JPWO2009123170A1 - フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009123170A1 JPWO2009123170A1 JP2010505926A JP2010505926A JPWO2009123170A1 JP WO2009123170 A1 JPWO2009123170 A1 JP WO2009123170A1 JP 2010505926 A JP2010505926 A JP 2010505926A JP 2010505926 A JP2010505926 A JP 2010505926A JP WO2009123170 A1 JPWO2009123170 A1 JP WO2009123170A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light shielding
- film
- layer
- antireflection layer
- surface antireflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 197
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 141
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 502
- 239000010408 film Substances 0.000 description 460
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 87
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 39
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 2
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- AHXGRMIPHCAXFP-UHFFFAOYSA-L chromyl dichloride Chemical compound Cl[Cr](Cl)(=O)=O AHXGRMIPHCAXFP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
Abstract
ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、透光性基板上に遮光膜を有し、前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
Description
本発明は、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法に関する。
一般に、ＬＳＩ等の高密度半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィルター、磁気ヘッド等の製造工程では、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術を用いて微細加工が行われている。
この微細加工には、石英ガラス、アルミノシリケートガラス等の透光性基板の上に、一般的にはクロム膜等の金属薄膜からなる遮光膜をスパッタまたは真空蒸着等で形成したフォトマスクブランクの遮光膜を所定のパターンに形成したフォトマスクが用いられている。
このフォトマスクブランクより作製されたフォトマスクは、フォトマスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン露光を施す露光工程、フォトマスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン露光を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する現像工程、得られたレジストパターンをマスクとして、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を用いたウェットエッチング、塩素ガスを用いたドライエッチング等のエッチングによって、レジストパターンの形成されていない遮光膜が露出した部位を除去し、所定のマスクパターンを透光性基板上に形成するエッチング工程、および、残存したレジストパターンを剥離除去する剥離除去工程を経て製造される。
遮光膜をエッチング工程においてパターニングする間、その遮光膜上に形成されているレジストパターンは十分な膜厚で残っていなければならないが、レジスト膜厚を厚くすると、特に微細なパターンを形成する場合、アスペクト比が大きくなり、パターン倒れなどの問題が生じる。そこで、フォトマスクに形成されるマスクパターンを微細化するためには、フォトマスクブランクに形成されたレジスト膜を薄膜化する必要がある。
この点について、日本国特許公開公報２００７−３３４７０号（特許文献１）には、遮光膜の膜厚を１００ｎｍ以下とし、高いエッチング速度を有するクロム系化合物の膜厚が７０％以上を占める構成とすることで、エッチング時間を短縮し、レジストの薄膜化を実現するフォトマスクブランクが開示されている。具体的には、特許文献１には、透光性基板上に、半透明膜、ＣｒＯＮ膜、Ｃｒ膜およびＣｒＯＮ膜が積層され、上記ＣｒＯＮ膜の膜厚が７０％以上を占めるフォトマスクブランクが開示されている。
しかしながら、上記ＣｒＯＮ膜は波長４５０ｎｍでの単位膜厚当りの光学濃度を設定しているに過ぎず、ＡｒＦエキシマレーザ光以下の露光光について最適化されていない。特に超高ＮＡリソグラフィでは、フォトマスクへの光入射角度が浅くなるため、微細化されたマスクパターン自身が転写像に陰をつくる（シャドウイング）問題が発生する。遮光膜が厚い場合、シャドウイングによる光量低下（コントラスト悪化）の影響が大きい。また断面形状もバラツキ易く、シャドウイングと合わせてＣＤ(Critical Dimension)転写精度を悪化する要因となる。
特許公開公報２００７−３３４７０号
上記状況の下、微細なマスクパターンが形成できるフォトマスクブランクが求められている。また、遮光膜上に形成されるレジスト膜を薄く形成でき、結果的にパターン倒れが生じにくく転写精度の良いフォトマスクブランクが求められている。具体的には、レジストパターン倒れを防止するために、レジスト膜が薄膜化されレジストパターンのアスペクト比が低減されることによって、ｈｐ４５ｎｍ、ｈｐ３２ｎｍ以降の世代に求められる解像性を有するフォトマスクが求められている。
フォトマスクブランクにおいてレジスト膜を薄膜化するためには、遮光膜のエッチング時間（ＥＴ）を短くする、すなわち遮光膜の構成を変更する必要がある。
エッチング時間（ＥＴ）は、エッチング速度（ＥＲ）、遮光膜の膜厚（ｄ）および遮光膜パターンの断面角度調整時間（オーバーエッチング時間）（ＯＥＴ）によって決定される。これらの関係は以下のとおりである。
ＥＴ＝ｄ／ＥＲ＋ＯＥＴ
＝ＣＥＴ＋ＯＥＴ・・・（１）
式（１）中、「ＣＥＴ」は、クリアエッチング（ジャストエッチング）時間であり、モニターパターン（一般に数ｍｍ角の大きな抜きパターン）のエッチングが基板または位相シフター膜等の下層膜に達する時間である。
エッチング時間（ＥＴ）は、エッチング速度（ＥＲ）、遮光膜の膜厚（ｄ）および遮光膜パターンの断面角度調整時間（オーバーエッチング時間）（ＯＥＴ）によって決定される。これらの関係は以下のとおりである。
ＥＴ＝ｄ／ＥＲ＋ＯＥＴ
＝ＣＥＴ＋ＯＥＴ・・・（１）
式（１）中、「ＣＥＴ」は、クリアエッチング（ジャストエッチング）時間であり、モニターパターン（一般に数ｍｍ角の大きな抜きパターン）のエッチングが基板または位相シフター膜等の下層膜に達する時間である。
したがって、エッチング速度（ＥＲ）の高速化、遮光膜膜厚（ｄ）の薄膜化、オーバーエッチング時間（ＯＥＴ）の短縮化等を図ることによって、エッチング時間（ＥＴ）の短い遮光膜を有するフォトマスクブランクが求められている。
オーバーエッチング時間（ＯＥＴ）を短縮するためには、ローディングによる断面形状バラツキを低減する必要があるが、エッチング速度（ＥＲ）が速すぎるとオーバーエッチング中にＵｎｄｅｒ−ｃｕｔが発生し、他方、エッチング速度（ＥＲ）が遅すぎるとエッチング時間（ＥＴ）長くなってしまう。そこで、縦方向のエッチング速度（各層のエッチング速度）が制御され、結果的に、オーバーエッチング時間（ＯＥＴ）を短縮できる、フォトマスクブランクが求められている。
エッチング速度（ＥＲ）の高速化するためには、通常、金属の含有率を低くする必要がある。しかしながら、金属の含有率を低く抑えると、単位膜厚当たりの光学濃度が低下してしまい、結果的に、遮光膜が所定の光学濃度を得るために必要な膜厚が大きくなってしまう。そこで、エッチング速度（ＥＲ）は高速であり、かつ、比較的薄い膜厚で充分な光学濃度を有する遮光膜を有するフォトマスクブランクが求められている。
また、たとえば意図していないエッチング（たとえばＵｎｄｅｒ−ｃｕｔ）等を防止することによって、エッチングした後の遮光膜の断面の角度がパターン密度によらず基板に対して垂直に形成され、さらには、エッチングした後の遮光膜の断面が滑らかな形状に形成されるフォトマスクブランクが求められている。
[１] ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、
遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
[２] 前記遮光層の膜厚は、裏面反射防止層の膜厚の４０％以下であることを特徴とする[１]に記載のフォトマスクブランク。
[３] 前記遮光層と表面反射防止層の膜厚比は、１．０：０．７〜１．０：７．０であることを特徴とする[１]または[２]に記載のフォトマスクブランク。
[４] 前記遮光層の膜厚は、前記遮光膜全体の膜厚の０．５％以上であることを特徴とする[１]ないし[３]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[５] 前記裏面反射防止層の厚さが２３〜３３ｎｍ、前記遮光層の厚さが２〜６ｎｍおよび前記表面反射防止層の厚さが１１〜１７ｎｍであることを特徴とする[１]ないし[４]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[６] 前記遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１であり、
前記遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比が１：５〜１：１９であり、
前記反射防止層は、遮光層に含まれる金属と同じ金属、ＮおよびＯを含有する膜からなり、ＮとＯの含有量の合計が４０〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする[１]ないし[５]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[７] 前記反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０４ｎｍ−１以下であり、前記遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５ｎｍ−１以上あることを特徴とする[１]ないし[６]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[８] 前記裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする[１]ないし[７]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[９] 前記裏面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｏｍ％であり、
前記遮光層のＮとＯの含有量の合計が３０ａｔｏｍ％以下であり、
前記表面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする[１]ないし[８]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１０] 前記裏面反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０３〜０．０４ｎｍ−１であり、
前記遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５〜０．０６ｎｍ−１であることを特徴とする[１]ないし[９]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１１] 前記裏面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が３５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層は、金属とＮを含み、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％、膜厚が２〜６ｎｍ、および、光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする[１]ないし[１０]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１２] 前記裏面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層は、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％含み、かつ、光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする[１]ないし[１１]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１３] 前記裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層の各エッチング速度は、
第２のエッチング速度＜第１のエッチング速度≦第３のエッチング速度
の関係を有することを特徴とする[１]ないし[１２]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１４] 前記透光性基板と遮光膜との間に位相シフター膜を有し、
前記遮光膜全体の膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする[１]ないし[１３]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１５] [１]ないし[１４]のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、
遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
[２] 前記遮光層の膜厚は、裏面反射防止層の膜厚の４０％以下であることを特徴とする[１]に記載のフォトマスクブランク。
[３] 前記遮光層と表面反射防止層の膜厚比は、１．０：０．７〜１．０：７．０であることを特徴とする[１]または[２]に記載のフォトマスクブランク。
[４] 前記遮光層の膜厚は、前記遮光膜全体の膜厚の０．５％以上であることを特徴とする[１]ないし[３]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[５] 前記裏面反射防止層の厚さが２３〜３３ｎｍ、前記遮光層の厚さが２〜６ｎｍおよび前記表面反射防止層の厚さが１１〜１７ｎｍであることを特徴とする[１]ないし[４]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[６] 前記遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１であり、
前記遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比が１：５〜１：１９であり、
前記反射防止層は、遮光層に含まれる金属と同じ金属、ＮおよびＯを含有する膜からなり、ＮとＯの含有量の合計が４０〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする[１]ないし[５]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[７] 前記反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０４ｎｍ−１以下であり、前記遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５ｎｍ−１以上あることを特徴とする[１]ないし[６]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[８] 前記裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする[１]ないし[７]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[９] 前記裏面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｏｍ％であり、
前記遮光層のＮとＯの含有量の合計が３０ａｔｏｍ％以下であり、
前記表面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする[１]ないし[８]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１０] 前記裏面反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０３〜０．０４ｎｍ−１であり、
前記遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５〜０．０６ｎｍ−１であることを特徴とする[１]ないし[９]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１１] 前記裏面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が３５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層は、金属とＮを含み、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％、膜厚が２〜６ｎｍ、および、光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする[１]ないし[１０]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１２] 前記裏面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層は、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％含み、かつ、光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする[１]ないし[１１]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１３] 前記裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層の各エッチング速度は、
第２のエッチング速度＜第１のエッチング速度≦第３のエッチング速度
の関係を有することを特徴とする[１]ないし[１２]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１４] 前記透光性基板と遮光膜との間に位相シフター膜を有し、
前記遮光膜全体の膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする[１]ないし[１３]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[１５] [１]ないし[１４]のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクの遮光膜の薄膜化が可能であり、それによってクリアエッチング時間（ＣＥＴ）が短縮されると共に、オーバーエッチング時間（ＯＥＴ）も短縮される。特に、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、複数層（特に３層）構造の遮光膜において、Ｃｒ等の金属の含有率の高い遮光層（吸収層）を設けることによって遮光膜の薄膜化が可能となり、クリアエッチング時間（ＣＥＴ）とオーバーエッチング時間（ＯＥＴ）を短縮できる。
また、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、高いエッチング速度（ＥＲ）の金属（たとえばＣｒ）含有膜（反射防止層）と低いエッチング速度（ＥＲ）の金属含有膜（吸収層）とを組み合わせること、さらには、高いエッチング速度（ＥＲ）の層と低いエッチング速度（ＥＲ）の層との膜厚を所定のバランスにすると共に、低いエッチング速度（ＥＲ）の層を所定位置に配置することによって、オーバーエッチング時間（ＯＥＴ）を短縮できる。
本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、クリアエッチング時間（ＣＥＴ）、オーバーエッチング時間（ＯＥＴ）または両者を短縮できることによって、遮光膜上に形成されるレジストを薄くすることができる。これによって、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、パターン倒れ等の問題が生じにくくなり、微細なマスクパターンが形成できる。
また、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、金属含有量の異なる複数の層を所定の膜厚で積層する構造を有することによって、遮光膜全体としてエッチング速度（ＥＲ）は高速であり、かつ、所定の膜厚で充分な光学濃度を有する遮光膜を有するフォトマスクブランクを提供できる。
また、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、金属含有量の異なる複数の層を所定の膜厚で積層する構造を有することによって、遮光膜全体としてエッチング速度（ＥＲ）は高速であり、かつ、所定の膜厚で充分な光学濃度を有する遮光膜を有するフォトマスクブランクを提供できる。
１ 表面反射防止層
２ 遮光層
３ 裏面反射防止層
５ 位相シフター膜
１０ 透光性基板
２ 遮光層
３ 裏面反射防止層
５ 位相シフター膜
１０ 透光性基板
本発明のフォトマスクブランクは透光性基板上に遮光膜を有するものである。具体的には、本発明のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜は透光性基板に直接設けられてもよいし、遮光膜と透光性基板との間に位相シフター膜等の他の膜が設けられてもよい。
また、本発明のフォトマスクブランクには、レジスト膜が形成されたフォトマスクブランクもレジスト膜が形成されていないフォトマスクブランクも含まれる。
また、本発明のフォトマスクブランクには、レジスト膜が形成されたフォトマスクブランクもレジスト膜が形成されていないフォトマスクブランクも含まれる。
１ 第１の態様
本発明者の発明者は、透光性基板上に形成された遮光膜の加工を行う際に、
（１）遮光層および表面反射防止層の２層構造では、下層の遮光層をエッチング速度が遅い材料で形成するとオーバーエッチング時間が長く必要になり、トータルエッチング時間が長くなってしまう一方、下層をエッチング速度が速い材料で形成するとクリアエッチング時間は短縮されるがローディングによってオーバーエッチング時間が長くなってしまう場合があるため、２層構造ではエッチング時間を短縮することが困難であること、
（２）オーバーエッチング時間を短くするために、裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層の３層構造とし、最下層の裏面反射防止層に遮光層よりもエッチング速度の速い材料を用いることが好ましいこと、
（３）３層構造とした場合、オーバーエッチング時間を短縮し、さらに遮光膜パターンの断面形状を良好にするために、エッチング速度の遅い中間層の膜厚を全体膜厚の３０％以下に調整することが好ましいこと、
を見出し、第１の態様のフォトマスクブランクの発明を完成した。
本発明者の発明者は、透光性基板上に形成された遮光膜の加工を行う際に、
（１）遮光層および表面反射防止層の２層構造では、下層の遮光層をエッチング速度が遅い材料で形成するとオーバーエッチング時間が長く必要になり、トータルエッチング時間が長くなってしまう一方、下層をエッチング速度が速い材料で形成するとクリアエッチング時間は短縮されるがローディングによってオーバーエッチング時間が長くなってしまう場合があるため、２層構造ではエッチング時間を短縮することが困難であること、
（２）オーバーエッチング時間を短くするために、裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層の３層構造とし、最下層の裏面反射防止層に遮光層よりもエッチング速度の速い材料を用いることが好ましいこと、
（３）３層構造とした場合、オーバーエッチング時間を短縮し、さらに遮光膜パターンの断面形状を良好にするために、エッチング速度の遅い中間層の膜厚を全体膜厚の３０％以下に調整することが好ましいこと、
を見出し、第１の態様のフォトマスクブランクの発明を完成した。
本発明の第１の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、
遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランクである。
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、
遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランクである。
１．１ 透光性基板
透光性基板は透光性を有する基板であれば特に限定されないが、石英ガラス基板、アルミノシリケートガラス基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板等を用いることができる。これらの中でも、石英ガラス基板は平坦度および平滑度が高く、フォトマスクを使用して半導体基板上へのパターン転写を行う場合、転写パターンの歪みが生じにくく高精度のパターン転写が行えるため好ましい。
透光性基板は透光性を有する基板であれば特に限定されないが、石英ガラス基板、アルミノシリケートガラス基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板等を用いることができる。これらの中でも、石英ガラス基板は平坦度および平滑度が高く、フォトマスクを使用して半導体基板上へのパターン転写を行う場合、転写パターンの歪みが生じにくく高精度のパターン転写が行えるため好ましい。
１．２ 遮光膜
本発明の第１の態様のフォトマスクブランクの遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有する。遮光膜は、裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層という少なくとも３層を有すればよく、さらに１層以上の層を有してもよい。
本発明の第１の態様のフォトマスクブランクの遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有する。遮光膜は、裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層という少なくとも３層を有すればよく、さらに１層以上の層を有してもよい。
１．２．１ 各層の構成
裏面反射防止層は、遮光膜を形成する層の中で、遮光層の下側（透光性基板に近い側）に設けられる層である。裏面反射防止層は、遮光膜の遮光性およびエッチング特性を制御する他、反射防止機能や位相シフター膜等との密着性を制御する構成とすること好ましい。裏面反射防止層は、遮光膜が形成された側とは反対側の透光性基板から入射される露光光が、裏面反射防止層により露光光源側に反射して転写特性に影響のない程度に裏面反射率を抑える程度であればよく、ＡｒＦエキシマレーザ光の波長に対して４０％以下、好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下が望ましい。
遮光層は、遮光膜を形成する層の中で、裏面反射防止層と表面反射防止層との間に設けられる層である。遮光層は、遮光膜の遮光性およびエッチング特性を制御する。また、多層膜中で最も高い遮光性を有する層であることが好ましい。
表面反射防止層は、遮光膜を形成する層の中で、遮光層の上側（透光性基板に遠い側）に設けられる層である。表面反射防止層は、遮光膜の遮光性およびエッチング特性を制御する他、フォトマスクブランクやフォトマスクにおける洗浄に対する耐薬性を制御する構成とすることが好ましい。また、表面反射防止層は、フォトマスクとして用いた場合に、半導体基板等の被転写物からの反射光が再び被転写物に戻ってパターン精度を悪化させることを防止する効果を奏するものであり、表面反射率は、ＡｒＦエキシマレーザ光の波長に対して３０％以下、好ましくは２５％以下、さらに好ましくは２０％以下が望ましい。
裏面反射防止層は、遮光膜を形成する層の中で、遮光層の下側（透光性基板に近い側）に設けられる層である。裏面反射防止層は、遮光膜の遮光性およびエッチング特性を制御する他、反射防止機能や位相シフター膜等との密着性を制御する構成とすること好ましい。裏面反射防止層は、遮光膜が形成された側とは反対側の透光性基板から入射される露光光が、裏面反射防止層により露光光源側に反射して転写特性に影響のない程度に裏面反射率を抑える程度であればよく、ＡｒＦエキシマレーザ光の波長に対して４０％以下、好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下が望ましい。
遮光層は、遮光膜を形成する層の中で、裏面反射防止層と表面反射防止層との間に設けられる層である。遮光層は、遮光膜の遮光性およびエッチング特性を制御する。また、多層膜中で最も高い遮光性を有する層であることが好ましい。
表面反射防止層は、遮光膜を形成する層の中で、遮光層の上側（透光性基板に遠い側）に設けられる層である。表面反射防止層は、遮光膜の遮光性およびエッチング特性を制御する他、フォトマスクブランクやフォトマスクにおける洗浄に対する耐薬性を制御する構成とすることが好ましい。また、表面反射防止層は、フォトマスクとして用いた場合に、半導体基板等の被転写物からの反射光が再び被転写物に戻ってパターン精度を悪化させることを防止する効果を奏するものであり、表面反射率は、ＡｒＦエキシマレーザ光の波長に対して３０％以下、好ましくは２５％以下、さらに好ましくは２０％以下が望ましい。
第１の態様のフォトマスクブランクでは、裏面反射防止層において、金属の含有量が２５ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｍ％を越える、遮光層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％未満である、または、表面反射防止層において、金属の含有量が２５ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｍ％を越えると、遮光膜全体として充分な光学濃度を得ることができないまたは膜厚が厚くなってしまう場合がある。他方、裏面反射防止層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が３５ａｔｍ未満である、遮光層において、金属の含有量が９０ａｔｍ％を越える、または、表面反射防止層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が４５ａｔｍ％未満であると、遮光膜のエッチング時間が長くなってしまう場合がある。
また、表面反射防止層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％を超える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が４５ａｔｍ％未満であると、表面反射率が高くなりすぎてしまい、ＡｒＦエキシマレーザ光に対して要求される２０％以下程度の表面反射率が得られなくなってしまうことがある。一方、表面反射防止層において、金属の含有量が２５ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｍ％を越えると、欠陥品質が悪化する場合がある。
また、表面反射防止層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％を超える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が４５ａｔｍ％未満であると、表面反射率が高くなりすぎてしまい、ＡｒＦエキシマレーザ光に対して要求される２０％以下程度の表面反射率が得られなくなってしまうことがある。一方、表面反射防止層において、金属の含有量が２５ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｍ％を越えると、欠陥品質が悪化する場合がある。
第１の態様のフォトマスクブランクでは、裏面反射防止層において、Ｃｒの含有量が３０ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が５５ａｔｍ％を越える、遮光層において、Ｃｒの含有量が５０ａｔｍ％未満である、もしくは、Ｎの含有量が２５ａｔｍ％を越える、または、表面反射防止層において、Ｃｒの含有量が３０ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６０ａｔｍ％を越えると、遮光膜全体として充分な光学濃度を得ることができないまたは膜厚が厚くなってしまう場合がある。他方、裏面反射防止層において、Ｃｒの含有量が４０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が４０ａｔｍ％未満である、遮光層において、Ｃｒの含有量が９０ａｔｍ％を越える、もしくは、Ｎの含有量の合計が３ａｔｍ％未満である、または、表面反射防止層において、Ｃｒの含有量が４０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が５０ａｔｍ％未満であると、遮光膜のエッチング時間が長くなってしまう場合がある。
また、第１の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光層のＮの含有量が３〜２５ａｔｍ％であると、一定の膜厚において比較的大きな光学濃度が得られるので好ましい。
また、第１の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光層のＮの含有量が３〜２５ａｔｍ％であると、一定の膜厚において比較的大きな光学濃度が得られるので好ましい。
第１の態様のフォトマスクブランクでは、裏面反射防止層において、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、かつＮとＯの含有量の合計が３５〜６５ａｔｍ％であることが好ましく、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、かつＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｍ％であることがさらに好ましい。
また、遮光層は、金属とＮを含み、かつ、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％であることが好ましく、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％であり、かつ、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％であることがさらに好ましい。
また、表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、かつ、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であることが好ましく、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、かつ、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であることがさらに好ましい。
また、遮光層は、金属とＮを含み、かつ、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％であることが好ましく、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％であり、かつ、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％であることがさらに好ましい。
また、表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、かつ、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であることが好ましく、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、かつ、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であることがさらに好ましい。
１．２．２ 各層の膜厚
第１の態様のフォトマスクブランクでは、エッチング速度の遅い遮光層の膜厚が全体膜厚の３０％以下であるから、遮光膜全体のエッチング時間を短縮することができる。遮光層の膜厚が遮光膜全体の膜厚の３０％を超えると、遮光膜の膜厚は薄膜化できるが、エッチング速度の速い裏面または表面反射防止層の割合が少なくなるため、エッチング時間を短縮できず好ましくない。
第１の態様のフォトマスクブランクでは、エッチング速度の遅い遮光層の膜厚が全体膜厚の３０％以下であるから、遮光膜全体のエッチング時間を短縮することができる。遮光層の膜厚が遮光膜全体の膜厚の３０％を超えると、遮光膜の膜厚は薄膜化できるが、エッチング速度の速い裏面または表面反射防止層の割合が少なくなるため、エッチング時間を短縮できず好ましくない。
また、第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層の膜厚が遮光膜全体の膜厚の３０％以下であるから、遮光層がエッチングされている間に上層の表面反射防止層で発生したローディングによる断面形状のバラツキが緩和される。その後、第１のエッチング速度で裏面反射防止層を高速にエッチングするので、裏面反射防止層をエッチングしている間に表面反射防止層等におけるエッチングが意図されていない部分がさらにエッチングされるのを抑制し、パターンの断面形状を良好とすることができる。さらに、遮光層の導入位置の最適化を図ることにより、断面形状をさらに良好にすることが可能となる。
第１の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光層の膜厚を遮光膜全体の膜厚の２０％以下、さらには１０％以下とすると、さらにエッチング時間が短縮し、断面形状もより良好になるため好ましい。エッチング速度の遅い中間層が厚い場合には中間層での裾引きが大きく、その影響により下層の裏面反射防止層のエッチング面積も狭くなり、トータルエッチング時間が長くなってしまうが、第１の態様のフォトマスクブランクにおいては、中間層が薄い場合には中間層での裾引きが小さく、下層のエッチングの進行が妨げられず好ましい。
また、遮光層を薄くする一方で、下層の裏面反射防止層の膜厚を厚くすると、パターン断面の角度をより垂直に近い角度で形成することが可能となる。言い換えれば、遮光膜中において、エッチング速度の遅い遮光層の位置を制御することによって、断面形状が良好になり、パターンの再現性を良好にすることができる。
そこで、第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層の膜厚は、裏面反射防止層の膜厚の４０％以下が好ましく、１５％以下がさらに好ましい。
そこで、第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層の膜厚は、裏面反射防止層の膜厚の４０％以下が好ましく、１５％以下がさらに好ましい。
遮光層と表面反射防止層の膜厚比の値が１．０／０．７を越える場合、表面反射防止層が薄くなりすぎて、所望の反射防止機能を有することができなくなる場合があり、また、膜厚比の値が１．０／７．０未満の場合、オーバーエッチング時間の短縮ができなくなる場合がある。
そこで、第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層と表面反射防止層の膜厚比は、１．０：０．７〜１．０：７．０、より好ましくは１．０：２．０〜１．０：７．０であることが好ましい。このような膜厚比を有することによって、エッチングが意図されていない部分がさらにエッチングされるのを抑制できるため断面形状が良好になり、パターンの再現性を良好にすることができる。
そこで、第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層と表面反射防止層の膜厚比は、１．０：０．７〜１．０：７．０、より好ましくは１．０：２．０〜１．０：７．０であることが好ましい。このような膜厚比を有することによって、エッチングが意図されていない部分がさらにエッチングされるのを抑制できるため断面形状が良好になり、パターンの再現性を良好にすることができる。
第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層の膜厚は、前記遮光膜全体の膜厚の０．５％以上、より好ましくは３％以上である。これによって、微細パターンと比較的大きなパターンとではエッチング速度に差が生じるため（マイクロローディング）、遮光層が薄すぎるとマイクロローディングによるＣＤリニアリティが悪化するが、それを防止することができる。
１．３ 光学濃度
本明細書において、光学濃度（ＯＤ）は、下記の関係を満たす。
ＯＤ（遮光膜全体）＝ＯＤ（表面反射防止層）＋ＯＤ（遮光層）＋ＯＤ（反射防止層）
また、本明細書において、「単位膜厚当りの光学濃度」は、下記の関係を満たす。
単位膜厚当りのＯＤ（ｎｍ−１）＝膜（層）のＯＤ／膜（層）厚
本明細書において、光学濃度（ＯＤ）は、下記の関係を満たす。
ＯＤ（遮光膜全体）＝ＯＤ（表面反射防止層）＋ＯＤ（遮光層）＋ＯＤ（反射防止層）
また、本明細書において、「単位膜厚当りの光学濃度」は、下記の関係を満たす。
単位膜厚当りのＯＤ（ｎｍ−１）＝膜（層）のＯＤ／膜（層）厚
第１の態様のフォトマスクブランクでは、遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１の範囲において、遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比を１：５〜１：１９として、反射防止層によって遮光膜全体の光学濃度の大部分を担う構成としている。光学濃度は、組成および膜厚に依存しているが、反射防止層のＮとＯの含有量の合計を４０〜６５ａｔｏｍ％としているので、所望の光学濃度を得るためには膜厚は比較的厚くなるが、エッチング速度は速い。これにより、エッチング速度の速い層の膜厚の割合が大きくなるので、エッチング時間の短縮が可能となり、結果的にレジスト膜の薄膜化が可能となる。
ここで、前記遮光層の光学濃度に対する反射防止層の光学濃度の比の値が１／５を越えると反射防止層のエッチング速度が遅くなる一方、上記比の値が１／１９未満では反射防止層の膜厚が厚くなり過ぎる。また、反射防止層のＮ含有量とＯ含有量との合計が６５ａｔｏｍ％を超えると膜厚が厚くなる一方、上記合計が４０ａｔｏｍ％未満ではエッチング速度が遅くなる。
ここで、前記遮光層の光学濃度に対する反射防止層の光学濃度の比の値が１／５を越えると反射防止層のエッチング速度が遅くなる一方、上記比の値が１／１９未満では反射防止層の膜厚が厚くなり過ぎる。また、反射防止層のＮ含有量とＯ含有量との合計が６５ａｔｏｍ％を超えると膜厚が厚くなる一方、上記合計が４０ａｔｏｍ％未満ではエッチング速度が遅くなる。
第１の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層の光学濃度が１．１未満の場合には光学濃度が不足するため、各層何れかの膜厚を厚くする必要が生じる一方、該光学濃度が１．３を超える場合にはエッチング速度が遅くなるため、各々薄膜化が困難となる。
また、遮光層の光学濃度が０．１未満の場合には遮光膜全体の光学濃度が不足するため、各層何れかの膜厚を厚くする必要が生じると共に、遮光層での反射が低下するため十分に干渉効果が得られなくなる。その結果、表面反射率が高くなり所望の反射率が得られない。また、遮光層の該光学濃度が０．３を超える場合にはエッチング時間が長くなり、レジスト薄膜化が困難となる。
さらに、表面反射防止層の光学濃度が０．４未満の場合には反射率が低くなりすぎると共に全体膜厚が厚くなり、該光学濃度が０．６を超える場合には反射率が高くなり過ぎる。
そこで、第１の態様のフォトマスクブランクは、裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６にすることにより、所望の膜厚、エッチング速度および光学特性を有する遮光膜を容易に得ることができる。
また、遮光層の光学濃度が０．１未満の場合には遮光膜全体の光学濃度が不足するため、各層何れかの膜厚を厚くする必要が生じると共に、遮光層での反射が低下するため十分に干渉効果が得られなくなる。その結果、表面反射率が高くなり所望の反射率が得られない。また、遮光層の該光学濃度が０．３を超える場合にはエッチング時間が長くなり、レジスト薄膜化が困難となる。
さらに、表面反射防止層の光学濃度が０．４未満の場合には反射率が低くなりすぎると共に全体膜厚が厚くなり、該光学濃度が０．６を超える場合には反射率が高くなり過ぎる。
そこで、第１の態様のフォトマスクブランクは、裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６にすることにより、所望の膜厚、エッチング速度および光学特性を有する遮光膜を容易に得ることができる。
具体的に、光学濃度が１．９の遮光膜を有する３つの態様のフォトマスクブランク（(1)低い光学濃度の遮光膜；(2)高い光学濃度の遮光膜；(3) 高い光学濃度の層と低い光学濃度の層とを組み合わせた３層構造の遮光膜）を比較してみる。
(1) 低い光学濃度の遮光膜
高ＥＲで単位膜厚当りＯＤ＝０．０３６ｎｍ−１である単層の遮光膜を形成する場合、遮光膜の膜厚は５３ｎｍとなる。このとき、クリアエッチング時間は最短となるが、オーバーエッチング時間は長くなり、垂直な形状が得られない場合がある。
(2) 高い光学濃度の遮光膜
低ＥＲで単位膜厚当りＯＤ＝０．０５ｎｍ−１である単層の遮光膜を形成する場合、膜厚は３８ｎｍとなる。このとき、クリアエッチング時間は最長となり、オーバーエッチング時間も長くなり、垂直な形状が得られない場合がある。
(3) 高い光学濃度の層と低い光学濃度の層とを組み合わせた３層構造の遮光膜
低い光学濃度の層（単位膜厚当りＯＤ＝０．０３９ｎｍ−１）、高い光学濃度の層（単位膜厚当りＯＤ＝０．０５ｎｍ−１）及び低い光学濃度の層（単位膜厚当りＯＤ＝０．０３６ｎｍ−１）の３層で遮光膜を形成する場合、たとえば、各層の膜厚をそれぞれ３０ｎｍ、４ｎｍ及び１４ｎｍとすることによって、実現できる。このとき、クリアエッチング時間は上記(1)の遮光膜と（２）の遮光膜との中間程度の時間となり、オーバーエッチング時間は最適となる。
(1) 低い光学濃度の遮光膜
高ＥＲで単位膜厚当りＯＤ＝０．０３６ｎｍ−１である単層の遮光膜を形成する場合、遮光膜の膜厚は５３ｎｍとなる。このとき、クリアエッチング時間は最短となるが、オーバーエッチング時間は長くなり、垂直な形状が得られない場合がある。
(2) 高い光学濃度の遮光膜
低ＥＲで単位膜厚当りＯＤ＝０．０５ｎｍ−１である単層の遮光膜を形成する場合、膜厚は３８ｎｍとなる。このとき、クリアエッチング時間は最長となり、オーバーエッチング時間も長くなり、垂直な形状が得られない場合がある。
(3) 高い光学濃度の層と低い光学濃度の層とを組み合わせた３層構造の遮光膜
低い光学濃度の層（単位膜厚当りＯＤ＝０．０３９ｎｍ−１）、高い光学濃度の層（単位膜厚当りＯＤ＝０．０５ｎｍ−１）及び低い光学濃度の層（単位膜厚当りＯＤ＝０．０３６ｎｍ−１）の３層で遮光膜を形成する場合、たとえば、各層の膜厚をそれぞれ３０ｎｍ、４ｎｍ及び１４ｎｍとすることによって、実現できる。このとき、クリアエッチング時間は上記(1)の遮光膜と（２）の遮光膜との中間程度の時間となり、オーバーエッチング時間は最適となる。
このような点からも、高い光学濃度の層と低い光学濃度の層とを組み合わせた遮光層は、エッチング時間の短縮化を図れることがわかる。これによって、レジスト薄膜化、断面形状良化及びローディングによるＣＤバラツキ低減の実現が可能となる。
１．４ エッチング速度
第１の態様のフォトマスクブランクでは、第１のエッチング速度（裏面反射防止層のエッチング速度）および第３のエッチング速度（表面反射防止層のエッチング速度）よりも遅い第２のエッチング速度（遮光層のエッチング速度）を有する。エッチング速度は、たとえば、金属膜に酸素を含有させることによって上昇させることができる。
第１の態様のフォトマスクブランクでは、第１のエッチング速度（裏面反射防止層のエッチング速度）および第３のエッチング速度（表面反射防止層のエッチング速度）よりも遅い第２のエッチング速度（遮光層のエッチング速度）を有する。エッチング速度は、たとえば、金属膜に酸素を含有させることによって上昇させることができる。
２ 第２の態様
遮光膜を構成する金属を含有する層に酸素を含有させるとエッチング速度が上昇するが、単位膜厚当りの光学濃度が小さくなるため、遮光層の膜厚が厚くなってしまう。また、縦方向にエッチング速度差の無い単一速度の膜はローディングによる断面形状バラツキが発生しやすい。
また、ＡｒＦエキシマレーザ光で露光されるフォトマスクの場合、半導体基板等の被転写物からの反射光が再び被転写物に戻ってパターン精度を悪化させるのを防止するために、裏面反射防止層および表面反射防止層を有する構成が好ましい。しかし、この積層構造で遮光膜が一定膜厚（たとえば６０ｎｍ）以下の制限があるなかで膜設計を行う場合、遮光層の膜厚が厚くなると、裏面または表面反射防止層の膜厚を薄くしなければならないが、単に薄くしただけでは全体の遮光性や反射率等の光学特性が確保されなくなる。
遮光膜を構成する金属を含有する層に酸素を含有させるとエッチング速度が上昇するが、単位膜厚当りの光学濃度が小さくなるため、遮光層の膜厚が厚くなってしまう。また、縦方向にエッチング速度差の無い単一速度の膜はローディングによる断面形状バラツキが発生しやすい。
また、ＡｒＦエキシマレーザ光で露光されるフォトマスクの場合、半導体基板等の被転写物からの反射光が再び被転写物に戻ってパターン精度を悪化させるのを防止するために、裏面反射防止層および表面反射防止層を有する構成が好ましい。しかし、この積層構造で遮光膜が一定膜厚（たとえば６０ｎｍ）以下の制限があるなかで膜設計を行う場合、遮光層の膜厚が厚くなると、裏面または表面反射防止層の膜厚を薄くしなければならないが、単に薄くしただけでは全体の遮光性や反射率等の光学特性が確保されなくなる。
そこで、本発明の第２の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属および窒素を含有する金属窒化膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有することを特徴とする。
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属および窒素を含有する金属窒化膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有することを特徴とする。
金属は窒化されることにより、結晶構造の変化または膜密度の低下が生じるため、遮光層が金属窒化膜の第２の態様のフォトマスクブランクは、純金属膜の場合と比較して、引っ張り応力が緩和でき、膜応力の調整が容易になりやすい。
第２の態様のフォトマスクブランクでは、遮光層をエッチング速度の遅い金属窒化膜とすることによって、光学濃度を高く維持しながら遮光膜の薄膜化が可能となる。これにより、積層構造で全体膜厚が一定膜厚以下の所望の光学特性を有する遮光膜を容易に設計することが可能となり、レジスト膜の薄膜化が実現できる。
また、第２の態様のフォトマスクブランクによれば、金属窒化膜の第２のエッチング速度は、裏面反射防止層、表面反射防止層のエッチング速度に比べ遅いため、縦方向のエッチングに変化を与えることができる。すなわち、エッチング速度の遅い金属窒化膜がエッチングされている間に、エッチング速度の速い表面反射防止層で発生したローディングによる断面形状のバラツキが緩和される。遮光層のエッチング終了後、第１のエッチング速度で裏面反射防止層を高速にエッチングするので、裏面反射防止層をエッチングしている間に表面反射防止層等においてエッチングが意図されていない部分がさらにエッチングされるのを抑制し、パターンの断面形状を良好とすることができる。
３ 第３の態様
（１） 本発明の第３の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
遮光膜は、遮光層と少なくとも一層の反射防止層とを備え、遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１であり、
遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比が１：５〜１：１９であり、
遮光層は、金属を含有する膜からなり、
反射防止層は、遮光層に含まれる金属と同じ金属、ＮおよびＯを含有する膜からなり、ＮとＯの含有量の合計が４０〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする。
（１） 本発明の第３の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
遮光膜は、遮光層と少なくとも一層の反射防止層とを備え、遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１であり、
遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比が１：５〜１：１９であり、
遮光層は、金属を含有する膜からなり、
反射防止層は、遮光層に含まれる金属と同じ金属、ＮおよびＯを含有する膜からなり、ＮとＯの含有量の合計が４０〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする。
第３の態様のフォトマスクブランクは、遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１の範囲において、遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比を１：５〜１：１９として、反射防止層によって遮光膜全体の光学濃度の大部分を担う構成としている。光学濃度は、組成および膜厚に依存しているが、反射防止層のＮとＯの含有量の合計を４０〜６５ａｔｏｍ％としているので、所望の光学濃度を得るためには膜厚は比較的厚くなるが、エッチング速度は速い。これにより、エッチング速度の速い層の膜厚の割合が大きくなるので、エッチング時間の短縮が可能となり、結果的にレジスト膜の薄膜化が可能となる。
第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、前記遮光層の光学濃度に対する反射防止層の光学濃度の比の値が１／５を越えると反射防止層のエッチング速度が遅くなる一方、上記比の値が１／１９未満では反射防止層の膜厚が厚くなり過ぎる。また、 第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、反射防止層のＮ含有量とＯ含有量との合計が６５ａｔｏｍ％を超えると膜厚が厚くなる一方、上記合計が４０ａｔｏｍ％未満ではエッチング速度が遅くなる。
（２） 第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０４ｎｍ−１以下であり、遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５ｎｍ−１以上あることが好ましい。
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、
遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、
表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６である態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクは、各層の光学濃度をこれらの範囲内にすることにより、所望の膜厚、エッチング速度および光学特性を有する遮光膜を容易に得ることができる。
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、
遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、
表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６である態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクは、各層の光学濃度をこれらの範囲内にすることにより、所望の膜厚、エッチング速度および光学特性を有する遮光膜を容易に得ることができる。
第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層の光学濃度が１．１未満の場合には光学濃度が不足するため、各層何れかの膜厚を厚くする必要が生じる一方、該光学濃度が１．３を超える場合にはエッチング速度が遅くなるため、各々薄膜化が困難となる。
また、第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光層の光学濃度が０．１未満の場合には遮光膜全体の光学濃度が不足するため、各層何れかの膜厚を厚くする必要が生じると共に、遮光層での反射が低下するため十分に干渉効果が得られなくなる。その結果、表面反射率が高くなり所望の反射率が得られない。また、遮光層の該光学濃度が０．３を超える場合にはエッチング時間が長くなり、レジスト薄膜化が困難となる。
さらに、第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、表面反射防止層の光学濃度が０．４未満の場合には反射率が低くなりすぎると共に全体膜厚が厚くなり、該光学濃度が０．６を超える場合には反射率が高くなり過ぎる。
（３） 第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層の、ＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｏｍ％であり、
遮光層のＮとＯの含有量の合計が３０ａｔｏｍ％以下であり、
表面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｏｍ％である態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクは、各層のＮとＯの含有量を所定の範囲内にすることにより、所望の膜厚、エッチング速度および光学特性を有する遮光膜を容易に得ることができる。
裏面反射防止層の、ＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｏｍ％であり、
遮光層のＮとＯの含有量の合計が３０ａｔｏｍ％以下であり、
表面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｏｍ％である態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクは、各層のＮとＯの含有量を所定の範囲内にすることにより、所望の膜厚、エッチング速度および光学特性を有する遮光膜を容易に得ることができる。
第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４０ａｔｏｍ％未満の場合にはエッチング速度が遅くなり、ＮとＯの含有量の合計が５５ａｔｏｍ％を超える場合には光学濃度が小さくなり（膜厚が厚くなり）、各々薄膜化が困難となる。
また、第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光層のＮとＯの含有量の合計が３０ａｔｏｍ％を超える場合にはエッチング速度が遅くなり、薄膜化が困難となる。
さらに、第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、表面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４５ａｔｏｍ％未満の場合にはエッチング速度が遅くなり、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｏｍ％を超える場合には光学濃度が小さくなり（膜厚が厚くなり）、各々薄膜化が困難となる。
第３の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０３〜０．０４ｎｍ−１であり、遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５〜０．０６ｎｍ−１であることが好ましい。
４ 第４の態様
本発明の第４の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層は、Ｃｒのターゲットを用い、不活性ガスが４５〜６５ｖｏｌ％、ＣＯ2ガスが３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガスが１〜１５ｖｏｌ％である混合ガス雰囲気中で形成されたＣｒＯＣＮ膜からなり、
遮光層は、Ｃｒのターゲットを用い、不活性ガスが７０〜９０ｖｏｌ％、Ｎ2ガスが５〜２５ｖｏｌ％である混合ガス雰囲気中で形成されたＣｒＮ膜からなり、
表面反射防止層は、Ｃｒのターゲットを用い、不活性ガスが４０〜６０ｖｏｌ％、ＣＯ2ガスが２５〜４５ｖｏｌ％、Ｎ2ガスが５〜２０ｖｏｌ％である混合ガス雰囲気中で形成されたＣｒＯＣＮ膜からなることを特徴とする。
本発明の第４の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層は、Ｃｒのターゲットを用い、不活性ガスが４５〜６５ｖｏｌ％、ＣＯ2ガスが３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガスが１〜１５ｖｏｌ％である混合ガス雰囲気中で形成されたＣｒＯＣＮ膜からなり、
遮光層は、Ｃｒのターゲットを用い、不活性ガスが７０〜９０ｖｏｌ％、Ｎ2ガスが５〜２５ｖｏｌ％である混合ガス雰囲気中で形成されたＣｒＮ膜からなり、
表面反射防止層は、Ｃｒのターゲットを用い、不活性ガスが４０〜６０ｖｏｌ％、ＣＯ2ガスが２５〜４５ｖｏｌ％、Ｎ2ガスが５〜２０ｖｏｌ％である混合ガス雰囲気中で形成されたＣｒＯＣＮ膜からなることを特徴とする。
第４の態様のフォトマスクブランクは、膜厚が６０ｎｍ以下で所望の光学特性を有する積層構造のフォトマスクブランクである。
また、第４の態様のフォトマスクブランクにおいて、反射防止層を形成する場合、Ｏ2ガスやＮＯガスを用いることができるが、酸化度の高い膜を形成しようとすると、プラズマを安定化させるため比較的ガス圧の高い状態でスパッタする必要がある。そうすると得られる膜がもろくなり、チャンバー内に付着した膜が剥がれて成膜中の基板に付着するため、欠陥品質が悪化しやすい。
これに対して、ＣＯ2ガスを用いた場合には、比較的ガス圧の低い状態で酸化度の制御が可能であり、膜質がもろくならない程度のガス流量下で成膜することができる。
そこで、欠陥品質を良好にするという点から、第４の態様のフォトマスクブランクは、遮光膜を構成する相を形成するために用いる雰囲気ガスとしてＣＯ2ガスを用いることが好ましい。
これに対して、ＣＯ2ガスを用いた場合には、比較的ガス圧の低い状態で酸化度の制御が可能であり、膜質がもろくならない程度のガス流量下で成膜することができる。
そこで、欠陥品質を良好にするという点から、第４の態様のフォトマスクブランクは、遮光膜を構成する相を形成するために用いる雰囲気ガスとしてＣＯ2ガスを用いることが好ましい。
（２） 第４の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層を形成するための不活性ガスは、１０〜３０ｖｏｌ％のＡｒガスと、２０〜４０ｖｏｌ％のＨｅガスとからなり、表面反射防止層を形成するための不活性ガスは、１０〜３０ｖｏｌ％のＡｒガスと、２０〜４０ｖｏｌ％のＨｅガスとからなる態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクによれば、雰囲気ガスにＨｅガスを入れると、Ｃｒ系遮光膜の場合には得られる層の圧縮応力が増すので、膜応力を制御することができ、また、Ｈｅガスは、主に膜応力の制御にのみ作用するため、膜応力設計が容易になるので好ましい。
５ 第５の態様
（１） 本発明の第５の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が３５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が１．１〜１．３であり、
遮光層は、金属とＮを含み、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％、膜厚が２〜６ｎｍ、および、光学濃度が０．１〜０．３であり、
表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする。
（１） 本発明の第５の態様のＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
裏面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が３５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が１．１〜１．３であり、
遮光層は、金属とＮを含み、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％、膜厚が２〜６ｎｍ、および、光学濃度が０．１〜０．３であり、
表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする。
第５の態様のフォトマスクブランクでは、裏面反射防止層において、金属の含有量が２５ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｍ％を越える、遮光層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％未満である、または、表面反射防止層において、金属の含有量が２５ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６５ａｔｍ％を越えると、遮光膜全体として充分な光学濃度を得ることができない場合がある。他方、裏面反射防止層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が３５ａｔｍ未満である、遮光層において、金属の含有量が９０ａｔｍ％を越える、または、表面反射防止層において、金属の含有量が５０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が４５ａｔｍ％未満であると、遮光膜のエッチング時間が長くなってしまう場合がある。
また、第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光層のＮの含有量が３〜２５ａｔｍ％であると、一定の膜厚において比較的大きな光学濃度が得られるので好ましい。
第５の態様のフォトマスクブランクの遮光層において、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％であることが好ましい。さらに、フォトマスクブランクの遮光層において、単位膜厚当たりの光学濃度が０．０５〜０．０６ｎｍ−１であることが好ましい。
第５の態様のフォトマスクブランクの遮光層において、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％であることが好ましい。さらに、フォトマスクブランクの遮光層において、単位膜厚当たりの光学濃度が０．０５〜０．０６ｎｍ−１であることが好ましい。
（２） 第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が１．１〜１．３であり、
遮光層は、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％含み、かつ、光学濃度が０．１〜０．３であり、
表面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が０．４〜０．６である態様が含まれる。
遮光層は、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％含み、かつ、光学濃度が０．１〜０．３であり、
表面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が０．４〜０．６である態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクでは、裏面反射防止層において、Ｃｒの含有量が３０ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が５５ａｔｍ％を越える、遮光層において、Ｃｒの含有量が５０ａｔｍ％未満である、もしくは、Ｎの含有量が２５ａｔｍ％を越える、または、表面反射防止層において、Ｃｒの含有量が３０ａｔｍ％未満である、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が６０ａｔｍ％を越えると、遮光膜全体として充分な光学濃度を得ることができない場合がある。他方、裏面反射防止層において、Ｃｒの含有量が４０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が４０ａｔｍ％未満である、遮光層において、Ｃｒの含有量が９０ａｔｍ％を越える、もしくは、Ｎの含有量の合計が３ａｔｍ％未満である、または、表面反射防止層において、Ｃｒの含有量が４０ａｔｍ％を越える、もしくは、ＮとＯの含有量の合計が５０ａｔｍ％未満であると、遮光膜のエッチング時間が長くなってしまう場合がある。
（３） 第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜の膜厚が６０ｎｍ以下である態様が含まれる。
（４）また、第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層の厚さが２３〜３３ｎｍ、遮光層の厚さが２〜６ｎｍおよび表面反射防止層の厚さが１１〜１７ｎｍである態様が含まれる。
当該態様のフォトマスクブランクでは遮光膜の膜厚が６０ｎｍ以下であることが好ましい。したがって、遮光膜を構成する遮光層の膜厚が大きくなれば、裏面反射防止層と表面反射防止層の合計の膜厚は小さくなる傾向がある一方で、他方、遮光膜を構成する遮光層の膜厚が小さくなれば、裏面反射防止層と表面反射防止層の合計の膜厚は大きくなる傾向がある。また、裏面反射防止層と表面反射防止層は、金属含有量等の組成の性質に基づき、遮光層に比べて、エッチング速度は速いが単位膜厚当たりの光学濃度が小さい傾向がある。
したがって、第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜の膜厚が６０ｎｍ以下という制限下で、裏面反射防止層が３３ｎｍを越える厚さ、かつ、表面反射防止層が１７ｎｍを越える厚さであっても、遮光層が２ｎｍ未満の厚さであると、遮光膜全体として充分な光学濃度を得ることができない場合がある。他方、遮光膜の膜厚が６０ｎｍ以下という制限下で、裏面反射防止層が２３ｎｍ未満の厚さ、かつ、表面反射防止層が１１ｎｍ未満の厚さであっても、遮光層が１７ｎｍを越える厚さであると、遮光膜全体のエッチング時間が長くなってしまう場合がある。
（５） 第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、
裏面反射防止層は、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有する態様が含まれる。
裏面反射防止層は、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有する態様が含まれる。
６ 第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおける好ましい態様
６．１ エッチング速度
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、「第２のエッチング速度＜第１のエッチング速度≦第３のエッチング速度」の関係であると、パターンの断面の角度が垂直に近づくため好ましい。また、第１のエッチング速度＜第３のエッチング速度とすれば、さらにパターンの断面の角度が垂直に近づくため好ましい。
６．１ エッチング速度
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、「第２のエッチング速度＜第１のエッチング速度≦第３のエッチング速度」の関係であると、パターンの断面の角度が垂直に近づくため好ましい。また、第１のエッチング速度＜第３のエッチング速度とすれば、さらにパターンの断面の角度が垂直に近づくため好ましい。
また、第３のエッチング速度と第２のエッチング速度との比は、１．０：１．１〜１．０：２．０が好ましい。第２のエッチング速度が第１のエッチング速度の２．０倍を超える場合には、反射防止層と遮光層の断面に段差が生じる一方、１．１倍未満の場合には全体のエッチング時間の短縮ができなくなる。また、前記第３のエッチング速度は０．６７ｎｍ／ｓｅｃ以上であり、前記第２のエッチング速度は０．４４ｎｍ／ｓｅｃ以下であることが好ましい。
６．２ 遮光膜の組成
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、反射防止層（裏面反射防止層、表面反射防止層等）または遮光層に含有される金属としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等の遷移金属が好ましいが、Ｃｒは塩素系および酸素系でドライエッチングを行うので、ガラス基板またはハーフトーン型位相シフター膜との選択比がとれるので特に好ましい。また、Ｃｒはドライエッチングだけでなく、ウェットエッチングも可能となるため、他の金属と比較してより好ましい。
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、反射防止層（裏面反射防止層、表面反射防止層等）または遮光層に含有される金属としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等の遷移金属が好ましいが、Ｃｒは塩素系および酸素系でドライエッチングを行うので、ガラス基板またはハーフトーン型位相シフター膜との選択比がとれるので特に好ましい。また、Ｃｒはドライエッチングだけでなく、ウェットエッチングも可能となるため、他の金属と比較してより好ましい。
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、裏面反射防止層または表面反射防止層は、Ｃｒの含有量が５０ａｔｍ％以下であり、少なくともＯ、Ｃ、Ｎの何れかを含む層であり、遮光層は、Ｃｒの含有量が５０％ａｔｍ以上の膜であることが好ましい。このような構成を有することによって、第２のエッチング速度＜第１または第３のエッチング速度の関係を有する膜を容易に形成することができるからである。
裏面反射防止層または表面反射防止層はＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＣＯまたはＣｒＯＣＮからなることが好ましく、これらの中でも、ＣｒＯＣＮからなることが特に好ましい。
また、遮光層は、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＣＯまたはＣｒＯＣＮからなり、ＣｒＮまたはＣｒＯＮがより好ましい。
また、遮光層は、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＣＯまたはＣｒＯＣＮからなり、ＣｒＮまたはＣｒＯＮがより好ましい。
裏面反射防止層または表面反射防止層がＣｒＯＣＮからなる場合、Ｃｒ−Ｃｒ結合成分とＣｒＯｘＮｙ成分とが混在する態様が好ましい。また、遮光層がＣｒＮからなる場合、Ｃｒ−Ｃｒ結合成分が主体であり、ＣｒＯｘＮｙ成分はわずかである態様が好ましい。ＣｒＯｘＮｙ成分を多くすることにより、エッチング速度を速くすることが可能となる。
さらに、本実施の形態の裏面反射防止層または表面反射防止層は、緻密なアモルファス構造であることが好ましい。
また、炭素はクロム炭化物（Ｃｒ−Ｃ）が主体であり、その他の成分Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎが混在した状態であることが好ましい。
また、裏面反射防止層と表面反射防止層とは、互いに組成が同一であり、組成比と膜厚が互いに異なることが好ましい。このような構成を有することによって、裏面反射防止層と表面反射防止相を形成する際の雰囲気ガスを同じとすることができるので、遮光膜の成膜工程が容易になるからである。このとき、表面反射防止層は欠陥品質が良好となるように酸化度を調整し、裏面反射防止層は光学濃度を高くしつつ反射率を下げるように調整することが容易である。
６．３ 遮光膜の光学濃度
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、ＡｒＦエキシマレーザ光に対する遮光層の単位膜厚当たりの光学濃度が０．０５ｎｍ−１以上であることが好ましい。
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、ＡｒＦエキシマレーザ光に対する遮光層の単位膜厚当たりの光学濃度が０．０５ｎｍ−１以上であることが好ましい。
６．４ フラットネス変化量
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、成膜前後のフラットネス変化量が０．０５μｍ以下であることが好ましい。
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、成膜前後のフラットネス変化量が０．０５μｍ以下であることが好ましい。
６．５ レジスト膜・エッチングマスク膜
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜上に膜厚が２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下のレジスト膜を設けてもよい。
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜上に膜厚が２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下のレジスト膜を設けてもよい。
また、第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜上にエッチングマスク膜を設けてもよい。遮光膜がＣｒを含む場合、ドライエッチング加工は、エッチングガスに塩素および酸素を用いることによって、塩化クロミルの形で昇華させるのが一般的であるが、レジストの主成分は炭素であるから、酸素プラズマに対してレジストは非常に弱い。したがって、エッチングマスク膜を設けることにより、レジスト膜に対する負荷を低減することができるので、レジスト膜を１００ｎｍ以下とより薄膜化することが可能となる。遮光膜がＣｒを主成分とする場合には、エッチングマスク膜は選択比が高いＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＮなどを５〜２０ｎｍの膜厚で設けることが好ましい。また、Ｓｉを２０％以上含有する有機膜でも膜厚を２０〜４０ｎｍとすることによって、エッチングマスク膜として設けることができる。
第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜上にエッチングマスク膜を設けることによって、よりレジストの薄膜化が可能となる。具体的には、レジスト膜厚を１００ｎｍ以下とすると、パターン形状の悪化が顕著であり、エッチングマスク膜にマスクパターンを転写したときのＬＥＲ（Line Edge Roughness）が悪化してしまうため、エッチングマスク膜のエッチング時間を短縮する必要があることを本発明者は見出した。上記実施の形態の遮光膜は、エッチング時間が短いため、エッチングマスク膜の膜厚を薄くすることができ、エッチングマスク膜のエッチング時間を短縮することができる。
また、第１〜第５の態様のフォトマスクブランクにおいて、遮光膜における表面反射防止層または裏面反射防止層がアモルファス構造を有すると、その表面粗さが小さいため、上層のエッチングマスク膜の表面粗さを小さくすることができるので好ましい。その結果、エッチングマスク膜をエッチングしたときの断面形状およびＬＥＲが良好となるため、エッチングマスク膜パターンをマスクに下層の遮光膜をエッチングしたときに、遮光膜の断面形状およびＬＥＲが悪化するのを防止することができる。
６．６ 本発明のフォトマスクブランク等について
本明細書において、「フォトマスクブランク」は、バイナリーマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブランクを含み、また、「フォトマスク」はバイナリーマスクおよび位相シフトマスクを含む概念である。
本明細書において、「フォトマスクブランク」は、バイナリーマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブランクを含み、また、「フォトマスク」はバイナリーマスクおよび位相シフトマスクを含む概念である。
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透光性基板と遮光膜との間にハーフトーン型位相シフター膜を有する。
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、位相シフター膜の透過率は、２〜４０％であることが好ましい。
また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクでは、遮光膜全体の膜厚が５０ｎｍ以下であり、位相シフター膜の透過率は、２〜６％であるフォトマスクブランクが好ましい。他方、転写されるパターンの解像性を高めるためには、位相シフター膜の透過率が７〜２０％であると好ましい。
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、位相シフター膜の透過率は、２〜４０％であることが好ましい。
また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクでは、遮光膜全体の膜厚が５０ｎｍ以下であり、位相シフター膜の透過率は、２〜６％であるフォトマスクブランクが好ましい。他方、転写されるパターンの解像性を高めるためには、位相シフター膜の透過率が７〜２０％であると好ましい。
位相シフター膜を設ける場合、ＭｏＳｉＮまたはＭｏＳｉＯＮからなる材料が好ましい。これらの材料からなる位相シフター膜上に、本実施の形態の遮光膜を設けることによって、従来のＣｒ系遮光膜を設ける場合と比較して、位相シフター膜パターンのＬＥＲを良好にすることが可能となる。
具体的には、従来のＣｒ系遮光膜はポーラス状柱状構造であり、このためＣｒ系遮光膜パターンのＬＥＲが大きくなってしまうので、位相シフター膜がアモルファス構造であるにもかかわらず、位相シフター膜をドライエッチングしたときにＣｒ系遮光膜のＬＥＲによって、位相シフター膜パターンのＬＥＲが悪化していた。しかしながら、本発明の好ましい態様では、遮光膜における表面反射防止層または裏面反射防止層はアモルファス構造であるため、遮光膜をドライエッチングしたときの遮光膜パターンのＬＥＲを小さくすることが可能となる。その結果、遮光膜パターンをマスクに位相シフター膜をドライエッチングしたときに、位相シフター膜パターンのＬＥＲを悪化させることなく、位相シフター膜のＬＥＲを良好にすることができる。
７ フォトマスクおよびその製造方法
本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクとその製造方法について説明する。
本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクとその製造方法について説明する。
まず、遮光膜が形成されたフォトマスクブランクにレジストを塗布し、乾燥してレジスト膜を得る。レジストは、使用する描画装置に応じて適切なものを選択する必要があるが、通常使用されるＥＢ描画用としては、芳香族骨格をポリマー中に有するポジ型またはネガ型のレジスト、また、本発明が特に有効に用いられる微細パターン用のフォトマスク製造用としては、化学増幅型レジストを用いることが好ましい。
レジスト膜厚は良好なパターン形状が得られる範囲で、かつエッチングマスクとしての機能を果たし得る範囲である必要があるが、特にＡｒＦ露光用マスクとして微細なパターンを形成しようとした場合には、膜厚は２００ｎｍ以下であることが好ましく、更に１５０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、シリコン系樹脂を使用したレジストと芳香族系樹脂を使用した下層膜の組み合わせによる２層レジスト法や、芳香族系化学増幅型レジストとシリコン系表面処理剤を組み合わせた表面イメージング法を利用した場合には、更に膜厚を減じることも可能である。塗布条件、乾燥方法については使用するそれぞれのレジストに適する方法を適宜選定する。
なお、微細なレジストパターンの剥がれや、倒れという問題の発生を低減するために、レジストを塗布する前にフォトマスクブランクの表面上に、樹脂層を形成してもよい。また、樹脂層の形成に替えて、レジストを塗布する前に基板（フォトマスクブランク）表面の表面エネルギーを下げるための表面処理を行ってもよい。表面処理の方法としては、たとえば、半導体製造工程で常用されるＨＭＤＳやその他の有機珪素系表面処理剤で表面をアルキルシリル化する方法が挙げられる。
次に、レジスト膜が形成されたフォトマスクブランクにおけるレジストへの描画は、ＥＢ照射による方法や、光照射による方法があるが、一般的にはＥＢ照射による方法が微細パターンを形成するためには好ましい方法である。化学増幅型レジストを使用した場合には、通常３〜４０μＣ／ｃｍ２の範囲のエネルギーにより描画を行い、描画後、加熱処理を行い、その後にレジスト膜を現像処理してレジストパターンを得る。
上記で得たレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜または遮光膜と他の膜（位相シフター膜等）のエッチング加工を行う。エッチング加工は遮光膜（表面層、遮光層、反射防止層等）や他の膜の組成によって公知の塩素系やフッ素系のドライエッチングを用いることができる。
エッチングにより遮光パターンを得た後、レジストを所定の剥離液で剥離すると、遮光膜パターンが形成されたフォトマスクが得られる。
８ パターン転写
本発明のフォトマスクは、開口数がＮＡ＞１の露光方法および２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンの形成するパターン転写方法において使用されるマスクとして特に有用である。
本発明のフォトマスクは、開口数がＮＡ＞１の露光方法および２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンの形成するパターン転写方法において使用されるマスクとして特に有用である。
本発明のフォトマスクブランクは、フォトマスクブランク上に１００ｎｍ未満の線幅のレジストパターンを形成するために用いられるものである場合に特に有効である。このようなフォトマスクブランクとしては、ＯＰＣ構造を有するマスクが挙げられる。このＯＰＣマスクでは、本パターンの解像性を向上させる目的で本パターンの周囲に設けられる補助パターンの幅が最も狭いため、これらのパターンを有するフォトマスクを用いたパターン転写に、特に有用である。
以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［実施例１］
（フォトマスクブランクの作製）
本実施例では、透光性基板１０上に位相シフター膜５と３つの層からなる遮光膜とが設けられたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した（図１参照）。
（フォトマスクブランクの作製）
本実施例では、透光性基板１０上に位相シフター膜５と３つの層からなる遮光膜とが設けられたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した（図１参照）。
まず、サイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの石英ガラスからなる透光性基板１０上に、枚葉式スパッタ装置を用い、Ｍｏ、ＳｉおよびＮを主たる構成要素とする単層で構成されたＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用ハーフトーン型位相シフター膜５を形成した（膜厚６９ｎｍ）。
表１にも示すように、スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：ＭｏとＳｉとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２ｍｏｌ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ２とＨｅとの混合ガス雰囲気（Ａｒ：９ｓｃｃｍ、Ｎ２：８１ｓｃｃｍ、Ｈｅ：７６ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：２．８ｋＷ
表１にも示すように、スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：ＭｏとＳｉとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２ｍｏｌ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ２とＨｅとの混合ガス雰囲気（Ａｒ：９ｓｃｃｍ、Ｎ２：８１ｓｃｃｍ、Ｈｅ：７６ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：２．８ｋＷ
ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）において、得られた位相シフター膜５の透過率はそれぞれ５．５％、位相シフト量が約１８０°であった。
次に、位相シフター膜５を形成した装置と同様のスパッタ装置を用い、ＣｒＯＣＮからなる裏面反射防止層３を形成した（膜厚３０ｎｍ）。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は表１に示すとおりであった。
その後、裏面反射防止層３を形成した装置と同様のスパッタ装置を用い、ＣｒＮからなる遮光層２を形成した（膜厚４ｎｍ）。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は表１に示すとおりであった。
さらに、遮光層２を形成した装置と同様のスパッタ装置を用い、ＣｒＯＣＮからなる表面反射防止層１を形成した（膜厚１４ｎｍ）。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は表１に示すとおりであった。
なお、表１におけるスパッタガスの流量は、体積百分率に換算すると、以下のとおりになる。
表面反射防止層１：Ａｒ＝２１．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３６．８ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０．５ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３１．６ｖｏｌ％
遮光層２：Ａｒ＝８３．３ｖｏｌ％、Ｎ２＝１６．７ｖｏｌ％
裏面反射防止層３：Ａｒ＝２２．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３８．９ｖｏｌ％、Ｎ２＝５．６ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３３．３ｖｏｌ％
表面反射防止層１：Ａｒ＝２１．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３６．８ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０．５ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３１．６ｖｏｌ％
遮光層２：Ａｒ＝８３．３ｖｏｌ％、Ｎ２＝１６．７ｖｏｌ％
裏面反射防止層３：Ａｒ＝２２．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３８．９ｖｏｌ％、Ｎ２＝５．６ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３３．３ｖｏｌ％
このようにして、石英ガラスからなる透光性基板上に位相シフター膜５、裏面反射防止層３、遮光層２、表面反射防止層１が順に積層されたフォトマスクブランクが得られた。裏面反射防止層３、遮光層２および表面反射防止層１からなる遮光膜における波長１９３．４ｎｍの光に対する光学濃度（ＯＤ）は１．９であった。また、各層における光学濃度は表１に示すとおりであった。
また、得られたフォトマスクブランクの表面反射防止層１と遮光層２と裏面反射防止層３の組成と原子数密度をＲＢＳ（Rutherford Backscattering Spectrometry）により分析した。ＲＢＳは、面密度（ａｔｍｓ／ｃｍ２）に対する表面組成を深さ方向に分析する手法であり、層毎の膜厚が既知であれば、原子数密度（ａｔｍｓ／ｃｍ３）を以下の式から算出することができる。
原子数密度＝面密度／膜厚
上記手法により、表面反射防止層１の原子数密度を算出した。
原子数密度＝面密度／膜厚
上記手法により、表面反射防止層１の原子数密度を算出した。
その結果、表面反射防止層１（膜厚１４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが３４ａｔｏｍ％、Ｃが１１ａｔｏｍ％、Ｏが３９ａｔｏｍ％およびＮが１６ａｔｏｍ％であった。また、表面反射防止層１のクロム比は、Ｃ／Ｃｒが０．３、Ｏ／Ｃｒが１．２、Ｎ／Ｃｒが０．５であった。さらに、表面反射防止層１の原子数密度は、１０．５×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であった。
遮光層２（膜厚４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが少なくとも６４ａｔｏｍ％以上、Ｎが少なくとも８ａｔｏｍ％以上であった。
また、裏面反射防止層３（膜厚３０ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが３６ａｔｏｍ％、Ｃが１５ａｔｏｍ％、Ｏが３９ａｔｏｍ％およびＮが９ａｔｏｍ％であった。また、裏面反射防止層３のクロム比は、Ｃ／Ｃｒが０．４、Ｏ／Ｃｒが１．１、Ｎ／Ｃｒが０．３であった。
また、得られたフォトマスクブランクの断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）およびＸ線回折装置（ＸＲＤ）で観察したところ、表面反射防止層１はグレインサイズが１〜２ｎｍのアモルファス構造であった。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．４５ｎｍであった。
本実施例で得られたフォトマスクブランクに濃度５０ｐｐｍのオゾン水を流量１．４Ｌ／分で６０分間スイングアームにて揺動させながら基板表面に供給し、遮光膜の膜厚、表面反射率および光学濃度の変化量を各々測定して耐薬性の評価を行った。
その結果、遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって変化しなかった。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では＋０．８２％変化した。遮光膜の光学濃度は、−０．０４変化した。
また、本実施例の表面反射防止層１と全く同じ層を、スパッタリングによってガラス基板に直接形成し、表面反射防止層１に濃度５０ｐｐｍのオゾン水を６０分間噴霧することによる反射率の変化量を測定した。なお、本実施例における測定では、分光光度計（日立ハイテクノロジー製：Ｕ−４１００）にてオゾン水噴霧前後にて反射スペクトルを測定し、その変化量を計算した。
その結果、波長１９３ｎｍの光では＋０．７％、２５７ｎｍの光では＋１．５％、３６５ｎｍでは＋２．０％、４８８ｎｍでは＋１．２％変化した。本明細書中、「＋」は反射率の増加、「−」は反射率の減少を表す。
このように、本実施例の遮光膜は、オゾン処理に対して高い耐薬性を有していることが確認された。
このように、本実施例の遮光膜は、オゾン処理に対して高い耐薬性を有していることが確認された。
（フォトマスクの作製）
得られたフォトマスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）をスピンコート法により膜厚が１５０ｎｍとなるように塗布した。形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
得られたフォトマスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）をスピンコート法により膜厚が１５０ｎｍとなるように塗布した。形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
次に、上記レジストパターンに沿って、裏面反射防止層３、遮光層２および表面反射防止層１からなる遮光膜のドライエッチングを行って、遮光膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしてはＣｌ２とＯ２（Ｃｌ２：Ｏ２＝４：１）との混合ガスを用いた。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、各層のエッチング速度は表１のとおりであった。遮光膜全体のクリアエッチング時間は８４．５ｓｅｃであり、後述の比較例１と比べて８％程度の短縮が確認された。また、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscopy）を用いて遮光膜パターンを断面観察したところ、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成され良好であった。さらに、オーバーエッチング時間を短くしても垂直な断面形状が得られ、トータルエッチング時間は比較例１と比べて２０％程度短縮可能であることが確認された。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、各層のエッチング速度は表１のとおりであった。遮光膜全体のクリアエッチング時間は８４．５ｓｅｃであり、後述の比較例１と比べて８％程度の短縮が確認された。また、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscopy）を用いて遮光膜パターンを断面観察したところ、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成され良好であった。さらに、オーバーエッチング時間を短くしても垂直な断面形状が得られ、トータルエッチング時間は比較例１と比べて２０％程度短縮可能であることが確認された。
次に、上記レジストパターンおよび遮光膜パターンをマスクに、位相シフター膜のエッチングを行って、位相シフター膜パターンを形成した。この位相シフター膜のエッチングにおいては、上記遮光膜パターンの断面形状が影響するが、遮光膜パターンの断面形状が良好であるために、位相シフター膜パターンの断面形状も良好となった。
その後、残存するレジストパターンを剥離して、再度レジスト膜を塗布し、転写領域内の不要な遮光膜パターンを除去するためのパターン露光を行った後、該レジスト膜を現像してレジストパターンを形成した。次いで、ウェットエッチングを行って、不要な遮光膜パターンを除去し、残存するレジストパターンを剥離して、フォトマスクを得た。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は６０ｎｍ（ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍに相当）未満であった。
その後、残存するレジストパターンを剥離して、再度レジスト膜を塗布し、転写領域内の不要な遮光膜パターンを除去するためのパターン露光を行った後、該レジスト膜を現像してレジストパターンを形成した。次いで、ウェットエッチングを行って、不要な遮光膜パターンを除去し、残存するレジストパターンを剥離して、フォトマスクを得た。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は６０ｎｍ（ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍに相当）未満であった。
実施例１で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、遮光層の膜厚を１としたときの表面反射防止層の膜厚比は３．５、遮光膜の全体膜厚に対する遮光層の膜厚割合は８％、裏面反射防止層の膜厚に対する遮光層の膜厚割合は１３％であった（表２参照）。
［実施例２］
本実施例では、透光性基板１０上に３つの層からなる遮光膜が設けられたバイナリーマスクブランクを製造した（図２参照）。
すなわち、スパッタリングの条件を表１に示すとおりに設定した以外は実施例１と同じ条件で反応性スパッタリングを行った。
本実施例では、透光性基板１０上に３つの層からなる遮光膜が設けられたバイナリーマスクブランクを製造した（図２参照）。
すなわち、スパッタリングの条件を表１に示すとおりに設定した以外は実施例１と同じ条件で反応性スパッタリングを行った。
なお、表１におけるスパッタガスの流量は、体積百分率に換算すると、以下のとおりになる。
表面反射防止層１：Ａｒ＝２１．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３６．８ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０．５ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３１．６ｖｏｌ％
遮光層２：Ａｒ＝３０．８ｖｏｌ％、ＮＯ＝２３．１ｖｏｌ％、Ｈｅ＝４６．２ｖｏｌ％
裏面反射防止層３：Ａｒ＝２３．５ｖｏｌ％、ＣＯ２＝２９．４ｖｏｌ％、Ｎ２＝１１．８ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３５．３ｖｏｌ％
表面反射防止層１：Ａｒ＝２１．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３６．８ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０．５ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３１．６ｖｏｌ％
遮光層２：Ａｒ＝３０．８ｖｏｌ％、ＮＯ＝２３．１ｖｏｌ％、Ｈｅ＝４６．２ｖｏｌ％
裏面反射防止層３：Ａｒ＝２３．５ｖｏｌ％、ＣＯ２＝２９．４ｖｏｌ％、Ｎ２＝１１．８ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３５．３ｖｏｌ％
このようにして、図２に示すような、石英ガラスからなる透光性基板１０上に裏面反射防止層３、遮光層２、表面反射防止層１が順に積層されたフォトマスクブランクが得られた。なお、裏面反射防止層３、遮光層２および表面反射防止層１からなる遮光膜における波長１９３．４ｎｍの光に対する光学濃度（ＯＤ）は３であった。また、各層における光学濃度は表１に示すとおりであった。
次に、実施例１と同様に、得られた表面反射防止層１、遮光層２および裏面反射防止層３の組成と表面反射防止層１の原子数密度をＲＢＳにより分析した。
その結果、表面反射防止層１（膜厚１４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが３２ａｔｏｍ％、Ｃが１６ａｔｏｍ％、Ｏが３７ａｔｏｍ％およびＮが１６ａｔｏｍ％であった。また、表面反射防止層１のクロム比は、Ｃ／Ｃｒが０．５、Ｏ／Ｃｒが１．２、Ｎ／Ｃｒが０．５であった。さらに、表面反射防止層１の原子数密度は、１１．０×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であった。
遮光層２（膜厚２５ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが８７ａｔｏｍ％、Ｏが９ａｔｏｍ％およびＮが４ａｔｏｍ％であった。また、遮光層２のクロム比は、Ｏ／Ｃｒが０．１、Ｎ／Ｃｒが０．０５であった。
また、裏面反射防止層３（膜厚２５ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが４９ａｔｏｍ％、Ｃが１１ａｔｏｍ％、Ｏが２６ａｔｏｍ％およびＮが１４ａｔｏｍ％であった。また、裏面反射防止層３のクロム比は、Ｃ／Ｃｒが０．２、Ｏ／Ｃｒが０．５、Ｎ／Ｃｒが０．３であった。
また、得られたフォトマスクブランクの断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）およびＸ線回折装置（ＸＲＤ）で観察したところ、表面反射防止層１はグレインサイズが１〜２ｎｍのアモルファス構造であった。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．２８ｎｍであった。
本実施例で得られたフォトマスクブランクに濃度５０ｐｐｍのオゾン水を流量１．４Ｌ／分で６０分間スイングアームにて揺動させながら基板表面に供給し、遮光膜の膜厚、表面反射率および光学濃度の変化量を各々測定して耐薬性の評価を行った。
その結果、遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって変化しなかった。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では−０．０２％変化した。遮光膜の光学濃度は、−０．０６変化した。
また、本実施例の表面反射防止層１と全く同じ層を、スパッタリングによってガラス基板に直接形成し、実施例１と同様の測定方法で、表面反射防止層１に濃度５０ｐｐｍのオゾン水を６０分間噴霧することによる反射率の変化量を測定した。
その結果、波長１９３ｎｍの光では＋０．５％、２５７ｎｍの光では＋２．１％、３６５ｎｍでは＋５．３％、４８８ｎｍでは＋４．６％変化した。
このように、本実施例の遮光膜は、オゾン処理に対して高い耐薬性を有していることが確認された。
このように、本実施例の遮光膜は、オゾン処理に対して高い耐薬性を有していることが確認された。
得られたフォトマスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）をスピンコート法により膜厚が２００ｎｍとなるように塗布した。形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
次に、上記レジストパターンに沿って、裏面反射防止層３、遮光層２および表面反射防止層１からなる遮光膜のドライエッチングを行って、遮光膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしてはＣｌ２とＯ２（Ｃｌ２：Ｏ２＝４：１）との混合ガスを用いた。その後、残存するレジストパターンを剥離して、フォトマスクを得た。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、各層のエッチング速度は表１のとおりであった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、ややテーパーがあるが、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成され良好であった。さらに、オーバーエッチング時間を短くしても垂直な断面形状が得られ、トータルエッチング時間を比較例２と比べて２５％程度短縮可能であることが確認された。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は７０ｎｍ（ＤＲＡＭ ｈｐ４５ｎｍに相当）未満であった。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、各層のエッチング速度は表１のとおりであった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、ややテーパーがあるが、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成され良好であった。さらに、オーバーエッチング時間を短くしても垂直な断面形状が得られ、トータルエッチング時間を比較例２と比べて２５％程度短縮可能であることが確認された。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は７０ｎｍ（ＤＲＡＭ ｈｐ４５ｎｍに相当）未満であった。
［実施例３］
本実施例では、実施例２において、遮光層２の成膜条件および膜厚、裏面反射防止層の膜厚を変更する以外は、実施例２と同様のバイナリーマスクブランクを製造した。
すなわち、スパッタリングの条件を表１に示すとおりに設定した以外は実施例２と同じ条件で反応性スパッタリングを行った。
本実施例では、実施例２において、遮光層２の成膜条件および膜厚、裏面反射防止層の膜厚を変更する以外は、実施例２と同様のバイナリーマスクブランクを製造した。
すなわち、スパッタリングの条件を表１に示すとおりに設定した以外は実施例２と同じ条件で反応性スパッタリングを行った。
なお、表１におけるスパッタガスの流量は、体積百分率に換算すると、以下のとおりになる。
表面反射防止層１：Ａｒ＝２１．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３６．８ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０．５ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３１．６ｖｏｌ％
遮光層２：Ａｒ＝２７．２ｖｏｌ％、ＮＯ＝１８．２ｖｏｌ％、Ｈｅ＝５４．５ｖｏｌ％
裏面反射防止層３：Ａｒ＝２３．５ｖｏｌ％、ＣＯ２＝２９．４ｖｏｌ％、Ｎ２＝１１．８ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３５．３ｖｏｌ％
表面反射防止層１：Ａｒ＝２１．０ｖｏｌ％、ＣＯ２＝３６．８ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０．５ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３１．６ｖｏｌ％
遮光層２：Ａｒ＝２７．２ｖｏｌ％、ＮＯ＝１８．２ｖｏｌ％、Ｈｅ＝５４．５ｖｏｌ％
裏面反射防止層３：Ａｒ＝２３．５ｖｏｌ％、ＣＯ２＝２９．４ｖｏｌ％、Ｎ２＝１１．８ｖｏｌ％、Ｈｅ＝３５．３ｖｏｌ％
このようにして、図２に示すような、石英ガラスからなる透光性基板１０上に裏面反射防止層３、遮光層２、表面反射防止層１が順に積層されたフォトマスクブランクが得られた。なお、裏面反射防止層３、遮光層２および表面反射防止層１からなる遮光膜における波長１９３．４ｎｍの光に対する光学濃度（ＯＤ）は３．１であった。また、各層における光学濃度は表１に示すとおりであった。
また、得られたフォトマスクブランクの断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）およびＸ線回折装置（ＸＲＤ）で観察したところ、表面反射防止層１はグレインサイズが１〜２ｎｍのアモルファス構造であった。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．２８ｎｍであった。
また、実施例２と同様に、フォトマスクブランクの耐薬性の評価を行い、遮光膜の膜厚、表面反射率および光学濃度の変化量を各々測定した。
その結果、遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって変化しなかった。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では−０．０２％変化した。遮光膜の光学濃度は、−０．０６変化した。
このように、本実施例の遮光膜は、オゾン処理に対して高い耐薬性を有していることが確認された。
その結果、遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって変化しなかった。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では−０．０２％変化した。遮光膜の光学濃度は、−０．０６変化した。
このように、本実施例の遮光膜は、オゾン処理に対して高い耐薬性を有していることが確認された。
その後、実施例２と同様にして、フォトマスクを得た。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、各層のエッチング速度は表１のとおりであった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成され良好であった。さらに、オーバーエッチング時間を短くしても垂直な断面形状が得られ、トータルエッチング時間を比較例２と比べて２５％程度短縮可能であることが確認された。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は７０ｎｍ（ＤＲＡＭ ｈｐ４５ｎｍに相当）未満であった。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、各層のエッチング速度は表１のとおりであった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成され良好であった。さらに、オーバーエッチング時間を短くしても垂直な断面形状が得られ、トータルエッチング時間を比較例２と比べて２５％程度短縮可能であることが確認された。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は７０ｎｍ（ＤＲＡＭ ｈｐ４５ｎｍに相当）未満であった。
［比較例１］
本比較例では、２つの層からなる遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。
具体的には、インライン型スパッタ装置を用い、実施例１と同様の位相シフター膜上に、遮光層を形成した。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：Ｃｒ
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨｅとの混合ガス雰囲気（Ａｒ：３０ｓｃｃｍ、Ｎ2：３０ｓｃｃｍ、Ｈｅ：４０ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．２Ｐａ
印加電力：０．８ｋＷ
本比較例では、２つの層からなる遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。
具体的には、インライン型スパッタ装置を用い、実施例１と同様の位相シフター膜上に、遮光層を形成した。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：Ｃｒ
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨｅとの混合ガス雰囲気（Ａｒ：３０ｓｃｃｍ、Ｎ2：３０ｓｃｃｍ、Ｈｅ：４０ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．２Ｐａ
印加電力：０．８ｋＷ
その後、遮光層の上に表面反射防止層を形成した。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：クロム（Ｃｒ）
スパッタガス：アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ＣＨ４：３．５体積％）、ＮＯおよびＨｅが混合されたガス（Ａｒ＋ＣＨ4：６５ｓｃｃｍ、ＮＯ：３ｓｃｃｍ、Ｈｅ：４０ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：０．３ｋＷ
スパッタターゲット：クロム（Ｃｒ）
スパッタガス：アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ＣＨ４：３．５体積％）、ＮＯおよびＨｅが混合されたガス（Ａｒ＋ＣＨ4：６５ｓｃｃｍ、ＮＯ：３ｓｃｃｍ、Ｈｅ：４０ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：０．３ｋＷ
このようにして、石英ガラスからなる透光性基板上に、位相シフター膜、遮光層および表面反射防止層が順に積層された遮光膜厚４８ｎｍのフォトマスクブランクが得られた。なお、遮光層および表面反射防止層からなる遮光膜における波長１９３．４ｎｍの光に対する光学濃度（Ｏ．Ｄ．）は１．９であった。
次に、実施例１と同様に、得られた表面反射防止層および遮光層の組成と、表面反射防止層の原子数密度をＲＢＳにより分析した。
その結果、表面反射防止層（膜厚２４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが３４ａｔｏｍ％、Оが３２ａｔｏｍ％およびＮが２３ａｔｏｍ％であった。また、表面反射防止層のクロム比は、О／Ｃｒが０．９およびＮ／Ｃｒが０．７であった。さらに、表面反射防止層の原子数密度は、７．４×１０22ａｔｍｓ／ｃｍ3であった。
遮光層（膜厚２４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが５９ａｔｏｍ％およびＮが３９ａｔｏｍ％であった。また、遮光層のクロム比は、Ｎ／Ｃｒが０．７であった。
なお、インライン型スパッタ装置を用いたため、遮光層および表面反射防止層は各々膜厚方向に組成が傾斜した傾斜膜であった。したがって、上記膜組成は平均値である。
その結果、表面反射防止層（膜厚２４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが３４ａｔｏｍ％、Оが３２ａｔｏｍ％およびＮが２３ａｔｏｍ％であった。また、表面反射防止層のクロム比は、О／Ｃｒが０．９およびＮ／Ｃｒが０．７であった。さらに、表面反射防止層の原子数密度は、７．４×１０22ａｔｍｓ／ｃｍ3であった。
遮光層（膜厚２４ｎｍ）の膜組成は、Ｃｒが５９ａｔｏｍ％およびＮが３９ａｔｏｍ％であった。また、遮光層のクロム比は、Ｎ／Ｃｒが０．７であった。
なお、インライン型スパッタ装置を用いたため、遮光層および表面反射防止層は各々膜厚方向に組成が傾斜した傾斜膜であった。したがって、上記膜組成は平均値である。
また、得られたフォトマスクブランクの断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）およびＸ線回折装置（ＸＲＤ）で観察したところ、表面反射防止層は密度の低いポーラス状柱状構造であった。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．７０ｎｍであった。
さらに、実施例１と同様に、本比較例で得られたフォトマスクブランクの耐薬性の評価を行った。
その結果、遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって、膜厚が５．８ｎｍ減少した。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では＋２．７２％変化した。遮光膜の光学濃度は、−０．３８変化した。
その結果、遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって、膜厚が５．８ｎｍ減少した。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では＋２．７２％変化した。遮光膜の光学濃度は、−０．３８変化した。
また、本比較例の表面反射防止層と全く同じ層を、スパッタリングによってガラス基板に直接形成し、実施例１と同様の測定方法で、反射率の変化量を測定した。
その結果、波長１９３ｎｍの光では＋２．５％（１９．８％→２２．３％）、２５７ｎｍの光では＋９．１％（１６．４％→２５．５％）、３６５ｎｍでは＋１３．９％（１９．９％→３３．８％）、４８８ｎｍでは＋１１．０％（２９．９％→４０．９％）変化した。
これにより、実施例１と２に比べて、本比較例の遮光膜は、オゾン処理に対して耐薬性が低いことが確認された。
その結果、波長１９３ｎｍの光では＋２．５％（１９．８％→２２．３％）、２５７ｎｍの光では＋９．１％（１６．４％→２５．５％）、３６５ｎｍでは＋１３．９％（１９．９％→３３．８％）、４８８ｎｍでは＋１１．０％（２９．９％→４０．９％）変化した。
これにより、実施例１と２に比べて、本比較例の遮光膜は、オゾン処理に対して耐薬性が低いことが確認された。
実施例１と同様に、得られたフォトマスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジストを膜厚が１５０ｎｍとなるように塗布し、実施例１と同様にしてフォトマスクを得た。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、エッチング速度は実施例１よりも遅かった。遮光膜全体のクリアエッチング時間は９２．０ｓｅｃであった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成されなかった。このため、位相シフター膜パターンの断面形状も良好ではなかった。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は悪く、エッチング不良により、遮光膜パターンの解像性は８０ｎｍ以上であった。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、エッチング速度は実施例１よりも遅かった。遮光膜全体のクリアエッチング時間は９２．０ｓｅｃであった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成されなかった。このため、位相シフター膜パターンの断面形状も良好ではなかった。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は悪く、エッチング不良により、遮光膜パターンの解像性は８０ｎｍ以上であった。
［比較例２］
本比較例では、遮光膜を２つの層からなる遮光膜を有するバイナリーマスクブランクを製造した。
具体的には、インライン型スパッタ装置を用い、透光性基板上に、遮光層を形成した。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：Ｃｒ
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨｅとの混合ガス雰囲気（Ａｒ：７２ｓｃｃｍ、Ｎ2：２８ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：０．６ｋＷ
本比較例では、遮光膜を２つの層からなる遮光膜を有するバイナリーマスクブランクを製造した。
具体的には、インライン型スパッタ装置を用い、透光性基板上に、遮光層を形成した。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：Ｃｒ
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨｅとの混合ガス雰囲気（Ａｒ：７２ｓｃｃｍ、Ｎ2：２８ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：０．６ｋＷ
その後、遮光層の上に表面反射防止層を形成した。スパッタリング（ＤＣスパッタリング）の条件は以下のとおりであった。
スパッタターゲット：クロム（Ｃｒ）
スパッタガス：アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ＣＨ４：８体積％）、ＮＯおよびＨｅが混合されたガス（Ａｒ＋ＣＨ4：１０５ｓｃｃｍ、ＮＯ：３ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：１．１ｋＷ
スパッタターゲット：クロム（Ｃｒ）
スパッタガス：アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ＣＨ４：８体積％）、ＮＯおよびＨｅが混合されたガス（Ａｒ＋ＣＨ4：１０５ｓｃｃｍ、ＮＯ：３ｓｃｃｍ）
放電中のガス圧：０．３Ｐａ
印加電力：１．１ｋＷ
このようにして、石英ガラスからなる透光性基板上に遮光層および表面反射防止層が順に積層された遮光膜厚７３ｎｍのフォトマスクブランクが得られた。なお、遮光層および表面反射防止層からなる遮光膜における波長１９３．４ｎｍの光に対する光学濃度（Ｏ．Ｄ．）は３．０であった。
次に、実施例１と同様に、得られた表面反射防止層および遮光層の組成と、表面反射防止層の原子数密度をＲＢＳにより分析した。
その結果、表面反射防止層の膜組成は、Ｃｒが４８ａｔｏｍ％、ОおよびＮの合計が５０ａｔｏｍ％であった。遮光層２の膜組成は、Ｃｒが６０ａｔｏｍ％、ОおよびＮの合計が３０ａｔｏｍ％であった。なお、インライン型スパッタ装置を用いたため、遮光層および表面反射防止層は各々膜厚方向に組成が傾斜した傾斜膜であった。したがって、上記膜組成は平均値である。
その結果、表面反射防止層の膜組成は、Ｃｒが４８ａｔｏｍ％、ОおよびＮの合計が５０ａｔｏｍ％であった。遮光層２の膜組成は、Ｃｒが６０ａｔｏｍ％、ОおよびＮの合計が３０ａｔｏｍ％であった。なお、インライン型スパッタ装置を用いたため、遮光層および表面反射防止層は各々膜厚方向に組成が傾斜した傾斜膜であった。したがって、上記膜組成は平均値である。
また、得られたフォトマスクブランクの断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）およびＸ線回折装置（ＸＲＤ）で観察したところ、表面反射防止層は密度の低いポーラス状柱状構造であった。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．６０ｎｍであった。
さらに、実施例１と同様に、本比較例で得られたフォトマスクブランクの耐薬性の評価を行った。
その結果、当該フォトマスクブランクの遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって、膜厚が４．２ｎｍ減少した。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では＋５．３０％変化した。遮光膜の光学濃度は、−２．６０変化した。
その結果、当該フォトマスクブランクの遮光膜の膜厚はオゾン水の噴霧によって、膜厚が４．２ｎｍ減少した。また、表面反射率は、波長１９３ｎｍの光では＋５．３０％変化した。遮光膜の光学濃度は、−２．６０変化した。
実施例２と同様に、得られたフォトマスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジストを膜厚が２００ｎｍとなるように塗布し、実施例２と同様にしてフォトマスクを得た。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、エッチング速度は実施例２よりも遅かった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、実施例２に比べて、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成されなかった。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は悪く、エッチング不良により、遮光膜パターンの解像性は８０ｎｍ以上であった。
上記遮光膜のドライエッチングにおいて、エッチング速度は実施例２よりも遅かった。また、実施例１と同様に遮光膜パターンを観察したところ、実施例２に比べて、遮光膜の断面の角度が基板に対して垂直に形成されなかった。
得られたフォトマスクに対して、解像性評価を行った。レジスト膜の解像性は悪く、エッチング不良により、遮光膜パターンの解像性は８０ｎｍ以上であった。
［実施例４］
実施例４は、実施例１において、遮光層の膜厚を薄く、裏面反射防止層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例４で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表２に示すとおりであった。
なお、表２において、膜厚割合の欄における数値は、上から「遮光層の遮光層の膜厚を１としたときの表面反射防止層の膜厚比」（例えば、実施例４では７．０）、「遮光膜の全体膜厚に対する遮光層の膜厚割合（％）」（例えば、実施例４では４％）および「裏面反射防止層の膜厚に対する遮光層の膜厚割合（％）」（例えば、実施例４では６％）を示す。
実施例４は、実施例１において、遮光層の膜厚を薄く、裏面反射防止層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例４で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表２に示すとおりであった。
なお、表２において、膜厚割合の欄における数値は、上から「遮光層の遮光層の膜厚を１としたときの表面反射防止層の膜厚比」（例えば、実施例４では７．０）、「遮光膜の全体膜厚に対する遮光層の膜厚割合（％）」（例えば、実施例４では４％）および「裏面反射防止層の膜厚に対する遮光層の膜厚割合（％）」（例えば、実施例４では６％）を示す。
［実施例５］
実施例５は、実施例１において、遮光層の膜厚を厚く、裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例５で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表２に示すとおりであった。
実施例５は、実施例１において、遮光層の膜厚を厚く、裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例５で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表２に示すとおりであった。
［比較例３］
比較例３は、実施例５において、遮光層の膜厚を厚く、裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例５と同様である。
比較例３で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性は表２に示すとおりであった。
比較例３は、実施例５において、遮光層の膜厚を厚く、裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例５と同様である。
比較例３で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性は表２に示すとおりであった。
［実施例６］
実施例６は、実施例１において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を少なく、かつＮとＯの合計含有量を多く、遮光層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例６で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表３に示すとおりであった。
なお、表３において、膜厚割合の欄における数値は、表２と同様のものを示す。
実施例６は、実施例１において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を少なく、かつＮとＯの合計含有量を多く、遮光層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例６で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表３に示すとおりであった。
なお、表３において、膜厚割合の欄における数値は、表２と同様のものを示す。
［実施例７］
実施例７は、実施例１において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を多く、かつＮとＯの合計含有量を多くし、遮光層の膜厚を薄く、かつ裏面反射防止層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例７で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表３に示すとおりであった。
実施例７は、実施例１において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を多く、かつＮとＯの合計含有量を多くし、遮光層の膜厚を薄く、かつ裏面反射防止層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例７で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状は表３に示すとおりであった。
［比較例４］
比較例４は、実施例７において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を多く、かつＮとＯの合計含有量を少なくし、遮光層の膜厚を薄く、かつ裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例７と同様である。
比較例４で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性は表３に示すとおりであった。
比較例４は、実施例７において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を多く、かつＮとＯの合計含有量を少なくし、遮光層の膜厚を薄く、かつ裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例７と同様である。
比較例４で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性は表３に示すとおりであった。
［比較例５］
比較例５は、実施例６において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を少なく、かつＮとＯの合計含有量を多くし、遮光層の膜厚を厚く、かつ裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例６と同様である。
比較例５で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性は表３に示すとおりであった。
比較例５は、実施例６において、裏面反射防止層のＣｒ含有量を少なく、かつＮとＯの合計含有量を多くし、遮光層の膜厚を厚く、かつ裏面反射防止層の膜厚を薄く変更した以外は、実施例６と同様である。
比較例５で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性は表３に示すとおりであった。
［実施例８］
実施例８は、実施例１において、遮光層のＣｒ含有量を多く、かつＮ含有量を多くし、遮光層の膜厚を薄く、かつ裏面反射防止層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例８で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状を表４に示す。
なお、表４において、膜厚割合の欄における数値は、表２と同様のものを示す。
実施例８は、実施例１において、遮光層のＣｒ含有量を多く、かつＮ含有量を多くし、遮光層の膜厚を薄く、かつ裏面反射防止層の膜厚を厚く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例８で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状を表４に示す。
なお、表４において、膜厚割合の欄における数値は、表２と同様のものを示す。
［実施例９］
実施例９は、実施例１において、遮光層のＣｒ含有量を多く、かつＮ含有量を多く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例９で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状を表４に示す。
実施例９は、実施例１において、遮光層のＣｒ含有量を多く、かつＮ含有量を多く変更した以外は、実施例１と同様である。
実施例９で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性および断面形状を表４に示す。
［比較例６］
比較例６は、実施例１において、遮光層のＣｒ含有量を少なく、かつＮ含有量を多く変更した以外は、実施例１と同様である。
比較例６で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性を表４に示す。
比較例６は、実施例１において、遮光層のＣｒ含有量を少なく、かつＮ含有量を多く変更した以外は、実施例１と同様である。
比較例６で製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成および得られたハーフトーン型位相シフトマスクの解像性を表４に示す。
上記実施例４〜実施例９では、レジスト膜の解像性は良好であり、遮光膜パターンの解像性は６０ｎｍ未満であった。また、断面形状も垂直で良好であった。
これに対して、比較例３および比較例５では、特に遮光層の膜厚が厚すぎることに起因して、エッチング時間が短縮されなかったため、レジストの解像性は悪く、遮光膜パターンの解像性６０ｎｍは実現できなかった。
比較例４では、特に裏面反射防止層のエッチング速度が遅いことに起因して、エッチング時間が短縮されなかったため、レジストの解像性は悪く、遮光膜パターンの解像性６０ｎｍは実現できなかった。
比較例６では、特に遮光層が薄すぎることに起因して、ローディングによる速度差が生じ、エッチング時間が短縮されなかったため、レジストの解像性は悪く、遮光膜パターンの解像性６０ｎｍは実現できなかった。
これに対して、比較例３および比較例５では、特に遮光層の膜厚が厚すぎることに起因して、エッチング時間が短縮されなかったため、レジストの解像性は悪く、遮光膜パターンの解像性６０ｎｍは実現できなかった。
比較例４では、特に裏面反射防止層のエッチング速度が遅いことに起因して、エッチング時間が短縮されなかったため、レジストの解像性は悪く、遮光膜パターンの解像性６０ｎｍは実現できなかった。
比較例６では、特に遮光層が薄すぎることに起因して、ローディングによる速度差が生じ、エッチング時間が短縮されなかったため、レジストの解像性は悪く、遮光膜パターンの解像性６０ｎｍは実現できなかった。
本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、シャドウイングを抑制することができるから高ＮＡリソグラフィに用いることができ、短波長の露光光のリソグラフィに用いることもできる。したがって、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクを用いることによって、極めて微細なマスクパターンが形成できる。
また、本発明の好ましい態様に係るフォトマスクブランクは、たとえば、超高ＮＡ−ＡｒＦリソグラフィにてｈｐ４５ｎｍ、ｈｐ３２ｎｍ世代以降のフォトマスクブランクに適用できる。
Claims (15)
- ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板上に遮光膜を有し、
前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、
遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、
裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、
表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、
遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、
遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光層の膜厚は、裏面反射防止層の膜厚の４０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光層と表面反射防止層の膜厚比は、１．０：０．７〜１．０：７．０であることを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光層の膜厚は、前記遮光膜全体の膜厚の０．５％以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記裏面反射防止層の厚さが２３〜３３ｎｍ、前記遮光層の厚さが２〜６ｎｍおよび前記表面反射防止層の厚さが１１〜１７ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜全体の光学濃度が１．８〜３．１であり、
前記遮光層の光学濃度と全ての反射防止層の光学濃度の総和との比が１：５〜１：１９であり、
前記反射防止層は、遮光層に含まれる金属と同じ金属、ＮおよびＯを含有する膜からなり、ＮとＯの含有量の合計が４０〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０４ｎｍ−１以下であり、前記遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５ｎｍ−１以上あることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記裏面反射防止層の光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層の光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層の光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記裏面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｏｍ％であり、
前記遮光層のＮとＯの含有量の合計が３０ａｔｏｍ％以下であり、
前記表面反射防止層のＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｏｍ％であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記裏面反射防止層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０３〜０．０４ｎｍ−１であり、
前記遮光層の単位膜厚当りの光学濃度は、０．０５〜０．０６ｎｍ−１であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記裏面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が３５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層は、金属とＮを含み、金属の含有量が５０〜９０ａｔｍ％、膜厚が２〜６ｎｍ、および、光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層は、金属の含有量が２５〜５０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４５〜６５ａｔｍ％であり、および、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記裏面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が４０〜５５ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が１．１〜１．３であり、
前記遮光層は、Ｃｒの含有量が５０〜９０ａｔｍ％、Ｎの含有量が３〜２５ａｔｍ％含み、かつ、光学濃度が０．１〜０．３であり、
前記表面反射防止層は、Ｃｒの含有量が３０〜４０ａｔｍ％、ＮとＯの含有量の合計が５０〜６０ａｔｍ％であり、かつ、光学濃度が０．４〜０．６であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層の各エッチング速度は、
第２のエッチング速度＜第１のエッチング速度≦第３のエッチング速度
の関係を有することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記透光性基板と遮光膜との間に位相シフター膜を有し、
前記遮光膜全体の膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 請求項１ないし１４のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4119308P | 2008-03-31 | 2008-03-31 | |
| US61/041,193 | 2008-03-31 | ||
| PCT/JP2009/056608 WO2009123170A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-03-31 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009123170A1 true JPWO2009123170A1 (ja) | 2011-07-28 |
| JP5562834B2 JP5562834B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=41135543
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010505926A Active JP5562834B2 (ja) | 2008-03-31 | 2009-03-31 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| JP2015087402A Active JP6082421B2 (ja) | 2008-03-31 | 2015-04-22 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015087402A Active JP6082421B2 (ja) | 2008-03-31 | 2015-04-22 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8304147B2 (ja) |
| JP (2) | JP5562834B2 (ja) |
| KR (3) | KR101726553B1 (ja) |
| TW (3) | TWI572972B (ja) |
| WO (2) | WO2009123172A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123171A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| TWI476507B (zh) * | 2008-09-30 | 2015-03-11 | Hoya Corp | A mask substrate, a mask, a manufacturing method thereof, and a method of manufacturing the semiconductor element |
| KR101883025B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2018-07-27 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP5538637B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-07-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP5906143B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-04-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6005530B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2016-10-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
| US9612521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
| US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
| US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
| US9632411B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor |
| JP5970021B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2016-08-17 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法 |
| WO2015045801A1 (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-02 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
| JP6313678B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2018-04-18 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2016147518A1 (ja) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6301383B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク及びこれを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP6375269B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2018-08-15 | 信越化学工業株式会社 | 無機材料膜、フォトマスクブランク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP6451561B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2019-01-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| JP6621626B2 (ja) | 2015-09-18 | 2019-12-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| US9837246B1 (en) * | 2016-07-22 | 2017-12-05 | Fei Company | Reinforced sample for transmission electron microscope |
| CN114609856A (zh) * | 2016-08-26 | 2022-06-10 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 |
| TW201823855A (zh) * | 2016-09-21 | 2018-07-01 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法 |
| CN110383167B (zh) * | 2017-02-27 | 2022-08-23 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法 |
| TWI755337B (zh) * | 2017-07-14 | 2022-02-11 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩基底、光罩之製造方法、以及顯示裝置製造方法 |
| JP6625692B2 (ja) * | 2017-07-14 | 2019-12-25 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法、フォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP6540758B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2019-07-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| JP7167922B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2022-11-09 | 株式会社ニコン | フォトマスクブランクス、フォトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
| JP6819546B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-01-27 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| KR20190001650U (ko) | 2017-12-21 | 2019-07-01 | 주식회사 헤세드코리아 | 방충망을 갖춘 모자 |
| JP6528877B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2019-06-12 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
| JP7130577B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2022-09-05 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
| JP7356857B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-10-05 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
| JP7154626B2 (ja) * | 2019-11-26 | 2022-10-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6987912B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2022-01-05 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法 |
| KR102464780B1 (ko) * | 2020-09-02 | 2022-11-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 도전막을 구비하는 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작된 포토마스크 |
| KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102377406B1 (ko) | 2021-05-21 | 2022-03-21 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102535171B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-05-26 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102554083B1 (ko) | 2022-06-23 | 2023-07-10 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119353A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
| JPS60182439A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | クロムマスク素材 |
| JPS644941A (en) | 1987-06-26 | 1989-01-10 | Fujitsu Ltd | Production of magneto-optical disk |
| JP2638942B2 (ja) | 1988-07-01 | 1997-08-06 | 旭硝子株式会社 | 薄膜能動素子の製造方法及び液晶素子 |
| JP3041802B2 (ja) * | 1990-04-27 | 2000-05-15 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| US6017658A (en) * | 1992-05-13 | 2000-01-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Lithographic mask and method for fabrication thereof |
| JPH08286359A (ja) | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスク |
| JP2867964B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1999-03-10 | 日本電気株式会社 | レジスト膜パターンの形成方法 |
| JPH10213893A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
| JP3262529B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2002-03-04 | ホーヤ株式会社 | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| JPH11271958A (ja) | 1998-02-06 | 1999-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高解像フォトマスクおよびその製造方法 |
| JPH11327121A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-26 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法およびハーフトーン型位相シフトマスクのブランク |
| US6899979B1 (en) * | 1998-07-31 | 2005-05-31 | Hoyo Corporation | Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same, and method of forming micropattern |
| JP2001305713A (ja) | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| JP2004318184A (ja) | 2000-09-12 | 2004-11-11 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク |
| JP3608654B2 (ja) | 2000-09-12 | 2005-01-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク |
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
| JP2003195483A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法 |
| JP3956103B2 (ja) | 2002-02-26 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの評価方法 |
| JP2005092241A (ja) * | 2002-03-01 | 2005-04-07 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法 |
| JP2004053663A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの選定方法 |
| JP3956116B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの選定方法 |
| KR101029162B1 (ko) | 2003-02-03 | 2011-04-12 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법 |
| JPWO2004090635A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2006-07-06 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| JP4443873B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2010-03-31 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JP4444693B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学波長板の製造方法 |
| JP4335729B2 (ja) | 2004-03-31 | 2009-09-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの反射率調整方法 |
| JP4650608B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP2006048033A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP4407815B2 (ja) | 2004-09-10 | 2010-02-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP4413828B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2010-02-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| JP4979941B2 (ja) | 2005-03-30 | 2012-07-18 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法 |
| EP1746460B1 (en) * | 2005-07-21 | 2011-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof |
| JP4933754B2 (ja) | 2005-07-21 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| JP2007114451A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Hoya Corp | マスクブランクス、および転写マスクの製造方法 |
| US7632609B2 (en) | 2005-10-24 | 2009-12-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fabrication method of photomask-blank |
| TWI397766B (zh) | 2005-12-26 | 2013-06-01 | Hoya Corp | A manufacturing method of a mask blank and a mask, and a method of manufacturing the semiconductor device |
| JP4764214B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-08-31 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| KR101294271B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2013-08-08 | 주식회사 에스앤에스텍 | 대면적 투과 제어 블랭크 마스크 및 이를 이용한 대면적 투과 제어 포토마스크의 제조방법 |
| JP5054766B2 (ja) | 2007-04-27 | 2012-10-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP5530075B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-06-25 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
| US8404406B2 (en) * | 2008-03-31 | 2013-03-26 | Hoya Corporation | Photomask blank and method for manufacturing the same |
-
2009
- 2009-03-31 WO PCT/JP2009/056611 patent/WO2009123172A1/ja active Application Filing
- 2009-03-31 TW TW104123695A patent/TWI572972B/zh active
- 2009-03-31 KR KR1020167011171A patent/KR101726553B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-31 WO PCT/JP2009/056608 patent/WO2009123170A1/ja active Application Filing
- 2009-03-31 TW TW098110568A patent/TWI497190B/zh active
- 2009-03-31 KR KR1020107024214A patent/KR101696487B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-31 US US12/935,517 patent/US8304147B2/en active Active
- 2009-03-31 JP JP2010505926A patent/JP5562834B2/ja active Active
- 2009-03-31 KR KR1020107024229A patent/KR101584383B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-31 US US12/935,766 patent/US8512916B2/en active Active
- 2009-03-31 TW TW098110570A patent/TWI457696B/zh active
-
2013
- 2013-07-17 US US13/944,251 patent/US9075314B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-22 JP JP2015087402A patent/JP6082421B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100134074A (ko) | 2010-12-22 |
| US8304147B2 (en) | 2012-11-06 |
| JPWO2009123172A1 (ja) | 2011-07-28 |
| JP2013231998A (ja) | 2013-11-14 |
| TW200949431A (en) | 2009-12-01 |
| WO2009123172A1 (ja) | 2009-10-08 |
| KR20110002053A (ko) | 2011-01-06 |
| TW201541185A (zh) | 2015-11-01 |
| JP5562834B2 (ja) | 2014-07-30 |
| KR101726553B1 (ko) | 2017-04-12 |
| KR101696487B1 (ko) | 2017-01-13 |
| JP6082421B2 (ja) | 2017-02-15 |
| JP5579056B2 (ja) | 2014-08-27 |
| US8512916B2 (en) | 2013-08-20 |
| US20110104592A1 (en) | 2011-05-05 |
| KR101584383B1 (ko) | 2016-01-11 |
| TWI497190B (zh) | 2015-08-21 |
| JP2015156037A (ja) | 2015-08-27 |
| WO2009123170A1 (ja) | 2009-10-08 |
| TWI572972B (zh) | 2017-03-01 |
| TWI457696B (zh) | 2014-10-21 |
| TW201001060A (en) | 2010-01-01 |
| US20140057199A1 (en) | 2014-02-27 |
| JP5738931B2 (ja) | 2015-06-24 |
| US20110305978A1 (en) | 2011-12-15 |
| KR20160054612A (ko) | 2016-05-16 |
| US9075314B2 (en) | 2015-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5562834B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 | |
| JP5175932B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク | |
| JP5562835B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 | |
| US9005851B2 (en) | Phase shift mask blank and phase shift mask | |
| JP5738931B6 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 | |
| JP5579056B6 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120322 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120322 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130214 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130416 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130712 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130808 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140502 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140611 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5562834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |