KR100673631B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100673631B1 KR100673631B1 KR1020050098163A KR20050098163A KR100673631B1 KR 100673631 B1 KR100673631 B1 KR 100673631B1 KR 1020050098163 A KR1020050098163 A KR 1020050098163A KR 20050098163 A KR20050098163 A KR 20050098163A KR 100673631 B1 KR100673631 B1 KR 100673631B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- tank
- gas
- separator tank
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (28)
- 리소그래피 장치에 있어서,방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 일루미네이터;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판테이블;상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템;상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체 또는 부분적으로 채우도록 구성된 액체 공급 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 액체 공급 시스템은 상기 공간내에 액체를 전체 또는 부분적으로 한정하도록 구성된 액체 한정 구조체를 포함하여 이루어지며;상기 액체 한정 구조체와 상기 기판 사이의 갭을 통과하는 액체 및 가스의 혼합물을 제거하도록 구성된 유출구; 및상기 유출구를 통해 상기 혼합물을 배출하도록 구성된 추출 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 추출 시스템은 상기 혼합물내의 가스로부터 액체를 분리하도록 구성된 분리기 탱크, 및 상기 분리기 탱크의 비-액체-충전 영역에 연결되고 상기 비-액체-충전 영역내의 안정된 압력을 유지하도록 구성된 분리기 탱크 압력 제어기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 추출 시스템은,상기 분리기 탱크보다 더 낮게 위치되며, 상기 분리기 탱크의 하부의 개구부와 퍼지 탱크의 상부의 개구부를 통해 연결된 퍼지 탱크를 더 포함하여 이루어지고, 상기 연결은 퍼지 밸브를 통해 제어가능하며; 및등압 밸브에 의해 제어될 수 있고, 상기 분리기 탱크내의 압력 변화 없이 상기 분리기 탱크로부터 상기 퍼지 탱크로 분리된 액체의 유동을 용이하게 하기 위해서, 상기 분리기 탱크와 상기 퍼지 탱크의 각자의 상부들을 연결시키도록 구성된 등압 연결부를 더 포함하여 이루어지며,상기 퍼지 탱크는, 액체 제거 상태(liquid removal phase) 시, 상기 퍼지 밸브를 폐쇄하고, 상기 등압 밸브를 폐쇄하며, 액체 싱크 밸브를 통해 액체 싱크로 상기 퍼지 탱크를 개방함으로써 액체가 제거될 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 추출 시스템은, 상기 퍼지 탱크에 연결될 수 있고, 증가된 속도로 상기 퍼지 탱크로부터 상기 액체 싱크로 액체를 강제하도록 구성된 고압 가스원을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 추출 시스템은, 상기 분리기 탱크로부터 상기 액체 싱크로 액체를 펌핑하도록 구성된 액체 펌프를 더 포함하여 이루어지며, 상기 액체 펌프는 상기 고압 가스원에 의해 동력화된 가스 분사 펌프를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 퍼지 밸브, 상기 액체 싱크 밸브, 또는 양자 모두는 역유동을 방지하도록 구성된 체크 밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 추출 시스템은,상기 분리기 탱크보다 더 낮게 위치되며, 상기 분리기 탱크의 하부의 개구부와 상기 퍼지 탱크의 상부의 개구부를 통해 연결되는 퍼지 탱크를 더 포함하여 이루어지고, 상기 연결은 퍼지 밸브를 통해 제어가능하며; 및상기 분리기 탱크와 상기 퍼지 탱크의 각자의 상부들을 연결시키도록 구성되고, 유동 임피던스를 제공하도록 배치된 유동 제한 디바이스를 포함하는 제한된 유동 연결부를 더 포함하여 이루어지며;상기 퍼지 탱크는, 액체 제거 상태 시, 상기 퍼지 밸브를 폐쇄하고, 액체 싱크 밸브를 통해 액체 싱크로 상기 퍼지 탱크를 개방함으로써 액체가 제거될 수 있 도록 구성되며, 상기 유동 임피던스는, 임계값을 초과하는 상기 분리기 탱크내의 압력 변동을 유발하지 않고, 액체 제거 상태 후, 상기 분리기 및 상기 퍼지 탱크의 압력을 균등화하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 유동 임피던스는, 최소 전달 속도(minimum transfer rate) 이상의 속도로 상기 분리기 탱크로부터 상기 퍼지 탱크로 액체가 유동될 수 있도록 더욱 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 추출 시스템은, 상기 퍼지 탱크에 연결될 수 있고, 증가된 속도로 상기 퍼지 탱크로부터 상기 액체 싱크로 액체를 강제하도록 구성된 고압 가스원을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 퍼지 밸브, 액체 싱크 밸브, 또는 양자 모두는 역유동을 방지하도록 구성된 체크 밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 추출 시스템은,상기 분리기 탱크보다 더 낮게 위치되며, 상기 분리기 탱크의 하부의 개구부와 상기 퍼지 탱크의 상부의 개구부를 통해 연결되는 퍼지 탱크를 더 포함하여 이루어지고, 상기 연결은 퍼지 밸브를 통해 제어가능하며; 및상기 분리기 탱크와 상기 퍼지 탱크의 각자의 상부들을 연결시키도록 구성되고, 유동 임피던스를 제공하도록 배치된 유동 제한 디바이스를 포함하는 제한된 유동 연결부를 더 포함하여 이루어지고;등압 밸브에 의해 제어될 수 있고, 상기 분리기 탱크내의 압력 변화 없이 상기 분리기 탱크로부터 상기 퍼지 탱크로 분리된 액체의 유동을 용이하게 하기 위해서, 상기 분리기 탱크와 상기 퍼지 탱크의 각자의 상부들을 연결시키도록 구성된 등압 연결부를 더 포함하여 이루어지며,상기 퍼지 탱크는, 액체 제거 상태 시, 상기 퍼지 밸브를 폐쇄하고, 액체 싱크 밸브를 통해 액체 싱크로 상기 퍼지 탱크를 개방함으로써 액체가 제거될 수 있도록 구성되며, 상기 유동 임피던스는, 임계값을 초과하는 상기 분리기 탱크내의 압력 변동을 유발하지 않고, 액체 제거 상태 후, 상기 분리기 및 상기 퍼지 탱크의 압력을 균등화하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 추출 시스템은, 상기 퍼지 탱크에 연결될 수 있고, 증가된 속도로 상기 퍼지 탱크로부터 상기 액체 싱크로 액체를 강제하도록 구성된 고압 가스원을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 퍼지 밸브, 액체 싱크 밸브, 또는 양자 모두는 역유동을 방지하도록 구성된 체크 밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 추출 시스템은, 상기 분리기 탱크로부터 상기 액체 싱크로 액체를 펌핑하도록 구성된 액체 펌프를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 분리기 탱크 압력 제어기는,상기 혼합물을 펌핑하도록 구성된 2-상 양립식 펌프에 연결된 메인 펌핑 라인; 및가스만을 펌핑하도록 구성된 공유 진공 설비에 연결될 수 있는 백업 라인을 포함하여 이루어지고,상기 메인 펌핑 라인 및 상기 백업 라인은 상기 분리기 탱크에 연결되며, 상기 2-상 양립식 펌프는 상기 공유 진공 설비보다 더 깊은 진공을 제공하도록 구성될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 메인 펌핑 라인은, 상기 분리기 탱크의 하부의 우세한 액체 충전 영역(lower, predominantly liquid filled portion)에 연결되며, 상기 백업 라인은 상기 분리기 탱크의 상부의 우세한 액체 충전 영역(upper, predominantly liquid filled portion)에 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 메인 펌핑 라인 및 상기 백업 라인은, 하나의 펌핑 라인이 다른 펌핑 라인상에서 배출되는 것을 방지하기 위해, 체크 밸브들이 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 백업 라인은, 액체가 상기 공유 진공 설비에 도달하는 것을 방지하도록 구성된 소수성 필터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 메인 펌핑 라인, 상기 백업 라인, 또는 양자 모두는, 배압 조절기의 분리기 탱크 쪽(separator tank side)의 압력의 함수로서, 상기 2-상 양립식 펌프, 상기 공유 진공 설비, 또는 양자 모두에 의해 제공된 펌핑 전력을 제어하도록 구성된 상기 배압 조절기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 2-상 양립식 펌프는, 상기 메인 펌핑 라인을 통해 상기 분리기 탱크의 비-액체-충전 영역내의 진공 레벨을 유지하고, 하부 분리기 탱크 펌핑 라인을 통해 상기 분리기 탱크의 하부의 우세한 액체 충전 영역으로부터 액체를 추출하도록 구성되며, 상기 공유 진공 설비가 상기 액체상에서 펌핑되는 것을 방지하기 위해, 상기 메인 펌핑 라인과 상기 하부 분리기 탱크 펌핑 라인 사이에 체크 밸브가 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 장치에 있어서,압력하에서, 액체가 방출될 수 있는 용기의 계면 영역에 가스를 제공하도록 구성된 가압된 가스 입력부;상기 영역으로부터 액체 및 가스의 혼합물의 제어된 제거를 제공하도록 구성된 안정화된 추출 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 안정화된 추출 시스템과 커플링된 상기 가압된 가스 입력부에 의해 유도된 가스의 유동은 상기 계면 영역을 통해 상기 용기로부터의 액체의 방출을 제한하도록 구성되며, 상기 안정화된 추출 시스템은 상기 혼합물내의 가스로부터 액체를 분리하도록 구성된 분리기 탱크, 및 상기 분리기 탱크의 비-액체-충전 영역에 연결되고 상기 비-액체-충전 영역내의 안정된 압력을 유지하도록 구성된 분리기 탱크 압력 제어기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 리소그래피 장치에 있어서,방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 일루미네이터;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판테이블;상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템;상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체 또는 부분적으로 채우도록 구성된 액체 공급 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 액체 공급 시스템은 상기 공간내에 액체를 전체 또는 부분적으로 한정하도록 구성된 액체 한정 구조체를 포함하여 이루어지며;상기 액체 한정 구조체와 상기 기판 사이의 갭을 통과하는 액체 및 가스의 혼합물을 제거하도록 구성된 유출구; 및상기 유출구를 통해 상기 혼합물을 배출하도록 구성된 추출 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 추출 시스템은 2-상 양립식 펌프 및 상기 갭과 상기 2-상 양립식 펌프 사이에 배치된 액체/가스 균질기를 포함하여 이루어지며, 상기 액체/가스 균질기는 상기 2-상 양립식 펌프에 액체 및 가스의 균일한 혼합물을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 액체/가스 균질기는 유지 탱크 및 다공성 블록을 포함하여 이루어지며, 상기 다공성 블록은 상기 유지 탱크 안으로 통과됨에 따라, 상기 혼합물을 균질화하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 리소그래피 장치에 있어서,방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 일루미네이터;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성된 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판테이블;상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템;상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체 또는 부분적으로 채우도록 구성된 액체 공급 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 액체 공급 시스템은 상기 공간내에 액체를 전체 또는 부분적으로 한정하도록 구성된 액체 한정 구조체를 포함하여 이루어지며;상기 액체 한정 구조체와 상기 기판 사이의 갭을 통과하는 액체 및 가스의 혼합물을 제거하도록 구성된 유출구;상기 유출구를 통해 상기 혼합물을 배출하도록 구성된 추출 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 추출 시스템은,상기 혼합물을 펌핑하도록 구성된 2-상 양립식 펌프에 연결된 메인 펌핑 라인,가스만을 펌핑하도록 구성되고 상기 2-상 양립식 펌프를 백업하도록 배치된 공유 진공 설비에 연결될 수 있는 백업 라인을 포함하여 이루어지고, 상기 2-상 양립식 펌프는 상기 공유 진공 설비보다 더 깊은 진공을 제공하도록 구성될 수 있으며, 및상기 메인 펌핑 라인 및 상기 백업 라인에 연결된 2-상-양립식 압력 조절기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 백업 라인은 액체가 상기 공유 진공 설비에 도달하는 것을 방지하도록 구성된 소수성 필터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 디바이스 제조방법에 있어서,리소그래피 장치의 투영시스템과 기판 사이의 공간에 액체를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 액체는 액체 한정 구조체에 의해 공간 전체 또는 일부분으로 한정되며;상기 액체 한정 구조체와 상기 기판 사이의 갭을 통과하는 액체 및 가스의 혼합물을 제거하는 단계;분리기 탱크 내에서, 상기 혼합물내의 가스로부터 액체를 분리하는 단계;상기 분리기 탱크내의 안정된 압력을 유지하기 위해서 상기 분리기 탱크의 비-액체-충전 영역상에서 펌핑하는 단계; 및상기 투영시스템을 이용하여, 상기 기판상으로 상기 액체를 통해 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 디바이스 제조방법에 있어서,압력하에서, 액체가 방출될 수 있는 용기의 계면 영역에 가스의 유동을 제공하는 단계;상기 영역으로부터 액체 및 가스의 혼합물을 제어되게 제거되는 단계(controlled removing)를 포함하여 이루어지고, 상기 가스의 유동은 상기 계면 영역을 통해 상기 용기로부터 액체의 방출을 제한하도록 구성된 상기 혼합물의 제어된 제어와 커플링되며,탱크내에서, 상기 혼합물내의 가스로부터 액체를 분리하는 단계; 및비-액체-충전 영역내의 안정된 압력을 유지하기 위해서 상기 탱크의 비-액체-충전 영역상에서 펌핑하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 디바이스 제조방법에 있어서,리소그래피 장치의 투영시스템과 기판 사이의 공간에 액체를 제공하는 단계 를 포함하여 이루어지고, 상기 액체는 액체 한정 구조체에 의해 공간 전체 또는 일부분으로 한정되며;2-상 양립식 펌프를 이용하여, 상기 액체 한정 구조체와 상기 기판 사이의 갭을 통과하는 액체 및 가스의 혼합물을 제거하는 단계;상기 2-상 양립식 펌프에 도달하기 이전에 혼합물을 균질화하는 단계; 및상기 투영시스템을 이용하여, 상기 기판상으로 상기 액체를 통해 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 디바이스 제조방법에 있어서,리소그래피 장치의 투영시스템과 기판 사이의 공간에 액체를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 액체는 액체 한정 구조체에 의해 공간 전체 또는 일부분으로 한정되며;액체 및 가스의 혼합물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 혼합물은, 2-상 양립식 펌프를 이용하여, 메인 펌핑 라인을 통해, 상기 액체 한정 구조체와 상기 기판 사이의 갭을 통과하며;상기 2-상 양립식 펌프에 대한 백업으로서 공유 진공 설비를 이용하여 백업 라인을 통해 상기 혼합물로부터 가스를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 2-상 양립식 펌프는 상기 공유 진공 설비보다 더 깊은 진공을 제공하며,2-상-양립식 압력 조절기를 이용하여 상기 메인 펌핑 라인과 상기 백업 라인 을 조절하는 단계; 및상기 투영시스템을 이용하여, 상기 기판상으로 상기 액체를 통해 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/966,108 | 2004-10-18 | ||
US10/966,108 US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2004-10-18 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060054084A KR20060054084A (ko) | 2006-05-22 |
KR100673631B1 true KR100673631B1 (ko) | 2007-01-24 |
Family
ID=35516203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050098163A KR100673631B1 (ko) | 2004-10-18 | 2005-10-18 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US7379155B2 (ko) |
EP (1) | EP1647866B1 (ko) |
JP (3) | JP4362466B2 (ko) |
KR (1) | KR100673631B1 (ko) |
CN (2) | CN100520593C (ko) |
DE (1) | DE602005004856T2 (ko) |
SG (1) | SG121969A1 (ko) |
TW (1) | TWI277840B (ko) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4083505B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2008-04-30 | 株式会社リコー | 画像形成装置,プログラム更新方法および記録媒体 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101748923B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
CN1954408B (zh) * | 2004-06-04 | 2012-07-04 | 尼康股份有限公司 | 曝光装置、曝光方法及元件制造方法 |
US20070139628A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8508713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) * | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR20180072867A (ko) | 2004-06-10 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7379155B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7428038B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
JP4262252B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4072543B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
US7411654B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1923215A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-21 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Constant flow high pressure printing system |
US7924404B2 (en) * | 2007-08-16 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8681308B2 (en) * | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8629970B2 (en) * | 2008-01-23 | 2014-01-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus with immersion fluid re-circulating system |
JP5001343B2 (ja) | 2008-12-11 | 2012-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法 |
NL2004820A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow. |
NL2006648A (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method. |
US20120012191A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
NL2009899A (en) | 2011-12-20 | 2013-06-24 | Asml Netherlands Bv | A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
CN102707580B (zh) * | 2012-05-30 | 2014-01-29 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的气密封和气液分离回收装置 |
DE102014020074B3 (de) * | 2013-11-25 | 2022-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildaufnahmevorrichtung und Bildsignalsteuerverfahren |
CN104035288A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-09-10 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机中的负压环境下的连续气液分离装置 |
KR102349127B1 (ko) | 2016-10-20 | 2022-01-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 압력 제어 밸브, 리소그래피 장치용 유체 핸들링 구조체 및 리소그래피 장치 |
JP6535649B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2019-06-26 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、排出方法およびプログラム |
US10670959B2 (en) * | 2017-05-10 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
CN107861339B (zh) * | 2017-12-14 | 2023-09-12 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种用于浸没式光刻机的两级气液分离回收装置 |
US11925786B2 (en) * | 2019-05-15 | 2024-03-12 | GE Precision Healthcare LLC | System and method for drawing a solution |
CN113138540B (zh) * | 2020-01-17 | 2024-02-09 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种具有气液分离回收功能的浸液供给回收装置 |
CN113457318B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-08-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种超洁净湿空气制备装置及光刻设备 |
CN112684675B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-02-21 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 真空系统及使用该真空系统的浸没式光刻机 |
US11798800B2 (en) | 2021-06-25 | 2023-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for solvent recycling |
WO2024208512A1 (en) | 2023-04-04 | 2024-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling system and method, and method of manufacturing devices |
Family Cites Families (135)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3314219A (en) * | 1965-03-10 | 1967-04-18 | Bass Brothers Entpr Inc | Drilling mud degassers for oil wells |
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
US3675395A (en) * | 1970-10-09 | 1972-07-11 | Keene Corp | Apparatus for the purification of oils and the like |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
US4315760A (en) * | 1980-01-17 | 1982-02-16 | Bij De Leij Jan D | Method and apparatus for degasing, during transportation, a confined volume of liquid to be measured |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
US4466253A (en) * | 1982-12-23 | 1984-08-21 | General Electric Company | Flow control at flash tank of open cycle vapor compression heat pumps |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
FR2557643B1 (fr) * | 1983-12-30 | 1986-05-09 | Inst Francais Du Petrole | Dispositif d'alimentation d'une pompe de fluide diphasique et installation de production d'hydrocarbures comportant un tel dispositif |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
FI73950C (fi) * | 1985-02-15 | 1987-12-10 | Hackman Ab Oy | Foerfarande och anordning vid pumpning och volymmaetning av livsmedelsvaetskor. |
CN85104763B (zh) * | 1985-06-13 | 1988-08-24 | 沈汉石 | 液压系统中消除气穴的方法和装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
US4730634A (en) * | 1986-06-19 | 1988-03-15 | Amoco Corporation | Method and apparatus for controlling production of fluids from a well |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US4886530A (en) * | 1987-10-28 | 1989-12-12 | Sundstrand Corporation | Single stage pump and separator for two phase gas and liquid mixtures |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
JPH08907Y2 (ja) | 1990-11-15 | 1996-01-17 | 株式会社イトーキクレビオ | レール一体型引出し構造 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08907A (ja) | 1994-06-17 | 1996-01-09 | Miura Co Ltd | 真空脱気における脱気度調整方法 |
US6033475A (en) | 1994-12-27 | 2000-03-07 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6104687A (en) | 1996-08-26 | 2000-08-15 | Digital Papyrus Corporation | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US6001189A (en) | 1996-09-30 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method for reducing gaseous species of contamination in wet processes |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4280356B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2009-06-17 | 株式会社ニクニ | 脱気装置 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
US6716268B2 (en) * | 2000-01-17 | 2004-04-06 | Lattice Intellectual Property Ltd. | Slugging control |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
SE517821C2 (sv) * | 2000-09-29 | 2002-07-16 | Tetra Laval Holdings & Finance | Metod och anordning för att kontinuerligt avlufta en vätska |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002257137A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Koyo Seiko Co Ltd | 磁気軸受装置 |
JP2002257138A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Canon Inc | 静圧流体軸受装置、およびこれを用いたステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
JP3682431B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2005-08-10 | 株式会社ニクニ | 脱気装置 |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
KR20050044371A (ko) | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광학 스폿 그리드 어레이 프린터 |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US20040154641A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-12 | P.C.T. Systems, Inc. | Substrate processing apparatus and method |
JP2004018039A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Kikkoman Corp | 液体貯蔵タンク装置 |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121829A1 (en) | 2002-11-29 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101036114B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4529433B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP4608876B2 (ja) | 2002-12-10 | 2011-01-12 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
KR100971440B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
WO2004090956A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004320016A (ja) | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィシステム |
JP4428115B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-03-10 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステム |
JP2005277363A (ja) | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20070132969A1 (en) * | 2003-07-24 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and method for introducing an immersion liquid into an immersion space |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
KR101748923B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1528433B1 (en) | 2003-10-28 | 2019-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and method of operating the same |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005175176A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
US8064044B2 (en) | 2004-01-05 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
JP4513590B2 (ja) | 2004-02-19 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 光学部品及び露光装置 |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP4515335B2 (ja) | 2004-06-10 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法 |
KR20180072867A (ko) * | 2004-06-10 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US20070139628A1 (en) | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-10-18 US US10/966,108 patent/US7379155B2/en active Active
-
2005
- 2005-10-04 TW TW094134682A patent/TWI277840B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-10-13 SG SG200506523A patent/SG121969A1/en unknown
- 2005-10-17 JP JP2005301607A patent/JP4362466B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-18 CN CNB2005101141385A patent/CN100520593C/zh active Active
- 2005-10-18 KR KR1020050098163A patent/KR100673631B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-18 CN CN200910149213XA patent/CN101576719B/zh active Active
- 2005-10-18 EP EP05256461A patent/EP1647866B1/en not_active Not-in-force
- 2005-10-18 DE DE602005004856T patent/DE602005004856T2/de active Active
-
2008
- 2008-04-02 US US12/078,635 patent/US8004652B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-09 JP JP2009138068A patent/JP5130259B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-23 US US13/167,314 patent/US8934082B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-16 JP JP2012112394A patent/JP5288571B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-12-30 US US14/586,518 patent/US9436097B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-08-30 US US15/251,915 patent/US9753380B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-09-01 US US15/694,537 patent/US10248033B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160370714A1 (en) | 2016-12-22 |
EP1647866A1 (en) | 2006-04-19 |
CN101576719A (zh) | 2009-11-11 |
JP4362466B2 (ja) | 2009-11-11 |
JP2009200530A (ja) | 2009-09-03 |
JP2006121078A (ja) | 2006-05-11 |
JP5130259B2 (ja) | 2013-01-30 |
SG121969A1 (en) | 2006-05-26 |
CN101576719B (zh) | 2011-04-06 |
CN100520593C (zh) | 2009-07-29 |
DE602005004856D1 (de) | 2008-04-03 |
US20180039188A1 (en) | 2018-02-08 |
EP1647866B1 (en) | 2008-02-20 |
US20080259292A1 (en) | 2008-10-23 |
US20150109593A1 (en) | 2015-04-23 |
US8004652B2 (en) | 2011-08-23 |
TWI277840B (en) | 2007-04-01 |
JP5288571B2 (ja) | 2013-09-11 |
US9753380B2 (en) | 2017-09-05 |
US20110249246A1 (en) | 2011-10-13 |
US20060082746A1 (en) | 2006-04-20 |
US9436097B2 (en) | 2016-09-06 |
KR20060054084A (ko) | 2006-05-22 |
JP2012160760A (ja) | 2012-08-23 |
TW200628994A (en) | 2006-08-16 |
US10248033B2 (en) | 2019-04-02 |
DE602005004856T2 (de) | 2009-02-26 |
CN1770018A (zh) | 2006-05-10 |
US8934082B2 (en) | 2015-01-13 |
US7379155B2 (en) | 2008-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100673631B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
US10495984B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR101128403B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 2-상 유동의 유속을 측정하는 방법 | |
US8885142B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR101120612B1 (ko) | 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법 | |
KR101135673B1 (ko) | 유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130110 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150109 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170106 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180105 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190107 Year of fee payment: 13 |