KR100738744B1 - 열박리성 양면 점착 시이트, 피착체의 가공 방법 및 전자부품 - Google Patents

열박리성 양면 점착 시이트, 피착체의 가공 방법 및 전자부품 Download PDF

Info

Publication number
KR100738744B1
KR100738744B1 KR1020040022196A KR20040022196A KR100738744B1 KR 100738744 B1 KR100738744 B1 KR 100738744B1 KR 1020040022196 A KR1020040022196 A KR 1020040022196A KR 20040022196 A KR20040022196 A KR 20040022196A KR 100738744 B1 KR100738744 B1 KR 100738744B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat
adhesive layer
peelable
pressure
sensitive adhesive
Prior art date
Application number
KR1020040022196A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040085079A (ko
Inventor
기우치가즈유키
후지타유타카
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20040085079A publication Critical patent/KR20040085079A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100738744B1 publication Critical patent/KR100738744B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/412—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of microspheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2861—Adhesive compositions having readily strippable combined with readily readhearable properties [e.g., stick-ons, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트는 기재(a), 기재(a)의 한 면에 형성되며 열팽창성 미소구를 함유하는 열박리성 점착층(b) 및 기재(a)의 다른 면에 형성된 점착층(c)을 포함하는 열박리성 양면 점착 시이트로서, 여기서 열박리성 점착층(b)과 기재(a)는 가열처리에 의해 박리가능하다.

Description

열박리성 양면 점착 시이트, 피착체의 가공 방법 및 전자 부품{HEAT-PEELABLE DOUBLE-FACED PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET, METHOD OF PROCESSING ADHEREND, AND ELECTRONIC PART}
도 1은 본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트의 한 실시양태를 부분적으로 나타내는 개략적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트의 한 실시양태를 부분적으로 나타내는 개략적 단면도이다.
도 3은 본 발명의 피착체의 가공 방법의 한 실시양태를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 피착체의 가공 방법의 한 실시양태를 도시한 개략도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
(1) 열박리성 양면 점착 시이트 (2) 기재(a)
(3) 열박리성 점착층(b) (4) 점착층(c)
(5) 점착층(d) (6) 세퍼레이터
(7) 피착체(피가공체) (71) 가공처리된 피착체
(8) 보강판
(9) 가공처리된 피착체(71)에 대한 지지체
본 발명은 접착성이 양호하고, 임의의 시기에 열처리에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 박리 시 피착체의 오염을 방지할 수 있고, 특히 피착체가 반도체 웨이퍼와 같은 취약한(fragile) 피가공체이더라도 우수한 가공성 및 수송성을 부여할 수 있는 열박리성 양면 점착 시이트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 이용한 피착체의 가공 방법 및 상기 가공 방법에 의해 수득된 전자 부품에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 또는 적층 커패시터를 포함하는 피가공체를 점착 시이트에 감압 접착층을 통해 접착 고정시키고, 소정의 치수로 피가공체를 연삭 또는 절단한 후, 이를 접착 시이트로부터 분리시켜 회수하는 방법에 사용되는 접착 시이트로서, 기재에 방사선-경화성 점착층 또는 열팽창성 발포제 함유 감압 접착층을 형성하여 수득된 접착 시이트가 알려져 있다(JP-A-56-61468 호, JP-A-56-61469 호 및 JP-A-60-252681 호 참조).
상기 방사선-경화성 점착층을 갖는 점착 시이트는, 특히 방사선으로서 자외선을 조사하여 점착제를 경화시켜서 점착력을 감소시켜 용이하게 피가공체를 분리 및 회수한다. 상기 열팽창성 발포제 함유 감압 접착층을 갖는 점착 시이트는 가열에 의해 감압 접착층을 발포 또는 팽창시켜 접착력을 감소시킨다. 이런 두 유형의 점착 시이트 각각은 피착체의 가공에 견딜 수 있는 강력한 접착 유지력과 용이한 분리/회수의 양립을 목적으로 한다.
그러나, 방사선-경화성 점착층을 갖는 방사선-경화성 점착 시이트는 박리 시에 피착체(피가공체)의 오염이 매우 적기 때문에 신뢰성이 우수하지만, 방사선 조사 후에 약간의 점착력이 남기 때문에 매우 취약한 피착체를 가공처리한 후 분리하는 용도에는 적당하지 않다.
다른 한편으로는, 열팽창성 발포제 함유 감압 접착층을 갖는 열박리성 점착 시이트는, 가열처리 후 점착력이 사실상 소실되기 때문에 취약한 피착체의 가공/분리에는 우수하지만, 발포에 따른 점착제의 응집 파괴물에 의한 미세 미립자 잔류물이 박리 시에 피착체에 전사되는 경우가 있기 때문에, 특히 고도의 청결도가 요구되는 피착체에서의 사용은 회피되고 있다.
최근, 반도체 및 전자 부품과 관련된 많은 제작물은 매우 취약하기 때문에 피착체(피가공체)를 그 자체로 수송할 수 없는 경우가 증가하고 있다. 따라서, 취약한 피착체라도 용이하게 수송 및 가공이 가능하고, 가공 후의 피착체가 청결하게 되도록 할 수 있는 피착체의 가공 방법이 요구되고 있다. 즉, 취약한 피착체에도 우수한 가공성을 부여할 수 있고, 가공 후에 피착체로부터 용이하게 박리할 수 있고, 박리 시에 피착체를 오염시키지 않는 점착 시이트의 요구가 매우 강하다.
이러한 점착 시이트는 방사선-경화성 점착 시이트와 열박리성 점착 시이트의 각각의 장점만 구비하면서, 점착 시이트를 부착한 상태로 용이하게 수송할 수 있는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 목적은, 취약한 피착체에도 우수한 가공성 및 수송성을 부여할 수 있고, 임의의 시기에 용이하게 박리할 수 있고, 박리 시에 피착체의 오염을 억제 또는 방지할 수 있는 열박리성 양면 점착 시이트, 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 이용한 피착체의 가공 방법 및 상기 가공 방법에 의해 수득된 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 웨이퍼의 연삭 또는 절단 가공에 사용하기에 특히 적당한 열박리성 양면 점착 시이트, 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 이용한 피착체의 가공 방법 및 상기 가공 방법에 의해 수득된 전자 부품을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 면밀한 연구를 한 결과, 기재의 한 면에 열박리성 점착층을 형성하고, 다른 면에 점착층을 형성하여 가열처리에 의해 기재를 열박리성 점착층으로부터 박리하는 구성을 갖도록 하여, 수득된 열박리성 양면 점착 시이트를 피가공체의 가공 시에 이용하는 경우, 접착성이 양호하고, 임의의 시기에 가열처리에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 박리 시에 점착 시이트로부터 분리되는 피가공체의 표면의 오염을 방지할 수 있고, 또한 피착체가 반도체 웨이퍼와 같은 취약한 피가공체인 경우에도 우수한 가공성으로 가공할 수 있고 양호한 수송성을 갖는다는 것을 알아내었다. 본 발명은 이와 같은 것들에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명은 기재(a), 기재의 한 면에 형성되며 열팽창성 미소구를 함유하는 열박리성 점착층(b), 기재의 다른 면에 형성된 점착층(c)을 포함하는 열박리성 양면 점착 시이트를 제공하는데, 이는 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b) 및 기재(a)가 서로 박리가능한 것을 특징으로 한다.
열박리성 양면 점착 시이트에서, 열박리성 점착층(b)의 기재(a) 반대측 면에 점착층(d)이 적층되는 것이 바람직하다.
점착층(d)은 감압 접착제, 방사선-경화성 점착제, 열가소성 수지 및 열경화성 수지로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 점탄성 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
점착층(c)은 감압 접착제, 방사선-경화성 점착제, 열경화성 수지 및 열박리성 점착제로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 점탄성 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
점착층(c)의 겔 함량(가열처리 후 또는 방사선 조사처리 후)은 90% 이상일 수 있다. 열박리성 점착층(b)을 구성하는 점착제로서 방사선-경화성 점착제를 이용하는 것이 바람직하다. 열박리성 점착층(b)을 향하는 기재(a)의 측면은 이형처리가 되어질 수 있다.
또한 본 발명은 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하여 피착체를 가공하는 방법으로서, 열박리성 양면 점착 시이트의 점착층(c) 표면에 피착체를 부착하는 단계, 열박리성 점착층(b) 또는 점착층(d)의 표면에 보강판을 부착하는 단계, 피착체를 가공처리하는 단계, 이어서, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)과 기재(a)의 계면에서 분리를 일으키는 단계, 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 부착된 상태에서 보강판으로부터 가공처리된 피착체를 분리하는 단계, 및 추가로, 점착층(c)을 갖는 기재(a)로부터 가공처리된 피착체를 분리하는 단계를 포함하는 피착체의 가공 방법을 제공한다.
상기 피착체의 가공 방법은, 열박리성 양면 점착 시이트 중의 점착층(c) 표면에 피착체를 부착하는 단계, 열박리성 점착층(b) 또는 점착층(d)의 표면에 보강판을 부착하는 단계, 가공처리된 피착체를 지지체로 지지하면서, 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 부착된 상태에서 보강판으로부터 가공처리된 피착체를 가열처리에 의해 분리하는 단계, 및 추가로 피착체를 지지체에 의해 지지받는 상태로 유지하면서, 점착층(c)을 갖는 기재(a)로부터 가공처리된 피착체를 분리하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 피착체 및/또는 보강판을 부착시키는 것은 감압 하에서 실시될 수 있다. 또한, 열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 피착체 및/또는 보강판을 부착한 후에, 가열처리 및 가압처리를 수행할 수 있다. 이와 같은 피착체로서 전자 부품 또는 그의 유사체가 사용되는 것이 바람직할 수 있다.
또한, 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)이 부착되어 있고 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)과 기재(a)의 계면에 박리를 일으켜 수득되는 보강판을, 박리용 시이트 또는 테이프를 이용하여 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)으로부터 분리시켜 보강판을 회수하고, 이 회수된 보강판을 다른 피착체의 가공 시에 재이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 부품 및 상기 피착체의 가공 방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 포함한다.
이하에서, 본 발명의 실시 형태를 필요에 따라 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다. 또한, 동일한 부재나 부분 등에는 종종 동일한 부호가 지정된다.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트의 실시양태를 부분적으로 나타내는 개략적 단면도이다. 도 1 및 도 2에 있어서, (1)은 열박리성 양면 점착 시이트, (2)는 기재(a), (3)은 열박리성 점착층(b), (4)는 점착층(c), (5)는 점착층 (d), 및 (6)은 세퍼레이터이다.
구체적으로, 도 1의 열박리성 양면 점착 시이트(1)는 기재(a)(2), 상기 기재(a)(2)의 한 면에 형성된 열박리성 점착층(b)(3), 상기 기재(a)(2)의 다른 면에 형성된 점착층(c)(4), 및 열박리성 점착층(b)(3)과 점착층(c)(4)의 각 층에 형성된 세퍼레이터(6)를 포함하고, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)(3)을 기재(a)(2)로부터 분리가능한 구성을 갖는다.
도 2의 열박리성 양면 점착 시이트(1)는 기재(a)(2), 상기 기재(a)(2)의 한 면에 형성된 열박리성 점착층(b)(3), 상기 열박리성 점착층(b)(3)에 형성된 점착층(d)(5), 상기 기재(a)(2)의 다른 면에 형성된 점착층(c)(4), 및 점착층(d)(5)과 점착층(c)(4)의 각 층에 형성된 세퍼레이터(6)를 포함하고, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)(3)을 기재(a)(2)로부터 분리가능한 구성을 갖는다.
본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트는 기재(a), 상기 기재(a)의 한 면에 형성된 열박리성 점착층(b), 임의적으로 상기 열박리성 점착층(b)의 기재 반대측 면에 형성된 점착층(d), 상기 기재(a)의 다른 면에 형성된 점착제층(c)을 포함하고, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)을 기재(a)로부터 분리가능한 구성을 갖는다. 열박리성 양면 점착 시이트가 상기와 같은 구성을 갖고 있는 한, 필요에 따라서 적절한 위치에 배치된 다른 층(예컨대, 고무상 유기 탄성층, 점착층 등), 세퍼레이터 등을 포함하는 구성을 가질 수 있다.
상기 열박리성 양면 점착 시이트는 피착체를 보강판에 부착하여 피착체를 가공하는 경우에 이용할 수 있다. 이러한 피착체의 가공에서, 열박리성 양면 점착 시이트 중의 점착층(c)은 피착체에 부착하기 위해 사용되는 피착체 부착용 점착층으로 할 수 있고, 열박리성 점착층(b) 또는 점착층(d)은 보강판에 부착하기 위해 사용되는 보강판 부착용 점착층으로 할 수 있다. 즉, 열박리성 양면 점착 시이트는 피착체 가공용 열박리성 양면 점착 시이트로서 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 피착체 가공용 열박리성 양면 점착 시이트는 기재(a), 기재(a)의 한 면에 형성되며 열팽창성 미소구를 함유하는 열박리성 점착층(b), 및 다른 면에 형성되며 피착체가 보강판에 부착되어 가공되는 경우에 사용되는 점착층(c)을 포함하는 열박리성 양면 점착 시이트로서, 이는 상기 점착층(c)이 피착체에 부착하기 위해 사용되는 피착체 부착용 점착층이고, 또한 상기 열박리성 점착층(b)은 보강판에 부착하기 위해 사용되는 보강판 부착용 점착층이고, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)을 기재(a)로부터 분리가능한 것을 특징으로 한다.
피착체 가공용 열박리성 양면 점착 시이트는 열박리성 점착층(b)이 보강판 부착용 점착층이 아니고, 열박리성 점착층(b)의 기재(a) 반대측 면에 점착층(d)이 적층되고, 이 점착층(d)이 보강판에 부착되기 위해 사용되는 보강판 부착용 점착층인 구성을 가질 수 있다.
[기재(a)]
기재(a)는 열처리 중에 큰 변형이나 유동이 생기지 않고, 열처리에 의해 열박리성 점착층(b)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않고, 공지의 기재를 사용할 수 있다. 기재(a)는 단층 구조 또는 적층(multilayer) 구조를 가질 수 있다.
기재(a)로서는, 예컨대 플라스틱 필름 또는 시이트 등의 플라스틱 기재; 알루미늄 박, 니켈 박 등의 금속 박(foil) 또는 금속 시이트 등의 금속 기재; 천, 부직포, 네트(net), 아라미드 섬유로 만든 기재 등의 섬유 기재; 종이 등의 종이 기재; 발포 시이트 등의 발포체; 이들의 적층체(특히, 플라스틱 기재와 다른 기재와의 적층체, 플라스틱 필름(또는 시이트)로 된 적층체 등) 등이 적당한 시이트재로 사용될 수 있다. 기재(a)로서는, 플라스틱 필름 또는 시이트 등의 플라스틱 기재를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 플라스틱 기재의 소재는, 예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 및 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)등의 폴리에스테르; 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리페닐 설페이트; 폴리아미드(나일론) 및 전방향족(wholly aromatic) 폴리아미드(아라미드)등의 아미드 수지; 폴리염화비닐(PVC); 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌/프로필렌 공중합체, 및 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체(EVA)등의 α-올레핀을 포함하는 하나 이상의 단량체 성분으로 형성된 올레핀 수지; 불소수지; 실리콘(silicone) 수지 등을 포함한다. 이들 재료는 단독으로 사용되거나 둘 이상 조합하여 사용될 수 있다.
열박리성 점착층(b) 또는 점착층(c) 등의 점착층에 방사선-경화성 물질을 사용하는 경우, 기재(a)는 방사선의 투과를 저해하지 않는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
기재(a)의 두께는 강도, 유연성, 사용 목적, 각종 작업 적합성 등에 따라서 적당히 선택할 수 있다. 통상적으로, 절단성, 적용성 등의 관점에서, 두께는 약 1 내지 3,000㎛, 바람직하게는 약 1O 내지 1,OOO㎛의 범위에서 선택되지만, 이들에 한정되지는 않는다.
기재(a)가 열박리성 점착층(b)으로부터 보다 잘 박리되도록, 열박리성 점착층(b)을 향하는 기재의 면에, 예컨대 실리콘 이형제, 불소 이형제, 장쇄 알킬 이형제 등의 이형제로 코팅 처리(이형 처리)를 할 수 있다.
또한, 점착층(c)과 기재(a)의 밀착성을 높이기 위해, 점착층(c)을 향하는 기재의 면에 관용적인 표면 처리, 예컨대 크롬산 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고압 전기 충격 노출, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 산화 처리를 할 수 있다. 또한 그 면은 프라이머 등으로 코팅 처리를 할 수 있다.
[열박리성 점착층(b)]
열박리성 점착층(b)은 점착층(d)이 형성되어 있지 않은 경우에, 피착체(피가공체)의 가공 시에 보강판에 부착하기 위해 사용되는 점착층이다. 즉, 열박리성 양면 점착 시이트가 점착층(d)을 갖고 있지 않은 경우, 열박리성 점착층(b)은 보강판 부착용 점착층으로서의 기능을 할 수 있다. 열박리성 점착층(b)에 점착층(d)이 형성되어 있는 경우는, 점착층(d)이 보강판 부착용 점착층으로서 이용된다.
열박리성 점착층(b)은 점착제 층 중에 열 작용에 의해 팽창하는 열팽창성 미소구(microcapsule)가 분산되어 있는 층이다. 즉, 열박리성 점착층(b)은 적어도 점착력을 부여하기 위한 점착제(감압 접착제) 및 열팽창성을 부여하기 위한 열팽창성 미소구를 포함하는 점착제 조성물로부터 형성될 수 있다. 따라서, 임의의 시기에 열박리성 점착층(b)을 가열하여 열팽창성 미소구를 발포 및/또는 팽창시켜, 열박리성 점착층(b) 및 기재(a)의 접착 면적이 감소되어, 열박리성 점착층(b)과 기재(a)의 계면에서 분리를 일으킬 수 있다. 또한, 미소구의 형태로 되어 있지 않는 발포제는 양호한 박리성을 안정적으로 부과할 수 없다.
[점착제]
열박리성 점착층(b)용 점착제로서 가열 시에 열팽창성 미소구의 발포 및/또는 팽창을 허용하는 점착제를 이용할 수 있다. 특히, 가열 중에 열팽창성 미소구의 발포 및/또는 팽창을 가급적 구속하지 않는 것이 바람직하다. 이러한 열박리성 점착층(b)의 형성에 사용되는 점착제로서, 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 불소 점착제, 스티렌/디엔 블록 공중합체계 점착제, 및 이들 점착제에 융점 약 200℃ 이하의 열용융성 수지를 배합하여 수득된 개선된 크립(creep) 특성을 갖는 점착제와 같은 공지의 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합시켜 이용할 수 있다(예컨대, JP-A-56-61468 호, JP-A-61-174857 호, JP-A-63-17981호, JP-A-56-13040호 등 참조).
점착제는, 점착성 성분(베이스 중합체) 등의 중합체 성분 이외에 점착제의 종류 등에 따라서, 가교제(예컨대, 폴리이소시아네이트, 멜라민 알킬에테르 등), 점착부여제(tackifier)(예컨대, 로진 유도체 수지, 폴리테르펜 수지, 석유 수지, 지용성(oil-soluble) 페놀 수지 등을 포함하고, 상온에서 고체, 반고체 또는 액상인 것), 가소제, 충전제, 항산화제 등과 같은 적당한 첨가제를 포함할 수 있다. 부가적으로, 점착제는 유제형 점착제, 용매계 점착제 등의 임의의 형태일 수 있다.
상기 점착제로서는 일반적으로 천연 고무 또는 각종 합성 고무(예: 폴리이소프렌 고무, 스티렌/부타디엔 고무, 스티렌/이소프렌/스티렌 블록 공중합체 고무, 스티렌/부타디엔/스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 등)를 베이스 중합체로 하는 고무계 점착제; 1종 이상의 (메트)아크릴산 알킬 에스테르를 단량체 성분으로서 이용하여 형성된 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제를 바람직하게 이용할 수 있다.
상기 아크릴계 점착제에 있어서의 (메트)아크릴산 알킬 에스테르의 예로는 (메트)아크릴산의 C1-20 알킬 에스테르, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸 에스테르, 에틸 에스테르, 프로필 에스테르, 이소프로필 에스테르, 부틸 에스테르, 이소부틸 에스테르, s-부틸 에스테르, t-부틸 에스테르, 펜틸 에스테르, 헥실 에스테르, 헵틸 에스테르, 옥틸 에스테르, 2-에틸헥실 에스테르, 이소옥틸 에스테르, 노닐 에스테르, 이소노닐 에스테르, 데실 에스테르, 이소데실 에스테르, 운데실 에스테르, 도데실 에스테르, 트리데실 에스테르, 테트라데실 에스테르, 펜타데실 에스테르, 헥사데실 에스테르, 헵타데실 에스테르, 옥타데실 에스테르, 노나데실 에스테르 및 에이코실 에스테르[바람직하게는 (메트)아크릴산의 C4-8 알킬 (직쇄상 또는 분지쇄상 알킬) 에스테르] 등을 들 수 있다.
또한, 아크릴계 중합체는 응집력, 내열성, 가교성 등을 개선시키기 위해 (메트)아크릴산 알킬 에스테르와 공중합가능한 다른 단량체 성분에 상응하는 단위를 함유할 수 있다. 이러한 단량체 성분의 예로는 카복실기-함유 단량체, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산; 산 무수물기-함유 단량체, 예를 들어 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물; 하이드록실기-함유 단량체, 예를 들어 하이드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 하이드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 하이드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 하이드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 하이드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 하이드록시데실 (메트)아크릴레이트, 하이드록시라우릴 (메트)아크릴레이트 및 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 메트아크릴레이트; 설포기-함유 단량체, 예를 들어 스티렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판설폰산, (메트)아크릴아미도프로판설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산; 포스페이트기-함유 단량체, 예를 들어 2-하이드록시에틸 아크릴로일포스페이트; (N-치환된) 아미드 단량체, 예를 들어 (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸 (메트)아크릴아미드, N-부틸 (메트)아크릴아미드, N-메틸올 (메트)아크릴아미드 및 N-메틸올프로판 (메트)아크릴아미드; 아미노알킬 (메트)아크릴레이트 단량체, 예를 들어 아미노에틸 (메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 및 t-부틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트; 알콕시알킬 (메트)아크릴레이트 단량체, 예를 들어 메톡시에틸 (메트)아크릴레이트 및 에톡시에틸 (메트)아크릴레이트; 말레이미드 단량체, 예를 들어 N-사이클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드 및 N-페닐말레이미드; 이타콘이미드 단량체, 예를 들어 N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-사이클로헥실이타콘이미드 및 N-라우릴이타콘이미드; 숙신이미드 단량체, 예를 들어 N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드 및 N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드; 비닐 단량체, 예를 들어 비닐 아세테이트, 비닐 프로피오네이트, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리딘, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모폴린, N-비닐카복사미드, 스티렌, α-메틸스티렌 및 N-비닐카프롤락탐; 시아노아크릴레이트 단량체, 예를 들어 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴; 에폭시기-함유 아크릴계 단량체, 예를 들어 글리시딜 (메트)아크릴레이트; 글리콜 아크릴산 에스테르 단량체, 예를 들어 폴리에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 메톡시에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트 및 메톡시폴리프로필렌 글리콜 (메트)아크릴레이트; 하나 이상의 헤테로사이클, 할로겐 원자 또는 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스테르 단량체, 예를 들어 테트라하이드로퍼푸릴 (메트)아크릴레이트, 플루오르화 (메트)아크릴레이트 및 실리콘 (메트)아크릴레이트; 다작용성 단량체, 예를 들어 헥산디올 (메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 디비닐벤젠, 부틸 디(메트)아크릴레이트 및 헥실 디(메트)아크릴레이트; 올레핀계 단량체, 예를 들어 이소프렌, 부타디엔 및 이소부틸렌; 비닐 에테르 단량체, 예를 들어 비닐 에테르 등이 포함된다. 이들 단량체 성분을 단독으로 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
열박리성 점착층(b)을 형성하는 점착제로서 방사선-경화성 점착제(또는 에너지선-경화성 점착제)를 이용할 수도 있다. 방사선-경화성 점착제로서 하기 구체적으로 나타낼 방사선-경화성 점착제를 이용할 수 있다. 방사선-경화성 점착제는 점착성을 갖고 방사선(또는 에너지선)에 의해 경화될 수 있는 점착제이며, 방사선에 의한 경화를 통해 접착력을 저하시킬 수 있다. 즉, 열박리성 점착층(b)을 형성하는 점착제로서 방사선-경화성 점착제를 이용하는 경우 점착제는 방사선 조사 처리에 의해 가교되고 경화되어 접착력의 저하가 달성된다.
또한, 열박리성 점착층(b)에 있어서 열처리 이전의 적절한 접착력과 열처리 이후의 접착력 저하 사이의 균형 면에서 보다 바람직한 점착제는 동적탄성율이 실온 내지 150℃에서 0.5 내지 100(Pa)의 범위에 있는 중합체를 베이스로 하는 점착제이다.
(열팽창성 미소구)
열팽창성 미소구는 공지된 열팽창성 미소구로부터 적절히 선택될 수 있다. 미세캡슐화된 발포제가 열팽창성 미소구로서 바람직하게 사용될 수 있다. 이러한 열팽창성 미소구의 예로는, 예컨대 이소부탄, 프로판 또는 펜탄과 같이 가열시 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 탄성 쉘(shell)내에 캡슐화함으로써 수득되는 미소구를 들 수 있다. 상기 쉘은 주로 열 용융성 물질 또는 열 팽창시 파열되는 물질로 구성된다.
쉘을 구성하는 이러한 물질의 예로는 염화비닐리덴/아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 부티랄, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리설폰 등을 들 수 있다. 열팽창성 미소구는 통상적인 방법, 예컨대 코아세르베이션법 또는 계면 중합법에 의해 제조될 수 있다. 또한, 열팽창성 미소구, 예컨대 마쯔모토 마이크로스피어(상표명, 마쯔모토 유지 제약(주)(Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.)사 제품]와 같은 시판품도 있다.
열팽창성 미소구의 입경(평균 입자 직경)은 열박리성 점착층(b)의 두께 등에 따라 적절히 선택될 수 있다. 열박리성 점착층(b)의 표면 평활성의 부여 또는 박리성 등의 관점에서, 열팽창성 미소구의 평균 입자 직경은, 예컨대 5 내지 120㎛( 바람직하게는 10 내지 75㎛)의 범위에서 선택될 수 있다. 열팽창성 미소구의 입경의 조절은 열팽창성 미소구의 제조 과정에서 수행될 수 있거나, 생성 후에 분류와 같은 기법에 의해 수행될 수 있다.
가열에 의해 열박리성 점착층(b)의 접착력을 효율적이고 안정적으로 저하시키는 관점에서, 부피 팽창율이 1.5 내지 10배(바람직하게는 2 내지 5배)가 될 때까지 파열되지 않는 것으로 적절한 강도를 갖는 열팽창성 미소구를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 혼입되는 열팽창성 미소구의 양은 팽창 비율, 열박리성 점착층(b)의 접착력의 저하 특성 등에 따라 적절하게 결정될 수 있다. 그러나, 일반적으로, 이의 양은, 예컨대 열박리성 점착층(b)을 구성하는 중합체 성분(예컨대, 점착제의 기재 중합체) 100 중량부 당, 예컨대 5 내지 200 중량부(바람직하게는 15 내지 75 중량부)이다. 혼입된 열팽창성 미소구의 양이 지나치게 많으면 열박리성 점착층(b)이 점착제의 응집 파괴를 야기할 수 있다. 한편, 이의 양이 지나치게 적으면 박리성이 저하된다.
열박리성 점착층(b)은, 예컨대 열팽창성 미소구를 점착제 및 선택적으로는 용매, 기타 첨가제 등과 혼합하고, 이 혼합물을 시이트형 층에 형성하는 통상적인 방법에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 열팽창성 미소구 및 점착제를 포함하고, 선택적으로는 용매 및 기타 첨가제를 함유하는 혼합물을 기재(a) 등에 도포하는 방법, 또는 상기 혼합물을 적절한 세퍼레이터(예컨대, 박리지)에 도포하여 열박리성 점착층(b)을 형성하고, 이 층을 기재(a) 등에 전달(이동)하는 방법에 의해 열박리성 점착층(b)을 형성할 수 있다.
열박리성 점착층(b)의 두께는 접착력의 저하 특성 등에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 예컨대, 이의 두께는 300㎛ 이하(바람직하게는 10 내지 150㎛)이다. 열박리성 점착층(b)의 두께가 너무 큰 경우, 가열 처리 후의 박리 작용으로 인해 응집 파괴가 야기되는 경향이 있다. 한편, 열박리성 점착층(b)의 두께가 너무 작은 경우, 가열 처리에 의한 열박리성 점착층(b)의 변형도가 작고, 접착력이 원활하게 감소되기 어려울 뿐만 아니라 첨가되는 열팽창성 미소구는 매우 작은 입경을 갖는 것이 요구된다. 또한, 열박리성 점착층(b)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
[점착층(c)]
점착층(c)은 가공되는 피착체(피가공체)에 부착시키기 위해 사용되는 점착층이다. 즉, 점착층(c)은 피착체에 부착시키기 위한 점착층으로서 작용한다. 점착층(c)은 점착제, 방사선-경화성 점착제, 열가소성 수지, 열경화성 수지 또는 열박리성 점착제와 같은 점탄성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 점착제, 방사선-경화성 점착제, 열경화성 수지, 열박리성 점착제와 같은 점탄성 물질로 구성된다. 상기 점탄성 물질은 단독으로 또는 이들을 2종 이상 조합하여 사용될 수 있다.
점착층(c)을 형성하기 위해 사용되는 점탄성 물질은 피착체에 대한 점착 특성(예컨대, 접착력 등)에 따라 적절하게 선택될 수 있지만, 특히 이에 한정되지 않는다. 그러나, 바람직한 점탄성 물질은 기재(a)의 표면 요철부 및 피착체의 표면 요철부와 합쳐져서 점착층을 용이하게 형성할 수 있는 물질이다.
상기에서 기술된 물질 중에서 점착층(c)을 위한 이러한 점탄성 물질로서 점착제 및 방사선-경화성 점착제가 바람직하다. 열박리성 점착층(b)을 형성하기 위한 점착제 조성물을 포함하는 열박리성 점착제가 열박리성 점착제로서 사용될 수 있다.
점착층(c)에 사용되는 점착제로서, 예컨대 상술한 열박리성 점착층(b)에서 사용되는 점착제의 예로서 예시된 점착제(예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 비닐 알킬 에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 스티렌/디엔 블록 공중합체계 점착제, 크리프(creep) 특성이 개선된 점착제, 방사선-경화성 점착제 등)와 같은 공지되거나 통상적인 점착제가 이용될 수 있다.
방사선-경화성 점착제는 상기에서 기술된 바와 같이 점착 강도를 갖고 방사선(또는 에너지선)에 의해 경화될 수 있는 점착제이다. 이러한 방사선-경화성 점착제는 이 같은 방사선에 의한 경화에 의해 점착력이 감소될 수 있다. 즉, 방사선-경화성 점착제는 가교 및 경화에 의해 피착체(피가공체)에 위한 오염물질을 감소시킬 뿐만 아니라, 필요한 경우에 접착력을 저하시킬 수도 있다.
방사선-경화성 점착제의 예로는 가교성 작용기를 함유하는 작용기 함유 화합물, 예를 들어 다작용성 단량체를 함유하는 기재(점착제), 및 필요한 경우 기재에 혼입된 방사선 중합 개시제를 포함하는 점착제; 단량체 성분으로서 가교성 작용기를 함유하는 작용기 함유 화합물, 예를 들어 다작용성 단량체와의 공중합에 의해 수득되는 중합체 성분을 갖는 점착제, 및 필요한 경우 여기에 혼입된 방사선 중합 개시제를 포함하는 방사선-경화성 점착제 등을 들 수 있다.
방사선-경화성 점착제로서, 가교성 작용기를 함유하는 작용기 함유 화합물, 예를 들어 다작용성 단량체를 함유하는 기재(점착제), 및 기재에 혼입된 방사선 중합 개시제를 포함하는 방사선-경화성 점착제가 유리하게 사용될 수 있다. 천연 고무 또는 합성 고무를 포함하는 고무계 점착제; 실리콘 고무를 포함하는 점착제; (메트)아크릴산 알킬 에스테르(예를 들어, 메틸 에스테르, 에틸 에스테르, 프로필 에스테르, 이소프로필 에스테르, 부틸 에스테르, 이소부틸 에스테르, 헥실 에스테르, 옥틸 에스테르, 2-에틸헥실 에스테르, 이소옥틸 에스테르, 이소데실 에스테르 및 도데실 에스테르와 같은 C1-20 알킬 에스테르)의 단독중합체 또는 공중합체; 또는 1종 이상의 기타 단량체[예를 들어, 카복실기, 또는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 말레산 무수물과 같은 산 무수물 기를 갖는 단량체; 2-하이드록시에틸 (메트)아크릴레이트와 같은 하이드록시기 함유 단량체; 스티렌설폰산과 같은 설포기 함유 단량체; 2-하이드록시에틸 아크릴로일포스페이트와 같은 포스페이트기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드와 같은 아미드기 함유 단량체; 아미노에틸 (메트)아크릴레이트와 같은 아미노기 함유 단량체; 메톡시에틸 (메트)아크릴레이트와 같은 알콕시기 함유 단량체; N-사이클로헥실말레이미드와 같은 이미드기 함유 단량체; 비닐 아세테이트와 같은 비닐 에스테르; N-비닐피롤리돈과 같은 비닐기 함유 헤테로사이클릭 화합물; 스티렌 및 α-메틸스티렌과 같은 스티렌 단량체; 아크릴로니트릴과 같은 시아노기 함유 단량체; 글리시딜 (메트)아크릴레이트와 같 은 에폭시기 함유 아크릴계 단량체; 비닐 에테르와 같은 비닐 에테르 단량체 등]와 1종 이상의 (메트)아크릴산 알킬 에스테르의 공중합체를 포함하는 점착제; 폴리우레탄계 점착제 등이 기재로서 사용될 수 있다. 바람직한 기재로는 아크릴계 점착제를 들 수 있다. 상기 기재는 1종의 성분으로 구성되거나, 2종 이상의 성분으로 구성될 수 있다.
가교결합성 작용기를 함유하는 작용기 함유 화합물은 방사선-경화성 저분자량 화합물이거나 또는 방사선-경화성 수지일 수 있다. 방사선-경화성 저분자량 화합물 및 방사선-경화성 수지는 조합하여 이용되거나, 또는 단독으로 이용될 수 있다. 방사선-경화성 저분자량 화합물 및 방사선 경화 수지 각각은 단독으로 또는 그들 둘 이상을 조합하여 사용될 수 있다.
방사선-경화성 저분자량 화합물은 가시광선, 자외선, 또는 전자선과 같은 에너지선(방사선)에 의해 경화될 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 화합물은 열박리성 점착층(b)가 에너지선의 조사를 통하여 효율적으로 삼차원적인 망상조직을 형성하도록 하는 것이 바람직하다.
방사선-경화성 저분자량 화합물의 구체적인 예는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 등을 포함한다. 방사선-경화성 수지의 예는 분자 말단에 (메트)아크릴올기를 갖는 에스테르 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 멜라민 (메트)아크릴레이트, 아크릴 수지 (메트)아크릴레이트, 티올-엔 부가형 수지 또는 분자 말단에 알릴기를 갖는 양이온성 광중합형 수지, 폴리비닐 시나메이트와 같은 시나모일기-함유 중합체, 디아조화 아미노노볼락 수지, 아크릴아미드계 중합체 등과 같은 감광성 반응기를 갖는 중합체 또는 올리고머를 포함한다. 더욱이, 고에너지선의 조사로 반응하는 중합체의 예는 에폭시화 폴리부타디엔, 불포화 폴리에스테르, 폴리글리시딜메트아크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐실록산 등을 포함한다. 방사선-경화성 수지가 이용되는 경우에는, 베이스가 반드시 필요한 것은 아니다.
혼입되는 가교성 작용기를 함유하는 작용기 함유 화합물의 양은, 예를 들어 베이스 100 중량부에 대하여 약 5 내지 500 중량부, 바람직하게는 15 내지 300 중량부, 더 바람직하게는 20 내지 150 중량부의 범위에 있다.
방사선-경화성 점착제로는 자외선(UV) 반응성 점착 중합체도 이용될 수 있다. 자외선 반응성 점착 중합체의 예는, 하이드록실기 또는 카복실기와 같은 활성 작용기를 출발 부위로 이용하는 화학 반응에 의하여 비닐기와 같은 감광성 작용기 함유 화합물을 아크릴 중합체 분자 중에 도입하여 얻은 감광성 아크릴계 점착제를 포함한다. 자외선 반응성 점착 중합체는 단독으로 또는 그들 2 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
방사선 중합 개시제의 예는 4-(2-하이드록시에톡시)페닐 (2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤, 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노프로판-1과 같은 아세토페논계 개시제; 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 및 아니소인 메틸 에테르와 같은 벤조인 에테르계 개시제; 2-메틸-2-하이드록시프로피온페논과 같은 α-케톨 화합물; 벤질 디메틸 케탈과 같은 케탈 화합물; 2-나프탈렌설포닐 클로라이드와 같은 방향족 설포닐 클로라이드 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카보닐) 옥심과 같은 광활성 옥심 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논과 같은 벤조페논계 화합물; 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤 및 2,4-디이소프로필티옥산톤과 같은 티옥산계 화합물을 포함한다. 이들 외에도, 그들의 예는 추가로 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥사이드, 아실포스포네이트 등을 포함한다.
상기 성분 외에도, 방사선으로의 경화 전후에 적절한 점탄성을 얻기 위한 필요성에 따라, 열 중합 개시제, 가교제, 점착부여제, 및 가황제와 같은 적합한 첨가제가 방사선-경화성 점착제에 도입될 수 있다. 방사선 중합 촉진제가 방사선 중합 개시제와 조합하여 사용될 수 있다.
본 발명의 방사선-경화성 점착제로서는, 아크릴계 점착제를 베이스로서 사용하는 방사선-경화성 아크릴계 점착제가 유리하게 이용될 수 있다.
또한, 점착층(c)을 형성하는데 이용되는 점착제는 열박리성 점착층(b)의 열 변형을 가능한 적게 억제하는 것이 바람직하다. 점착층(c)을 형성하는 점착제로는 아크릴계 점착제가 바람직하게 이용될 수 있다. 이러한 아크릴계 점착제는 아크릴계 접착제 또는 에너지선 경화성 아크릴계 점착제가 사용될 수 있다. 점착층(c)의 형성에 이용되는 점착제는, 예를 들어 가소제, 충전제, 계면 활성제, 산화 방지제, 및 점착부여제와 같은 공지된 또는 관용의 첨가제가 포함될 수 있다.
점착층(c)의 점착제 중에 포함되어 있는 유리 성분에 의한 피착체의 오염을 감소시키기 위한 관점에서, 점착층(c)의 겔 분률(가열 처리 또는 방사선 조사 처리 후)이 90% 이상(바람직하게는 95 중량% 이상)인 것이 바람직하다.
겔 함량의 단위는 중량%(중량에 의한 %)이다. 겔 함량은 삼차원의 망상 구조가 중합체 사슬 사이의 가교결합에 의하여 형성되어 있는 중합체에서 용매에 비용해성인 성분의 중량 비율을 의미한다.
점착층(c)은, 예를 들어 액상의 점착제를 기재(a) 상에 도포하는 방식 또는 상기 방식에 의하여 적합한 세퍼레이터 상에 형성된 점착층(c)을 기재(a) 상에 전사(옮김)시키는 방법에 의하여 형성될 수 있다.
점착층(c)의 두께는 피착체 표면의 위상 등에 따라서 적절히 선택될 수 있지만, 특별히 제한되지 않는다. 점착층(c)의 두께는, 예를 들어 약 0.1 내지 500㎛(바람직하게 5 내지 100㎛)의 범위로부터 선택될 수 있다. 또한, 점착층(c)은 단층 또는 다층의 어느 형태를 가질 수 있다.
[점착층(d)]
점착층(d)은 피착체(피가공체)의 가공에 있어서, 보강판에 붙이는데 이용하기 위한 점착층이다. 즉, 점착층(d)은 열박리성 점착층(b) 상에 형성되고, 보강판 에 부착하기 위한 점착층으로서의 기능을 갖는다. 도 1에 나타낸 구조를 갖는 열박리성 양면 점착 시이트에는, 열처리에 의해 기재(a)로부터 열박리성 점착층(b)을 박리 처리함으로써 열박리성 점착층(b)과 보강판 사이의 계면에 분리가 일어난다. 그 결과, 구조는 3개의 단위, 즉, 피착체/점착층(c)/기재(a), 열박리성 점착층(b), 및 보강판으로 구성되는 단위로 분리되는 상태로 된다. 이것은 열박리성 점착층(b)의 회수 공정을 필요로 한다.
그러나, 도 2에서 나타낸 구조를 갖는 열박리성 양면 점착 시이트에는, 열처리에 의해 기재(a)로부터 열박리성 점착층(b)을 박리처리한 후, 열박리성 점착층(b)는 점착층(d)을 통해서 보강판에 부착한 상태가 유지된다. 그 결과, 구조는 2개의 단위, 즉, 피착체/점착층(c)/기재(a)로 구성되는 단위 및 열박리성 점착층(b)/점착층(d)/보강판으로 구성되는 단위로 분리된 상태로 된다. 따라서, 열박리성 점착층(b)의 회수 단계가 불필요하고 작업의 효율성이 향상될 수 있다.
점착층(c)과 마찬가지로, 점착층(d)은 점착제, 방사선-경화성 점착제, 열가소성 수지, 열경화성 수지 또는 열박리성 점착제와 같은 점탄성 물질로 구성될 수 있다. 상기 점탄성 물질은 단독으로 또는 두 개 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
점착층(d)은 바람직하게는 그의 원래 상태가 매우 높은 탄성을 갖거나 낮은 점착성인 것이 바람직하며, 특히 또한 낮은 오염성을 갖는 것이 바람직하다. 이것은 점착층(d)이 작은 오염성을 가질 때 보강판을 회수한 후 용이하게 재사용할 수 있기 때문이다.
점착층(d)의 점탄성 물질로서는, 상기 예시한 것 중에서 점착제 및 방사선- 경화성 점착제가 바람직하다. 점착층(d)에 사용되는 점착제 또는 방사선-경화성 점착제로서는, 점착층(c)에 사용되는 점착제 또는 방사선-경화성 점착제와 동일한 것을 사용할 수 있다.
점착층(d)의 두께는, 예컨대, 0.1 내지 100㎛(바람직하게는 5 내지 50㎛) 범위에서 선택할 수 있다. 또한, 점착층(d)은 단층 구조 또는 복층 구조일 수 있다.
[기타 층]
본 발명에 있어서, 열박리성 양면 점착 시이트는, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 한, 필요에 따라 적절한 위치에 기타 층을 가질 수 있다. 기타 층의 예로서, 기재(a)와 열박리성 점착층(b) 사이, 기재(a)와 점착층(c) 사이 등의 각 층간에 위치하는 중간층 등을 들 수 있다. 이러한 기타 층은 1종 또는 2 종 이상일 수 있다. 또한, 상기 기타 층 각각은 단층으로 구성되거나 적층체일 수 있다.
상기 중간층의 예로서 박리성을 부여하기 위한 박리제의 코팅층, 밀착력을 향상시키기 위한 프라이머 코팅층, 피착체를 가공하는데 필요한 쿠션(cushion)성을 부여하기 위한 연질 수지층 등을 들 수 있다. 또한, 다른 중간층의 예로서는 양호한 변형성을 부여하기 위한 층, 피착체에의 접착 면적을 증가시키기 위한 층, 접착력의 향상을 위한 층, 피착체의 표면 형상에 적합성을 부여하기 위한 층, 가열에 의한 접착력 감소 처리 효과를 향상시키기 위한 층, 가열 처리후의 피착체에 대한 박리성을 향상시키기 위한 층 등을 들 수 있다. 또한, 상기 기타 층은 공지 또는 통상의 방법에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 기타 층의 두께 및 소재는 본 발명의 작용이나 효과 등을 손상하지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않는다.
[세퍼레이터]
본 발명에 있어서, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 열박리성 점착층(b), 점착층(c) 및 점착층(d)이, 실질적으로 사용될 때까지, 작업성 및 방진성 등의 관점에서 세퍼레이터에 의해 보호되는 것이 바람직하다. 즉, 세퍼레이터는 필요에 따라 사용될 수 있지만, 반드시 배치될 필요는 없다. 열박리성 양면 점착 시이트를 피착체 및 보강판에 부착할 때에, 세퍼레이터는 박리된다.
세퍼레이터로서 통상의 박리지 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화 몰리브덴과 같은 박리제에 의해 표면처리된 플라스틱 필름 및 종이 등의 박리층을 갖는 기재; 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체 또는 클로로플루오로에틸렌/비닐리덴 플루오라이드 공중합체와 같은 플루오로중합체로 제작된 저부착성 기재; 폴리올레핀 수지(예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등) 등의 무극성 중합체로 제작된 저부착성 기재등을 세퍼레이터로서 사용할 수 있다.
또한, 세퍼레이터는 공지 또는 통상의 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 세퍼레이터의 두께 등도 특별히 한정되지 않는다.
본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트는, 시이트 형태 또는 롤 형태로 감겨진 테이프 형태와 같은 적당한 형태로 형성된다. 또한, 열박리성 양면 점착 시이트는 전술된 바와 같이, 각 층을 직접 형성 또는 전사 방법 등의 일반적으로 공지된 기술을 사용하여 제조될 수 있다.
[피착체의 가공 방법]
본 발명의 피착체의 가공 방법에 있어서, 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 통해 보강판에 피착체를 부착시키고, 피착체를 가공처리한다. 구체적으로는, 열박리성 양면 점착 시이트의 점착층(c) 면에 피착체를 부착시키고 상기 시이트의 열박리성 점착층(b) 또는 점착층(d) 면에 보강판을 부착시킨다. 그 후, 보강판에 의해 지지된 상태로 피착체를 유지하면서 피착체에 가공처리를 실시한다. 따라서, 강인한 평활성을 유지하면서 피착체를 가공할 수 있기 때문에, 피착체가 취약한 피가공체일지라도 고정밀 가공처리를 용이하게 실시할 수 있다.
또한, 가공처리후, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b)과 기재(a) 사이의 계면에서 분리가 유발되어 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 점착층(c)에 의해 부착된 상태에서 가공처리된 피착체를 보강판으로부터 분리시킨다. 또한, 상기 가공처리된 피착체를 점착층(c)을 갖는 기재(a)로부터 분리시킨다.
따라서, 피착체에 가공처리를 실시한 후, 임의의 시기에 열처리에 의해 가공처리된 피착체를 보강판으로부터 용이하게 분리할 수 있다. 특히, 가공처리된 피착체에 기재(a)가 점착층(c)을 통해 부착되기 때문에, 기재(a)에 의해 지지된 상태로 가공처리된 피착체를 일시적으로 회수할 수 있다. 이러한 이유 때문에, 상기 처리 방법에 따라 가공처리된 피착체의 수송성이 또한 우수해 진다.
또한, 피착체가 열박리성 점착층(b)에 부착되는 것이 아니라 점착층(c)에 부착되기 때문에, 점착층(c)으로부터 박리 후에 피착체의 오염이 억제 또는 방지될 수 있다. 따라서, 점착 시이트로부터 박리된 가공처리된 피착체 면이 효과적으로 깨끗해진다.
본 발명의 피착체의 가공 방법의 양태를 도 3 및 도 4에 도시하였다. 도 3및 도 4는, 본 발명에 따른 피착체의 가공 방법을 예시하는 개략도이다. 또한, 도 3은 도 1에 도시된 열박리성 양면 점착 시이트의 사용 양태를 예시한 것이며, 도 4는 도 2에 도시된 열박리성 양면 점착 시이트의 사용 양태를 예시한 것이다. 도 3 및 도 4에 있어서, (7)은 피착체(피가공체), (71)은 가공처리가 실시된 피착체, (8)은 보강판, (9)는 가공처리가 실시된 피착체(71)의 지지체이며, (1) 내지 (6)은 상기에서와 같다.
도 3 및 도 4에 있어서, 열박리성 양면 점착 시이트(1)를 통해서 피착체(7)가 보강판(8)에 부착되고, 피착체(7)를 가공처리한 후, 이 가공처리된 피착체(71)가 지지체(9)에 의해 지지된 채로 가열처리하여 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 점착층(c)에 의해 부착된 상태에서 보강판으로부터 가공처리된 피착체(71)를 박리시킨다.
구체적으로는, 도 3에 있어서, (a)는, 도 1에 도시된 구성의 열박리성 양면 점착 시이트(1)(세퍼레이터(6)는 박리에 의해 제거됨)를 통해서 보강판(8)에 부착된 피착체(7)를 도시한 것이다. (b)에 있어서, 상기 (a)에 도시된 피착체(7)는 가공처리된 피착체(71)가 된다. (c)는 상기 (b)에서의 가공처리된 피착체(71)를 지지체(9)에 지지하면서 열 처리가 실시된 후의 상태를 도시한 것이다.
특히, 열처리에 의해 열박리성 점착층(b)(3)과 기재(a)(2) 사이의 계면에서 분리를 일으켜 가공처리된 피착체(71)가 부착된 점착층(c)(4)을 갖는 기재(a)(2)가 수득되고, 또한 열박리성 점착층(b)(3)과 보강판(8) 사이의 계면에서 박리가 일어나 열박리성 점착층(b)(3) 및 보강판(8)이 수득된다.
즉, 도 3에서는, 가열처리에 의해, 열박리성 점착층(b)과 기재(a)의 계면이 분리되어, 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 부착된 상태에서 보강판으로부터 피착체가 분리된다. 그러나, 이 경우 점착층(d)이 사용되지 않기 때문에, 열박리성 점착층(b)은 보강판으로부터도 박리되어, 보강판이 독립적으로 수득된다. 따라서, 이러한 경우 한 번의 가열처리에 의해 보강판을 회수할 수 있어, 공정의 단순화를 꾀하는 것이 가능하다.
한편, 도 4에서, (a)는 도 2에 도시된 구성의 열박리성 양면 점착 시이트(1)(세퍼레이터(6)는 박리에 의해 제거됨)를 통해서 보강판(8)에 부착된 피착체(7)이다. (b)에서는, 상기 (a)에서의 피착체(7)가 가공처리된 피착체(71)가 된다. (c)에서는, 상기 (b)에서 가공처리된 피착체(71)를 지지체(9)에 의해 지지시키면서 열처리한 상태를 도시한다. 구체적으로 열처리에 의해 열박리성 점착층(b)(3)과 기재(a)(2)의 계면에서 분리가 일어나, 점착층(c)(4)을 갖는 기재(a)(2)가 부착된 상태에서 가공처리된 피착체(71)를 수득하고, 추가로 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)이 부착된 보강판이 수득된다.
즉, 도 4에서는 점착층(d)이 사용될 수 있기 때문에 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 부착된 상태에서 피착체를 보강판으로부터 분리하면, 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)이 부착된 보강판이 수득된다.
이 경우, 공정 라인 중에 열박리성 점착층(b)이 독립적으로 존재하지 않기 때문에, 개별적인 층 또는 기기로의 오염을 억제 또는 방지할 수 있다. 이 때문에 본 가공 방법은 특히 높은 청결도가 요구되는 공정에서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)이 부착된 이러한 보강판은, 예컨대, 박리용 시이트 또는 테이프를 이용한 박리 기술 등 공지의 박리 기술을 이용함으로써 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)부터 분리될 수 있다. 이렇게 하여, 보강판을 회수할 수 있다.
도 3 및 도 4에서, 가공처리된 피착체는 지지체에 의해 지지된 상태로 가열처리에 의해 보강판으로부터 분리된다. 이 지지체는 필요에 따라 사용할 수도 있지만, 항상 사용될 필요는 없다. 예컨대, 피착체가 지나치게 약하지 않고, 지지체에 의해 지지되지 않더라도 가공처리된 피착체를 가열처리에 의해 보강판으로부터 분리할 때에 피착체에 파손이 생기지 않는 경우, 지지체가 사용될 필요가 없다. 그러나, 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 가공처리된 피착체가 지지체에 의해 지지되면서 가열처리에 의해 보강판으로부터 분리되는 경우, 피착체가 취약한 경우라도 피착체의 파손을 효과적으로 억제 또는 방지하여 용이하게 회수할 수 있거나 다음 공정으로 옮길 수 있다. 따라서, 지지체를 이용함으로써 가공처리된 피착체의 수송성을 추가로 향상시킬 수 있다.
또한, 피착체를 지지체로 지지하는 경우, 보강판으로부터 분리한 직후의 가공처리된 피착체는 한 면에 지지체를 갖고 있고, 다른 면에 점착층(c)을 통해서 기재(a)를 갖는 상태로 되어 있다. 이 가공처리된 피착체는, 지지체에 의해 지지된 상태에서 점착층(c)의 종류 등에 따라 공지된 분리방법에 의해 점착층(c)을 갖는 기재(a)부터 분리될 수 있다.
또한, 이 분리에 의해 수득된 가공처리된 피착체는 지지 방법에 적당한 분리수단(예컨대, 지지체가 접착이나 흡착을 이용하여 지지하는 경우에는, 접착이나 흡착을 해제하는 수단 등)을 이용하여 한 면에 있는 지지체로부터 분리된다. 이렇게 가공처리된 피착체를 독립적으로 수득할 수 있다.
또한, 열박리성 양면 점착 시이트를 통해서 피착체를 보강판에 부착하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 피착체 및 보강판 중 한편의 부재(특히, 반도체 웨이퍼 등과 같은 단단한 물체)를, 롤러 압착방법 등의 공지된 부착 방법을 이용하여, 열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 부착하고 감압 분위기(특히, 진공 분위기) 하에서 다른 기재를 열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 부착하는 방법을 사용할 수 있다. 이와 같이, 감압 하에서 열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 피착체 및/또는 보강판을 부착시켜 점착층과 피착체 또는 보강판의 계면으로 기포가 혼입되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
특히, 열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 피착체 및/또는 보강판을 부착한 후 가열처리 및 가압처리를 수행하면, 점착층과 피착체 또는 보강판의 계면에 기포가 소량 혼입되더라도, 이 소량 존재하는 기포는 점착제 층 중에 확산될 수 있다. 따라서, 피착체 가공 정밀도를 보다 향상시킬 수 있다.
이러한 피착체의 가공 방법에 의해, 피착체의 종류 및 가공처리 방법 등에 따라, 각종 물품이 제조된다. 상기 피착체 가공 방법을 이용하는 것에 의해(즉, 상기 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하는 것에 의해) 제조되는 물품은 하기와 같다. 예컨대, 피착체로서 하기에 도시된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 사용하는 경우, 상기 피착체의 가공 방법을 이용하는 것에 의해(즉, 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하는 것에 의해), 전자 부품(예컨대, 반도체 칩이 구비된 전자 부품 등)이 제조된다. 따라서, 본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트는 반도체 웨이퍼의 연삭이나 절단 가공시에 바람직하게 이용할 수 있다.
[피착체]
피착체(피가공체)는 특별히 제한되지 않고, 예컨대, 취약한 피가공체일 수도 있다. 구체적인 피착체의 예로서는, 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼 등), 다층 기판, 적층 세라믹, 전체-밀봉형 모듈 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 피착체는 단독 또는 2종 이상 조합시켜 이용할 수 있다.
또한, 피착체의 가공처리는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 반도체 웨이퍼의 연삭이나 절단 등의 여러가지의 가공처리(예컨대, 반도체 웨이퍼의 이면 연마 처리가공, 두께 감소를 위한 연삭, 다이싱 처리가공, 미세가공, 절단가공 등)을 이용할 수 있다.
[보강판]
보강판의 예로는, 사파이어 유리판, 합성 석영 판 등의 유리판; 폴리카보네이트판, 폴리메틸메타크릴레이트 판 등의 플라스틱판; 알루미늄판, SUS 스테인레스 강판 등의 금속판; 실리콘 웨이퍼 등을 들 수 있다. 보강판은 단독으로 또는 2종 이상 조합시켜 이용할 수 있다. 또한, 보강판의 크기는 피착체와 같은 치수 또는 그 이상의 크기인 것이 바람직하다.
또한, 회수된 보강판은 다른 피착체의 가공 시에 재이용될 수 있다. 이와 같이, 본 발명에서 보강판은 용이하게 회수하고 재이용되며, 사파이어 유리판 등의 고가 재료에 의해 제조된 보강판의 경우 비용의 절감을 꾀할 수 있어, 보강판으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
[지지체]
지지체는 특별히 제한되지 않는다. 그러나 공지된 지지체, 예컨대, 점착 시이트 또는 테이프나, 흡착 스테이지(suction stage) 등이 이용될 수 있다. 즉, 지지체에 의해 지지시키는 수단으로서는, 접착 장치 또는 흡착 장치 등을 이용할 수 있다. 지지체는 단독이거나 2종 이상 조합시켜 이용할 수 있다.
전자 부품 등의 피착체를, 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하여 보강판에 부착시키고 피착체에 가공처리를 실시한 후에, 열박리성 점착층(b)과 기재(a)의 계면에 분리를 유발하는 가열 처리 방법으로서는, 예컨대, 열판(hot plate), 열풍 건조기, 근적외선 램프, 공기 건조기 등과 같은 적당한 가열수단을 이용한 가열처리 방법을 이용할 수 있다. 열박리성 점착층(b)내 열팽창성 미소구의 발포 개시 온도 이상인 한, 가열 온도는 임의의 온도가 될 수 있다. 그러나, 가열처리의 조건은, 피착체의 표면 상태나 열팽창성 미소구의 종류 등에 의한 접착 면적의 감소성, 기재(a)나 피착체의 내열성, 가열 방법(열용량, 가열 장치 등) 등에 의해 적절히 설정할 수 있다.
일반적인 가열처리 조건은, 온도 100 내지 250℃에서, 1 내지 90초 사이(열판 등) 또는 5 내지 15분간(열풍 건조기 등)이다. 이러한 가열 조건에서, 통상적으로 열박리성 점착층(b)의 열팽창성 미소구가 팽창 및/또는 발포하여, 열박리성 점착층(b)이 팽창/변형하는 것에 의해 요철형태로 변형되어, 접착력이 저하 내지 상실된다. 또한, 가열처리는 사용 목적에 따라 적당한 단계에서 할 수 있다. 또한, 적외선 램프나 가열수를 가열원으로 이용하는 경우도 있다.
[실시예]
이하에서 실시예를 기초로 하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 조금도 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
실시예 l
탄소-탄소 2중 결합(C=C 결합)을 분자 내에 갖는 아크릴 중합체[75 중량부의 에틸 아크릴레이트, 25 중량부의 2-에틸헥실 아크릴레이트, 및 18 중량부의 2-하이드록시부틸 아크릴레이트를 단량체 성분으로 하고, 또한 0.8 당량의 상기 2-하이드록시부틸 아크릴레이트에 메타크릴로일옥시에틸렌이소시아네이트가 첨가된 탄소-탄소 2중 결합(C=C 결합)을 분자 내에 갖는 아크릴 중합체; 중량평균 분자량: 950,000] 100 중량부를 3 중량부의 폴리우레탄 가교제(상표명 "코로네이트 L", 일본 폴리우레탄(Nippon Polyurethane Co.) 제품) 및 2.5 중량부의 광중합 개시제(상표명 이르가큐어 651", 일본 시바-가이기(CIBA-GEIGY) 제품)와 배합하여, 자외선-반응성 점착제(경우에 따라서는 "자외선-반응성 점착제 A"로 불림)를 수득하였다.
또한, 50 중량부의 에틸 아크릴레이트, 50 중량부의 부틸 아크릴레이트 및 5 중량부의 2-하이드록시에틸 아크릴레이트를 단량체 성분으로 하여 형성된 아크릴 중합체(중량평균 분자량: 500,000) 100 중량부를 3 중량부의 폴리우레탄 가교제(상 표명 "코로네이트 L", 일본 폴리우레탄(Nippon Polyurethane Co.) 제품) 및 25 중량부의 열팽창성 미소구(상표명 "마쯔모토 마이크로스피어 F30D", 마쯔모토 유시-세이야쿠 제품; 90℃ 팽창형)와 배합하여, 열박리성 점착제(경우에 따라서는 "열박리성 점착제 A"로 불림)를 수득하였다.
두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)의 한 면에 건조후의 두께가 30㎛이 되도록 상기 자외선-반응성 점착제 A를 도포했다. 또한, 상기 PET 필름의 다른 면에 건조후의 두께가 50㎛가 되도록 상기 열박리성 점착제 A를 도포하여 열박리성 양면 점착 시이트(경우에 따라서는 "점착 시이트 A"로 불림)를 수득하였다. 즉, 이 점착 시이트 A는 기재로서의 PET 필름의 한 면에 열박리성 점착제 A 층(두께 50㎛)을 갖고, 다른 면에 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)을 갖고, 또한 가열에 의해 열박리성 점착제 A 층이 PET 필름으로부터 분리가능한 구성을 갖고 있다.
이어서, 상기 점착 시이트 A의 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)에 반도체 실리콘 웨이퍼를 부착한 후에, 진공 적층기(vacuum laminator)를 사용하여 열박리성 점착제 A 층(두께 50㎛)에 유리 웨이퍼를 부착시켰다.
실시예 2
40 중량부의 부틸 아크릴레이트, 60 중량부의 2-에틸헥실 아크릴레이트 및 7 중량부의 2-하이드록시에틸 아크릴레이트를 단량체 성분으로 하는 아크릴 중합체(중량평균 분자량: 1,150,000) 100 중량부를 5 중량부의 폴리우레탄 가교제(상표명 "코로네이트 L", 일본 폴리우레탄(Nippon Polyurethane Co.) 제품)과 배합하여, 감 압 접착제(경우에 따라서는 "감압 접착제 B"로 불림)를 수득하였다.
자외선-반응성 점착제 A의 대신에, 감압 접착제 B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 열박리성 양면 점착 시이트(경우에 따라서는 "점착 시이트 B"로 불림)를 수득하였다. 즉, 이 점착 시이트 B는 기재로서의 PET 필름의 한 면에 열박리성 점착제 A 층(두께 50㎛)를 갖고, 다른 면에 감압 접착제 B 층(두께 30㎛)을 갖고, 또한 가열에 의해 열박리성 점착제 A 층을 PET 필름으로부터 분리가능한 구성을 갖고 있다.
또한, 상기 점착 시이트 B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일한 방식으로, 소정의 점착면에 각각 반도체 실리콘 웨이퍼 및 유리 웨이퍼를 부착시켰다. 구체적으로는, 점착 시이트 B의 감압 접착제 B 층(두께 30㎛)에 반도체 실리콘 웨이퍼를 부착시키고, 열박리성 점착제 A 층(두께 50㎛)에 유리 웨이퍼를 부착시켰다.
실시예 3
실시예 1에서 수득된 점착 시이트 A의 열박리성 점착제 A 층에 추가로 건조후의 두께 15㎛가 되도록 자외선-반응성 점착제 A를 도포하여 열박리성 양면 점착 시이트(경우에 따라서는 "점착 시이트 C"로 불림)를 수득하였다.
즉, 이 점착 시이트 C는 기재로서의 PET 필름의 한 면에 다음과 같은 순서로 열박리성 점착제 A 층(두께 50㎛) 및 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 15㎛)을 적층시키고, 다른 면에 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)을 갖고, 또한 가열에 의해 열박리성 점착제 A 층을 PET 필름으로부터 분리가능한 구성을 갖는다.
또한, 점착 시이트 C를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로 각각 반도체 실리콘 웨이퍼 및 유리 웨이퍼를 소정의 점착면에 부착시켰다. 구체적으로, 점착 시이트 C의 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)에 반도체 실리콘 웨이퍼를 부착시키고, 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 15㎛)에 유리 웨이퍼를 부착시켰다.
비교예 1
열박리성 점착제 A 대신에, 실시예 2에서 수득된 감압 접착제 B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면 점착 시이트(경우에 따라서는 "점착 시이트 D"로 불림)를 수득하였다. 즉, 이 점착 시이트 D는 기재로서의 PET 필름의 한 면에 감압 접착제 B 층(두께 50㎛)를 갖고, 다른 면에 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)를 갖고 있다. 가열에 의한 열박리성은 갖고 있지 않다.
또한, 상기 점착 시이트 D를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로 각각 반도체 실리콘 웨이퍼 및 유리 웨이퍼를 소정의 점착면에 부착시켰다. 구체적으로, 감압성 점착 시이트 D의 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)에 반도체 실리콘 웨이퍼를 부착시키고, 감압 접착제 B 층(두께 50㎛)에 유리 웨이퍼를 부착시켰다.
비교예 2
열박리성 점착제 A의 대신에, 자외선-반응성 점착제 A를 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면 점착 시이트(경우에 따라서는 "점착 시이트 E"로 불림)를 수득하였다.
즉, 이 점착 시이트 E는 기재로서의 PET 필름의 한 면에 자외선-반응성 점 착제 A 층(두께 50㎛)은 갖고, 다른 면에 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)을 갖는다. 또한, 가열에 의한 열박리성은 갖고 있지 않다.
또한, 상기 점착 시이트 E를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로 각각 반도체 실리콘 웨이퍼 및 유리 웨이퍼를 소정의 점착면에 부착시켰다. 구체적으로는, 점착 시이트 E의 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)에 반도체 실리콘 웨이퍼를 부착시키고, 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 50㎛)에 유리 웨이퍼를 부착하였다.
점착력 측정
각 실시예 및 각 비교예에서 수득된 각 점착 시이트(점착 시이트 A 내지 E)를 폭 20mm로 절단하였다. 소정의 점착층[실시예 1 및 실시예 3에서는 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛), 실시예 2에서는 감압 접착제 B 층(두께 30㎛), 비교예 1 및 비교예 2에서는 자외선-반응성 점착제 A 층(두께 30㎛)]에 실리콘 미러(mirror) 웨이퍼를 부착한 후, 180°박리 점착력(박리 속도300mm/분, 23℃)을 측정했다. 또한, 실시예 2 이외는, 전부 자외선 조사 후(적산광량: 30 mJ/㎠)에 점착력을 측정했다. 측정 결과는 표 1의 "점착력"의 난에 나타내었다.
박리성의 평가
각 실시예 및 각 비교예에서 수득된 "반도체 실리콘 웨이퍼/점착 시이트/유리 웨이퍼"로 이루어진 구성을 갖는 접착 단위 중의 반도체 실리콘 웨이퍼의 표면을 이면 연삭기(DISCO 제품의 "DFG840")로 두께 40㎛까지 연삭(drinding)한 후, 가열처리(100℃의 열판(hot plate) 위에서 30초)에 의해 유리 웨이퍼를 분리했다. 그 후, 마운트(mount) 분리 장치(닛토 세이키(Nitto Seiki Inc.) 제품의 "PM8500")로 40㎛의 반도체 실리콘 웨이퍼를 분리했다. 두께 40㎛의 반도체 실리콘 웨이퍼의 전사 테이프로서는, 다이싱(dicing) 테이프(닛토 덴코 제품의 "DU200")를 사용하였다.
상기 반도체 실리콘 웨이퍼를 두께 40㎛로 연삭할 때의 반도체 웨이퍼의 연삭성(gridablility), 가열 처리에 의해 유리 웨이퍼를 분리할 때의 유리 웨이퍼의 박리성, 마운트 박리 장치에 의해 반도체 실리콘 웨이퍼를 분리할 때의 반도체 실리콘 웨이퍼의 박리성을 각각 평가했다. 평가 결과는 각각 표 1의 "실리콘 웨이퍼의 연삭성", "유리 웨이퍼의 박리성", "실리콘 웨이퍼의 박리성" 난에 도시했다.
Figure 112004013433383-pat00001
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예에 따른 점착 시이트는 반도체 실리콘 웨이퍼를 40㎛로 연삭하는 웨이퍼 연삭성이 매우 양호하고, 두께 40㎛의 반도체 실리콘 웨이퍼를 열박리성 점착 시이트로부터 분리할 때의 박리성 또한 매우 양호하였다. 반도체 실리콘 웨이퍼의 두께가 40㎛인 경우에서도, 손상 없이 박리할 수 있다. 물론, 유리 웨이퍼의 박리성도 매우 양호하였고, 양호하게 분리할 수 있었다.
대조적으로, 비교예에 따른 점착 시이트는 반도체 실리콘 웨이퍼를 40㎛로 연삭하는 웨이퍼 연삭성에서는 양호하였지만, 보강판인 유리 웨이퍼를 분리할 수 없었다. 이로 인해 반도체 실리콘 웨이퍼도 또한 분리할 수 없었다.
상기에 도시되고 기술된 본 발명의 형태 및 세부 사항에서 다양한 변형이 가능하다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 이런 변형은 본원에 첨부된 청구범위의 정신 및 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.
본 출원은 2003년 3월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제 2003-093556 호에 기초한 것이고, 이의 개시 내용은 그 전체가 본원에 참고로 인용된다.
본 발명의 열박리성 양면 점착 시이트는, 피가공체의 가공 시에 이용하는 경우, 접착성이 양호하고, 임의의 시기에 가열처리에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 박리 시에 점착 시이트로부터 분리되는 피가공체의 표면의 오염을 방지할 수 있고, 또한 피착체가 반도체 웨이퍼와 같은 취약한 피가공체인 경우에도 우수한 가공성으로 가공할 수 있고 양호한 수송성을 갖는다.

Claims (15)

  1. 기재(a), 기재(a)의 한 면에 형성되며 열팽창성 미소구를 함유하는 열박리성 점착층(b), 및 기재(a)의 다른 면에 형성된 점착층(c)을 포함하며, 상기 열박리성 점착층(b) 및 기재(a)가 가열에 의해 서로 박리가능한, 열박리성 양면 점착 시이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    열박리성 점착층(b)의 기재(a) 반대측 면에 적층된 점착층(d)을 추가로 포함하는 열박리성 양면 점착 시이트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    점착층(d)이 감압 접착제, 방사선-경화성 점착제, 열가소성 수지 및 열경화성 수지로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 점탄성 물질을 포함하는 열박리성 양면 점착 시이트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    점착층(c)이 감압 접착제, 방사선-경화성 점착제, 열경화성 수지 및 열박리성 점착제로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 점탄성 물질을 포함하는 열박리성 양면 점착 시이트.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    점착층(c)의 겔 함량(가열처리 후 또는 방사선 조사처리 후)이 90% 이상인 열박리성 양면 점착 시이트.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열박리성 점착층(b)을 구성하는 점착제가 방사선-경화성 점착제인 열박리성 양면 점착 시이트.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기재(a)의 열박리성 점착층(b)를 향하는 면이 이형처리된 열박리성 양면 점착 시이트.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하는 피착체의 가공 방법으로서,
    열박리성 양면 점착 시이트 중의 점착층(c)의 표면에 피착체를 부착하는 단계;
    열박리성 점착층(b) 또는 점착층(d)의 표면에 보강판을 부착하는 단계;
    피착체를 가공처리하는 단계;
    이어서, 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b) 및 기재(a) 사이의 계면에서 분리를 일으키는 단계;
    점착층(c)을 갖는 기재(a)가 부착된 상태에서 보강판으로부터 가공처리된 피착체를 분리하는 단계, 및
    추가로, 점착층(c)을 갖는 기재(a)로부터 가공처리된 피착체를 분리하는 단계를 포함하는 피착체의 가공 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    열박리성 양면 점착 시이트 중의 점착층(c)의 표면에 피착체를 부착하는 단계;
    열박리성 점착층(b) 또는 점착층(d)의 표면에 보강판을 부착하는 단계;
    가공처리된 피착체를 지지체로 지지하면서, 점착층(c)을 갖는 기재(a)가 부착된 상태에서 보강판으로부터 가공처리된 피착체를 가열처리에 의해 분리하는 단계; 및
    추가로, 피착체를 지지체에 의해 지지받는 상태로 유지하면서, 점착층(c)을 갖는 기재(a)로부터 가공처리된 피착체를 분리하는 단계를 포함하는,
    피착체의 가공 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 피착체 및/또는 보강판을 부착하는 것이 감압(減壓) 하에서 수행되는 피착체의 가공 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    열박리성 양면 점착 시이트의 소정의 면에 피착체 및/또는 보강판을 부착시킨 후에 가열처리 및 가압처리를 수행하는 피착체의 가공 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    피착체가 전자 부품 또는 그의 유사체인 피착체의 가공 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)이 부착되어 있고 가열처리에 의해 열박리성 점착층(b) 및 기재(a)의 계면에서 분리를 일으켜 수득되는 보강판을, 박리용 시이트 또는 테이프를 이용하여 열박리성 점착층(b) 및 점착층(d)으로부터 박리시켜 보강판을 회수하고, 이 회수한 보강판을 다른 피착체의 가공 시에 재이용하는 피착체의 가공 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 열박리성 양면 점착 시이트를 이용하여 제조된 전자 부품.
  15. 삭제
KR1020040022196A 2003-03-31 2004-03-31 열박리성 양면 점착 시이트, 피착체의 가공 방법 및 전자부품 KR100738744B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003093556A JP2004300231A (ja) 2003-03-31 2003-03-31 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
JPJP-P-2003-00093556 2003-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040085079A KR20040085079A (ko) 2004-10-07
KR100738744B1 true KR100738744B1 (ko) 2007-07-12

Family

ID=32844601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040022196A KR100738744B1 (ko) 2003-03-31 2004-03-31 열박리성 양면 점착 시이트, 피착체의 가공 방법 및 전자부품

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20040191510A1 (ko)
EP (1) EP1464688B1 (ko)
JP (1) JP2004300231A (ko)
KR (1) KR100738744B1 (ko)
CN (1) CN100352877C (ko)
AT (1) ATE335798T1 (ko)
DE (1) DE602004001796T2 (ko)
TW (1) TWI303656B (ko)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
DE102004016308A1 (de) * 2004-04-02 2005-10-20 Henkel Kgaa Klebemittel
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
JP2006154447A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Nitto Denko Corp フィルム状光導波路の製法
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
KR100690357B1 (ko) * 2005-06-10 2007-03-09 유한회사 한국 타코닉 가요성 인쇄배선판 실장용 캐리어 테이프
JP5020496B2 (ja) 2005-10-28 2012-09-05 東京応化工業株式会社 接着剤組成物および接着フィルム
JP4780766B2 (ja) * 2006-03-27 2011-09-28 日東電工株式会社 光学用粘着剤、粘着剤付き光学フィルムおよび画像表示装置
US20090098376A1 (en) * 2006-05-17 2009-04-16 Yoshiyuki Fukuoka Double-Sided Adhesive Tape for Securing Polishing-Pad
SG172621A1 (en) * 2006-07-05 2011-07-28 Univ Arizona Method of temporarily attaching a rigid carrier to a substrate
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
JP4781185B2 (ja) * 2006-07-18 2011-09-28 日東電工株式会社 耐熱ダイシングテープ又はシート
JP4676398B2 (ja) * 2006-07-26 2011-04-27 古河電気工業株式会社 ダイシング用粘着テープ
JP4849993B2 (ja) * 2006-08-14 2012-01-11 日東電工株式会社 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP2008144116A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nitto Denko Corp 両面粘着シートおよび液晶表示装置
US7691225B2 (en) * 2007-01-15 2010-04-06 Nitto Denko Corporation Thermal-release double-coated pressure-sensitive adhesive tape or sheet and method of processing adherend
KR100831081B1 (ko) * 2007-02-22 2008-05-20 (주)해은켐텍 상호반응성 공중합체를 이용한 발포시트용 점착수지 및 이를 이용한 발포시트
JP2008266455A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Nitto Denko Corp 層状珪酸塩を含む熱剥離型粘着シート及び該シートを使用する電子部品の製造方法
JP2008266456A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Nitto Denko Corp 熱剥離型両面粘着シート
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
JP5654192B2 (ja) * 2007-07-27 2015-01-14 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 粘着剤組成物及び光学部材
JP5171425B2 (ja) * 2007-10-22 2013-03-27 日東電工株式会社 加熱発泡型再剥離性アクリル系粘着テープ又はシート、及び剥離方法
KR100964618B1 (ko) * 2007-11-22 2010-06-21 인산디지켐 주식회사 고분자 발포 폼의 표면개질을 이용한 점착테이프의제조방법 및 그 구조물
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
JP4717085B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
EP2274162A1 (en) 2008-04-08 2011-01-19 The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Assemblies and methods for reducing warp and bow of a flexible substrate during semiconductor processing
JP2010039472A (ja) * 2008-07-08 2010-02-18 Nitto Denko Corp 電子ペーパーの製造方法、及び電子ペーパー形成工程用両面粘着テープ
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
TWI415692B (zh) * 2008-12-05 2013-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 解膠裝置和解膠方法
DE102008055155A1 (de) * 2008-12-23 2010-07-01 Thin Materials Ag Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer
US20120064338A1 (en) * 2009-05-26 2012-03-15 Mitsubishi Plastics, Inc. Adhesive material having removability
GB2481187B (en) * 2010-06-04 2014-10-29 Plastic Logic Ltd Processing substrates
JP5432853B2 (ja) * 2010-07-30 2014-03-05 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
US20130164478A1 (en) * 2010-08-05 2013-06-27 Oji Holdings Corporation Double-faced pressure-sensitive adhesive sheet, double-faced pressure-sensitive adhesive sheet with release sheet, process for producing same, and transparent laminate
JP5908672B2 (ja) * 2011-03-01 2016-04-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR101393986B1 (ko) * 2011-10-12 2014-05-13 (주)엘지하우시스 재 작업이 용이한 터치 스크린 패널용 점착 필름
JP2013189501A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Fujitsu Ltd 部品の貼り付け構造、及び部品の分離方法
US20130240141A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape
WO2013142054A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
JP5921927B2 (ja) * 2012-03-27 2016-05-24 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP6143164B2 (ja) * 2012-03-30 2017-06-07 日立金属株式会社 シンチレータアレイの製造方法
JP6071041B2 (ja) * 2012-03-30 2017-02-01 日立金属株式会社 シンチレータアレイの製造方法及び放射線検出器の製造方法
JP2014011244A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
JP2014011242A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
EP2717307A1 (en) 2012-10-04 2014-04-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Releasable substrate on a carrier
CN103855339B (zh) * 2012-12-07 2016-08-03 深圳市华宝新能源有限公司 可回收电池的电子装置
JP2015097195A (ja) * 2013-10-09 2015-05-21 日東電工株式会社 燃料電池用膜／電極複合体の製造方法
JP2015076276A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 日東電工株式会社 電解質膜搬送用粘着シートおよび該粘着シートを用いた燃料電池用膜／電極複合体の製造方法
KR102394517B1 (ko) * 2014-03-03 2022-05-06 린텍 가부시키가이샤 반도체 관련 부재 가공용 시트 및 당해 시트를 사용하는 칩의 제조 방법
US10147630B2 (en) * 2014-06-11 2018-12-04 John Cleaon Moore Sectional porous carrier forming a temporary impervious support
KR102313768B1 (ko) * 2015-05-06 2021-10-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 양면 테이프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법
CN105199637A (zh) * 2015-07-10 2015-12-30 都佩华 一种粘着力可调的压敏胶及应用该压敏胶的胶粘带
JP2017082094A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 積水化学工業株式会社 半導体加工用両面粘着テープ
FR3043407B1 (fr) * 2015-11-10 2017-11-24 Saint Gobain Performance Plastics France Procede de collage
US10566254B2 (en) * 2016-03-30 2020-02-18 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Method for manufacturing semiconductor device
CN109072022B (zh) * 2016-05-12 2022-10-28 索马龙株式会社 粘合片和被粘物层叠物的制造方法
JP6751312B2 (ja) * 2016-06-02 2020-09-02 日東電工株式会社 真空プロセス用粘着テープ
CN106479386A (zh) * 2016-10-25 2017-03-08 深圳市美信电子有限公司 一种导电热敏压敏胶带
CN106433506A (zh) * 2016-11-07 2017-02-22 苏州旭泽新材料科技有限公司 一种加热减粘保护膜及其制备方法
CN109082241A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 麦克赛尔控股株式会社 双面粘着胶带、及薄膜部件与支承部件的层叠体
JP7139141B2 (ja) * 2017-06-13 2022-09-20 マクセル株式会社 両面粘着テープ、及び薄膜部材と支持部材との積層体
CN109545652A (zh) * 2017-09-21 2019-03-29 达迈科技股份有限公司 用于柔性显示器的透明聚酰亚胺复合膜及其制造方法
TWI785161B (zh) * 2017-12-07 2022-12-01 日商琳得科股份有限公司 黏著性層積體、黏著性層積體之使用方法及半導體裝置之製造方法
JP7340457B2 (ja) * 2017-12-26 2023-09-07 リンテック株式会社 粘着性積層体、樹脂膜付き加工対象物の製造方法、及び硬化樹脂膜付き硬化封止体の製造方法
JP7033496B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033495B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033494B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033497B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
CN109449080B (zh) * 2018-11-12 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 胶膜及其制备方法、显示装置及胶膜的去除方法
JP7428473B2 (ja) * 2019-01-30 2024-02-06 日東電工株式会社 電子部品の製造方法
CN110684481B (zh) * 2019-09-19 2022-03-04 浙江耀阳新材料科技有限公司 一种粘性可控胶带及其应用方法
CN112552839B (zh) * 2019-09-25 2024-03-15 麦克赛尔株式会社 粘着带
EP3822056B1 (en) * 2019-11-18 2024-05-08 Heraeus Noblelight Ltd. System for treatment of a multi-layered cushioning product and operating method for a system for expanding a multi-layered cushioning product
KR102216369B1 (ko) * 2020-03-19 2021-02-17 (주)라이타이저 발포체와 감광성 수지를 이용한 led칩 전사 방법 및 장치, 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법
DE102021210563A1 (de) * 2021-09-22 2023-03-23 Tesa Se Primer zur Herstellung einer lösbaren Klebverbindung

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11302610A (ja) 1998-04-23 1999-11-02 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
KR20010006722A (ko) * 1999-03-01 2001-01-26 가마이 고로 가열-박리성 감압성 접착제 시이트
KR20010079937A (ko) * 1998-09-30 2001-08-22 가마이 고로 열박리형 점착 시이트
KR20010082644A (ko) * 2000-02-16 2001-08-30 가마이 고로 방사선-경화성 열-박리성 감압성 접착제 시이트 및 이에의한 절단 조각의 제조 방법
JP3308672B2 (ja) * 1993-02-26 2002-07-29 日東電工株式会社 接着シート
JP2003292916A (ja) 2002-04-08 2003-10-15 Nitto Denko Corp 粘着シートを用いた被着体加工方法
JP2003306653A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Nitto Denko Corp 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448450A (en) * 1991-08-15 1995-09-05 Staktek Corporation Lead-on-chip integrated circuit apparatus
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JP4256481B2 (ja) * 1997-02-14 2009-04-22 リンテック株式会社 粘着剤組成物およびその利用方法
JP3862489B2 (ja) * 1999-12-14 2006-12-27 日東電工株式会社 再剥離用粘着シート
JP2001323228A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP4703833B2 (ja) * 2000-10-18 2011-06-15 日東電工株式会社 エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
EP1347475A4 (en) * 2000-12-28 2009-07-15 Tdk Corp LAMINATED PCB AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC PART AND LAMINATED ELECTRONIC PART

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3308672B2 (ja) * 1993-02-26 2002-07-29 日東電工株式会社 接着シート
JPH11302610A (ja) 1998-04-23 1999-11-02 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
KR20010079937A (ko) * 1998-09-30 2001-08-22 가마이 고로 열박리형 점착 시이트
KR20010006722A (ko) * 1999-03-01 2001-01-26 가마이 고로 가열-박리성 감압성 접착제 시이트
KR20010082644A (ko) * 2000-02-16 2001-08-30 가마이 고로 방사선-경화성 열-박리성 감압성 접착제 시이트 및 이에의한 절단 조각의 제조 방법
JP2003292916A (ja) 2002-04-08 2003-10-15 Nitto Denko Corp 粘着シートを用いた被着体加工方法
JP2003306653A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Nitto Denko Corp 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US20040191510A1 (en) 2004-09-30
TW200427810A (en) 2004-12-16
EP1464688B1 (en) 2006-08-09
ATE335798T1 (de) 2006-09-15
CN1609158A (zh) 2005-04-27
TWI303656B (en) 2008-12-01
DE602004001796T2 (de) 2006-11-30
KR20040085079A (ko) 2004-10-07
EP1464688A1 (en) 2004-10-06
CN100352877C (zh) 2007-12-05
DE602004001796D1 (de) 2006-09-21
US20080216949A1 (en) 2008-09-11
JP2004300231A (ja) 2004-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100738744B1 (ko) 열박리성 양면 점착 시이트, 피착체의 가공 방법 및 전자부품
KR100665421B1 (ko) 방사선-경화성 열-박리성 감압성 접착제 시이트 및 이에의한 절단 조각의 제조 방법
JP3853247B2 (ja) 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP5921927B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
EP1033393A2 (en) Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet
JP5689336B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
KR101154640B1 (ko) 가열 피착체 박리 방법 및 가열 피착체 박리 장치
JP3594853B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP4970863B2 (ja) 被加工物の加工方法
EP2033996A1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for dicing and dicing method
JP2007246848A (ja) 両面粘着シート及びその使用方法
WO2013011850A1 (ja) 電子部品の製造方法および該製造方法に用いる粘着シート
JP2007220694A (ja) ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP2008115272A (ja) 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法
JP2001203255A (ja) 半導体ウエハ保持保護用粘着シート
JP2005116610A (ja) 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2009040930A (ja) 被着体の剥離方法、及び、該被着体の剥離方法に使用される加熱剥離型粘着シート
JP4711783B2 (ja) 紫外線硬化型加熱剥離性粘着シート及び切断片の分別回収方法
JP2005101628A (ja) 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP2006294742A (ja) 被着体の加工方法、該方法により得られる電子素子、及び該方法に用いる両面粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
LAPS Lapse due to unpaid annual fee