KR101135673B1 - 유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101135673B1
KR101135673B1 KR1020090122756A KR20090122756A KR101135673B1 KR 101135673 B1 KR101135673 B1 KR 101135673B1 KR 1020090122756 A KR1020090122756 A KR 1020090122756A KR 20090122756 A KR20090122756 A KR 20090122756A KR 101135673 B1 KR101135673 B1 KR 101135673B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
extraction
fluid
buffer chamber
liquid
substrate
Prior art date
Application number
KR1020090122756A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100067633A (ko
Inventor
니콜라스 루돌프 켐퍼
로베르투스 니코데무스 야코부스 반 발레호이
마르쿠스 마르티누스 페트루스 아드리아누스 베르뮬렌
미첼 리펜
마르티누스 빌헬무스 반 덴 호이벨
파울 페트루스 요안네스 베르크벤스
크리스토페 데 메체나에레
지미 마테우스 빌헬무스 반 데 빈켈
코르넬리우스 마리아 로프스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20100067633A publication Critical patent/KR20100067633A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101135673B1 publication Critical patent/KR101135673B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
    • F01N1/00—Silencing apparatus characterised by method of silencing
    • F01N1/02—Silencing apparatus characterised by method of silencing by using resonance
    • F01N1/023—Helmholtz resonators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

침지 리소그래피 장치는 통상적으로 유체 핸들링 시스템을 포함한다. 상기 유체 핸들링 시스템은 일반적으로 주어진 일 지점으로부터 가스와 액체의 혼합물을 제거하도록 구성된 2-상 유체 추출 시스템을 포함한다. 추출 유체가 2 개의 상들을 포함하기 때문에, 추출 시스템의 압력이 변동할 수 있다. 이 압력 변동은 침지 액체를 통해 전달될 수 있으며, 노광의 부정확성을 유도한다. 추출 시스템의 압력 변동을 감소시키기 위해, 버퍼 챔버가 사용될 수 있다. 이 버퍼 챔버는 압력 변동을 감소시키는 가스의 볼륨을 제공하기 위해 유체 추출 시스템에 연결될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 유연한 벽은 유체 추출 시스템 어디에도 제공될 수 있다. 유연한 벽은 유체 추출 시스템의 압력 변화에 반응하여 형상을 변화시킬 수 있다. 형상을 변화시킴으로써, 유연한 벽은 압력 변동을 감소시키거나 제거하는데 도움을 줄 수 있다.

Description

유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{Fluid Extraction system, Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method}
본 발명은 유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우에, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 투영 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 일 실시예에서, 상기 액체는 증류수인 것이 바람직하지만, 1 이상의 다른 액체들이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체에 관련하여 설명될 것이다. 하지만, 또 다른 유체, 특히 습윤화 유체(wetting fluid), 비압축식 유체(incompressible fluid), 및/또는 공기보다 높은 굴절률을 갖고, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적절할 수 있다. 가스들을 제외한 유체들이 특히 바람직하다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가지기 때문에 더 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다(또한, 액체의 효과는 상기 시스템의 유효 NA를 증가시키고 초점심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다). 고체 입자(예를 들어, 석영)가 그 안에 부유되어 있는 물을 포함하는 다른 침지 액체들, 또는 나노-입자 부유물들(예를 들어, 10 nm의 최대 치수를 갖는 입자들)을 갖는 액체들이 제안되었다. 부유된 입자들은 입자들이 부유된 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있거나 또는 가질 수 없다. 적합할 수 있는 다른 액체로는, 탄화수소, 예컨대 방향족, 불화탄화수소(fluorohydrocarbon), 및/또는 수성 용액이 있다.
기판 또는 기판 및 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 시 가속되어야 할 대량의 액체(large body of liquid)가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가적인 또는 더 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않으며 예측할 수 없는 영향들을 초래할 수 있다.
침지 장치에서, 침지 유체는 유체 핸들링 시스템(fluid handling system), 구조체 또는 장치에 의해 핸들링된다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 침지 유체를 공급할 수 있으며, 따라서 유체 공급 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 침지 유체를 전체적으로 또는 부분적으로 한정할 수 있으며, 따라서 유체 한정 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 침지 유체에 방벽을 형성할 수 있으며, 따라서 유체 한정 구조체와 같은 방벽 부재일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은, 예를 들어 침지 유체의 위치 및/또는 유동의 제어를 돕기 위해 가스의 유동을 생성하거나 이용할 수 있다. 가스의 유동은 침지 유체를 한정하는 시일(seal)을 형성할 수 있으므로, 유체 핸들링 구조체는 시일 부재라고도 칭해질 수 있으며; 이러한 시일 부재는 유체 한정 구조체일 수 있다. 일 실시예에서, 침지 액체는 침지 유체로서 사용된다. 그 경우, 유체 핸들링 시스템은 액체 핸들링 시스템일 수 있다. 상기에 언급된 설명과 관련하여, 이 문단에서는 유체에 대해 정의된 특성(feature)에 관한 언급(reference)은 액체에 대해 정의된 특성을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
제안된 구성들 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템을 이용하 여, 기판의 국부화된 영역 상에만, 그리고 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 PCT 특허 출원 공개공보 WO 99/49504호에 개시된다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 화살표들로 나타낸 바와 같이, 적어도 1 이상의 유입구(IN)에 의해 기판상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되고, 화살표들로 나타낸 바와 같이, 투영 시스템(PS) 아래로 통과한 이후에 적어도 1 이상의 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압력원에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대해 기판(W)의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주변에 위치된 유입 및 유출구들의 다양한 방위들 및 개수들이 가능하며, 어느 한 쪽에 유출구와 함께 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주변에 규칙적인 패턴으로 제공된 일 예시가 도 3에서 설명된다.
국부화된 액체 공급 시스템을 갖는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 화살표들로 나타낸 바와 같이 투영 시스템(PS)의 어느 한쪽 상의 2 개의 홈형 유입구(groove inlet: IN)에 의해 액체가 공급되고, 화살표들로 나타낸 바와 같이 유입구들(IN)의 반경 방향 바깥쪽으로(radially outwardly) 배치된 복수의 개별 유출구들(OUT)에 의해 제거된다. 유입구들(IN) 및 유출구들(OUT)은 그 중 심에 홀(hole)을 갖고, 그를 통해 투영 빔이 투영되는 플레이트 내에 배치될 수 있다. 투영 시스템(PS)의 한쪽에서 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 액체가 공급되고, 투영 시스템(PS)의 다른 쪽에서 복수의 개별 유출구들(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 박막의 액체 유동을 유도한다. 유입구(IN) 및 유출구들(OUT)의 어떤 조합을 사용할지에 관한 선택은, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다(유입구(IN) 및 유출구들(OUT)의 다른 조합은 비활성적임).
유럽 특허 출원 공보 EP 1420300호, 및 미국 특허 출원 공보 US 2004-0136494호에는, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치는 기판을 지지하는 2 개의 테이블들을 갖는다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서 테이블을 이용하여 레벨링 측정(leveling measurement)들이 수행되며, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 테이블만을 갖는다.
PCT 특허 출원 공개공보 WO 2005/064405호는 침지 액체가 한정되지 않는 완전 습윤 구성(all wet arrangement)을 개시한다. 이러한 시스템에서는, 기판의 전체 최상부 표면이 액체로 덮인다. 이는 기판의 전체 최상부 표면이 실질적으로 동일한 조건들에 노출되기 때문에 유익할 수 있다. 이는 기판의 온도 제어 및 처리 면에서 장점을 갖는다. WO 2005/064405호에는, 액체 공급 시스템이 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 갭에 액체를 제공한다. 상기 액체는 기판의 잔여부 상으로 누출된다. 기판 테이블의 에지에 있는 방벽은 액체가 방출되는 것을 방지하므로, 액체가 기판 테이블의 최상부 표면으로부터 제어되는 방식으로 제거될 수 있 다. 이러한 시스템이 기판의 온도 제어 및 처리를 개선한다 하더라도, 침지 액체의 증발(evaporation)은 여전히 발생할 수 있다. 이러한 문제를 해소하는데 도움을 주는 한가지 방법은 미국 특허 출원 공개공보 US 2006/0119809호에 개시되어 있다. 모든 위치들에서 기판(W)을 덮는 부재가 제공되며, 상기 부재는 상기 부재와 기판 및/또는 상기 기판을 유지하는 기판 테이블의 최상부 사이에서 침지 액체가 연장되도록 구성된다.
침지 리소그래피 장치에서 유체 핸들링 시스템은 2-상(two-phase) 추출 시스템을 포함할 수 있다. 상기 추출 시스템은 액체가 공급된 위치로부터 침지 액체를 제거하도록 구성될 수 있다. 통상적으로, 이러한 추출 시스템은 가스와 액체의 혼합물을 추출한다. 예를 들어, 가스는 주변 대기(surrounding atmosphere)로부터의 가스일 수 있거나, 도 5에 도시된 것과 같은 무접촉 시일[예를 들어, 가스 나이프(gas knife)]일 수 있다. 상기 액체는 침지 액체일 수 있다.
2-상 추출 시스템의 2-상 추출 유동은 비등방성(anisotropic)일 수 있으며, 불안정한 유동 특성들을 가질 수 있다. 이는 바람직하지 않은 기계적 영향들, 이를테면 기판 및 기판 테이블 상에서의 원하지 않는 진동들을 초래할 수 있다. 이미징 오차들을 유도할 수도 있다.
예를 들어, 2-상 추출에 의해 생성된 진동들(이미징 오차로서 관찰될 수 있음)이 감소되거나 제거된 유체 핸들링 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치에서 2-상 유체를 추출하는 유체 추출 시스템이 제공된다. 상기 유체 추출 시스템은 2-상 유체 유동을 위한 추출 채널을 포함한다. 또한, 상기 유체 추출 시스템은 가스의 볼륨(volume)을 수용하는 버퍼 챔버 - 상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널에 유체 연결됨(fluidly connected) - 를 포함한다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 버퍼 챔버에 액체가 들어가는 것이 실질적으로 방지되도록 구성된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 침지 리소그래피 장치에 사용되는 침지 액체의 압력 변동을 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 유체 추출 시스템을 이용하여 침지 리소그래피 장치 내의 일 지점으로부터 2-상 유체를 추출하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 유체 추출 시스템의 버퍼 챔버를 이용하여 추출된 상기 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치에서 2-상 유체를 추출하는 유체 추출 시스템이 제공된다. 상기 유체 추출 시스템은 2-상 유체 유동을 위한 추출 채널을 포함한다. 또한, 상기 유체 추출 시스템은 상기 추출 채널에 유체 연결되고, 상기 추출 채널로부터 상기 2-상 유체 유동을 수용하도록 구성된 분리 탱크(separation tank)를 포함한다. 상기 추출 채널의 벽 전체 또는 일부분 및/또는 상기 분리 탱크의 벽 전체 또는 일부분은 유연한 경계 부분을 포함하고, 상기 유연한 경계 부분은 상기 유연한 경계 부분에 걸친 압력 차동(pressure differential)의 변화에 반응하여 변형(deform)되어, 상기 유체 추출 시스템에서 상기 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키도록 구성된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 침지 리소그래피 장치에서 사용되는 침지 액체의 압력 변동을 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 유체 추출 시스템을 이용하여 상기 침지 리소그래피 장치 내의 일 지점으로부터 2-상 유체를 추출하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 유체 추출 시스템의 유연한 경계 부분을 이용함으로써 상기 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키는 단계 - 상기 유연한 경계 부분은 상기 유연한 경계 부분에 걸친 압력 차동의 변화에 반응하여 형상을 변화시키도록 구성됨 - 를 포함한다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지한다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예 를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 구성들은 2 개의 일반적인 카테고리들로 분류될 수 있다. 이들은 배스 타입[또는 침수(submersed)] 구성과, 소위 국부화된 침지 시스템이다. 침수 구성에서는, 기판의 전체 및 기판 테이블의 선택적인 부분이, 예컨대 배스 내의 또는 액체 막 아래의 액체에 침수된다. 국부화된 침지 시스템은 기판의 국부화된 영역에만 액체를 제공하는 액체 공급 시스템을 이용한다. 후자의 카테고리에서, 액체에 의해 채워진 공간은 평면에서 기판의 최상부 표면보다 작다. 상기 기판을 덮는 상기 공간 내의 액체의 볼륨은, 기판(W)이 상기 공간 밑으로 이동하는 동안에 투영 시스템(PS)에 대해 정지한 상태로 유지된다.
본 발명의 일 실시예가 관련될 수 있는 또 다른 구성은, 액체가 한정되지 않은 완전 습윤 해결책이다. 이 구성에서는, 기판의 실질적인 전체 최상부 표면, 및 기판 테이블의 전체 또는 일부분이 침지 액체로 덮인다. 기판을 전체적으로 또는 부분적으로 덮는 액체의 깊이는 얕다. 상기 액체는 기판 상의 액체의 막, 예컨대 박막일 수 있다. 도 2 내지 도 5의 액체 공급 디바이스들 중 어느 하나가 이러한 시스템에서 사용될 수 있다. 하지만, 시일링 특성들이 액체 공급 디바이스에 존재하지 않거나, 활성화되지 않거나, 정상만큼 효율적이지 않거나, 아니면 국부화된 영역에 대해서만 액체를 시일링하는데에는 비효율적이다. 4 개의 상이한 타입의 국부화된 액체 공급 시스템들이 도 2 내지 도 5에 도시된다. 도 2 내지 도 4에 개시된 액체 공급 시스템들은 상기에 설명되었다.
도 5는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이 의 공간(11) 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 방벽 부재 또는 유체 한정 구조체(12)를 갖는 국부화된 액체 공급 시스템 또는 유체 핸들링 구조체를 개략적으로 도시한다(다음에서, 기판(W)의 표면에 관한 언급은, 다른 곳에 특별히 언급되지 않는다면, 추가적으로 또는 대안적으로 기판 테이블의 표면을 지칭한다는 것을 유의한다). 유체 한정 구조체(12)는 Z 방향(광축의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지해 있다. 일 실시예에서, 유체 한정 구조체(12)와 기판(W)의 표면 사이에 시일이 형성되며, 가스 시일 또는 유체 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다.
유체 한정 구조체(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 전체적으로 또는 부분적으로 액체를 수용한다. 기판(W)에 대한 무접촉 시일, 예컨대 가스 시일(16)은, 기판(W) 표면과 투영 시스템(PS)의 최종 요소 사이의 공간(11) 내에 액체가 한정되도록 투영 시스템(PS)의 이미지 필드 주위에 형성될 수 있다. 상기 공간은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에, 그리고 그것을 둘러싸서 위치된 유체 한정 구조체(12)에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 형성된다. 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템(PS) 아래의 그리고 유체 한정 구조체(12) 내의 공간(11)으로 액체가 유입된다. 상기 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 유체 한정 구조체(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨이 상기 최종 요소 위로 상승하여 액체의 버퍼가 제공된다. 일 실시예에서, 유체 한정 구조체(12)는 상단부에서 투영 시스템(PS) 또는 그 최종 요소의 형상에 꼭 일치하고(closely conform), 예를 들어 원형일 수 있는 내부 주변부(inner periphery)를 갖는다. 저부에서, 내부 주변부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형에 꼭 일치하지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다.
사용 시, 유체 한정 구조체(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에 형성된 가스 시일(16)에 의해 액체가 공간(11) 내에 수용된다. 일 실시예에서, 가스 시일(16)은 가스, 예를 들어 공기 또는 합성 공기(synthetic air)에 의해 형성되지만, 일 실시예에서는 N2 또는 또 다른 비활성 기체에 의해 형성된다. 가스 시일(16) 내의 가스는 압력 하에서 유입구(15)를 통해 유체 한정 구조체(12)와 기판(W) 사이의 갭에 제공된다. 상기 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 유출구(14) 상의 진공 레벨, 및 갭의 지오메트리(geometry)는 안쪽으로 액체를 한정시키는 고속의 가스 유동(16)이 존재하도록 배치된다. 유체 한정 구조체(12)와 기판(W) 사이의 액체 상의 가스의 힘은 공간(11) 내에 액체를 수용한다. 각각의 개구부(즉, 유입구/유출구)는 공간(11)을 둘러싸는 환형의 홈일 수 있다. 상기 환형의 홈은 연속적이거나 불연속적일 수 있다. 상기 가스 유동(16)은 공간(11) 내에 액체를 수용하는데 효과적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개공보 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.
본 발명의 일 실시예는 침지 장치에 사용되는 유체 핸들링 구조체에 적용될 수 있다. 도 5의 예시는, 어느 한 순간에 기판(W)의 최상부 표면의 국부화된 부분에만 액체가 제공되는, 소위 국부화된 영역 구성이다. 예를 들어, 미국 특허 출원 공개공보 US 2006-0038968호에 개시된 바와 같이 단-상(single phase) 추출기(2-상 모드에서 작동하거나 작동하지 않음)를 사용하는 유체 핸들링 시스템들 포함하는 다른 구성들이 가능하다. 이와 관련하여, 단-상 추출기는 2-상 모드에서 작동할 수 있다는 것을 유의한다. 일 실시예에서, 단-상 추출기는 단일 액상(single-liquid phase) 액체 추출을 가능하게 하도록 가스로부터 액체를 분리시키는데 사용되는 다공성 재료로 덮인 유입구를 포함할 수 있다. 상기 다공성 재료의 하류에 있는 챔버는 다소 언더 프레셔(under pressure)로 유지되며, 액체로 채워진다. 상기 챔버 내의 언더 프레셔는, 다공성 재료의 홀들에 형성되는 메니스커스(meniscus)들이 챔버 안으로 주변 가스가 흡입되는 것을 방지하도록 되어 있다. 하지만, 다공성 표면이 액체와 접촉하게 될 때에는, 유동을 제한하는 메니스커스가 존재하지 않으며, 액체가 챔버 안으로 자유롭게 유동할 수 있다. 다공성 재료는, 예를 들어 5 내지 50 ㎛ 범위의 직경을 갖는 다수의 작은 홀들을 갖는다. 일 실시예에서, 다공성 재료는 적어도 다소 액체-친화성(liquidphilic)(예를 들어, 친수성)이며, 부연하면 침지 액체, 예를 들어 물에 대해 90°미만의 접촉 각을 갖는다. 일 실시예에서, 액체 핸들링 시스템은 다공성 부재로 덮인 개구부, 예컨대 유출구를 가질 수 있다.
가능한 또 다른 구성은 가스 드래그 원리(gas drag principle)에 따라 작동하는 것이다. 소위 가스 드래그 원리는, 2008년 5월 8일에 출원된 미국 특허 출원 US 61/071,621호 및 미국 특허 출원 공개공보 US 2008-0212046호에 개시되었다. 상기 시스템에서, 추출 개구부들(예를 들어, 홀들)은 바람직하게는 코너를 갖는 형상으로 구성된다. 상기 코너는 스테핑(stepping) 및 스캐닝 방향들로 정렬될 수 있다. 이는, 2 개의 유출구들이 스캔 방향에 대해 수직으로 정렬된 경우와 비교하여, 기판 테이블(WT)[기판(W)을 포함함]과 유체 한정 구조체 사이의 주어진 상대 속도에 대하여, 스텝 또는 스캔 방향으로, 유체 핸들링 구조체의 표면 내의 2 개의 개구부들 사이의 메니스커스 상의 힘을 감소시킨다. 바람직하게는, 상대 속도는 속도 범위일 수 있다. 유체 핸들링 구조체의 개구부들은 다공성 재료로 만들어진 커버링(covering)을 갖거나 갖지 않는 추출 개구부들을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 2-상 유체 유동이 추출될 수 있는 여하한의 시스템에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예는 완전 습윤 침지 장치에 사용되는 유체 핸들링 구조체에 적용될 수 있다. 완전 습윤 실시예에서는, 예를 들어 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 한정하는 한정 구조체로부터 액체가 누출되게 함으로써, 유체가 실질적으로 기판 테이블의 최상부 전체를 덮게 한다. 완전 습윤 실시예에 대한 유체 핸들링 구조체의 일 예시는 2008년 9월 2일에 출원된 미국 특허 공개공보 US 61/136,380호에서 찾을 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 핸들링 시스템(100)의 개략적인 단면도이다. 상기 유체 핸들링 시스템(100)은 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 침지 공간(11)에 침지 액체를 적어도 부분적으로 한정한다. 상기 유체 핸들링 시스템(100)은 침지 공간(11)에 액체를 제공할 수 있다. 하지만, 간명함을 위해, 침지 액체가 침지 공간(11)에 들어가고 및/또는 나오게 하는 어떠한 개구부들(즉, 유입구들 및/또는 유출구들)도 도시되어 있지 않다. 상기 개구부들은 여하한의 적절한 - 예를 들어, 도 5를 참조하여 설명된 - 타입 및 구성으로 되어 있을 수 있다.
유체 핸들링 시스템은 액체, 예를 들어 침지 액체를 공급하고, 한정하며 및/또는 제어하는데 사용될 수 있다. 하지만, 몇몇 예시들에서는 유체 핸들링 시스템에, 예를 들어 시일링 요소에 가스가 사용될 수도 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 본 발명의 실시예들에서는 유체 핸들링 시스템이라는 용어가 사용될 것이다. 하지만, 몇몇 실시예들에서, 유체 핸들링 시스템이라는 용어는 액체 핸들링 시스템으로 대체될 수 있을 것이다. 이러한 액체 핸들링 시스템에는 가스가 공급되지 않는다. 하지만, 일 실시예에서, 액체 핸들링 시스템은 2-상 유체 유동으로 가스 및 액체를 추출하는 추출 개구부를 갖는다.
도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 유체 핸들링 시스템(100)은 침지 공간(11)에 침지 액체(도 5, 도 6, 도 8, 도 9 및 도 10에서 빗금 친 영역으로 도시됨)를 한정하도록 구성된 가스 시일(16)을 포함한다. 침지 액체와 가스 사이의 경계부에 메니스커스(17)를 가질 수 있다. 가스 시일(16)은 상기 도 5와 관련하여 설명된 가스 시일(16)과 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 같이, 이는 가스 유입구(15)로서 사용하기 위한 개구부(15)(오버프레서에서 존재할 수 있음), 및 가스 유출구(14)로서 사용하기 위한 개구부(14)(언더프레서에서 존재할 수 있음)를 가질 수 있다. 다음의 설명에서, 개구부(15)는 가스 유입구(15)[또는 유입구(15)]로서 언급될 것이며, 개구부(14)는 가스 유출구(14)[또는 유출구(14)]로서 칭해질 것이다. 여하한의 다른 적절한 가스 시일이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 가스 시일(16)로부터의 시일링 가스, 그리고 침지 공간(11)으로부터의 침지 액체의 혼합물이 가스 시일(16)의 유출구(14)를 통해 추출된다. 따라서, 액체와 가스의 2-상 유체 유동이 유출구(14)를 통해 추출된다.
유출구(14)를 통해 추출되었으면, 상기 2-상 유체는 유출구(14)에 연결된 추출 채널(40)을 통해 안으로 유동한다. 추출 채널(40)은 추출된 2-상 유체 유동이 유입될 수 있는 추출 챔버(30)를 포함한다. 상기 추출 챔버(30)는 한정 구조체(12) 내부에 위치될 수 있다. 상기 추출 챔버(30)는 추출 도관 또는 통로(35)를 포함할 수 있다. 상기 추출 채널(40)은 상기 한정 구조체(12) 내부에 전체적으로 또는 부분적으로 위치될 수 있다. 상기 추출 채널(40)은 유체 한정 구조체(12) 외부에 전체적으로 또는 부분적으로 위치될 수 있다.
추출된 2-상 유체 유동은 추출 채널(40)의 출구에 인가되는 언더프레셔로 인해 추출 채널(40)을 따라 유동한다. 추출 채널(40)의 출구에서, 2-상 유체는 정착 챔버(settling chamber: 50), 예컨대 분리 탱크 안으로 공급된다. 이와 같이, 정착 챔버(50)는 추출 채널(40)로부터 추출된 2-상 유체를 수용하도록 구성된다. 정착 챔버(50) 내부에서, 2-상 유체 혼합물이 분리된다. 따라서, 액체(58)는 정착 챔버(50)의 저부에 정착되며, (예를 들어, 액체 추출 펌프를 사용함으로써) 개구부, 예를 들어 출구(54)를 통해 추출될 수 있다. 그 후, 가스(56)는 상이한 출구(52)를 통해 정착 챔버(50)로부터 제거될 수 있다. 상기 상이한 출구(52)는, 예를 들어 정착 챔버(50) 최상부의 개구부일 수 있거나, 정착 챔버(50)에서 적어도 액체 출구(54)보다 높은 위치에 정의된 개구부일 수 있다. 가스 출구(52)에 펌프(도시되지 않음)가 부착될 수 있다. 이 펌프는 정착 챔버(50) 내에, 조절된(regulated) 언더프레셔(또는 조절된 진공)을 생성하는데 사용될 수 있다. 상기 펌프에 의해 생성된 이 언더프레셔는 추출 시스템 전반에 작용할 수 있다. 그러므로, 상기 펌프는 추출 채널(40)을 따라[선택적으로는, 추출 통로(35) 및 추출 챔버(30)에서를 포함함], 그리고 가스 시일 유출구(14)에서, 정착 챔버(50)에 언더프레셔를 생성할 수 있다. 정착 챔버(50)의 가스 출구(52)에 부착될 수 있는 펌프는 가스 시일 유출구(14)를 통해 유동을 추출하기 위해 언더프레셔를 생성하는데 사용된다.
가스 시일(16)의 가스 출구(14)에 대해 언더프레셔를 생성하는데 사용된 펌프는 여하한의 적절한 위치에, 예를 들어 추출 채널(40)을 따른 여하한의 지점에 위치될 수 있다. 예를 들어, 대안적으로 또는 추가적으로, 정착 챔버(50)를 반드시 가져야 할 필요는 없다. 상기 펌프는 정착 챔버(50)의 출구 이외의 위치에서 위치될 수 있다. 예를 들어, 상기 펌프는 가스 시일 유출구(14)에 인접하여, 또는 추출 챔버 내의 개구부에 위치될 수 있을 것이다. 이 문단에서 펌프의 위치에 관한 언급은 펌프에 대한 연결에 관한 언급을 포함한다는 것을 유의한다.
종래의 유체 추출 시스템에서, [예를 들어, 가스 시일(16)에 사용된 시일링 가스와, 침지 공간(11) 내의 침지 액체의] 2-상 유체 유동은 추출 채널(40)을 따라, 그리고 가스 시일 유출구(14)를 통해 추출된다. 상기 유동이 2-상이기 때문에, 유체 추출 시스템에 작용하는[즉, 가스 시일 유출구(14)에서의 작용을 포함함] 압력은 변동할 수 있다. 이는, 2-상 유체 유동이 안정하지 않기 때문일 수 있다. 몇몇 2-상 유체 유동 타입들은 안정할 수 있으며, 매끄러운 유동을 나타낼 수 있다. 이러한 2-상 유체 유동 방식들에서는, 유체 유동 내의 액체의 비율이 낮을 수 있거나, 2 개의 상들은 따로따로, 예를 들어 동축으로(co-axially) 유동한다. 이러한 매끄러운 유동 방식들에 의해 진동들이 유도되지 않게 된다. 하지만, 슬러그 유동(slug flow)과 같은 안정하지 않은 2-상 유체 유동 방식에서, 액체는 2-상 유체가 유동하는 도관을 때때로[오실레이팅(oscillating)에서와 같이, 반복적인 방식으로] 또는 계속 차단할 수도 있다. 이러한 거동(behavior)은 2-상 유체 유동의 압력 변동을 유도한다. 예를 들어, 유체 추출 시스템에서 가스 출구(52)에 부착된 펌프로 인해 작용하는 압력은, 현재 가스 시일 유출구(14)를 통해 추출되는 가스 대 액체의 비율, 및/또는 현재 추출 채널(40)에 존재하는 가스 대 액체의 비율을 변동시킬 것이다.
예를 들어, 2-상 유체 유동의 압력 변동은, [예를 들어, 가스 시일 유출구(14)를 통해] 가스 시일 유출구(14)와 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 사이의 침지 액체 및/또는 가스에 전달될 수 있다. 따라서, 이러한 압력 변동은 침지 공간(11) 내에 한정된 침지 액체를 통해, 및/또는 가스를 통해, 기판(W) 또는 기판 테이블(WT)로 힘이 전달되게 할 수 있다. 따라서, 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)의 원하지 않는 동작 및/또는 가속이 유도될 수 있다. 이러한 원하지 않는 이동은, 예를 들어 z 축[투영 시스템(PS)의 광축]에, 또는 (기판 표면의 평면에서) x 및/또는 y 축들에 존재할 수 있을 것이다. 이 동작은 한정 구조체(12)와 기판 테이블(WT) 사이의 유체에 의해 기판 테이블(WT)로 전달될 수 있다. 투영 시스템(PS)에 대한, 기판(W), 기판 테이블(WT), 또는 둘 모두의 원하지 않는 동작 및/또는 가속은 노광 시 부정확성을 초래할 수 있다.
이전 문단은 중간 유체(intermediate fluid)를 통한 2-상 유체 유동으로부터의 직접적인 힘의 인가를 언급한다. 하지만, 압력 변동들은 또 다른 경로에 의해, 한정 구조체(12)와 기판 테이블(WT) 사이의 상호작용에 의해 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)에 전달될 수 있다. 이 상호작용은 한정 구조체(12) 및 기판 테이블(WT)의 상대적인 강성(stiffness) 및 댐핑 특성들에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 압력 변동은 한정 구조체(12), 또는 그 구성요소들 중 1 이상의 동작을 유도할 수 있다. 이러한 동작은 기판 테이블(WT)에 대해 존재할 수 있다. 상기 동작을 유도하는 힘들, 또는 상기 힘들 중 적어도 일부는 한정 구조체(12)와 기판 테이블(WT) 사이의 유체에 의해 기판 테이블(WT)로 전달될 수 있으며(즉, 액체로서의 침지 액체는 비압축성임), 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)의 원하지 않는 동작 및/또는 가속을 유도할 수 있다.
가스 시일 유출구(14)로부터 추출된 2-상 유체 유동의 압력 변동을 감소시키기 위하여, 도 6에 도시된 바와 같이 버퍼 챔버(20)가 제공된다. 상기 버퍼 챔버(20)는 버퍼 볼륨(buffer volume)을 정의한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 버퍼 챔버(20)는 연결 파이프(25) 또는 도관을 통해 추출 챔버(30)에 부착된다. 이에 따라, 버퍼 볼륨은 추출된 2-상 유체(즉, 2-상 추출 시스템)와 유체 연통한다. 일 실시예에서, 버퍼 챔버(20)는 적절한 연결 도관을 통해 유체 추출 시스템의 또 다른 부분에 유체적으로 연결(fluidly attach)될 수 있다. 예를 들어, 버퍼 챔버(20)는 추출 채널(40)의 또 다른 부분, 예컨대 추출 통로(35)에 부착될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 버퍼 챔버(20)는 상기 장치의 다른 구성요소들로부터 떨 어져 위치될 수 있다. 하지만, 버퍼 챔버(20)를 리소그래피 장치의 1 이상의 다른 부분들 안에 통합시킬 수도 있다. 예를 들어, 버퍼 챔버(20)를 한정 구조체(12) 안으로, 또는 투영 시스템(PS) 안으로 통합(또는 위치)시킬 수도 있다. 상기 버퍼 챔버(20)는 추출 챔버(30)의 일부분으로서 제공될 수 있다.
[확장 베셀(expansion vessel: 20)이라고도 언급될 수 있는] 버퍼 챔버(20)는 2-상 추출 시스템의 압력 변동을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 버퍼 챔버(20) 내에 수용되는 가스의 볼륨은 추출 시스템에 존재하는 변동을 흡수하는데 도움을 줄 수 있다. 상기 변동은 추출 시스템에서 생성될 수 있으며, 및/또는 추출 시스템을 통해 전달될 수 있다. 아니면, 버퍼 챔버(20) 내에 흡수된 이러한 변동은, 추출 채널(40), 추출 챔버(30), 추출 통로(35), 및/또는 가스 시일 유출구(14)에 존재할 수 있는 압력 변동을 포함할 수 있다. 이러한 압력 변동을 흡수하기 위해서는, 버퍼 챔버(20)가 충분히, 바람직하게는 실질적으로 완전히 큰 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 버퍼 챔버(20) 내의 가스의 볼륨은 유체 추출 시스템의 총 잔여 볼륨[즉, 정착 챔버(50)를 포함하지 않은 추출 채널(40)(추출 챔버(30)를 포함할 수 있음)의 전체]보다 2 배 내지 5 배 더 클 수 있다. 바람직하게는, 버퍼 챔버(20) 내의 가스 볼륨은 유체 추출 시스템의 총 잔여 볼륨보다 3 배 내지 4 배 더 클 수 있다. 버퍼 챔버(20)는 유체 추출 시스템의 총 잔여 볼륨보다 4 배 더 클 수 있다. 버퍼 챔버(20)의 형상은 중요하지 않을 수 있다. 따라서, 버퍼 챔버(20)의 형상은 여하한의 형상, 예를 들어, 정입방형(cube), 장입방형(cuboid), 편능형(rhomboid), 또는 구형일 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 버퍼 챔버(20)는 연결 파이프(25)를 통해 2-상 유체 유동에 연결되도록 구성된다. 하지만, 버퍼 챔버(20)는 2-상 유체 유동 내의 가스 및/또는 액체에 대한 주요 추출 유동과 분리되도록 구성된다. 즉, 버퍼 챔버(20)는 주요 추출 유동 경로의 일부분이 아니도록 구성된다. 이와 같이, 버퍼 챔버(20) 내의 가스 볼륨은 실질적으로 정적(static)이다 - 즉, 버퍼 챔버(20) 내의 유속은 실질적으로 영(zero)이다 - . 2-상 유체 유동 내의 유체(가스를 포함)의 적어도 70 %, 바람직하게는 90 %, 더 바람직하게는 실질적으로 전부는, 예를 들어 버퍼 챔버 하류의 추출 채널을 통과한다. 따라서, 가스가 실질적으로 추출 시스템으로부터 버퍼 챔버를 통해 추출되지 않는다.
일 실시예에서, 버퍼 챔버(20)는 건조 볼륨(dry volume)이다. 이와 같이, 버퍼 챔버(20)는 단-상, 즉 가스로 유체를 수용할 수 있다. 바람직하게는, 버퍼 챔버는 액체를 수용하지 않는다. 가스를 수용하지만 액체를 수용하지 않는 것은 버퍼 챔버(20)가 압력 변동을 더 효율적으로 흡수하는 것을 도울 수 있다. 추출 시스템은, (예를 들어, 2-상 유체 유동으로부터의) 액체가 실질적으로 버퍼 챔버(20)에 들어갈 수 없도록 구성될 수 있다. 액체가 실질적으로 버퍼 챔버(20)에 들어가지 않게 하도록 돕기 위하여, 퍼지 유동(purge flow: 24)이 인가될 수 있다. 이 퍼지 유동(24)은, 유체 추출 시스템과 버퍼 챔버(20)를 연결하는 연결 파이프(25)를 통해 액체가 버퍼 챔버(20)에 들어가는 것을 방지하도록 작용하는 가스의 유입(inflow)일 수 있다. 상기 퍼지 유동(24)은 선택적이며, 몇몇 실시예들에서는 요구되지 않을 수도 있다.
도 6에서, 버퍼 챔버(20)는 단단한 벽(rigid wall)들로 에워싸인 볼륨인 것으로 도시되어 있다. 하지만, 몇몇 실시예들은 이 구성의 변형들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서는 대기에 개방된 버퍼 챔버(20)의 벽들 중 적어도 1 이상에 개구부가 존재할 수 있다. 이 개구부는 비교적 작을 것이다. 예를 들어, 상기 개구부는 0.1 ㎟ 내지 10 ㎟ 사이일 수 있다. 바람직하게는, 상기 개구부는 0.5 ㎟ 내지 5 ㎟ 사이일 수 있다. 바람직하게는, 상기 개구부는 약 1 ㎟ 일 수 있다. 이러한 대기로의 개구부는 추가적으로 또는 대안적으로 추출 채널(40)의 경계부에, 예를 들어 추출 통로(35) 및/또는 추출 챔버(30)에 제공될 수 있다.
대안적으로 또는 추가적으로, 버퍼 챔버(20) 벽들의 적어도 1 이상은 유연할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같은 벽(22)은 유연한 재료(예를 들어, 적절한 중합체)로 구성될 수 있으며, 이는 상기 유연한 재료에 걸친 압력 변화의 결과로서 탄성적으로 변형될 수 있다. 상기 벽은 탄력적일 수 있는 유연한 구성요소를 포함할 수 있다. 도 6에서, 이 유연한 벽(또는 유연한 경계 부분)은 점선(22A)으로 도시되어 있다. 또한, 상기 유연한 벽은 유체 추출 시스템의 압력 변동을 감소시키는데 도움을 줄 수 있다.
도 7은 변형된 버퍼 챔버(20)의 단면도이다. 이 버퍼 챔버(20)는 버퍼 챔버(20)의 벽(22)에 부착된 플랩(flap: 60)을 포함한다. 상기 플랩(60)은 밸브로서 작동할 수 있으며, 플레이트 또는 시트의 형태로 되어 있을 수 있다. 폐쇄될 때, 플랩(60)은 버퍼 챔버(20)를 밀폐시켜 에워싸인 볼륨을 형성한다. 개방될 때, 플 랩(60)은 버퍼 챔버(20)와 외부환경을 유체 연결시키는 경로를 허용한다. 버퍼 챔버(20) 내의 압력이 (예를 들어, 유체 추출 시스템의 압력 변동으로 인해) 소정 레벨 이하로 감소할 때, 플랩(60)이 개방될 수 있다. 이 밸브의 개구부, 즉 플랩(60)은 더 고압의 가스(예를 들어, 외부 공기)가 버퍼 챔버(20)에 들어가게 할 수 있다. 이는 버퍼 챔버(20) 내의 압력을 증가시키는데 도움을 줄 수 있으며, 따라서 유체 추출 시스템의 압력 변동(32)을 더 감소시킬 수 있다.
플랩(60)을 폐쇄된 위치로 바이어싱(biasing)하기 위해, 바이어싱 부재(62)가 제공된다. 예를 들어, 바이어싱 부재(62)는 탄력적일 수 있으며, 스프링일 수 있다. 바이어싱 부재(62)를 압도(overcome)하는 플랩(60) 양쪽의 압력 차이는 조정 부재(64)에 의해 조정될 수 있다. 예를 들어, 조정 부재(64)는 스크루일 수 있다. 상기 스크루는 바이어싱 부재(62)의 압축[또는 바이어싱 부재(62)에 의해 제공된 압축력]을 조정하도록 구성될 수 있다.
도 7에는 플랩(60)이 버퍼 챔버(20)에 적용된 것으로 도시되어 있지만, 이러한 플랩(60)은 어느 적절한 위치에서 유체 추출 시스템 안으로 통합될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 플랩(60)은 유체 추출 채널(40)[예를 들어, 추출 챔버(30) 및/또는 추출 통로(35)] 상에 제공될 수 있다.
도 8은 버퍼 챔버(20)가 버퍼 채널(또는 파이프)(21)을 포함하는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 상기 버퍼 채널(21)은 추출 채널(40)에 대해 실질적으로 평행하게[특히, 추출 통로(35)에 대해 실질적으로 평행하게] 되어 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 버퍼 채널(21)은 적어도 1 이상의 상호연결부(interconnection: 23)를 통해 추출 채널(40)에 연결될 수 있다. 도 8에는 버퍼 파이프(21)가 한정 구조체(12) 내부에 부분적으로, 그리고 한정 구조체(12) 외부에 부분적으로 존재하는 것으로 도시되어 있다. 일 실시예에서, 버퍼 채널(21)은 유체 한정 구조체(12) 내에 전체적으로 위치될 수도 있다. 버퍼 채널(21)은 유체 한정 구조체(12)의 외부에 전체적으로 배치될 수도 있다.
버퍼 채널(21)의 목적은 도 6의 실시예의 버퍼 챔버(20)의 목적과 실질적으로 동일하다. 버퍼 채널(21)은 유체 추출 시스템의 압력 변동을 감소시키도록 작용한다. 버퍼 채널(21)은 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)이 겪게 되는 외란(disturbance)들을 감소시키는데 도움을 준다. 버퍼 채널(21)은 유체 핸들링 시스템(200)의 압력 변동을 감소시키도록 작용할 수 있는 탄성적인 가스 볼륨을 제공한다.
도 6에 도시된 일 실시예의 버퍼 챔버(20)에 대한 여하한의 구성들 및/또 변형들이 도 8에 도시된 유체 핸들링 시스템(200)의 실시예의 버퍼 채널(21)에 적용될 수 있다. 다음의 특징부들(비-제한적인 리스트로 제공됨) - 퍼지 유동(24), 유연한 벽, 플랩(60), 및/또는 대기로의 개구부 - 중 어느 하나 또는 1 이상이 버퍼 채널(21)에 적용될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 핸들링 시스템(300)을 도시한다. 도 9에는, 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같은 가스 시일(16)의 출구(또는 개구부)(14)를 통한 2-상 유체의 추출이 도시된다. 도 9에서, 2-상 유체 유동은 추출 채널(40)[추출 챔버(30) 및/또는 추출 통로(35)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있 음]을 따라, 그리고 분리 챔버(50) 안으로 유동한다. 다른 실시예들과 관련하여 앞서 설명된 바와 같이, 2-상 유체는 정착 챔버(50) 내에서 2 개의 구성 상들, 즉 기상(56)과 액상(58)으로 분리된다. 액상(58)은 개구부(즉, 유체 유출구)(54)를 통해 유체 정착 챔버(50)로부터 추출될 수 있다. 분리된 가스는 상이한 개구부(즉, 가스 출구)(52)를 통해 유체 정착 챔버(50)로부터 추출될 수 있다.
도 9에 도시된 실시예에서, 정착 챔버(50)의 경계부의 전체 또는 일부분은 유연하다. 예를 들어, 정착 챔버(50)의 적어도 1 이상의 벽, 또는 적어도 1 이상의 벽의 전체 또는 일부분은, 유연한 경계 부분(70)을 형성하도록 유연한 재료로 만들어질 수 있다. 상기 유연한 경계 부분은 탄력적일 수 있다. 바람직하게, 상기 유연한 경계 부분(70)은 탄성적으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 유연한 경계 부분(70)은 상기 부분에 걸쳐 인가된 압력 차동의 변화로 인해 탄성적으로 변형될 수 있다. 상기 유연한 경계 부분(70)은, 예를 들어 유연한 멤브레인일 수 있다. 상기 경계 부분(70)은 적합한 재료, 예를 들어 적절한 중합재를 탄성적으로 변형시킬 수 있는 재료로 만들어질 수 있다.
작동 시, (앞서 설명된 이유들로 인해) 유체 추출 시스템의 압력이 변동함에 따라, 유연한 경계 부분(70)의 형상은 상기 부분에 걸친 압력 차이의 변화로 인해 변화될 수 있다. 이러한 방식으로, 분리 챔버(50)의 형상 및 크기는 정착 챔버(50) 내부의 압력에 반응하여 변화될 수 있다. 유체 추출 시스템[추출 채널(40)을 포함하고, 또한 가스 시일 유출구(14)]에서의 여하한의 압력 변동이 감소될 수 있으며, 바람직하게는 제거될 수 있다.
도 9에서, 유연한 경계 부분(70)은 정착 챔버(50)에 제공되는 것으로 도시되어 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 유연한 경계 부분(70)은, 예를 들어 유체 추출 시스템의 어느 구성요소의 일부분으로서, 유체 추출 시스템의 여하한의 다른 부분에 존재할 수 있다. 예를 들어, 유연한 경계 부분(70)은 추출 채널(40), 예를 들어 추출 통로(35) 및/또는 추출 챔버(30)의 전체 또는 일부분에 제공될 수 있다.
일 실시예에서는, 도 9에 도시된 바와 같이, 버퍼 채널(20) 또는 버퍼 채널(21)이 존재하지 않는다. 하지만, 일 실시예에서는 도 9에 도시된 장치에 존재하는 특징부들 이외에도, 버퍼 챔버(20) 및/또는 버퍼 채널(21)이 존재할 수도 있다.
이와 같이, 도 6, 도 7, 도 8 및/또는 도 9 중 어느 하나 또는 조합을 참조하여 도시되고 설명된 특징부들(그와 관련된 선택적인 특징부들을 포함)은 조합될 수 있다. 따라서, 도 9에 도시된 바와 같은 유연한 경계 부분(70)을 갖는 장치는 (도 6과 관련하여 앞서 설명된 바와 같은) 버퍼 챔버(20), 및/또는 (도 8과 관련하여 앞서 설명된 바와 같은) 버퍼 챔버(21)를 포함할 수 있다. 나아가, 상기에 언급된 바와 같이, 유연한 경계 부분은 추가적으로 또는 대안적으로 버퍼 챔버(20) 및/또는 버퍼 채널(21)에 제공될 수도 있다.
도 9에서, 분리 챔버(50)로부터 멀리 있는 유연한 경계 부분(70)의 측면은 대기 압력에 개방될 수 있다. 하지만, 도 10에 도시된 바와 같은 유체 핸들링 시스템(400)의 실시예에서, 정착 챔버(50)로부터 멀리 있는 유연한 경계 부분(70)의 측면은 제 2 챔버, 또는 압력 제어 챔버(80)의 경계부의 일부분을 형성할 수 있다.
압력 제어 챔버(80)는 분리 챔버(50)에 인접하여 제공된다. 상기 압력 제어 챔버(80)는 그 경계부의 전체 또는 일부분이 분리 챔버(50)의 경계부의 전체 또는 일부분을 형성하는 유연한 경계 부분(70)에 의해 형성된다. (앞서 설명된 바와 같이, 추출 채널(40), 그리고 가스 시일 유출구(14)에서의 압력과 관련된) 분리 챔버(50)의 압력에, 유연한 경계 부분(70)의 측면이 노출된다. 유연한 경계 부분의 다른 측면은 압력 제어 챔버(80)의 압력에 노출된다.
압력 제어 챔버(80)의 압력은 대기 압력과 상이하도록, 예를 들어 대기 압력보다 더 낮도록 조절될 수 있다. 이는 다음의 방식으로 달성될 수 있다. 압력 제어 챔버는 가스 유입용 개구부(84) 및 가스 유출용 개구부(82)를 가질 수 있다. 압력 제어 챔버(80)의 압력은, 예를 들어 압력 제어 챔버(80)의 출구(82)에서 추출 펌프를 이용함으로써 대기 압력 아래로 감소될 수 있다. 압력 제어 챔버(80) 내부의 압력을 낮추면, 도 9에 도시된 바와 같이 압력 제어 챔버(80)가 없는 구성에 비해, 즉 유연한 경계 부분(70)의 외부 면이 대기 압력에 노출되는 구성에 비해, 유연한 경계 부분(70)에 걸친 압력 차동이 감소된다. 압력 제어 챔버(80) 내부의 압력은 분리 챔버(50) 내부의 압력과 거의 동일하도록 설정될 수 있다. 유연한 경계 부분(70)에 걸친 압력 차동을 감소시키는 것은, 정착 챔버(50) 내부의 압력 변화에 대한(즉, 추출된 2-상 유체의 압력 변화에 대한) 유연한 경계 부분(70)의 반응을 개선시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 예를 들어, 압력 제어 챔버(80)를 제공한다는 것은, 유연한 경계 부분(70)이 정착 챔버(50)의 더 작은 압력 변화에 반응하고 및/또는 정착 챔버(50)의 주어진 압력 변화에 더 빠르게 반응한다는 것을 의미할 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 유연한 경계 부분(70)은 유체 추출 시스템의 여하한의 적절한 부분에, 예를 들어 추출 채널(40) 상에 및/또는 버퍼 챔버(20) 및/또는 버퍼 채널(21) 상에 제공될 수 있다. 도 10과 관련하여 상기 설명된 바와 같은 압력 제어 챔버(80)는 유연한 경계 부분(70)을 갖는 추출 시스템의 여하한의 부분에 제공될 수 있다. 이와 같이, 유체 추출 시스템의 일부분에 노출되지 않은 유연한 경계 부분(70)의 측면 상의 압력은 압력 제어 챔버(80)(압력 제어 탱크라고도 칭해질 수 있음)를 이용하여 제어될 수 있으며, 유연한 경계 부분(70)은 어디든지 위치된다.
본 명세서에서, 본 발명의 실시예들은 가스 시일로부터의 2-상 추출에 관련하여 설명되었다. 하지만, 본 발명의 일 실시예는 기체와 액체의 2-상 유체 추출을 수반하는 여하한의 장치에도 적용될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예는 2-상 유체 추출이 수행되는 리소그래피 장치(예를 들어, 침지 리소그래피 장치)의 여하한의 부분에 적용될 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 2-상 추출 시스템에서의 압력 변동을 감소시키거나 제거하는데 도움을 줄 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예는 기판 테이블 상에 위치될 때 기판의 아랫면에 침지 액체가 접근하는 것을 방지하는 여하한의 가스 시일(웨이퍼 에지 시일 또는 WES이라고도 알려져 있음)에도 적용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명의 일 실시예는 기판과 기판 테이블 사이로부터 유체를 추출하는데 사용되는 2-상 추출 시스템(기포 추출 시스템, 또는 BES이라고도 알려짐)에도 적용될 수 있 다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명의 일 실시예는 유체 핸들링 구조체(12)와 투영 시스템(PS) 밑에 있는 테이블을 교환할 때, 기판 교체 시에 사용된 시스템으로부터 유체를 추출하는데 사용되는 2-상 추출 시스템에도 적용될 수 있다. 이러한 구성에서, 2-상 추출 시스템은 기판 테이블과 셔터 부재 사이의 갭으로부터 2-상 유체 유동 내의 액체를 추출할 것이다.
기판 교체에서, 노광된 기판은 기판 테이블(WT)로부터 제거되며, 노광을 위해 새로운 기판이 상기 기판 테이블에 배치된다. 기판 교체 동안에, 공간(11) 내의 침지 액체를 유지하기 위해 셔터 부재가 투영 시스템과 유체 한정 구조체(12) 밑에 배치된다. 셔터 부재는: 기판 테이블(WT) 내의 후퇴부에 존재하는, 기판 테이블(WT)과 공면이며(co-planar) 새로운 테이블로 전달될 수 있는 클로징 디스크(closing disc)와 같은 클로징 부재; 또 다른 기판 테이블(WT); 기판을 지지하지 않도록 구성된 측정 테이블; 또는 2 개의 테이블들 사이에서 브릿지(bridge)로서 작용하는 스왑 브릿지(swap bridge)일 수 있다. 예를 들어, 셔터 부재와 기판 테이블의 표면 사이에 갭이 존재할 수 있으며, 갭이 유체 한정 구조체 밑을 지나갈 때, 상기 갭 내부로 유체 한정 구조체로부터 액체가 방출될 수 있다.
이해되는 바와 같이, 앞서 설명된 특성들 중 어느 것도 여하한의 다른 특성들과 함께 사용될 수 있으며, 본 명세서에서 다루어지는 명시적으로 설명된 이러한 조합들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도 메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 약 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예 를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계 판독 가능한 명령어가 2 이상의 컴퓨터 프로그램들에서 구현될 수 있다. 2 이상의 컴퓨터 프로그램들은 1 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.
1 이상의 컴퓨터 프로그램들이 리소그래피 장치의 적어도 1 이상의 구성요소 내에 위치된 1 이상의 컴퓨터 프로세서들에 의해 판독될 때, 본 명세서에 설명된 제어기들은 각각 또는 조합하여 작동될 수 있다. 상기 제어기들은 각각 또는 조합하여 신호들을 수신하고, 처리하며, 보내는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 1 이상의 프로세서들은 상기 제어기들 중 적어도 1 이상과 통신하도록 구성된다. 예를 들어, 각각의 제어기는 상기 설명된 방법들을 위해 기계-판독가능한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 1 이상의 프로세서들을 포함할 수 있다. 제어기들은 이러한 컴퓨터 프로그램들을 저장하는 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하는 하드웨어를 포함할 수 있다. 그러므로, 제어기(들)는 1 이상의 컴퓨터 프로그램들의 기계-판독가능한 명령어들에 따라 작동할 수 있다.
본 발명의 1 이상의 실시예들은 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 배타적인 것은 아니지만, 앞서 언급된 타입들에 적용될 수 있으며, 침지 액체가 배스의 형태로 기판의 국부화된 표면 영역 상에만 제공되는지 또는 한정되지 않는지에 따라 적용될 수 있다. 한정되지 않는 구성에서는, 실질적으로 기판 및/또는 기판 테이블의 덮이지 않은 전체 표면이 습식 상태가 되도록, 침지 액체는 기판 및 기판 테이블의 표면상에서 유동할 수 있다. 이러한 한정되지 않은 침지 시스템에서, 액 체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있으며, 또는 침지 액체의 일부분을 한정하지만, 실질적으로 침지 액체를 완전하게 한정하지 않을 수도 있다.
본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 이는 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메커니즘 또는 조합일 수 있다. 이는 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 개구부를 포함하는 1 이상의 유체 개구부, 1 이상의 가스 개구부, 또는 2-상 유체 유동에 대한 1 이상의 개구부의 조합을 포함할 수 있다. 상기 개구부들은 각각 침지 공간 안으로의 유입구(또는 유체 핸들링 구조체로부터의 유출구)일 수 있거나, 침지 공간으로부터의 유출구(또는 유체 핸들링 구조체 안으로의 유입구)일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있고, 또는 상기 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있으며, 또는 상기 공간은 기판 및/또는 기판 테이블을 에워쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은, 선택적으로 위치, 양, 질, 형상, 유속 또는 액체의 여타의 특징들을 제어하는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치에서 2-상 유체를 추출하는 유체 추출 시스템이 제공된다. 상기 유체 추출 시스템은 추출 채널 및 버퍼 채널을 포함한다. 상기 추출 채널은 2-상 유체 유동을 위해 존재한다. 상기 버퍼 채널은 가스 볼륨을 수용한다. 상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널에 유체 연결된다. 상기 유체 추출 시스템은 액체가 상기 버퍼 챔버에 들어가는 것이 실질적으로 방지된다.
유체 추출 시스템은, 가스가 유체 추출 시스템으로부터 버퍼 챔버를 통해 실 질적으로 추출되지 않도록 구성될 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 추출 시스템으로부터 추출된 공기의 적어도 70 % 이상, 바람직하게는 90 %, 더 바람직하게는 전부가 버퍼 챔버 하류의 추출 채널을 통과하도록 구성될 수 있다. 상기 추출 채널은 2-상 유체 유동을 위한 경로를 정의할 수 있다.
상기 추출 채널은 경로가 지나가는 추출 챔버를 포함할 수 있다. 상기 추출 챔버는 상기 유체 추출 시스템의 방벽 부재 내에 위치될 수 있다. 상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널로부터 분리된 연결 도관을 통해 추출 챔버에 유체 연결될 수 있다. 상기 추출 채널은 추출 통로를 포함할 수 있다. 상기 추출 통로는 상기 추출 챔버의 하류에 존재할 수 있다. 상기 추출 통로는 2-상 유체가 그를 따라 유동하도록 구성될 수 있다. 상기 추출 채널은 추출 챔버의 하류에 있는 추출 통로를 포함할 수 있으며, 상기 통로를 따라, 사용시 2-상 유체가 유동한다. 상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널로부터 분리된 연결 도관을 통해 추출 통로에 유체 연결될 수 있다. 상기 버퍼 챔버는 상기 추출 통로의 길이를 따라 복수의 지점들에서 추출 통로에 유체 연결될 수 있다.
상기 버퍼 챔버 표면의 전체 또는 일부분은 유연한 멤브레인에 의해 형성될 수 있다. 상기 버퍼 챔버는 대기와 유체 연통하는 개구부를 가질 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 버퍼 챔버에 유체 연결된 퍼징 디바이스를 포함할 수 있다. 상기 퍼징 디바이스는 상기 버퍼 챔버 안으로 가스를 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 추출 채널에 유체 연결된 분리 탱크를 포함할 수 있다. 상기 분리 탱크는 상기 추출 채널로부터 2-상 유체 유동을 수용하도 록 구성될 수 있다. 상기 버퍼 챔버는, 2-상 유체가 상기 추출 시스템에 들어가는 상기 추출 채널의 개구부와, 상기 분리 탱크 사이의 일 지점에서 추출 채널에 유체 연결될 수 있다.
상기 버퍼 챔버의 볼륨은 상기 추출 채널의 볼륨에 적어도 4 배 이상일 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 추출 채널을 따라 2-상 유체 유동을 배출하기 위해 상기 2-상 유체 유동에 작용하는 압력을 감소시키도록 구성된 펌프를 포함할 수 있다. 상기 버퍼 챔버는 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키도록 구성될 수 있다.
상기 유체 추출 시스템은 대기와 상기 유체 추출 시스템 사이에 연결된 압력 조절기를 더 포함할 수 있으며, 상기 압력 조절기는 대기로부터의 가스가 통과하게 하여, 상기 유체 추출 시스템이 상기 대기와 유체 연통하게 되도록 구성될 수 있다. 상기 압력 조절기는 상기 대기와 상기 버퍼 챔버 사이에 연결될 수 있다. 상기 압력 조절기는 상기 대기와 상기 추출 채널 사이에 연결될 수 있다.
상기 압력 조절기는, 상기 압력 조절기 양쪽의 압력 차이가 소정 값 아래인 경우에 가스가 압력 조절기를 통과하는 것을 방지하도록 구성된 바이어싱 메커니즘을 포함한다.
일 실시예에서, 본 명세서에 설명된 유체 추출 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템이 존재한다.
일 실시예에서, 본 명세서에 설명된 바와 같은 유체 추출 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 침지 리소그래피 장치는 투영 시스템을 포함할 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 투영 시스템의 최종 요소와 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간으로부터 유체를 제거하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 지지체, 투영 시스템 및 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 지지체는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된다. 상기 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성된다. 상기 투영 시스템은 상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다. 본 명세서에 설명된 바와 같을 수 있는 유체 핸들링 시스템은 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 상기 기판 테이블 사이에, 또는 상기 기판과 상기 기판 테이블 둘 모두에 침지 액체를 제공하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 침지 리소그래피 장치에서 침지 액체의 압력 변동을 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 추출 단계 및 감소 단계를 포함한다. 상기 추출 단계에서는, 유체 추출 시스템을 이용하여 상기 침지 리소그래피 장치 내의 일 지점으로부터 2-상 유체가 추출된다. 상기 감소 단계에서는, 상기 유체 추출 시스템의 버퍼 챔버를 이용함으로써, 추출된 2-상 유체의 압력 변동이 감소된다.
상기 침지 리소그래피 장치는 투영 시스템을 포함할 수 있다. 상기 2-상 유체가 추출되는 지점은 상기 투영 시스템의 최종 요소와 기판 또는 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이의 공간일 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 가스와 침지 액체의 혼합물을 추출할 수 있다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치에서 2-상 유체를 추출하는 유체 추출 시스 템이 제공된다. 상기 유체 추출 시스템은 추출 채널 및 분리 탱크를 포함한다. 상기 추출 채널은 2-상 유체 유동을 위한 것이다. 상기 분리 탱크는 상기 추출 채널에 유체 연결된다. 상기 유체 분리 탱크는 상기 추출 채널로부터 2-상 유체 유동을 수용하도록 구성된다. 상기 추출 채널의 벽 전체 또는 일부분, 및/또는 상기 분리 탱크의 벽 전체 또는 일부분은 유연한 경계 부분을 포함하며, 상기 유연한 경계 부분은 상기 부분에 걸친 압력 차동의 변화에 반응하여 변형되어, 상기 유체 추출 시스템의 2-상 유동의 압력 변동을 감소시키도록 구성될 수 있다.
상기 유연한 경계 부분은 상기 분리 탱크의 경계부의 일부분일 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 상기 분리 탱크 내부의 압력을 감소시켜 2-상 유체를 상기 추출 채널 안으로 추출하도록 상기 분리 탱크에 연결된 펌프를 포함할 수 있다.
상기 유체 추출 시스템은 압력 제어 챔버를 포함할 수 있다. 상기 압력 제어 챔버는 그 경계부의 일부분으로서 유연한 경계 부분을 가질 수 있다. 상기 압력 제어 챔버는 상기 유연한 경계 부분에 걸쳐 제어된 압력 차동을 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 압력 제어 챔버는 상기 유연한 경계 부분에 걸쳐 실질적으로 영의(zero) 압력 차이를 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 유연한 경계 부분은 상기 분리 탱크의 일부분을 형성할 수 있다. 상기 압력 제어 챔버는 상기 분리 탱크에 부착될 수 있다. 상기 분리 탱크는 2-상 유체 유동을 액상 및 기상으로 분리시키도록 구성될 수 있다. 상기 분리 탱크는 상이한 유출구들을 통해 상기 액상 및 기상을 배출하도록 구성될 수 있다. 상기 리소그래피 장치는 투영 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치일 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간으로부터 유체를 제거하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같은 유체 추출 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템이 존재한다.
일 실시예에서, 지지체, 기판 테이블, 투영 시스템 및 유체 핸들링 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 존재한다. 상기 지지체는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된다. 상기 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성된다. 상기 투영 시스템은 상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다. 본 명세서에 설명된 바와 같은 유체 핸들링 시스템은 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 상기 기판 테이블 사이에, 또는 상기 기판과 상기 기판 테이블 둘 모두에 침지 액체를 제공하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 침지 리소그래피 장치에서 사용되는 침지 액체의 압력 변동을 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은: 추출 단계 및 감소 단계를 포함한다. 상기 추출 단계에서는, 유체 추출 시스템을 이용하여 상기 침지 리소그래피 장치 내의 일 지점으로부터 2-상 유체가 추출된다. 상기 감소 단계에서는, 상기 유체 추출 시스템의 유연한 경계 부분을 이용함으로써, 2-상 유체의 압력 변동이 감소된다. 상기 유연한 경계 부분은 상기 유연한 경계 부분에 걸친 압력 차동의 변화에 반응하여 형상을 변화시키도록 구성된다.
상기 침지 리소그래피 장치는 투영 시스템을 포함할 수 있다. 상기 2-상 유 체가 추출되는 지점은 상기 투영 시스템의 최종 요소와 기판 또는 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이의 공간일 수 있다. 상기 유체 추출 시스템은 가스와 침지 액체의 혼합물을 추출할 수 있다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
- 도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
- 도 4는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
- 도 5는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
- 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템을 포함하는 유체 핸들링 시스템의 개략도;
- 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템을 포함하는 유체 핸들링 시스템과 함께 사용하기 위한 버퍼 챔버의 개략도;
- 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템을 포함하는 유체 핸들링 시스템의 개략도;
- 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템을 포함하는 유체 핸들링 시스템의 개략도; 및
- 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템을 포함하는 유체 핸들링 시스템의 개략도이다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치에서 2-상(two-phase) 유체를 추출하는 유체 추출 시스템에 있어서,
    2-상 유체 유동을 위한 추출 채널; 및
    가스의 볼륨(volume)을 수용하는 버퍼 챔버 - 상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널에 유체 연결(fluidly connected)되고 상기 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키도록 구성됨 - 를 포함하고,
    상기 유체 추출 시스템은 상기 버퍼 챔버에 액체가 들어가는 것이 실질적으로 방지하도록 구성되고 배치되는 유체 추출 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 추출 시스템으로부터 추출된 가스의 적어도 70 % 이상은 상기 버퍼 챔버 하류의 상기 추출 채널을 통과하는 유체 추출 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 추출 채널은 상기 2-상 유체의 유동을 위한 경로를 정의하는 유체 추출 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 추출 채널은 상기 경로가 지나가는 추출 챔버를 포함하고, 상기 추출 챔버는 상기 유체 추출 시스템의 방벽 부재에 위치되며;
    상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널로부터 분리된(separated) 연결 도관을 통해 상기 추출 챔버에 유체 연결되는 유체 추출 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 추출 채널은, 상기 추출 챔버 하류의 추출 통로를 포함하고, 상기 추출 통로를 따라 사용 시 상기 2-상 유체가 유동하며;
    상기 버퍼 챔버는 상기 추출 채널로부터 분리된 연결 도관을 통해 상기 추출 통로에 유체 연결되는 유체 추출 시스템.
  7. 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버의 표면 전체 또는 일부분은 유연한 멤브레인에 의해 형성되는 유체 추출 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 대기와 유체 연통하는 개구부들을 갖는 유체 추출 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버에 유체 연결되고, 상기 버퍼 챔버 안으로 가스를 제공하도록 구성된 퍼징 디바이스(purging device)를 더 포함하는 유체 추출 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 추출 채널에 유체 연결되고, 상기 추출 채널로부터 2-상 유체 유동을 수용하도록 구성된 분리 탱크를 더 포함하며,
    상기 버퍼 챔버는 상기 2-상 유체가 상기 추출 시스템에 들어가는 상기 추출 채널의 개구부와, 상기 분리 탱크 사이의 일 지점에서 상기 추출 채널에 유체 연결되는 유체 추출 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 2-상 유체 유동에 작용하는 압력을 감소시켜, 상기 추출 채널을 따라 상기 2-상 유체 유동을 배출하도록 구성된 펌프를 더 포함하는 유체 추출 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    대기와 상기 유체 추출 시스템 사이에 연결된 압력 조절기를 더 포함하고, 상기 압력 조절기는 대기로부터의 가스가 통과하여 상기 유체 추출 시스템이 대기와 유체 연통하게 되도록 구성되는 유체 추출 시스템.
  13. 제 1 항에 따른 상기 유체 추출 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치.
  14. 침지 리소그래피 장치에서 침지 액체의 압력 변동을 감소시키는 방법에 있어서,
    유체 추출 시스템을 이용하여 침지 리소그래피 장치 내의 일 지점으로부터 2-상 유체를 추출하는 단계;
    상기 유체 추출 시스템의 버퍼 챔버를 이용하여 추출된 상기 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키는 단계를 포함하는 압력 변동 감소 방법.
  15. 리소그래피 장치에서 2-상 유체를 추출하는 유체 추출 시스템에 있어서,
    2-상 유체 유동을 위한 추출 채널; 및
    상기 추출 채널에 유체 연결되고, 상기 추출 채널로부터 상기 2-상 유체 유동을 수용하도록 구성된 분리 탱크를 포함하며,
    상기 추출 채널의 벽의 적어도 일부분, 및 상기 분리 탱크의 벽의 적어도 일부분 중 1 이상은 유연한 경계 부분을 포함하고, 상기 유연한 경계 부분은 상기 유연한 경계 부분에 걸친 압력 차동의 변화에 반응하여 변형되어, 상기 유체 추출 시스템에서 상기 2-상 유체의 압력 변동을 감소시키도록 구성되는 유체 추출 시스템.
KR1020090122756A 2008-12-11 2009-12-10 유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 KR101135673B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19363908P 2008-12-11 2008-12-11
US61/193,639 2008-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100067633A KR20100067633A (ko) 2010-06-21
KR101135673B1 true KR101135673B1 (ko) 2012-04-20

Family

ID=42240123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090122756A KR101135673B1 (ko) 2008-12-11 2009-12-10 유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8654309B2 (ko)
JP (2) JP5001343B2 (ko)
KR (1) KR101135673B1 (ko)
CN (2) CN103365117B (ko)
NL (1) NL2003933A (ko)
TW (1) TWI410755B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120013863A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
CN104035290B (zh) * 2014-06-24 2015-11-25 浙江大学 一种用于浸没式光刻机的气密封和两级多孔气液回收装置
EP3455677A1 (en) 2016-05-12 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Extraction body for lithographic apparatus
CN110088686B (zh) * 2016-12-14 2021-11-16 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
NL2024077A (en) * 2018-10-25 2020-05-13 Asml Netherlands Bv Target material supply apparatus and method
CN111381448B (zh) * 2018-12-28 2021-05-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 浸没光刻设备的液体控制系统及方法
CN112305867B (zh) * 2019-07-31 2022-03-08 上海微电子装备（集团）股份有限公司 浸液回收防扰动装置、浸没头气液循环系统及光刻设备
CN113138541B (zh) * 2020-01-17 2022-02-01 浙江启尔机电技术有限公司 一种具有新型抽排腔的浸液供给回收装置
CN112286012A (zh) * 2020-10-29 2021-01-29 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸液回收系统及采用该系统的浸液回收方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050062665A (ko) * 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20060052882A (ko) * 2003-07-28 2006-05-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법
KR20070077165A (ko) * 2004-08-19 2007-07-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3931834A (en) * 1974-06-26 1976-01-13 The Goodyear Tire & Rubber Company Expansion tank diaphragm assembly
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
FI73950C (fi) * 1985-02-15 1987-12-10 Hackman Ab Oy Foerfarande och anordning vid pumpning och volymmaetning av livsmedelsvaetskor.
JPH0776105A (ja) * 1993-06-18 1995-03-20 Fuji Xerox Co Ltd インクジェットヘッド
US6002987A (en) * 1996-03-26 1999-12-14 Nikon Corporation Methods to control the environment and exposure apparatus
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
DE10106605A1 (de) * 2001-02-13 2002-08-22 Zeiss Carl System zur Beseitigung oder wenigstens Dämpfung von Schwingungen
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI607292B (zh) * 2003-06-13 2017-12-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
WO2005006415A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101523180B1 (ko) * 2003-09-03 2015-05-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) * 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7379155B2 (en) * 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170582B2 (en) * 2004-12-13 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Support device and lightographic apparatus
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007242732A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
EP1843206B1 (en) * 2006-04-06 2012-09-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008140957A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Canon Inc 液浸露光装置
JP2008140959A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Canon Inc 液浸露光装置
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008230137A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Fujifilm Corp 液体吐出ヘッドの背圧調整装置
JP4961299B2 (ja) * 2007-08-08 2012-06-27 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
NL1036192A1 (nl) * 2007-12-06 2009-06-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus having acoustic resonator.
US7640133B2 (en) * 2008-04-25 2009-12-29 Schlumberger Technology Corporation Method, apparatus and system for characterizing two phase fluid flow in an injection well
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8220267B1 (en) * 2009-10-01 2012-07-17 Florida Turbine Technologies, Inc. Process to detect two-phase flow in a conduit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050062665A (ko) * 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20060052882A (ko) * 2003-07-28 2006-05-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법
KR20070077165A (ko) * 2004-08-19 2007-07-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010141325A (ja) 2010-06-24
US8654309B2 (en) 2014-02-18
CN103365117B (zh) 2015-09-23
KR20100067633A (ko) 2010-06-21
US20100149501A1 (en) 2010-06-17
US20140300879A1 (en) 2014-10-09
CN101762986B (zh) 2013-07-10
TWI410755B (zh) 2013-10-01
TW201111919A (en) 2011-04-01
NL2003933A (en) 2010-06-14
JP5001343B2 (ja) 2012-08-15
US9213246B2 (en) 2015-12-15
JP2012156556A (ja) 2012-08-16
CN103365117A (zh) 2013-10-23
CN101762986A (zh) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10599054B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101135673B1 (ko) 유체 추출 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US7656501B2 (en) Lithographic apparatus
US11215933B2 (en) Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
US20110157570A1 (en) Lithographic apparatus
US20100157277A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8885142B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101208465B1 (ko) 유체 공급 시스템, 리소그래피 장치, 유체 유속을 변동시키는 방법 및 디바이스 제조 방법
US20100157265A1 (en) Fluid handling structure, table, lithographic apparatus, immersion lithographic apparatus, and device manufacturing methods
US8508712B2 (en) Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160328

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170324

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180323

Year of fee payment: 7