JP5929886B2 - グリッド偏光素子 - Google Patents
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- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001615 p wave Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
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- Polarising Elements (AREA)
Description
尚、本願発明の偏光素子では、グリッドの材質は金属には限らないので、以下、グリッド偏光素子と言い換える。
具体的に説明すると、透明基板1に対して犠牲層となる材料で薄膜を作成する。そして、レジスト塗布、露光、現像を行い、レジストパターンをマスクにしたエッチングを行い、犠牲層4を形成する(図7(1))。犠牲層4も、グリッドと同様、平面視では縞状である。
次に、異方性エッチングによって、薄膜5を選択的に除去する。エッチャントは、電界によって方向付けされ、各犠牲層4の高さ方向に沿って侵入する。このため、各犠牲層4の上面及び透明基板1の露出面で薄膜5が除去され、各犠牲層4の側面でのみ薄膜5が残留する(図7(3))。
グリッド偏光素子の製造工程では、何らかのウェットプロセスが存在する。例えば、洗浄工程では洗浄液を使用して素子を洗浄している。このように、液体(以下、プロセス液という)Lを使用するウェットプロセスでは、各線状部21の間の空間(以下、ギャップという)にプロセス液Lが入り込み、徐々に蒸発する。この際、各ギャップでプロセス液Lの蒸発は均一ではなく、図8(1)に示すように、蒸発が早い箇所と遅い箇所が出てくる。特に、本願の出願人が既に出願した特願2013−75246や特願2013−143119で提案されているギャップ幅偏在化の構造においては、広い方のギャップではコンダクタンスが高いために早く蒸発し易い一方、狭い方のギャップではコンダクタンスが低いために蒸発が遅くなる。
本願の発明は、このような課題を踏まえて為されたものであり、アスペクト比の高いグリッド偏光素子を製造する際の実用上の問題を解決し、高アスペクト比化を可能にすることで高い偏光性能が得られる高品質のグリッド偏光素子を提供することを目的とするものである。
各線状部の離間間隔は、紫外線を偏光させることが可能な間隔であり、
各線状部の透明基板とは反対側の端部には、倒壊防止キャップが設けられており、
倒壊防止キャップは、各線状部の幅よりも大きな幅で形成されていて、隣り合う線状部が傾いて接触するのを防止するものであり、
倒壊防止キャップは、偏光させる紫外線の波長において透明な材料の膜で形成されており、偏光させる光の波長において透明な材料で形成されており、
隣り合う線状部に形成された二つの倒壊防止キャップは、界面を形成した状態で互いに接触しており、
倒壊防止キャップを形成する前記偏光させる紫外線の波長において透明な材料の膜は、グリッドの各線状部の材料以外の材料であって且つグリッドの各線状部の材料のエッチャントとなる材料以外の材料の膜であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項2記載の発明は、透明基板と、透明基板上に設けられた多数の線状部より成る縞状のグリッドとを備えており、各線状部は、各線状部の厚さ方向に光が伝搬する過程で、各線状部の長さ方向に垂直な方向に偏光軸が向いている偏光光に比べて、各線状部の長さ方向に偏光軸が向いている偏光光が多く吸収されることで光を偏光させるものである吸収型のグリッド偏光素子であって、
各線状部の離間間隔は、紫外線を偏光させることが可能な間隔であり、
各線状部の透明基板とは反対側の端部には、倒壊防止キャップが設けられており、
倒壊防止キャップは、各線状部の幅よりも大きな幅で形成されていて、隣り合う線状部が傾いて接触するのを防止するものであり、
倒壊防止キャップは、偏光させる紫外線の波長において透明な材料の膜で形成されており、偏光させる光の波長において透明な材料で形成されており、
隣り合う線状部に形成された二つの倒壊防止キャップは、界面を形成した状態で互いに接触しており、
倒壊防止キャップを形成する前記偏光させる紫外線の波長において透明な材料の膜は、グリッドの各線状部の材料以外の材料であって且つグリッドの各線状部の材料のエッチャントとなる材料以外の材料の膜であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項3記載の発明は、前記請求項1又は2の構成において、前記各線状部の幅に対する高さの比は、7以上であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項4記載の発明は、前記請求項1、2又は3の構成において、前記各線状部は、無機誘電体で形成されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項5記載の発明は、前記請求項1の構成において、前記間隔は、200nm以下であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項6記載の発明は、前記請求項1乃至5いずれかの構成において、前記倒壊防止キャップを形成する膜は、前記各線状部の間の空間に入り込んで形成された膜であって前記各線状部の側面を下端まで覆った膜であり、当該入り込んだ部位の前記各線状部の側面における平均の厚さは前記各線状部の幅の50%以下であるという構成を有する。
また、請求項5記載の発明によれば、紫外域の光を偏光させる際に、消光比や透過率が高くなるので、質の良い偏光光を効率良く得ることができる。
また、請求項6記載の発明によれば、上記効果に加え、各線状部の間の空間に入り込んでいる倒壊防止キャップ用の膜が少量なので、偏光性能が悪化することがない。
図1は、本願発明の実施形態に係るグリッド偏光素子を模式的に示した斜視概略図である。図1に示すグリッド偏光素子は、透明基板1と、透明基板1上に設けられたグリッド2とを備えている。
透明基板1は、対象波長に対して十分な透過性を有するという意味で「透明」ということである。この実施形態では、紫外域の光を対象波長として想定しているので、透明基板1の材質としては石英ガラス(例えば合成石英)が採用されている。
吸収型のグリッド偏光素子は、本願の発明者らにより開発されたもので、一般には知られていない。従来知られたグリッド偏光素子は、反射型と呼べるもので、p偏光光がグリッド2を透過する一方、s偏光光がグリッド2で反射することを利用する。実施形態のグリッド偏光素子は、これとは異なり、s偏光光がグリッド2を厚さ方向(線状部21の高さ方向)に伝搬する過程でグリッド2に吸収されて減衰するのに対し、p偏光光にはそのような減衰が生じずに透過していくことを利用する。
即ち、各線状部21間の中央の電界Eyの最も高いところを境に、一方の側ではHzは光の伝搬方向前方に向き、他方の側ではHzは後方を向く。ここで、図2では省略されているが、x方向の磁界HxはEyと同位相で、x軸負の側を向いて存在している。このx方向磁界成分Hxは、生成されたz方向成分Hzに引っ張られ、波打つように変形する。
この様子が、図3において模式的に示されており、x方向磁界成分Hxの波打ち(回転)により新たに電界Eyが発生する様子が模式的に示されている。
また、倒壊防止キャップ3は、偏光させる光の波長において透明な材料で形成されている。具体的には、SiO2(酸化シリコン)、Si3N4(窒化シリコン)、MgF2(フッ化マグネシウム)等が倒壊防止キャップ3の材料として選定され得る。
図4(1)に示すように、製造時のプロセス液の表面張力、光照射時の加熱による応力等、線状部21を傾ける力Fが発生する。この場合、図4(2)に示すように、線状部21が傾いたとしても、最初に倒壊防止キャップ3同士が接触するので、線状部21同士が接触する状態まで傾くことはない。
倒壊防止キャップ3は、成膜技術を利用して適宜形成することができる。倒壊防止キャップ3の形成工程は、図6に示すような製造方法において、各線状部21が形成された後に行われる。この際、倒壊防止キャップ3となる膜31を形成する粒子は各線状部21の上面に凝集し、図5(1)に示すように塊状の膜31が堆積する。塊状と表現したが、断面でみると塊状ということであり、各線状部21と同様に長手方向に延びているので、線状の膜ではある。
特に実施形態のグリッド偏光素子は、前述したように吸収型のモデルで動作するものであり、ギャップ中に設計時には想定していない材料が入り込んで空間の誘電率が異なってくると、偏光性能(消光比や透過率)が期待されたようには得られなくなってしまう場合がある。
尚、図5(3)に示すように倒壊防止キャップ用の膜31を大きく成長させた場合、各膜31はお互い接触し得る。接触した場合には、界面が形成される。この場合には、倒壊防止用キャップがつっかえ棒のような状態になり、各線状部21が傾いてしまうのが完全に防止されるので、この点では好ましい。
また、図6に示すように、各線状部21におけるギャップ幅は、一つの線状部21の左右で意図的に異なるものにされる場合がある。本願の出願人は、先行する特願2013−075246や特願2013−143119において、ギャップ幅が周期的に異なる構造とした場合、一定の条件で偏光性能が向上する点を開示している。これら出願で開示された効果を得ようとする場合、図6に示すように、一つの線状部21において、一方の側のギャップ幅t1と他方の側のギャップ幅t2とが異なるものとされる。
この場合、線状部21の側面への膜堆積は、広いギャップ幅(図6の例ではt2)を形成している側面において多くなり易い。したがって、広いギャップ幅t2を臨む側面における平均の膜厚(図6にfaで示す)が線状部21の幅wの50%以下、より好ましくは30%以下であれば、狭い方のギャップ幅t1を除く側面でも平均50%以下、より好ましくは30%以下となり、偏光性能に与える影響は十分に小さく抑えられる。
また、吸収型のモデルでは、各線状部21の材料をシリコンとした場合、倒壊防止キャップ3には酸化チタンが採用でき、この場合の倒壊防止キャップ3の厚さ(線状部21の上面での厚さ)は、1〜70nm程度、はみ出し幅dは10〜50nm程度とされる。
2 グリッド
21 線状部
3 倒壊防止キャップ
31 倒壊防止キャップ用の膜
Claims (6)
- 透明基板と、透明基板上に設けられた多数の線状部より成る縞状のグリッドとを備えており、各線状部は、各線状部の厚さ方向に光が伝搬する過程で、各線状部の長さ方向に垂直な方向に偏光軸が向いている偏光光に比べて、各線状部の長さ方向に偏光軸が向いている偏光光が多く吸収されることで光を偏光させるものである吸収型のグリッド偏光素子であって、
各線状部の離間間隔は、紫外線を偏光させることが可能な間隔であり、
各線状部の透明基板とは反対側の端部には、倒壊防止キャップが設けられており、
倒壊防止キャップは、各線状部の幅よりも大きな幅で形成されていて、隣り合う線状部が傾いて接触するのを防止するものであり、
倒壊防止キャップは、偏光させる紫外線の波長において透明な材料の膜で形成されており、
隣り合う線状部に形成された二つの倒壊防止キャップは互いに離間しており、
倒壊防止キャップを形成する前記偏光させる紫外線において透明な材料の膜は、グリッドの各線状部の材料以外の材料であって且つグリッドの各線状部の材料のエッチャントとなる材料以外の材料の膜であることを特徴とするグリッド偏光素子。 - 透明基板と、透明基板上に設けられた多数の線状部より成る縞状のグリッドとを備えており、各線状部は、各線状部の厚さ方向に光が伝搬する過程で、各線状部の長さ方向に垂直な方向に偏光軸が向いている偏光光に比べて、各線状部の長さ方向に偏光軸が向いている偏光光が多く吸収されることで光を偏光させるものである吸収型のグリッド偏光素子であって、
各線状部の離間間隔は、紫外線を偏光させることが可能な間隔であり、
各線状部の透明基板とは反対側の端部には、倒壊防止キャップが設けられており、
倒壊防止キャップは、各線状部の幅よりも大きな幅で形成されていて、隣り合う線状部が傾いて接触するのを防止するものであり、
倒壊防止キャップは、偏光させる紫外線の波長において透明な材料の膜で形成されており、偏光させる光の波長において透明な材料で形成されており、
隣り合う線状部に形成された二つの倒壊防止キャップは、界面を形成した状態で互いに接触しており、
倒壊防止キャップを形成する前記偏光させる紫外線の波長において透明な材料は、グリッドの各線状部の材料以外の材料であって且つグリッドの各線状部の材料のエッチャントとなる材料以外の材料の膜であることを特徴とするグリッド偏光素子。 - 前記各線状部の幅に対する高さの比は、7以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のグリッド偏光素子。
- 前記各線状部は、無機誘電体で形成されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載のグリッド偏光素子。
- 前記間隔は、200nm以下であることを特徴とする請求項1記載のグリッド偏光素子。
- 前記倒壊防止キャップを形成する膜は、前記各線状部の間の空間に入り込んで形成された膜であって前記各線状部の側面を下端まで覆った膜であり、当該入り込んだ部位の前記各線状部の側面における平均の厚さは前記各線状部の幅の50%以下であることを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載のグリッド偏光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013265672A JP5929886B2 (ja) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | グリッド偏光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013265672A JP5929886B2 (ja) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | グリッド偏光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015121693A JP2015121693A (ja) | 2015-07-02 |
JP5929886B2 true JP5929886B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=53533347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013265672A Active JP5929886B2 (ja) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | グリッド偏光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5929886B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3545344A4 (en) * | 2016-11-22 | 2019-11-27 | Moxtek, Inc. | POLARIZER WITH GRID THREAD |
JP6484373B1 (ja) | 2018-06-26 | 2019-03-13 | デクセリアルズ株式会社 | 偏光板及びこれを備える光学機器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6376781B1 (en) * | 1996-05-03 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Low resistance contacts fabricated in high aspect ratio openings by resputtering |
US6122103A (en) * | 1999-06-22 | 2000-09-19 | Moxtech | Broadband wire grid polarizer for the visible spectrum |
TWI266899B (en) * | 2002-02-12 | 2006-11-21 | Unaxis Balzers Ltd | Component comprising submicron hollow spaces |
JP2007033558A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子及びその製法 |
US8755113B2 (en) * | 2006-08-31 | 2014-06-17 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
JP5403862B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2014-01-29 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 微細金属パターンの製造方法 |
JP4795214B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2011-10-19 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | ワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法 |
JPWO2008105261A1 (ja) * | 2007-02-27 | 2010-06-03 | 日本ゼオン株式会社 | グリッド偏光子 |
JP5045249B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2012-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子の製造方法 |
JP4412372B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子の製造方法 |
CN101981478B (zh) * | 2008-04-08 | 2012-11-07 | 旭硝子株式会社 | 线栅型偏振器的制造方法 |
JP5552888B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2014-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置および電子機器 |
JP5660910B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2015-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影用グリッドの製造方法 |
JP2012226208A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Canon Inc | 偏光分離素子、及びそれを用いた偏光変換素子及び画像投射装置 |
-
2013
- 2013-12-24 JP JP2013265672A patent/JP5929886B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015121693A (ja) | 2015-07-02 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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