CN100352877C - 热剥离双面压敏胶粘剂片材以及处理被粘物的方法和电子元件 - Google Patents

热剥离双面压敏胶粘剂片材以及处理被粘物的方法和电子元件 Download PDF

Info

Publication number
CN100352877C
CN100352877C CNB2004100639628A CN200410063962A CN100352877C CN 100352877 C CN100352877 C CN 100352877C CN B2004100639628 A CNB2004100639628 A CN B2004100639628A CN 200410063962 A CN200410063962 A CN 200410063962A CN 100352877 C CN100352877 C CN 100352877C
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
adhesive layer
adherend
formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2004100639628A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1609158A (zh
Inventor
木内一之
藤田裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN1609158A publication Critical patent/CN1609158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100352877C publication Critical patent/CN100352877C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/412—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of microspheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2861—Adhesive compositions having readily strippable combined with readily readhearable properties [e.g., stick-ons, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，其包括基材(a)，在基材(a)的一面形成的且含有热膨胀微球体的热剥离压敏胶粘剂层(b)，和在基材(a)的另一面形成的压敏胶粘剂层(c)，其中热剥离压敏胶粘剂层(b)与基材(a)可通过加热而相互剥离。

Description

热剥离双面压敏胶粘剂片材以及处理被粘物的方法和电子元件
                        技术领域
本发明涉及一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，其具有令人满意的胶粘性，可以在任何需要的时候通过加热轻松地剥离，且能有效地防止被粘物在与其分离时被弄脏，和甚至当被粘物特别地为易碎的经过加工的材料如半导体晶片时，能赋予其优秀的可加工性和可运输性。本发明进一步涉及一种加工使用该热剥离双面压敏胶粘剂片材的被粘物的方法和一种由该加工方法得到的电子元件。
                        背景技术
迄今为止，已知通过在基材上形成辐射固化压敏胶粘剂层或含有热膨胀发泡剂的压敏胶粘剂层得到的粘合剂片材可用于这样一种方法，该方法包括通过粘合剂片材的压敏胶粘剂层将一个粘合剂片材以胶粘的方式贴在一个经过加工的材料，包括半导体晶片或层状结构的电容器上，研磨或切割该经过加工的材料至特定尺寸，然后将该经过加工的材料与粘合剂片材分离以便回收(参见专利文献1至专利文献3)。
前一种粘合剂片材的使用方法是辐射该粘合剂层，尤其是以紫外线作辐射线固化该粘合剂和降低其粘合强度，并因此便于分离和回收该经过加工的材料。在后一种情况中，压敏胶粘剂层通过加热发泡或膨胀以减小其粘合力。这两类压敏胶粘剂片材都是为了实现既有足够的用于加工的强粘合附着力又容易分离/回收。
然而，在辐射线辐射之后，带有辐射固化压敏胶粘剂层的辐射固化压敏胶粘剂片材有轻微的残余粘合强度，并且因此而不适合用于其中有非常易碎的被粘物被加工并接着分离的应用，尽管它具有优秀的可靠性，因为由剥离粘合剂片材引起的被粘物(经过加工的材料)的污垢非常细微。
另一方面，带有包含热膨胀剂的压敏胶粘剂层的热剥离压敏胶粘剂片材通过热处理变得完全没有粘合强度，并且因此非常适合用于易碎被粘物的加工/分离。然而，因为由压敏胶粘剂失粘和由发泡造成的细微的微粒状残渣会因剥离转移到被粘物，所以避免对被粘物，尤其是要求非常清洁的被粘物使用这种压敏胶粘剂片材。
[专利文献1]
JP-A-56-61468
[专利文献2]
JP-A-56-61469
[专利文献3]
JP-A-60-252681
                        发明内容
近几年来，许多涉及半导体和电子元件的器件非常脆弱，以至已经加工但不能独自运输的被粘物(经过加工的材料)的数量有所上升。因此，需要一种被粘物加工的方法，通过它即使易碎的被粘物也能轻松地运输和加工并且使加工后的被粘物保持清洁。也就是，非常强烈地需要一种压敏胶粘剂片材，它能赋予甚至是易碎的经过加工的材料以优秀的可加工性，在加工后能轻松地从被粘物上剥离，并且不会因剥离而弄脏被粘物。
这样的压敏胶粘剂片材优选仅具有辐射固化压敏胶粘剂片材和热剥离压敏胶粘剂片材各自的优点，并且使被粘物和粘附其上的压敏胶粘剂能一起轻松地运输。
相应地，本发明的目的之一是提供：一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，即使当被粘物是易碎品时，它也能赋予其优秀的可加工性和可运输性，且在需要时可轻松地剥离和能有效地抑制或防止被粘物因与其分离而被弄脏，一种用该热剥离双面压敏胶粘剂片材处理被粘物的方法，和一种通过该加工方法得到的电子元件。
本发明的另一目的是提供：一种尤其适用于通过研磨或切割加工半导体晶片的热剥离双面压敏胶粘剂片材，一种用该热剥离双面压敏胶粘剂片材处理被粘物的方法，和一种由该加工方法得到的电子元件。
为了实现上述目的，本发明的发明人进行了深入的研究。结果他们发现在加工一个经过加工的材料时，使用一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，该片材是通过在基材的一面形成一层热剥离压敏胶粘剂层、在另一面形成一层压敏胶粘剂层而形成的，以便具有这样一种结构，使基材能通过加热从热剥离压敏胶粘剂层剥离，因而这种压敏胶粘剂片材会显示出令人满意的粘合性，在任何需要的时候通过加热可轻松地剥离，能有效的抑制与粘合剂片材分离的经过加工的材料表面因剥离而弄脏，即使当被粘物是易碎的经过加工的材料如半导体晶片时，也能使所要加工的被粘物具有优秀的可加工性和令人满意的可运输性。基于这些发现完成了本发明。
也就是说，本发明提供了一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，其包括基材(a)，在该基材的一面形成的且含有热膨胀微球体的热剥离压敏胶粘剂层(b)，和在另一面形成的压敏胶粘剂层(c)，其特征在于热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)能通过加热而相互剥离。
在热剥离双面压敏胶粘剂片材中，优选在热剥离的压敏胶粘剂层(b)的背对基材(a)的一面上具有压敏胶粘剂层(d)。
该压敏胶粘剂层(d)优选包括至少一种粘弹性材料，其选自压敏胶粘剂、辐射固化压敏胶粘剂、热塑性树脂和热固性树脂。
该压敏胶粘剂层(c)优选包括至少一种粘弹性材料，其选自压敏胶粘剂、辐射固化压敏胶粘剂、热固性树脂和热剥离压敏胶粘剂。
该压敏胶粘剂层(c)可具有90％或更高的凝胶含量(在热处理或辐照处理之后)。作为构成热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂可有利地采用辐射固化压敏胶粘剂。基材上面向热剥离压敏胶粘剂层的一面可经过赋予防粘性的处理。
本发明进一步提供一种加工使用上述热剥离双面压敏胶粘剂片材的被粘物的方法，其包括将被粘物粘合到热剥离双面压敏胶粘剂片材中的压敏胶粘剂层(c)的表面，将一块加强板粘合到热剥离压敏胶粘剂层(b)或压敏胶粘剂层(d)的表面，加工该被粘物，接着通过加热在热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)之间的分界面处引起分离，将该经过加工的被粘物和粘附于其上的带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)一起从加强板上分离，再进一步将经过加工的被粘物与带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)分离。
处理被粘物的方法优选包括将被粘物粘合到热剥离双面压敏胶粘剂片材中的压敏胶粘剂层(c)的表面，将一块加强板粘合到热剥离压敏胶粘剂层(b)或压敏胶粘剂层(d)的表面上，在用一个支撑物支撑该经过加工的被粘物的同时通过加热将该经过加工的被粘物和粘附于其上的带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)一起从加强板上分离，保持该被粘物被支撑物支撑的状态进一步将经过加工的被粘物从带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)上分离。被粘物和/或加强板与热剥离双面压敏胶粘剂片材的给定表面之间的粘合可在减压条件下进行。此外，在被粘物和/或加强板粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的给定表面之后可进行加热和加压的操作。作为被粘物可有利地采用电子元件或其类似物。
顺便提及，优选粘合有热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)粘附其上且通过加热在热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)之间的分界面引起分离而获得的加强板在从热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)分离时，将一个片材或带子用于剥离以便回收该加强板，并且该回收的加强板能在加工别的被粘物中重新使用。
本发明还包括：一种电子元件，其特征在于是使用上述的热剥离双面压敏胶粘剂片材制备的；和一种电子元件，其特征在于是采用上述的处理被粘物的方法制备的。
                        附图说明
图1是说明本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材的一种实施方式的局部的剖面图。
图2是说明本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材的一种实施方式的局部的剖面图。
图3是说明本发明的被粘物处理方法的一种实施方式的图示。
图4是说明本发明的被粘物处理方法的一种实施方式的图示。
在各图中，标记1是热剥离双面压敏胶粘剂片材，标记2是基材(a)，标记3是热剥离压敏胶粘剂层(b)，标记4是压敏胶粘剂层(d)，标记5是压敏胶粘剂层(d)，标记6是隔离层，标记7是被粘物(经过处理的材料)，标记71是经过处理的被粘物，标记8是加强板，标记9是经过处理的用于被粘物71的支撑物。
                        具体实施方式
下面将详细地阐述实施本发明的方式，必要的时候可参考附图。同样的层、元件等指定为同样的标记。
图1和图2均为说明本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材实施方式的局部的剖面图。在图1和图2中，1指一个热剥离双面压敏胶粘剂片材，2指基材(a)，3指热剥离压敏胶粘剂层(b)，4指压敏胶粘剂层(c)，5指压敏胶粘剂层(d)，和6指隔离层。
特别地，相应于图1的热剥离双面压敏胶粘剂片材1包括基材(a)2，在基材(a)2的一面形成的热剥离压敏胶粘剂层(b)3，在基材(a)2的另一面形成的压敏胶粘剂层(c)4，和在热剥离压敏胶粘剂层(b)3和压敏胶粘剂层(c)4上各自形成的隔离层6，该热剥离双面压敏胶粘剂片材所具有的结构使得可通过加热使热剥离压敏胶粘剂层(b)3从基材(a)2上剥离。
相应于图2的热剥离双面压敏胶粘剂片材1包括基材(a)2，在基材(a)2的一面形成的热剥离压敏胶粘剂层(b)3，在热剥离压敏胶粘剂层(b)3上形成的压敏胶粘剂层(d)5，在基材(a)2的另一面形成的压敏胶粘剂层(c)4，和在压敏胶粘剂层(d)5和压敏胶粘剂层(c)4上各自形成的隔离层6，该热剥离双面压敏胶粘剂片材所具有的结构使得可通过加热使热剥离压敏胶粘剂层(b)3从基材(a)2上剥离。
本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材包括基材(a)，在基材(a)的一面形成的热剥离压敏胶粘剂层(b)，任选的在热剥离压敏胶粘剂层(b)上背对基材的一面形成的压敏胶粘剂层(d)，在基材(a)的另一面形成的压敏胶粘剂层(c)，并且其具有的结构使得可通过加热使热剥离压敏胶粘剂层(b)从基材(a)上剥离。只要热剥离双面压敏胶粘剂片材具有上述的结构，其具有的结构可以包括其它层(如，橡胶状的有机弹性层，压敏胶粘剂层等)、隔离层等，这些都可根据需要布置在适当的位置。
该热剥离双面压敏胶粘剂片材能用于被粘物被粘合到加强板并被处理的场合。在这种处理被粘物的过程中，热剥离双面压敏胶粘剂片材中的压敏胶粘剂层(c)能作为用于被粘物粘合(将被用于粘合到被粘物上)的压敏胶粘剂层，而热剥离压敏胶粘剂层(b)或压敏胶粘剂层(d)能作为用于加强板粘合(将被用于粘合到加强板上)的压敏胶粘剂层。也就是说，该热剥离双面压敏胶粘剂片材能作为用于被粘物处理的热剥离双面压敏胶粘剂片材。
特别地，用于被粘物处理的热剥离双面压敏胶粘剂片材是这样的一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，其包括基材(a)，在基材(a)的一面形成的并且含有热膨胀微球体的热剥离压敏胶粘剂层(b)，在基材(a)的另一面形成的且用于被粘物被粘合到加强板的场合的压敏胶粘剂层(c)，其特征在于该压敏胶粘剂层(c)是用于被粘物粘合(将被用于粘合到被粘物上)的压敏胶粘剂层，热剥离压敏胶粘剂层(b)是用于加强板粘合(将被用于粘合到加强板上)的压敏胶粘剂层，并且通过加热可使热剥离压敏胶粘剂层(b)从基材(a)上剥离。
用于被粘物处理的热剥离双面压敏胶粘剂片材具有这样的结构，其中的热剥离压敏胶粘剂层(b)并不作为用于加强板粘合的压敏胶粘剂层和在热剥离压敏胶粘剂层(b)上背对基材(a)的一面上有一层压敏胶粘剂层(d)，使得该压敏胶粘剂层(d)作为用于加强板粘合(将被用于粘合到加强板上)的压敏胶粘剂层。
[基材(a)]
基材(a)没有特别的限制，只要在热处理过程中既不出现大的变形也不发生熔融流动和经过热处理能轻松地从热剥离压敏胶粘剂层(b)上剥离。已知的基材都能被使用。该基材(a)可具有单层结构或多层结构。
作为基材(a)的适用的片材有，比如，塑料基材如塑料膜或塑料片；金属基材如金属箔(如铝箔或镍箔)，或金属片；纤维基材如织物，无纺布，网，或由芳族聚酰胺纤维制成的基材；纸质基材如纸；泡沫材料如泡沫片材；由它们形成的层压材料(特别地，塑料基材与其它基材的层压材料，塑料膜(或片)的层压材料等等)等。优选作为基材(a)的是塑料基材如塑料膜或塑料片。这样的塑料基材的例子包括聚酯如聚(对苯二甲酸乙二酯)(PET)，聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)，和聚(对苯二甲酸丁二酯)(PBT)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚(硫酸苯酯)；酰胺树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)；聚(氨乙烯)(PVC)；聚苯硫醚(PPS)；聚醚醚酮(PEEK)；一种或多种包括α-烯烃的单体组分形成的烯烃树脂如聚乙烯(PE)，聚丙烯(PP)，乙烯/丙烯共聚物，和乙烯/醋酸乙烯酯共聚物(EVA)；氟树脂；硅树脂等。这些材料可以单独使用，也可以是其中两种或两种以上联合使用。
在辐射固化物质作为压敏胶粘剂层如热剥离压敏胶粘剂层(b)或压敏胶粘剂层(c)的情况中，基材(a)优选不阻碍辐射透过的。
基材(a)的厚度可根据强度、柔韧性、预定的用途、各种操作的适应性等进行适当地选择。考虑到切割的适应性、实用性等，其厚度通常在1～3000μm的范围内选择，优选约为10～1000μm。但是，该厚度并不受限于此。
为了使基材(a)与热剥离压敏胶粘剂层(b)的可剥离性更好，其面向热剥离压敏胶粘剂层(b)的一面可先用防粘剂如有机硅防粘剂，氟化物防粘剂，或长链烷基型防粘剂进行涂布处理(赋予防粘性处理)。
此外，为了使基材(a)与压敏胶粘剂层(c)的粘合更强，其面向压敏胶粘剂层(c)的一面可先进行常规的表面处理，比如化学或物理的氧化处理如铬酸处理，臭氧处理，火焰处理，高压电击处理或电离辐射处理。该面可先用底漆等涂布处理。
[热剥离压敏胶粘剂层(b)]
当还未形成压敏胶粘剂层(d)时，热剥离压敏胶粘剂层(b)是用于在处理被粘物(经过处理的材料)的过程中粘合到加强板的压敏胶粘剂层。也就是说，在热剥离压敏胶粘剂片材不含压敏胶粘剂层(d)时，该热剥离压敏胶粘剂层(b)可作为压敏胶粘剂层起到粘接加强板的作用。在热剥离压敏胶粘剂层(b)上形成有压敏胶粘剂(d)时，压敏胶粘剂层(d)被用作压敏胶粘剂层粘接到加强板。
该热剥离压敏胶粘剂层(b)包括一层压敏胶粘剂层和分散于其中的可受热膨胀的热膨胀微球体(微胶囊)。也就是说，热剥离压敏胶粘剂层(b)可由一种压敏胶粘剂组合物形成，该组合物包括至少一种用于赋予粘合强度的压敏胶粘剂和用于赋予热膨胀性的热膨胀微球体(微胶囊)。因此，在任何需要的时候通过加热该热剥离压敏胶粘剂层(b)可使该热膨胀微球体(微胶囊)发泡和/或膨胀，热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)之间的粘合面积会减少，从而在热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)的分界面上引起分离。顺便提及，不呈微胶囊态的发泡剂将不能稳定地赋予其令人满意的可剥离性。
(压敏胶粘剂)
作为用于热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂可使用允许热膨胀微球体因加热而发泡和/或膨胀的压敏胶粘剂。特别优选那些在加热过程中尽可能少地抑制热膨胀微球体的发泡和/或膨胀的压敏胶粘剂。作为用于形成热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂可使用一种或联合使用两种或更多的已知压敏胶粘剂，比如橡胶基压敏胶粘剂，丙烯酸类压敏胶粘剂，基于乙烯基烷基醚的压敏胶粘剂，有机硅压敏胶粘剂，聚酯基压敏胶粘剂，聚酰胺基压敏胶粘剂，聚氨酯基压敏胶粘剂，氟化物压敏胶粘剂，苯乙烯/二烯烃嵌段共聚物压敏胶粘剂，和因在压敏胶粘剂中混有熔点约为200℃或更低的热融化树脂而改善了蠕变性能的压敏胶粘剂(参见如JP-A-56-61468，JP-A-61-174857，JP-A-63-17981，JP-A-56-13040等)。
除聚合物组分如压敏胶粘剂组分(基于聚合物)外，可根据压敏胶粘剂的种类在压敏胶粘剂中含有适当的添加剂如交联剂(如多异氰酸酯，三聚氰胺烷基醚等)，增粘剂(如常温下是固态的、半固态的、或液态的包括松香衍生物树脂的增粘剂，聚萜烯树脂，石油树脂，油溶性酚醛树脂等)，增塑剂，填料，和抗氧化剂等。顺便提及，该压敏胶粘剂可以是任何形态如乳液型压敏胶粘剂，溶剂型压敏胶粘剂等。作为压敏胶粘剂通常有利地使用：用天然橡胶或各种合成橡胶(如聚异戊二烯橡胶，苯乙烯/丁二烯橡胶，苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶，苯乙烯/丁二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶，再生橡胶，丁基橡胶，聚异丁烯等)作为基料聚合物的橡胶基压敏胶粘剂；和将用一种或多种(甲基)丙烯酸烷基酯作单体组分形成的丙烯酸聚合物(均聚物或共聚物)用作原料聚合物的丙烯酸类压敏胶粘剂。
丙烯酸类压敏胶粘剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯的例子包括(甲基)丙烯酸C1～20烷基酯，如(甲基)丙烯酸的甲酯，乙酯，丙酯，异丙酯，丁酯，异丁酯，仲丁酯，叔丁酯，戊酯，己酯，庚酯，辛酯，2-乙基己酯，异辛酯，壬酯，异壬酯，癸酯，异癸酯，十一烷酯，十二烷酯，十三烷酯，十四烷酯，十五烷酯，十六烷酯，十七烷酯，十八烷酯，十九烷酯，二十烷酯[优选(甲基)丙烯酸C4～8烷基(线型或枝化烷基)酯]等。
顺便提及，为了改善粘合力、而热性、可交联性等，丙烯酸聚合物可含有可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的相应的其它单体组分的单元。这样的单体组分的例子包括含羧基的单体如丙烯酸，甲基丙烯酸，丙烯酸羧乙酯，丙烯酸羧戊酯，衣康酸，马来酸，富马酸，和丁烯酸；含酸酐的单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯，(甲基)丙烯酸羟丙酯，(甲基)丙烯酸羟丁酯，(甲基)丙烯酸羟己酯，(甲基)丙烯酸羟辛酯，(甲基)丙烯酸羟癸酯，(甲基)丙烯酸羟十二烷酯，和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺基的单体如苯乙烯磺酸，烯丙基磺酸，2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸，(甲基)丙烯酰胺丙磺酸，磺化的(甲基)丙烯酸丙酯，和(甲基)丙烯酰基萘酚磺酸；含磷酸酯基的单体如丙烯酰基磷酸2-羟乙酯；(N-取代)酰胺单体如(甲基)丙烯酰胺，N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺，N-丁基(甲基)丙烯酰胺，N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺，和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨烷基酯单体如(甲基)丙烯酸氨乙酯，(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨乙酯，和(甲基)丙烯酸叔丁基氨乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；马来酰亚胺单体如N-环己基马来酰亚胺，N-异丙基马来酰亚胺，N-十二烷基马来酰亚胺，和N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺单体如N-甲基衣康酰亚胺，N-乙基衣康酰亚胺，N-丁基衣康酰亚胺，N-辛基衣康酰亚胺，N-2-乙基己基衣康酰亚胺，N-环己基衣康酰亚胺，N-十二烷基衣康酰亚胺；丁二酰亚胺单体如N-(甲基)丙烯酰基氧亚甲基丁二酰亚胺，N-(甲基)丙烯酰基-6-氧亚己基丁二酰亚胺，和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧亚辛基丁二酰亚胺；乙烯基单体如醋酸乙烯酯，丙酸乙烯酯，N-乙烯基吡咯烷酮，甲基乙烯基吡咯烷酮，乙烯基吡啶，乙烯基哌啶，乙烯基嘧啶，乙烯基哌嗪，乙烯基吡嗪，乙烯基吡咯，乙烯基咪唑，乙烯基噁唑，乙烯基吗啉，N-乙烯基羧酰胺，苯乙烯，α-甲基苯乙烯，和N-乙烯基己内酰胺；氰基丙烯酸酯单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；丙烯酸乙二醇酯单体如(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯，(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯，(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯，和(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯；含一个或多个杂环，卤素原子，或硅原子等的丙烯酸酯单体如(甲基)丙烯酸四氢糠酯，氟化的(甲基)丙烯酸酯，和有机硅改性的(甲基)丙烯酸酯；多官能团单体如(甲基)丙烯酸己二醇酯，二(甲基)丙烯酸(聚)乙二醇酯，二(甲基)丙烯酸(聚)丙二醇酯，二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯，二(甲基)丙烯酸季戊四醇酯，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯，六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯，环氧丙烯酸酯，聚酯丙烯酸酯，聚氨酯丙烯酸酯，二乙烯基苯，二(甲基)丙烯酸丁酯，和二(甲基)丙烯酸已酯；烯烃类单体如异戊二烯，丁二烯，和异丁烯；乙烯基醚单体如乙烯醚等。这些单体组分可单独使用，也可选其中的两种或更多使用。
作为用于热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂还可用辐射固化压敏胶粘剂(或能量射线固化压敏胶粘剂)。作为辐射固化压敏胶粘剂可用后面特别列出的辐射固化压敏胶粘剂。该辐射固化压敏胶粘剂是具有粘合强度并在辐射(或能量射线)条件下能固化，且通过辐射固化能减小粘合力的压敏胶粘剂。也就是说，当一种辐射固化压敏胶粘剂作为用于热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂时，该压敏胶粘剂能通过辐射处理交联和固化以减小粘合力。
另外，在热剥离压敏胶粘剂层(b)中，考虑到热处理前适度的粘合力与通过热处理减小粘合力的性能之间的平衡，更优选的压敏胶粘剂是使用在室温至150℃下动态模量范围为0.5～100(Pa)的聚合物作为基料的压敏胶粘剂。
(热膨胀微球体)
该热膨胀微球体可适当地选自已知的热膨胀微球体。优选的用作热膨胀微球体的是微胶囊化的发泡剂。这样的热膨胀微球体的例子包括通过在有弹性的壳体中包入热处理时易气化或膨胀的物质如异丁烷，丙烷，或戊烷获得的微球体。该壳体通常由热熔融材料或会因热膨胀而破裂的材料构成。
这样构成壳体的材料的例子包括偏二氯乙烯/丙烯腈共聚物，聚(乙烯醇)，聚(乙烯基丁缩醛)，聚(甲基丙烯酸甲酯)，聚丙烯腈，聚(偏二氯乙烯)，聚砜等。热膨胀微球体可用常规的方法如凝聚的方法或界面聚合的方法制备。已有的热膨胀微球体商用产品如Matsumoto Microsphere(商品名，由Matsumoto Yshi-Seiyaku Co.，Ltd.制备)
热膨胀微球体的粒径(平均粒径)可根据热剥离压敏胶粘剂层(b)的厚度等进行适当选择。考虑到对剥离压敏胶粘剂层(b)的表面光滑度的影响、可剥离性等，热膨胀微球体的平均粒径可在比如5～120μm(优选10～75μm)的范围内进行选择。热膨胀微球体粒径可在制备热膨胀微球体的过程中进行调节，或在制备之后通过诸如分级技术进行调节。
从通过加热有效和稳定地减小热剥离压敏胶粘剂层(b)的粘合力的方面考虑，优选具有的一般强度的热膨胀微球体，其强度使微球体直至体积膨胀率达1.5～10(优选2～5)才能够破裂。
顺便提及，所加入的热膨胀微球体的量可适当地取决于膨胀率、减小热剥离压敏胶粘剂层(b)粘合力的性能等。但是，总的来说其量为，比如5～200重量份(优选15～75重量份)/100重量份的构成热剥离压敏胶粘剂层(b)的聚合物组分(如压敏胶粘剂的基料聚合物)。加入热膨胀微球体的量太大容易引起热剥离压敏胶粘剂层(b)上的压敏胶粘剂失去粘性。另一方面，其量太小会导致可剥离性降低。
热剥离压敏胶粘剂层(b)可通过常规的方法形成，比如将热膨胀微球体与压敏胶粘剂、任选的一种溶剂、其它添加剂等混合并将该混合物成型处理成片状的层。特别地，该热剥离压敏胶粘剂层(b)可通过这些方法形成，比如将包括热膨胀微球体与压敏胶粘剂和任选地含有的一种溶剂或其它添加剂的混合物施加于基材(a)等或将该混合物施加于适宜的隔离层(脱模纸)以形成热剥离压敏胶粘剂层(b)再将该层转移(移动)至基材(a)等。
热剥离压敏胶粘剂层(b)的厚度可根据减小粘合力的性能等进行适当地选择。比如，其厚度约为300μm或更小(优选10～150μm)。当热剥离压敏胶粘剂层(b)的厚度太大时，热处理之后的剥离操作容易导致失去粘性。另一方面，当热剥离压敏胶粘剂层(b)的厚度太小时，不仅由热处理造成的热剥离压敏胶粘剂层(b)的变形程度低并且粘合力不容易平稳地减弱，而且还要求加入的热膨胀微球体具有极小的粒径。顺便提及，热剥离压敏胶粘剂层(b)可具有单层结构或多层结构。
[压敏胶粘剂层(c)]
该压敏胶粘剂层(c)是用于粘合到将被处理的被粘物的压敏胶粘剂层。也就是说，压敏胶粘剂层(c)的作用是作为压敏胶粘剂层粘合被粘物。压敏胶粘剂层(c)可由粘弹性材料如压敏胶粘剂，辐射固化压敏胶粘剂，热塑性树脂，热固性树脂，或热剥离压敏胶粘剂构成，并优选由粘弹性材料如压敏胶粘剂，辐射固化压敏胶粘剂，热固性树脂，或热剥离压敏胶粘剂构成。该粘弹性材料可单独使用，也可是其中的两种或更多组合使用。
用于形成压敏胶粘剂层(c)的粘弹性材料可根据对被粘物的压敏粘合性能(如粘合力等)进行适当地选择，且没有特别地限制。但是，优选的粘弹性材料是能适合于基材(a)表面的不规则性和被粘物表面的不规则性并容易形成压敏胶粘剂层的。
在上面所列的那些粘弹性材料中，优选地作为用于压敏胶粘剂层(c)的粘弹性材料为压敏胶粘剂和辐射固化压敏胶粘剂。作为热剥离压敏胶粘剂，可使用包括用于形成热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂组合物的热剥离压敏胶粘剂。
作为用于压敏胶粘剂层(c)的压敏胶粘剂，可使用已知的或常规的压敏胶粘剂如上述作为例子列出的用于热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂(如橡胶基压敏胶粘剂，丙烯酸类的压敏胶粘剂，基于乙烯基烷基醚的压敏胶粘剂，有机硅压敏胶粘剂，基于聚酯的压敏胶粘剂，基于聚酰胺的压敏胶粘剂，基于氨酯的压敏胶粘剂，氟化物压敏胶粘剂，基于苯乙烯/二烯烃嵌段共聚物的压敏胶粘剂，改善了蠕变性能的压敏胶粘剂，辐射固化压敏胶粘剂等)。
辐射固化压敏胶粘剂是上述的具有粘合强度并在辐射(或能量射线)条件下可固化的压敏胶粘剂。该压敏胶粘剂可通过辐射固化降低粘合力。也就是说，该辐射固化压敏胶粘剂通过交联和固化，不仅能有效地减少被粘物(经过处理的材料)的污染物，而且还可根据需要减小粘合力。
辐射固化压敏胶粘剂的例子包括：一种辐射固化压敏胶粘剂，它包括一种含有带官能团的化合物(带有可交联的官能团)如一种多官能团单体的基料(压敏胶粘剂)，和根据需要在基料中加入的辐射聚合引发剂；一种辐射固化压敏胶粘剂等，辐射固化压敏胶粘剂包括一种含有聚合物组分和根据需要在其中加入的辐射聚合引发剂的压敏胶粘剂，该聚合物组分是通过与带官能团的化合物(带有可交联的官能团)如一种多官能团单体作为单体组分共聚得到等。
作为辐射固化压敏胶粘剂可有利地使用包括一种含有带官能团的化合物(带有可交联的官能团)如一种多官能团单体的基料(压敏胶粘剂)，且在基料中加入辐射聚合引发剂的辐射固化压敏胶粘剂。作为基料，可使用，比如橡胶基压敏胶粘剂包括天然橡胶或合成橡胶；包含硅橡胶的压敏胶粘剂；丙烯酸类压敏胶粘剂包括(甲基)丙烯酸烷基酯均聚物或共聚物[比如(甲基)丙烯酸C1～20烷基酯，如甲酯，乙酯，丙酯，异丙酯，丁酯，异丁酯，己酯，辛酯，2-乙基己酯，异辛酯，异癸酯，和十二烷酯]或一种或多种(甲基)丙烯酸烷基酯与一种或多种其它单体[如含羧基或酸酐基团的单体，如丙烯酸，甲基丙烯酸，衣康酸，马来酸，富马酸，和马来酸酐；含羟基的单体，如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯；含磺基的单体如苯乙烯磺酸；含磷酸酯基的单体如丙烯酰基磷酸2-羟乙酯；含酰胺基的单体如(甲基)丙烯酸酰胺；含氨基的单体如(甲基)丙烯酸氨乙酯；含烷氧基的单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯；含酰亚胺基的单体如N-环己基马来酰亚胺；乙烯基酯如乙酸乙酯；含乙烯基的杂环化合物如N-乙烯基吡咯烷酮；苯乙烯类单体如苯乙烯和α-甲基苯乙烯；含氰基的单体如丙烯腈；含环氧基的丙烯酸单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；乙烯基醚类单体如乙烯基醚等]的共聚物；基于聚氨酯的压敏胶粘剂等。优选的基料包括丙烯酸压敏胶粘剂。该基料可由一种组分或两种或更多组分构成。
带官能团化合物(含可交联官能团)可以是辐射固化低分子化合物，也可以是辐射固化树脂。辐射固化低分子化合物和辐射固化树脂可组合使用，或仅使用其中之一。辐射固化低分子化合物和辐射固化树脂各自可单独使用，也可是其中的两种或更多组合使用。
辐射固化低分于化合物没有特别的限制，只要它能在能量射线(辐射)如可见光，紫外线，或电子束照射下固化。但是，优选该化合物为能使热剥离压敏胶粘剂层(b)通过能量射线辐射有效地形成三维网络的化合物。
辐射固化低分子化合物的具体例子包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，四羟甲基甲烷四丙烯酸酯，三丙烯酸季戊四醇酯，四丙烯酸季戊四醇，单羟基五丙烯酸二季戊四醇酯，六丙烯酸二季戊四醇酯，二丙烯酸1，4-丁二醇酯，二丙烯酸1，6-己二醇酯，二丙烯酸聚乙二醇酯等。辐射固化树脂的例子包括聚合物或含光敏反应基团的低聚物，如分子末端有丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯，聚氨酯(甲基)丙烯酸酯，环氧基(甲基)丙烯酸酯，三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯，丙烯酸树脂(甲基)丙烯酸酯，硫醇-烯加成树脂(thiol-ene addition resin)或分子末端有烯丙基的阳离子光聚合树脂，含肉桂酰基的聚合物如聚(肉桂酸乙烯酯)，重氮化的氨基酚醛清漆树脂，丙烯酰胺型聚合物等。此外，在高能量射线的辐射下反应的聚合物的例子还包括环氧化的聚丁二烯，不饱和的聚酯，聚(甲基丙烯酸缩水甘油酯)，聚丙烯酰胺，聚乙烯基硅氧烷等。在使用辐射固化树脂时，并不一定需要基料。
所加入的带官能团化合物(含可交联官能团)的数量的范围是5～500重量份，优选15～300重量份，更优选20～150重量份，基于100重量份的基料。
作为辐射固化压敏胶粘剂还可使用紫外线(UV)反应性的压敏胶粘剂聚合物。紫外线反应性的压敏胶粘剂聚合物的例子包括光敏的丙烯酸压敏胶粘剂，它可以通过化学反应用活性基团如羟基或羧基作为起始点(starting sites)向丙烯酸聚合物分子中引入一种含一个光敏官能团如乙烯基的化合物而获得。紫外线反应性压敏胶粘剂聚合物可单独使用或以其中的两种或更多作为混合物使用。
辐射聚合引发剂的例子包括苯乙酮型引发剂如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮，α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮，甲氧基苯乙酮，2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮，2，2-二乙氧基苯乙酮，1-羟基环己基苯基酮，和2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1；苯偶姻醚型引发剂如苯偶姻乙醚，苯偶姻异丙醚，和茴香偶姻甲醚；α-酮醇类化合物如2-甲基-2-羟基-苯基乙基酮；缩酮类化合物如苯甲基二甲基缩酮；芳香族磺酰氯化合物如2-萘磺酰氯；光活性肟化合物如1-苯基酮-1，1-丙二酮-2-(对乙氧基羰基)肟；二苯甲酮型化合物如二苯甲酮，苯甲酰基苯甲酸，和3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；和噻吨酮型化合物如噻吨酮，2-氯代噻吨酮，2-甲基噻吨酮，2，4-二甲基噻吨酮，异丙基噻吨酮，2，4-二氯代噻吨酮，2，4-二乙基噻吨酮，和2，4-二异丙基噻吨酮。除这些之外，其进一步的例子还包括莰醌，卤代酮，酰基氧化膦类，酰基膦酸酯等。
除上面所列的成分之外，可根据需要在辐射固化压敏胶粘剂中加入适合的添加剂如热聚合引发剂，交联剂，增粘剂，和硫化剂以便在辐射固化之前和之后获得适宜的粘弹性。辐射聚合加速剂可与辐射聚合引发剂组合使用。
本发明中作为辐射固化压敏胶粘剂可有利地使用以丙烯酸类压敏胶粘剂作为基料的辐射固化的丙烯酸类压敏胶粘剂。
顺便提及，用于形成压敏胶粘剂层(c)的压敏胶粘剂优选那种尽可能少地抑制热剥离压敏胶粘剂层(b)的热变形的压敏胶粘剂。作为用于形成压敏胶粘剂层(c)的压敏胶粘剂有利地使用丙烯酸类压敏胶粘剂。该丙烯酸类压敏胶粘剂既可以是丙烯酸类压敏胶粘剂，也可以是能量射线固化的丙烯酸类压敏胶粘剂。用于形成压敏胶粘剂层(c)的压敏胶粘剂可含有已知的或常规的添加剂如增塑剂，填料，表面活性剂，抗氧化剂，和增粘剂。
考虑到减少由压敏胶粘剂层(c)的压敏胶粘剂中含有的游离成分引起的被粘物的污染，优选压敏胶粘剂层(c)的凝胶含量(热处理之后或射线照射之后)为90％或更高(优选95重量％或更高)。
凝胶含量的单位是重量％(重量百分比)。凝胶含量表示一种因聚合物链之间的交联而形成三维网络结构的聚合物在一种溶剂中的不溶成分的重量比率。
压敏胶粘剂层(c)的形成可用将液态压敏胶粘剂施加于基材(a)的技术或将通过该技术在适宜的隔离层上形成的压敏胶粘剂层(c)转移(移动)至基材(a)的方法。
压敏胶粘剂层(c)的厚度可根据被粘物表面的形态结构等进行适当地选择，并没有特别地限制。该压敏胶粘剂层(c)的厚度可在如0.1～500μm(优选5～100μm)的范围内进行选择。顺便提及，该压敏胶粘剂层(c)可具有单层结构或多层结构。
[压敏胶粘剂层(d)]
压敏胶粘剂层(d)是在处理被粘物(经过处理的材料)的过程中用于粘合到加强板的压敏胶粘剂层。也就是说，该压敏胶粘剂层(d)形成于热剥离压敏胶粘剂层(b)之上且作为压敏胶粘剂层用于粘合加强板。在具有附图1所示的结构的热剥离双面压敏胶粘剂片材中，通过加热将热剥离压敏胶粘剂层(b)从基材(a)上剥离也会造成在热剥离压敏胶粘剂层(b)与加强板的分界面上发生分离。结果是，该结构变为分离成三个单元的状态，也就是，每个单元的组成分别是被粘物/压敏胶粘剂层(c)/基材(a)，热剥离压敏胶粘剂层(b)，和加强板。这需要有一个回收热剥离压敏胶粘剂层(b)的步骤。
但是，在具有附图2所示的结构的热剥离双面压敏胶粘剂片材中，在通过加热将热剥离压敏胶粘剂层(b)从基材(a)上剥离之后，热剥离压敏胶粘剂层(b)通过压敏胶粘剂层(d)仍然保持与加强板的的粘合。结果是，该结构变为分离成二个单元的状态，也就是，一个单元的组成是被粘物/压敏胶粘剂层(c)/基材(a)和另一个单元的组成是热剥离压敏胶粘剂层(b)/压敏胶粘剂层(d)/加强板。因此，不需要回收热剥离压敏胶粘剂层(b)的步骤，且能改善操作效率。
和压敏胶粘剂层(c)一样，压敏胶粘剂层(d)可由粘弹性材料如压敏胶粘剂，辐射固化压敏胶粘剂，热塑性树脂，热固性树脂，或热剥离压敏胶粘剂构成。这些粘弹性材料可单独使用或其中的两种或更多组合使用。
压敏胶粘剂层(d)优选常规状态下呈高弹性或低粘度的，并尤其优选那些还具有较低污染性的。因为当压敏胶粘剂层(d)具有较低污染性时，加强板在回收之后容易重新使用。
在上面所列的那些粘弹性材料中，优选地作为用于压敏胶粘剂层(d)的粘弹性材料为压敏胶粘剂和辐射固化压敏胶粘剂。用于压敏胶粘剂层(d)的压敏胶粘剂或辐射固化压敏胶粘剂可以与用于压敏胶粘剂层(c)的压敏胶粘剂或辐射固化压敏胶粘剂相同。
压敏胶粘剂层(d)的厚度可在如0.1～100μm(优选5～50μm)的范围内进行选择。顺便提及，该压敏胶粘剂层(d)可具有单层结构或多层结构。
[其它层]
在本发明中，根据需要，热剥离双面压敏胶粘剂片材可在适宜的位置含有其它层，只要它具有上面描述的结构。其它层的例子包括置于层间如基材(a)与热剥离压敏胶粘剂层(b)之间，基材(a)与压敏胶粘剂层(c)之间等的夹层等。设置的这些其它层可以是一种或两种或更多种。这些其它层各自可为单或叠层。
夹层的例子包括用来赋予防粘性的防粘剂涂布层、用来改善粘合性的底漆涂布层、用来赋予处理所需的缓冲性能的柔性树脂层等。夹层的其它例子包括用来赋予令人满意的变形性的层、用来增加对被粘物的粘合面积的层、用来改善粘合力的层、用来改善对被粘物表面形状的适应性的层、用来改善通过加热减少粘合力的效果的层、用来改善热处理后与被粘物的可剥离性的层等。顺便提及，这些其它层可通过已知的或常规的方法形成。此外，其它层的厚度和材料并没有特别的限制，只要本发明的效果、优点等能不会因此而削弱。
[隔离层]
在本发明中，考虑到处理性、防尘等因素，优选在实际使用前用隔离层对热剥离压敏胶粘剂层(b)，压敏胶粘剂层(c)，和压敏胶粘剂层(d)进行保护，如附图1和附图2所示。也就是说，隔离层是根据需要使用的，而并不需要总是设置。当热剥离双面压敏胶粘剂片材施加于被粘物和加强板时，剥去该隔离层。
作为隔离层可使用常规的隔离纸等。特别地，作为隔离层可使用，比如，含有防粘层的基质，像用防粘剂如有机硅，长链烷基，或氟化物防粘剂或硫化钼进行表面处理的塑料膜和纸；由氟化聚合物如聚四氟乙烯，聚氯代三氟乙烯，聚(氟化乙烯)，聚(偏二氟乙烯)，四氟乙烯/六氟丙烯共聚物，或氯代氟化乙烯/偏二氟乙烯共聚物制成的低粘性基质；和由非极性聚合物如聚烯烃树脂(如聚乙烯，聚丙烯等)等制成的低粘性基质。
顺便提及，隔离层可通过已知的或常规的方法形成。该隔离层在厚度等方面没有特别的限制。
本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材被制成适宜的形状，如片状或缠绕在轴辊上的带状。顺便提及，该热剥离双面压敏胶粘剂片材可采用通常已知的技术生产，如上所述，其中每一层可直接形成或通过转移设置。
[处理被粘物的方法]
本发明的被粘物处理方法中，通过热剥离双面压敏胶粘剂片材将被粘物粘合至一块加强板并对该被粘物进行处理处理。特别地，被粘物被粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的压敏胶粘剂层(c)的一面，和加强板被粘合至片材的热剥离压敏胶粘剂层(b)的一面或压敏胶粘剂层(d)的一面。保持被粘物由加强板支撑的状态，同时对被粘物进行处理处理。因此在被粘物被处理的同时可保持粘着表面的光滑度。从而，即使被粘物是易碎的经过处理的材料，也能对其进行高精度的处理处理。
处理处理之后，对其进行热处理，在热剥离压敏胶粘剂层(b)与基材(a)的分界面引起分离，将经过处理的被粘物与含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)(通过压敏胶粘剂层(c)粘附于被粘物上)一起从加强板上分离。然后，该经过处理的被粘物从含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)上分离。
所以，在对被粘物进行了处理处理之后，该经过处理的被粘物可在任何需要的时候通过热处理容易地从加强板上分离。特别地，因为基材(a)通过压敏胶粘剂层(c)粘合在经过处理的被粘物的表面，所以该经过处理的被粘物可以在由基材(a)支撑的状态下暂时回收。这样一来，该处理方法在处理后的被粘物的运输性方面也表现优秀。
顺便提及，因为被粘物并不是粘附于热剥离压敏胶粘剂层(b)，而是粘附于压敏胶粘剂层(c)，所以抑制或防止了该被粘物在从压敏胶粘剂层(c)分离时被弄脏。因而，处理后的被粘物上从压敏胶粘剂片材分离的那个侧面可有效的保持清洁。
本发明的被粘物处理方法的实施方式如附图3和附图4所示。附图3和附图4分别是说明本发明的被粘物处理方法的图解视图。附图3说明了一种实施方式，其中使用了附图1所示的热剥离双面压敏胶粘剂片材。而附图4也说明了一种实施方式，其中使用了附图2所示的热剥离双面压敏胶粘剂片材。在附图3和附图4中，7表示被粘物(经过处理的材料)，71表示经过处理处理的被粘物，8表示加强板，和9表示用于经过处理处理的被粘物71的支撑物，1～6与上面定义的一致。
在附图3和附图4中，一个被粘物7通过一个热剥离双面压敏胶粘剂片材1被粘合至一个加强板8，并对该被粘物7进行处理处理。然后，在支撑物9支撑被粘物的同时进行热处理，通过该热处理使经过处理的被粘物71与含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)(通过压敏胶粘剂层(c)粘附于被粘物)一起从加强板上分离。
特别地，在附图3中，(a)表示一个通过图1所示结构的热剥离双面压敏胶粘剂片材1(隔离层6已经剥离)与加强板8粘合的被粘物。在(b)中，上述(a)中所示的被粘物7已变为经过处理处理的被粘物71。在(c)中表示了热处理之后的状态，进行热处理的同时有支撑物9支撑上述(b)中的经过处理的被粘物。
特别地，热处理在热剥离压敏胶粘剂层(b)3与基材(a)2之间的分界面上引起分离，以获得与含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)2(粘附于被粘物上)在一起的被粘物71，并进一步又在热剥离压敏胶粘剂层(b)3与加强板8之间的分界面上引起分离，以获得热剥离压敏胶粘剂层(b)3和加强板8。
也就是说，在附图3中，通过加热在热剥离压敏胶粘剂层(b)与基材(a)之间的分界面上引起分离，使被粘物与粘附于其上的含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)一起从加强板上分离。但是，在此操作中，因为没有使用压敏胶粘剂层(d)，该热剥离压敏胶粘剂层(b)也从加强板上剥离，获得的加强板是独立的。因而，在这种情况中，加强板的回收可通过单一的热处理，简化了步骤。
另一方面，在附图4中，(a)表示一个通过附图2所示结构的热剥离双面压敏胶粘剂片材1(隔离层6已经剥离)与加强板8粘合的被粘物。在(b)中，上述(a)中所示的被粘物7已变为经过处理处理的被粘物71。在(c)中表示了热处理之后的状态，进行热处理的同时有支撑物9支撑上述(b)中的经过处理的被粘物。特别地，热处理在热剥离压敏胶粘剂层(b)3与基材(a)2之间的分界面上引起分离，以获得与含有压敏胶粘剂层(c)4的基材(a)2(粘附于被粘物上)在一起的被粘物71，并进一步获得与热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)(粘附于加强板上)在一起的加强板。
也就是说，在附图4中，因为使用了压敏胶粘剂层(d)，被粘物和粘附其上的含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)一起从加强板上分离后，得到的加强板上仍粘附有热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)。
在这种情况中，因为所列步骤(step line)中的热剥离压敏胶粘剂层(b)不是独立地存在，所以能抑制或防止单层或装置造成的污染。因此，该处理方法可有利地应用于多步骤中尤其是需要获得高清洁度时。顺便提及，粘附有热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)的加强板可通过已知的剥离技术比如，利用诸如用于剥离的片材或带的剥离技术从热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)分离。因此，该加强板可被回收。
在附图3和附图4中，经过处理处理的被粘物通过热处理从加强板分离时，是由支撑物支撑的。但是，该支撑物可根据需要使用，而并不需要总是使用。比如，当被粘物不是很易碎并且即使没有支撑物支撑，该经过处理的被粘物也不会因为从加强板分离(通过热处理)而破碎，这样就不需要使用支撑物。但是，当经过处理处理的被粘物通过热处理从加强板上分离的同时有支撑物支撑时，如附图3和附图4所示，即使该被粘物是易碎的，也能有效地抑制或防止被粘物被损坏和容易回收或送到下一个步骤。因而，通过使用支撑物，可进一步改善经过处理处理的被粘物的运输性。
顺便提及，当被粘物有支撑物支撑时，刚从加强板分离的该经过处理的被粘物处于一面有支撑物而另一面通过压敏胶粘剂层(c)粘有基材(a)的状态。在有支撑物支撑的状态下，该经过处理的被粘物可从含有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)上分离，其分离可根据压敏胶粘剂层(c)的种类等采用已知的分离方法。
此外，分离获得的经过处理处理的被粘物通过使用适合支撑方法的分离技术(如，当支撑物是基于粘性或吸力支撑时，可用消除粘性或吸力的技术)，从设置在其一面上的支撑物上分离。因此，可获得独立地经过处理的被粘物。
此外，用热剥离双面压敏胶粘剂片材将被粘物粘合至加强板的方法没有特别的限制。但是，可使用的方法，比如，在减压条件下用已知的粘合技术如滚压机粘接技术将被粘物和加强板的其中之一(特别地，是刚性体如半导体晶片等)粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的一个特定面上，然后将另外一个(特别地，为真空)粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的一个特定面上。因为是在减压条件下将被粘物和/或加强板粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的一个特定面上，所以可以抑制或防止在压敏胶粘剂层与被粘物或加强板之间的分界面上出现气泡。
特别地，即使在压敏胶粘剂层与被粘物或加强板之间的分界面上出现细小的气泡，这些少量的气泡也能在被粘物和/或加强板粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的特定面上之后，通过热处理或加压处理被扩散至压敏胶粘剂层。因此，被粘物处理的精确度可被进一步改善。
通过上述的被粘物处理方法，根据被粘物的种类，处理处理的方法等可生产出各种产品。通过使用上述被粘物处理方法(比如，通过使用上述的热剥离双面压敏胶粘剂片材)生产的产品如下。比如，当如下所示的电子元件如半导体晶片被用作被粘物时，通过使用上述被粘物处理方法(比如，通过使用上述的热剥离双面压敏胶粘剂片材)生产的产品是电子元件(比如，含有半导体芯片的电子元件等)。因而，本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材可有利地用于研磨或切割半导体晶片。
[被粘物]
被粘物(经过处理的材料)没有特别的限制，可以是比如，易碎的经过处理的材料。被粘物的具体例子包括半导体晶片(如硅晶片)，多层结构的基材，层状的陶瓷，电子元件如全封装的模块等。被粘物可单独使用，也可是其中的两种或更多组合使用。
被粘物的处理方法没有特别的限制。比如，可使用各种处理方法如半导体晶片的研磨或切割(比如，对半导体晶片的处理，如背面磨光处理处理、用于减少厚度的研磨处理处理、切成小块的处理处理、微处理和切割处理)。
[加强板]
加强板那的例子包括玻璃板如蓝宝石玻璃板和合成石英板；塑料板如聚碳酸酯板和聚(甲基丙烯酸甲酯)板；金属板如铝板和SUS不锈钢板；有机硅薄片等。加强板可单独使用，也可是其中的两种或更多组合使用。加强板的尺寸优选等于或大于被粘物的尺寸。
顺便提及，回收的加强板可重新用于别的被粘物的处理。因为本发明中的加强板容易被回收和重新使用，所以即使加强板由昂贵的材料如蓝宝石玻璃板制成，也能够降低成本并有利地用作加强板。
[支撑物]
该支撑物没有特别的限制。但是，可以使用已知的支撑物如压敏胶粘剂片材或带或吸力平台(suction stages)。也就是说，作为用于在支撑物上支撑的装置，可使用粘合装置、吸力装置等。支撑物可单独使用，也可是其中的两种或更多组合使用。
在用热剥离双面压敏胶粘剂片材将被粘物如电子元件粘合至加强板并处理处理之后，作为在热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)的分界面引起分离的热处理方法，可使用采用了适宜的加热装置的热处理方法，比如热板、热空气烘箱、近红外灯或空气干燥器。可使用任何温度进行加热，只要不低于热剥离压敏胶粘剂层(b)中热膨胀微球体的膨胀起始温度。但是，可根据粘合面积的减少(这取决于被粘物的表面状况、热膨胀微球体的种类等)、基材(a)和被粘物的抗热性、加热方法(如热容、加热装置等)等来确定适宜的热处理条件。
通常热处理的条件包括温度为100～250℃和时间为1～90秒(热板等)或5～15分钟(热空气烘箱等)。热剥离压敏胶粘剂层(b)中的热膨胀微球体在这样的加热条件下膨胀和/或发泡，热剥离压敏胶粘剂层(b)膨胀和/或变形并因此而变得凹下或突起，其粘合力因此减少或消失。顺便提及，热处理可根据预定用人途在适宜的时期进行。此外，红外灯或热水可用作热源。
根据本发明的热剥离双面压敏胶粘剂片材，即使对易碎的被粘物，也能赋予其优秀的可处理性和运输性。此外，需要时该压敏胶粘剂片材可轻易地剥离并且抑制和防止被粘物因剥离而被弄脏。特别地，该热剥离双面压敏胶粘剂片材适合用于对半导体晶片研磨减薄或切割的处理。
                        实施例
下面将通过实施例对本发明进行更详细的说明，但无论如何不应认为本发明仅限于这些实施例。
(实施例1)
将100重量份的分子中含有碳-碳双键(C＝C键)的丙烯酸聚合物[分子中含有碳-碳双键(C＝C键)的丙烯酸聚合物，由75重量份的丙烯酸乙酯，25重量份的丙烯酸2-乙基己酯，和18重量份的丙烯酸2-羟丁酯作为单体组分形成并加入0.8丙烯酸2-羟丁酯当量的甲基丙烯酰基氧化乙烯基异氰酸酯(methacryloyloxyethylere isocyanate)；重均分子量950,000]与3重量份的聚氨酯交联剂(商品名“Coronate L”，由Nippon Polyurethane Co.，Ltd.制造)和2.5重量份的光聚合引发剂(商品名“Iracure 651”，由CIBA-GEIGY(日本)Ltd.制造)进行混合。由此，得到紫外线反应性压敏胶粘剂(有时称为“紫外线反应性压敏胶粘剂A”)。
此外，将100重量份由50重量份的丙烯酸乙酯，50重量份的丙烯酸丁酯，和5重量份的丙烯酸2-羟乙酯作为单体组分形成的丙烯酸聚合物(重均分子量500,000)与3重量份的聚氨酯交联剂(商品名“Coronate L”，由NipponPolyurethane Co.，Ltd.制造)和25重量份的热膨胀微球体(商品名“MatsumotoMicrosphere F30D”，由Matsumoto Yushi-Seiyaku Co.，Ltd.制造；90℃膨胀型)进行混合。由此，得到热剥离压敏胶粘剂(有时称为“热剥离压敏胶粘剂A”)。
该紫外线反应性压敏胶粘剂A被施加于38μm厚的由聚(对苯二甲酸乙二酯)制成的PET膜的一面上，干基厚度为30μm。然后，将热剥离压敏胶粘剂A施加于该PET膜的另一面，干基厚度为50μm。由此，得到热剥离双面压敏胶粘剂片材(称为“压敏胶粘剂片材A”)。也就是说，该压敏胶粘剂片材A在作为基材的PET膜的一面上有热剥离压敏胶粘剂A层(厚度50μm)，在其另一面上有紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)，并且其具有的结构可使热剥离压敏胶粘剂A层通过加热从PET膜上剥离。
接着，一个半导体硅晶片材被粘合至压敏胶粘剂片材A的紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)上。然后，将热剥离压敏胶粘剂A层(厚度50μm)通过真空层压机粘合至一个玻璃薄片上。
(实施例2)
将100重量份由40重量份的丙烯酸丁酯，60重量份的丙烯酸2-乙基己酯，和7重量份的丙烯酸2-羟乙酯作为单体组分形成的丙烯酸聚合物(重均分子量1,150,000)与5重量份的聚氨酯交联剂(商品名“Coronate L”，由Nippon Polyurethane Co.，Ltd.制造)进行混合。由此，得到压敏胶粘剂(有时称为“压敏胶粘剂B”)。
用与实施例1相同的方法得到热剥离双面压敏胶粘剂片材(有时称为“压敏胶粘剂片材B”)，不同之处在于用压敏胶粘剂B代替紫外线反应性压敏胶粘剂A。也就是说，该压敏胶粘剂片材B在作为基材的PET膜的一面上有热剥离压敏胶粘剂A层(厚度50μm)，在其另一面上有压敏胶粘剂B层(厚度30μm)，并且其具有的结构可使热剥离压敏胶粘剂A层通过加热而从PET膜上剥离。
此外，一个半导体硅晶片和一个玻璃薄片被粘合至各自特定的粘合面，其方法与实施例1相同，不同之处在于使用了压敏胶粘剂片材B。特别地，半导体晶片被粘合至压敏胶粘剂片材B的压敏胶粘剂B层(厚度30μm)和玻璃薄片被粘合至热剥离压敏胶粘剂A层(厚度50μm)。
(实施例3)
在实施例1中得到的压敏胶粘剂片材A的热剥离压敏胶粘剂A层上进一步涂布紫外线反应性压敏胶粘剂A，干基厚度为15μm，得到热剥离双面压敏胶粘剂片材(有时称为“压敏胶粘剂片材C”)。
也就是说，压敏胶粘剂片材C在作为基材的PET膜的一面上依次叠置热剥离压敏胶粘剂A层(厚度50μm)和紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度为15μm)，在其另一面上有紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度为30μm)，并且其具有的结构可使热剥离压敏胶粘剂A层通过加热从PET膜上剥离。
此外，一个半导体硅晶片和一个玻璃薄片被粘合至各自特定的粘合面，其方法与实施例1相同，不同之处在于使用了压敏胶粘剂片材C。特别地，半导体硅晶片被粘合至压敏胶粘剂片材C的紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)和玻璃薄片被粘合至紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度15μm)上。
(对比例1)
用与实施例1相同的方法得到双面压敏胶粘剂片材(有时称为“压敏胶粘剂片材D”)，不同之处在于用实施例2中得到的压敏胶粘剂B代替热剥离压敏胶粘剂A。也就是说，该压敏胶粘剂片材D在作为基材的PET膜的一面上有压敏胶粘剂B层(厚度50μm)，在其另一面上有紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)。它不具有通过加热而热剥离的性能。
此外，一个半导体硅晶片和一个玻璃薄片被粘合至各自特定的粘合面，其方法与实施例1相同，不同之处在于使用了压敏胶粘剂片材D。特别地，半导体硅晶片被粘合至压敏胶粘剂片材D的紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)上和玻璃薄片被粘合至压敏胶粘剂B层(厚度50μm)上。
(对比例2)
用与实施例1相同的方法得到双面压敏胶粘剂片材(有时称为“压敏胶粘剂片材E”)，不同之处在于用紫外线反应性压敏胶粘剂A代替热剥离压敏胶粘剂A。
也就是说，该压敏胶粘剂片材E在作为基材的PET膜的一面上有紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度50μm)，在其另一面上有紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)。它不具有通过加热而热剥离的性能。
此外，一个半导体硅晶片和一个玻璃薄片被粘合至各自特定的粘合面，其方法与实施例1相同，不同之处在于使用了压敏胶粘剂片材E。特别地，半导体硅晶片被粘合至压敏胶粘剂片材E的紫外线压敏胶粘剂A层(厚度30μm)上和玻璃薄片被粘合至紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度50μm)。
(粘合强度的测量)
将实施例和对比例中得到的每一个压敏胶粘剂片材(压敏胶粘剂片材A～E)切割成宽20mm。将一个硅镜片粘合至特定的压敏胶粘剂层[实施例1和实施例3中的紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)；实施例2中的压敏胶粘剂B层(厚度30μm)；对比例1和对比例2中的紫外线反应性压敏胶粘剂A层(厚度30μm)]。然后，检验压敏胶粘剂片材的180℃剥离粘合强度(剥离速率300mm/min，23℃)。除实施例2以外，所有样本的粘合强度测量都在紫外线辐射(光线总量30mJ/cm2)之后进行。测量结果显示在表1中“粘合强度”行中。
(可剥离性的评估)
用背磨床(back grinder)(“DFG840”，由DISCO Corp.制造)研磨在各个实施例和对比例中得到的被粘物单元(其结构组成为“半导体硅晶片/压敏胶粘剂片材/玻璃薄片”)中的半导体硅晶片的表面，使其厚度为40μm。接着，通过加热(在100℃的热板上加热30秒)分离玻璃薄片。然后，用装配的剥离机(“PM8500”，由Nitto Seiki Inc.制造)分离厚40μm的半导体硅晶片。作为用于厚40μm的半导体硅晶片的转移带可用菱形装饰带(dicing tape)(“DU200”，由Nitt0 Denko Corp.制造)。
对将半导体硅晶片研磨至40μm厚时半导体晶片的可磨性、通过加热分离玻璃薄片时玻璃薄片的可剥离性、和用装配的剥离机分离半导体硅晶片时半导体硅晶片的可剥离性进行评估。评估结果列于表1中的“硅晶片的可磨性”，“玻璃薄片的可剥离性”，和“硅晶片的可剥离性”行。
                            表1
    实施例     对比例
    1     2     3     1     2
  粘合强度(N/20mm) 0.12 0.89 0.10 0.12 0.90
  硅晶片的可磨性 好 好 好 好 好
  玻璃薄片的可剥离性 好 好 好     不能被分离     不能被分离
  硅晶片的可剥离性 好 好 好     不能被分离     不能被分离
表1显示如下。相应于实施例的压敏胶粘剂片材在硅晶片的可磨性方面(研磨硅晶片至40μm)完全令人满意，并且在可剥离性方面(厚40μm的半导体硅晶片从热剥离压敏胶粘剂片材分离)也完全令人满意。即使半导体硅晶片具有40μm的厚度，它在分离中也不会被损坏。当然，玻璃薄片的可剥离性也完全令人满意，并且该薄片可被令人满意地分离。
相反地，在相应于对比例的压敏胶粘剂片材中，尽管晶片的可磨性(研磨硅晶片至40μm)是令人满意的，但作为加强板的玻璃薄片不能被分离。因此，半导体硅晶片也不能被分离。
当本发明被详细的陈述和参考了其中的具体实施方式时，对本领域技术人员来说在不偏离它们的范围内作出各种变动和改进是显而易见的。
本申请基于2003年3月31日申请的日本专利申请No.2003-093556，其中的所有内容均作为参考引入本申请。

Claims (17)

1.一种热剥离双面压敏胶粘剂片材，其包括基材(a)，在基材(a)的一面形成的且含有热膨胀微球体的热剥离压敏胶粘剂层(b)，和在基材(a)的另一面形成的压敏胶粘剂层(c)，其中所述热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)可通过加热而相互剥离。
2.如权利要求1所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其进一步包括在热剥离的压敏胶粘剂层(b)上背对基材(c)的一面上叠合的压敏胶粘剂层(d)。
3.如权利要求2所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述压敏胶粘剂层(d)包括至少一种粘弹性材料，该粘弹性材料选自热塑性树脂和热固性树脂。
4.如权利要求3所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述粘弹性材料为压敏胶粘剂。
5.如权利要求4所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述粘弹性材料为辐射固化压敏胶粘剂。
6.如权利要求1～5中任一项所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述压敏胶粘剂层(c)包括至少一种粘弹性材料，该粘弹性材料为热固性树脂。
7.如权利要求6所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述粘弹性材料为压敏胶粘剂。
8.如权利要求7所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述粘弹性材料为辐射固化压敏胶粘剂或热剥离压敏胶粘剂。
9.如权利要求1～3中任一项所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中在热处理或辐照处理之后，所述压敏胶粘剂层(c)可具有90％或更高的凝胶含量。
10.如权利要求1～3中任一项所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中构成所述热剥离压敏胶粘剂层(b)的压敏胶粘剂为辐射固化压敏胶粘剂。
11.如权利要求1～3中任一项所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，其中所述基材(a)面向热剥离压敏胶粘剂层(b)的一面已经过赋予防粘性的处理。
12.一种处理被粘物的方法，该方法利用权利要求1～3中任一项所述的热剥离双面压敏胶粘剂片材，所述方法包括将被粘物粘合到热剥离双面压敏胶粘剂片材中的压敏胶粘剂层(c)的表面；将加强板粘合到热剥离压敏胶粘剂层(b)或压敏胶粘剂层(d)的表面；处理该被粘物；接着通过加热在热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)之间的分界面引起分离；将经过加工的被粘物和粘附于其上的带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)一起从加强板上分离；再进一步将经过加工的被粘物与带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)分离。
13.如权利要求12所述的处理被粘物的方法，其包括将被粘物粘合到热剥离双面压敏胶粘剂片材中的压敏胶粘剂层(c)的表面；将加强板粘合到热剥离压敏胶粘剂层(b)或压敏胶粘剂层(d)的表面；在用一个支撑物支撑该经过加工的被粘物的同时，通过加热将经过加工的被粘物和粘附于其上的带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)一起从加强板上分离；在保持该被粘物被支撑物支撑的状态的同时，进一步将经过加工的被粘物从带有压敏胶粘剂层(c)的基材(a)上分离。
14.如权利要求12所述的处理被粘物的方法，其中被粘物和/或加强板与热剥离双面压敏胶粘剂片材的给定表面之间的粘合是在减压条件下进行的。
15.如权利要求12所述的处理被粘物的方法，其中在被粘物和/或加强板粘合至热剥离双面压敏胶粘剂片材的给定表面之后，进行加热和加压的操作。
16.如权利要求12所述的处理被粘物的方法，其中所述被粘物是电子元件。
17.如权利要求12所述的处理被粘物的方法，其中利用剥离片材或带子，使粘附有热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)且通过加热在热剥离压敏胶粘剂层(b)和基材(a)之间的分界面引起分离而获得的加强板，同热剥离压敏胶粘剂层(b)和压敏胶粘剂层(d)相分离，进而回收加强板，并且该回收的加强板重新用于处理其它被粘物。
CNB2004100639628A 2003-03-31 2004-03-31 热剥离双面压敏胶粘剂片材以及处理被粘物的方法和电子元件 Expired - Fee Related CN100352877C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003093556A JP2004300231A (ja) 2003-03-31 2003-03-31 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
JP093556/03 2003-03-31
JP093556/2003 2003-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1609158A CN1609158A (zh) 2005-04-27
CN100352877C true CN100352877C (zh) 2007-12-05

Family

ID=32844601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100639628A Expired - Fee Related CN100352877C (zh) 2003-03-31 2004-03-31 热剥离双面压敏胶粘剂片材以及处理被粘物的方法和电子元件

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20040191510A1 (zh)
EP (1) EP1464688B1 (zh)
JP (1) JP2004300231A (zh)
KR (1) KR100738744B1 (zh)
CN (1) CN100352877C (zh)
AT (1) ATE335798T1 (zh)
DE (1) DE602004001796T2 (zh)
TW (1) TWI303656B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI415692B (zh) * 2008-12-05 2013-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 解膠裝置和解膠方法

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
DE102004016308A1 (de) * 2004-04-02 2005-10-20 Henkel Kgaa Klebemittel
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
JP2006154447A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Nitto Denko Corp フィルム状光導波路の製法
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
KR100690357B1 (ko) * 2005-06-10 2007-03-09 유한회사 한국 타코닉 가요성 인쇄배선판 실장용 캐리어 테이프
JP5020496B2 (ja) 2005-10-28 2012-09-05 東京応化工業株式会社 接着剤組成物および接着フィルム
JP4780766B2 (ja) * 2006-03-27 2011-09-28 日東電工株式会社 光学用粘着剤、粘着剤付き光学フィルムおよび画像表示装置
JP5134533B2 (ja) * 2006-05-17 2013-01-30 積水化学工業株式会社 研磨パッド固定用両面テープ
KR101095159B1 (ko) * 2006-07-05 2011-12-16 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
JP4781185B2 (ja) * 2006-07-18 2011-09-28 日東電工株式会社 耐熱ダイシングテープ又はシート
JP4676398B2 (ja) * 2006-07-26 2011-04-27 古河電気工業株式会社 ダイシング用粘着テープ
JP4849993B2 (ja) * 2006-08-14 2012-01-11 日東電工株式会社 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP2008144116A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nitto Denko Corp 両面粘着シートおよび液晶表示装置
US7691225B2 (en) * 2007-01-15 2010-04-06 Nitto Denko Corporation Thermal-release double-coated pressure-sensitive adhesive tape or sheet and method of processing adherend
KR100831081B1 (ko) * 2007-02-22 2008-05-20 (주)해은켐텍 상호반응성 공중합체를 이용한 발포시트용 점착수지 및 이를 이용한 발포시트
JP2008266455A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Nitto Denko Corp 層状珪酸塩を含む熱剥離型粘着シート及び該シートを使用する電子部品の製造方法
JP2008266456A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Nitto Denko Corp 熱剥離型両面粘着シート
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
JP5654192B2 (ja) * 2007-07-27 2015-01-14 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 粘着剤組成物及び光学部材
JP5171425B2 (ja) * 2007-10-22 2013-03-27 日東電工株式会社 加熱発泡型再剥離性アクリル系粘着テープ又はシート、及び剥離方法
KR100964618B1 (ko) * 2007-11-22 2010-06-21 인산디지켐 주식회사 고분자 발포 폼의 표면개질을 이용한 점착테이프의제조방법 및 그 구조물
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
EP2274162A1 (en) * 2008-04-08 2011-01-19 The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Assemblies and methods for reducing warp and bow of a flexible substrate during semiconductor processing
JP2010039472A (ja) * 2008-07-08 2010-02-18 Nitto Denko Corp 電子ペーパーの製造方法、及び電子ペーパー形成工程用両面粘着テープ
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
DE102008055155A1 (de) * 2008-12-23 2010-07-01 Thin Materials Ag Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer
KR101723375B1 (ko) * 2009-05-26 2017-04-05 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 재박리성을 갖는 점착재
GB2481187B (en) * 2010-06-04 2014-10-29 Plastic Logic Ltd Processing substrates
JP5432853B2 (ja) * 2010-07-30 2014-03-05 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
CN102510888B (zh) * 2010-08-05 2014-03-12 新塔克化成株式会社 双面粘合片、带剥离片的双面粘合片、其制造方法以及透明层叠体
JP5908672B2 (ja) * 2011-03-01 2016-04-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR101393986B1 (ko) * 2011-10-12 2014-05-13 (주)엘지하우시스 재 작업이 용이한 터치 스크린 패널용 점착 필름
JP2013189501A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Fujitsu Ltd 部品の貼り付け構造、及び部品の分離方法
US20130240141A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape
US20150034238A1 (en) * 2012-03-20 2015-02-05 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
JP5921927B2 (ja) * 2012-03-27 2016-05-24 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP6071041B2 (ja) * 2012-03-30 2017-02-01 日立金属株式会社 シンチレータアレイの製造方法及び放射線検出器の製造方法
JP6143164B2 (ja) * 2012-03-30 2017-06-07 日立金属株式会社 シンチレータアレイの製造方法
JP2014011242A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
JP2014011244A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
EP2717307A1 (en) 2012-10-04 2014-04-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Releasable substrate on a carrier
CN103855339B (zh) * 2012-12-07 2016-08-03 深圳市华宝新能源有限公司 可回收电池的电子装置
JP2015097195A (ja) * 2013-10-09 2015-05-21 日東電工株式会社 燃料電池用膜／電極複合体の製造方法
JP2015076276A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 日東電工株式会社 電解質膜搬送用粘着シートおよび該粘着シートを用いた燃料電池用膜／電極複合体の製造方法
JP6424205B2 (ja) * 2014-03-03 2018-11-14 リンテック株式会社 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
US10147630B2 (en) * 2014-06-11 2018-12-04 John Cleaon Moore Sectional porous carrier forming a temporary impervious support
KR102313768B1 (ko) * 2015-05-06 2021-10-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 양면 테이프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법
CN105199637A (zh) * 2015-07-10 2015-12-30 都佩华 一种粘着力可调的压敏胶及应用该压敏胶的胶粘带
JP2017082094A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 積水化学工業株式会社 半導体加工用両面粘着テープ
FR3043407B1 (fr) * 2015-11-10 2017-11-24 Saint Gobain Performance Plastics France Procede de collage
US10566254B2 (en) * 2016-03-30 2020-02-18 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Method for manufacturing semiconductor device
JP6884141B2 (ja) * 2016-05-12 2021-06-09 ソマール株式会社 被着体積層物の製造方法
JP6751312B2 (ja) * 2016-06-02 2020-09-02 日東電工株式会社 真空プロセス用粘着テープ
CN106479386A (zh) * 2016-10-25 2017-03-08 深圳市美信电子有限公司 一种导电热敏压敏胶带
CN106433506A (zh) * 2016-11-07 2017-02-22 苏州旭泽新材料科技有限公司 一种加热减粘保护膜及其制备方法
CN109082241A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 麦克赛尔控股株式会社 双面粘着胶带、及薄膜部件与支承部件的层叠体
JP7139141B2 (ja) * 2017-06-13 2022-09-20 マクセル株式会社 両面粘着テープ、及び薄膜部材と支持部材との積層体
CN109545652A (zh) * 2017-09-21 2019-03-29 达迈科技股份有限公司 用于柔性显示器的透明聚酰亚胺复合膜及其制造方法
CN112203840B (zh) * 2017-12-07 2023-07-14 琳得科株式会社 粘合性层叠体、粘合性层叠体的使用方法、以及半导体装置的制造方法
KR20200102419A (ko) * 2017-12-26 2020-08-31 린텍 가부시키가이샤 점착성 적층체, 수지막이 형성된 가공 대상물의 제조 방법, 및 경화 수지막이 형성된 경화 봉지체의 제조 방법
JP7033496B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033494B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033495B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033497B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
CN109449080B (zh) * 2018-11-12 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 胶膜及其制备方法、显示装置及胶膜的去除方法
JP7428473B2 (ja) * 2019-01-30 2024-02-06 日東電工株式会社 電子部品の製造方法
CN110684481B (zh) * 2019-09-19 2022-03-04 浙江耀阳新材料科技有限公司 一种粘性可控胶带及其应用方法
CN112552839B (zh) * 2019-09-25 2024-03-15 麦克赛尔株式会社 粘着带
EP3822056B1 (en) * 2019-11-18 2024-05-08 Heraeus Noblelight Ltd. System for treatment of a multi-layered cushioning product and operating method for a system for expanding a multi-layered cushioning product
KR102216369B1 (ko) * 2020-03-19 2021-02-17 (주)라이타이저 발포체와 감광성 수지를 이용한 led칩 전사 방법 및 장치, 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법
DE102021210563A1 (de) * 2021-09-22 2023-03-23 Tesa Se Primer zur Herstellung einer lösbaren Klebverbindung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312347A (zh) * 2000-02-16 2001-09-12 日东电工株式会社 辐射固化热剥离压敏粘合剂片材和用其制备切割块的方法
CN1323865A (zh) * 2000-05-15 2001-11-28 日东电工株式会社 热剥压敏粘合薄片

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448450A (en) * 1991-08-15 1995-09-05 Staktek Corporation Lead-on-chip integrated circuit apparatus
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JP3308672B2 (ja) * 1993-02-26 2002-07-29 日東電工株式会社 接着シート
JP4256481B2 (ja) * 1997-02-14 2009-04-22 リンテック株式会社 粘着剤組成物およびその利用方法
JP4010643B2 (ja) 1998-04-23 2007-11-21 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP4540150B2 (ja) * 1998-09-30 2010-09-08 日東電工株式会社 熱剥離型粘着シート
JP2000248240A (ja) * 1999-03-01 2000-09-12 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP3862489B2 (ja) * 1999-12-14 2006-12-27 日東電工株式会社 再剥離用粘着シート
JP4703833B2 (ja) * 2000-10-18 2011-06-15 日東電工株式会社 エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
WO2002054420A1 (fr) * 2000-12-28 2002-07-11 Tdk Corporation Carte de circuit imprime laminee, procede de production d'une piece electronique et piece electronique laminee
JP4428908B2 (ja) 2002-04-08 2010-03-10 日東電工株式会社 粘着シートを用いた被着体加工方法
JP3853247B2 (ja) 2002-04-16 2006-12-06 日東電工株式会社 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312347A (zh) * 2000-02-16 2001-09-12 日东电工株式会社 辐射固化热剥离压敏粘合剂片材和用其制备切割块的方法
CN1323865A (zh) * 2000-05-15 2001-11-28 日东电工株式会社 热剥压敏粘合薄片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI415692B (zh) * 2008-12-05 2013-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 解膠裝置和解膠方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20040191510A1 (en) 2004-09-30
TWI303656B (en) 2008-12-01
EP1464688B1 (en) 2006-08-09
CN1609158A (zh) 2005-04-27
TW200427810A (en) 2004-12-16
US20080216949A1 (en) 2008-09-11
KR100738744B1 (ko) 2007-07-12
KR20040085079A (ko) 2004-10-07
DE602004001796D1 (de) 2006-09-21
EP1464688A1 (en) 2004-10-06
DE602004001796T2 (de) 2006-11-30
JP2004300231A (ja) 2004-10-28
ATE335798T1 (de) 2006-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100352877C (zh) 热剥离双面压敏胶粘剂片材以及处理被粘物的方法和电子元件
CN101381587B (zh) 切片用粘合片和切片方法
JP3853247B2 (ja) 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
CN101235259B (zh) 热剥离型两面粘合带或片以及被粘物的加工方法
US7163597B2 (en) Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet
CN101740352B (zh) 切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺
CN1232602C (zh) 辐射固化热剥离压敏粘合剂片材和用其制备切割块的方法
CN101195734B (zh) 可除去的压敏粘合剂组合物和压敏粘合带或片
KR101154640B1 (ko) 가열 피착체 박리 방법 및 가열 피착체 박리 장치
EP1033393A2 (en) Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet
CN103360964B (zh) 加热剥离型粘合片
JP2005179496A (ja) 加熱剥離型粘着シート
KR101046669B1 (ko) 다이싱용 감압 접착 시트, 및 상기 시트를 사용하여 가공재를 가공하는 방법
CN102959030A (zh) 加热剥离型粘合片
CN103650123A (zh) 电子元件的制造方法和要用于所述制造方法的压敏粘合片
CN1930261A (zh) 加热剥离型粘合片和使用该加热剥离型粘合片的粘附体的加工方法
CN104130726A (zh) 再剥离粘合剂组合物、粘合片及电子部件的切断加工方法
KR20100059736A (ko) 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
CN101522846A (zh) 热剥离性粘合片及粘附体回收方法
CN102077688A (zh) 有机电致发光面板的制造方法
KR20150018782A (ko) 접착성 수지층이 부착된 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN107851602A (zh) 半导体部件制造用膜
JP2009040930A (ja) 被着体の剥離方法、及び、該被着体の剥離方法に使用される加熱剥離型粘着シート
JP4711783B2 (ja) 紫外線硬化型加熱剥離性粘着シート及び切断片の分別回収方法
JP4514409B2 (ja) 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071205

Termination date: 20100331