JP3478266B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- processing apparatus
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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-
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に
対してマイクロ波により生じたプラズマを作用させて処
理を施す際に使用されるプラズマ処理装置に関する。
対してマイクロ波により生じたプラズマを作用させて処
理を施す際に使用されるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製品の高密度化及び高微細
化に伴い半導体製品の製造工程において、成膜、エッチ
ング、アッシング等の処理のためにプラズマ処理装置が
使用される場合があり、特に、０．１〜数１０ｍＴｏｒ
ｒ程度の比較的圧力が低い高真空状態でも安定してプラ
ズマを立てることができることからマイクロ波を用い
て、或いはマイクロ波とリング状のコイルからの磁場と
を組み合わせて高密度プラズマを発生させるマイクロ波
プラズマ装置が使用される傾向にある。このようなプラ
ズマ処理装置は、特開平３−１９１０７３号公報、特開
平５−３４３３３４号公報や本出願人による特開平９−
１８１０５２号公報等に開示されている。ここで、マイ
クロ波を用いた一般的なプラズマ処理装置を図４及び図
５を参照して概略的に説明する。図４は従来の一般的な
プラズマ処理装置を示す構成図、図５は絶縁板の支持部
を示す拡大図である。
化に伴い半導体製品の製造工程において、成膜、エッチ
ング、アッシング等の処理のためにプラズマ処理装置が
使用される場合があり、特に、０．１〜数１０ｍＴｏｒ
ｒ程度の比較的圧力が低い高真空状態でも安定してプラ
ズマを立てることができることからマイクロ波を用い
て、或いはマイクロ波とリング状のコイルからの磁場と
を組み合わせて高密度プラズマを発生させるマイクロ波
プラズマ装置が使用される傾向にある。このようなプラ
ズマ処理装置は、特開平３−１９１０７３号公報、特開
平５−３４３３３４号公報や本出願人による特開平９−
１８１０５２号公報等に開示されている。ここで、マイ
クロ波を用いた一般的なプラズマ処理装置を図４及び図
５を参照して概略的に説明する。図４は従来の一般的な
プラズマ処理装置を示す構成図、図５は絶縁板の支持部
を示す拡大図である。
【０００３】図４において、このプラズマ処理装置２
は、真空引き可能になされた処理容器４内に半導体ウエ
ハＷを載置する載置台６を設けており、この載置台６に
対向する天井部にマイクロ波を透過する例えば円板状の
窒化アルミ等よりなる絶縁板８を気密に設けている。具
体的には、この絶縁板８は、図５にも示すように上記処
理容器４の上端に設けた例えばアルミニウム製のリング
状の支持枠部材１０より半径方向内方へ突出させた支持
棚部１２にＯリング等のシール部材１４を介して気密に
取り付けられている。そして、この絶縁板８の上面に厚
さ数ｍｍ程度の円板状の平面アンテナ部材１６と、必要
に応じてこの平面アンテナ部材１６の半径方向における
マイクロ波の波長を短縮するための例えば誘電体よりな
る遅波材１８を設置している。この遅波材１８の上方に
は、内部に冷却水を流す冷却水流路２０が形成された天
井冷却ジャケット２２が設けられており、遅波材１８等
を冷却するようになっている。そして、アンテナ部材１
６には多数の略円形の、或いはスリット状の貫通孔より
なるマイクロ波放射孔２４が形成されている。そして、
平面アンテナ部材１６の中心部に同軸導波管２６の内部
ケーブル２８を接続して図示しないマイクロ波発生器よ
り発生した、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導く
ようになっている。そして、マイクロ波をアンテナ部材
１６の半径方向へ放射状に伝播させつつアンテナ部材１
６に設けたマイクロ波放射孔２４からマイクロ波を放出
させてこれを絶縁板８に透過させて、下方の処理容器４
内へマイクロ波を導入し、このマイクロ波により処理容
器４内にプラズマを立てて半導体ウエハＷにエッチング
や成膜などの所定のプラズマ処理を施すようになってい
る。
は、真空引き可能になされた処理容器４内に半導体ウエ
ハＷを載置する載置台６を設けており、この載置台６に
対向する天井部にマイクロ波を透過する例えば円板状の
窒化アルミ等よりなる絶縁板８を気密に設けている。具
体的には、この絶縁板８は、図５にも示すように上記処
理容器４の上端に設けた例えばアルミニウム製のリング
状の支持枠部材１０より半径方向内方へ突出させた支持
棚部１２にＯリング等のシール部材１４を介して気密に
取り付けられている。そして、この絶縁板８の上面に厚
さ数ｍｍ程度の円板状の平面アンテナ部材１６と、必要
に応じてこの平面アンテナ部材１６の半径方向における
マイクロ波の波長を短縮するための例えば誘電体よりな
る遅波材１８を設置している。この遅波材１８の上方に
は、内部に冷却水を流す冷却水流路２０が形成された天
井冷却ジャケット２２が設けられており、遅波材１８等
を冷却するようになっている。そして、アンテナ部材１
６には多数の略円形の、或いはスリット状の貫通孔より
なるマイクロ波放射孔２４が形成されている。そして、
平面アンテナ部材１６の中心部に同軸導波管２６の内部
ケーブル２８を接続して図示しないマイクロ波発生器よ
り発生した、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導く
ようになっている。そして、マイクロ波をアンテナ部材
１６の半径方向へ放射状に伝播させつつアンテナ部材１
６に設けたマイクロ波放射孔２４からマイクロ波を放出
させてこれを絶縁板８に透過させて、下方の処理容器４
内へマイクロ波を導入し、このマイクロ波により処理容
器４内にプラズマを立てて半導体ウエハＷにエッチング
や成膜などの所定のプラズマ処理を施すようになってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記平面ア
ンテナ部材１６から放射されたマイクロ波の多くはこの
下方の絶縁板８を透過して処理容器４へ導入されること
になるが、一部のマイクロ波はこの絶縁板８内を半径方
向へ伝播することになり、この現象を回避することは困
難である。この場合、上記絶縁板８の周辺部を保持する
支持枠部材１０は、接地されてグランド電位になってい
ることから、絶縁板８内には、その外周端を節（ノー
ド）とする定在波３０（図５中に模式的に示す）が半径
方向に沿って発生することになる。このため、絶縁板８
の外周端よりも半径方向内方へ僅かな距離だけ内側に位
置する部分には高電圧が発生し、この高電圧部分と上記
支持棚部１２との間で局部的に異常放電３２が発生し、
これによって支持棚部１２の材料であるアルミニウム母
材が削られてしまい、アルミニウム母材中に含まれる他
の金属により半導体ウエハＷが金属汚染されたり、或い
はパーティクルの発生原因にもなっていた。特に、上記
した異常放電３２は、支持棚部１２の内周側の上側角部
Ｐ１や下側角部Ｐ２のように直角や鈍角のようにある角
度でもって曲がっている部分に電界の集中が生ずること
から、これらの角部Ｐ１、Ｐ２において集中的に生ず
る、といった問題があった。本発明は、以上のような問
題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたもの
である。本発明の目的は、絶縁板とこれを支持する支持
枠部材との間の異常放電の発生を抑制することができる
プラズマ処理装置を提供することにある。
ンテナ部材１６から放射されたマイクロ波の多くはこの
下方の絶縁板８を透過して処理容器４へ導入されること
になるが、一部のマイクロ波はこの絶縁板８内を半径方
向へ伝播することになり、この現象を回避することは困
難である。この場合、上記絶縁板８の周辺部を保持する
支持枠部材１０は、接地されてグランド電位になってい
ることから、絶縁板８内には、その外周端を節（ノー
ド）とする定在波３０（図５中に模式的に示す）が半径
方向に沿って発生することになる。このため、絶縁板８
の外周端よりも半径方向内方へ僅かな距離だけ内側に位
置する部分には高電圧が発生し、この高電圧部分と上記
支持棚部１２との間で局部的に異常放電３２が発生し、
これによって支持棚部１２の材料であるアルミニウム母
材が削られてしまい、アルミニウム母材中に含まれる他
の金属により半導体ウエハＷが金属汚染されたり、或い
はパーティクルの発生原因にもなっていた。特に、上記
した異常放電３２は、支持棚部１２の内周側の上側角部
Ｐ１や下側角部Ｐ２のように直角や鈍角のようにある角
度でもって曲がっている部分に電界の集中が生ずること
から、これらの角部Ｐ１、Ｐ２において集中的に生ず
る、といった問題があった。本発明は、以上のような問
題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたもの
である。本発明の目的は、絶縁板とこれを支持する支持
枠部材との間の異常放電の発生を抑制することができる
プラズマ処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理
容器と、前記開口の周縁部に沿って設けられると共に前
記処理容器の中心方向へ突出されたリング状の支持棚部
を有する支持枠部材と、前記支持棚部にその周縁部を支
持させて前記開口を気密に覆うように設けた絶縁板と、
被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた
載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて複数のマイク
ロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁
板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ
部材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供
給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記支持
棚部の内周側の角部は、曲面状に成形されていることを
特徴とするプラズマ処理装置である。これにより、絶縁
板を支持する支持棚部における角部は曲面状になされて
いるので、この部分における電界の集中は緩和されるこ
とになり、結果的に、この角部に集中放電が発生するこ
とを抑制することが可能となる。
天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理
容器と、前記開口の周縁部に沿って設けられると共に前
記処理容器の中心方向へ突出されたリング状の支持棚部
を有する支持枠部材と、前記支持棚部にその周縁部を支
持させて前記開口を気密に覆うように設けた絶縁板と、
被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた
載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて複数のマイク
ロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁
板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ
部材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供
給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記支持
棚部の内周側の角部は、曲面状に成形されていることを
特徴とするプラズマ処理装置である。これにより、絶縁
板を支持する支持棚部における角部は曲面状になされて
いるので、この部分における電界の集中は緩和されるこ
とになり、結果的に、この角部に集中放電が発生するこ
とを抑制することが可能となる。
【０００６】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記角部は、前記支持棚部の内周側の上端の角部
と、下端の角部の内の少なくとも一方である。また、例
えば請求項３に規定するように、前記支持棚部の支持面
には、シール部材を収容するためのシール溝が形成され
ると共に、前記シール溝部の角部は曲面状に成形されて
いるいる。この場合には、シール部材を収容するための
シール溝部の角部を曲面状に成形しているので、この部
分での異常放電の発生も抑制することが可能となる。
に、前記角部は、前記支持棚部の内周側の上端の角部
と、下端の角部の内の少なくとも一方である。また、例
えば請求項３に規定するように、前記支持棚部の支持面
には、シール部材を収容するためのシール溝が形成され
ると共に、前記シール溝部の角部は曲面状に成形されて
いるいる。この場合には、シール部材を収容するための
シール溝部の角部を曲面状に成形しているので、この部
分での異常放電の発生も抑制することが可能となる。
【０００７】また、例えば請求項４に規定するように、
前記支持棚部の内周端は、前記絶縁板内をその半径方向
に沿って伝播するマイクロ波の節の部分に位置されるよ
うにしてもよい。これによれば、角部が位置する支持棚
部の内周端と絶縁板との間にはほとんど電位差が生じな
いので、この部分における異常放電の発生を一層抑制す
ることが可能となる。この場合、例えば請求項５に規定
するように、前記支持棚部の内周端は、前記絶縁板の外
周端より前記マイクロ波の前記絶縁板中における波長の
１／２波長の長さの所に位置するように設定されてい
る。
前記支持棚部の内周端は、前記絶縁板内をその半径方向
に沿って伝播するマイクロ波の節の部分に位置されるよ
うにしてもよい。これによれば、角部が位置する支持棚
部の内周端と絶縁板との間にはほとんど電位差が生じな
いので、この部分における異常放電の発生を一層抑制す
ることが可能となる。この場合、例えば請求項５に規定
するように、前記支持棚部の内周端は、前記絶縁板の外
周端より前記マイクロ波の前記絶縁板中における波長の
１／２波長の長さの所に位置するように設定されてい
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の係るプラズマ処
理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す構成図、
図２は図１に示すプラズマ処理装置の絶縁板の支持部の
近傍を示す部分拡大図である。図示するようにこのプラ
ズマ処理装置３４は、例えば側壁や底部がアルミニウム
等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形された
処理容器３６を有しており、この処理容器３６は接地さ
れると共に内部は密閉された処理空間Ｓとして構成され
ている。
理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す構成図、
図２は図１に示すプラズマ処理装置の絶縁板の支持部の
近傍を示す部分拡大図である。図示するようにこのプラ
ズマ処理装置３４は、例えば側壁や底部がアルミニウム
等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形された
処理容器３６を有しており、この処理容器３６は接地さ
れると共に内部は密閉された処理空間Ｓとして構成され
ている。
【０００９】この処理容器３６内には、上面に被処理体
としての例えば半導体ウエハＷを載置する載置台３８が
収容される。この載置台３８は、例えばアルマイト処理
したアルミニウム等により凸状に平坦になされた略円柱
状に形成されており、この下部は同じくアルミニウム等
により円柱状になされた支持台４０により支持されると
共にこの支持台４０は処理容器３６内の底部に絶縁材４
２を介して設置されている。上記載置台３８の上面に
は、ここにウエハを保持するための静電チャック或いは
クランプ機構（図示せず）が設けられ、この載置台３８
は給電線４４によりマッチングボックス４６を介して例
えば１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周波電源４８に接
続されている。尚、このバイアス用高周波電源４８を設
けない場合もある。
としての例えば半導体ウエハＷを載置する載置台３８が
収容される。この載置台３８は、例えばアルマイト処理
したアルミニウム等により凸状に平坦になされた略円柱
状に形成されており、この下部は同じくアルミニウム等
により円柱状になされた支持台４０により支持されると
共にこの支持台４０は処理容器３６内の底部に絶縁材４
２を介して設置されている。上記載置台３８の上面に
は、ここにウエハを保持するための静電チャック或いは
クランプ機構（図示せず）が設けられ、この載置台３８
は給電線４４によりマッチングボックス４６を介して例
えば１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周波電源４８に接
続されている。尚、このバイアス用高周波電源４８を設
けない場合もある。
【００１０】上記載置台３８を支持する支持台４０に
は、プラズマ処理時のウエハを冷却するための冷却水等
を流す冷却ジャケット５０が設けられる。尚、必要に応
じてこの載置台４０中に加熱用ヒータを設けてもよい。
上記処理容器３６の側壁には、ガス供給手段として、容
器内にプラズマ用ガス、例えばアルゴンガスを供給する
石英パイプ製のプラズマガス供給ノズル５２や処理ガ
ス、例えばデポジションガスを導入するための例えば石
英パイプ製の処理ガス供給ノズル５４が設けられ、これ
らのノズル５２、５４はそれぞれガス供給路５６、５８
によりマスフローコントローラ６０、６２及び開閉弁６
４、６６を介してそれぞれプラズマガス源６８及び処理
ガス源７０に接続されている。処理ガスとしてのデポジ
ションガスは、ＳｉＨ4 、Ｏ2 、Ｎ2 ガス等を用いるこ
とができる。
は、プラズマ処理時のウエハを冷却するための冷却水等
を流す冷却ジャケット５０が設けられる。尚、必要に応
じてこの載置台４０中に加熱用ヒータを設けてもよい。
上記処理容器３６の側壁には、ガス供給手段として、容
器内にプラズマ用ガス、例えばアルゴンガスを供給する
石英パイプ製のプラズマガス供給ノズル５２や処理ガ
ス、例えばデポジションガスを導入するための例えば石
英パイプ製の処理ガス供給ノズル５４が設けられ、これ
らのノズル５２、５４はそれぞれガス供給路５６、５８
によりマスフローコントローラ６０、６２及び開閉弁６
４、６６を介してそれぞれプラズマガス源６８及び処理
ガス源７０に接続されている。処理ガスとしてのデポジ
ションガスは、ＳｉＨ4 、Ｏ2 、Ｎ2 ガス等を用いるこ
とができる。
【００１１】また、容器側壁には、この内部に対してウ
エハを搬入・搬出する時に開閉するゲートバルブ７２が
設けられると共に、この側壁を冷却する冷却ジャケット
７４が設けられる。また、容器底部には、図示されない
真空ポンプに接続された排気口７６が設けられており、
必要に応じて処理容器３６内を所定の圧力まで真空引き
できるようになっている。そして、処理容器３６の天井
部は開口されて、この開口の周縁部に沿って円形リング
状の本発明の特徴とする支持枠部材７８がＯリング等の
シール部材８４を介して設けられており、この支持枠部
材７８に、誘電体として例えばＡｌＮなどのセラミック
材よりなるマイクロ波に対しては透過性を有する厚さが
２０ｍｍ程度の絶縁板８０がＯリング等のシール部材８
２を介して気密に設けられる。尚、上記支持枠部材７８
の絶縁板８０に対する支持構造については後述する。
エハを搬入・搬出する時に開閉するゲートバルブ７２が
設けられると共に、この側壁を冷却する冷却ジャケット
７４が設けられる。また、容器底部には、図示されない
真空ポンプに接続された排気口７６が設けられており、
必要に応じて処理容器３６内を所定の圧力まで真空引き
できるようになっている。そして、処理容器３６の天井
部は開口されて、この開口の周縁部に沿って円形リング
状の本発明の特徴とする支持枠部材７８がＯリング等の
シール部材８４を介して設けられており、この支持枠部
材７８に、誘電体として例えばＡｌＮなどのセラミック
材よりなるマイクロ波に対しては透過性を有する厚さが
２０ｍｍ程度の絶縁板８０がＯリング等のシール部材８
２を介して気密に設けられる。尚、上記支持枠部材７８
の絶縁板８０に対する支持構造については後述する。
【００１２】そして、この絶縁板８０の上方に円板状の
平面アンテナ部材８６と高誘電率特性を有する遅波材８
８とが設けられる。具体的にはこの平面アンテナ部材８
６は、上記処理容器３６と一体的に成形されている中空
円筒状容器よりなる導波箱９０の底板として構成され、
前記処理容器３６内の上記載置台３８に対向させて設け
られる。この導波箱９０の上部の中心には、同軸導波管
９２の外管９２Ａが接続され、内部の内部ケーブル９２
Ｂは上記平面アンテナ部材８６の中心部に接続される。
そして、この同軸導波管９２は、モード変換器９４及び
導波管９６を介して例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波
発生器９８に接続されており、上記平面アンテナ部材８
６へマイクロ波を伝播するようになっている。この周波
数は２．４５ＧＨｚに限定されず、他の周波数、例えば
８．３５ＧＨｚ等を用いてもよい。この導波管として
は、断面円形或いは矩形の導波管や同軸導波管を用いる
ことができ、本実施例では同軸導波管が用いられる。上
記導波箱９０の上部には、内部に冷却水を流す冷却水流
路１００が形成された天井冷却ジャケット１０２が設け
られており、上記遅波材８８等を冷却するようになって
いる。そして、上記導波箱９０内であって、平面アンテ
ナ部材８６の上面には、上記高誘電率特性を有する遅波
材８８を設けて、この波長短縮効果により、マイクロ波
の管内波長を短くしている。この遅波材８８としては、
例えば窒化アルミ等を用いることができる。
平面アンテナ部材８６と高誘電率特性を有する遅波材８
８とが設けられる。具体的にはこの平面アンテナ部材８
６は、上記処理容器３６と一体的に成形されている中空
円筒状容器よりなる導波箱９０の底板として構成され、
前記処理容器３６内の上記載置台３８に対向させて設け
られる。この導波箱９０の上部の中心には、同軸導波管
９２の外管９２Ａが接続され、内部の内部ケーブル９２
Ｂは上記平面アンテナ部材８６の中心部に接続される。
そして、この同軸導波管９２は、モード変換器９４及び
導波管９６を介して例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波
発生器９８に接続されており、上記平面アンテナ部材８
６へマイクロ波を伝播するようになっている。この周波
数は２．４５ＧＨｚに限定されず、他の周波数、例えば
８．３５ＧＨｚ等を用いてもよい。この導波管として
は、断面円形或いは矩形の導波管や同軸導波管を用いる
ことができ、本実施例では同軸導波管が用いられる。上
記導波箱９０の上部には、内部に冷却水を流す冷却水流
路１００が形成された天井冷却ジャケット１０２が設け
られており、上記遅波材８８等を冷却するようになって
いる。そして、上記導波箱９０内であって、平面アンテ
ナ部材８６の上面には、上記高誘電率特性を有する遅波
材８８を設けて、この波長短縮効果により、マイクロ波
の管内波長を短くしている。この遅波材８８としては、
例えば窒化アルミ等を用いることができる。
【００１３】また、上記平面アンテナ部材８６は、８イ
ンチサイズのウエハ対応の場合には、例えば直径が３０
〜４０ｍｍ、厚みが１〜数ｍｍ、例えば５ｍｍの導電性
材料よりなる円板、例えば表面が銀メッキされた銅板或
いはアルミ板よりなり、この円板には例えば長溝のスリ
ット形状、或いは円形状の貫通孔よりなる多数のマイク
ロ波放射孔１０４を同心円状、或いは螺旋状に形成して
いる。また、この平面アンテナ部材８６の周縁部は上記
導波箱９０に接続されて、この周縁部は接地されてい
る。そして、本発明の特徴とする上記支持枠部材７８
は、例えばアルミニウム等により前述のように円形状に
成形されて、この全体は接地されている。この支持枠部
材７８の内周側には、処理容器３６の中心方向へ水平に
突出させたリング状の或いは鍔状の支持棚部１０６が設
けられている。そして、図２にも示すように、この支持
棚部１０６の上面である支持面１０６Ａには、断面凹部
状のシール溝部１０８が処理容器３６の周方向に沿って
リング状に形成されている。そして、このシール溝部１
０８内に、Ｏリング等よりなるシール部材１１０を収容
した状態で上記支持面１０６Ａに上記絶縁板８０の下面
の周縁部を当接させて支持することにより、処理容器３
６の天井部の開口を気密に閉じるようになっている。そ
して、特に、本実施例ではこの支持棚部１０６の内周側
の上端の角部Ｐ３と下端の角部Ｐ４は、共に曲面状に成
形されており、ここに電界集中が生じないようになされ
ている。具体的には、上記各角部Ｐ３、Ｐ４は、半径が
１ｍｍ以上の曲率の曲面に形成するのが良く、その上限
は、この支持棚部１０６の厚さＨ１を考慮すると、１０
ｍｍ程度である。本実施例では、上端の角部Ｐ３の曲率
は３ｍｍ程度に、下端の角部Ｐ４の曲率は５ｍｍ程度に
それぞれ設定されている。また、上記支持棚部１０６の
厚さＨ１は２０ｍｍ程度に設定されている。
ンチサイズのウエハ対応の場合には、例えば直径が３０
〜４０ｍｍ、厚みが１〜数ｍｍ、例えば５ｍｍの導電性
材料よりなる円板、例えば表面が銀メッキされた銅板或
いはアルミ板よりなり、この円板には例えば長溝のスリ
ット形状、或いは円形状の貫通孔よりなる多数のマイク
ロ波放射孔１０４を同心円状、或いは螺旋状に形成して
いる。また、この平面アンテナ部材８６の周縁部は上記
導波箱９０に接続されて、この周縁部は接地されてい
る。そして、本発明の特徴とする上記支持枠部材７８
は、例えばアルミニウム等により前述のように円形状に
成形されて、この全体は接地されている。この支持枠部
材７８の内周側には、処理容器３６の中心方向へ水平に
突出させたリング状の或いは鍔状の支持棚部１０６が設
けられている。そして、図２にも示すように、この支持
棚部１０６の上面である支持面１０６Ａには、断面凹部
状のシール溝部１０８が処理容器３６の周方向に沿って
リング状に形成されている。そして、このシール溝部１
０８内に、Ｏリング等よりなるシール部材１１０を収容
した状態で上記支持面１０６Ａに上記絶縁板８０の下面
の周縁部を当接させて支持することにより、処理容器３
６の天井部の開口を気密に閉じるようになっている。そ
して、特に、本実施例ではこの支持棚部１０６の内周側
の上端の角部Ｐ３と下端の角部Ｐ４は、共に曲面状に成
形されており、ここに電界集中が生じないようになされ
ている。具体的には、上記各角部Ｐ３、Ｐ４は、半径が
１ｍｍ以上の曲率の曲面に形成するのが良く、その上限
は、この支持棚部１０６の厚さＨ１を考慮すると、１０
ｍｍ程度である。本実施例では、上端の角部Ｐ３の曲率
は３ｍｍ程度に、下端の角部Ｐ４の曲率は５ｍｍ程度に
それぞれ設定されている。また、上記支持棚部１０６の
厚さＨ１は２０ｍｍ程度に設定されている。
【００１４】更に、本実施例では、上記シール部材１１
０を収容するシール溝部１０８の上端の内周側の角部Ｐ
５も曲面状に成形されており、この部分に電界集中が生
じないようにしている。この角部Ｐ５の曲率は、このシ
ール溝部１０８の深さにもよるが、ここでは１ｍｍ程度
である。尚、ここでこのシール溝部１０８の深さは３〜
６ｍｍ程度であり、また、これに収容されるシール部材
１１０の直径は、３〜６ｍｍ程度である。この実施例で
は、各角部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５をそれぞれ曲面状に成形し
たが、これらの内、少なくとも１つの角部を曲面状に成
形することにより、その部分における電界集中を抑制し
て異常放電の発生を抑えることが可能となる。また、本
実施例では、上記支持棚部１０６の内周端１０６Ｂは、
上記絶縁板８０内をその半径方向に沿って伝播するマイ
クロ波の節（ノード）の部分に位置するように設定され
ている。図２においては、このマイクロ波の伝播状態を
模式的に併記しており、接地されている支持枠部材７８
と接する絶縁板８０の外周端を節とする定在波１１２が
立っており、上記支持棚部１０６の内周端１０６Ｂは、
上記絶縁板８０の外周端よりも、マイクロ波の絶縁板８
０中における波長λの１／２波長の長さの所に位置され
ており、ここは上記定在波１１２の節Ｎ１に対応する部
分である。この場合、本実施例では、絶縁板８０の外周
端から節Ｎ１までの距離、すなわち支持棚部１０６の長
さＨ２は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が誘電率が約
８．５の絶縁板８０中を伝播する時の波長λの１／２の
長さであることから、２０ｍｍ程度に設定されている。
これにより、各角部Ｐ３〜Ｐ５と絶縁板８０との間に生
ずる電位差を極力抑制するようになっている。
０を収容するシール溝部１０８の上端の内周側の角部Ｐ
５も曲面状に成形されており、この部分に電界集中が生
じないようにしている。この角部Ｐ５の曲率は、このシ
ール溝部１０８の深さにもよるが、ここでは１ｍｍ程度
である。尚、ここでこのシール溝部１０８の深さは３〜
６ｍｍ程度であり、また、これに収容されるシール部材
１１０の直径は、３〜６ｍｍ程度である。この実施例で
は、各角部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５をそれぞれ曲面状に成形し
たが、これらの内、少なくとも１つの角部を曲面状に成
形することにより、その部分における電界集中を抑制し
て異常放電の発生を抑えることが可能となる。また、本
実施例では、上記支持棚部１０６の内周端１０６Ｂは、
上記絶縁板８０内をその半径方向に沿って伝播するマイ
クロ波の節（ノード）の部分に位置するように設定され
ている。図２においては、このマイクロ波の伝播状態を
模式的に併記しており、接地されている支持枠部材７８
と接する絶縁板８０の外周端を節とする定在波１１２が
立っており、上記支持棚部１０６の内周端１０６Ｂは、
上記絶縁板８０の外周端よりも、マイクロ波の絶縁板８
０中における波長λの１／２波長の長さの所に位置され
ており、ここは上記定在波１１２の節Ｎ１に対応する部
分である。この場合、本実施例では、絶縁板８０の外周
端から節Ｎ１までの距離、すなわち支持棚部１０６の長
さＨ２は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が誘電率が約
８．５の絶縁板８０中を伝播する時の波長λの１／２の
長さであることから、２０ｍｍ程度に設定されている。
これにより、各角部Ｐ３〜Ｐ５と絶縁板８０との間に生
ずる電位差を極力抑制するようになっている。
【００１５】次に、以上のように構成されたプラズマ処
理装置を用いて行なわれる処理方法について説明する。
まず、ゲートバルブ７２を介して半導体ウエハＷを搬送
アーム（図示せず）により処理容器３６内に収容し、リ
フタピン（図示せず）を上下動させることによりウエハ
Ｗを載置台３８の上面の載置面に載置する。そして、処
理容器３６内を所定のプロセス圧力に維持して、プラズ
マガス供給ノズル５２から例えばアルゴンガスを流量制
御しつつ供給すると共に処理ガス供給ノズル５４から例
えばＳｉＨ4 、Ｏ2 、Ｎ2 等のデポジションガスを流量
制御しつつ供給する。同時にマイクロ波発生器９８から
のマイクロ波を、導波管９６及び同軸導波管９２を介し
て平面アンテナ部材８６に供給して処理空間Ｓに、遅波
材８８によって波長が短くされたマイクロ波を導入し、
これによりプラズマを発生させて所定のプラズマ処理、
例えばプラズマＣＶＤによる成膜処理を行う。
理装置を用いて行なわれる処理方法について説明する。
まず、ゲートバルブ７２を介して半導体ウエハＷを搬送
アーム（図示せず）により処理容器３６内に収容し、リ
フタピン（図示せず）を上下動させることによりウエハ
Ｗを載置台３８の上面の載置面に載置する。そして、処
理容器３６内を所定のプロセス圧力に維持して、プラズ
マガス供給ノズル５２から例えばアルゴンガスを流量制
御しつつ供給すると共に処理ガス供給ノズル５４から例
えばＳｉＨ4 、Ｏ2 、Ｎ2 等のデポジションガスを流量
制御しつつ供給する。同時にマイクロ波発生器９８から
のマイクロ波を、導波管９６及び同軸導波管９２を介し
て平面アンテナ部材８６に供給して処理空間Ｓに、遅波
材８８によって波長が短くされたマイクロ波を導入し、
これによりプラズマを発生させて所定のプラズマ処理、
例えばプラズマＣＶＤによる成膜処理を行う。
【００１６】ここで、上記平面アンテナ部材８６から放
射されたマイクロ波の多くはこの下方の絶縁板８０を透
過して処理空間Ｓへ導入されることになるが、一部のマ
イクロ波はこの絶縁板８０内を半径方向へ伝播すること
になる。この場合、上記絶縁板８０の周辺部を保持する
支持枠部材７８は、接地されてグランド電位になってい
ることから、絶縁板８０内には、図２にも示すようにそ
の外周端を節（ノード）とする定在波１１２が半径方向
に沿って発生することになる。従来装置にあっては、支
持棚部側の角部に電界集中が生じて、この部分と絶縁板
との間で異常放電が発生していたが、本発明の場合に
は、この支持棚部１０６の各角部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５は、
それぞれ所定の曲率を持った曲面状に成形されているの
で、電界の集中が抑制されて緩和されることになり、従
って、各角部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５と絶縁板８０との間で局
部的に異常放電が発生することを防止することができ
る。このような異常放電発生防止の効果は、上記各角部
Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５の全てを曲面状に成形するのが最も良
好であるが、絶縁板８０との間の距離がより小さい角部
Ｐ３や角部Ｐ５だけを曲面状に成形するようにしても、
十分な効果を発揮することができる。尚、ちなみに、支
持棚部１０６の内周端１０６Ｂとシール溝部１０８との
間の距離Ｈ３は５ｍｍ程度である。
射されたマイクロ波の多くはこの下方の絶縁板８０を透
過して処理空間Ｓへ導入されることになるが、一部のマ
イクロ波はこの絶縁板８０内を半径方向へ伝播すること
になる。この場合、上記絶縁板８０の周辺部を保持する
支持枠部材７８は、接地されてグランド電位になってい
ることから、絶縁板８０内には、図２にも示すようにそ
の外周端を節（ノード）とする定在波１１２が半径方向
に沿って発生することになる。従来装置にあっては、支
持棚部側の角部に電界集中が生じて、この部分と絶縁板
との間で異常放電が発生していたが、本発明の場合に
は、この支持棚部１０６の各角部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５は、
それぞれ所定の曲率を持った曲面状に成形されているの
で、電界の集中が抑制されて緩和されることになり、従
って、各角部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５と絶縁板８０との間で局
部的に異常放電が発生することを防止することができ
る。このような異常放電発生防止の効果は、上記各角部
Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５の全てを曲面状に成形するのが最も良
好であるが、絶縁板８０との間の距離がより小さい角部
Ｐ３や角部Ｐ５だけを曲面状に成形するようにしても、
十分な効果を発揮することができる。尚、ちなみに、支
持棚部１０６の内周端１０６Ｂとシール溝部１０８との
間の距離Ｈ３は５ｍｍ程度である。
【００１７】更に、本実施例では、上記支持棚部１０６
の内周端１０６Ｂの位置するところを、絶縁板８０中を
伝播するマイクロ波の定在波１１２の電位がゼロとなる
節Ｎ１の所に略一致するように設定しているので、上記
各角部Ｐ２〜Ｐ５と絶縁板８０との間の電位差は非常に
小さくなり、この点よりもこの絶縁板８０と上記各角部
Ｐ２〜Ｐ５との間で局部的に異常放電が発生することを
一層抑制することが可能となる。そして、上述のよう
に、局部的に異常放電が発生することを抑制することに
より、支持棚部１０６の材料であるアルミニウムがスパ
ッタされることがなくなり、パーティクルの発生を抑制
できるのみならず、これに含まれる不純物金属による汚
染の発生も防止することができる。
の内周端１０６Ｂの位置するところを、絶縁板８０中を
伝播するマイクロ波の定在波１１２の電位がゼロとなる
節Ｎ１の所に略一致するように設定しているので、上記
各角部Ｐ２〜Ｐ５と絶縁板８０との間の電位差は非常に
小さくなり、この点よりもこの絶縁板８０と上記各角部
Ｐ２〜Ｐ５との間で局部的に異常放電が発生することを
一層抑制することが可能となる。そして、上述のよう
に、局部的に異常放電が発生することを抑制することに
より、支持棚部１０６の材料であるアルミニウムがスパ
ッタされることがなくなり、パーティクルの発生を抑制
できるのみならず、これに含まれる不純物金属による汚
染の発生も防止することができる。
【００１８】ちなみに、本実施例では絶縁板８０の材料
として窒化アルミを使用していることから、伝播するマ
イクロ波の１／２λ（波長）は約２０ｍｍ（正確には２
０．９ｍｍ）であるが、材料としてアルミナを用いた場
合には１／２λは１８．５ｍｍ、材料として石英を用い
た場合は１／２λは３３．５ｍｍ程度にそれぞれなり、
支持棚部１０６の長さＨ２を、その長さに設定する。以
上のような構成の本発明のプラズマ処理装置を用いて実
際に処理を行って評価をしたところ、従来装置の場合に
は、半導体ウエハ表面におけるアルミニウム原子の個数
は１×１０12個／ｃｍ2 程度であったが、本発明装置の
場合には９×１０9 個／ｃｍ2 程度であり、２桁以上本
発明装置の場合の方が少なく、異常放電によるスパッタ
の発生を大幅に抑制できたことが判明した。
として窒化アルミを使用していることから、伝播するマ
イクロ波の１／２λ（波長）は約２０ｍｍ（正確には２
０．９ｍｍ）であるが、材料としてアルミナを用いた場
合には１／２λは１８．５ｍｍ、材料として石英を用い
た場合は１／２λは３３．５ｍｍ程度にそれぞれなり、
支持棚部１０６の長さＨ２を、その長さに設定する。以
上のような構成の本発明のプラズマ処理装置を用いて実
際に処理を行って評価をしたところ、従来装置の場合に
は、半導体ウエハ表面におけるアルミニウム原子の個数
は１×１０12個／ｃｍ2 程度であったが、本発明装置の
場合には９×１０9 個／ｃｍ2 程度であり、２桁以上本
発明装置の場合の方が少なく、異常放電によるスパッタ
の発生を大幅に抑制できたことが判明した。
【００１９】また、処理後に装置を分解して目視で観察
したところ、従来装置の場合には局部的な異常放電の痕
跡が見られたが、本発明装置の場合にはこのような痕跡
は見られず、良好な結果を得られることが判明した。更
に、上記実施例では支持枠部材７８の構造を、図５に示
す支持枠部材とはかなり異なる構造にしたが、これに限
定されず、図５に示した構造の支持枠部材７８の角部を
曲面状に成形するようにしてもよい。図３は、このよう
な本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す部分拡大図
である。ここでは支持枠部材１２０の全体は、角部を曲
面状に成形した点を除いて図５に示す構造と全く同様に
形成されている。すなわち、この支持枠部材１２０は処
理容器３６の中心側へ突出させて設けた支持棚部１２２
を有しており、その下面１２２Ｃはテーパ状に傾斜させ
て形成されている。そして、この支持棚部１２２の上面
である支持面１２２Ａに凹部状のシール溝１２４を形成
して、この中にＯリング等のシール部材１１０を収容し
ている。
したところ、従来装置の場合には局部的な異常放電の痕
跡が見られたが、本発明装置の場合にはこのような痕跡
は見られず、良好な結果を得られることが判明した。更
に、上記実施例では支持枠部材７８の構造を、図５に示
す支持枠部材とはかなり異なる構造にしたが、これに限
定されず、図５に示した構造の支持枠部材７８の角部を
曲面状に成形するようにしてもよい。図３は、このよう
な本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す部分拡大図
である。ここでは支持枠部材１２０の全体は、角部を曲
面状に成形した点を除いて図５に示す構造と全く同様に
形成されている。すなわち、この支持枠部材１２０は処
理容器３６の中心側へ突出させて設けた支持棚部１２２
を有しており、その下面１２２Ｃはテーパ状に傾斜させ
て形成されている。そして、この支持棚部１２２の上面
である支持面１２２Ａに凹部状のシール溝１２４を形成
して、この中にＯリング等のシール部材１１０を収容し
ている。
【００２０】また、絶縁板８０の周縁部の下面側には、
断面矩形状に切り欠いて形成した係合段部８０Ａが設け
られており、この係合段部８０Ａを、上記シール部材１
１０を介して上記支持棚部１２２の支持面１２２Ａに当
接して気密に支持するようになっている。そして、この
支持棚部１２２の各角部Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８も先の実施例
と同様に曲面上に成形されており、ここに電界の集中が
発生しないようにしている。この場合、上記支持棚部１
２２の容器半径方向への長さＨ５は、図５に示す場合と
同じでもよいが、異常放電の発生をより完全に抑制する
ためには、この長さＨ５をマイクロ波の絶縁板８０中に
おける波長の１／２波長の長さに設定するのがよい。こ
の実施例の場合にも、先の実施例と同様に、電界の集中
を抑制して異常放電が発生することを大幅に抑制するこ
とが可能となる。尚、本実施例では、半導体ウエハに成
膜処理する場合を例にとって説明したが、これに限定さ
れず、プラズマエッチング処理、プラズマアッシング処
理等の他のプラズマ処理にも適用することができる。ま
た、被処理体としても半導体ウエハに限定されず、ガラ
ス基板、ＬＣＤ基板等に対しても適用することができ
る。
断面矩形状に切り欠いて形成した係合段部８０Ａが設け
られており、この係合段部８０Ａを、上記シール部材１
１０を介して上記支持棚部１２２の支持面１２２Ａに当
接して気密に支持するようになっている。そして、この
支持棚部１２２の各角部Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８も先の実施例
と同様に曲面上に成形されており、ここに電界の集中が
発生しないようにしている。この場合、上記支持棚部１
２２の容器半径方向への長さＨ５は、図５に示す場合と
同じでもよいが、異常放電の発生をより完全に抑制する
ためには、この長さＨ５をマイクロ波の絶縁板８０中に
おける波長の１／２波長の長さに設定するのがよい。こ
の実施例の場合にも、先の実施例と同様に、電界の集中
を抑制して異常放電が発生することを大幅に抑制するこ
とが可能となる。尚、本実施例では、半導体ウエハに成
膜処理する場合を例にとって説明したが、これに限定さ
れず、プラズマエッチング処理、プラズマアッシング処
理等の他のプラズマ処理にも適用することができる。ま
た、被処理体としても半導体ウエハに限定されず、ガラ
ス基板、ＬＣＤ基板等に対しても適用することができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。請求項１、２に係る発明によれば、絶
縁板を支持する支持棚部における角部は曲面状になされ
ているので、この部分における電界の集中は緩和される
ことになり、結果的に、この角部に集中放電が発生する
ことを抑制することができる。請求項３に係る発明によ
れば、シール部材を収容するためのシール溝部の角部を
曲面状に成形しているので、この部分での異常放電の発
生も抑制することができる。請求項４、５に係る発明に
よれば、角部が位置する支持棚部の内周端と絶縁板との
間にはほとんど電位差が生じないので、この部分におけ
る異常放電の発生を一層抑制することができる。
処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。請求項１、２に係る発明によれば、絶
縁板を支持する支持棚部における角部は曲面状になされ
ているので、この部分における電界の集中は緩和される
ことになり、結果的に、この角部に集中放電が発生する
ことを抑制することができる。請求項３に係る発明によ
れば、シール部材を収容するためのシール溝部の角部を
曲面状に成形しているので、この部分での異常放電の発
生も抑制することができる。請求項４、５に係る発明に
よれば、角部が位置する支持棚部の内周端と絶縁板との
間にはほとんど電位差が生じないので、この部分におけ
る異常放電の発生を一層抑制することができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す構
成図である。
成図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の絶縁板の支持部
の近傍を示す部分拡大図である。
の近傍を示す部分拡大図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す部分
拡大図である。
拡大図である。
【図４】従来の一般的なプラズマ処理装置を示す構成図
である。
である。
【図５】絶縁板の支持部を示す拡大図である。
３４ プラズマ処理装置
３６ 処理容器
３８ 載置台
５２，５４ ガス供給ノズル
７８ 支持枠部材
８０ 絶縁板
８４ シール部材
８６ 平面アンテナ部材
９８ マイクロ波発生器
１０４ マイクロ波放射孔
１０６ 支持棚部
１０６Ａ 支持面
１０８ シール溝部
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2000−268996（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−167595（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−140469（ＪＰ，Ａ)
特開2000−306890（ＪＰ，Ａ)
特開2000−260747（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/31
B01J 19/08
C23C 16/511
H01L 21/3065
H05H 1/46
Claims (5)
- 【請求項１】 天井部が開口されて内部が真空引き可能
になされた処理容器と、前記開口の周縁部に沿って設け
られると共に前記処理容器の中心方向へ突出されたリン
グ状の支持棚部を有する支持枠部材と、前記支持棚部に
その周縁部を支持させて前記開口を気密に覆うように設
けた絶縁板と、被処理体を載置するために前記処理容器
内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられ
て複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイク
ロ波を前記絶縁板を透過させて前記処理容器内へ導入す
る平面アンテナ部材と、前記処理容器内へ所定のガスを
導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置にお
いて、 前記支持棚部の内周側の角部は、曲面状に成形されてい
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記角部は、前記支持棚部の内周側の上
端の角部と、下端の角部の内の少なくとも一方であるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記支持棚部の支持面には、シール部材
を収容するためのシール溝が形成されると共に、前記シ
ール溝部の角部は曲面状に成形されていることを特徴と
する請求項１または２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記支持棚部の内周端は、前記絶縁板内
をその半径方向に沿って伝播するマイクロ波の節の部分
に位置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記支持棚部の内周端は、前記絶縁板の
外周端より前記マイクロ波の前記絶縁板中における波長
の１／２波長の長さの所に位置するように設定されてい
ることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369311A JP3478266B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | プラズマ処理装置 |
| US10/000,312 US6797111B2 (en) | 2000-12-04 | 2001-12-04 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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