JP4988784B2 - パワー半導体装置 - Google Patents

パワー半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4988784B2
JP4988784B2 JP2009080850A JP2009080850A JP4988784B2 JP 4988784 B2 JP4988784 B2 JP 4988784B2 JP 2009080850 A JP2009080850 A JP 2009080850A JP 2009080850 A JP2009080850 A JP 2009080850A JP 4988784 B2 JP4988784 B2 JP 4988784B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor element
sic
semiconductor device
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009080850A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010232576A (ja
Inventor
勝美 石川
和俊 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2009080850A priority Critical patent/JP4988784B2/ja
Priority to DE102010008485A priority patent/DE102010008485B4/de
Priority to US12/707,909 priority patent/US8441075B2/en
Publication of JP2010232576A publication Critical patent/JP2010232576A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4988784B2 publication Critical patent/JP4988784B2/ja
Priority to US13/845,627 priority patent/US8860170B2/en
Priority to US14/481,962 priority patent/US9171831B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48111—Disposition the wire connector extending above another semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13062—Junction field-effect transistor [JFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

本発明は、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子と、ワイドギャップ半導体を基体として用いる電力半導体素子を備えるパワー半導体装置に関する。
シリコン（Ｓｉ）よりもエネルギーバンドギャップが広い炭化ケイ素（ＳｉＣ）や、窒化ガリウム（ＧａＮ）などを用いたワイドギャップ半導体素子が注目を浴びてきている。これらの半導体材料は、Ｓｉより約１０倍の高い絶縁破壊電圧強度を持ち、耐圧を確保するためのドリフト層を１／１０程度まで薄くできるため、電力半導体素子の低オン電圧化が可能であり、また、高温まで動作可能である。
鉄道，産業，自動車，家電および電源分野のインバータに用いられるパワー半導体モジュールのようなパワー半導体装置は、ＩＧＢＴなどのスイッチング素子と還流用のダイオードが逆並列に接続される。このパワー半導体装置に、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子と、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子が搭載される場合、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子は、接合動作温度（Ｔｊ）が１７５℃以下に制限される。一方、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子は、接合動作温度（Ｔｊ）が２００℃以上でも動作可能である。そのため、特許文献１に記載されるように、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子の間に断熱材を挟んだパワー半導体装置が提案されている。
また、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子は欠陥の影響でリーク電流が大きくなり、特にＳｉＣまたはＧａＮのショットキーバリアダイオードはリーク電流が大きくなる。
特開２００４−４７８８３号公報
特許文献１に記載されたパワー半導体装置では、コレクタ電極上に、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子と、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子が共に搭載されている。この場合、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体の発生熱が、コレクタ電極を介して、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子の搭載部分に伝熱しやすい。
また、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子を搭載しているモジュールの正極側（コレクタ）の電圧端子や負極側（エミッタ）の電圧端子が共通化されており、正極側と負極側の端子間のリーク電流を測定すると、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子のリーク電流が、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子のリーク電流より大きくなり、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子のリーク電流特性を正確に測定することが難しい。
本発明は、上記の問題点を考慮してなされたものであり、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とワイドギャップ半導体を基体として用いる電力半導体素子が混在しても熱的及び電気的に高い信頼性を有するパワー半導体装置を提供する。
本発明によるパワー半導体装置は、Ｓｉを基体として用いる第一の電力半導体素子が搭載される第一の絶縁金属基板と、第一の絶縁金属基板が搭載される第一の放熱用金属ベースと、Ｓｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる第二の電力半導体素子が搭載される第二の絶縁金属基板と、第二の絶縁基板が搭載される第二の放熱用金属ベースとを備える。さらに、第一の電力半導体素子が接続される主端子が第一の絶縁金属板に接続され、第二の電力半導体素子が接続される主端子が第二の絶縁金属板に接続され、第一の絶縁金属板に接続される主端子と、第二の絶縁金属板に接続される主端子とが、内部導体によって互いに接続されずに、電気的に分離されている。
また、本発明によるパワー半導体装置は、Ｓｉを基体として用いる第一の電力半導体素子が接続される正負極主端子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる第二の電力半導体素子が接続される正負極主端子とが、電気的に分離されている。
ここで、好ましくは、第一の電力半導体素子はＩＧＢＴなどのスイッチング素子であり、第一の電力半導体素子はショットキーバリアダイオードなどのダイオードである。また、Ｓｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体としては、ＳｉＣ，ＧａＮ，ダイアモンドなどが適用できる。
Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる電力半導体素子を、それぞれ別の絶縁金属基板に搭載し、さらにこれら絶縁金属基板がそれぞれ別の放熱用金属ベースに搭載されるので、両電力半導体素子間における熱の伝わりが抑制される。また、両電力半導体素子が接続される正負極主端子を互いに電気的に分離するので、両電力半導体素子のリーク電流を正確に検査することができる。
本発明の第１の実施形態であるパワー半導体装置の実装配置。 第１の実施形態のパワー半導体装置の回路図。 従来のパワー半導体装置の実装配置例。 従来のパワー半導体装置の回路図。 従来のパワー半導体装置の漏れ電流の実測例。 第１の実施形態であるパワー半導体装置の漏れ電流の実測例。 本発明の第２の実施形態であるパワー半導体装置の実装配置。 従来のパワー半導体装置の実装配置例。 本発明の実施形態をインバータに適用した場合の電力損失。 ＳｉＣ−ＳＢＤ適用時の電圧・電流波形。 本発明の第３の実施形態であるパワー半導体装置の実装配置。
本発明の実施形態を、図面を使用して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態であるパワー半導体装置の実装配置を示す。本実施形態においては、Ｓｉを基体とするスイッチング素子であるＩＧＢＴ（以下Ｓｉ−ＩＧＢＴと記す）１１が絶縁金属基板３２上に半田などにより接着されて搭載され、ＳｉＣを基体とするダイオードであるショットキーバリアダイオード（以下ＳｉＣ−ＳＢＤと記す）１２が異なる絶縁金属基板３１上に半田などにより接着されて搭載されている。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１が搭載された絶縁金属基板３２は、放熱用金属ベース３９に半田接着され、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２が搭載された絶縁金属基板３１は、放熱用金属ベース３８に半田接着され、樹脂ケース４０により、モジュールとして一体化されている。ここで、絶縁金属基板３１が搭載された放熱用ベース３８と絶縁金属基板３２が搭載された放熱用金属ベース３９とは、モジュール内で略同一平面上に配置され、これらの間には樹脂ケース４０の一部が介在している。さらに、本実施形態のパワー半導体装置をインバータなどの電力変換装置に適用した場合、放熱用金属ベース３８，３９は、絶縁金属基板３１，３２の搭載面の裏面において放熱フィンの表面と接触する。また、コレクタ端子２２，エミッタ端子２１，エミッタ制御端子２３およびゲート制御端子２４が、絶縁金属基板３２に半田接着などにより接続されている。また、カソード端子２５およびアノード端子２６が、絶縁金属基板３１に半田接着などにより接続されている。
図３は、従来のパワー半導体装置の実装配置例を示す。従来のパワー半導体の実装方式では、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１とＳｉＣ−ＳＢＤ１２が同一の絶縁金属基板３１に搭載される。この場合、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１やＳｉＣ−ＳＢＤ１２の発熱により、絶縁金属基板３１を介して、お互いのチップに、熱が伝わりやすくなっている。このため、一般にＳｉＣ−ＳＢＤではＳｉ−ＩＧＢＴよりも高温動作が可能であるが、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２の動作温度がＳｉ−ＩＧＢＴ１１の動作温度によって制限される。これに対し、図１の実施形態では、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１が搭載された絶縁金属基板３２及び放熱用金属ベース３９と、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２が搭載された絶縁金属基板３１及び放熱用金属ベース３８を分けることによって、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２を、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１の動作温度の制限を受けずに高温まで動作することが可能になる。
図２は、図１のパワー半導体装置の回路図を示す。Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１に接続しているコレクタ端子２２およびエミッタ端子２１と、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２に接続しているカソード端子２５およびアノード端子２６を分けている。すなわち、外部配線が接続されていないパワー半導体装置においては、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１側の正負極主端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２側の正負極主端子が内部導体によって互いに接続されず、電気的に分離されている。
図４は、図３における従来のパワー半導体装置の回路図を示す、従来のパワー半導体装置では、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のコレクタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のカソード端子を、共にコレクタ端子２２に接続し、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のエミッタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のアノード端子を、共にエミッタ端子２１に接続している。ＳｉＣ−ＳＢＤ１２では、オフ状態での漏れ電流（リーク電流）が、Ｓｉ−ＩＧＢＴよりも１桁程度大きくなる。そのため、従来のパワー半導体装置において、コレクタ端子とエミッタ端子間の漏れ電流を測定した場合、図５に示すように、ほとんどＳｉＣ−ＳＢＤの漏れ電流のみが測定され、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１の漏れ電流を測定することが難しい。そのため、このモジュールの検査工程において、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１の漏れ電流の検査を正確に実施することが難しい。
これに対し、本発明による実施形態では、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のコレクタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のカソード端子を分けることと、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のエミッタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のアノード端子を分けることによって、図６に示すように、Ｓｉ−ＩＧＢＴの漏れ電流を正確に測定することが可能になる。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１側の正負極主端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２側の正負極主端子がパワー半導体装置内で互いに分離され内部導体すなわち熱伝導体によって互いに接続されていないので、主端子間での熱の伝導を防止できる。これにより、別々の絶縁金属基板３１，３２および別々の放熱用金属ベース３８，３９を用いることと相俟って、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２を、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１の動作温度の制限を受けずに高温まで動作することができる。
本実施形態においては、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１とＳｉＣ−ＳＢＤ１２を別々の絶縁金属基板に搭載することにより両者の距離は増加するが、それぞれの素子に別の主端子を設けることによりモジュール外部の低インダクタンス配線で接続できることと、ＳｉＣ−ＳＢＤでは逆回復電流（リカバリー電流）が小さくなることから、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１とＳｉＣ−ＳＢＤ１２間の配線インダンタンスの影響を低減できる。
なお、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のコレクタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のカソード端子を分けていれば、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のエミッタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のアノード端子を分けなくても良く、Ｓｉ−ＩＧＢＴの漏れ電流を正確に測定することは可能である。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のエミッタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のアノード端子の方だけを分けても良い。
本実施形態では、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子をＩＧＢＴとしたが、ＭＯＳ−ＦＥＴ，ＭＩＳ−ＦＥＴ，接合型ＦＥＴなどのスイッチング素子でも良い。さらに、ＳｉＣを基体として用いる電力半導体素子をショットキーバリアダイオードとしたが、ｐｉｎダイオードでも良い。さらに、ＧａＮなどＳｉＣ以外のワイドギャップ半導体基体を用いても良い。
図７は、本発明の第２の実施形態であるパワー半導体装置の実装配置を示す。第１の実施形態と同じ部品や同じ機能を示す端子には、同一の符号を記す。
図８は、従来のパワー半導体装置の実装例を示す。この実装例では、一つの絶縁金属基板３２上に４個のＳｉ−ＩＧＢＴ１１と２個のＳｉＣ−ＳＢＤ１２を搭載し、６個の絶縁金属基板３２を放熱用金属ベース３８に搭載し、パワー半導体モジュールを構成している。この場合、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１やＳｉＣ−ＳＢＤ１２の発熱により、絶縁金属基板３２を介して、お互いのチップに、熱が伝わりやすくなっている。
これに対し、図７の実施形態では、６個のＳｉ−ＩＧＢＴ１１を搭載した絶縁金属基板３２が４個、第１の実施形態と同様に放熱用金属ベース３９上に搭載され、６個のＳｉＣ−ＳＢＤ１２を搭載した絶縁金属基板が２個、同様に放熱用金属ベース３８上に搭載されて、パワー半導体モジュールを構成している。本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１が搭載された絶縁金属基板３２及び放熱用金属ベース３９と、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２が搭載された絶縁金属基板３１及び放熱用金属ベース３８を分けることによって、ＳｉＣ−ＳＢＤ１２を高温まで動作することが可能になる。
また、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のコレクタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のカソード端子を分けることと、Ｓｉ−ＩＧＢＴ１１のエミッタ端子とＳｉＣ−ＳＢＤ１２のアノード端子を分けることによって、第１の実施形態と同様に、Ｓｉ−ＩＧＢＴの漏れ電流を正確に測定することが可能になる。
図９は、第１及び第２の実施形態を電力変換装置であるインバータに適用した場合の電力損失低減効果を示す。従来のインバータの電力損失計算例を図９の左側に示す。インバータの損失は、主にスイッチング素子とダイオードで発生する。スイッチング素子による損失は、導通損失とターンオン損失とターンオフ損失の和で表され、ダイオードによる損失は、導通損失とリカバリ損失の和で表される。なお、従来のインバータでは、Ｓｉ−ＩＧＢＴとシリコンＰｉＮダイオード（以下Ｓｉ−ＰｉＮダイオードと記す）が用いられている。インバータ周波数によって、導通損失とスイッチング損失の割合は変化するが、インバータ周波数が変化しても、ＩＧＢＴの損失とダイオードの損失は、凡そ２：１である。そのため、ＩＧＢＴとダイオードのチップサイズは２：１に設定することで、チップと絶縁金属基板の熱抵抗は１：２になり、チップの接合温度をほぼ同等の値にできる。
本図に示すように、本発明の実施形態を用いた場合、主にリカバリ損失とターンオン損失が低減されて、全損失が従来よりも大幅に低減される。
図１０は、ＳｉＣ−ＳＢＤ適用時の電圧・電流波形を示す、Ｓｉ−ＰｉＮダイオードをＳｉＣ−ＳＢＤに代えた場合は、図１０の上図に示すように、ダイオードのリカバリ電流がほぼゼロになるため、リカバリ損失を１／１０程度に低減することができ、同時にターンオン時にも、リカバリ電流が重畳しないため、ターンオン損失を１／２程度に低減することが可能である。
この場合、ダイオードの損失を従来の半分程度に低減できるため、Ｓｉ−ＩＧＢＴの面積と比較して、ＳｉＣ−ＳＢＤのチップサイズを１／４程度に低減することが可能である。従って、本発明の実施形態であるパワー半導体装置では、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子の素子面積と、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子の素子面積の比が、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子の素子損失と、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子の素子損失の比の０.８倍〜１.２倍となる。
前述した図７の実施形態では、上記のようにＳｉＣチップサイズを１／４にしている。ＳｉＣ−ＳＢＤ，ＳｉＣ−ＰｉＮダイオード，ＧａＮ−ＳＢＤやＧａＮ−ＰｉＮダイオードを用いた場合、ＳｉＣまたはＧａＮを基体として用いる電力半導体素子の素子面積は、Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子の素子面積の１／３以下に低減可能である。これによって、信頼性を確保しながら、パワー半導体装置を小型化することができる。
図１１は、本発明の第３の実施形態であるパワー半導体装置の実装配置を示す。Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子であるＩＧＢＴの素子面積を小さくしたため、パワー半導体装置が小型化されている。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、上記の実施形態に限らず、本発明の技術的思想の範囲内において、種々の実施形態が可能であることは言うまでもない。
１１ Ｓｉ−ＩＧＢＴ
１２ ＳｉＣ−ＳＢＤ
２１ エミッタ端子
２２ コレクタ端子
２３ エミッタ制御端子
２４ ゲート制御端子
２５ カソード端子
２６ アノード端子
３１，３２ 絶縁金属基板
３８，３９ 放熱用金属ベース
３３，３４，３５，３６，３７ 絶縁基板上の配線パターン
４０ 樹脂ケース

Claims (5)

  1. Ｓｉを基体として用いる第一の電力半導体素子と、Ｓｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる第二の電力半導体素子と、を備えるパワー半導体装置において、
    前記第一の電力半導体素子が搭載される第一の絶縁金属基板と、
    前記第一の絶縁基板が搭載される第一の放熱用金属ベースと、
    前記第二の電力半導体素子が搭載される第二の絶縁金属基板と、
    前記第二の絶縁基板が搭載される第二の放熱用金属ベースと、
    を備え、
    前記第一の電力半導体素子が接続される主端子が前記第一の絶縁金属板に接続され、前記第二の電力半導体素子が接続される主端子が前記第二の絶縁金属板に接続され、前記第一の絶縁金属板に接続される前記主端子と、前記第二の絶縁金属板に接続される前記主端子とが、内部導体によって互いに接続されずに、電気的に分離されていることを特徴とするパワー半導体装置。
  2. 請求項１に記載のパワー半導体装置において、前記第一の電力半導体素子がスイッチング素子であり、前記第二の電力半導体素子がダイオードであることを特徴とするパワー半導体装置。
  3. 請求項２に記載のパワー半導体装置において、前記第一の電力半導体素子がＩＧＢＴであり、前記第二の電力半導体素子がショットキーバリアダイオードであることを特徴とするパワー半導体装置。
  4. 請求項２または請求項３に記載のパワー半導体装置において、前記第一の電力半導体素子の素子面積と前記第二の電力半導体素子の素子面積の比が、前記第一の電力半導体素子の素子損失と前記第二の電力半導体素子の素子損失の比の０.８倍〜１.２倍であることを特徴とするパワー半導体装置。
  5. 請求項４に記載のパワー半導体装置において、前記第一の電力半導体素子の素子面積が、前記第二の電力半導体素子の素子面積の３倍以上であることを特徴とするパワー半導体装置。
JP2009080850A 2009-03-30 2009-03-30 パワー半導体装置 Expired - Fee Related JP4988784B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009080850A JP4988784B2 (ja) 2009-03-30 2009-03-30 パワー半導体装置
DE102010008485A DE102010008485B4 (de) 2009-03-30 2010-02-18 Leistungshalbleitergerät
US12/707,909 US8441075B2 (en) 2009-03-30 2010-02-18 Power semiconductor apparatus having a silicon power semiconductor device and a wide gap semiconductor device
US13/845,627 US8860170B2 (en) 2009-03-30 2013-03-18 Power semiconductor with a Si chip and a wideband chip having matched loss and area ratios
US14/481,962 US9171831B2 (en) 2009-03-30 2014-09-10 Power semiconductor with a Si chip and a wideband chip having matched loss and area ratios

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009080850A JP4988784B2 (ja) 2009-03-30 2009-03-30 パワー半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010232576A JP2010232576A (ja) 2010-10-14
JP4988784B2 true JP4988784B2 (ja) 2012-08-01

Family

ID=42783018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009080850A Expired - Fee Related JP4988784B2 (ja) 2009-03-30 2009-03-30 パワー半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (3) US8441075B2 (ja)
JP (1) JP4988784B2 (ja)
DE (1) DE102010008485B4 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109166833B (zh) * 2010-01-15 2022-04-08 三菱电机株式会社 电力用半导体模块
JP5790039B2 (ja) * 2010-07-23 2015-10-07 富士電機株式会社 半導体装置
KR101186744B1 (ko) 2011-01-03 2012-09-28 주식회사 케이이씨 기판 및 이를 갖는 파워 모듈
JP5807348B2 (ja) * 2011-03-10 2015-11-10 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2012248736A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JPWO2013001646A1 (ja) * 2011-06-30 2015-02-23 三菱電機株式会社 車両用補助電源装置
CN103650137B (zh) * 2011-07-11 2017-09-29 三菱电机株式会社 功率半导体模块
JPWO2013132644A1 (ja) * 2012-03-09 2015-07-30 三菱電機株式会社 半導体モジュール
DE112012006007T5 (de) 2012-03-09 2014-11-20 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitermodul
WO2013189756A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-27 Abb Technology Ag Substrate for mounting multiple power transistors thereon and power semiconductor module
JP6194812B2 (ja) 2014-02-18 2017-09-13 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュール
WO2015136603A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール及びその製造検査方法
JP2016099127A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 富士電機株式会社 パワー半導体モジュールの製造方法及びその中間組立ユニット
WO2016147243A1 (ja) * 2015-03-13 2016-09-22 株式会社日立製作所 パワーモジュール，電力変換装置，および車両用駆動装置
JP2015173299A (ja) * 2015-07-06 2015-10-01 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JP2017045901A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 トヨタ自動車株式会社 還流ダイオードと車載用電源装置
JP6391845B2 (ja) * 2015-09-29 2018-09-19 三菱電機株式会社 半導体装置およびそれを備える半導体モジュール
JP7060104B2 (ja) * 2018-09-20 2022-04-26 富士電機株式会社 半導体装置
JP7135930B2 (ja) 2019-02-20 2022-09-13 株式会社デンソー 半導体モジュールとそれを用いた電力変換装置
JP7466483B2 (ja) 2021-03-17 2024-04-12 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102022207271A1 (de) 2022-07-18 2024-01-18 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul für einen Stromrichter für einen elektrischen Achsantrieb eines Kraftfahrzeugs und Verfahren zum Betreiben eines Leistungsmoduls

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429507B1 (en) * 2000-04-03 2002-08-06 Artesyn Technologies, Inc. Electrical device including a leaded cell assembly
JP4262453B2 (ja) * 2002-07-15 2009-05-13 三菱電機株式会社 電力半導体装置
EP1906449A4 (en) * 2005-07-08 2009-05-06 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND ELECTRICAL EQUIPMENT
WO2007016649A2 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Satcon Technology Corporation Double-sided package for power module
JP2007134625A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US7508012B2 (en) * 2006-01-18 2009-03-24 Infineon Technologies Ag Electronic component and method for its assembly
JP4980126B2 (ja) * 2007-04-20 2012-07-18 株式会社日立製作所 フリーホイールダイオードとを有する回路装置
US7825621B2 (en) * 2007-08-28 2010-11-02 Rockwell Automation Technologies, Inc. Junction temperature reduction for three phase inverters modules
KR101469770B1 (ko) * 2007-11-21 2014-12-09 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP5206102B2 (ja) * 2008-05-08 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
EP2136465B1 (de) * 2008-06-18 2017-08-09 SMA Solar Technology AG Wechselrichter in Brückenschaltung mit langsam und schnell getakteten Schaltern

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010232576A (ja) 2010-10-14
DE102010008485B4 (de) 2013-01-10
DE102010008485A1 (de) 2011-04-14
US8441075B2 (en) 2013-05-14
US9171831B2 (en) 2015-10-27
US20140374794A1 (en) 2014-12-25
US20100244092A1 (en) 2010-09-30
US20130214328A1 (en) 2013-08-22
US8860170B2 (en) 2014-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4988784B2 (ja) パワー半導体装置
US9165871B2 (en) Semiconductor unit and semiconductor device using the same
CN106158839B (zh) 半导体器件
US10971431B2 (en) Semiconductor device, cooling module, power converting device, and electric vehicle
US8804340B2 (en) Power semiconductor package with double-sided cooling
Marcinkowski Dual-sided cooling of power semiconductor modules
US9385107B2 (en) Multichip device including a substrate
JP2021141222A (ja) 半導体モジュール
JPWO2015005181A1 (ja) 電力変換部品
JP2020047750A (ja) 半導体装置
US10601307B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11335660B2 (en) Semiconductor module
US10199347B2 (en) Semiconductor device
EP3376538B1 (en) Semiconductor arrangement with controllable semiconductor elements
US20230170292A1 (en) Semiconductor device
JP2017199830A (ja) パワーモジュール
US20230028808A1 (en) Semiconductor device
JP2011176087A (ja) 半導体モジュール、及び電力変換装置
JP4943373B2 (ja) デバイス実装方法
JP2024505028A (ja) 熱伝導性接着層を備えた基板を有するパッケージ化された電子デバイス
JP2022188893A (ja) 半導体装置
KR101104389B1 (ko) 종단 구조 반도체 칩의 실장구조

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120403

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120426

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4988784

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees