KR20130056987A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20130056987A
KR20130056987A KR1020110122672A KR20110122672A KR20130056987A KR 20130056987 A KR20130056987 A KR 20130056987A KR 1020110122672 A KR1020110122672 A KR 1020110122672A KR 20110122672 A KR20110122672 A KR 20110122672A KR 20130056987 A KR20130056987 A KR 20130056987A
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홍태기
최진혁
한상철
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삼성전자주식회사
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Abstract

기판을 처리하는 과정에서 챔버 내의 불순물이 기판에 부착되는 현상을 줄일 수 있도록 개선된 구조를 가지는 기판처리장치를 개시한다.
기판처리장치는 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 기판을 수용하는 수용부를 형성하는 측벽과, 측벽의 상부에 결합되어 수용부를 밀폐하는 절연체를 포함하고, 절연체는, 기판과 대향하는 하부면으로부터 수용부의 내측으로 돌출되는 차폐부와, 하부면과 차폐부가 연결되는 부분에 형성되는 곡면부를 포함한다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치에 관한 것이다.
플라즈마를 이용한 기판처리장치는 마이크로파를 이용하여 기판이 수용된 챔버 내에 플라즈마를 생성시켜 기판을 처리하는 장치이다.
기판처리장치는 일반적으로 기판을 수용하며, 그 상부가 개방되는 챔버와, 개방된 챔버의 상부를 덮어 챔버를 밀폐하는 절연체와, 챔버의 내부로 마이크로파를 공급하기 위한 마이크로파 생성장치를 포함하여 구성된다. 마이크로파 생성장치에서 생성된 마이크로파는 절연체를 투과하여 챔버 내에 공급된 가스와 반응하여 플라즈마를 생성시키고, 생성된 플라즈마는 기판에 산화막을 형성시키거나, 기판이 에칭되도록 하는 등의 기판처리과정을 수행하게 된다.
그러나 이러한 기판처리장치는 절연체 내에 강한 전자계 정재파가 형성되고, 특히 절연체와 절연체를 지지하는 챔버가 접하는 부분에 강한 전계의 의한 에너지가 높은 플라즈마가 형성되는 경향이 있다. 그 결과, 절연체와 챔버가 접하는 부분 근방이 플라즈마에 의해서 스퍼터되어 피처리체인 기판에 부착되는 문제가 발생한다. 또한, 절연체와 챔버가 접하는 부분 근방에서는 플라즈마의 질(예를 들면 라디칼 밀도, 플라즈마 밀도, 전자 온도)에 차이가 생겨, 기판처리의 불균일을 초래할 우려가 있다. 이와 같은 현상은 고속 처리를 행하기 위하여 전력을 크게 한 경우에는 더욱 현저해 진다.
본 발명의 일 측면은 기판을 처리하는 과정에서 챔버 내의 불순물이 기판에 부착되는 현상을 줄일 수 있도록 개선된 구조를 가지는 기판처리장치를 제공한다.
또한, 균일하게 기판을 처리할 수 있도록 개선된 구조를 가지는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명의 사상에 따른 기판처리장치는 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판을 수용하는 수용부를 형성하는 측벽;과, 상기 측벽의 상부에 결합되어 상기 수용부를 밀폐하는 절연체;를 포함하고, 상기 절연체는, 상기 기판과 대향하는 하부면으로부터 상기 수용부의 내측으로 돌출되는 차폐부;와, 상기 하부면과 상기 차폐부가 연결되는 부분에 형성되는 곡면부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 하부면은 상기 차폐부에 의해 구획되고, 상기 차폐부의 내측에 위치하는 제1면과, 상기 차폐부의 외측에 위치하며 상기 측벽의 상부에 의해 지지되는 제2면을 포함하며, 상기 기판과 대향하는 상기 차폐부의 단부면을 기준으로 상기 제1면의 깊이와 상기 제2면의 깊이는 서로 동일할 수 있다.
상기 곡면부는 상기 제1면과 상기 차폐부의 내주면이 연결되는 부분에 형성될 수 있다.
상기 곡면부의 곡률반경은 10mm 이상 30mm 이하일 수 있다.
상기 차폐부는, 상기 제2면과 연결되며, 상기 차폐부의 외측 둘레를 형성하는 외주면과, 상기 하부면과 평행하며, 상기 내주면과 상기 외주면을 연결하는 연결면을 포함하고, 상기 연결면의 폭은 20mm 이상 40mm 이하일 수 있다.
상기 차폐부의 외주면과 상기 측벽의 내주면은 소정 거리 이격되어 간극을 형성하고, 상기 간극의 폭은 1mm 이상 2.5mm 이하일 수 있다.
상기 차폐부가 돌출되는 길이는 20mm 이상 50mm 이하일 수 있다.
또한 본 발명의 사상에 따른 기판처리장치는, 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서, 마이크로파를 생성하는 마이크로파 생성장치;와, 상기 마이크로파 생성장치에서 생성된 마이크로파를 분산시키는 안테나;와, 그 내부에 상기 기판이 배치되며, 상부가 개방되는 챔버;와, 상기 챔버의 상부에 결합되어 상기 챔버를 밀폐하며, 상기 안테나에 의해 분산된 마이크로파가 상기 챔버의 내부에서 플라즈마를 형성할 수 있도록 상기 마이크로파를 투과시키는 투과체;를 포함하고, 상기 투과체는, 그 하부면으로부터 상기 챔버의 내측으로 돌출되는 차폐부;와, 상기 투과체의 하부면과 상기 차폐부의 내주면이 만나는 부분에 형성되는 곡면부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 차폐부는 그 내주면과 외주면을 연결하는 연결면을 포함하고, 상기 연결면은 상기 투과부의 하부면과 평행할 수 있다.
상기 연결면의 폭은 상기 투과체를 지나는 마이크로파의 파장의 1/2 이상 3/4 이하일 수 있다.
상기 투과체는 상기 차폐부의 내측에 위치하는 내측부와, 상기 차폐부의 외측에 위치하는 외측부를 포함하고, 상기 외측부는 상기 챔버의 상부에 의해 지지될 수 있다.
상기 기판과 대향하는 상기 차폐부의 단부면을 기준으로 상기 내측부의 높이와 상기 외측부의 높이는 서로 동일할 수 있다.
상기 챔버는, 상기 기판을 수용하는 수용부를 형성하는 하부측벽과, 상기 하부측벽의 상부에 결합되어 상기 하부측벽과 함께 상기 수용부를 형성하며, 상기 외측부와 접하여 상기 투과체를 지지하는 상부측벽을 포함할 수 있다.
상기 곡면부의 곡률반경은 10mm 이상 30mm 이하일 수 있다.
상기 차폐부의 외주면과 상기 상부측벽의 내주면은 소정 거리 이격되어 간극을 형성하고, 상기 간극의 폭은 1mm 이상 2.5mm 이하일 수 있다.
상기 차폐부의 외주면은 상기 투과체의 하부면과 수직하며, 상기 차폐부의 외주면의 길이는 20mm 이상 50mm 이하일 수 있다.
상기 차폐부의 내주면과 외주면 사이의 거리는 상기 투과체의 하부면과 가까워질수록 점차 커질 수 있다.
또한 본 발명의 사상에 따른 기판처리장치는, 상부가 개방되며 그 내부에 기판이 배치되는 챔버와, 상기 챔버의 상부에 결합되어 상기 챔버를 밀폐하는 절연체를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 절연체는, 상기 기판과 대향하는 하부면으로부터 상기 챔버의 내측으로 돌출되는 차폐부;와, 상기 차폐부의 중심으로부터 상기 차폐부의 반경방향으로 형성되는 리세스부;를 포함하고, 상기 리세스부의 깊이는 상기 차폐부가 돌출되는 길이와 동일한 것을 특징으로 한다.
상기 리세스의 가장자리는 곡면으로 형성되고, 상기 곡면의 곡률반경은 10mm 이상 30mm 이하일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 절연체가 아킹되거나, 절연체와 챔버가 접하는 부분 근방이 플라즈마에 의해서 스퍼터되는 현상이 억제되므로, 기판에 불순물이 부착되는 양이 줄어든다.
또한, 챔버 내에 발생되는 플라즈마의 밀도가 균일하게 되므로, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 도시한 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 도시한 단면도.
도 3은 도 3의 'A' 부분을 확대하여 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에 의해 처리되는 기판 주위의 플라즈마 밀도를 나타낸 그래프.
이하에서는 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리장치(1)는 상부가 개구되는 원통형의 챔버(10)와, 챔버(10)의 상부를 덮어 챔버(10)를 밀폐하는 절연체(30)와, 절연체(30)의 상부에 배치되는 원판 형상의 안테나(60)와, 안테나(60)를 덮는 안테나커버들(40, 50)과, 안테나(60)에 마이크로파를 공급하는 마이크로파 생성장치(80)를 포함하여 구성된다.
챔버(10)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되며, 기판(W)이 수용되는 수용부(16)를 형성하는 하부측벽(15)과, 하부측벽(15)의 상부에 배치되어 절연체(30)를 지지하는 상부측벽(20)을 포함한다. 수용부(16) 하부에는 처리되는 기판(W)을 지지하기 위한 서셉터(90)가 배치된다. 서셉터(90)에는 처리공정온도 제어를 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있으며, 챔버(10)의 외부에 설치된 교류전원(110)으로부터 바이어스된 고주파가 공급된다. 하부측벽(15)과 상부측벽(20), 서셉터(90)는 알루미늄 재질로 형성될 수 있다.
또한, 하부측벽(15)의 측면에는 처리가스 공급원(미도시)으로부터 챔버(10) 내부로 처리가스를 공급하기 위한 노즐과 같은 가스유입구(12)와, 챔버(10) 내의 처리가스를 배출하기 위한 가스배출구(14)가 마련된다. 처리가스로는 아르곤(Ar), 산소(O2), 수소(H2)가 혼합된 가스가 사용될 수 있으며, 아르곤(Ar)을 대신하여 크립톤(Kr), 제논(Xe), 헬륨(He) 등을 사용하는 것도 가능하다.
상부측벽(20)과 상부측벽(20)에 의해 지지되는 절연체(30), 그리고 절연체(30)의 상부 가장자리부분에서 절연체(30)를 누르는 지지부(25)와 절연체(30) 사이에는 각각 오-링(O-Ring)(45)이 삽입되어 챔버(10) 내부가 외부로부터 완전히 밀폐될 수 있도록 한다.
원형의 평판 형태로 마련되는 절연체(30)는 그 가장자리가 상부측벽(20)의 지지면(20a)에 의해 지지되며, 안테나(60)를 통해 전파된 마이크로파는 절연체(30)를 투과하여 챔버(10) 내로 공급된다.
절연체(30)의 재료로는 마이크로파가 투과될 수 있는 석영, 사파이어 등의 세라믹, 결정화된 수정(quartz) 등이 사용될 수 있다.
절연체(30)의 상부에는 안테나(60)가 배치된다. 안테나(60)는 도전성을 가지는 재질, 예를 들면 Ag, Au 등이 도금된 구리의 얇은 원판으로 마련되고, 원판 상에는 다수의 슬릿(미도시)이 마이크로파를 분산, 통과시킬 수 있도록 소용돌이 형상이나 동심원 형상으로 형성된다.
안테나커버들(40, 50)에는 동축 도파관(65)이 매설되고, 동축 도파관(65)은 안테나(60)와 연결되어 마이크로파 생성장치(80)에서 생성된 마이크로파를 안테나(60)로 안내한다.
마이크로파 생성장치(80)에서 생성된 예를 들면 2.45㎓의 마이크로파는 부하 정합기(70), 동축 도파관(65), 안테나(60)를 통과하여, 절연체(30)에 전파된다. 그리고 그 에너지에 의해서 절연체(30)의 하면에 전계가 형성되어, 가스유입구(12)에 의해서 챔버(10) 내에 공급된 처리가스를 플라즈마화 하여, 서셉터(90) 위의 기판(W)에 대하여 소정의 플라즈마 처리(예를 들면 기판(W)에 얇은 산화막이 형성되는 것 등)가 수행된다.
이하에서는 수용부(16) 내에 발생하는 플라즈마의 분포를 균일하게 하고, 아킹이나 스퍼터링이 억제될 수 있도록 하는 절연체(30)의 형상에 대해 자세히 설명한다.
도 3은 도 3의 'A-A' 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 절연체(30)는 안테나(60)를 거친 마이크로파를 챔버(10) 내부로 투과시키는 투과체의 역할을 하는 구성으로, 기판(W)과 대향하는 절연체(30)의 하부면으로부터 챔버(10)가 형성하는 수용부(16)의 내측으로 소정 길이 돌출되는 차폐부(32)와, 차폐부(32)의 중심으로부터 그 반경방향으로 형성되는 리세스부(34)를 포함한다.
차폐부(32)는 그 내측 둘레를 형성하는 내주면(32a)과, 외측 둘레를 형성하는 외주면(32b)과, 내주면(32a)과 외주면(32b)을 연결하는 연결면(32c)을 포함하여 구성된다. 내주면(32a)은 리세스부(34)의 가장자리로 볼 수도 있다.
연결면(32c)은 절연체(30)의 하부면과 평행하며, 연결면(32c)의 폭(D1)은 대략 차폐부(32)를 투과하는 마이크로파의 파장의 1/2 이상 3/4 이하 또는 대략 20mm 이상 40mm 이하인 것이 바람직하다. 연결면(32c)의 폭이 마이크로파의 파장의 반파장, 즉 1/2 보다 작을 경우, 연결면(32c)을 통해 전파되는 마이크로파에 의해 연결면(32c) 주위에 아킹이 발생할 가능성이 높으며, 연결면(32c)의 폭이 마이크로파의 파장의 3/4 보다 클 경우, 전체적으로 연결면(32c) 주위에 마이크로파가 집중되어 플라즈마 밀도가 다른 부분에 비해 커질 가능성이 높기 때문이다.
절연체(30)의 하부면은 차폐부(32)에 의해 차폐부(32)의 내측에 위치하는 제1면(30a)와, 차폐부(32)의 외측(30b)에 위치하는 제2면(30b)으로 구획된다. 제2면(30b)은 상부측벽(20)의 지지면(20a)에 의해 지지된다.
기판(W)과 대향하는 차폐부(32)의 단부면, 즉 연결면(32c)을 기준으로 제1면(30a)의 깊이(h1)와, 제2면(30b)의 깊이(h2)는 서로 동일하다. 따라서 차폐부(32)의 가장자리에서 반사된 마이크로파가 차폐부(32)와 차폐부(32)와 인접한 수용부(16)에 의해 형성되는 경계면, 즉 서로 다른 매질이 인접하는 면 주변의 특정 지점에서 집중되는 현상이 완화되므로, 경계면 주변에서의 강한 전계 또는 고밀도의 플라즈마의 발생이 억제된다.
한편, 연결면(32c)을 기준으로 제1면(30a)의 깊이(h1)는 리세스부(34)의 깊이와 동일하고, 연결면(32c)을 기준으로 제2면(30b)의 깊이(h2)는 차폐부(32)가 절연체(30)의 하부면으로부터 돌출되는 길이(H)와 동일하므로, 리세스부(34)의 깊이와 차폐부(32)가 절연체(30)의 하부면으로부터 돌출되는 길이(H)가 동일하다고 볼 수도 있다.
제1면(30a)과 차폐부(32)의 내주면(32a)이 만나는 부분, 즉 리세스부(34)의 가장자리 부분에는 곡면부(36)가 형성된다.
곡면부(36)는 그 주변에 마이크로파가 집중되는 현상을 완화하여 곡면부(36) 주변에서의 강한 전계 또는 고밀도의 플라즈마의 발생을 억제시킨다. 또한, 곡면부(36)는 수용부(16) 내에서 플라즈마에 의해 생성된 전자 또는 라디칼 등이 차폐부(32)의 가장자리, 즉 상부측벽(15) 또는 하부측벽(16) 쪽으로 이동하거나 확산되는 것을 방지하여 기판(W) 주변의 입자의 밀도 및 균일도를 높임으로써, 기판(W)에 균일한 두께의 산화막이 형성되게 한다.
곡면부(36) 주변에서 발생하는 전계의 강도 또는 플라즈마의 밀도는 곡면부(36)의 곡률을 통해 제어가 가능하며, 곡면부(36) 주변의 아킹 발생을 억제하고, 기판(W)에 균일한 두께의 산화막이 형성되도록 하는 곡면부(36)의 곡률(R)은 대략 10mm 이상 30mm 이하인 것이 바람직하다.
차폐부(32)의 외주면(32b)은 상부측벽(20)의 내주면과 소정 거리 이격되어 간극(D2)를 형성한다. 간극(D2)은 차폐부(32)의 외주면(32b)과 상부측벽(20)의 내주면 사이에서 강한 전계가 형성되는 것을 방지함으로써, 차폐부(32) 가장자리가 아킹에 의해 손상되거나, 차폐부(32) 가장자리 주변의 상부측벽(20)이 스퍼터링에 의해 손상되는 것을 억제한다.
차폐부(32)의 외주면(32b)과 상부측벽(20)의 내주면 사이에서 발생하는 전계의 강도 또는 차폐부(32)의 외주면(32b)과 상부측벽(20)의 내주면 사이의 플라즈마의 밀도는 간극(D2)의 길이를 통해 제어가 가능하며, 차폐부(32) 가장자리의 아킹, 차폐부(32) 가장자리 주변의 상부측벽(20)의 스퍼터링을 효과적으로 억제할 수 있는 간극(D2)의 길이는 대략 1mm 이상 2.5mm 이하가 된다.
또한, 차폐부(32)의 외주면(32b) 및 연결면(32c)은 차폐부(32)의 가장자리와 상부측벽(20)이 접하는 부분 또는 그 주변에서 스퍼터링되어 발생한 이온, 라디칼 등의 입자가 기판(W)에 도달하는 것을 억제한다. 차폐부(32)의 외주면(32b)의 길이는 차폐부(32)가 절연체(30)의 하부면으로부터 돌출되는 길이(H)와 동일하며, 상기와 같이 차폐부(32)의 가장자리와 상부측벽(20)이 접하는 부분 또는 그 주변에서 스퍼터링되어 발생한 이온, 라디칼 등의 입자가 기판(W)에 도달하는 것을 효과적으로 억제하기 위한 차폐부(32)의 외주면(32b)의 길이는 대략 20mm 이상 50mm 이하인 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에 의해 처리되는 기판 주위의 플라즈마 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 4에 도시된 그래프는 차폐부(32)가 돌출되는 길이(H)가 30mm, 연결면(32c)의 폭(D1)이 20mm, 간극(D2)의 길이는 2mm로 동일하며, 곡률반경이 30mm인 곡면부(36)가 있는 경우와 그렇지 않은 경우, 기판(W) 주변에 형성되는 플라즈마의 밀도 분포를 서로 비교한 것이다.
그래프에 나타난 바와 같이, 곡면부(36)가 있는 경우, 기판(W) 중심부에서의 플라즈마의 밀도는 곡면부(36)가 없는 경우와 차이가 거의 없으나, 기판(W)의 가장자리로 갈수록 곡면부(36)가 없는 경우와 차이가 커지며, 곡면부(36)가 있는 경우에 기판(W) 주면의 플라즈마 밀도가 더 균일한 것을 알 수 있다. 이와 같은 결과는 앞서 설명한 바와 같이, 기판(W)의 가장자리 상부에 위치한 차폐부(32)에 의해 그 주변의 플라즈마 밀도가 균일하게 제어되기 때문임을 증명한다.
1 : 기판처리장치 10 : 챔버
15 : 하부측벽 16 : 수용부
20 : 상부측벽 30 : 절연체
32 : 차폐부 34 : 리세스부
36 : 곡면부 40, 50 : 안테나커버
60 : 안테나 70 : 부하 정합기
80 : 마이크로파 생성장치 90 : 서셉터

Claims (19)

  1. 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서,
    상기 기판을 수용하는 수용부를 형성하는 측벽;과,
    상기 측벽의 상부에 결합되어 상기 수용부를 밀폐하는 절연체;를 포함하고, 상기 절연체는,
    상기 기판과 대향하는 하부면으로부터 상기 수용부의 내측으로 돌출되는 차폐부;와,
    상기 하부면과 상기 차폐부가 연결되는 부분에 형성되는 곡면부;를
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부면은 상기 차폐부에 의해 구획되고, 상기 차폐부의 내측에 위치하는 제1면과, 상기 차폐부의 외측에 위치하며 상기 측벽의 상부에 의해 지지되는 제2면을 포함하며,
    상기 기판과 대향하는 상기 차폐부의 단부면을 기준으로 상기 제1면의 깊이와 상기 제2면의 깊이는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 곡면부는 상기 제1면과 상기 차폐부의 내주면이 연결되는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 곡면부의 곡률반경은 10mm 이상 30mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 차폐부는,
    상기 제2면과 연결되며, 상기 차폐부의 외측 둘레를 형성하는 외주면과,
    상기 하부면과 평행하며, 상기 내주면과 상기 외주면을 연결하는 연결면을 포함하고,
    상기 연결면의 폭은 20mm 이상 40mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 차폐부의 외주면과 상기 측벽의 내주면은 소정 거리 이격되어 간극을 형성하고,
    상기 간극의 폭은 1mm 이상 2.5mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 차폐부가 돌출되는 길이는 20mm 이상 50mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 기판처리장치에 있어서,
    마이크로파를 생성하는 마이크로파 생성장치;와,
    상기 마이크로파 생성장치에서 생성된 마이크로파를 분산시키는 안테나;와,
    그 내부에 상기 기판이 배치되며, 상부가 개방되는 챔버;와,
    상기 챔버의 상부에 결합되어 상기 챔버를 밀폐하며, 상기 안테나에 의해 분산된 마이크로파가 상기 챔버의 내부에서 플라즈마를 형성할 수 있도록 상기 마이크로파를 투과시키는 투과체;를 포함하고, 상기 투과체는,
    그 하부면으로부터 상기 챔버의 내측으로 돌출되는 차폐부;와,
    상기 투과체의 하부면과 상기 차폐부의 내주면이 만나는 부분에 형성되는 곡면부;를
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 차폐부는 그 내주면과 외주면을 연결하는 연결면을 포함하고, 상기 연결면은 상기 투과부의 하부면과 평행한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 연결면의 폭은 상기 투과체를 지나는 마이크로파의 파장의 1/2 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 투과체는 상기 차폐부의 내측에 위치하는 내측부와, 상기 차폐부의 외측에 위치하는 외측부를 포함하고,
    상기 외측부는 상기 챔버의 상부에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판과 대향하는 상기 차폐부의 단부면을 기준으로 상기 내측부의 높이와 상기 외측부의 높이는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 기판을 수용하는 수용부를 형성하는 하부측벽과,
    상기 하부측벽의 상부에 결합되어 상기 하부측벽과 함께 상기 수용부를 형성하며, 상기 외측부와 접하여 상기 투과체를 지지하는 상부측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 곡면부의 곡률반경은 10mm 이상 30mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 차폐부의 외주면과 상기 상부측벽의 내주면은 소정 거리 이격되어 간극을 형성하고,
    상기 간극의 폭은 1mm 이상 2.5mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 차폐부의 외주면은 상기 투과체의 하부면과 수직하며, 상기 차폐부의 외주면의 길이는 20mm 이상 50mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 차폐부의 내주면과 외주면 사이의 거리는 상기 투과체의 하부면과 가까워질수록 점차 커지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 상부가 개방되며 그 내부에 기판이 배치되는 챔버와, 상기 챔버의 상부에 결합되어 상기 챔버를 밀폐하는 절연체를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
    상기 절연체는,
    상기 기판과 대향하는 하부면으로부터 상기 챔버의 내측으로 돌출되는 차폐부;와,
    상기 차폐부의 중심으로부터 상기 차폐부의 반경방향으로 형성되는 리세스부;를 포함하고,
    상기 리세스부의 깊이는 상기 차폐부가 돌출되는 길이와 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 리세스의 가장자리는 곡면으로 형성되고, 상기 곡면의 곡률반경은 10mm 이상 30mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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