JPWO2022059251A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2022059251A5
JPWO2022059251A5 JP2022550342A JP2022550342A JPWO2022059251A5 JP WO2022059251 A5 JPWO2022059251 A5 JP WO2022059251A5 JP 2022550342 A JP2022550342 A JP 2022550342A JP 2022550342 A JP2022550342 A JP 2022550342A JP WO2022059251 A5 JPWO2022059251 A5 JP WO2022059251A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
wire
transistor
diode
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022550342A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7619368B2 (ja
JPWO2022059251A1 (https=
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020157444A external-priority patent/JP6875588B1/ja
Application filed filed Critical
Publication of JPWO2022059251A1 publication Critical patent/JPWO2022059251A1/ja
Publication of JPWO2022059251A5 publication Critical patent/JPWO2022059251A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7619368B2 publication Critical patent/JP7619368B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022550342A 2020-09-18 2021-04-28 半導体装置 Active JP7619368B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020157444A JP6875588B1 (ja) 2020-09-18 2020-09-18 半導体装置
PCT/JP2021/017074 WO2022059251A1 (ja) 2020-09-18 2021-04-28 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022059251A1 JPWO2022059251A1 (https=) 2022-03-24
JPWO2022059251A5 true JPWO2022059251A5 (https=) 2023-12-11
JP7619368B2 JP7619368B2 (ja) 2025-01-22

Family

ID=75961560

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020157444A Active JP6875588B1 (ja) 2020-03-12 2020-09-18 半導体装置
JP2021071519A Active JP7543969B2 (ja) 2020-09-18 2021-04-21 半導体装置
JP2022550342A Active JP7619368B2 (ja) 2020-09-18 2021-04-28 半導体装置
JP2022550341A Active JP7679838B2 (ja) 2020-09-18 2021-04-28 半導体装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020157444A Active JP6875588B1 (ja) 2020-03-12 2020-09-18 半導体装置
JP2021071519A Active JP7543969B2 (ja) 2020-09-18 2021-04-21 半導体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022550341A Active JP7679838B2 (ja) 2020-09-18 2021-04-28 半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US20230335413A1 (https=)
JP (4) JP6875588B1 (https=)
CN (3) CN116097439A (https=)
WO (3) WO2022059251A1 (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6875588B1 (ja) * 2020-09-18 2021-05-26 住友電気工業株式会社 半導体装置
JP7840254B2 (ja) * 2022-12-02 2026-04-03 三菱電機株式会社 半導体装置
CN117316880A (zh) * 2023-05-31 2023-12-29 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种igbt模块及其制作工艺
CN117977992B (zh) * 2024-03-28 2025-04-01 广州小鹏汽车科技有限公司 开关电路、功率集成模块及车辆

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004095670A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Toshiba Corp 半導体装置
JP4560645B2 (ja) * 2005-09-20 2010-10-13 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 複数の半導体基板を搭載するための放熱板およびそれを用いた半導体基板接合体
JP4988784B2 (ja) * 2009-03-30 2012-08-01 株式会社日立製作所 パワー半導体装置
WO2011086896A1 (ja) * 2010-01-15 2011-07-21 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
EP3573096B1 (en) * 2011-06-27 2022-03-16 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
WO2013008424A1 (ja) * 2011-07-11 2013-01-17 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP5893369B2 (ja) * 2011-12-05 2016-03-23 ローム株式会社 半導体装置
CN104303297B (zh) * 2012-05-16 2017-05-17 松下知识产权经营株式会社 电力用半导体模块
US9530703B2 (en) * 2012-12-20 2016-12-27 Mitsubishi Electric Corporation Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
EP4579736A3 (en) * 2013-11-20 2025-12-31 Rohm Co., Ltd. SWITCHING DEVICE AND ELECTRONIC CIRCUIT
DE102014102018B3 (de) * 2014-02-18 2015-02-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen
WO2015136603A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール及びその製造検査方法
WO2017071976A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Abb Schweiz Ag Semiconductor module
US9443792B1 (en) * 2015-10-31 2016-09-13 Ixys Corporation Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor device module
US11094648B2 (en) * 2017-08-04 2021-08-17 Denka Company Limited Power module
CN108807336A (zh) * 2018-06-06 2018-11-13 臻驱科技（上海）有限公司 一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块
JP7116689B2 (ja) * 2019-01-30 2022-08-10 デンカ株式会社 放熱部材およびその製造方法
JP6875588B1 (ja) * 2020-09-18 2021-05-26 住友電気工業株式会社 半導体装置
JP7466483B2 (ja) * 2021-03-17 2024-04-12 三菱電機株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2022059251A5 (https=)
JP2025092722A5 (https=)
JP2023029617A5 (https=)
JP2022002321A5 (https=)
JP2019179924A5 (ja) トランジスタ
JPWO2020226044A5 (https=)
JP2023093410A5 (https=)
JP2020526938A5 (ja) Ｎａｎｄメモリデバイスおよびｎａｎｄメモリデバイスを形成するための方法
JP2022103223A5 (ja) 半導体装置
WO2015135270A1 (zh) 一种oled阵列基板及其制备方法、显示器
JP2014215485A5 (https=)
US9236438B2 (en) Semiconductor device
JP2018133570A5 (ja) 半導体装置
JP2019009308A5 (https=)
JP5684157B2 (ja) 半導体装置
TWI690083B (zh) 功率金氧半導體場效電晶體及其製作方法
JPWO2013008382A1 (ja) 窒化物半導体装置
JPWO2022239284A5 (https=)
JPWO2019145827A5 (https=)
JP2020043200A (ja) 半導体装置
JP2016119434A5 (https=)
JPWO2021039631A5 (https=)
TW201628220A (zh) 發光二極體模組及其製造方法
JP2010530619A5 (https=)
CN113410200B (zh) 一种芯片封装框架和芯片封装结构