JP5590039B2 - ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法に関する。

液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置に用いられる、可視光領域で偏光分離能を示す偏光子（偏光分離素子ともいう。）としては、ワイヤグリッド型偏光子がある。
ワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板上に複数の金属細線が互いに平行に配列した構造を有する。金属細線のピッチが入射光の波長よりも充分に短い場合、入射光のうち、金属細線に直交する電場ベクトルを有する成分（すなわちｐ偏光）は透過し、金属細線と平行な電場ベクトルを有する成分（すなわちｓ偏光）は反射される。
可視光領域で偏光分離能を示すワイヤグリッド型偏光子としては、以下のものが知られている。
（１）光透過性基板上に所定のピッチで金属細線が形成されたワイヤグリッド型偏光子（特許文献１参照）。
（２）光透過性基板の表面に所定のピッチで形成された複数の凸条の上面および側面が、金属または金属化合物からなる材料膜で被覆されて金属細線をなしているワイヤグリッド型偏光子（特許文献２参照）。
（３）表面に複数の凸条が所定のピッチで形成された光透過性基板の凸条に金属の板状体を形成し、金属細線としたワイヤグリッド型偏光子（特許文献４参照）。
（４）表面に複数の凸条が所定のピッチで形成された光透過性基板の凸条に金属層を形成し、金属細線としたワイヤグリッド型偏光子（特許文献３参照）。

しかし、（１）のワイヤグリッド型偏光子は、金属細線をリソグラフィで形成しているため生産性が低い。
（２）、（３）、（４）のワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線が形成された面側（以下、表面側と記す。）とは反対側の面側（以下、裏面側と記す。）においてもＳ偏光の反射が起こる。ワイヤグリッド型偏光子の裏面側には、液晶表示装置であれば、液晶パネルが配置されるため、ワイヤグリッド型偏光子の裏面側で反射したＳ偏光が液晶パネルに入射すると、液晶パネルで表示される画像のコントラストが低下する。

特開２００５−０７０４５６号公報 特開２００６−００３４４７号公報 特開２００５−１８１９９０号公報 国際公開第２００６／０６４６９３号パンフレット

本発明は、偏光度およびｐ偏光透過率が高く、裏面ｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法を提供する。

本発明は、以下の要旨を有する。
（１）底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、前記凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面の全部を被覆する、金属からなり、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層とを有する、ワイヤグリッド型偏光子。
（２）凸条の２つの側面を被覆する、金属からなり、２つの側面において凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層を有する、（１）に記載のワイヤグリッド型偏光子。
（３）前記凸条の長さ方向に直交する断面形状が、三角形または台形である、（１）または（２）に記載のワイヤグリッド型偏光子。
（４）凸条の高さの半分の位置から底部までの金属層の被覆厚さの最大値をＤａ１とし、凸条の高さの半分の位置から頂部までの金属層の被覆厚さの最大値をＤｒ１としたとき、Ｄｒ１>Ｄａ１であり、Ｄｒ１が２０〜８０ｎｍ、Ｄａ１が４〜２５ｎｍである、（１）または（２）に記載のワイヤグリッド型偏光子。
（５）Ｄｒ１／Ｄａ１が、２．５〜１０である、（４）に記載のワイヤグリッド型偏光子。
（６）（２）に記載のワイヤグリッド型偏光子であって、凸条の長さ方向に沿った２つの側面に被覆された金属層の凸条の高さの半分の位置から底部までの金属層の被覆厚さの最大値をそれぞれＤａ１、Ｄａ２とし、凸条の高さの半分の位置から頂部までの金属層の被覆厚さの最大値をそれぞれＤｒ１、Ｄｒ２としたとき、Ｄｒ１>Ｄａ１、かつＤｒ２>Ｄａ２であり、Ｄｒ１が１０〜４５ｎｍ、Ｄｒ２が１０〜４５ｎｍ、Ｄａ１が４〜２５ｎｍ、Ｄａ２が４〜２５ｎｍ、である、ワイヤグリッド型偏光子。
（７）Ｄｒ１／Ｄａ１が、１．５〜６であり、Ｄｒ２／Ｄａ２が、１．５〜６である（６）に記載のワイヤグリッド型偏光子。
（８）金属層が、凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面に隣接する平坦部の一部を被覆する、（１）〜（７）のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
（９）凸条の高さＨｐが、２５０〜４００ｎｍである、（１）〜（８）のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
（１０）下式から計算した偏光度が、９９．５％以上である、（１）〜（９）のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
偏光度＝（（Ｔｐ−Ｔｓ）／（Ｔｐ＋Ｔｓ）） ^０．５ ×１００
ただし、Ｔｐは、表面ｐ偏光透過率であり、Ｔｓは、表面ｓ偏光透過率である。

（１１）底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、前記凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面を被覆する、金属または金属化合物からなる金属層とを有する、ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｒ１）と、前記工程（１Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して前記金属層を形成する工程（１Ｒ２）とを有する、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ａ）
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ （ｂ）
式（ａ）において、Ｐｐは凸条間のピッチを、Ｄｐｂは凸条の底部の幅を、Ｈｐは凸条の高さを示す。

（１２）凸条の２つの側面を被覆する、金属または金属化合物からなる金属層を有する、（１１）に記載のワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｒ１）と、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｌ１）と、前記工程（２Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｒ２）と、前記工程（２Ｌ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して前記金属層を形成する工程（２Ｌ２）とを有する、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｃ）
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｄ）
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ （ｅ）
θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ （ｆ）
式（ｃ）および式（ｄ）において、Ｐｐは凸条間のピッチを、Ｄｐｂは凸条の底部の幅を、Ｈｐは凸条の高さを示す。

（１３）前記工程（１Ｒ１）を蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、前記工程（１Ｒ２）を蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行う、（１１）に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
（１４）前記工程（２Ｒ１）および前記工程（２Ｌ１）を蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、前記工程（２Ｒ２）および前記工程（２Ｌ２）を蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で行う、（１２）に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
（１５）前記凸条が、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂からなり、インプリント法で形成される、（１１）または（１２）に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
本明細書において、「〜」とは、特段の定めがない限り、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、偏光度およびｐ偏光透過率が高く、裏面ｓ偏光反射率が低い。
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法によれば、偏光度およびｐ偏光透過率が高く、裏面ｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子を生産性よく製造できる。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の一例を示す斜視図である。 本発明のワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 本発明のワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 光透過性基板の一例を示す斜視図である。

＜ワイヤグリッド型偏光子＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、前記凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面を被覆する、金属または金属化合物からなり、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層とを有するものである。

（光透過性基板）
光透過性基板は、ワイヤグリッド型偏光子の使用波長範囲において光透過性を有する基板である。光透過性とは、光を透過することを意味し、使用波長範囲は、具体的には、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である。好ましくは、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲における平均光透過率が、８５％以上の光透過性基板である。

本発明において凸条とは、光透過性基板の主表面（平坦部）から立ち上がり、かつその立ち上がりが一方向に伸びている部分をいう。凸条は光透過性基板の主表面と一体で光透過性基板の表面部分と同じ材料からなっていてもよく、光透過性基板の主表面部分と異なる光透過性材料からなっていてもよい。凸条は光透過性基板の主表面と一体で、かつ光透過性基板の主表面部分と同じ材料からなっていることが好ましく、光透過性基板の少なくとも主表面部分を成形することにより形成された凸条であることが好ましい。

複数の凸条は、凸条毎の対応する側面が実質的に平行に形成されていればよく、完全に平行に形成されてなくてもよい。また、各凸条は、面内において光学的な異方性を最も発現しやすい直線が好ましいが、隣接する凸条が接触しない範囲で曲線または折れ線であってもよい。
凸条は、その長さ方向と光透過性基板の主表面とに直交する方向の断面の形状が長さ方向にわたってほぼ一定であり、複数の凸条においてもそれらの断面形状はすべてほぼ一定であることが好ましい。凸条の断面形状は、底部（すなわち光透過性基板の主表面）から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状である。具体的な断面形状としては、たとえば、三角形、台形、矩形状等が挙げられる。該断面形状は、角や辺（側面）が曲線状であってもよい。また、平行または略平行に光透過性基板の表面に形成された複数の凸条間のピッチの幅、すなわち平坦部の幅は、それぞれ一定であっても、あるいは一部あるいは全域に渡り異なる所定の幅としてもよい。
凸条の断面形状を、底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形とすることにより、凸条の断面形状が矩形状である場合に比べて、金属層を形成した後の凸条の間隔を充分に確保でき、ｐ偏光の高透過率を実現できる。

本発明において、凸条の頂部とは、前記断面形状の最も高い部分が長さ方向に連なった部分を意味する。凸条の頂部は面であっても線であってもよい。たとえば、断面形状が台形の場合には頂部は面をなし、断面形状が三角形の場合には頂部は線をなす。本発明において、凸条の頂部以外の表面を凸条の側面という。なお、隣接する２つの凸条間の面（すなわち隣接する２つの凸条から形成される溝の平坦部）は凸条の表面ではなく、光透過性基板の主表面とみなす。

光透過性基板の材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、後述するインプリント法にて凸条を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸条を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。光硬化樹脂としては、生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化しうる光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化樹脂が好ましい。

光硬化性組成物としては、光硬化後の硬化膜の水に対する接触角が９０°以上となるものが好ましい。該硬化膜の水に対する接触角が９０°以上であれば、光インプリント法により凸条を形成する際、モールドとの離型性がよくなり、精度の高い転写が可能となり、得られるワイヤグリッド型偏光子が目的とする性能を充分に発揮できる。また、該接触角が高くても金属層の付着には支障がない。

（金属細線）
凸条に存在する金属層は、凸条の長さ方向に延びる所定の幅をもった線条をなしており、ワイヤグリッド型偏光子を構成する金属細線に相当する。
金属層は、凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面を被覆し、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい。凸条の高さの半分の位置から頂部までを被覆する金属層が表面ｓ偏光反射率の向上に寄与し、凸条の高さの半分の位置から底部までを被覆する金属層が裏面ｓ偏光反射率の低下に寄与すると考えられる。
金属層は、裏面ｓ偏光反射率がより低くなる点から、凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面の全部を被覆することが好ましい。
金属層は、凸条の頂部の一部もしくは全部を被覆してもよい。また、金属層は、凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面に隣接する平坦部の一部を被覆してもよい。
凸条の側面を被覆する金属層は、連続しているのが通例である。凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面は、金属層によって連続的に被覆されていることが好ましいが、製造上の問題等によりごく一部の側面が金属層によって被覆されない場合もある。該場合であっても、少なくとも一方の側面が金属層によってほぼ連続的に被覆されていれば、少なくとも一方の側面が金属層によって連続的に被覆されているとみなす。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、凸条の長さ方向に沿った２つの側面を被覆する、金属または金属化合物からなり、２つの側面の各面において凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層を有することが好ましい。
凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層が、凸条の片側の側面だけでなく両側の側面に形成されると、ｓ偏光の透過率が抑制され、消光比を向上できる。

金属層の材料は、充分な導電性を有する金属材料であればよく、耐蝕性等の特性も考慮された材料が好ましい。金属材料としては、金属または金属化合物が挙げられる。
金属層の材料としては、可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、銀合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金などが好ましく、アルミニウム、アルミニウム系合金が特に好ましい。

＜ワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板を作製した後、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層を形成することによって製造される。

（光透過性基板の作製）
光透過性基板の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法、熱インプリント法。）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸条を生産性よく形成できる点および光透過性基板を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸条をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。

光インプリント法は、たとえば、電子線描画とエッチングとの組み合わせにより、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを作製し、該モールドの溝を、任意の基材の表面に塗布された光硬化性組成物に転写し、同時に該光硬化性組成物を光硬化させる方法である。

光インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iv）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）光硬化性組成物を基材の表面に塗布する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを、溝が光硬化性組成物に接するように、光硬化性組成物に押しつける工程。
（iii）モールドを光硬化性組成物に押しつけた状態で放射線（たとえば、紫外線、電子線等。）を照射して光硬化性組成物を硬化させて、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。
（iv）光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、得られた、基材上の光透過性基板は、基材と一体のまま後述の金属層の形成を行うことができる。また必要により金属層の形成後に光透過性基板と基材を分離することができる。さらに、基材上に作製された光透過性基板を基材から分離した後、後述の金属層の形成を行うことができる。

熱インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）基材の表面に熱可塑性樹脂の被転写膜を形成する工程、または熱可塑性樹脂の被転写フィルムを作製する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ一定のピッチで形成されたモールドを、溝が被転写膜または被転写フィルムに接するように、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）または融点（Ｔｍ）以上に加熱した被転写膜または被転写フィルムに押しつけ、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。
（iii）光透過性基板をＴｇまたはＴｍより低い温度に冷却して光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、得られた、基材上の光透過性基板は、基材と一体のまま後述の金属層の形成を行うことができる。また必要により金属層の形成後に光透過性基板と基材を分離することができる。さらに、基材上に作製された光透過性基板を基材から分離した後、後述の金属層の形成を行うことができる。

インプリント法に用いられるモールドの材料としては、シリコン、ニッケル、石英、樹脂等が挙げられ、転写精度の点から、樹脂が好ましい。樹脂としては、フッ素系樹脂（たとえばエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等。）、環状オレフィン、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる、モールドの精度の点から、光硬化性のアクリル樹脂が好ましい。樹脂モールドは、転写の繰り返し耐久性の点から、表面に厚さ２〜１０ｎｍの無機膜を有することが好ましい。無機膜としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の酸化膜が好ましい。

（金属層の形成）
金属層は、蒸着法で形成されることが好ましい。蒸着法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）または化学蒸着法（ＣＶＤ）が挙げられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法が好ましく、真空蒸着法が特に好ましい。真空蒸着法は、付着させる微粒子の光透過性基板に対する入射方向を制御することが容易であり、後述の斜方蒸着法を行うことが容易である。金属層の形成は、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくなるように選択的に金属または金属化合物を蒸着して形成する必要があるため、蒸着法としては、真空蒸着法による斜方蒸着法が最も好ましい。

具体的には、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｒ１）と、工程（１Ｒ１）の後、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（１Ｒ２）を採用することにより、目的の金属層を形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ａ）
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ （ｂ）
式（ａ）において、Ｐｐは凸条のピッチを、Ｄｐｂは凸条の底部の幅を、Ｈｐは凸条の高さを示す。

本明細書において、θ±１０は、（θ−１０）以上（θ＋１０）以下の範囲を示す。その他同様の記載においても同じである。
本明細書において、「略直交し」また「略直交する」とは、方向Ｌと方向Ｖ１（または方向Ｖ２）のなす角度が８５〜９５度の範囲にあることを意味する。（なお、方向Ｌ、方向Ｖ１および方向Ｖ２については、図４参照。）
蒸着量は、凸条に金属層を形成する際に、凸条が形成されていない領域（すなわち平坦な平板部分）の表面に金属または金属化合物を蒸着して形成される金属層の厚さを意味する。

また、凸条の長さ方向に沿った２つの側面を被覆する、金属または金属化合物からなる金属層を形成する場合には、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｒ１）と、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｌ１）と、工程（２Ｒ１）の後、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｒ２）と、工程（２Ｌ１）の後、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して金属層を形成する工程（２Ｌ２）を採用することにより、目的の金属層を形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｃ）
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｄ）
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ （ｅ）
θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ （ｆ）
式（ｃ）および式（ｄ）において、Ｐｐは凸条間のピッチを、Ｄｐｂは凸条の底部の幅を、Ｈｐは凸条の高さを示す。

＜ワイヤグリッド型偏光子の実施形態＞
以下、本発明のワイヤグリッド型偏光子の実施形態を、図を用いて説明する。以下の図は模式図であり、実際のワイヤグリッド型偏光子は、図示したような理論的かつ理想的形状を有するものではない。たとえば、実際のワイヤグリッド型偏光子においては、凸条等の形状の崩れが多少あり、金属層の厚さの不均一も少なからず生じている。
なお、本発明における凸条および金属層の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の走査型電子顕微鏡像または透過型電子顕微鏡像において、５つの凸条および該凸条上の金属層における各寸法を測定し、５つの値を平均したものとする。

〔第１の実施形態〕
図１は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第１の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６を被覆する、金属または金属化合物からなる第１の金属層２０であって、凸条１２の高さの半分の位置（図１において点線Ａで示す。）から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい第１の金属層２０とを有する。第１の金属層２０は凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。

（光透過性基板）
Ｐｐは、凸条１２の底部の幅Ｄｐｂと、凸条１２間に形成される平坦部１３の幅との合計である。Ｐｐは、３００ｎｍ以下が好ましく、５０〜２５０ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高い表面ｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。また、Ｐｐが５０〜２００ｎｍであれば、蒸着によって各層を形成しやすい。

ＤｐｂとＰｐの比（Ｄｐｂ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｐｂ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｐｂ／Ｐｐを０．７以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
Ｄｐｂは、蒸着によって各層を形成しやすい点から、３０〜１００ｎｍが好ましい。

凸条１２の頂部１９の幅Ｄｐｔは、Ｄｐｂの半分以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。ＤｐｔがＤｐｂの半分以下であれば、ｐ偏光透過率がより高くなり、角度依存性が充分に低くなる。

凸条１２の高さＨｐは、１２０〜１０００ｎｍが好ましい。Ｈｐが１２０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｐが１０００ｎｍ以下であれば、凸条１２を形成しやすい。
凸条１２の高さＨｐは、画像表示装置に用いた際のコントラストの点では、２５０〜１０００ｎｍがより好ましい。斜め方向から見た際のコントラスト低下を抑制するという点では、２５０〜４００ｎｍがさらに好ましい。
凸条１２の高さＨｐは、波長分散が小さくなる点では、１２０〜３００ｎｍが特に好ましい。
また、Ｈｐが８０〜２７０ｎｍであれば、蒸着によって第１の金属層２０を形成しやすい。
第１の側面１６の光透過性基板の平坦部をなす主表面に対する傾斜角θ１および第２の側面１８の光透過性基板の平坦部をなす主表面に対する傾斜角θ２は、３０〜８０°が好ましい。θ１とθ２は、同じであってもよく、異なってもよい。より好ましくは、θ１とθ２のそれぞれの角度は４５〜８０°である。
光透過性基板１４の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。

（第１の金属層）
第１の金属層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分。図１において点線Ａから上の部分を示す。）の被覆厚さ（凸条１２の幅方向の厚さ）の最大値Ｄｒ１は、２０〜８０ｎｍが好ましい。２０〜７５ｎｍが好ましく、３５〜５５ｎｍがより好ましく、４０〜５０ｎｍが特に好ましい。Ｄｒ１が２０ｎｍ以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。Ｄｒ１が８０ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が十分高くなる。
第１の金属層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条１２の下半分）の被覆厚さ（凸条１２の幅方向の厚さ）の最大値Ｄａ１は、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄａ１が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄａ１が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が十分高くなる。

凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１は、下式（ｍ_１）を満足することが好ましい。
０．２×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）≦Ｄｒ１≦０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐｂ） （ｍ_１）
Ｄｒ１が０．２×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）以上であれば、ｓ偏光透過率が低くなって偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１が０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。

凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１と凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条１２の下半分。図１において点線Ａから下の部分を示す。）の被覆厚さの最大値Ｄａ１との比（Ｄｒ１／Ｄａ１）は２．５〜１０が好ましく、３〜８がより好ましい。Ｄｒ１／Ｄａ１が２．５以上であれば偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１／Ｄａ１が１０以下であれば高いｐ偏光透過率を示す。

凸条１２の頂部１９より下方（光透過性基板１４側）に位置する第１の金属層２０の高さＨ２に関して、Ｈ２／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈ２／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈ２／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が十分に低くなる。
凸条１２の頂部１９より上方（光透過性基板１４と逆側）に位置する第１の金属層２０の高さＨ１に関して、Ｈ１／Ｈｐは、０．０５〜０．７が好ましく、０．１〜０．５がより好ましい。Ｈ１／Ｈｐが０．７以下であれば、裏面ｓ偏光反射率が十分に低くなる。Ｈ１／Ｈｐが０．０５以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。

〔第２の実施形態〕
図２は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第２の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６を被覆する、金属または金属化合物からなる第１の金属層２０であって、凸条１２の高さの半分の位置（図２において点線Ａで示す。）から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい第１の金属層２０と、凸条１２の第２の側面１８を被覆する、金属または金属化合物からなる第２の金属層２５とを有する。
第２の実施形態は第１の実施形態よりも、裏面ｓ偏光反射率が低くなる。
第２の実施形態において、第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

（第２の金属層）
第２の金属層２５の、凸条１２の幅方向の厚さの最大値Ｄａ２は、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄａ２が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄａ２が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が十分高くなる。

第２の金属層２５の高さＨ３（凸条１２の頂部より下方、すなわち図２において点線Ａで示す位置より下方に位置する第２の金属層２５の高さ）に関して、Ｈ３／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈ３／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈ３／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。

〔第３の実施形態〕
図３は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第３の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６を被覆する、金属または金属化合物からなる第１の金属層２０であって、凸条１２の高さの半分の位置（図３において点線Ａで示す。）から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい第１の金属層２０と、凸条１２の第２の側面１８を被覆する、金属または金属化合物からなる第２の金属層２５であって、凸条１２の高さの半分の位置（図３において点線Ａで示す位置）から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい第２の金属層２５とを有する。
第３の実施形態は第１の実施形態および第２の実施形態よりも、裏面ｓ偏光反射率が低くなる。
第３の実施形態においては、第１〜２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

（第１の金属層）
第１の金属層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分。図３において点線Ａから上の部分を示す。）の被覆厚さ（凸条１２の幅方向の厚さ）の最大値Ｄｒ１は、５０ｎｍ以下が好ましい。１０〜４５ｎｍが好ましく、１５〜３５ｎｍがより好ましい。Ｄｒ１が１０ｎｍ以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。Ｄｒ１が５０ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率を十分高くなる。
第１の金属層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条１２の下半分。図３において点線Ａから上の部分を示す。）の被覆厚さ（凸条１２の幅方向の厚さ）の最大値Ｄａ１についての好ましい態様は、第１の実施形態と同様であり、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄａ１が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄａ１が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が十分高くなる。
凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１は、下式（ｍ_２）を満足することが好ましい。
０．２×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）≦Ｄｒ１≦０．５×（Ｐｐ−Ｄｐｂ） （ｍ_２）
Ｄｒ１が０．２×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）以上であれば、ｓ偏光透過率が低くなって偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１が０．５×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。
凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１と凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条１２の下半分）の被覆厚さの最大値Ｄａ１との比（Ｄｒ１／Ｄａ１）は１．５〜６が好ましく、２〜４がより好ましい。Ｄｒ１／Ｄａ１が１．５以上であれば偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１／Ｄａ１が６以下であれば高いｐ偏光透過率を示す。

凸条１２の頂部１９より下方に位置する第１の金属層２０の高さＨ２に関して、Ｈ２／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈ２／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈ２／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が十分に低くなる。
凸条１２の頂部１９より上方に位置する第１の金属層２０の高さＨ１に関して、Ｈ１／Ｈｐは、０．０５〜０．７が好ましく、０．１〜０．５がより好ましい。Ｈ１／Ｈｐが０．７以下であれば、裏面ｓ偏光反射率が十分に低くなる。Ｈ１／Ｈｐが０．０５以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。

第２の金属層２５の好ましい態様は、第１の金属層２０の好ましい態様と同様である。
前述した本発明の第１〜３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の図１〜３の説明において、凸条の第１の側面を同凸条の右側の面とし、この第１の側面１６に第１の金属層２０を形成した例について、また図２、図３においては、凸条の第１の側面１６を同凸条の右側の面とし、この第１の側面１６に第１の金属層２０を形成するとともに、凸条の第２の側面１８を同凸条の左側の面とし、この第２の側面１８に第２の金属層２５を形成した例について説明したが、勿論凸条の第１の側面と第２の側面を読み替えて、各図面の凸条の第１の側面を同凸条の左側の面とし、凸条の第２の側面を同凸条の右側の面としてもよい。
なお、上記したように凸条の長さ方向に沿った左右の側面の第１及び第２の側面の読み替えても、それぞれの側面に被覆された金属層の被覆厚さに関し、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値を凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくするということに関しては、同様である。
また、同様に、本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においても、凸条の第１の側面を右側の面、第２の側面を左側の面として取り扱っても、また凸条の第１の側面を左側の面、第２の側面を右側の面として取り扱ってもよい。

＜各実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
〔第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の第１の側面１６の表面に第１の金属層の下層２１を形成する工程（１Ｒ１）と、工程（１Ｒ１）の後、凸条１２の第１の側面１６の表面および／または第１の金属層の下層２１の表面に第１の金属層の上層２２を形成する工程（１Ｒ２）を実施することによって製造できる。

蒸着源としては、金属材料（アルミニウム、銀、マグネシウム、クロム、アルミニウム系合金、銀系合金、マグネシウム合金、クロム合金等。）が挙げられ、可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、マグネシウムが好ましく、アルミニウム、アルミニウム系合金が特に好ましい。

（第１の金属層の下層の形成）
第１の金属層の下層２１は、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下記式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｒ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ａ）
角度θ^Ｒ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ａ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。
蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件とは、凸条に金属層を形成する際に、凸条が形成されていない領域（平坦な平板部分）の表面に金属または金属化合物を蒸着して形成される金属層の厚さｔが４〜２５ｎｍとなるような条件を意味する。
なお、かかる蒸着量の条件の条件出しについては、予め別途用意された条件出し用の光透過性基板の平坦部分に対し所定の金属層形成用の金属または金属化合物を所定の方向から蒸着して当該平坦部に予め決められた所定の厚さの金属層が得られる蒸着条件を見出すという方法を採用することができる。

（第１の金属層の上層の形成）
第１の金属層の上層２２は、工程（１Ｒ１）の後、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下記式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（１Ｒ２）を実施することにより形成できる。
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ （ｂ）
角度θ^Ｒ _２（°）は、θ^Ｒ _１＋６≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２５を満たすことが好ましく、θ^Ｒ _１＋１０≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０を満たすことがより好ましい。
蒸着は、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、３０〜６０ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で、式（ｂ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。

〔第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、第１の実施形態の製造方法に、下記の工程を加えることによって製造できる。
任意の段階で、光透過性基板１４の凸条１２の第２の側面１８の表面に第２の金属層２５を形成する工程（１Ｌ１）。
該工程は、（１Ｒ１）と工程（１Ｒ２）の間に行うことが好ましい。
第２の実施形態において、第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成の形成工程については、説明を省略する。

（第２の金属層の形成）
第２の金属層２５は、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下記式（ｇ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向Ｖ２から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｌ１）を実施することにより形成するのが好ましい。
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｇ）
角度θ^Ｌ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましい。
蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｇ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。

〔第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の第１の側面１６の表面に第１の金属層の下層２１を形成する工程（２Ｒ１）と、光透過性基板１４の凸条１２の第２の側面１８の表面に第２の金属層の下層２６を形成する工程（２Ｌ１）と、工程（２Ｒ１）の後、凸条１２の第１の側面１６の表面および／または第１の金属層の下層２１の表面に第１の金属層の上層２２を形成する工程（２Ｒ２）と、工程（２Ｌ１）の後、凸条１２の第２の側面１８の表面および／または第２の金属層の下層２６の表面に第２の金属層の上層２７を形成する工程（２Ｌ２）と、を実施することによって製造できる。
工程（２Ｒ１）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｒ２）、工程（２Ｌ２）の順に行うのが好ましく、工程（２Ｒ１）、工程（２Ｒ２）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｌ２）の順に行ってもよく、工程（２Ｒ１）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｌ２）、工程（２Ｒ２）の順に行ってもよい。
第３の実施形態において、第１および第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成の形成工程については、説明を省略する。

（第１の金属層の下層の形成）
第１の金属層の下層２１は、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下記式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｒ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｃ）
角度θ^Ｒ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｃ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。

（第２の金属層の下層の形成）
第２の金属層の下層２６は、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下記式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向Ｖ２から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｌ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｄ）
角度θ^Ｌ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｄ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。工程（２Ｒ１）の後に工程（２Ｌ１）を行い、かつ角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させる場合は、角度を大きくする方向に変化させることが好ましい。

（第１の金属層の上層の形成）
第１の金属層の上層２２は、工程（２Ｒ１）の後、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下記式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｒ２）を実施することにより形成できる。
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ （ｅ）
角度θ^Ｒ _２（°）は、θ^Ｒ _１＋８≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋１８を満たすことが好ましく、θ^Ｒ _１＋１０≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋１５を満たすことが好ましい。
蒸着は、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が１０〜５０ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、１０〜３５ｎｍとなる条件で行うのがより好ましく、１０〜２５ｎｍとなる条件で行うのがさらに好ましく、１５〜２０ｎｍとなる条件で行うのが特に好ましい。トータルの蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｅ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。工程（２Ｒ２）の後に、後述する工程（２Ｌ２）を行い、かつ角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。

（第２の金属層の上層の形成）
第２の金属層の上層２７は、工程（２Ｌ１）の後、図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下記式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向Ｖ２から金属または金属化合物を、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｌ２）を実施することにより形成できる。
θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ （ｆ）
角度θ^Ｌ _２（°）は、θ^Ｌ _１＋３≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋１８を満たすことが好ましく、θ^Ｌ _１＋５≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋１５を満たすことが好ましい。
蒸着は、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が１０〜５０ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、１０〜３５ｎｍとなる条件で行うのがより好ましく、１０〜２５ｎｍとなる条件で行うのがさらに好ましく、１５〜２０ｎｍとなる条件で行うのが特に好ましい。トータルの蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｆ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。工程（２Ｒ２）の後に工程（２Ｌ２）を行い、角度θ^Ｌ _２（°）を連続的に変化させる場合は、角度を大きくする方向に変化させることが好ましい。

第１〜３の実施形態の製造方法における角度θ^Ｒ（θ^Ｌ）は、たとえば、下記の蒸着装置を用いることによって調整できる。
凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６（第２の側面１８）の側に角度θ^Ｒ（θ^Ｌ）をなす方向Ｖ１（Ｖ２）の延長線上に蒸着源が位置するように、蒸着源に対向して配置された光透過性基板１４の傾きを変更できる蒸着装置。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
例１〜１５、２１〜３６は実施例であり、例１６〜２０、３７は比較例である。
（凸条および各層の各寸法）
凸条および各層の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡像において、５つの凸条および該凸条上の各層における各寸法を測定し、５つの値を平均して求めた。

（ｐ偏光透過率）
ｐ偏光透過率は、紫外可視分光光度計（ＪＡＳＣＯ社製、Ｖ−７２００）を用いて測定した。測定は、付属の偏光子を、光源とワイヤグリッド型偏光子との間に、ワイヤグリッド型偏光子の金属細線の長軸に吸収軸が並行な向きにセットし、ワイヤグリッド型偏光子の表面側（凸条が形成された側）または裏面側（凸条が形成されていない側）から偏光を入射して行った。測定波長は、４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、７００ｎｍとした。
ｐ偏光透過率が、７０％以上をＳとし、６０％以上７０％未満をＡとし、５０％以上６５％未満をＢとし、５０％未満をＸとした。

（ｓ偏光反射率）
ｓ偏光反射率は、紫外可視分光光度計（ＪＡＳＣＯ社製、Ｖ−７２００）を用いて測定した。測定は、付属の偏光子を、光源とワイヤグリッド型偏光子との間に、ワイヤグリッド型偏光子の金属細線の長軸に吸収軸が直行する向きにセットし、ワイヤグリッド型偏光子の表面または裏面に対し、５度の角度で偏光を入射して行った。測定波長は、４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、７００ｎｍとした。
表面ｓ偏光反射率が、８０％以上をＳとし、７０％以上８０％未満をＡとした。
また、裏面ｓ偏光反射率が、２０％未満をＳとし、２０％以上４０％未満をＡとし、４０％以上５０％未満をＢとし、５０％以上をＸとした。

（偏光度）
偏光度は、下式から計算した。
偏光度＝（（Ｔｐ−Ｔｓ）／（Ｔｐ＋Ｔｓ））^０．５×１００
ただし、Ｔｐは、表面ｐ偏光透過率であり、Ｔｓは、表面ｓ偏光透過率である。
偏光度が９９．５％以上をＳとし、９９．０％以上９９．５％未満をＡとし、９８．０％以上９９．０％未満をＢとし、９８．０％未満をＸとした。

（輝度）
輝度は以下の方法で測定した。
２インチサイズのＬＥＤサイドライト型バックライト上に、ワイヤグリッド型偏光子、液晶セルを順に重ねた。ワイヤグリッド型偏光子は、裏面側が液晶セル側になるように設置した。液晶セルとしては、上側にのみヨウ素系偏光板を備えたものを用いた。
暗室内でバックライトおよび液晶セルを立ち上げた。液晶セルの全面の表示を白色表示とし、点灯１０分後の中心輝度Ｂ３１を、色彩輝度計（トプコン社製、ＢＭ−５ＡＳ）を用いて視野角０．１°で測定した。ついで、液晶セルの全面の表示を黒表示とし、そのときの輝度Ｂ３２を測定した。
同じバックライトを用い、この上に上側および下側にヨウ素系偏光板を備えた液晶セルを重ねた。暗室内でバックライトおよび液晶セルを立ち上げ、同様に液晶セルの全面の表示を白色表示としたときの中心輝度Ｂ２１を測定した。
上記測定で得られた値を用いて、下式から輝度向上率を求めた。
輝度向上率＝（Ｂ３１−Ｂ２１）／Ｂ２１×１００
輝度向上率が２５％以上をＳとし、２０％以上２５％未満をＡとし、１５％以上２０％未満をＢとし、１５％未満をＸとした。

（コントラスト）
上記測定で得られた値を用いて、下式からコントラストを求めた。
コントラスト＝Ｂ３１／Ｂ３２
コントラストが５００以上をＳとし、３００以上５００未満をＡとし、１００以上３００未満をＢとし、１００未満をＸとした。

（光硬化性組成物の調製）
撹拌機および冷却管を装着した１０００ｍＬの４つ口フラスコに、
単量体１（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＤＰＨ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の６０ｇ、
単量体２（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＮＰＧ、ネオペンチルグリコールジアクリレート）の４０ｇ、
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）の４．０ｇ、
含フッ素界面活性剤（旭硝子社製、フルオロアクリレート（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_８Ｆ）とブチルアクリレートとのコオリゴマー、フッ素含有量：約３０質量％、質量平均分子量：約３０００）の０．１ｇ、
重合禁止剤（和光純薬社製、Ｑ１３０１）の１．０ｇ、および
シクロヘキサノンの６５．０ｇを入れた。

フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化した。ついで、フラスコ内を撹拌しながら、コロイド状シリカの１００ｇ（固形分：３０ｇ）をゆっくりと加え、さらにフラスコ内を常温および遮光にした状態で１時間撹拌して均一化した。ついで、シクロヘキサノンの３４０ｇを加え、フラスコ内を常温および遮光にした状態で１時間撹拌して光硬化性組成物１の溶液を得た。

〔例１〕
（光透過性基板の作製）
厚さ１００μｍの高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポン社製、帝人テトロンＯ３、１００ｍｍ×１００ｍｍ）の表面に、光硬化性組成物１をスピンコート法により塗布し、厚さ５μｍの光硬化性組成物１の塗膜を形成した。
複数の溝が、該溝間に形成される平坦部を介して互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（面積：１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、パターン面積：１００ｍｍ×１００ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１４０ｎｍ、溝の上部の幅Ｄｐｂ：６０ｎｍ、溝の底部の幅Ｄｐｔ：２０ｎｍ、溝の深さＨｐ：２００ｎｍ、溝の長さ：１００ｍｍ、溝の断面形状：略台形）を、溝が光硬化性組成物１の塗膜に接するように、２５℃にて０．５ＭＰａ（ゲージ圧）で光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた。
前記した石英製モールドを光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた状態を保持したまま、ＰＥＴフィルム側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ。）の光を１５秒間照射し、光硬化性組成物１を硬化させ、次いで光透過性基板１から石英製モールドをゆっくり分離した。このようにして、石英製モールドの溝に対応する複数の凸条および該凸条間の平坦部を有する光透過性基板１（凸条のピッチＰｐ：１４０ｎｍ、凸条の底部の幅Ｄｐｂ：６０ｎｍ、凸条の頂部の幅Ｄｐｔ：２０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：２００ｎｍ、θ１およびθ２：８４°）を作製した。

（金属層の形成）
蒸着源に対向する光透過性基板１の傾きを変更可能な真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）を用い、光透過性基板の凸条に斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させ、金属層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。
この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第１の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１（すなわち第１の側面の側）からの１回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行い、ついで、方向Ｖ１からの２回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行った。
なお、蒸着量ｔは、蒸着により凸条が形成されていない平坦な領域に形成される金属層の厚さであり、水晶振動子を膜厚センサーとする膜厚モニターにより測定した。

〔例２〜９〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における方向（Ｖ１またはＶ２）および角度θ^Ｒならびに１回の蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１０〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した。
例１と同じ真空蒸着装置を用い、光透過性基板の凸条に斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させ、金属層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。
この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第１の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１（すなわち第１の側面の側）からの１回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行い、ついで、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第２の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２（すなわち第２の側面の側）からの２回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｌおよび厚さｔで１回行った。さらに、方向Ｖ１からの３回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行った。

〔例１１〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した。
例１と同じ真空蒸着装置を用い、光透過性基板の凸条に斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させ、金属層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。
この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第１の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１（すなわち第１の側面の側）からの１回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行い、ついで、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第２の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２（すなわち第２の側面の側）からの２回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｌおよび厚さｔで１回行った。さらに、方向Ｖ１からの３回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行い、ついで、方向Ｖ２からの４回目の蒸着を、表１に示す角度θ^Ｌおよび厚さｔで１回行った。

〔例１２〜１５〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における方向および角度θ^Ｒ（または角度θ^Ｌ）ならびに１回の蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１６〕
（光透過性基板の作製）
モールドとして、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたシリコン製モールド（面積：２０ｍｍ×２０ｍｍ、パターン面積：１０ｍｍ×１０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：２１５ｎｍ、溝の幅Ｄｐｂ：１１０ｎｍ、溝の深さＨｐ：１５０ｎｍ、溝の長さ：１０ｍｍ、溝の断面形状：略二等辺三角形）を用いた以外は、例１と同様にしてシリコン製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：２１５ｎｍ、凸条の幅Ｄｐｂ：１１０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：１５０ｎｍ。）を作製した。

（金属層の形成）
蒸着の回数、各回の蒸着における方向および角度θ^Ｒ（または角度θ^Ｌ）ならびに１回の蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１７〕
（光透過性基板の作製）
モールドとして、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたシリコン製モールド（面積：２０ｍｍ×２０ｍｍ、パターン面積：１０ｍｍ×１０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１３０ｎｍ、溝の幅Ｄｐｂ：６３ｎｍ、溝の深さＨｐ：１５ｎｍ、溝の長さ：１０ｍｍ、溝の断面形状：略二等辺三角形）を用いた以外は、例１と同様にしてシリコン製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：１３０ｎｍ、凸条の幅Ｄｐｂ：６３ｎｍ、凸条の高さＨｐ：１５ｎｍ。）を作製した。

（金属層の形成）
蒸着の回数、各回の蒸着における方向および角度θ^Ｒ（または角度θ^Ｌ）ならびに１回の蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１８〕
例１７と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における方向および角度θ^Ｒならびに１回の蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１９〕
モールドとして、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたニッケル製モールド（面積：２０ｍｍ×２０ｍｍ、パターン面積：１０ｍｍ×１０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：２００ｎｍ、溝の上部の幅Ｄｐｂ：６５ｎｍ、溝の底部の幅Ｄｐｔ：５０ｎｍ、溝の深さＨｐ：１００ｎｍ、溝の長さ：１０ｍｍ、溝の断面形状：略台形）を用いた以外は、例１と同様にしてニッケル製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：２００ｎｍ、凸条の底部の幅Ｄｐｂ：６５ｎｍ、凸条の頂部の幅Ｄｐｔ：５０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：１００ｎｍ。）を作製した。

（金属層の形成）
蒸着の回数、蒸着における方向および角度θ^Ｒならびに蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例２０〕
モールドとして、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたニッケル製モールド（面積：２０ｍｍ×２０ｍｍ、パターン面積：１０ｍｍ×１０ｍｍ、溝のピッチＰｐ：２００ｎｍ、溝の上部の幅Ｄｐｂ：８０ｎｍ、溝の底部の幅Ｄｐｔ：５０ｎｍ、溝の深さＨｐ：２００ｎｍ、溝の長さ：１０ｍｍ、溝の断面形状：略台形）を用いた以外は、例１と同様にしてニッケル製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：２００ｎｍ、凸条の底部の幅Ｄｐｂ：８０ｎｍ、凸条の頂部の幅Ｄｐｔ：５０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：２００ｎｍ。）を作製した。

（金属層の形成）
蒸着の回数、蒸着における方向および角度θ^Ｒならび蒸着で形成される金属層の厚さｔを表１に示す角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔測定、評価〕
例１〜２０のワイヤグリッド型偏光子について、金属層の各寸法を測定した。結果を表２に示す。
また、例１〜２０のワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度、輝度、コントラストを測定した。結果を表３に示す。

例１〜例１５は、断面略台形の凸条の側面に被覆し、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値Ｄａ１が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値Ｄｒ１よりも小さい金属層を有するため、高い偏光度、ｐ偏光透過率を示し、裏面ｓ偏光反射率が低かった。

例１６は、特許文献２の実施例２に相当する例である。ピッチが大きく、金属層の被覆厚みが一様であるために裏面ｓ偏光反射率が高かった。また、偏光度が低かった。
例１７、１８は、特許文献３の実施例４、５に相当する例である。金属層の被覆厚みが一様であるため、裏面ｓ偏光反射率が高かった。
例１９、２０は、特許文献４の実施例９、１０に相当する例である。金属層の被覆厚みが一様であるため、裏面ｓ偏光反射率が高かった。また、偏光度が低かった。

〔例２１〜２４〕
光透過性基板、蒸着の回数、各回の蒸着における方向および角度θ^Ｒならびに１回の蒸着で形成される金属層の厚さｔを、表４に示す光透過性基板、回数、角度および厚さとした以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例２５〕
例２１と同様にして光透過性基板を作製した。
例２１と同じ真空蒸着装置を用い、光透過性基板の凸条に斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させ、金属層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。
この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第１の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１（すなわち第１の側面の側）からの１回目の蒸着を、表４に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行い、ついで、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して第２の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２（すなわち第２の側面の側）からの蒸着を、表４に示す角度θ^Ｌおよび厚さｔで１回行った。さらに、方向Ｖ１からの２回目の蒸着を、表４に示す角度θ^Ｒおよび厚さｔで１回行い、ついで、方向Ｖ２からの３回目の蒸着を、表４に示す角度θ^Ｌおよび厚さｔで１回行った。

〔測定、評価〕
例２１〜２５のワイヤグリッド型偏光子について、金属層の各寸法を測定した。結果を表４に示す。
また、例２１〜２５のワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度、輝度、コントラストを測定した。結果を表５に示す。

〔例２６〜３７〕
光透過性基板を表６に示す光透過性基板に変更し、蒸着条件を表６に示す金属層が形成される条件に変更した以外は、例２１〜２５と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔測定、評価〕
例２６〜３７のワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表７に示す。
なお、偏光度については、９９．９５％以上をＳとし、９９．９％以上９９．９５％未満をＡとし、９９．５％以上９９．９％未満をＢとし、９９．５％未満をＸとした。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置の偏光子として有用である。
なお、２００９年１０月８日に出願された日本特許出願２００９−２３４４３１号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。

１０ ワイヤグリッド型偏光子、１２ 凸条、１３ 平坦部、１４ 光透過性基板、
１６ 第１の側面、１８ 第２の側面、１９ 頂部、
２０ 第１の金属層、２１ 第１の金属層の下層、２２ 第１の金属層の上層
２５ 第２の金属層、２６ 第２の金属層の下層、２７ 第２の金属層の上層

Claims (15)

1. 底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、
   前記凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面の全部を被覆する、金属からなり、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層と、
   を有する、ワイヤグリッド型偏光子。
2. 凸条の長さ方向に沿った２つの側面を被覆する、金属からなり、２つの側面において凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい金属層を有する、請求項１に記載のワイヤグリッド型偏光子。
3. 前記凸条の長さ方向に直交する断面形状が、三角形または台形である、請求項１または２に記載のワイヤグリッド型偏光子。
4. 凸条の高さの半分の位置から底部までの金属層の被覆厚さの最大値をＤａ１とし、凸条の高さの半分の位置から頂部までの金属層の被覆厚さの最大値をＤｒ１としたとき、Ｄｒ１>Ｄａ１であり、Ｄｒ１が２０〜８０ｎｍ、Ｄａ１が４〜２５ｎｍである、請求項１または２に記載のワイヤグリッド型偏光子。
5. Ｄｒ１／Ｄａ１が、２．５〜１０である、請求項４に記載のワイヤグリッド型偏光子。
6. 請求項２に記載のワイヤグリッド型偏光子であって、凸条の長さ方向に沿った２つの側面に被覆された金属層の凸条の高さの半分の位置から底部までの金属層の被覆厚さの最大値をそれぞれＤａ１、Ｄａ２とし、凸条の高さの半分の位置から頂部までの金属層の被覆厚さの最大値をそれぞれＤｒ１、Ｄｒ２としたとき、Ｄｒ１>Ｄａ１、かつＤｒ２>Ｄａ２であり、Ｄｒ１が１０〜４５ｎｍ、Ｄｒ２が１０〜４５ｎｍ、Ｄａ１が４〜２５ｎｍ、Ｄａ２が４〜２５ｎｍ、である、ワイヤグリッド型偏光子。
7. Ｄｒ１／Ｄａ１が、１．５〜６であり、Ｄｒ２／Ｄａ２が、１．５〜６である請求項６に記載のワイヤグリッド型偏光子。
8. 金属層が、凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面に隣接する平坦部の一部を被覆する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のワイヤグリッド型偏光子。
9. 凸条の高さＨｐが、２５０〜４００ｎｍである、請求項１〜８のいずれか一項に記載のワイヤグリッド型偏光子。
10. 下式から計算した偏光度が、９９．５％以上である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のワイヤグリッド型偏光子。
    偏光度＝（（Ｔｐ−Ｔｓ）／（Ｔｐ＋Ｔｓ）） ^０．５ ×１００
    ただし、Ｔｐは、表面ｐ偏光透過率であり、Ｔｓは、表面ｓ偏光透過率である。
11. 底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、前記凸条の長さ方向に沿った少なくとも一方の側面を被覆する、金属または金属化合物からなる金属層とを有する、ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、
    前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｒ１）と、
    前記工程（１Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して前記金属層を形成する工程（１Ｒ２）とを有する、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
    ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ａ）
    θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ （ｂ）
    式（ａ）において、Ｐｐは凸条のピッチを、Ｄｐｂは凸条の底部の幅を、Ｈｐは凸条の高さを示す。
12. 凸条の長さ方向に沿った２つの側面を被覆する、金属または金属化合物からなる金属層を有する、請求項１１に記載のワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、
    前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｒ１）と、
    前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向から金属または金属化合物を蒸着する工程（２Ｌ１）と、
    前記工程（２Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下記式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｒ２）と、
    前記工程（２Ｌ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向から金属または金属化合物を、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して前記金属層を形成する工程（２Ｌ２）とを有する、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
    ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｃ）
    ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ （ｄ）
    θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ （ｅ）
    θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ （ｆ）
    式（ｃ）および式（ｄ）において、Ｐｐは凸条のピッチを、Ｄｐｂは凸条の底部の幅を、Ｈｐは凸条の高さを示す。
13. 前記工程（１Ｒ１）を蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、前記工程（１Ｒ２）を蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行う、請求項１１に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
14. 前記工程（２Ｒ１）および前記工程（２Ｌ１）を蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、前記工程（２Ｒ２）および前記工程（２Ｌ２）を蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で行う、請求項１２に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
15. 前記凸条が、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂からなり、インプリント法で形成される、請求項１１または１２に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。

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