JPWO2016006696A1 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、高耐圧を達成しつつ、オン抵抗を低減する方法として、半導体材料として、シリコンに代えて、炭化珪素等のワイドギャップ半導体を用いることも可能である。
ポリシリコン層964は低抵抗のものを作製することができるので、大きな問題にはならないが、ボディ層916については、上記正孔の引き抜きは、必ずしも容易ではない。素子部970においては、ソース領域220の一部をp型のボディコンタクト領域としてソース電極層928と電気的に接続することにより、比較的容易に実現できるが、ゲートパッド部980においては、ソース電極層928の代わりにゲート電極配線966が存在するので、同様の方法によることができない。従来の半導体装置900のままでは、ボディ層916のうちゲートパッド部980の部分については、p型領域での多数キャリアである正孔を素子部970まで引き出すことになる。ここで、正孔は移動度が小さい(たとえば4H−SiCでは電子の7分の1程度である)ため、ボディ層916は抵抗が高くなりがちである。さらに、ボディ層916はソーストレンチ960によって分断されているから、正孔はソーストレンチ960の延在方向(図22の紙面左右方向)にしか引き抜くことができないので、ゲートパッド中心部から見ると少なくとも数百ミクロンも引き回す必要があるため、さらに抵抗が高くなる。これらによって正孔の引き抜きに時間がかかることとなるので、スイッチング速度が遅くなる。
また、この際の正孔電流によってボディ層916の一部で電位が上昇することで、ドリフト層914、ボディ層916、およびソース電極層928に接続されたソース領域920からなる寄生バイポーラトランジスタがオンし、過大な電流が流れて、ゲートパッド部において素子が破壊する虞がある。ゲートパッド部980においてソース領域920を設けなければ、あるいは、ソース領域920をソース電極層928に接続しなければ、前記寄生バイポーラトランジスタがオンする心配はないが、この場合にボディ層916の一部で電位が上昇すると、今度はフィールド酸化膜968に過大な電圧が印加されて、フィールド酸化膜968が絶縁破壊する虞がある。
1.実施形態1に係る半導体装置100の構成
まず、実施形態1に係る半導体装置100の構成を説明する。
第2埋込層154は、半導体基板110の一方面側(p型半導体層134が形成されている面側)の表面と概ね面一になるように形成されている。このことにより、フィールド酸化層136、下層ゲート配線138及び上層ゲート配線140が段切れを起こすおそれがなく、配線不良の発生を防ぐことが可能となる。
ただし、前記したフィールド酸化層136の耐圧が低下する虞がなければ、ゲートパッド部180に存在するp型半導体層134のうち、フィールド酸化層136を介して下層ゲート配線138と対向する部分にも、ソース領域および/またはボディコンタクト領域を素子部170と接続するように設けることにしてもよい。
次に、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を以下に示す各工程に沿って説明する。
ワイドギャップ半導体基板準備工程は、n型のドリフト層114、ドリフト層114上に位置するp型のボディ層116、ボディ層116内に形成されているn型のソース領域120を有する素子部170と、n型のドリフト層114、ドリフト層114上に位置するp型のp型半導体層134を有するゲートパッド部180とを備える同一のワイドギャップ半導体基板を準備する工程である。
次に、第1保護トレンチ142に対応する領域及び第2保護トレンチ152に対応する領域に、それぞれ開口を有するマスク(SiO2マスク)M1を形成する。次に、当該マスクM1を用いて異方性ドライエッチング法によりボディ層116及びp型半導体層134を開口し第1保護トレンチ142及び第2保護トレンチ152を一括して形成する(図2(b)参照。)。
次に、マスクM1を介して第1保護トレンチ142及び第2保護トレンチ152のそれぞれの表面にp型不純物(例えばアルミニウムイオン)をイオン注入して、第1保護トレンチ142の内周面及び第2保護トレンチ152の内周面にp型不純物を導入する(図3(a)参照。図3(a)中、符号148’’及び158’’はp型不純物が導入された領域を示す。)。その後、マスクM1を除去する。次に、半導体基板110の熱処理を行うことによりp型不純物の活性化アニール処理を行う(図3(b)参照。図3(b)中、符号148’及び158’はp型不純物が活性化された領域を示す。)。なお、ソース領域120及びボディコンタクト領域132の活性化アニール処理を本活性化アニール処理と同時に行うことにしてもよい。
次に、第1保護トレンチ142の内側及び第2保護トレンチ152の内側を二酸化ケイ素162で埋める(図5(a)参照。)。
次に、半導体基板110の表面に保護酸化膜OF2を形成する。次に、素子部170に対応する開口を有するマスク(図示せず。)を形成した後、エッチングを行い、ゲートパッド部180に対応する保護酸化膜OF2を残して素子部170の保護酸化膜OF2を除去する(図5(b)参照。)。
次に、エッチストップ膜ESを形成する。エッチストップ膜ESは例えば、SiNからなる。次に、ゲートトレンチ118に対応する領域に開口を有するマスク(SiO2マスク)M2を形成し、当該マスクM2を用いて異方性ドライエッチング法によりエッチストップ膜ESとボディ層116をエッチングしてドリフト層114に達する深さのゲートトレンチ118を形成する(図6(a)参照。)。
次に、CVD法等を用いてSiO2からなる酸化膜OF4を素子部170の全域に形成する。
次に、ゲート電極層124に対応する領域上にマスクM3を形成し(図7(b)参照。)、上記した領域以外の領域の酸化膜OF3及び酸化膜OF4を異方性エッチングにより除去する。この際に、保護酸化膜OF2の一部(または全部)も同時に除去することにしてもよい。このことにより、ゲートトレンチ118の上方に層間絶縁膜の下層部分126’を形成する(図8(a)参照。)。
次に、層間絶縁膜の下層部分126’の上面と露出した側面の全部を包囲しつつ、少なくとも第1保護トレンチ142及び第2保護トレンチ152に対応する領域が開口されたエッチストップ膜ES2(図示せず。)を形成し、保護酸化膜OF2の残部、第1保護トレンチ142、及び第2保護トレンチ152に埋め込まれていた二酸化ケイ素162をバッファードフッ酸で除去する(図8(b)参照。)。その後、エッチストップ膜ES2を除去する。なお、エッチストップ膜ES2としては、例えば意図的なドーピングをしていないポリシリコンを使用する。
次に、第1保護トレンチ142及び第2保護トレンチ152のそれぞれの内周面に第1側壁絶縁層150及び第2側壁絶縁層160を形成する。具体的には、酸化膜を素子部170及びゲートパッド部180の全域に形成した後、異方性エッチングにより第1保護トレンチ142の側部以外の領域及び第2保護トレンチ152の側部以外の領域の酸化膜を除去して第1側壁絶縁層150及び第2側壁絶縁層160を形成する(図9(a)参照。)。
次に、例えばスパッタ法により、素子部170及びゲートパッド部180の全域にソースコンタクトメタル(図示せず。)を形成する。次に、層間絶縁膜126に対応する領域のソースコンタクトメタルを除去する。ソースコンタクトメタルを除去することに代えて、層間絶縁膜126に対応する領域に、予めバリアメタルを形成しておくことにしてもよい。次に半導体基板110の他方面側(低抵抗半導体層112側)にドレインコンタクトメタル(図示せず。)を形成する。その後、例えば1000℃で熱処理を行って、ソース領域120並びにボディコンタクト領域132とソースコンタクトメタルとの間、低抵抗半導体層112とドレインコンタクトメタルとの間、第1半導体領域148とソースコンタクトメタルとの間、及び、第2半導体領域158とソースコンタクトメタルとの間でそれぞれオーム性接触を得る。
次に、半導体基板110の表面にフィールド酸化層136を形成する(図10(b)参照。)。このとき、ゲートトレンチ118上において、フィールド酸化層136と層間絶縁膜の下層部分126’とで層間絶縁膜126を構成する。
次に、素子部170及びゲートパッド部180の全域に金属層を形成し、当該金属層を素子部170とゲートパッド部180との間で分断して、ソース電極層128及びゲート配線(下層ゲート配線138及び上層ゲート配線140)を形成する(図11(b)参照。)。次に、半導体基板110の他方面側を覆うようにドレイン電極層130を形成する(図11(b)参照。)。
実施形態1に係る半導体装置100によれば、第2埋込層154がソース電極層128と電気的に接続されているため、ターンオフ時に、第2保護トレンチ152の底部の第2半導体領域158に存在する正孔を、抵抗がp型半導体層134よりも極めて小さい導電体からなる第2埋込層154を介してソース電極層128に引き抜くことができる(図13参照。)。従って、従来の半導体装置900よりも正孔の引き抜きに時間がかからなくて済むため、高速スイッチングが可能となる。
以下、各実施形態においては、実施形態1に係る半導体装置との相違点のみを説明し、実施形態1に係る半導体装置と同様の構成については説明を省略する。
また、実施形態3に係る半導体装置100bにおいては、図15に示すように、第2トレンチ構造156bが、第2側壁絶縁層を有せず、かつ、第2トレンチ構造156bにおける第2半導体領域158bが第2保護トレンチ152の底部及び側部に形成されている。
さらにまた、実施形態4に係る半導体装置100cにおいては、図16に示すように、第2トレンチ構造156cが、第2側壁絶縁層及び第2半導体領域を有せず、かつ、第2埋込層154cが、第2保護トレンチ152の底部及び側部でドリフト層114とショットキー接触を形成する金属層からなる。
Claims (13)
- 第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層上に位置し前記第1導電型とは反対の第2導電型のボディ層、前記ボディ層を開口し前記ドリフト層に達するように形成されているゲートトレンチ、前記ボディ層内に配置され少なくとも一部を前記ゲートトレンチの内周面に露出させた状態で形成されている前記第1導電型のソース領域、前記ゲートトレンチの内周面に形成されているゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲートトレンチの内側に形成されているゲート電極層及び前記ゲート電極層とは絶縁され前記ソース領域と接した状態で形成されているソース電極層を有する素子部と、
前記第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層上に位置する前記第2導電型の第2導電型半導体層、前記第2導電型半導体層上に形成されている絶縁層、前記絶縁層上に形成されているゲート配線を有するゲートパッド部と、を同一のワイドギャップ半導体基板に備える半導体装置であって、
前記素子部は、隣接する前記ゲートトレンチの間の領域において前記ボディ層を開口し前記ゲートトレンチよりも深く形成されている複数の第1保護トレンチと、前記各第1保護トレンチのそれぞれの内側に形成されている第1埋込層とを有する第1トレンチ構造をさらに有し、
前記ゲートパッド部は、前記第2導電型半導体層を開口し前記ゲートトレンチよりも深く形成されている複数の第2保護トレンチと、前記各第2保護トレンチのそれぞれの内側に形成されている第2埋込層とを有する第2トレンチ構造をさらに有し、
前記第2トレンチ構造は、
前記第2保護トレンチの少なくとも底部に形成されている前記第2導電型の第2半導体領域をさらに有するとともに、前記第2埋込層として導電体からなる第2埋込層を有する構造、又は、
前記第2埋込層として前記第2保護トレンチの底部及び側部で前記ドリフト層とショットキー接触を形成する金属層からなる第2埋込層を有する構造のいずれかであり、
前記第2埋込層は、前記ソース電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第2保護トレンチの深さは、前記第1保護トレンチの深さと等しいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第2保護トレンチの開口幅は、前記第1保護トレンチの開口幅と等しいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第2保護トレンチは、平面的に見て前記素子部が形成されている領域まで延在していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記第2保護トレンチは、前記第1保護トレンチと連続した状態で形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第2トレンチ構造は、前記第2保護トレンチの少なくとも底部に形成されている第2導電型の第2半導体領域をさらに有するとともに、前記第2埋込層として導電体からなる第2埋込層を有する構造であって、
前記第2保護トレンチの側部に形成されている第2側壁絶縁層をさらに有し、前記第2半導体領域として、前記第2保護トレンチの底部に形成されている第2半導体領域を有する構造であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第2トレンチ構造は、前記第2保護トレンチの少なくとも底部に形成されている第2導電型の第2半導体領域をさらに有するとともに、前記第2埋込層として導電体からなる第2埋込層を有する構造であって、
前記第2保護トレンチの側部に形成されている第2側壁絶縁層をさらに有し、前記第2半導体領域として、前記第2保護トレンチの底部及び側部に形成されている第2半導体領域を有する構造であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第2トレンチ構造は、前記第2保護トレンチの少なくとも底部に形成されている第2導電型の第2半導体領域をさらに有するとともに、前記第2埋込層として導電体からなる第2埋込層を有する構造であって、
前記第2半導体領域として、前記第2保護トレンチの底部及び側部に形成されている第2半導体領域を有する構造であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第1埋込層は、前記ソース電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の半導体装置において、
前記素子部は、前記複数のゲートトレンチのうち最も前記ゲートパッド部に近いゲートトレンチよりも前記ゲートパッド部側に前記第1トレンチ構造と同じ構造の第3トレンチ構造をさらに有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第1トレンチ構造は、
前記第1保護トレンチの少なくとも底部に形成されている第2導電型の第1半導体領域をさらに有するとともに、前記第1埋込層として導電体からなる第1埋込層を有する構造、又は、
前記第1埋込層として前記第1保護トレンチの底部及び側部で前記ドリフト層とショットキー接触を形成する金属層からなる第1埋込層を有する構造のいずれかであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜11のいずれかに記載の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法であって、
第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層上に位置し前記第1導電型とは反対の第2導電型のボディ層、前記ボディ層内に形成されている前記第1導電型のソース領域を有する素子部と、第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層上に位置する前記第2導電型の第2導電型半導体層を有するゲートパッド部とを備える同一のワイドギャップ半導体基板を準備するワイドギャップ半導体基板準備工程と、
前記素子部において、前記ボディ層の所定の領域を開口して形成されている複数の第1保護トレンチと、前記ゲートパッド部において、前記第2導電型半導体層の所定の領域を開口して形成されている複数の第2保護トレンチとを一括して形成する保護トレンチ形成工程と、
前記第2保護トレンチの少なくとも底部に第2導電型の第2半導体領域を形成する第2半導体領域形成工程と、
前記ボディ層を開口し前記ドリフト層に達するように形成されているゲートトレンチ、前記ゲートトレンチの内周面に形成されているゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲートトレンチの内側に形成されているゲート電極層を形成するゲートトレンチ構造形成工程と、
前記素子部において、前記各第1保護トレンチのそれぞれの内側に第1埋込層を形成し、かつ、前記ゲートパッド部において、前記各第2保護トレンチのそれぞれの内側に導電体からなる第2埋込層を形成する埋込層形成工程と
前記素子部において、前記ゲート電極層とは絶縁され前記ソース領域と接した状態でソース電極層を形成し、かつ、前記ゲートパッド部において、前記第2導電型半導体層上に絶縁層を形成し前記絶縁層上にゲート配線を形成する電極層・配線形成工程とをこの順序で含み、
前記第2埋込層は、前記ソース電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれかに記載の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法であって、
第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層上に位置し前記第1導電型とは反対の第2導電型のボディ層、前記ボディ層内に形成されている前記第1導電型のソース領域を有する素子部と、第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層上に位置する前記第2導電型の第2導電型半導体層を有するゲートパッド部とを備える同一のワイドギャップ半導体基板を準備するワイドギャップ半導体基板準備工程と、
前記素子部において、前記ボディ層の所定の領域を開口して形成されている複数の第1保護トレンチと、前記ゲートパッド部において、前記第2導電型半導体層の所定の領域を開口して形成されている複数の第2保護トレンチとを一括して形成する保護トレンチ形成工程と、
前記ボディ層を開口し前記ドリフト層に達するように形成されているゲートトレンチ、前記ゲートトレンチの内周面に形成されているゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲートトレンチの内側に形成されているゲート電極層を形成するゲートトレンチ構造形成工程と、
前記素子部において、前記各第1保護トレンチのそれぞれの内側に第1埋込層を形成し、かつ、前記ゲートパッド部において、前記第2保護トレンチの底部及び側部で前記ドリフト層とショットキー接触を形成する金属層からなる第2埋込層を形成する埋込層形成工程と
前記素子部において、前記ゲート電極層とは絶縁され前記ソース領域と接した状態でソース電極層を形成し、かつ、前記ゲートパッド部において、前記第2導電型半導体層上に絶縁層を形成し前記絶縁層上にゲート配線を形成する電極層・配線形成工程とをこの順序で含み、
前記第2埋込層は、前記ソース電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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