도파판은, 그 적어도 하나의 도파판에 인접하는 다른 도파판과는 두께가 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서, 복수의 상기 도파판 중 적어도 한 쌍의 도파판은, 그 적어도 한 쌍의 도파판에 인접하는 다른 한 쌍의 도파판과는 간격이 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제4항에 있어서, 각 상기 도파판은, 상기 유전체 부재의 상기 관통 구멍의 주위를 도는 방향을 따라서 정해진 간극을 두고서 서로 인접하는 복수의 단편(斷片)을 포함하고,
    각 상기 단편은, 다른 상기 도파판에 포함되는 상기 단편끼리의 간극을 차폐하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도파판의 내부를 전파하는 상기 마이크로파의 파장을 λ라고 하면,
    상기 도파판의 높이는 λ/4인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도파판의 내부를 전파하는 상기 마이크로파의 파장을 λ라고 하면,
    상기 도파판의 두께는 λ/8 이상 λ/4 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
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Families Citing this family (213)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
CN106601580B (zh) * 2015-10-19 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 进气机构及反应腔室
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
CN107731649B (zh) * 2017-10-23 2018-06-08 北京大学 一种多功能半导体掺杂的装置
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7304799B2 (ja) * 2019-11-28 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および配管アセンブリ
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100991164B1 (ko) * 2005-11-29 2010-11-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
JP2602336B2 (ja) * 1989-11-29 1997-04-23 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
TW285746B (ko) * 1994-10-26 1996-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd
WO1999049705A1 (fr) * 1998-03-20 1999-09-30 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement plasmique
US20040221800A1 (en) * 2001-02-27 2004-11-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing
JP3723783B2 (ja) * 2002-06-06 2005-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4472372B2 (ja) * 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
EP2297377B1 (en) 2008-05-30 2017-12-27 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
JP5457109B2 (ja) * 2009-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5955062B2 (ja) 2011-04-25 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3169134U (ja) * 2011-05-02 2011-07-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100991164B1 (ko) * 2005-11-29 2010-11-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

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Publication number Publication date
KR20140106417A (ko) 2014-09-03
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