KR100882557B1 - 판형물 지지 방법 - Google Patents

Abstract

연삭에 의해 얇아져 강성(剛性)이 낮아진 판형물(板形物)이라도, 연삭 장치 내에서의 반송 및 카세트에의 수납을, 연삭 장치의 구조에 변경을 가하지 않고 원활하게 실행한다.

판형물을 지지하는 판형물 지지 영역(11)과, 프레임(15)을 고정하는 프레임 고정 영역(13)으로 최소한 구성되는 판형물 지지 부재(10)를 사용하여, 보호 테이프(16)를 통해 프레임(15)과 일체로 된 판형물(W)을 지지하고, 이것을 연삭 장치의 척 테이블(25)에서 흡인 지지하여 연삭을 실행하는 동시에, 연삭 장치 내에서의 반도체 웨이퍼의 반송 및 카세트에의 수납도 판형물 지지 부재(10)에 의해 지지된 상태에서 실행한다.

판형물, 프레임, 보호 테이프, 척 테이블, 반도체 웨이퍼.

Description

판형물 지지 방법{FLAT-OBJECT HOLDING METHOD}

도 1은 본 발명의 판형물 지지 부재의 제1 실시 형태를 나타내는 사시도이다.

도 2는 동 판형물 지지 부재의 단면도이다.

도 3은 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.

도 4는 프레임을 나타내는 사시도이다.

도 5는 판형물 지지 부재에 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼가 지지된 상태를 나타내는 단면도이다.

도 6은 연삭 장치를 나타내는 사시도이다.

도 7은 연삭 장치를 구성하는 척 테이블과, 판형물 지지 부재 및 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.

도 8은 반도체 웨이퍼를 연삭하는 모양을 나타내는 약시적(略示的) 단면도이다.

도 9는 본 발명의 판형물 지지 부재의 제2 실시 형태를 나타내는 사시도이다.

도 10은 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.

도 11은 프레임을 나타내는 사시도이다.

도 12는 판형물 지지 부재에 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼가 지지된 상태를 나타내는 단면도이다.

도 13은 연삭 장치를 구성하는 척 테이블과, 판형물 지지 부재 및 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.

도 14는 본 발명의 판형물 지지 부재에 지지된 반도체 웨이퍼에의 다이싱 테이프의 접착 및 판형물 지지 부재(60) 박리 방법의 제1 예를 나타내는 설명도이다.

도 15는 본 발명의 판형물 지지 부재에 지지된 반도체 웨이퍼에의 다이싱 테이프 접착 및 판형물 지지 부재(60) 박리 방법의 제2 예를 나타내는 설명도이다.

도 16은 협지(挾持) 상태와 해방 상태로 선택 가능하게 구성되는 프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.

도 17은 판형물을 지지한 상태에서 적재 가능하게 구성되는 판형물 지지 부재의 일례를 나타내는 단면도이다.

도 18은 동 적재 가능하게 구성되는 판형물 지지 부재를 적재한 상태를 나타내는 단면도이다.

도 19는 온도 변위 부재가 배치된 판형물 지지 부재의 제1 예를 나타내는 사시도이다.

도 20은 온도 변위 부재가 배치된 판형물 지지 부재의 제2 예를 나타내는 사 시도이다.

도 21은 온도 변위 부재가 배치된 판형물 지지 부재의 제3 예를 나타내는 사시도이다.

도 22는 온도 변위 부재가 배치된 판형물 지지 부재의 제4 예를 나타내는 단면도이다.

도 23은 식별 부재를 구비한 판형물 지지 부재의 제1 예를 나타내는 사시도이다.

도 24는 식별 부재를 구비한 판형물 지지 부재의 제2 예를 나타내는 사시도이다.

도 25는 식별 부재를 구비한 판형물 지지 부재의 제3 예를 나타내는 사시도이다.

도 26은 본 발명의 판형물 지지 부재를 이용한 관리 시스템 구성의 일례를 나타내는 설명도이다.

도 27은 종래의 반도체 웨이퍼 연삭에서의 반도체 웨이퍼 지지 상태를 나타내는 정면도이다.

도 28은 종래의 선(先)다이싱에 의한 연삭에서의 반도체 웨이퍼의 지지 상태를 나타내는 약시적 단면도이다.

도 29는 종래의 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 반도체 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10: 판형물 지지 부재, 11: 판형물 지지 영역, 12: 지지체, 13: 프레임 고정 영역, 13a: 고정부, 14: 관통 구멍, 15: 프레임, 16: 보호 테이프, 17: 수용 개구부, 18: 프레임체, 19: 테이프 접착면, 20: 연삭 장치, 21: 카세트, 22: 반출입 수단, 23: 위치 맞춤 수단, 24: 제1 반송 수단, 25, 26, 27: 척 테이블, 25a: 흡인 영역, 25b: 프레임체, 28: 턴 테이블, 30: 제1 연삭 수단, 31: 벽부, 32: 가이드 레일, 33: 구동원, 34: 지지부, 35: 스핀들, 36: 마운터, 37: 연삭 휠, 38: 연삭 숫돌, 40: 제2 연삭 수단, 41: 가이드 레일, 42: 구동원, 43: 지지부, 44: 스핀들, 45: 마운터, 46: 연삭 휠, 47: 연삭 숫돌, 48: 제2 반송 수단, 50: 카세트, 60: 판형물 지지 부재, 61: 판형물 지지 영역, 62: 지지체, 63: 프레임 고정 영역, 63a: 외주 협지면, 64: 프레임, 65: 보호 테이프, 66: 수용 개구부, 67: 프레임체, 68: 내주 지지면, 70: 척 테이블, 71: 연삭 숫돌, 72: 절삭 홈, 100: 필름형 다이 접착재, 101: 테이블, 102: 롤러, 103: 커터, 104: 다이싱 테이프, 105: 테이블, 106: 다이싱 프레임, 107: 롤러, 108: 커터, 109: 테이블, 110: 로봇 핸드, 111: 프레임, 112: 파지부(把持部), 113: 스프링재, 114: 로봇 핸드, 120: 판형물 지지 부재, 121: 지지면, 122: 오목부, 123: 지지부, 124: 피지지부, 125: 외주면, 126: 프레임, 130, 131, 132: 판형물 지지 부재, 133, 134, 135: 전열선, 136: 접점, 140: 판형물 지지 부재, 141: 파이프 부재, 150: 판형물 지지 부재, 151: 바 코드, 160: 판형물 지지 부재, 161: IC 칩, 170: 판형물 지지 부재, 171: IC 칩, 180: 관리 시스템, 181: 데이터 서버, 182: 웨이퍼 두께 측정 수단, 183: 단말, 184: 판형물 지지 부재 공급 수단, 185: 판형물 지지 부재 두께 측정 수단, 186: 바 코드 판 독 수단, 187: 래미네이터, 188: 보호 테이프 공급 수단, 189: 바 코드 판독 수단, 190: 이탈 수단.

본 발명은 반도체 웨이퍼 등 판형물(板形物)의 지지(支持)에 사용하는 판형물 지지 부재 및 그 사용 방법에 관한 것이다.

IC, LSI 등의 회로가 표면에 복수 형성된 반도체 웨이퍼(W1)는 도 27에 나타내는 것과 같이, 표면에 회로 보호용 보호 테이프(T)가 접착된 상태에서 보호 테이프(T)를 아래로 하여 척 테이블(70)에 지지되고, 회전하는 연삭 숫돌(71)의 작용을 받아 이면(裏面)이 연삭되어 소정의 두께로 형성된다. 특히, 최근에는 휴대 전화기, 노트북형 퍼스널 컴퓨터 등의 소형화, 박형화, 경량화의 요구에 따르기 위해, 두께가 100㎛ 이하, 50㎛ 이하로 되도록 연삭하는 것이 필요하게 되어 있다.

그러나, 반도체 웨이퍼(W1)의 두께가 200㎛∼400㎛로 되도록 연삭되는 경우에는 연삭 후에도 강성(剛性)이 있기 때문에 연삭 장치 내에서의 반송이나 카세트에의 수납을 비교적 원활하게 실행할 수 있지만, 두께가 50㎛∼100㎛로 얇아져 가면 강성이 저하되기 때문에 반송 등이 곤란하게 된다.

또, 도 28에 나타내는 것과 같이, 반도체 웨이퍼(W2) 표면의 스트리트에, 형성하려고 하는 반도체 칩의 두께에 상당하는 깊이의 절삭 홈(72)을 미리 형성해 두 고, 그 후, 절삭 홈이 표출될 때까지 이면을 연삭함으로써 개개의 반도체 칩으로 분할되는, 이른바 선(先)다이싱으로 칭해지는 방법에서는, 연삭에 의해 개개의 반도체 칩으로 분할된 후에는 전혀 강성이 없어, 반도체 웨이퍼의 외형을 유지하는 것이 불가능하게 된다.

상기와 같은 문제점을 회피하기 위해, 반도체 웨이퍼의 표면에, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 같은 비교적 강성이 높은 재질의 보호 테이프를 접착하면, 연삭에 의해 얇아진 반도체 웨이퍼나 선다이싱에 의해 분할된 반도체 웨이퍼를 안정적으로 지지하여 반송이나 카세트에의 수납을 원활하게 실행할 수 있다. 그러나, 이와 같이 강성이 높은 보호 테이프를 사용하면 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 박리하는 것이 곤란하게 된다.

또, 도 29와 같이, 반도체 웨이퍼의 절삭 시와 같이 링형의 프레임(F)에 접착된 보호 테이프(T)의 접착면에 반도체 웨이퍼(W)를 접착하고, 보호 테이프를 통해 이 프레임과 일체로 된 상태로 하면, 반송 및 카세트에의 수납을 원활하게 실행할 수 있어, 얇아진 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 박리할 수 있다. 그러나, 연삭 장치에서 반도체 웨이퍼(W)를 지지하는 척 테이블은 프레임을 지지하는 부위를 구비하고 있지 않기 때문에, 척 테이블의 개조가 필요하게 된다고 하는 문제가 있다.

이와 같이, 반도체 웨이퍼 등의 박형 판형물 연삭에 있어서는, 척 테이블의 개조를 수반하지 않고 반송 등을 원활하게 실행하는 동시에, 연산 후의 보호 테이프로부터의 박리도 용이하게 하는 것에 과제를 가지고 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 구체적 수단으로서 본 발명은 (접착)보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 판형물을 지지하는 판형물 지지 부재로서, 보호 테이프를 통해 흡인력을 전달하여 판형물을 지지하는 판형물 지지 영역과, 프레임을 고정하는 프레임 고정 영역으로 최소한 구성되는 것을 요지로 하는 판형물 지지 부재를 제공한다.

그리고 이 판형물 지지 부재는 판형물 지지 영역이 다공질(多孔質) 부재에 의해 구성되는 것, 프레임은 판형물을 수용하는 수용 개구부와, 상기 수용 개구부를 둘러싸고 보호 테이프가 접착되는 테이프 접착면을 가지고, 프레임 고정 영역은 판형물 지지 영역보다 하방에 형성되는 것, 프레임 고정 영역에서 프레임을 지지 고정했을 때에 상기 프레임의 표면이 판형물 지지 부재보다 하방에 위치하도록 구성되는 것, 프레임 고정 영역은 프레임을 고정하는 고정부와 프레임을 이탈시키는 이탈부로 구성되는 것, 프레임은 판형물을 수용하는 수용 개구부와, 수용 개구부를 둘러싸고 보호 테이프를 내주면에서 지지하는 내주 지지면을 가지고, 프레임 고정 영역은 판형물 지지 영역보다 하방에 형성되고, 내주 지지면을 수납하여 내주 지지면 사이에서 보호 테이프를 협지(挾持)하는 외주 협지면을 구비하는 것, 프레임은 협지 상태와 해방 상태로 선택 가능하게 구성되는 것, 판형물을 지지한 상태에서 적재 가능하게 구성되는 것, 이면(裏面)에는 적층 상태에서의 바로 아래의 판형물 지지 부재에 지지된 판형물을 비접촉으로 수납하는 오목부와, 오목부를 둘러싸고 바로 위의 판형물 지지 부재를 지지하는 적재부와, 오목부를 둘러싸고 바로 아래의 판형물 지지 부재에 지지되는 피적재부가 형성되는 것, 판형물 지지 영역에는 온도 변위 부재가 배치되는 것, 온도 변위 부재는 판형물 지지 영역에서 지지된 판형물의 원하는 부분을 가열 또는 냉각할 수 있도록 배치되는 것, 온도 변위 부재는 온도 매체를 유통시키는 파이프 부재, 전열선, 펠티에 소자 중 어느 하나인 것, 자체를 특정하기 위한 식별 부재를 구비하는 것, 식별 부재는 바 코드, IC 칩 중 어느 하나인 것을 부가적인 요건으로 한다.

또, 본 발명은 판형물을 흡인 지지하는 척 테이블과, 척 테이블에 흡인 지지된 판형물을 연삭하는 연삭 수단을 최소한 구비한 연삭 장치에 있어서, 상기 판형물 지지 부재에 지지된 판형물을 상기 척 테이블에 적재하는 공정과, 연삭 수단에 의해 판형물 지지 부재에 지지된 판형물을 연삭하는 공정과, 연삭 종료 후에 판형물 지지 부재에 지지된 판형물을 척 테이블로부터 반출하는 공정으로 이루어지는 판형물 지지 부재의 사용 방법을 제공한다.

그리고 이 판형물 지지 부재의 사용 방법은 판형물 지지 부재에 지지된 판형물을 연삭하는 공정의 종료 후에, 판형물의 표면에 필름형 다이 접착재를 접착하는 공정과, 필름형 다이 접착재 상에 다이싱 테이프를 접착하는 동시에, 다이싱 테이프의 외주에 다이싱 프레임을 접착하는 공정이 포함되는 것, 필름형 다이 접착재 상에 다이싱 테이프를 접착하는 동시에, 다이싱 테이프의 외주에 다이싱 프레임을 접착한 후에, 프레임과 판형물 지지 부재와 보호 테이프를 판형물로부터 분리하는 공정이 포함되는 것, 판형물은 반도체 웨이퍼, 재배치 배선된 반도체 기판, 재배치 배선되어 수지 밀봉된 반도체 기판인 것을 부가적인 요건으로 한다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 의하면, 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 판형물을 일체적으로 지지할 수 있기 때문에, 얇은 판형물이라도 안정적으로 지지할 수 있다.

또, 판형물과 일체로 된 프레임을 판형물 지지 부재에 의해 지지함으로써, 연삭 장치에서는 프레임을 지지하기 위한 기구가 불필요하게 된다.

먼저, 본 발명의 제1 실시 형태로서, 도 1에 나타내는 판형물 지지 부재(10)에 대하여 설명한다. 이 판형물 지지 부재(10)는 판형물의 형상 및 크기에 대응하여 형성되는 판형물 지지 영역(11)과, 판형물 지지 영역(11)을 외주측으로부터 지지하는, 예를 들면 알루미나 세라믹스 등으로 이루어지는 지지체(12)와, 지지체(12)의 외주 상부에 고착되는 프레임 고정 영역(13)으로 구성된다.

판형물 지지 영역(11)은 다공질 세라믹스 등의 다공질 부재로 형성되어, 연삭되는 판형물을 지지하기 위한 영역이며, 상하 방향으로 에어를 통하게 하는 구성으로 되어 있고, 두께가 수십㎛인 얇은 판형물이라도 안정적으로 지지할 수 있도록 그 두께는, 예를 들면 5mm 정도이며, 상면은 평면형으로 되어 있다.

프레임 고정 영역(13)에는, 후술하는 프레임(15)을 고정하기 위한 고정부(13a), 예를 들면 도시한 예에서는 자석을 가지고 있다. 고정부(13a)로서는, 이 밖에도 양면 테이프, 풀, 클립 나사 등을 사용할 수 있다. 또 프레임 고정 영역(13)에는, 프레임(15)을 이탈시키기 위한 수단, 예를 들면 도시한 예에서는 하방으로부터 핀을 사용하여 밀어 올리기 위한 관통 구멍(14)도 구비하고 있다.

도 2에 나타내는 것과 같이, 판형물 지지 영역(11)은 프레임 고정 영역(13) 보다 두껍게 형성되어 있고, 프레임 고정 영역(13)의 상면은 판형물 지지 영역(11)의 상면보다 낮은 위치로 되어 있다.

한편, 이 판형물 지지 부재(10)에 지지되는 판형물, 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)는 도 3에 나타내는 것과 같이, 중심부가 개구되는 링형 프레임(15)의 이면측인 테이프 접착면에 접착된 보호 테이프(16)의 점착면(粘着面)에 접착되고, 보호 테이프(16)를 통해 프레임(15)과 일체로 되어 지지되어 있다.

이 프레임(15)은 링형으로 형성되고, 도 4에 나타내는 것과 같이, 판형물을 수용하는 수용(중앙) 개구부(17)와, 수용 개구부(17)를 둘러싸는 프레임체(18)의 이면이며 보호 테이프가 접착되는 테이프 접착면(19)을 가지며, 도 3에 나타내는 것과 같이, 보호 테이프(16)가 테이프 접착면(19)에 접착되면 수용 개구부(17)가 막히는 구성으로 되어 있다.

도 5에 나타내는 것과 같이, 보호 테이프(16)를 통해 프레임(15)과 일체로 되어 지지된 상태에서 웨이퍼(W)가 판형물 지지 부재(10)에 적재되면, 프레임 고정 영역(13)의 자석에 의해 프레임(15)이 지지된다. 또 이 때, 반도체 웨이퍼(W)가 판형물 지지 영역(11)에 보호 테이프(16)를 통해 적재된다. 이렇게 하여 프레임 고정 영역(13)에 프레임(15)이 고정된 상태에서는, 반도체 웨이퍼(W)의 이면이 프레임(15)의 표면보다 높은 위치에 있거나, 또는 대략 한 면의 상태로 되어 있다.

도 5와 같이 하여, 보호 테이프(16)를 통해 프레임(15)과 일체로 되어 판형물 지지 부재(10)에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는, 예를 들면 도 6에 나타내는 연삭 장치(20)에서 카세트(21)에 복수 수용된다.

그리고, 반출입 수단(22)에 의해 반출되어 위치 맞춤 수단(23)으로 반송되고, 여기에서 위치 맞춤된 후, 제1 반송 수단(24)에 의해 척 테이블(25)로 반송되어 적재된다.

도 7에 나타내는 것과 같이, 척 테이블(25)은 상하 방향으로 에어를 통하게 하는 다공질 세라믹스 등으로 이루어지는 흡인 영역(25a)과, 흡인 영역(25a)을 외주측으로부터 지지하는 프레임체(25b)로 구성되고, 도시하고 있지 않지만 흡인 영역(25a)의 하방에는 흡인원이 연결되어, 흡인원으로부터 공급되는 흡인력에 의해 판형물 지지 부재(10)를 흡인 지지할 수 있다. 또한, 흡인원으로부터 공급되는 흡인력에 의해 판형물 지지 영역(11)에서 반도체 웨이퍼(W)가 접착된 보호 테이프(T)도 흡인되기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)가 흡인 지지된다. 도 6에 나타낸 척 테이블(26, 27)도 동일하게 구성된다.

도 6을 참조하여 설명을 계속하면, 척 테이블(25, 26, 27)은 각각 회전 가능한 동시에 턴 테이블(28)의 회전에 따라 이동하는 구성으로 되어 있으며, 반도체 웨이퍼(W)를 흡인 지지한 척 테이블(25)에 대해서는 소정 각도(도시한 예에서는 120°) 좌 방향으로 회전함으로써 제1 연산 수단(30)의 바로 아래에 위치하게 된다.

제1 연삭 수단(30)은 벽부(31)에 수직 방향으로 배치된 한 쌍의 가이드 레일(32)에 가이드되어 구동원(33)의 구동에 의해 상하 이동하는 지지부(34)에 지지되고, 지지부(34)의 상하 이동에 따라 상하 이동하는 구성으로 되어 있다. 이 제1 연삭 수단(30)에서는, 회전 가능하게 지지된 스핀들(35)의 선단에 마운터(36) 를 통해 연삭 휠(37)이 장착되어 있고, 연삭 휠(37)의 하부에는 거칠음 연삭용의 연삭 숫돌(38)이 원환형(圓環形)으로 고착되어 있다.

도 8에 나타내는 것과 같이, 제1 연삭 수단(30)의 바로 아래에 위치하게 된 반도체 웨이퍼(W)의 이면은 제1 연삭 수단(30)이 스핀들(35)의 회전을 수반하여 하방으로 연삭 이송되고, 회전하는 연삭 숫돌(38)이 이면에 접촉함으로써 거칠음 연삭된다. 이 때, 프레임 고정 영역(13)이 판형물 지지 영역(11)보다 하방에 형성되어 있기 때문에, 연삭 숫돌(38)이 프레임(15)에 접촉되지 않는다.

다음에, 턴 테이블(28)이 좌회전으로 동일한 만큼 회전함으로써, 거칠음 연삭된 반도체 웨이퍼(W)가 제2 연삭 수단(40)의 바로 아래에 위치하게 된다.

제2 연삭 수단(40)은 벽부(31)에 수직 방향으로 배치된 한 쌍의 가이드 레일(41)에 가이드되어 구동원(42)의 구동에 의해 상하 이동하는 지지부(43)에 지지되고, 지지부(43)의 상하 이동에 따라 상하 이동하는 구성으로 되어 있다. 이 제2 연삭 수단(40)에서는, 회전 가능하게 지지된 스핀들(44)의 선단에 마운터(45)를 통해 연삭 휠(46)이 장착되어 있고, 연삭 휠(46)의 하부에는 마무리 연삭용의 연삭 숫돌(47)이 원환형으로 고착되어 있어, 제1 연삭 수단(30)과는 연삭 숫돌의 종류만이 상이한 구성으로 되어 있다.

제2 연삭 수단(40)의 바로 아래에 위치하게 된 반도체 웨이퍼(W)의 이면은 도 8과 동일하게 제2 연삭 수단(40)이 스핀들(44)의 회전을 따라 하방으로 연삭 이송되고, 회전하는 연삭 숫돌(47)이 이면에 접촉함으로써 마무리 연삭된다.

이면이 마무리 연삭된 반도체 웨이퍼(W)는 제2 반송 수단(48)에 의해 세정 수단(49)으로 반송되고, 여기에서 세정에 의해 연삭 부스러기가 제거된 후에, 반출입 수단(22)에 의해 카세트(50)에 수용된다.

이렇게 하여 카세트(50)에 수용되면, 판형물 지지 영역(11)에서의 흡인은 해제되어 있기 때문에, 이탈부(14)에서 핀을 밀어 올리는 등에 의해, 보호 테이프(16)를 통해 프레임(15)과 일체로 된 반도체 웨이퍼(W)를 판형물 지지 부재(10)로부터 간단히 분리시킬 수 있다. 그리고, 보호 테이프(16)는 종래와 동일하게 강성을 갖지 않기 때문에, 얇아진 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 보호 테이프(16)로부터 용이하게 박리시킬 수 있다.

이와 같이, 연삭 장치(20)에서는 반도체 웨이퍼(W)가 반송되어 가지만, 판형물 지지 부재(10)에 의해 항상 안정적으로 지지되어 있기 때문에, 연삭에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 두께가 100㎛ 이하나 50㎛ 이하로 된 경우라도, 반송 및 카세트(50)에의 수납을 원활히 실행할 수 있다.

또, 보호 테이프(16)와 일체로 된 프레임(15)을 판형물 지지 부재(10)에 의해 지지함으로써, 연삭 장치(20)에서는 프레임(15)을 지지하기 위한 기구가 불필요하게 되기 때문에, 연삭 장치(20)의 척 테이블(25, 26, 27) 구조를 변경할 필요가 없다.

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태로서, 도 9에 나타내는 판형물 지지 부재(60)에 대하여 설명한다.

이 판형물 지지 부재(60)는 판형물 지지 영역(61)과 지지체(62)와 외주 협지면(63a)으로 구성된다. 판형물 지지 영역(61)은 도 1에 나타낸 판형물 지지 부재(10)와 동일하게 다공질 세라믹스 등의 다공질 부재로 형성되고, 연삭되는 판형물을 지지하기 위한 영역이며, 상하 방향으로 에어를 통하게 하는 구성으로 되어 있고, 두께가 수십㎛인 얇은 판형물이라도 안정적으로 지지될 수 있도록, 그 두께는 예를 들면 5mm 정도이며, 상면은 평면형으로 형성되어 있다.

지지체(62)는 판형물 지지 영역(61)을 둘러싸고 지지되어 있으며, 그 상면은 판형물 지지 영역(61)으로부터 외주 협지면(63a)을 가지는 프레임 고정 영역(63)의 상단에 걸쳐 테이퍼형으로 형성되어 있고, 프레임 고정 영역(63)은 판형물 지지 영역(61)보다 하방에 형성되어 있다.

한편, 이 판형물 지지 부재(60)에 지지되는 반도체 웨이퍼(W)는, 도 10에 나타내는 것과 같이, 중심부가 개구되는 링형 프레임(64)의 이면측에 접착된 보호 테이프(65)의 점착면에 접착되고, 보호 테이프(65)를 통해 프레임(64)과 일체로 되어 있다.

프레임(64)은 링형으로 형성되고, 도 11에 나타내는 것과 같이, 판형물을 수용하는 수용 개구부(66)와, 수용 개구부(66)를 둘러싸는 프레임체(67)의 내주면인 내주 지지면(68)을 구비하고 있다. 내주 지지면(68)의 직경은 판형물 지지 부재(60)의 외주 협지면(63a)의 직경보다 약간 크게 되어 있다.

도 12에 나타내는 것과 같이, 내주 지지면(68)을 판형물 지지 부재(60)의 외주 협지면(63a)에 끼워 맞추면, 프레임(64)과 판형물 지지 부재(60)가 일체로 되어, 반도체 웨이퍼(W)가 판형물 지지 영역(61)에 적재되어 지지된다.

이 상태에서, 도 13에 나타내는 것과 같이 척 테이블(25)에 적재하면, 흡인 영역(25a)에서 판형물 지지 영역(61)을 통해 반도체 웨이퍼(W)가 흡인 지지된다. 따라서, 예를 들면, 도 6에 나타낸 연삭 장치에서 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 연삭할 때에는, 반도체 웨이퍼(W)가 안정적으로 지지된다. 따라서, 얇게 연삭된 후라도 반송 및 카세트(50)에의 수납을 원활하게 실행할 수 있다.

그리고, 카세트(50)에 수납되었을 때는 흡인이 해제되어 있기 때문에, 보호 테이프(65)를 통해 프레임(64)과 일체로 된 반도체 웨이퍼(W)를 판형물 지지 부재(60)로부터 간단히 분리시킬 수 있다. 또, 보호 테이프(65)는 강성을 갖지 않기 때문에, 얇아진 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 보호 테이프(65)로부터 용이하게 박리시킬 수 있다.

또한, 보호 테이프(65)와 일체로 된 프레임(64)을 판형물 지지 부재(60)에 의해 지지함으로써, 연삭 장치(20)에서는 프레임(64)을 지지하기 위한 기구가 불필요하게 되기 때문에, 이 경우에도 연삭 장치(20)의 척 테이블(25, 26, 27) 구조를 변경할 필요가 없다.

그리고, 본 실시 형태에서는, 판형물 지지 영역과 지지체를 별체로 하여 구성하고 있지만, 모두 다공질 부재로 구성하고, 지지체에 상당하는 부분에 불소 코팅, 산화 티탄 코팅을 해도 된다.

또, 판형물의 일례로서 반도체 웨이퍼를 들었지만, 판형물은 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 플립 칩과 같이 재배치 배선된 반도체 기판, CSP 기판과 같이, 재배치 배선되어 수지 밀봉된 반도체 기판도 포함된다.

다음에, 판형물 지지 부재(60)의 사용 방법으로서, 판형물 지지 부재(60)를 사용하여 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 연삭한 후에 다이싱을 실행하는 경우의 다이싱 테이프의 접착 및 판형물 지지 부재(60) 박리까지의 방법인 제1 예에 대하여 설명한다.

이면의 연삭 후에 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱함으로써 형성되는 개개의 반도체 칩에 대해서는, 나중에 와이어 본딩이 실행되지만, 와이어 본딩 전에 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 필름형 다이 접착재를 미리 도포해 둘 필요가 있다.

그래서, 연삭 종료 후, 도 14 (A)에 나타내는 것과 같이, 외주측에 프레임(64)이 고정된 판형물 지지 부재(60)에 지지된 연삭 후의 반도체 웨이퍼(W) 이면에, 예를 들면 도 14 (B)에 나타내는 것과 같이, 필름형 다이 접착재(100)를 접착해 두는 것이 실행된다.

이 필름형 다이 접착재(100)를 접착할 때는, 마운트 장치의 테이블(101)에 판형물 지지 부재(60)를 세트하고 반도체 웨이퍼(W)를 100℃∼150℃로 가열하여, 예를 들면 롤러(102)에 의해 가압함으로써 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 필름형 다이 접착재(100)를 접착한다. 이 때, 테이블(101)에는 진공이 배관되어, 판형물 지지 영역(61)을 통해 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 고정할 수 있는 기구로 되어 있다.

그리고, 도 14 (C)에 나타내는 것과 같이, 프레임(64)의 외주 또는 프레임(64) 상에서 커터(103)를 사용하여 필름형 다이 접착재(100)를 컷하면, 도 14 (D)에 나타내는 상태가 된다. 그리고, 컷을 원활하게 실행하기 위해, 컷(103)의 온도를 40℃에서 60℃ 정도로 가열해 두는 것이 바람직하다.

이렇게 하여 컷된 필름형 다이 접착재(100)는 프레임(64)에도 접착된 상태로 되어 있지만, 후술하는 프레임 분리 공정에서 필름형 다이 접착재(100)의 온도를 저하시키면 간단히 박리시킬 수 있다.

다음에, 필름형 다이 접착재(100) 상에 다이싱 테이프(104)를 접착하기 위해, 도 14 (E)에 나타내는 것과 같이, 테이프 접착 장치의 테이블(105)에 판형물 지지 부재(60)를 적재한다. 이 테이블(105)에서도 진공이 배관되어, 판형물 지지 영역(61)을 통해 반도체 웨이퍼가 흡착 고정된다. 그리고 그 외주측에 다이싱 프레임(106)을 배치하여, 예를 들면 롤러(107)를 사용하여 상방으로부터 가압함으로써 다이싱 테이프(104)를 접착한다. 그리고, 커터(108)를 사용하여 다이싱 프레임(105)의 외주 또는 다이싱 프레임(105) 상에서 다이싱 테이프(104)를 컷한다.

다음에, 도 14 (F)에 나타내는 것과 같이, 다이싱 테이프(104)가 필름형 다이 접착재(100) 상에 접착된 반도체 웨이퍼(W), 판형물 지지 부재(60) 및 프레임(64)을 뒤집어 반전시키고, 분리 장치의 테이블(109)에 반도체 웨이퍼(W)를 아래로 하여 적재한다. 이 테이블(109)에도 진공이 배관되어, 다이싱 테이프(104)를 통해 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 고정한다. 이 테이블(109)은 피흡착물의 평탄성을 유지하면서 전면(全面) 흡착할 필요가 있기 때문에, 다공질 부재를 사용하는 것이 바람직하다.

다음에, 도 14 (G)에 나타내는 것과 같이, 프레임(64)을 상방으로 들어 올려 분리한다. 이 분리에는 로봇 핸드를 사용해도 되고, 예를 들면 프레임(64)이 금속에 의해 형성되어 있는 경우에는 자력 등을 사용할 수도 있다. 프레임(64)에는 필 름형 다이 접착재(100)가 점착되어 있지만, 이 때 필름형 다이 접착재(100)의 온도가 상온 정도까지 저하되어 있기 때문에, 프레임(64)의 분리에 지장은 발생하지 않는다.

또한, 도 14 (H)에 나타내는 것과 같이, 판형물 지지 부재(60)를 로봇 핸드 등을 사용하여 상방으로 끌어 올려 분리한다. 이 때, 분리를 원활하게 실행하기 위해, 상방으로부터 판형물 지지 부재(60)를 통해 에어를 미량 불기 시작해 줌으로써, 반도체 웨이퍼(W)와 판형물 지지 부재(60)와의 박리가 용이해진다.

판형물 지지 부재(60)의 분리 후에는, 보호 테이프(65)를 박리하지만, 보호 테이프(65)가 UV 경화형 테이프인 경우에는, 점착력을 저하시켜 박리를 용이하게 하기 위해, 도 14 (I)에 나타내는 것과 같이, 미리 자외선을 보호 테이브(65)에 조사해 둔다.

보호 테이프(65)는 판형물 지지 부재(60)에 접착되어 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)의 외주보다 크게 형성되어 있다. 따라서, 이 외주로부터 비어져 나온 부분을 로봇 핸드(110) 등으로 척하고, 한편 반도체 웨이퍼(W)는 다이싱 테이프(104)를 통해 테이블(109)에 지지됨으로써, 도 14 (J), (K)에 나타내는 것과 같이, 보호 테이프(65)를 박리할 수 있다.

종래는 보호 테이프(65)가 반도체 웨이퍼(W)와 동일 사이즈로 형성되어 접착되어 있었기 때문에, 박리 시에는 전용의 박리 테이프를 사용하여 초기 박리할 필요가 있었지만, 본 발명에서는 보호 테이프(65)가 반도체 웨이퍼(W)보다 크게 형성되어 있기 때문에, 박리를 용이하게 실행할 수 있다.

이와 같이 하여, 다이싱 테이프(104)를 통해 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱 프레임(106)과 일체로 되어 다이싱 가능한 상태로 된다.

다음에, 판형물 지지 부재(60)를 사용하여 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 연삭한 후에 다이싱을 실행하는 경우의 다이싱 테이프 접착 및 판형물 지지 부재(60) 박리까지의 방법인 제2 예에 대하여 설명한다.

도 15 (A)에서 도 15 (F)까지에 나타내는 공정은 도 14 (A)에서 도 14 (F)까지에 나타낸 공정과 동일하지만, 판형물 지지 부재(60)의 외주측에 끼워 맞추는 프레임(111)은 신축성이 있는 금속 재료로 이루어져 확장 가능하게 되어 있다.

이 프레임(111)으로서는, 예를 들면 도 16에 나타내는 것과 같이, 2개의 파지부(112)와 링형의 스프링재(113)를 구비하고, 이 2개의 파지부(112)를 양자가 근접하는 방향 및 떨어지는 방향으로 이동시킴으로써 스프링재(113)가 신축되는 타입의 것을 사용할 수 있다. 스프링재(113)가 판형물 지지 부재(60)의 외주에 끼워 맞춰진 상태를 협지 상태라고 하며, 스프링재(113)와 판형물 지지 부재(60) 사이에 간극이 있는 상태를 해방 상태라고 한다.

도 15 (G)에 나타내는 것과 같이, 반전 후의 판형물 지지 부재(60)에 대하여 프레임(111)을 확장시켜 해방 상태로서 고정을 느슨하게 한다. 이 시점에서는 아직 프레임(111)을 분리하지 않고 둔다.

그리고, 도 15 (H)에 나타내는 것과 같이, 판형물 지지 부재(60)를 로봇 핸드 등을 사용하여 상방으로 끌어 올려 분리한다. 이 때, 분리를 원활하게 실행하기 위해, 상방으로부터 판형물 지지 부재(60)를 통해 에어를 미량 불기 시작해 줌 으로써, 반도체 웨이퍼(W)와 판형물 지지 부재(60)와의 박리가 용이해 진다.

다음에, 도 15 (I)에 나타내는 것과 같이, 보호 테이프(65)가 UV 경화형 테이프인 경우에는 자외선을 조사하여, 점착력을 저하시킨 후, 도 15 (J), (K)에 나타내는 것과 같이, 보호 테이프(65)를 로봇 핸드(114) 등으로 척하고, 한 쪽 반도체 웨이퍼(W)는 다이싱 테이프(104)를 통해 테이블(109)에 지지함으로써, 보호 테이프(65)를 박리한다.

이 때, 보호 테이프(65)의 종류에 따라 점착력이 강하거나 보호 테이프(65) 자체가 단단하거나 하는 일이 있기 때문에, 박리 시에 반도체 웨이퍼(W)까지도 벗겨 올라가 파손되어 버릴 위험성이 있었지만, 이 방법에 의하면, 프레임(111)이 아직 분리되어 있지 않기 때문에, 프레임(111)에 의해 필름형 다이 접착재(100)와 다이싱 테이프(104)가 가압된 상태로 되어 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)에 벗겨 올라가려고 하는 힘이 가해져도 그것에 저항할 수 있어, 반도체 웨이퍼(W)가 파손되는 일이 없다.

마지막으로, 도 15 (L)에 나타내는 것과 같이, 확장해 둔 프레임(111)을 제거함으로써, 다이싱 테이프(104)를 통해 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱 프레임(109)과 일체로 되어, 다이싱 공정으로 반송할 수 있는 상태로 된다.

다음에, 도 17에 나타내는 스택 기능 부착 판형물 지지 부재(120)에 대하여 설명한다. 판형물 지지 부재(120)는 판형물 지지 영역(121)과, 판형물 지지 영역(121)을 외주측으로부터 지지하는 지지체(127)로 구성되고, 지지체(127)의 외주에는 프레임(126)의 내주 협지면에서 보호 테이프를 협지하는 외주 협지면(125a) 을 가지는 프레임 고정 영역(125)이 형성되어 있다.

지지체(127)의 상면에는 테이퍼 형상의 적재부(123)가 형성되고, 그 하부에는 적재부(123)의 테이퍼 형상에 대응한 테이퍼 형상의 피적재부(124)가 형성되어 있다. 그리고, 판형물을 지지한 상태에서 판형물 지지 부재(120)를 겹쳐 쌓았을 때에 판형물을 손상시키지 않도록 오목부(122)가 판형물 지지 영역(121)의 하부에 형성되어 있다.

도 18에 나타내는 것과 같이, 판형물 지지 영역(121)에서 반도체 웨이퍼(W)를 보호 테이프를 통해 지지한 상태에서 판형물 지지 부재(120)를 다단으로 겹치게 하고, 적재부(123)에서 바로 위의 판형물 지지 부재(120)의 피적재부(124)를 지지한 상태가 되면, 반도체 웨이퍼(W)는 오목부(122)에서 바로 위의 판형물 지지 부재(120)와 비접촉의 상태로 된다.

따라서, 반도체 웨이퍼(W)에 흠을 내거나 파손시키거나 하지 않고 겹쳐 쌓을 수 있기 때문에, 도 6에 나타낸 카세트(21, 50)와 같은 용기를 사용하지 않고 공정 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 것이 가능하게 되어, 용기에 드는 비용을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, 수납 스페이스도 절약할 수 있다.

다음에, 적당히 가열할 수 있는 기능을 구비한 판형물 지지 부재에 대하여 설명한다. 보호 테이프(65), 필름형 다이 접착재(100), 다이싱 테이프(104)의 종류에 따라서는, 접착 시에 반도체 웨이퍼(W)를 가열할 필요가 생기는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 종래에는, 공정 처리에 사용하는 장치에 가열 기능을 부가하여, 그 상면에 지그를 세트하고, 그 지그 상에 반도체 웨이퍼를 적재하여 열 전도시키 는 방법이 사용되고 있었다.

그러나, 이와 같은 방법에서는, 특히 얇아진 반도체 웨이퍼는 가열에 의한 미묘한 열팽창에 의해 균열을 유발하는 일이 있다. 필요 가열 온도가 100℃에서 150℃로 온도가 높은 필름형 다이 접착재의 접착에서는 특히 그것이 현저하게 된다. 그러므로, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 부분적으로 컨트롤하는 것이 바람직하고, 그것이 가능하면 균열을 억제할 수 있다.

그래서, 판형물 지지 부재(60, 120)의 내부에 전열선을 기하학적으로 레이아웃하여, 전면을 균일하게 가열하지 않고, 균열을 유발하기 어려운 패턴에 따라 단계적으로 가열하면서 필름형 다이 접촉재의 접착을 진행시킨다.

전열선의 레이아웃으로서는, 예를 들면 도 19, 도 20, 도 21에 나타내는 판형물 지지 부재(130, 131, 132)의 판형물 지지 영역 내부에 각각 구비한 전열선(133, 134, 135)이 고려된다. 어느 경우에도, 각 패턴에 전원을 공급하기 위한 접점(136)을 판형물 지지 부재(130, 131, 132)의 외주부에 1조 또는 복수조 형성하고, 이들 판형물 지지 부재(130, 131, 132)가 세트되는 장치에서 이 접점(136)에 대하여 전원을 공급하도록 하면, 부분적인 가열이 가능하게 된다. 장치측에서는, 판형물 지지 부재(130, 131, 132)를 세트하는 것만으로 접점에 전원이 공급되는 기구로 되어 있는 것이 바람직하다.

그리고, 도 22에 나타내는 판형물 지지 부재(140)와 같이, 판형물 지지 영역 내부에 파이프 부재(141)를 설치하고, 그 속을 장치로부터 공급되는 온도 매체가 순환하는 구성으로 해도 된다. 예를 들면, 온도가 높은 액체 나트륨을 사용한 경 우에는 가열이 가능하며, 액체 질소와 같이 온도가 낮은 것을 사용하면 냉각도 가능하게 된다. 반도체 웨이퍼(W)의 연삭 시에는 마찰에 의해 온도가 상승하기 때문에, 이 때는 냉각을 실행하고, 필름형 다이 접착재(100)의 접착 시에는 가열한다고 하는 임기 응변의 대응을 간단히 할 수 있다.

또, 반도체 웨이퍼의 가열, 냉각 이외에도, 예를 들면, 판형물 지지 부재(140)를 장치로부터 분리할 때에 판형물 지지 부재(140) 자체를 가열하여 열팽창시킴으로써, 장치로부터 용이하게 분리할 수 있다.

이와 같이, 판형물 지지 부재(130, 131, 132)에서는 전열선이 온도 변위 부재로 되고, 판형물 지지 부재(140)에서는 파이프 부재가 온도 변위 부재로 된다. 그리고, 판형물 지지 부재의 내부에 펠티에 소자를 배치하고, 전압의 인가(印加)에 의해 가열, 냉각하여 온도를 변화시키도록 해도 된다. 이 경우에는 펠티에 소자가 온도 변위 부재로 된다.

도 23에 나타내는 판형물 지지 부재(150)와 같이, 자체를 특정하기 위한 식별 부재로서 바 코드(151)를 바닥면측 등의 노출면에 구비함으로써, 각 공정에서의 반송, 가공을 실행하는 데 있어서 장치 정보, 반도체 웨이퍼 정보, 공정 관리에 이용할 수 있다.

또, 식별 부재는 바 코드에만 한정되지 않고, 예를 들면, 도 24, 도 25에 나타내는 판형물 지지 부재(160, 170)와 같이, IC 칩(161, 171)에 식별 정보를 비축하도록 해도 된다. 식별 정보를 IC 칩에 비축한 경우에는 판독 및 기록이 가능하기 때문에, 트레이서빌리티(traceability) 기능을 갖게 할 수도 있다.

예를 들면, 반도체 웨이퍼의 면을 연삭하는 연삭 장치에서는, 목표로 하는 연삭량을 설정할 때에, 척 테이블의 흡착면 높이를 하이트 게이지 등을 사용하여 측정함으로써, 그 높이를 기준면으로 하고 있다. 따라서, 판형물 지지 부재를 사용하여 반도체 웨이퍼를 지지하고 연삭을 실행하는 경우, 판형물 지지 부재의 높이에 불균일이 있으면, 연삭량을 정밀하게 제어할 수 없다.

그래서, 미리 판형물 지지 부재의 두께를 개별로 측정하고, 그 측정한 두께를 바 코드 등의 식별 정보로서 판형물 지지 부재에 부가해 두고, 그것을 판독한 다음 연삭을 실행하도록 함으로써, 연삭량을 각 판형물 지지 부재마다 개별로 조정하는 것이 가능하게 된다. 이와 같이 함으로써, 판형물 지지 부재를 교환하여 연삭을 실행하는 경우라도, 기준면을 변경할 필요가 없어져, 작업 효율을 향상하는 동시에 정확한 연삭이 가능하게 된다.

또, 보호 테이프를 박리하는 경우에서는, 박리 시의 장치의 저항값을 기록하는 등 각 공정에서의 상세 데이터에 대해서도 기록해 두는 것이 가능하게 된다. 그리고, 이것을 웨이퍼 ID, 품종 정보, 로트 정보 등의 공정을 관리하는 각종 데이터와 조합하면, 데이터 서버를 사용하여 공정 스케쥴에 관한 모든 정보를 조작할 수 있다.

예를 들면, 도 26에 나타내는 관리 시스템(180)에서는, 프로세스 공정으로부터 데이터 서버(181)에 대하여 웨이퍼 ID, 로트 번호, 보호 테이프 두께 등의 데이터가 데이터 서버(181)에 전송되는 동시에, 반도체 웨이퍼가 반송되어 온다.

그리고, 웨이퍼 두께 측정 수단(182)에서 반송되어 온 반도체 웨이퍼의 두께 가 개별로 측정되고, 웨이퍼 ID, 로트 번호 등에 대응시켜 데이터 서버에 기억되고, 단말(183)에서 오퍼레이터가 확인 가능한 상태로 된다.

한편, 판형물 지지 부재 공급 수단(184)으로부터 공급되는 판형물 지지 부재는 판형물 지지 부재 두께 측정 수단(185)에서 그 두께가 측정되고, 예를 들면 두께에 따른 바 코드가 이면에 접착된다. 그리고, 다음에 바 코드 판독 수단(186)에서 그 바 코드를 판독하여 그 정보가 데이터 서버(181)에 전송된다.

래미네이터(187)에서는 보호 테이프 공급 수단(188)으로부터 공급되는 보호 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 접착하는 동시에, 판형물 지지 부재에 의해 보호 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼를 지지하여 연삭 수단(189)에 반송한다.

연삭 수단(189)에서 반도체 웨이퍼의 이면이 연삭되면, 이탈 수단(190)에서 판형물 지지 부재가 분리되어, 바 코드 판독 수단(186)으로 되돌아간다. 그리고, 바 코드 판독 수단(189)에서는, 다시 두께를 측정하지 않고, 바 코드를 판독하는 것만으로 다시 판형물 지지 부재가 재이용되어, 다른 반도체 웨이퍼의 연삭이 실행된다.

이와 같이, 판형물 지지 부재에 식별 부재를 구비하고, 그 식별 정보를 데이터 서버(181)에서 관리함으로써, 연삭량을 제어하여 반도체 웨이퍼를 원하는 두께로 형성할 수 있다.

이상 설명한 것과 같이, 본 발명에 관한 판형물 지지 부재는 보호 테이프를 통해 프레임과 일체로 된 판형물을 일체적으로 지지할 수 있기 때문에, 얇은 판형 물이라도 안정적으로 지지할 수 있다. 따라서, 연삭 장치 내에서의 반송 및 카세트에의 수납을 원활하게 실행할 수 있는 동시에, 연삭 후의 판형물 또는 칩의 박리를 용이하게 실행할 수 있다.

또, 판형물과 일체로 된 프레임을 판형물 지지 부재에 의해 지지함으로써, 연삭 장치에서는 프레임을 지지하기 위한 기구가 불필요하게 되기 때문에, 연삭 장치의 척 테이블 구조를 변경할 필요가 없다.

즉, 기존 연삭 장치의 구조를 살리면서, 얇은 판형물의 반송 및 카세트에의 수납과 보호 테이프로부터의 박리가 가능하게 되는 것이다.

Claims (18)

1. 판형물 지지 방법으로서,

   접착 보호 테이프의 외주를 프레임에 접착하는 공정;

   상기 판형물을 상기 접착 보호 테이프에 접착하는 공정;

   판형물 지지 영역을 구비하는 지지 부재 상에 상기 프레임을 고정함으로써, 상기 판형물이 상기 판형물 지지 영역에 지지되는 동시에, 상기 접착 보호 테이프가 상기 판형물과 상기 판형물 지지 영역의 사이에 위치하는 공정;

   상기 판형물을 지지하는 상기 지지 부재를 척 테이블 상에 탑재하는 공정;

   상기 척 테이블 상의 상기 지지 부재에 지지된 상기 판형물을 연삭 수단을 사용하여 연삭하는 공정;

   연삭 종료 후에 상기 지지 부재에 지지된 상기 판형물을 상기 척 테이블로부터 분리하는 분리 공정; 및

   상기 분리 공정 후에 상기 지지 부재에 지지된 판형물을 상기 척 테이블로부터 반출하는 공정

   을 포함하는 판형물 지지 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 프레임은 수용 개구부를 가지고, 상기 접착 보호 테이프의 외주를 상기 프레임에 접착하는 공정에는, 상기 접착 보호 테이프의 일부가 상기 프레임의 수용 개구부를 덮어 폐색하도록 상기 접착 보호 테이프의 외주만을 상기 프레임에 접착하는 것을 포함하는, 판형물 지지 방법.
3. 제2항에 있어서,

   상기 판형물을 상기 접착 보호 테이프에 접착하는 공정에는, 상기 프레임이 상기 수용 개구부를 덮어 폐색하는 상기 접착 보호 테이프의 일부에, 상기 판형물을 접착하는 것을 포함하는, 판형물 지지 방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 지지 부재 상에 상기 프레임을 고정하는 공정에는, 상기 프레임에 접착된 상기 접착 보호 테이프의 외주가 상기 프레임과 상기 지지 부재와의 사이에 지지되도록, 상기 지지 부재 상에 상기 프레임을 고정하는 것을 포함하는, 판형물 지지 방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 지지 부재를 상기 척 테이블 상에 탑재하는 공정에는, 부압(negative pressure)에 의해 상기 지지 부재가 상기 척 테이블에 지지되도록, 상기 척 테이블을 통해 상기 지지 부재에 부압을 가하는 것을 포함하는, 판형물 지지 방법.
6. 제5항에 있어서,

   상기 지지 부재의 판형물 지지 영역은, 다공질 부재에 의해 구성되고, 상기 지지 부재에 부압을 가하는 공정에는, 상기 부압과 상기 접착 보호 테이프에 의해 상기 판형물을 상기 지지 부재에 지지하도록, 상기 지지 부재의 판형물 지지 영역에 부압을 가하는 것을 포함하는, 판형물 지지 방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 지지 부재의 판형물 지지 영역은, 다공질 부재에 의해 구성되는, 판형물 지지 방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 판형물을 연삭하는 공정 종료 후에,

   필름형 다이 접착재를 상기 판형물에 접착하는 공정,

   상기 필름형 다이 접착재 상에 다이싱 테이프를 접착하는 공정, 및

   상기 다이싱 테이프의 외주에 다이싱 프레임을 접착하는 공정을 포함하는, 판형물 지지 방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 다이싱 프레임을 접착하는 공정 종료 후에, 상기 다이싱 프레임, 상기 지지 부재 및 상기 접착 보호 테이프를 상기 판형물로부터 분리하는 공정을 포함하는, 판형물 지지 방법.
10. 제1항에 있어서,

    상기 판형물은, 반도체 웨이퍼, 재배치 배선된 반도체 기판 및 재배치 배선되어 수지 밀봉된 반도체 기판 중 어느 하나인, 판형물 지지 방법,
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