JPWO2009125751A1 - ワイヤグリッド型偏光子の製造方法 - Google Patents

Abstract

可視光領域において高い偏光分離能を示し、かつ短波長領域の透過率が向上したワイヤグリッド型偏光子を容易に製造できる方法を提供する。表面に複数の凸条１２が形成された光透過性基板１４に下地層２２、第１の金属細線２４、第２の金属細線３０を、条件（Ａ）〜（Ｆ）を満足する蒸着法で形成する。（Ａ）角度θＬをなす方向から凸条１２の上面１６および第１の側面１８に下地層材料を蒸着する。（Ｂ）条件（Ａ）とは逆の角度θＲをなす方向から第１の下地層２２ａの上面および第２の側面２０に下地層材料を蒸着する。（Ｃ）θＬ、θＲは６０゜〜９０゜とする。（Ｄ）下地層２２の高さＨｍａ１は１〜２０ｎｍとする。（Ｅ）下地層２２の上面および溝２６の底面２８に金属または金属化合物を蒸着する。（Ｆ）第１の金属細線２４の高さＨｍａ２および凸条の高さＨｐが４０ｎｍ≦Ｈｍａ２≦０．９×Ｈｐを満足する。

Description

本発明は、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法に関する。

液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置に用いられる、可視光領域で偏光分離能を示す偏光子（偏光分離素子ともいう。）としては、吸収型偏光子および反射型偏光子がある。
吸収型偏光子は、たとえば、ヨウ素等の二色性色素を樹脂フィルム中に配向させた偏光子である。しかし、吸収型偏光子は、一方の偏光を吸収するため、光の利用効率が低い。

一方、反射型偏光子は、偏光子に入射せずに反射した光を偏光子に再入射させることにより、光の利用効率を上げることができる。そのため、液晶表示装置等の高輝度化を目的として反射型偏光子のニーズが高まっている。
反射型偏光子としては、複屈折樹脂積層体からなる直線偏光子、コレステリック液晶からなる円偏光子、およびワイヤグリッド型偏光子がある。
しかし、直線偏光子および円偏光子は、偏光分離能が低い。そのため、高い偏光分離能を示すワイヤグリッド型偏光子が注目されている。

ワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板上に複数の金属細線が互いに平行に配列した構造を有する。金属細線のピッチが入射光の波長よりも充分に短い場合、入射光のうち、金属細線に直交する電場ベクトルを有する成分（すなわちｐ偏光）は透過し、金属細線と平行な電場ベクトルを有する成分（すなわちｓ偏光）は反射される。

可視光領域で偏光分離能を示すワイヤグリッド型偏光子としては、以下のものが知られている。
（１）光透過性基板上に所定のピッチで金属細線が形成されたワイヤグリッド型偏光子（特許文献１）。
（２）光透過性基板の表面に所定のピッチで形成された複数の凸条の上面および凸条間の溝の底面に金属細線が形成されたワイヤグリッド型偏光子（特許文献２、非特許文献１）。

しかし、（１）のワイヤグリッド型偏光子は、偏光分離能がいまだ不充分である。
（２）のワイヤグリッド型偏光子は、（１）のワイヤグリッド型偏光子に比べ、偏光分離能が高い。しかし、（２）のワイヤグリッド型偏光子は、短波長領域（４００ｎｍ付近）の透過率が低い問題を有する。
また、（２）のワイヤグリッド型偏光子を製造する際、１回の蒸着によって凸条の上面および凸条間の溝の底面に金属を蒸着している。しかし、１回の蒸着によって凸条の上面および凸条間の溝の底面に金属を蒸着する場合、凸条の側面に金属が蒸着しないようにするのは容易ではない。そのため、凸条の側面にも金属が蒸着しやすく、凸条の上面の金属細線と凸条間の溝の底面の金属細線とが連続しやすい。凸条の上面の金属細線と凸条間の溝の底面の金属細線とが連続した膜を形成すると、光を透過できなくなる。

特開２００５−０７０４５６号公報 特開２００４−２４０２９７号公報

Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ、２００６年、第１４巻、第６号、ｐ．２３２３−２３３４

本発明は、可視光領域において高い偏光分離能を示し、かつ短波長領域の透過率が向上したワイヤグリッド型偏光子を容易に製造できる方法を提供する。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板と、該光透過性基板の凸条の上面、ならびに該凸条の長さ方向に延びる２つの側面である第１の側面および第２の側面の上縁部を被覆する下地層と、該下地層の上面に形成された金属または金属化合物からなる第１の金属細線と、前記凸条間の溝の底面に形成された金属または金属化合物からなる第２の金属細線とを有するワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、前記下地層、第１の金属細線および第２の金属細線を、下記の条件（Ａ）〜（Ｆ）を満足する蒸着法で形成することを特徴とする。
（Ａ）前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向から前記凸条の上面および第１の側面に下地層材料を少なくとも１回蒸着する。
（Ｂ）前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向から前記条件（Ａ）の蒸着で形成された下地層の上面および前記凸条の第２の側面に下地層材料を少なくとも１回蒸着する。
（Ｃ）前記条件（Ａ）の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（Ｉ）を満足し、前記条件（Ｂ）の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（II）を満足する。
６０゜≦θ^Ｌ＜９０゜ ・・・（Ｉ）、
６０゜≦θ^Ｒ＜９０゜ ・・・（II）。
（Ｄ）前記条件（Ａ）の蒸着および前記条件（Ｂ）の蒸着で形成される下地層の高さＨｍａ１が、下式（III）を満足する。
１ｎｍ≦Ｈｍａ１≦２０ｎｍ ・・・（III）。
（Ｅ）前記条件（Ａ）の蒸着および前記条件（Ｂ）の蒸着を行った後に、前記下地層の上面および前記凸条間の溝の底面に金属または金属化合物を蒸着する。
（Ｆ）前記条件（Ｅ）の蒸着で形成される第１の金属細線の高さＨｍａ２および前記凸条の高さＨｐが、下式（IV）を満足する。
４０ｎｍ≦Ｈｍａ２≦０．９×Ｈｐ ・・・（IV）。

前記凸条のピッチＰｐは、３００ｎｍ以下であることが好ましい。
前記凸条の幅Ｄｐと前記Ｐｐの比（Ｄｐ／Ｐｐ）は、０．１〜０．６であることが好ましい。
前記Ｈｐは、３０〜５００ｎｍであることが好ましい。

前記第２の金属細線の幅Ｄｍｂおよび前記凸条間の溝の幅（Ｐｐ−Ｄｐ）は、下式（１−１）を満足することが好ましい。
０．４５×（Ｐｐ−Ｄｐ）≦Ｄｍｂ≦０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（１−１）。

前記第２の金属細線の高さＨｍｂおよび前記Ｈｐは、下式（２−１）を満足することが好ましい。
４０ｎｍ≦Ｈｍｂ＜Ｈｐ ・・・（２−１）。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法によれば、可視光領域において高い偏光分離能を示し、かつ短波長領域の透過率が向上したワイヤグリッド型偏光子を容易に製造できる。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の一例を示す斜視図である。 光透過性基板の一例を示す斜視図である。 第１の下地層の形成の様子を示す断面図である。 第２の下地層の形成の様子を示す断面図である。 第１の金属細線および第２の金属細線の形成の様子を示す断面図である。

＜ワイヤグリッド型偏光子＞
図１は、本発明の製造方法で製造されるワイヤグリッド型偏光子の一例を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４と、光透過性基板１４の凸条１２の上面１６、ならびに凸条１２の長さ方向に延びる２つの側面である第１の側面１８および第２の側面２０の上縁部を被覆する下地層２２と、下地層２２の上面に形成された金属または金属化合物からなる第１の金属細線２４と、凸条１２間の溝２６の底面２８に形成された金属または金属化合物からなる第２の金属細線３０とを有する。

Ｐｐは、凸条１２の幅Ｄｐと、凸条１２間に形成される溝２６の幅との合計である。Ｐｐは、３００ｎｍ以下が好ましく、８０〜２００ｎｍがより好ましい。Ｐｐを３００ｎｍ以下とすることにより、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い反射率、および４００ｎｍ付近の短波長領域においても充分に高い偏光分離能を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。
また、Ｐｐは、蒸着によって金属細線を形成しやすい点から、１００〜２００ｎｍが特に好ましい。

ＤｐとＰｐの比（Ｄｐ／Ｐｐ）は、０．１〜０．６が好ましく、０．３〜０．５５がより好ましく、０．３５〜０．５が特に好ましい。Ｄｐ／Ｐｐを０．１以上とすることにより、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い偏光分離能を示す。Ｄｐ／Ｐｐを０．６以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
また、Ｄｐは、蒸着によって金属細線を形成しやすい点から、３０〜８０ｎｍが特に好ましい。

凸条１２の高さＨｐは、３０〜５００ｎｍが好ましく、４０〜２００ｎｍがより好ましく、５０〜１２０ｎｍが特に好ましい。Ｈｐを３０ｎｍ以上とすることにより、凸条１２の表面への下地層２２の選択的な形成が容易となる。Ｈｐを５００ｎｍ以下とすることにより、ワイヤグリッド型偏光子１０の偏光度の入射角度依存性が小さくなる。
また、Ｈｐは、透過率の波長分散を小さくできる点から、５０〜１２０ｎｍが特に好ましい。

（光透過性基板）
光透過性基板１４は、ワイヤグリッド型偏光子１０の使用波長範囲において光透過性を有する基板である。光透過性とは、光を透過することを意味し、使用波長範囲は、具体的には、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である。
光透過性基板１４の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。

光透過性基板１４の原料または材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、後述するインプリント法にて凸条１２を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸条１２を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。
光硬化樹脂としては、生産性の点から、光硬化性組成物の光ラジカル重合により形成される樹脂が好ましい。

光硬化性組成物としては、光硬化後の硬化膜の水に対する接触角が９０°以上となるものが好ましい。該硬化膜の水に対する接触角が９０°以上であれば、光インプリント法により凸条１２を形成する際、モールドとの離型性がよくなり、精度の高い転写が可能となり、得られるワイヤグリッド型偏光子１０が目的とする性能を充分に発揮できる。

（下地層）
下地層２２は、下地層材料からなる複数の蒸着膜が積層された層である。下地層２２が２回の蒸着によって形成される場合、第１の下地層２２ａと第２の下地層２２ｂとが積層した層となる。

下地層２２の高さＨｍａ１は、１〜２０ｎｍであり、１０〜１５ｎｍが好ましい。Ｈｍａ１が１ｎｍ以上であれば、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過率が向上する。Ｈｍａ１が２０ｎｍ以下であれば、ワイヤグリッド型偏光子１０の短波長領域の透過率が向上する。

下地層２２が凸条１２の第１の側面１８よりも外側に突出した部分（以下、第１のヒサシ部３２とも記す。）の幅Ｄｍａ１、および下地層２２が凸条１２の第２の側面２０よりも外側に突出した部分（以下、第２のヒサシ部３４とも記す。）の幅Ｄｍａ２はそれぞれ、５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜１５ｎｍがより好ましい。Ｄｍａ１およびＤｍａ２が５ｎｍ以上であれば、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０に金属または金属化合物が蒸着しにくくなり、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い透過率を示す。Ｄｍａ１およびＤｍａ２が２０ｎｍ以下であれば、溝２６の底面に形成される第２の金属細線３０の幅Ｄｍｂが広くなり、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い偏光分離能を示す。

下地層材料としては、金属（銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム等。）、金属化合物（ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＳｉ_２等。）または金属酸化物（ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２等。）が挙げられ、ワイヤグリッド型偏光子１０がさらに高い透過率を示す点から、金属酸化物が好ましく、Ａｌ_２Ｏ_３が特に好ましい。第１の下地層２２ａの材料と第２の下地層２２ｂの材料は、同じであってもよく、異なってもよい。

（金属細線）
第１の金属細線２４および第２の金属細線３０（以下、これらをまとめて金属細線とも記す。）は、下地層２２の上面および溝２６の底面２８に形成され、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０にはほとんど形成されず、第１の金属細線２４と第２の金属細線３０との間は、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０において連続していない。

第１の金属細線２４の高さＨｍａ２は、４０〜１００ｎｍが好ましく、４５〜６０ｎｍがより好ましい。Ｈｍａ２が４０ｎｍ以上であれば、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い偏光分離能を示す。Ｈｍａ２が１００ｎｍ以下であれば、ｐ偏光の短波長側のリップルによる透過率低下が抑制され、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過光の波長分散が小さくなる。すなわち短波長側の透過率が上昇する。
Ｈｍａ（Ｈｍａ１とＨｍａ２との合計。）は、４５〜１２０ｎｍが好ましく、５０〜７５ｎｍがより好ましい。

第１の金属細線２４が凸条１２の第１の側面１８よりも外側に突出した部分の幅Ｄｍａ１、および第１の金属細線２４が凸条１２の第２の側面２０よりも外側に突出した部分の幅Ｄｍａ２はそれぞれ、５〜２０ｎｍが好ましく、１０〜１５ｎｍがより好ましい。Ｄｍａ１およびＤｍａ２が５ｎｍ以上であれば、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０に金属または金属化合物が蒸着しにくくなり、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い透過率を示す。Ｄｍａ１およびＤｍａ２が２０ｎｍ以下であれば、溝２６の開口部が広くなり、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い透過率を示す。
第１の金属細線２４の幅Ｄｍａは、凸条１２の幅Ｄｐよりも１０〜４０ｎｍ広いことが好ましく、凸条１２の幅Ｄｐよりも１５〜３０ｎｍ広いことがより好ましい。

第２の金属細線３０の幅Ｄｍｂおよび溝２６の幅（Ｐｐ−Ｄｐ）は、下式（１−１）を満足することが好ましく、下式（１−２）を満足することがより好ましい。
０．４５×（Ｐｐ−Ｄｐ）≦Ｄｍｂ≦０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（１−１）、 ０．５×（Ｐｐ−Ｄｐ）≦Ｄｍｂ≦０．９×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（１−２）。
Ｄｍｂが０．４５×（Ｐｐ−Ｄｐ）以上であれば、第２の金属細線３０による遮蔽効果により、ワイヤグリッド型偏光子１０が充分に高い偏光分離能を示す。Ｄｍｂが０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐ）以下であれば、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過率が上昇する。

第２の金属細線３０の高さＨｍｂおよび凸条１２の高さＨｐは、下式（２−１）を満足することが好ましく、下式（２−２）を満足することがより好ましい。
４０ｎｍ≦Ｈｍｂ＜Ｈｐ ・・・（２−１）、
４５ｎｍ≦Ｈｍｂ≦０．８Ｈｐ ・・・（２−２）。
ＨｍａとＨｍｂとの関係は、Ｈｍｂ≦Ｈｍａとなる。

なお、本発明における上述の凸条１２、下地層２２および金属細線の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子１０の断面の走査型電子顕微鏡像または透過型電子顕微鏡像において５箇所の凸条１２、下地層２２および金属細線における各寸法の最大値を測定し、５箇所の該値を平均したものとする。

金属細線の断面形状としては、正方形、長方形、台形、三角形、円形、楕円形、その他様々な形状が挙げられる。第２の金属細線３０の断面は、台形、三角形、円形または円形の一部が好ましい。

金属細線の材料としては、金属（銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム等。）または金属化合物（ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＳｉ_２等。）が挙げられ、可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、銀、アルミニウム、クロムまたはマグネシウムが好ましく、アルミニウムが特に好ましい。

（保護層）
金属細線の厚さは非常に微細であるため、金属細線がわずかに傷ついただけでもワイヤグリッド型偏光子１０の性能に影響する。また、錆により金属細線の導電率が低下し、ワイヤグリッド型偏光子１０の性能が低下する場合がある。よって、金属細線の傷付きおよび錆を抑えるために、金属細線を保護層で被覆してもよい。

保護層としては、樹脂、金属酸化物、ガラス等が挙げられる。たとえば、金属としてアルミニウムを用いた場合、空気中で酸化されて酸化アルミニウムが表面に形成される。金属酸化膜は、金属細線の保護層として機能する。

光透過性基板１４と保護層との界面でのｐ偏光の反射を低減させるため、保護層の屈折率と光透過性基板の屈折率とを実質的に一致させることが好ましい。
保護層としては、耐熱性、可視光透過性を有するものが好ましく、広帯域にわたり高い偏光分離能が得られる点から、屈折率の低いものがより好ましい。
保護層は、ワイヤグリッド型偏光子１０の最表面に存在するため、鉛筆硬度Ｈ以上の硬さを有するものが好ましく、防汚性も有することが好ましい。
保護層または光透過性基板１４は、光の利用効率を高めるため、表面に反射防止構造を有してもよい。

以上説明したワイヤグリッド型偏光子１０にあっては、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４と、光透過性基板１４の凸条１２上に形成された第１の金属細線２４と、凸条１２間の溝２６の底面２８に形成された第２の金属細線３０とを有し、かつ第１の金属細線２４と第２の金属細線３０とが連続していないため、可視光領域において高い偏光分離能を示す。
また、光透過性基板１４の凸条１２の上面１６、ならびに凸条１２の長さ方向に延びる２つの側面である第１の側面１８および第２の側面２０の上縁部を被覆する下地層２２を有し、かつ第１の金属細線２４が、下地層２２の上面に形成されているため、従来のワイヤグリッド型偏光子に比べ、短波長領域の透過率が向上している。

＜ワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
ワイヤグリッド型偏光子１０は、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４を作製し、光透過性基板１４の凸条１２の上面１６、ならびに凸条１２の長さ方向に延びる２つの側面である第１の側面１８および第２の側面２０の上縁部に下地層２２を形成し、下地層２２の上面および凸条１２間の溝２６の底面２８にそれぞれ第１の金属細線２４および第２の金属細線３０を同時に形成することによって製造される。

（光透過性基板の作製方法）
光透過性基板１４の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法、熱インプリント法。）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸条１２を生産性よく形成できる点および光透過性基板１４を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸条１２をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。

光インプリント法は、たとえば、電子線描画とエッチングとの組み合わせにより、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成されたモールドを作製し、該モールドの溝を、任意の基材の表面に塗布された光硬化性組成物に転写し、同時に該光硬化性組成物を光硬化させる方法である。

光インプリント法による光透過性基板１４の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（ｖ）を経て行われる。
（ｉ）光硬化性組成物を基材の表面に塗布する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを、溝が光硬化性組成物に接するように、光硬化性組成物に押しつける工程。
（iii）モールドを光硬化性組成物に押しつけた状態で放射線（紫外線、電子線等。）を照射して光硬化性組成物を硬化させて、モールドの溝に対応する複数の凸条１２を有する光透過性基板１４を作製する工程。
（iv）光透過性基板１４からモールドを分離する工程。
（ｖ）光透過性基板１４に下地層２２および金属細線を形成する前または形成した後に、必要に応じて、光透過性基板１４から基材を分離する工程。

熱インプリント法による光透過性基板１４の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iv）を経て行われる。
（ｉ）基材の表面に熱可塑性樹脂の被転写膜を形成する工程、または熱可塑性樹脂の被転写フィルムを作製する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ一定のピッチで形成されたモールドを、溝が被転写膜または被転写フィルムに接するように、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）または融点（Ｔｍ）以上に加熱した被転写膜または被転写フィルムに押しつけ、モールドの溝に対応する複数の凸条１２を有する光透過性基板１４を作製する工程。
（iii）光透過性基板１４をＴｇまたはＴｍより低い温度に冷却して光透過性基板１４からモールドを分離する工程。
（iv）光透過性基板１４に下地層２２および金属細線を形成する前または形成した後に、必要に応じて、光透過性基板１４から基材を分離する工程。

（下地層の形成方法）
下地層２２は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の斜め上方から下地層材料を蒸着させる斜方蒸着法により形成される。蒸着法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法が挙げられる。

下地層２２は、具体的には、下記の条件（Ａ）〜（Ｄ）を満足する蒸着法で形成される。
（Ａ）図２に示す凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１８の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ１から、図３に示すように、凸条１２の上面１６および第１の側面１８の上縁部に下地層材料を少なくとも１回蒸着し、第１の下地層２２ａを形成する。
（Ｂ）図２に示す凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面２０の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ２から、図４に示すように第１の下地層２２ａの上面および凸条１２の第２の側面２０の上縁部に下地層材料を少なくとも１回蒸着し、第２の下地層２２ｂを形成する。
（Ｃ）前記条件（Ａ）の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（Ｉ）を満足し、前記条件（Ｂ）の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（II）を満足する。
６０゜≦θ^Ｌ＜９０゜ ・・・（Ｉ）、
６０゜≦θ^Ｒ＜９０゜ ・・・（II）。
（Ｄ）前記条件（Ａ）の蒸着および前記条件（Ｂ）の蒸着で形成される下地層２２の高さＨｍａ１が、下式（III）を満足する。
１ｎｍ≦Ｈｍａ１≦２０ｎｍ ・・・（III）。

条件（Ａ）、（Ｂ）：
条件（Ａ）、（Ｂ）を満足しない場合、第１のヒサシ部３２および第２のヒサシ部３４が形成されないため、金属細線を形成する際に、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０に金属または金属化合物が蒸着しやすくなる。その結果、第１の金属細線２４と第２の金属細線３０とが連続し、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過率が低下する。なお、本明細書において、「略直交し」とは、方向Ｌと方向Ｖ１（または方向Ｖ２）のなす角度が８５〜９５度の範囲にあることを意味する。

条件（Ｃ）：
光の波長以下のピッチの凸条１２に蒸着を行う場合、蒸着の角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）に応じて下地層２２の形状が変化するため、角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）によっては、適切な形状の下地層２２を形成できない場合がある。角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）が６０゜未満では、第１のヒサシ部３２および第２のヒサシ部３４が形成されない、またはそれぞれの幅Ｄｍａ１およびＤｍａ２が不足する。または、第１のヒサシ部３２および第２のヒサシ部３４を形成する際に、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０に金属または金属化合物が蒸着し、第１の金属細線２４と第２の金属細線３０とが連続する結果、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過率が低下する。角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）が９０゜以上では、下地層２２の形成が困難である。角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）は７０°以上、８５°以下が好ましく、７５°以上、８０°以下が特に好ましい。

条件（Ｄ）：
Ｈｍａ１が１ｎｍ未満では、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０に金属または金属化合物が蒸着されないようにするのに充分な幅をもった第１のヒサシ部３２および第２のヒサシ部３４が形成されないため、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過率が不充分となる。蒸着の角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）が大きい状態で形成された金属細線は短波長の吸収が大きくなるところ、Ｈｍａ１が２０ｎｍを超えるとそのような金属細線の厚さが大きくなるため、ワイヤグリッド型偏光子１０の波長分散が大きくなり、短波長側の透過率が低下する。Ｈｍａ１は１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以下が好ましい。

角度θ^Ｌ（またはθ^Ｒ）は、たとえば、下記の蒸着装置を用いることによって調整できる。
凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１８の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ１または凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面２０の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２の延長線上に蒸着源が位置するように、蒸着源に対向して配置された光透過性基板１４の傾きを変更できる蒸着装置。

蒸着源としては、金属（銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム等。）、金属化合物（ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＳｉ_２等。）または金属酸化物（ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２等。）が挙げられ、ワイヤグリッド型偏光子１０がさらに高い透過率を示す点から、金属酸化物が好ましく、Ａｌ_２Ｏ_３が特に好ましい。

（金属細線の形成方法）
金属細線は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の略垂直方向の上方から金属または金属化合物を蒸着させることにより形成される。蒸着法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法が挙げられる。

金属細線は、具体的には、下記の条件（Ｅ）および（Ｆ）を満足する蒸着法で形成される。
（Ｅ）前記条件（Ａ）の蒸着および前記条件（Ｂ）の蒸着を行った後に、図５に示すように、ほぼ角度θ＝０゜の方向から下地層２２の上面および凸条１２間の溝２６の底面２８に金属または金属化合物を蒸着する。
（Ｆ）前記条件（Ｅ）の蒸着で形成される第１の金属細線２４の高さＨｍａ２および凸条１２の高さＨｐが、下式（IV）を満足する。
４０ｎｍ≦Ｈｍａ２≦０．９×Ｈｐ ・・・（IV）。

条件（Ｅ）：
条件（Ｅ）を満足しない場合、凸条１２の第１の側面１８および第２の側面２０に金属または金属化合物が蒸着しやすくなる。その結果、第１の金属細線２４と第２の金属細線３０とが連続し、ワイヤグリッド型偏光子１０の透過率が低下する。

条件（Ｆ）：
Ｈｍａ２が４０ｎｍ未満では、ワイヤグリッド型偏光子１０の偏光分離能が不充分となる。Ｈｍａ２が０．９×Ｈｐを超えると、ワイヤグリッド型偏光子１０のｐ偏光の短波長側にリップルが現れ、ワイヤグリッド型偏光子１０の短波長側の透過率が低下し、透過光の波長分散が大きくなる。

蒸着源としては、金属（銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム等。）または金属化合物（ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＳｉ_２等。）が挙げられる。可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウムが好ましく、アルミニウムが特に好ましい。

以上説明したワイヤグリッド型偏光子１０の製造方法にあっては、上述の条件（Ａ）〜（Ｆ）を満足する蒸着法で下地層２２および金属細線を形成している。そのため、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４と、光透過性基板１４の凸条１２上に形成された第１の金属細線２４と、凸条１２間の溝２６の底面２８に形成された第２の金属細線３０とを有し、かつ第１の金属細線２４と第２の金属細線３０とが連続していないワイヤグリッド型偏光子１０を容易に製造できる。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
例１〜８は実施例であり、例９〜１６は比較例である。

（下地層および金属細線の各寸法）
下地層および金属細線の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡像または走査型電子顕微鏡像において５箇所の下地層および金属細線における各寸法の最大値を測定し、５箇所の該値を平均して求めた。

（透過率）
ワイヤグリッド型偏光子の表面側（金属細線が形成された面側）から波長４０５ｎｍの固体レーザー光および波長６３５ｎｍの半導体レーザー光を、ワイヤグリッド型偏光子の表面に対して垂直に入射し、ｐ偏光透過率およびｓ偏光透過率を測定した。
波長４００ｎｍまたは７００ｎｍのｐ偏光透過率が、７０％以上を○とし、７０％未満を×とした。

（反射率）
ワイヤグリッド型偏光子の表面側から波長４０５ｎｍの固体レーザー光および波長６３５ｎｍの半導体レーザー光を、ワイヤグリッド型偏光子の表面に対して５°の角度で入射し、ｓ偏光反射率を測定した。
波長４００ｎｍまたは７００ｎｍのｓ偏光反射率が、８０％以上を○とし、８０％未満を×とした。

（偏光度）
偏光度は、下式から計算した。
偏光度＝（（Ｔｐ−Ｔｓ）／（Ｔｐ＋Ｔｓ））×１００
ただし、Ｔｐは、ｐ偏光透過率であり、Ｔｓは、ｓ偏光透過率である。
波長４００ｎｍまたは７００ｎｍの偏光度が９９．５％以上を○とし、９９．５％未満を×とした。

（光硬化性組成物の調製）
撹拌機および冷却管を装着した１０００ｍＬの４つ口フラスコに、
単量体１（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＤＰＨ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の６０ｇ、
単量体２（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＮＰＧ、ネオペンチルグリコールジアクリレート）の４０ｇ、
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）の４．０ｇ、
含フッ素界面活性剤（旭硝子社製、フルオロアクリレート（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_８Ｆ）とブチルアクリレートとのコオリゴマー、フッ素含有量：約３０質量％、質量平均分子量：約３０００）の０．１ｇ、
重合禁止剤（和光純薬社製、Ｑ１３０１）の１．０ｇ、および
シクロヘキサノンの６５．０ｇを入れた。

フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化した。ついで、フラスコ内を撹拌しながら、コロイド状シリカの１００ｇ（固形分：３０ｇ）をゆっくりと加え、さらにフラスコ内を常温および遮光にした状態で１時間撹拌して均一化した。ついで、シクロヘキサノンの３４０ｇを加え、フラスコ内を常温および遮光にした状態で１時間撹拌して光硬化性組成物１の溶液を得た。

〔例１〕
（光透過性基板の作製）
厚さ１００μｍの高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポン社製、帝人テトロンＯ３、１００ｍｍ×１００ｍｍ）の表面に、光硬化性組成物１をスピンコート法により塗布し、厚さ１μｍの光硬化性組成物１の塗膜を形成した。

複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（５０ｍｍ×５０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１５０ｎｍ、溝の幅Ｄｐ：５０ｎｍ、溝の深さＨｐ：７５ｎｍ、溝の長さ：５０ｍｍ、溝の断面形状：矩形。）を、溝が光硬化性組成物１の塗膜に接するように、２５℃にて０．５ＭＰａ（ゲージ圧）で光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた。

該状態を保持したまま、石英製モールド側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ。）の光を１５秒間照射し、光硬化性組成物１を硬化させて、石英製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：１５０ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：５０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：７５ｎｍ。）を作製した。光透過性基板から石英製モールドをゆっくり分離した。

（下地層および金属細線の形成）
蒸着源に対向する光透過性基板の傾きを変更可能な真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）を用い、光透過性基板の凸条に下地層材料および金属を蒸着させ、下地層および金属細線を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第１の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ１（すなわち第１の側面の側）からの蒸着と、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第２の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ２（すなわち第２の側面の側）からの蒸着と、角度θ＝０゜からの蒸着とを順に行い、かつ各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される下地層または金属細線の厚さＨｍａ’を表１に示す材料、角度および厚さとした。なお、Ｈｍａ’は水晶振動子を膜厚センサーとする膜厚モニターにより測定した。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表３に示す。

〔例２〜６〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される下地層または金属細線の厚さＨｍａ’を表１に示す材料、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表３に示す。

〔例７〕
（光透過性基板の作製）
前記ＰＥＴフィルムの表面に、光硬化性組成物１をスピンコート法により塗布し、厚さ１μｍの光硬化性組成物１の塗膜を形成した。
複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（５０ｍｍ×５０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１５０ｎｍ、溝の幅Ｄｐ：５０ｎｍ、溝の深さＨｐ：１００ｎｍ、溝の長さ：５０ｍｍ、溝の断面形状：矩形。）を、溝が光硬化性組成物１の塗膜に接するように、２５℃にて０．５ＭＰａ（ゲージ圧）で光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた。

該状態を保持したまま、石英製モールド側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ。）の光を１５秒間照射し、光硬化性組成物１を硬化させて、石英製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：１５０ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：５０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：１００ｎｍ。）を作製した。
光透過性基板から石英製モールドをゆっくり分離した。

（金属細線の形成）
各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される金属細線の厚さＨｍa’を表１に示す材料、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度、角度依存性を測定した。結果を表３に示す。

〔例８〕
（光透過性基板の作製）
前記ＰＥＴフィルムの表面に、光硬化性組成物１をスピンコート法により塗布し、厚さ１μｍの光硬化性組成物１の塗膜を形成した。
複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（５０ｍｍ×５０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１２０ｎｍ、溝の幅Ｄｐ：４０ｎｍ、溝の深さＨｐ：６０ｎｍ、溝の長さ：５０ｍｍ、溝の断面形状：矩形。）を、溝が光硬化性組成物１の塗膜に接するように、２５℃にて０．５ＭＰａ（ゲージ圧）で光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた。

該状態を保持したまま、石英製モールド側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ。）の光を１５秒間照射し、光硬化性組成物１を硬化させて、石英製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：１２０ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：４０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：６０ｎｍ。）を作製した。光透過性基板から石英製モールドをゆっくり分離した。

（金属細線の形成）
各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される金属細線の厚さＨｍａ’を表１に示す材料、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度、角度依存性を測定した。結果を表３に示す。

〔例９〜１２〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される下地層または金属細線の厚さＨｍａ’を表１に示す材料、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表３に示す。

〔例１３〕
（光透過性基板の作製）
モールドとして、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（２０ｍｍ×２０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１００ｎｍ、溝の幅Ｄｐ：３６ｎｍ、溝の深さＨｐ：９４ｎｍ、溝の長さ：１０ｍｍ、溝の断面形状：矩形）を用いた以外は、例１と同様にして石英製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：１００ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：３６ｎｍ、凸条の高さＨｐ：９４ｎｍ。）を作製した。

（金属細線の形成）
各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される金属細線の厚さＨｍａ’を表１に示す材料、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度、角度依存性を測定した。結果を表３に示す。

〔例１４〜１６〕
例８と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｌまたはθ^Ｒおよび１回の蒸着で形成される下地層または金属細線の厚さＨｍａ’を表１に示す材料、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属細線の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表３に示す。

例１〜８は、凸条の第１の側面および第２の側面にアルミニウムが蒸着されていないため、高い偏光度、ｐ偏光透過率およびｓ偏光反射率を示した。
例９は、凸条の第１の側面および第２の側面にアルミニウムが蒸着され、底面に形成されたアルミニウム細線３０と連続したため、測定不可能であった。
例１０、１１は、下地層の高さＨｍａ１が高すぎたため、ｐ偏光透過率が低下した。
例１２は、金属細線の高さＨｍａ’（Ｈｍａ２）が高すぎ、凸条の第１の側面および第２の側面にアルミニウムが厚く蒸着されたため、評価できなかった。
例１３は、非特許文献１の実験例（Ｆｉｇ２、Ｆｉｇ３）に相当する例であり、下地層を形成せずに一度の蒸着で第１の金属細線および第２の金属細線を形成しているため、第２の金属細線が、溝の底面をほぼ覆い隠してしまい、ｐ偏光透過率が低下した。なお、表２の例１３においては、Ｄｍａ1の値は、第１の金属細線が凸条１２の第１の側面１８よりも外側に突出した部分の幅を記載し、Ｄｍａ２の値は、第２の金属細線が凸条１２の第２の側面２０よりも外側に突出した部分の幅を記載した。
例１４は、凸条の第１の側面および第２の側面にアルミニウムが薄く蒸着されたため、ｐ偏光透過率が低下した。
例１５は、下地層の高さＨｍａ１が高すぎたため、短波長側のｐ偏光透過率が低下した。また、Ｈｍａ２の高さが不足しているため偏光度、ｓ偏光反射率ともに低下した。
例１６は、Ｈｍａ２の高さが高すぎるため、ｐ偏光の透過率の波長分散が大きくなり、短波長側のｐ偏光透過率が低下した。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置の偏光子として有用である。
なお、２００８年４月８日に出願された日本特許出願２００８−１００５５３号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１０ ワイヤグリッド型偏光子
１２ 凸条
１４ 光透過性基板
１６ 上面
１８ 第１の側面
２０ 第２の側面
２２ 下地層
２２ａ 第１の下地層
２２ｂ 第２の下地層
２４ 第１の金属細線
２６ 溝
２８ 底面
３０ 第２の金属細線
３２ 第１のヒサシ部
３４ 第２のヒサシ部

Claims (9)

1. 表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板と、該光透過性基板の凸条の上面、ならびに該凸条の長さ方向に延びる２つの側面である第１の側面および第２の側面の上縁部を被覆する下地層と、該下地層の上面に形成された金属または金属化合物からなる第１の金属細線と、前記凸条間の溝の底面に形成された金属または金属化合物からなる第２の金属細線とを有するワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、
   前記下地層、第１の金属細線および第２の金属細線を、下記の条件（Ａ）〜（Ｆ）を満足する蒸着法で形成する、ことを特徴とするワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
   （Ａ）前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向から前記凸条の上面および第１の側面に下地層材料を少なくとも１回蒸着する。
   （Ｂ）前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向から前記条件（Ａ）の蒸着で形成された下地層の上面および前記凸条の第２の側面に下地層材料を少なくとも１回蒸着する。
   （Ｃ）前記条件（Ａ）の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（Ｉ）を満足し、前記条件（Ｂ）の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（II）を満足する。
   ６０゜≦θ^Ｌ＜９０゜ ・・・（Ｉ）、
   ６０゜≦θ^Ｒ＜９０゜ ・・・（II）。
   （Ｄ）前記条件（Ａ）の蒸着および前記条件（Ｂ）の蒸着で形成される下地層の高さＨｍａ１が、下式（III）を満足する。
   １ｎｍ≦Ｈｍａ１≦２０ｎｍ ・・・（III）。
   （Ｅ）前記条件（Ａ）の蒸着および前記条件（Ｂ）の蒸着を行った後に、前記下地層の上面および前記凸条間の溝の底面に金属または金属化合物を蒸着する。
   （Ｆ）前記条件（Ｅ）の蒸着で形成される第１の金属細線の高さＨｍａ２および前記凸条の高さＨｐが、下式（IV）を満足する。
   ４０ｎｍ≦Ｈｍａ２≦０．９×Ｈｐ ・・・（IV）。
2. 前記凸条のピッチＰｐが、３００ｎｍ以下である、請求項１に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
3. 前記凸条の幅Ｄｐと前記Ｐｐの比（Ｄｐ／Ｐｐ）が、０．１〜０．６である、請求項１または２に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
4. 前記Ｈｐが、３０〜５００ｎｍである、請求項１〜３のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
5. 前記第２の金属細線の幅Ｄｍｂおよび前記凸条間の溝の幅（Ｐｐ−Ｄｐ）が、下式（１−１）を満足する、請求項１〜４のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
   ０．４５×（Ｐｐ−Ｄｐ）≦Ｄｍｂ≦０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（１−１）。
6. 前記第２の金属細線の高さＨｍｂおよび前記Ｈｐが、下式（２−１）を満足する、請求項１〜５のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
   ４０ｎｍ≦Ｈｍｂ＜Ｈｐ ・・・（２−１）。
7. 前記下地層が前記凸条の第１の側面よりも外側に突出した部分の幅Ｄｍａ１、および前記下地層が前記凸条の第２の側面よりも外側に突出した部分の幅Ｄｍａ２が、それぞれ、５ｎｍ〜２０ｎｍである、請求項１〜６のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
8. 前記下地層材料が、金属、金属化合物または金属酸化物である、請求項１〜７のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
9. 前記第１の金属細線および前記第２の金属細線が、銀、アルミニウム、クロムまたはマグネシウムである、請求項１〜８のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。

Images