201124758 六、發明說明： c發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於線柵型偏光片及其製造方法。 發明背景 作為用於液晶顯示裝置、背面投影電視、前投式投影 機等圖像顯示裝置之可在可見光區域顯示偏光分離能之偏 光片（亦稱為偏光分離元件），有線栅型偏光片。 線栅型偏光片具有複數個金屬細線相互平行地排列於 透光性基板上之構造。當金屬細線之間距充分地短於入射 光之波長時，入射光中具有與金屬細線垂直相交之電場向 量之成份（即，P偏光）通過，具有與金屬細線平行之電場向 量之成份（即，s偏光)被反射。 作為在可見光區域顯示偏光分離能之線栅型偏光片， 已知有以下。 (1) 於透光性基板上以預定間距形成有金屬細線之線栅 型偏光片（參照專利文獻1)。 (2) —種線柵型偏光片，係於透光性基板表面以預定間 距形成有複數個凸條，且以由金屬或金屬化合物構成之材 料膜被覆於該複數個凸條的上面及側面，而構成金屬細線 (參照專利文獻2)。 (3) —種線柵型偏光片，係於透光性基板表面以預定間 距形成有複數個凸條，且於該透光性基板之凸條形成金屬 201124758 板狀體，作為金屬細線(參照專利文獻4)。 (4) 一種線柵型偏光片’係於透光性基板表面以預定間 距形成有複數個凸條’且於該透光性基板之凸條形成金屬 層，作為金屬細線(參照專利文獻3)。 然而，（1)之線柵型偏光片由於以微影術形成金屬細 線，故生產性低。 在(2)、（3)、（4)之線栅型偏光片中，在與形成有金屬細 線之面側（以下記載為表面側）為相反側之面側（以下記載為 背面側），亦發生S偏光之反射。在線柵型偏光片之背面側， 由於液晶顯示裝置會配置液晶面板，故當在線柵型偏光片 之为面側反射之S偏光入射至液晶面板時’在液晶面板顯不 之圖像之對比會降低。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :特開第2005-070456號公報 專利文獻2 :特開第2006-003447號公報 專利文獻3 :特開第2005-181990號公報 專利文獻4:國際公開手冊第2006/064693號 C考务明内J 發明概要 發明欲解決之課題 本發明提供偏光度及p偏光透射率高、背面S偏光反射 率低之線柵型偏光片及其製造方法。 用以欲解決課題之手段 201124758 本發明具以下之要旨。 (1) 一種線柵型偏光片，其包含有透光性基板及金屬 層，該透光性基板係於表面以預定間距形成有寬度從底部 往頂部逐漸縮小之複數個凸條，且該複數個凸條隔著於該 凸條間形成之平坦部而相互平行者；金屬層係被覆前述凸 條之沿著長度方向之至少一側面，且由金屬或金屬化合物 構成，從凸條之高度之一半之位置至底部的被覆厚度最大 值小於從凸條之高度之一半之位置至頂部的被覆厚度最大 值者。 (2) 如（1)記載之線柵型偏光片，該線柵型偏光片包含有 金屬層，該金屬層係被覆凸條之2個側面，且由金屬或金屬 化合物構成，在2個側面，從凸條之高度之一半之位置至底 部的被覆厚度最大值小於從凸條之高度之一半之位置至頂 部的被覆厚度最大值者。 (3) 如（1)或(2)記載之線柵型偏光片，其中前述凸條之與 長度方向垂直相交之截面形狀為三角形或梯形。 (4) 如（1)或(2)記載之線栅型偏光片，其中令從凸條之高 度之一半之位置至底部的金屬層之被覆厚度最大值為 Dal，令從凸條之高度之一半之位置至頂部的金屬層之被覆 厚度最大值為Drl時，Drl>Dal，Drl為20〜80nm，Dal為 4〜25nm ° (5) 如（4)記載之線柵型偏光片，其中〇1*1/〇&1為2.5〜10。 (6) —種線柵型偏光片，係如（2)記載之線柵型偏光片， 於令被覆於凸條之沿著長度方向之2個側面的金屬層之從 201124758 凸條之高度一半之位置至底部的金屬層之被覆厚度最大值 分別為Dal、Da2，令從凸條之高度一半之位置至頂部的金 屬層之被覆厚度最大值分別為Drl、Dr2時，Drl>Dal，且 Dr2>Da2，Drl 為 10〜45nm，Dr2為 10〜45nm，Dal 為 4〜25nm， Da2為4〜25nm。 (7) 如（6)記載之線柵型偏光片，其中Drl/Dal為1.5〜6， Dr2/Da2為 1.5〜6。 (8) —種線栅型偏光片之製造方法，其係製造線栅型偏 光片的方法，該線柵型偏光片包含有透光性基板及金屬 層，該透光性基板係於表面以預定間距形成有寬度從底部 往頂部逐漸縮小之複數個凸條，且該複數個凸條隔著於該 凸條間形成之平坦部而相互平行者；該金屬層係被覆前述 凸條之沿著長度方向之至少一側面，且由金屬或金屬化合 物構成者；該線柵型偏光片之製造方法具有以下步驟：（1R1) 從下述方向來沉積金屬或金屬化合物，前述方向係相對前 述凸條之長度方向約略垂直相交，且相對於前述凸條之高 度方向於第1側面側構成滿足下述式（a)之角度0 %(°)者； (1R2)於前述1R1之步驟後，以沉積量多於1R1之步驟之條件 來從下述方向沉積金屬或金屬化合物，而形成前述金屬 層，前述方向係相對前述凸條之長度方向約略垂直相交， 且相對於前述凸條之高度方向於第1側面側構成滿足下述 式(b)之角度0R2〇者。 tan(0 R,±10)=(Pp-〇pb/2)/Hp (a) 0r, + 3^ 0r, + 3O (b) 6 201124758 在式⑷中，表示凸條之間距，Dpb表示凸條之底部 之寬度，Hp表示凸條之高度。 ⑼-種線柵型偏光片之製造方法其係製造如⑻記載 之線Μ偏光片者’其中該線柵型偏光片包含有被覆凸條 之2個側面且由金屬或金屬化合物構成的金屬層，該線拇型 偏光片之製造枝具有町步驟：（2RimT述方向來沉積 金屬或金屬化合物’前述方向係相對前述凸條之長度方向 約略垂直相交，且相對於前述凸條之高度方向於第i側面側 構成滿足下述式⑷之角度0R〇者；（2Ll)從下述方向來沉 積金屬或金屬化合物，前述方向係、相對前述凸條之長度方 向約略垂直相交，且相對於前述凸條之高度方向於第2側面 側構成滿足下述式⑷之角度γι〇者；（2R2)於前述2Ri之 步驟後，以沉積量多於2R1之步驟之條件來從下述方向沉積 金屬或金屬化合物，前述方向係相對前述凸條之長度方向 約略垂直相交，且相對於前述凸條之高度方向於以側面側 構成滿足下述式⑷之角度6^2(。）者；（2L2)於前述2U之步 驟後，以沉積量多於2L1之步驟之條件來從下述方向沉積金 屬或金屬化合物，而形成前述金屬層，前述方向係相對前 述凸條之長度方向約略垂直相交，且相對於前述凸條之高 度方向於第2側面側構成滿足下述式⑴之角度0 L〆。）者。 tan( Θ R,±10)=(Pp-Dpb/2)/Hp (c) tan(0 L,±10)=(Pp-Dpb/2)/Hp (d) ^r, + 3^ 6>r, + 20 (e) ΘL^-¥\S θι2^ θ1ι + 20 (f) 201124758 在式(C)及式(d)中，Pp表示 凸條之間距，Dpb表示凸條 之底部之寬度，Hp表示凸條之高度。 (10)如（8)記載之線柵型偏 场先片之製造方法，其中以沉 積量為4〜25nm之條件進行前 〜之步驟，以沉積量為 25〜70nm之條件進行前述1R2之步驟 ου如⑼記載之線柵型偏^之製造方法，其中以沉 積量為4〜25nm之條件進行前㈣之步驟及前述2L1之步 驟’以沉積量_〜25腕之條件進行前述之步驟及前述 2L2之步驟。 ⑽如W或⑼記載之線柵型偏光片之製造方法，其中 前述凸條由光硬化樹脂或熱可塑性樹脂構成且以壓印法 形成。 在本說明書中，「〜」係用在意指只要無特別之規定， 涵蓋記載於其前後之數值作為下限值及上限值。 發明效果 本發明之線柵型偏光片係偏光度及P偏光透射率高、背 面S偏光反射率低。 根據本發明之線栅型偏光片之製造方法，可生產性佳 地製造偏光度及P偏光透射率高、背面s偏光反射率低之線 柵型偏光片。 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明線栅型偏光片一例之立體圖。 第2圖係顯示本發明線柵型偏光片另—例之立體圖。 第3圖係顯示本發明線柵型偏光片另一例之立體圖。 8 201124758 第4圖係顯示透光性基板一例之立體圖。 I：實施方式】 用以實施發明之形態 <線柵型偏光片> 本發明之線栅型偏光片包含有透光性基板及金屬層， 該透光性基板係於表面以預定間距形成有寬度從底部往頂 部逐漸縮小之複數個凸條，且該複數個凸條隔著於該凸條 間形成之平坦部而相互平行者，該金屬層係被覆前述凸條 之丄著長度方向之至少一側面，且由金屬或金屬化合物構 成，從凸條之高度之一半之位置至底部的被覆厚度最大值 小於從凸條之咼度之一半之位置至頂部的被覆厚度最大值 者。 (透光性基板） 透光性基板係在線柵型偏光片之使用波長範圍具透光 性之基板。透光性係指光可透射，使用波長範圍具體為 400nm〜800nm之範圍。較佳為，在4〇〇nm〜8〇〇nm之範圍之 平均透光率為85%以上之透光性基板。 在本發明中，凸條係指從透光性基板之主表面（平坦部) 立起、且該立起朝一方向延伸之部份。凸條可與透光性基 板之主表面成一體且由與透光性基板之表面部份相同之材 料構成，亦可為由與透光性基板之主表面部份不同之透光 性材料構成。凸條宜與透光性基板之主表面成一體且由與 透光性基板之主表面部份相同之材料構成，宜為藉由將透 光性基板之至少主表面部份成形而形成之凸條。 201124758 複數個凸條係各凸條之對應之側面實質平行地形成即 了’亦可不完全平行地形成。又’各凸條宜為在面内最易 顯現光學異向性之直線，但相鄰之凸條在不接觸之範圍亦 可為曲線或折線。 凸條之與其長度方向及透光性基板主表面垂直相交之 方6的截面形狀在長度方向大致一定，在複數個凸條，該 ，截面形狀也宜皆大n凸條之截面形狀係寬度從底 #(即’透光性基板之主表面）往頂部逐漸縮小之形狀。且體 =截面形狀可舉三㈣、梯形、矩形等為例。該截面形狀 $可係角或細面）為曲線^又，平㈣略平行地形成於 =性基板表面之複數心條間之間距寬度（即平坦部之 又)可白為& '亦可-部份或全部為不同之預定寬度。 藉由·7凸條之截面形狀為寬度從底部往頂部逐漸縮小 保;^ /目較於凸條之截面形狀為矩形之情形，可充分確 率。"金屬層後之凸條之間隔，而可實現P偏光之高透射 轴^…由、卩係指前述截面形狀之最高部份 朝長度方向相連接之部份。 舉例言之，截面形狀為梯：之頂部可為面，亦可為線。 三角形時，頂部構錢^ ^ ’頂部構成面，截面形狀為 表面稱為凸條n U本發明，將凸條之頂部以外之 由相鄰之2個凸條形成之溝相鄰之2個凸條間之面(即， 視為透光性基板之主表面^千坦部）不為凸條之表面，而 作為透光性基板之材 针’可舉光硬化樹脂、熱可塑性 10 201124758 樹脂、玻璃等為例’從可使用後述之壓印法來形成凸條之 觀點’以光硬化樹脂或熱可塑性樹脂為佳，從可使用光壓 印法來形成凸條之觀點及耐熱性及耐久性優異之觀點，以 光硬化樹脂為特佳。作為光硬化樹脂，從生產性之觀點， 以將可藉由光自由基聚合而光硬化之光硬化性組成物光硬 化而得的光硬化樹脂為佳。 作為光硬化性組成物’以光硬化後之硬化膜之對水之 接觸角為90以上者為佳。若該硬化膜之對水之接觸角為 90°以上，藉由光壓印法形成凸條時，與模具之脫模性將較 佳，而可進行精確度高之轉印，獲得之線栅型偏光片可充 分發揮目的之性能。又，即使該接觸角高，亦不致對金屬 層之附著造成障礙。 (金屬細線） 存在於凸條之金屬層係構成為朝凸條之長度方向延伸 並具預定寬度之線條，相當於構成線栅型偏光片之金屬細 線0 金屬層被覆凸條之沿著長度方向之至少一側面’從凸 條之高度之—半之位置至底部的被覆厚度最大值小於從凸 條之高度之—半之位置至頂部的被覆厚度最大值。從凸條 之高度之一半之位置被覆至頂部的金屬層有助於表面以烏 光反射率之提高’從凸條之高度之_半之位置被覆至底部 的金屬層有助於背面s偏光反射率之降低。 從背面S偏光反射率更加變低之觀點，以被覆凸條之沿 著長度方向之至少一側面之全部為佳。 201124758 金屬層亦可被覆凸條之頂部之一部份或全部。又，金 屬層亦可被覆與凸條之沿著長度方向之至少一側面相鄰的 平坦部之一部份。 慣例上，被覆凸條側面之金屬層為連續。雖然凸條之 沿著長度方向之至少一側面宜以受金屬層連續地被覆，但 因製造上之問題等，亦有僅一部份之側面未受金屬層被覆 之情形。在此情形下，若至少一側面可受金屬層大致連續 被覆，亦可視為至少一側面受金屬層連續被覆。 本發明之線柵型偏光片具有金屬層，且該金屬層宜係 被覆凸條之沿著長度方向之2個側面，且由金屬或金屬化合 物構成，在2個側面，從凸條之高度之一半之位置至底部的 被覆厚度最大值小於從凸條之高度之一半之位置至頂部的 被覆厚度最大值者。 當從凸條之高度之一半之位置至底部的被覆厚度最大 值小於從凸條之高度之一半之位置至頂部的被覆厚度最大 值之金屬層不僅形成於凸條之單側側面，而形成於兩側側 面時，可抑制s偏光之透射率，而可提高消光比。 金屬層之材料係具有充分之導電性之金屬材料即可， 且宜為亦考慮到耐蝕性等特性之材料。作為金屬材料，可 舉金屬或金屬化合物為例。 作為金屬層之材料，從對可見光之反射率高、可見光 之吸收少、且具高導電率之觀點，宜為鋁、鋁系合金、銀、 銀合金、鉻、鉻合金、鎮、鎮合金等，特別是宜為銘、紹 系合金。 12 201124758 <線柵型偏光片之製造方法> 本發明之線柵型偏光片之製造’係在製作於表面以預 定間距形成有相互平行之複數個凸條之透光性基板後，形 成從凸條之高度之一半之位置至底部的被覆厚度最大值小 於從凸條之高度之一半之位置至頂部的被覆厚度最大值之 金屬層。 (透光性基板之製作） 作為透光性基板之製作方法，可舉壓印法（光壓印法、 熱壓印法）、微影法等為例，從可生產性佳地形成凸條之觀 點及可使透光性基板大面積化之觀點，以壓印法為佳，從 可生產性更佳地形成凸條之觀點及可精確度佳地轉印模具 之溝之觀點’以光壓印法為特佳。 光壓印法係例如，藉由電子線描繪與蝕刻之組合，製 作以預定間距形成有相互平行之複數個溝之模具，將該模 具之溝轉印至塗佈於任意基材表面之光硬化性組成物，同 時，使該光硬化性組成物硬化之方法。 利用光壓印法之透光性基板之製作，具體上宜經由下 述步驟⑴〜(iv)進行。 ⑴將光硬化性組成物塗佈於基材表面。 (Π)將以預定間距形成有相互平行之複數個溝之模具 朝光硬化性組成物推擠，俾使溝接觸光硬化性組成物。 (iii)在將模具朝光硬化性組成物推擠之狀態下，照射放 射線(例如紫外線、電子線等），使光硬化性組成物硬化，而 製作具有與模具之溝對應之複數個凸條的透光性基板。 13 201124758 (iv)從透光性基板分離模具。 此外，所獲得之基材上之透光性基板，可直接以與基 材一體之狀態進行後述之金屬層之形成。又，亦可依需求， 而於形成金屬層後，將透光性基板與基材分離。進一步， 可在將製作於基材上之透光性基板從基材分離後，進行後 述金屬層之形成。 利用熱壓印法之透光性基板之製作，具體上宜經由不 述步驟(i)〜(iii)進行。 (1)於基材之表面形成熱可塑性樹脂之被轉印膜，或製 作熱可塑性樹脂之被轉印薄膜。 (ii) 將以一定間距形成有相互平行之複數個溝之模 具，朝加熱至熱可塑性樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)或熔點(Tm) 以上之被轉印膜或被轉印薄膜推擠，俾使溝接觸被轉印膜 或被轉印薄膜，而製作具有與模具之溝對應之複數個凸條 的透光性基板。 (iii) 將透光性基板冷卻至低於Tg*Tm之溫度後，將模 具從透光性基板分離。 此外，所獲得之基材上之透光性基板可直接以與基材 一體之狀態進行後述金屬層之形成。又，亦可依需求，而 於形成金屬層後’將透光性基板與基材分離。進一步，可 在將製作於基材上之透光性基板從基材分離後，進行後述 金屬層之形成。 作為用於壓印法之模具之材料，可舉矽、錄、石英、 樹脂等為例，從轉印精確度之觀點，以樹脂為佳。作為樹 201124758 脂，可舉氟系樹脂（例如乙烯-四氟乙稀共聚物等。）、環稀、 矽樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等為例。從模具之精確度 之觀點，以光硬化性之丙烯酸樹脂為佳。從轉印之反覆耐 久性之觀點，樹脂模具宜於表面具有厚度2〜10nm之無機 膜。無機膜以Si02、Ti02、A1203等氧化膜為佳。 (金屬層之形成） 金屬層宜以沉積法來形成。作為沉積法，可舉物理沉 積法(PVD)或化學沉積法(CVD)為例，以真空沉積法、濺鍍 法、離子鍍法為佳，以真空沉積法為特佳。真空沉積法易 於控制附著之微粒子對透光性基板之入射方向，而易於進 行後述之斜向沉積。由於金屬層之形成需選擇地沉積金屬 或金屬化合物而形成，以成為從凸條之高度之一半之位置 至底部的被覆厚度最大值小於從凸條之高度之一半之位置 至頂部的被覆厚度最大值，因此，作為沉積法，以利用真 空沉積法之斜向沉積法為最佳。 具體言之，藉由採用步驟（1R1)及步驟（1R2)，可形成目 的金屬層，該步驟（1R1)係從下述方向來沉積金屬或金屬化 合物，前述方向係相對凸條之長度方向約略垂直相交，且 相對於凸條之高度方向於第1側面側構成滿足下述式（a)之 角度(9 %(°)者，該步驟（1R2)係於步驟（1R1)後，以沉積量多 於步驟（1R1)之條件來從下述方向沉積金屬或金屬化合 物，前述方向係相對凸條之長度方向約略垂直相交，且相 對於凸條之高度方向於第1側面側構成滿足下述式(b)之角 度 θκ2(°)者。 15 201124758 tan(0 R1±l〇)=(Pp.Dpb/2)/Hp (a) θ R| + 3^ 0 r2^ θ Ri + 30 (b) 在式（a)中，PP表示凸條之間距，！；)的表示凸條之底部 之寬度’ Hp表示凸條之高度。 &在本說明書中，0±1〇表示（0_1〇)以上、（θ+ι〇)以下 之範圍。在其他同樣之記載中亦相同。 在本說明書中，「約略垂直相交」係指方向[與方向 (或方向V2)構成之角度在85〜95度之範圍。（此外，關於 方向L、方向VI及方向V2，參照第4圖。） 沉積量係指於凸條形成金屬層之際，於未形成有凸條 之區域(即，平坦之平板部份)之表面沉積金屬或金屬化合物 而形成之金屬層的厚度。 又’在形成被覆凸條之沿著長度方向之2個側面的由金 屬或金屬化合物構成之金屬層時，藉由採用步驟⑽ 驟㈣、步驟(2R2)及步驟(2U)，可形成目的之金了 该步驟(2R1)係從下述方向來沉積金屬或金屬化合物， 方向係相對凸條之長度方向約略垂直相交，且相對^4 之高度方向於第丨側面側構成滿足下述式⑷之角度以凸條 者；該步驟(2U)錢下述方向纽積金屬或金屬^=) 前述方向係相對凸條之長度方向約略垂直相交，且:’ 凸條之高度方向於第2側面側構成滿足下述式⑷子於 Θ*Ί()者；該步驟⑽)係於步驟(2叫後以沉積量度 驟(2叫之條件來從下財“積金顧金屬化合物，二步 方向係相對凸條之長度方向約略垂直相交，且相對於^迷 1承 16 201124758 之高度方向於第1側面側構成滿足下述式（e)之角度0 %厂） 者；該步驟(2L2)係於步驟(2L1)後，以沉積量多於步驟(2L1) 之條件來從下述方向沉積金屬或金屬化合物，而形成金屬 層’前述方向係相對凸條之長度方向約略垂直相交，且相 對於凸條之高度方向於第2側面側構成滿足下述式⑴之角 度θ^(°)者。 tan( Θ Rl±10)=(Pp-Dpb/2)/Hp (c) tan(0 L1±l〇)=(Pp.Dpb/2)/Hp (d) 0 Ri + 3^ 6> r2^ 6> r, + 20 (e)
Li + 1 $ (9 l2$ 0 [丨 + 20 (f) 在式（c)及式（d)中，pp表示凸條之間距，Dpb表示凸條 之底部之寬度，Hp表示凸條之高度。 <線栅型偏光片之實施形態> 以下，使用圖式，說明本發明線栅型偏光片之實施形 態。以下之圖式為示意圖，實際之線柵型偏光片非具有如 圖所示之理論且理想之形狀者。舉例言之，在實際之線撕 型偏光片，多少有凸條等之形狀走樣，亦多少會發生金屬 層之厚度不均。 此外，本發明之凸條及金屬層之各尺寸，係在線栅型 偏光片之截電子隨鏡難或？透式電子顯微 鏡影像中，測量5個凸條及該凸條上之金屬層之各尺寸，將 5個值平均者。 [第1實施形態] 第1圖係顯示本發明線栅型偏光片之第1實施形態之立 17 201124758 體圖。線柵型偏光片10具有透光性基板14及第1金屬層20 ; 該透光性基板14係在表面以預定間距pP形成有截面形狀為 梯形之複數個凸條12，且該複數個凸條12隔著於該凸條12 間形成之溝之平坦部13而相互平行；該第1金屬層20係被覆 凸條12之第1側面16，由金屬或金屬化合物構成，且從凸條 12之高度之一半之位置（在第1圖中’以虛線A顯示）至底部 的被覆厚度最大值小於從凸條12之高度之一半之位置至頂 部19的被覆厚度最大值《第1金屬層20係朝凸條12之長度方 向延伸，而構成金屬細線。 (透光性基板）
Pp係凸條12底部之寬度Dpb與於凸條12間形成之平坦 部13之寬度的總和。Pp宜為300nm以下，更宜為5〇〜250nm。 若Pp為300nm以下’可顯示高的表面s偏光反射率，且在 400nm左右之短波長區域亦顯示高偏光度。又，可抑制因繞 射引起之者色現象。又’若Pb為50〜200nm，可易於以沉積 形成各層。
Dpb與Pb之比(Dpb/Pp)宜為〇.1〜〇.7,更宜為0.25〜0.55。 若Dpb/Pp為0.1以上，可顯示高偏光度。藉由令〇冲/1>15為〇 7 以下’可抑制因干涉引起之透射光之著色。 從易於以沉積形成各層之觀點，Dpb宜為3〇〜1〇〇nm。 凸條12之頂部19的寬度Dpt宜為Dpb之一半以下，更宜 為40nm以下，又更宜為2〇nm以下。若〇扒為1){)1)之一半以 下，P偏光透射率將變高，角度相依性將充分地變低。 凸條12之问度Hp宜為12〇〜i〇〇0nm。若Hp為⑽⑽以 18 201124758 上，偏光分離能可充分地變高。若Hp為⑽⑽m以下，則易 於形成凸條12。 在用於圖像顯不裝置之際之對比之觀點，凸條12之高 度Hp更J：為25〇〜1000職。在抑制從斜方向觀看之際之對比 降低之觀點，又更宜為250〜4〇〇nm。 在縮小波長分散之觀點，凸條12之高度別宜為 120〜300nm。 又，若Hp為80〜270nm，易於以沉積形成第丨金屬層2〇。 第1側面16之相對於構成透光性基板之平坦部之主表 面的傾斜角Θ i、及第2側面1S之相對於構成透光性基板之 平坦部之主表面的傾斜角02，宜為3〇〜8〇。。0丨與02可相 同，亦可不同。更宜為，0丨與02各自之角度為45〜8〇。。 透光性基板14之厚度hs宜為〇5〜1〇〇〇"m，更宜為 1 〜40 " m 〇 (第1金屬層） 第1金屬層20之從凸條12之高度之一半之位置至頂部 19(凸條12之上半部。在第1圖中，表示虛線a以上之部份。） 的被覆厚度（凸條12之寬度方向之厚度）最大值Drl宜為 20〜80nm。宜為20〜75nm，更宜為35〜55nm，特別宜為 40〜50nm。若Drl為20nm以上，表面s偏光反射率可充分地 變高。若Drl為80nm以下，p偏光透射率可相當地變高。 第1金屬層20之從凸條12之高度之一半之位置至底部 (凸條12之下半部）的被覆厚度（凸條12之寬度方向之厚度） 最大值Dal宜為4〜25nm，更宜為5〜22nm。若Dal為4nm以 19 201124758 上，背面S偏光反射率可充分地變低。若Dal為25邮以下， P偏光透射率可相當地變高。 k凸條12之咼度之一半之位置至頂部19(凸條12之上 半部）的被覆厚度最大值Drl宜滿足下式(mi)。 〇.2χ(Ρρ - Dpb) ^ Dr 1 ^ 0.95x(Pp-Dpb) (m,) 若Drl為〇.2x(Pp —Dpb)以上’ s偏光透射率變低，偏光 分離能充分地變高，且波長分散小。若£)1>1為〇 95x(Pp_Dpb) 以下，可顯示高的p偏光透射率。 從凸條12之高度之一半之位置至頂部19(凸條12之上 半部）的被覆厚度最大值Drl與從凸條12之高度之一半之位 置至底部（凸條12之下半部。在第1圖，表示虛線A以下之部 份）的被覆厚度最大值Dal之比(Drl/Dal)宜為2.5〜1〇，更宜 為3〜8。若Drl/Dal為2.5以上，偏光分離能可充分地變高， 且波長分散小。若Drl/Dal為10以下，可顯示高的p偏光透 射率。 關於比凸條12之頂部19還位於下方（透光性基板14側） 之第1金屬層20的高度H2，H2/Hp宜為〇.8~丨’更宜為〇·9〜1。 若H2/Hp為1以下，偏光分離能便可提高。若H2/Hp為0.8以 上，則背面s偏光反射率可相當地變低。 關於比凸條12之頂部19還位於上方（透光性基板14之 反側)之第1金屬層20的高度HI，Hl/Hp宜為〇·05〜〇.7 ’更宜 為0.1〜0.5。若Hl/Hp為0.7以下，背面s偏光反射率可相田地 變低。若Hl/Hp為0.05以上，表面8偏光反射率可充7刀地欠 兩。 20 201124758 [第2實施形態] 第2圖係顯示本發明線柵型偏光片之第2實施形態之立 體圖。線栅型偏光片10具有透光性基板14、第1金屬層20、 及第2金屬層25 ;該透光性基板14係在表面以預定間距Pp 形成有截面形狀為梯形之複數個凸條12，且該複數個凸條 12隔著於該凸條12間形成之溝之平坦部13而相互平行；該 第1金屬層20係被覆凸條12之第1側面16，由金屬或金屬化 合物構成，且從凸條12之高度之一半之位置（在第2圖中， 以虛線A顯示）至底部的被覆厚度最大值小於從凸條12之高 度之一半之位置至頂部19的被覆厚度最大值；該第2金屬層 25係被覆凸條12之第2側面18，由金屬或金屬化合物構成。 第2實施形態之背面s偏光反射率低於第1實施形態。 在第2實施形態中，關於與第1實施形態之線柵型偏光 片10相同之結構，省略說明。 (第2金屬層） 第2金屬層25之凸條12之寬度方向的厚度最大值Da2 宜為4〜25nm，更宜為5〜22nm。若Da2為4nm以上，背面s偏 光反射率可充分地降低。若Da2為25nm以下，p偏光透射率 可相當地變高。 關於第2金屬層25之高度H3(比凸條12之頂部還位於下 方，即，在第2圖中比以虛線A顯示之位置還位於下方之第2 金屬層25的高度），H3/Hp宜為0.8〜卜更宜為0.9〜卜若H3/Hp 為1以下，偏光分離能便可提高。若H3/Hp為0.8以上，背面 s偏光反射率可充分地變低。 21 201124758 [第3實施形態] 第3圖係顯示本發明線柵型偏光片之第3實施形態之立 體圖。線撕型偏光片10具有透光性基板14、第1金屬層20、 及第2金屬層25 ;該透光性基板14係在表面以預定間距Pp 形成有截面形狀為梯形之複數個凸條12，且該複數個凸條 12隔著於該凸條12間形成之溝之平坦部13而相互平行；該 第1金屬層20係被覆凸條12之第！側面16，由金屬或金屬化 合物構成，且從凸條12之高度之一半之位置（在第3圖中以 虛線A顯示之位置）至底部的被覆厚度最大值小於從凸條12 之高度之一半之位置至頂部19的被覆厚度最大值；該第2金 屬層25係被覆凸條12之第2側面18，由金屬或金屬化合物構 成’且從凸條12之高度之一半之位置(在第3圖中以虛線A顯 示之位置）至底部的被覆厚度最大值小於從凸條12之高度 之一半之位置至頂部19的被覆厚度最大值。 第3實施形態之背面s偏光反射率低於第1實施形態及 第2實施形態。 在第3實施形態中，關於與第1〜2實施形態之線柵型偏 光片10相同之結構，省略說明。 (第1金屬層） 第1金屬層20之從凸條12之高度之一半之位置至頂部 19(凸條12之上半部。在第3圖中，表示虛線A以上之部份。） 的被覆厚度（凸條12之寬度方向之厚度）最大值Drl宜為 50nm以下。宜為10〜45nm ’更宜為15~35nm。若Drl為10nm 以上，表面s偏光反射率可充分地變高。若Drl為50nm以下， 22 201124758 p偏光透射率可相當地變高。 關於第1金屬層2〇之從凸條12之高度之一半之位 至 底部（凸條12之下半部。在第3圖中，表示虛線A以下之部份) 的被覆厚度（凸條12之寬度方向之厚度）最大值Dal的較佳 態樣，係與第1實施形態相同，宜為4〜25nm，更宜為 5〜22nm。若Dal為4nm以上，背面s偏光反射率可充分地變 低。若Dal為25nm以下’ p偏光透射率可相當地變高。 從凸條12之高度之一半之位置至頂部丨9(凸條丨2之上 半部）的被覆厚度最大值Drl宜滿足下式(m2)。 〇.2x(Pp- Dpb) ^ Dr 1 ^ 0.5x(Pp-Dpb) (m2) 若Drl為0.2x(Pp —Dpb)以上’ s偏光透射率變低，偏光 分離可充分地變高，且波長分散小。若Drl為〇 5x(Pp Dpb) 以下’可顯示高的P偏光透射率。 從凸條12之高度之一半之位置至頂部19(凸條12之上 半部）的被覆厚度最大值Drl與從凸條12之高度之一半之位 置至底部（凸條12之下半部）的被覆厚度最大值Da丨之比 (Drl/Dal)宜為1.5〜6 ’更宜為2〜4。若Drl/Dal為1.5以上， 偏光分離能可充分地變高’且波長分散小。若Drl/Dal為6 以下，可顯示高的p偏光透射率。 關於比凸條12之頂部19還位於下方之第1金屬層2〇的 尚度H2，H2/Hp宜為〇·8〜1，更宜為〇.9〜卜若H2/Hp為1以下， 偏光分離能便可提高。若H2/Hp為〇 8以上，則背面8偏光反 射率可相當地變低。 關於比凸條12之頂部19還位於上方之第！金屬層2〇的 23 201124758 高度HI，Hl/Hp宜為0.05〜0.7，更宜為0.1〜0.5。若Hl/Hp為 0.7以下，背面s偏光反射率可相當地變低。若Hl/Hp為0.05 以上，則表面s偏光反射率可充分地變高。 第2金屬層25之較佳態樣與第1金屬層20之較佳態樣相 同。 在前述本發明第1〜3實施形態之線柵型偏光片之第1圖 〜第3圖的說明中，說明了令凸條之第1側面為同凸條之右側 之面，於此第1側面16形成有第1金屬層20之例子；又，在 第2圖、第3圖中，說明了令凸條之第1側面16為同凸條之右 側之面，於此第1側面16形成有第1金屬層20，並且，令凸 條之第2側面18為同凸條之左側之面，於此第2側面18形成 有第2金屬層25之例子；然而，當然亦可置換凸條之第1側 面及第2側面，令各圖式之凸條之第1側面為同凸條之左側 之面，令凸條之第2側面為同凸條之右側之面。 此外，即使如上述般地將凸條之沿著長度方向之左右 側面之第1及第2側面予以置換，關於被覆於各側面之金屬 層之被覆厚度，關於從凸條之高度之一半之位置至底部的 被覆厚度最大值小於從凸條之高度之一半之位置至頂部的 被覆厚度最大值之情事，仍為相同。 又，同樣地，在本發明之線柵型偏光片之製造方法中， 可令凸條之第1側面為右側之面、第2側面為左側之面來處 理，亦可令凸條之第1側面為左側之面、第2側面為右側之 面來處理。 <各實施形態之線柵型偏光片之製造方法> 24 201124758 [第1實施形態之線柵型偏光片之製造方法] 第1實施形態之線柵型偏光片10可藉由實施步驟（1R1) 及步驟（1R2)來製造，該步驟（1R1)係於透光性基板14之凸條 12之第1側面16之表面形成第1金屬層的下層21，該步驟 (1R2)係於步驟（1R1)後，於凸條12之第1側面16之表面及/ 或第1金屬層之下層21之表面形成第1金屬層的上層22。 作為沉積源，可舉金屬材料（紹、銀、鎂、鉻、紹系合 金、銀系合金、鎂合金、鉻合金等。）為例，從對可見光之 反射率高、可見光之吸收少、且具高導電率之觀點，宜為 在呂、铭系合金、銀、鎮，特別是宜為铭、I呂系合金。 (第1金屬層之下層之形成） 如第4圖所示，第1金屬層之下層21可藉由實施步驟 (1R1)而形成，該步驟（1R1)係從方向VI來沉積金屬或金屬 化合物，該方向VH系相對凸條12之長度方向L約略垂直相 交，且相對於凸條12之高度方向Η於第1側面16側構成滿足 下述式⑷之角度θ'(°)者。 tan( 0 Ri±10)=(Pp-Dpb/2)/Hp (a) 角度0 宜滿足tan(0 ，更宜滿 足tan(6* Ri士5)=(Pp-Dpb/2)/Hp。 沉積宜以沉積量為4〜25nm之條件來進行，更宜以 5〜22nm之條件來進行。亦可在總沉積量為4〜25nm之條件， 在滿足式（a)之範圍，使角度0%(°)連續地變化，來進行沉 積。使角度0'(°)連續地變化時，宜朝使角度縮小之方向 變化。 25 201124758 沉積量為4〜25nm之條件 際，於未形成凸條之區域(平坦之平^、凸、條形成金屬層之 金屬化合物而形成之金屬層厚度tA/份)表面&積金屬或 此外，關於前述沉積量之條件之〜条件。 下之方法，即，對預先另外準傷之用…可採用以 基板之平坦部份，從預定方向定之透光性 之金屬或金屬化^ ^山積預疋之用於形成金屬層 預定厚^金^ 時坦部獲得縣決定之 Μ之金>|層的沉積條件。 (第1金屬層之上層之形成） 如第4圖所示， ⑽)而形成，^ 、屬層之上層22可藉㈣施步驟 於步驟η謝〜驟（1R2)係於步驟（1R1)後，以沉積量多 '卞,條件來從方向Vl沉積金屬或金屬化合物，該 ° V1係相對凸條12之長度方向L約略垂直相交，且相對 於凸條12之高度方向賺心U關誠紅下述式⑼ 之角度0R2〇者。 θ' + 3各 θ%α、+ 3〇 ⑻ 角度θ%γ)宜滿足0ri+60R2^R|+25，更宜滿 足 ^ + 客 0% + 2〇。 亦 使 續 沉積宜以沉積量多於步顿（1R1)之條件及沉積量為 25〜7〇nm之條件來進行，更^30〜_m之條件來進行。々 可在總沉積量為25〜70nm之條件，在滿足式(b)之範園， 角度〆2(。)連續地變化’來進行沉積。使角度，2(。)速 地變化時’宜朝使角度縮小之方向變化。 [第2實施形態之線柵型偏光片之製造方法] 26 201124758 第2實施形態之線栅型偏光片10可藉由於第1實施形態 之製造方法加入下述步驟而製造。 在任意階段，於透光性基板14之凸條12之第2側面18之 表面形成第2金屬層25的步驟（1L1)。 該步驟宜在（1R1)與步驟（1R2)間進行。 在第2實施形態中，關於與第1實施形態之線柵型偏光 片10相同之結構之形成步驟，省略說明。 (第2金屬層之形成） 如第4圖所示，第2金屬層25宜藉由實施步驟（1L1)而形 成’該步驟（1L1)係從方向V2來沉積金屬或金屬化合物，該 方向V2係相對凸條12之長度方向L約略垂直相交’且相對 於凸條12之高度方向η於第2側面18側構成滿足下述式（g) 之角度0^(°)者。 tan(0 L1±l〇)=(pp.Dpb/2)/Hp (g) 角度 0 Li〇宜滿足tan( 6>、±5)=(??-〇?13/2)/邱 沉積宜以沉積量為4〜25nm之條件來進行’更宜以 5〜22nm之條件來進行。亦可在總沉積量為4〜25nm之條件， 在滿足式(g)之範圍’使角度0L,(。）連續地變化，來進行沉 積。 [第3實施形態之線栅型偏光片之製造方法] 第3實施形態之線柵型偏光片1 〇可藉由實施步驟 (2R1)、步驟(2L1)、步驟(2R2)、步驟(2L2)而製造，該步驟 (2R1)係於透光性基板14之凸條12之第1側面16之表面形成 第1金屬層之下層21 ;該步驟(2L1)係於透光性基板14之凸 27 201124758 條12之第2側面18之表面形成第2金屬層之下層26 ;該步驟 (2R2)係於步驟(2則）後，於凸條12之第1側面16表面及/或第 1金屬層之下層21之表面形成第1金屬層之上層22;該步驟 (2L2)係於步驟(2L1)後，於凸條12之第2側面18之表面及/或 第2金屬層之下層26之表面形成第2金屬層之上層27。 宜以步驟(2R1)、步驟(2L1)、步驟(2R2)、步驟(2L2)之 順序來進行’亦可以步驟(2R1)、步驟(2R2)、步驟(2L1)、 步驟(2L2)之順序來進行，亦可以步驟(2R1)、步驟(2L1)、 步驟(2L2)、步驟(2R2)之順序來進行。 在第3實施形態中，關於與第1實施形態及第2實施形態 之線柵型偏光片10相同之結構之形成步驟，省略說明。 (第1金屬層之下層之形成） 如第4圖所示，第1金屬層之下層21可藉由實施步驟 (2R1)而形成，該步驟(2R1)係從方向VI來沉積金屬或金屬 化合物’該方向VI係相對凸條12之長度方向L約略垂直相 交’且相對於凸條12之高度方向Η於第1側面16側構成滿足 下述式(c)之角度0'(。）者。 tan(0 R'±l〇)=(Pp-Dpb/2)/Hp (c) 角度 θ '(。）宜滿足tan(0 ^^^(Pp-Dpbq/Hp，更宜滿 足tan(0 丨⑺脚。 % #宜以沉積量為4〜25nni之條件來進行，更宜以 5 22nm之條件來進行。亦可在總沉積量為4〜25nm之條件， 在滿足式(C)之範圍，使角度連續地變化，來進行沉 積使角度θ%(。)連續地變化時’宜朝使角度縮小之方向 28 201124758 變化。 (第2金屬層之下層之形成） 如第4圖所示，第2金屬層之下層26可藉由實施步驟 (2L1)而形成，該步驟(2L1)係從方向V2來沉積金屬或金屬 化合物’該方向V2係相對凸條12之長度方向L約略垂直相 交，且相對於凸條12之高度方向Η於第2側面18側構成滿足 下述式（d)之角度0、（°)者。 tan( 〇 L,±10)=(Pp-Dpb/2)/Hp (d) 角度 Θ SO宜滿足tan(0 ^±7)=(Ρρ-Ορΐν2)/Ηρ，更宜滿 足tan(6 Li±5)=(Pp-Dpb/2)/Hp。 沉積宜以沉積量為4〜25nm之條件來進行，更宜以 5〜22nm之條件來進行。亦可在總沉積量為4~25nm之條件， 在滿足式(d)之範圍’使角度0、（°)連續地變化，來進行沉 積。於步驟(2R1)後進行步驟(2L1)，且使角度0\(。)連續地 變化時，宜朝使角度增大之方向變化。 (第1金屬層之上層之形成） 如第4圖所示’第1金屬層之上層22可藉由實施步驟 (2R2)而形成，該步驟(2R2)係於步驟(2R1)後，以沉積量多 於步驟(2R1)之條件來從方向VI沉積金屬或金屬化合物，該 方向V1係相對凸條12之長度方向L約略垂直相交，且相對 於凸條12之高度方向Η於第1側面16側構成滿足下述式（e) 之角度0R2(°)者。 0r, + 3^ 0r, + 2O (e) 角度0 R2()宜滿足0 R1 + 8 S 0 R2 S 0 R i + 18，宜滿足 29 201124758 θ\+10客 0R2s 0R| + 15。 沉積宜以沉積量多於步驟（2R1)之條件及沉積量為 10〜50mn之條件來進行，更宜·〜35_之條件來進行，又 更宜以1G〜25nm之條件來進行，特別宜以15〜2〇nm之條件來 進仃。亦可在總沉積量為1〇〜25nm之條件，在滿足式卜)之 範圍’使角度θ v。)連續地變化，來進行沉積。於步驟(2R2) 後進行後述步驟(2L2)且使角度0R2(。)連續地變化時，宜朝 使角度縮小之方向變化。 (第2金屬層之上層之形成） 如第4圖所示，第2金屬層之上層27可藉由實施步驟 (2L2)而形成，該步驟(2L2)係於步驟(2L1)後，以沉積量多 於步驟(2L1)之條件來從方向v2沉積金屬或金屬化合物該 方向V2係相對凸條π之長度方向L約略垂直相交，且相對 於凸條12之高度方向η於第2側面18側構成滿足下述式⑺之 角度〆2〇者。 0L.+ 1^ 0l, + 2O (0 角度θ 2()宜滿足2^θ、+18，更宜滿足 沉積宜以沉積量多於步驟（2L1)之條件及沉積量為 10〜50nm之條件來進行，更宜以10〜35nm之條件來進行，又 更宜以10〜25nm之條件來進行，特別宜以15〜20nm之條件來 進行。亦可在總沉積量為10〜25nm之條件，在滿足式⑺之 範圍，使角度0L2〇連續地變化’來進行沉積。於步驟(2R2) 後進行步驟(2L2)且使角度0、(°)連續地變化時，宜朝使角 30 201124758 度增大之方向變化。 第1〜3實施形態之製造方法中之角度0 R( θ L)可使用例 如下述之沉積裝置來調整。 沉積裝置係可變更與沉積源相向而配置之透光性基板 14之傾斜’以令沉積源位於方向¥1(¥2)之延長線上，該方 向V1(V2)係對凸條12之長度方向L約略垂直相交，且相對於 凸條12之南度方向Η於苐1側面16(第2側面18)側構成角度 0R(0L)者。 貫施例 以下’错由貫施例來更詳細說明本發明，但本發明並 不限定於該等實施例。 例1〜15、21〜36為實施例，例16~20、37為比較例。 (凸條及各層之各尺寸） 凸條及各層之各尺寸，係在線柵型偏光片之截面之穿 透式電子顯微鏡影像，測量5個凸條及該凸條上之各層之各 尺寸，將5個值平均而求出者。 (P偏光透射率） P偏光透射率係使用紫外線可見光分光光度計(JASCO 公司製、V-7200)來測量。測量之進行係將附屬之偏光片設 置在光源與線栅型偏光片間，且其吸收軸朝向與線柵型偏 光片之金屬細線之長軸平行的方向，而從線栅型偏光片之 表面側（形成有凸條之側）或背面側（未形成有凸條之側）入 射偏光。測量波長係450nm、550nm、700nm。 關於p偏光透射率，以70%以上為S，以60%以上、未滿 31 201124758 70%為A，以50%以上、未滿65°/。為B，以未滿5〇。/。為χ。 (s偏光反射率） s偏光反射率係使用紫外線可見光分光光度計（JASC〇 公司製、V-7200)來測量。測量之進行係將附屬之偏光片設 置在光源與線柵型偏光片間，且其吸收軸朝向與線柵型偏 光片之金屬細線之長軸正交的方向，而對線柵型偏光片之 表面或背面，以5度之角度入射偏光。測量波長係45〇nm、 550nm、700nm。 關於表面s偏光反射率’以80%以上為S，以70%以上、 未滿80%為A。 又，關於背面s偏光反射率，以未滿20%為S，以20%以 上、未滿40%為A ’以40%以上、未滿50%為B，以50%以上 為X。 (偏光度） 偏光度係由下式計算。 偏光度=((Tp-Ts)/(Tp + Ts))Q 5 X100 其中，Tp係表面p偏光透射率，Ts係表面s偏光透射率。 關於偏光度，以99.5%以上為S ’以99.0%以上、未滿 99.5%為A，以98.0%以上、未滿99.0%為B，以未滿98.0%為 X。 (亮度） 亮度係以以下之方法測量。 於2吋尺寸之側光式L E D背光源上依序重疊線栅型偏 光片、液晶晶胞。線柵型偏光片係設置成背面側成為液晶 32 201124758 晶胞側。液晶晶胞係使用僅於上側具有碘系偏光板者。 在暗房内將背光源及液晶晶胞啟動。令液晶晶胞之整 面顯示為顯示白色，使用亮度色度計（TOPCON公司製、 BM-5AS)以視角0·Γ測量點亮1〇分鐘後之中心亮度B3丨。接 著，令液晶晶胞之整面顯示為顯示黑色，測量此時之亮度 B32。 使用相同之背光源，於其上重疊上側及下側具有硬系 偏光板之液晶晶胞。在暗房内將背光源及液晶晶胞啟動， 同樣地’測量令液晶晶胞之整面顯示為顯示白色時之中心 亮度B21。 使用在上述測量獲得之值，而從下式求出亮度提高率。 亮度提高率=(Β31-Β21)/Β21χ100 關於亮度提高率，以25%以上為S，以20%以上、未滿 25%為A ’以15%以上、未滿20%為Β，以未滿15%為X。 (對比） 使用在上述測量獲得之值，而從下式求出對比。 對比=B31/B32 關於對比，以5〇〇以上為S，以300以上、未滿500為A， 以100以上、未滿300為B，以未滿100為X。 (光硬化性組成物之調製） 於裝設有攪拌機及冷卻管之l〇〇〇mL之4 口燒瓶放入： 單體1(新中村化學工業公司製、NK酯A-DPH、二季 戊四醇五丙浠酸酉旨（dipentaerythritol hexaacrylate))60g ; 單體2(新中村化學工業公司製、NK酯A-NPG、新戊 33 201124758 二醇二丙稀酸g旨（neopentylglycol diacrylate))40g ; 光聚合開始劑（Ciba Specialty Chemicals公司製、 IRGACURE907)4.0g ; 含氟界面活性劑（旭硝子公司製、氟丙稀酸酯（CH2 == CHCOO(CH2)2(CF2)8F)與丙烯酸丁酯之共低聚合物，氟含有 量：約30質量％，質量平均分子量：約3000)0.1g ; 聚合禁止劑（和光純藥公司製、Q1301)1.0g ;及 環己酮65.0g。 在令燒瓶内為常溫及遮光之狀態下，攪拌1小時，而使 其均一化。接著’一面攪拌燒瓶内，一面慢慢加入膠態氧 化矽100g(固體量：30g)，進一步在令燒瓶内為常溫及遮光 之狀態下，攪拌1小時，使其均一化。然後，加入環己酮 340g，在令燒瓶内為常溫及遮光之狀態下，攪拌丨小時，而 獲得光硬化性組成物1之溶液。 [例1] (透光性基板之製作） 以旋轉塗佈法將光硬化性組成物1塗佈於厚度丨〇 〇仁m 之高透射聚對苯二甲酸乙二酯（PET)薄膜（帝人DuP〇nt公司 製、帝人務特綸(Tetoron)03 ' lOOmmxlOOmm)表面，而形成 厚度5//m之光硬化性組成物丨之塗膜。 將以預定間距形成有複數個溝（該複數個溝係隔著於 該溝間形成之平坦部而相互平行）之石英製模具（面積： 150mm><150mm、圖形面積：loommxlOOmm ' 溝之間距j>p . 140nm、溝之上部之寬度Dpb^ 6〇nm、溝之底部之寬度: 34 201124758 20nm、溝之深度Hp ·· 200nm、溝之長度：100mm、溝之截 面形狀：約呈梯形），以溝接觸光硬化性組成物1之方式， 在25°C以〇.5MPa(表壓）朝光硬化性組成物1之塗膜推擠。 在維持著前述將石英製模具朝光硬化性組成物1之塗 膜推擠之狀態的狀態下，從PET薄膜側照射高壓水銀燈（頻 率：1.5kHz〜2.0kHz、主波長光：255nm、315nm及365nm、 365nm之照射能：lOOOmJ。）之光15秒鐘，使光硬化性組成 物1硬化，接著，將石英製模具從透光性基板1慢慢地分離。 如此進行，製作了具有與石英製模具之溝對應之複數個凸 條及該凸條間之平坦部的透光性基板1(凸條之間距Pp : 140nm、凸條之底部之寬度Dpb : 60nm、凸條之頂部之寬度 Dpt : 20nm、凸條之高度 Hp : 200nm、θ 1 及 0 2 : 84 °)。 (金屬層之形成） 使用可變更與沉積源相向之透光性基板1之傾斜的真 空沉積裝置（昭和真空公司製、SEC-16CM)，以斜向沉積法 使鋁沉積於透光性基板之凸條，形成金屬層，而獲得了背 面貼附有PET薄膜之線栅型偏光片。 此時，以表1所示之角度及厚度t進行1次從方向 VI(即第1側面側）之第1次沉積，該方向VI係相對凸條之長 度方向L約略垂直相交，且相對於凸條之高度方向Η於第1 側面側構成角度01"者，接著，以表1所示之角度0R及厚度 t進行1次從方向VI之第2次沉積。 此外，沉積量t係因沉積而於未形成有凸條之平坦區域 形成之金屬層的厚度，藉由將水晶振動器作為膜厚感測器 35 201124758 之膜厚監測器來測量。 [例2〜例9] 與例1同樣地進行而製作透光性基板後’除了沉積之次 數、各次沉積之方向（VI或V2)及角度0R以及以1次沉積形 成之金屬層厚度t為表1所示之角度及厚度以外’其餘與例1 同樣地進行，而獲得了線柵型偏光片。 [例 10] 與例1同樣地進行，製作了透光性基板。 使用與例1相同之真空沉積裝置，以斜向沉積法使鋁沉 積於透光性基板之凸條，形成金屬層，而獲得了背面貼附 有PET薄膜之線柵型偏光片。 此時，以表1所示之角度0R及厚度t進行1次從方向 VI(即第1側面側）之第1次沉積，該方向¥1係相對凸條之長 度方向L約略垂直相交’且相對於凸條之高度方向η於第1 側面側構成角度0*"者，接著，以表丨所示之角度0L及厚度 t進行1次從方向V2(即第2側面側）之第2次沉積，該方向V2 係相對凸條之長度方向L約略垂直相交，且相對於凸條之高 度方向Η於第2側面側構成角度0L者。進一步，以表丨所示 之角度及厚度t進行丨次從方向V1之第3次沉積。 [例 11] 與例1同樣地進行，製作了透光性基板。 使用與例1相同之真空沉積裝置，以斜向沉積法使紹沉 積於透光性基板之凸條，形成金屬層，而獲得了背面貼附 有PET薄膜之線柵型偏光片。 36 201124758 以表1所示之角度Μ及厚度t進行】次從方向 V1(即第1側面椒第1次沉積’該方㈣制目對凸條之長 度方向W略垂直相交，且相對於凸條之高度方向Η於第; 側面側構成角度V者’接著，以表i所示之角度^及厚度 t進行1次從方向V2(即第2側面側）之第2次沉積，該方向= 係相對凸條之長度方向L約略垂直相交，且相對於凸條之高 度方向Η於第2側面側構成角度pL者。進一步，以表1所= 之角度0R及厚度t進行！次從方向¥1之第3次沉積然後， 以表1所示之角度θ及厚度t進行丨次從方向V2之第4次沉 積。 [例12〜例15] 與例1同樣地進行而製作透光性基板後，除了沉積之次 數、各次沉積之方向及角度V(或角度〆)以及以丨次沉積 形成之金屬層厚度t為表1所示之角度及厚度以外，其餘與 例1同樣地進行，而獲得了線栅型偏光片。 [例 16] (透光性基板之製作） 除了模具係使用以預定間距形成有相互平行之複數個 溝的矽製模具（面積：2〇mmx2〇min、圖形面積： 1 〇mmx 1 〇_、溝之間距Pp : 215nm、溝之寬度Dpb :丨丨〇_、 溝之深度Hp : 150nm、溝之長度：10mm、溝之截面形狀： 約呈等腰三角形）以外’其餘與例1同樣地進行，而製作了 具有與矽製模具之溝對應之複數個凸條的透光性基板（凸 條之間距Pp : 215nm、凸條之寬度Dpb : ll〇nm、凸條之高 37 201124758 度Hp : 150nm)。 (金屬層之形成） 除了沉積之次數、各次沉積之方向及角度〆(或角度 0L)以及以1次沉積形成之金屬層厚度t為表i所示之角度及 厚度以外’其餘與例1同樣地進行，而獲得了線Μ偏光片。 [例 17] (透光性基板之製作） 除了模具係使用以預定間距形成有相互平行之複數個 溝的矽製模具（面積：2〇mm><2〇mm、 WH)随、溝之間距Pp: mnm、溝之寬度Dpb: 63邮 溝之深度HP: 15nm、溝之長度：1Qmm、溝之截面形狀： 約呈等腰三角形）以外’其餘與例！同樣地進行，而製作了 具有與矽製模具之溝對應之複數個凸條的透光性基板（凸 條之間距Pp: 130nm、凸條之寬度Dpb: 63nm、凸條之高度
Hp : 15nm) 〇 (金屬層之形成) 除了儿積之次數、各次沉積之方向及角度θκ(或角度 Θ )以及以1次沉積形成之金屬層厚度t為表1所示之角度及 厚度以外，其餘與例1同樣地進行，而獲得了線栅型偏光片。 [例 18] 與例17同樣地進行而製作透光性基板後，除了沉積之 次數、各次沉積之方向及角度0R以及以1次沉積形成之金 屬層厚度t為表1所示之角度及厚度以外，其餘與例1同樣地 進行’而獲得了線柵型偏光片。 38 201124758 [例 19] 除了模具係使用以預定間距形成有相互平行之複數個 溝的錄製模具（面積：20mm><2〇mm、圖形面積： lOmmxlOmm、溝之間距Pp : 200nm、溝之上部之寬度Dpb : 65nm、溝之底部之寬度Dpt : 50nm、溝之深度Hp : l〇〇nm、 溝之長度：10mm、溝之截面形狀：約呈梯形）以外，其餘 與例1同樣地進行，而製作了具有與鎳製模具之溝對應之複 數個凸條的透光性基板（凸條之間距Pp : 200nm、凸條之底 部之寬度Dpb : 65nm、凸條之頂部之寬度Dpt : 5〇nm、凸條 之高度Hp ·· lOOnm)。 (金屬層之形成） 除了沉積之次數、沉積之方向及角度0 R以及以沉積形 成之金屬層厚度t為表1所示之角度及厚度以外，其餘與例j 同樣地進行’而獲得了線柵型偏光片。 [例 20] 除了模具係使用以預定間距形成有相互平行之複數個 溝的鎳製模具（面積：20mmx20mm、圖形面積： lOmmxlOmm、溝之間距pp: 2〇〇nm、溝之上部之寬度Dpb : 80nm、溝之底部之寬度Dpt: 5〇nm、溝之深度Hp : 2〇〇nm、 溝之長度：l〇mm、溝之截面形狀：近似梯形）以外，其餘 與例1同樣地進行，而製作了具有與鎳製模具之溝對應之複 數個凸條的透光性基板（凸條之間距Pp : 2〇〇nm、凸條之底 部之寬度Dpb : 80nm、凸條之頂部之寬度Dpt : 5〇nm、凸條 之高度Hp : 200nm)。 39 201124758 (金屬層之形成） 除了沉積之次數、沉積之方向及角度0R以及以沉積形 成之金屬層厚度t為表1所示之角度及厚度以外，其餘與例1 同樣地進行，而獲得了線柵型偏光片。 [測量、評價] 對例1〜例20之線栅型偏光片，測量了金屬層之各尺 寸。將結果顯示於表2。 又，對例1〜例20之線柵型偏光片，測量了透射率、反 射率、偏光度、亮度、對比。將結果顯示於表3。 40 201124758 I<
第4次沉積 沉積 置t (nm) I 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 o in *·» 〇 04 tn in »· 1 1 1 1 1 角度 θ kl> C ) 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 tn 臂 in o o 寸 *n n 1 1 1 1 1 方向 V 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 CM > ca > Cs( > CM > > 1 1 1 1 1 第3次沉積 沉積 置t <nm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 vn <0 s l〇 Ψ» o CVJ in tn 1 1 1 1 1 角度 Θ wo C ) 1 1 1 1 1 1 I 1 1 l〇 o 寸 〇 〇 寸 〇 寸 I 1 1 1 1 方向 V 1 1 1 1 1 1 1 1 1 v·· > r· > > > > »· > 1 1 1 1 1 m 沉積 sit (nm) in D tn r> \n n iO CO in o tA o o IO ui <P o 〇 ·*» o o o «» o o 1 1 1 1 Μ ήρ 角度 Θ KL) (° ) tt) u) in 寸 jn s o 〇 l〇 in \e> V § 8 s 2 1 1 1 1 方向 V > > > > > > > > > CM > CM > CM > > > CM > «Νί > > c\i > <SI > 第1次沉積 沉積 fltt inm) 〇 in 产 Q CM to ur> 〇 o Q O T·* o f·· o 〇 o o 产 〇 Ο ”· ο in n tn to 角度 Θ wt> Γ > o o o CO s s s o n s s m »·» o in tf> n 方向 V > 1*» > > Ψ» > > ·*·· > r· > r· > Ψ· > > > > > > ψ» > > > r- > r· > > ca ή tf> <〇 卜 «D a> o CM r> tn 卜 CO Φ o CM 41 201124758 3< 金屬層 第2側面 Dr2 (nm) 1 I I 1 1 I I I 1 1 o 〇 ΧΩ CJ S N in tn c〇 1 1 1 Oa2 (nm> 1 I I 1 1 I l I 1 〇 o Ψ· 〇 o 〇 o ί則面 H2/Hp (nm) T— - 1·· T· [04 J \ 0-67 1 1 0 67 1 1 〇5_1 1〇：25J Hl/Hp (nm) | 0.23 | I 024 I L 〇-25j 丨 0.22 | 1 〇·24 1 I 0-21 i 1 0-25 1 i 0.33 | 1 0.44 I 1 025 i I 0.30 | L 0 25 J L„_〇,28 J [0.23 1 I 0.22 | 1 0.07 (D Ν 16.67 TO 〇· ! 0.05 H2 (nm) | 200 | | 200 J | 200 | | 200 | I 200 | I 200 | I 200 1 I 200 | I 200 I | 200 | | 200 | 200 | [200 I I 200 I I 200 | o (D Ο ψ» Ο s o iO 第11 HI {nm) tn s o 5 «· Φ <0 CO s s S in <0 o \ 390 1 丨 250 I o T- 〇 ψ» Drt (nm) to s in o < 〇 JO s to rv % in M 8 ID CSJ tn M m <0 00 tn CO o o r- Dal (nm) o in 8 to u> ο 〇 o o o o O 〇 〇 〇 I 透光性基板 Ηρ (nm) 1 200 I I 200 ! I 200 I I 200 I | 200 | I 200 I 1 200 1 I 200 | 1 200 1 I 200 J I 200 l I 200 I I 200 J I 200 I I 200 | |i5〇1 40 ψ» tn Ll〇〇 1 [200 | Dpt <πιτ») o M g % s s 8 o ίΊ 8 % 〇 g s s o CM ί 1 1 S S Dpb <nm) s % % g s g s g g % § o «Ρ s s 〇 <0 Ο <0 o <〇 (D o QO Pp (nm) I 140 I | 140 I 丨—140」 L—贩」 I 140 I L .140 J [—1—40」 L 140 I 140 I I <40 I L——_舰—」 I 140 . I LJ40—」 丨i仰 1 215 丨 130 j i 130 1 | 200 | 200 CM CO to CD 〇> 〇> O Csl O tn <〇 卜 ω T· 〇 42 201124758 對比 ω CO < GO 03 GO CD W CO w W (Λ W W <0 Q0 t/) (/> CD QQ ϋ崦 (Λ w w < < (Λ (/) (/> CO w CO Φ (/) (Λ w (/i W W Φ W 偏光度 00 (Λ (Λ ffl CD (/> < (Λ (Λ ίΛ (/) Φ (Λ (/) (Λ < tf) CO < < [ 700nm s儸光 反射率 背面 < < CD CD 0Q < < ω ω < (/> (Λ < < < X X X X X E Μ c/> CO CO < < (Λ « w W 00 κη Φ W W w w CO w w m pOI光 透射率 背面 (/} CO 00 W W W </> w CO < ω Φ CQ < (/) w w w w ω S w w to w 0 (/) w w w < ω CD ω < w (/> w (/) Φ CO | 550nm | 偏光度 < < 叻 ω m < CD « w </> (Λ ίΛ φ (/) w m (/) (/> ω GQ S偏光 反射率 背面 < w CD m go < V) CD m to W C/) < < < X X X X X 1 w (/) w < w W w co w w (Λ (Λ w V) w w w CO ϋ) P偏光 透射率 丨背面J </) w </) w (/) w w w w < CD < m < W < CO U) w w 1 w w w w w w « w < ω < GO < W < w </> (/) ¢/) 1 450nm I 僅光度 m CD 03 m GD ω ffl w w w CO (/) w w W ffl (Λ w ω CD sOI光 反射军 背面 < < £0 < < < (Λ CD m (rt (Λ C/1 < V) CO X X X X X 1 <Λ < <Λ < < < < ίΛ C/) (Λ (Λ Crt cn (Λ <0 w {/> ίΛ 1背® CO (Λ tf) w <0 W V) Φ CD < m < < ffi to ifi (Λ w % (Λ w ίΛ W in (Λ C/) Cft CD ω < cq < < CD c/ϊ t/> (/) (/3 厍 r» CNJ Γ> if) i〇 00 〇 n t— Λ CD — N s 〇> 1"» δ 43 201124758 例1〜例15由於具有被覆於截面近似梯形之凸條之側面 的金屬層，且該金屬層係從凸條之高度之一半之位置至底 部的被覆厚度最大值Dal小於從凸條之高度之一半之位置 至頂部的被覆厚度最大值Drl者，故顯示高偏光度、p偏光 透射率，且背面s偏光反射率低。 例16係相當於專利文獻2之第2實施例之例。由於間距 大而金屬層之被覆厚度一樣，故背面3偏光反射率高。又’ 偏光度低。 例17、18係相當於專利文獻3之第4實施例、第5實施例 之例。由於金屬層之被覆厚度一樣，故背面s偏光反射率高。 例19、例20係相當於專利文獻4之第9實施例、第10實 施例之例。由於金屬層之被覆厚度—樣，故背面3偏光反射 率高。又，偏光度低。 [例21〜例24] 除了透光性基板、沉積之次數、各次沉積之方向及角 度以及以1次沉積形成之金屬層厚度t為表4所示之透光 I1生基板、-人數、角度及厚度以外，其餘與例丨同樣地進行， 而獲得了線柵型偏光片。 [例 25] 與例21同樣地進行，製作了透光性基板。 使用與例21相同之真空沉積裝置，以斜向沉積法使紹 沉積於透光性基板之凸條，形成金屬層，而獲得了背面貼 附有PET薄膜之線柵型偏光片。 此時，以表4所示之角度0R及厚度t進行丨次從方向 44 201124758 l1(即第1側面側)之第1次沉積，該方向VH_凸條之長 度方向L約略垂直相交，且相對於凸條之高度方向h於第ι 側面側構成角度Μ者，接著，以表4所示之角度〆及厚度 t進m次從方㈣（即第2側面側）之第2次沉積該方向V2 係相對凸條之長度方机約略垂直相交，且相對於凸條之高 度方向Η於第2側面側構成角度者。進一步以表4所示 之角度及厚度t進行】次從方向¥1之第3次沉積，然後， 以表4所示之角度及厚度t進行丨次從方向V2之第*次沉 積。 [測量、評價] 對例21〜例25之線柵型偏光片，測量了金屬層之各尺 寸。將結果顯示於表4。 又，對例21〜例25之線柵型偏光片，測量了透射率、反 射率、偏光度、亮度、對比。將結果顯示於表5。 45 201124758 1 例25 > 8 in r- CM > 8 ιη 产 > to C4 to CM CSJ > w ir> CM [_160_1 § S | 400 | IT) T" Ο 2.67 1 ιη ο 彳 2.67 | I 例 24 1 > 8 If) ψ» > «Ν» \e> Ύ"· > 〇 in CO 1 1 1 1_120_I s 8 I 250_I U> r· ΙΟ <〇 I_M3_1 1 1 1 丨例23 | > S ir> > Ο S 1 1 1 I 1 _160_1 w S | 400 I m § 1 5.33 1 1 1 1 1 例 22 | > S in 产 > ο ο r* 1 1 ί___________160 „1 s 8 | 400 I \n 1__16Ζ_1 1 1 t 丨例21 I > S in r— > ο S 1 L 160 」 s 8 i i〇 S 1 4.00 1 1 1 1 I 方向 I 角度(β ) ? S _ U I 方向 j 1 角度Γ ) 1 1 沉積量(rm〇 I 1 方向 1 I 角度（° ) I 1 沉積量(nm) I | 方向 I | 角度r ) j 1 沉積藍⑽） 1 Pp(nm) | I Dpb (nm) I I Dpt (nm) I | Hp(nm) I I 〇a1 I 1 __1 1 Dr1/Da1 | 1_D?2_1 ί_D^2____ J | Dr2/Da2 | 第1次沉積 第2次沉積 第3次沉積 第4次沉積 透光性基板 第1側面 第2側面 金屬層 46 201124758 1 例25 CD CQ < (/) < < </) 00 C/5 < < < W t/> i/i σ> 例24 < < 00 (A ffl < < u> 00 < CO CO <Λ </> u> c/> CO 例23 < < CO CO < < < C/5 C/3 (/) CO w < C/3 U) CO 00 例22 < < CO C/) GQ CO w in w < ω w CO uy CO £/? ¢/5 例21 < < w W CD tn in CO w < C/) C/3 < uy (/) (Λ 00 m m 偏光度 m 偏光度 m 偏光度 亮度提高率 對比 ^Q. 450nm I 550nm 700nm 光學特性 。铄某聆^!5|8:30:'蛴某粕^131&匕1 47 201124758 [例26〜例3 7] 除了將透光性基板變更成表6所示之透光性基板、將沉 積條件變更成表6所示之形成金屬層之條件以外，其餘與例 21〜例25同樣地進行，而獲得了線柵型偏光片。 [測量、評價] 對例26〜例37之線柵型偏光片，測量了透射率、反射 率、偏光度。將結果顯示於表7。 此外，關於偏光度，以99.95%以上為S，以99.9%以上、 未滿99.95%為A，以99.5%以上、未滿99·9%為B，以未滿 99.5%為X。 48 201124758 Ό S »— JO to o l〇 m 8 <〇 o 8 0.18 t— CO in 8 T— CD CO S 8 § CM in U5 CO 7O〇J CM i〇 | 280 | | 0.22 | 1 1 7.00 | in CO s V*"· s S S CM to L〇 CM ί 5.00 | 5 § CNJ 0.15 | ί 1 5.⑻1 兮 CO s s S 280 in o CM | 4.00 1 CO 〇 00 OJ 0.27 | T· ir> 8 4.00 | CO CO s S S <N o s 2.00 s 茗 CM 0.19 〇 s 2.00 CJ CO »— s S 〇 to O T— l〇 CO CO cn 8 to 0.20 1 1 Ί~-· in CO CO o CM T—· s S 〇 CO o ir> CO | 3.50 | 另 寸 0.19 r- ! 1 3.5Q | o CO 〇 04 T— g S s CO o T«· ir> 3.50 之 s CO 0.19 1 1 3.50 | 0) <M S s S o CO CO o in c〇 | 3.50 | z 异 CO 〇,19 I 1 1 3.50 | 00 (M T"» s s o CO CNJ o in <〇 s CM 0.27 1 1 卜 r^> § s o 00 CM o o [4.00] m <〇 〇 00 csi 0.23 | -r~ 睡 1 4.00 | CnJ o csi V—· s a g CS4 o ur> CO 1 3.50 1 L〇 LO o 00 Csl 0-19 Τ-» 1 1 3.50 | -Q 〇 Q (0 o T— 占 [Dr1/Da1 *»— X 空 H1/Hp H2/Hp | Da2 Dr1/Da1 透光性基板 1 第1側面 第2側面 金屬層 49 201124758 卜< CO ίΛ 00 X < (/) (/> X ω < < U) X < ω CO < < ω CO < tn </> CO c/) 00 tn </> CO CO to CO < < CO c/> < (/) CO 00 (T> c/> CO 00 (Λ 00 σ> 寸 CO 0Q 00 00 CO a> < < C/3 ω σ> CD ω oa xn CO CO m €Ω w 00 CO < < CO CO CO CQ CO <〇 c/> CO 04 CO CO CO </> </) 00 to (/) 05 CO </> CO 00 m </> C/3 n (Λ CO CO 05 CO to CO CO c/> 00 ⑺ c/> (O 00 o CO CO CO 00 00 00 ⑺ CO </> CO 00 CO (Λ C/) CO oo 0> CM C/5 CO GO CQ CO tn 00 CO CO CO CO </> ¢/) CO C/) 00 CM < < 09 CO CO C/D C/3 (/> CO < CO CO (Λ to CO CO </> CO 00 CO C/) u> CO (Λ) CO C/5 GO CO CM CO CO OD CO CO CO to (Λ to in < <n 00 00 撇 被( 制 钵: 幽 m m CO QC 哩 ^D. (A QC i/i VC •R 1ϋ 450nm 550nm 700nm 光學特性 。掛苌1¾iKlis: sa f.踩某鄉米laa:dl 50 201124758 產業上之可利用性 本發明之線栅型偏光片作為液晶顯示裝置、背面投影 電視、前投式投影機等圖像顯示裝置的偏光片為有用。 此外，在此引用2009年1〇月8曰提申之日本專利申請案 2009-234431號之5兒明書、申請專利範圍、圖式及摘要之所 有内容，採納作為本發明之揭示。 【圖式簡單說^ a月】 第1圖係顯示本發明線柵型偏光片一例之立體圖。 第2圖係顯示本發明線栅型偏光片另一例之立體圖。 第3圖係顯示本發明線栅型偏光片另一例之立體圖。 第4圖係顯示透光性基板一例之立體圖。 【主要元件符號說明】 10...線柵型偏光片 27···第2金屬層之上層 12...凸條 A...虛線 13...平坦部 Pp···間距 14...透光性基板 Dal，Da2…厚度最大值 16...第1側面 Dpb ’ Dpt…寬度 18...第2側面 Dd，Dr2···厚度最大值 19...頂部 Η...高度方向 20...第1金屬層 Ηρ_·.高度(深度） 21…第1金屬層之下層 Hs...透光性基板之厚度 22···第1金屬層之上層 H1...金屬層高度 25…第2金屬層 H2...金屬層高度 26...第2金屬層之下層 H3...金屬層高度 51 201124758 L...長度方向 01，Θ2···傾斜角 VI...方向 0R，0L···角度 V2...方向 52