JPWO2009022457A1 - 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 - Google Patents
基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009022457A1 JPWO2009022457A1 JP2009528027A JP2009528027A JPWO2009022457A1 JP WO2009022457 A1 JPWO2009022457 A1 JP WO2009022457A1 JP 2009528027 A JP2009528027 A JP 2009528027A JP 2009528027 A JP2009528027 A JP 2009528027A JP WO2009022457 A1 JPWO2009022457 A1 JP WO2009022457A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate bonding
- substrate
- mark
- detection system
- bonding apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施形態について、図1〜図14に基づいて説明する。図1には、第1の実施形態に係る基板貼り合わせ装置100の構成が概略的に示されている。
図6のステップS1において、制御装置120により、ウエハW1が第1テーブルT1に取り付けられる。具体的には、まず、制御装置120は、不図示の搬送系の搬送部材(例えばロボットアーム)を用いてホルダH1を図8に示される位置に搬送し、バキュームチャック(不図示)を介して真空吸着により第1テーブルT1にホルダH1を保持させる。次いで、制御装置120は、不図示のプリアライメント装置を介してウエハW1のプリアライメント(外形基準の位置合わせ(中心位置及びθz回転の調整))を行う。次に、制御装置120は、搬送部材を用いてそのプリアライメント済みのウエハW1を不図示の反転装置に送る。ウエハW1は、この反転装置により表裏面が反転される。制御装置120は、その反転後のウエハW1を、搬送部材を用いてホルダH1の下方に搬送し、静電吸着によりホルダH1に保持させる。これにより、ウエハW1が、その表面を下方(−Z方向)に向けて、且つ水平に、第1テーブルT1に保持される。なお、ウエハW1の表面(下面)は、基準面SM上に位置決めされている。
図6のステップS2では、制御装置120により、第1テーブルT1に取り付けられたウエハW1に対するサーチアライメントが実行される。ここで、ウエハW1の表面には、例えば図2に示されるウエハW2と同様に、その周縁近傍のショット領域の近傍に、複数のアライメントマーク(AM1i(i=1〜N)と表記する)が形成されているものとする。
図6のステップS3では、制御装置120により、ウエハW2が第2テーブルT2に取り付けられる。具体的には、まず、制御装置120は、不図示の搬送系の搬送部材を用いてホルダH2を第2テーブルT2上に搬入し、バキュームチャック(不図示)を介して真空吸着により第2テーブルT2にホルダH2を保持させる。次いで、制御装置120は、不図示のプリアライメント装置を介してウエハW2のプリアライメント(外形基準の位置合わせ(中心位置及びθz回転の調整))を行う。次に、制御装置120は、そのプリアライメント済みのウエハW2を、搬送部材を用いてホルダH2上にロードし、静電吸着によりホルダH2に保持させる。この際、制御装置120は、ステップS2において計測されたウエハW1の回転量θzに基づいて、ウエハW1の回転(θz)位置にほぼ一致するようにウエハW2をXY平面内で回転させた上で、ホルダH2に取り付ける。
図6のステップS4では、制御装置120により、第1マーク検出系M1を用いたウエハW2のアライメント計測が行われる。ここで、ウエハW2の表面には、例えば図2に示されるように、その周縁近傍のショット領域の近傍に、複数のアライメントマークAM2j(j=1〜N)が形成されている。
図6のステップS5では、制御装置120により、第2マーク検出系M2のベースライン(第1マーク検出系M1の指標中心OM1を基準とする第2マーク検出系M2の指標中心OM2の位置)の計測が行われる。この場合、図12(A)に示されるように、制御装置120により、第1、第2マーク検出系M1、M2を用いてマーク板51の基準マークFMの検出が行われる。
rSTBとして記憶する。しかし、設計上の指標中心OM1からの設計上の指標中心OM2の位置(設計上のベースライン)rBは、Δ1=Δ1’+Δρ1,Δ2=Δ2’+Δρ2なので、rB=rB’+(Δρ1−Δρ2)となり、実測上のベースラインrB’とは異なる。
図6のステップS6では、制御装置120により、第2マーク検出系M2を用いたウエハW1のアライメント計測が行われる。なお、ステップS6のアライメント計測は、前述のステップS2のサーチアライメント計測と、ほぼ同じ工程である。
図6のステップS7では、制御装置120により、ウエハW1,W2を貼り合わせる工程の処理が行われる。一般に、ウエハの表面は、回路素子のプロセッシング工程における加熱などにより、変形する。
本ステップS0の第2マーク検出系M2の誤差補正を行う場合には、相対位置関係が既知のアライメントマーク(AM0iとする)が付与された基準ウエハ(W0とする)が用意される。ただし、基準ウエハW0のアライメントマークAM0iは、実際に貼り合わせられるウエハW1のアライメントマークAM1iとほぼ同じ位置に付与されているものとする。この基準ウエハW0は、制御装置120によって、ホルダH1を介して、第1テーブルT1に取り付けられる。
次に、本発明の第2の実施形態を、図15〜25に基づいて説明する。ここで、重複説明を避ける観点から、前述した第1の実施形態に係る基板貼り合わせ装置100と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いると共に、その説明を省略若しくは簡略する。
次に、本発明の第3の実施形態を、図26及び図27に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態の基板貼り合わせ装置100又は第2の実施形態の基板貼り合わせ装置200と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いると共に、その説明を省略若しくは簡略する。
Claims (58)
- 2枚の基板を貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、
前記2枚の基板の一方を保持する第1ステージと;
前記2枚の基板の他方を前記一方の基板に対向可能な向きで保持するとともに、少なくとも二次元平面内で前記第1ステージに対して相対的に移動可能な第2ステージと;
前記第2ステージの少なくとも前記二次元平面内の位置情報を計測する位置計測系と;
前記第2ステージに保持された基板のマークを含む対象マークを検出可能な第1検出系と;
前記第2ステージに搭載され、前記第1ステージに保持された基板のマークを含む対象マークを検出可能な第2検出系と;
を備える基板貼り合わせ装置。 - 請求項1に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第2検出系は、前記第2ステージに固定されている基板貼り合わせ装置。 - 請求項1又は2に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系及び第2検出系の少なくとも一方は、その検出対象である基板に設けられた複数のマークを同時検出可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項3に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系及び前記第2検出系の少なくとも一方は、前記複数のマークのそれぞれを、個別に検出可能な複数の検出装置を含む基板貼り合わせ装置。 - 請求項4に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記複数の検出装置は、一の検出装置と他の検出装置とが前記二次元平面内で相対移動可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項5に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記一の検出装置及び他の検出装置の一方は、前記一の検出装置及び他の検出装置が取り付けられるベースとなる部材に固定され、他方は、前記ベースとなる部材に対して前記二次元平面内で移動可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項6に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記一の検出装置と前記他の検出装置との前記二次元平面内における相対位置を計測する相対位置計測系をさらに備える基板貼り合わせ装置。 - 請求項5に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記一の検出装置及び他の検出装置は、独立して前記二次元平面内で移動可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項8に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記一の検出装置と他の検出装置との前記二次元平面内における位置情報を計測する検出系位置計測系をさらに備える基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系は、前記第2検出系が前記第1ステージに保持される基板に対向する際に前記第2ステージに保持される基板に対向する基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系の少なくとも一部と前記第2検出系の少なくとも一部とが対向するとき、前記第1ステージと前記第2ステージの基板が載置される部分とは、前記第1検出系の前記第2検出系との対向部分の中心に関して、相互に反対側に位置する基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第2ステージは、前記二次元平面内で移動可能なステージ本体部と、該ステージ本体部上で少なくとも前記二次元平面に直交する方向に移動可能で、前記他方の基板を保持するテーブルとを含み、前記第2検出系は、前記ステージ本体に設けられている基板貼り合わせ装置。 - 請求項12に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記テーブルは、該テーブルが保持する基板の表面が前記第1検出系の検出点に位置決めされる位置を含む前記二次元平面に直交する方向の所定範囲で移動可能であり、
前記位置計測系は、前記テーブルの前記二次元平面に直交する方向の位置情報をさらに計測可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項12又は13に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記テーブルは、前記第2ステージ上で前記二次元平面に対する傾斜方向に移動可能であり、
前記位置計測系は、前記テーブルの傾斜情報をさらに計測可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1ステージが保持する基板と前記第2ステージが保持する基板との間の離間距離を計測する離間距離計測系をさらに備える基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記位置計測系は、前記ステージの一部に設けられた反射面に測長ビームをそれぞれ照射する複数の干渉計を含む基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系の検出対象は、第1基準マークをさらに含み、
前記第2検出系の検出対象は、第2基準マークをさらに含む基板貼り合わせ装置。 - 請求項17に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1基準マークと第2基準マークとは、同一のマーク部材に形成されている基板貼り合わせ装置。 - 請求項18に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系が前記第1基準マークを検出すると同時に前記第2検出系が前記第2基準マークを検出可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項19に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1基準マークと第2基準マークとは、同一のマークである基板貼り合わせ装置。 - 請求項20に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記同一のマークは、前記マーク部材の一部に設けられたメンブレン状の部材に形成されたスリット状の光透過部を含む基板貼り合わせ装置。 - 請求項21に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記スリット状の光透過部は、透明フィルムの一面に形成された遮光膜の一部を除去することで形成されている基板貼り合わせ装置。 - 請求項21に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記スリット状の光透過部は、板状の遮光部材の一部にスリット状の開口を形成することで形成されている基板貼り合わせ装置。 - 請求項18〜20のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記マーク部材は、前記第1、第2検出系のプローブ光を透過する基板貼り合わせ装置。 - 請求項24に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記マーク部材の傾斜を計測する傾斜計測系を、さらに備える基板貼り合わせ装置。 - 請求項18〜25のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記マーク部材は、前記第1及び第2検出系の少なくとも一方の検出視野内に対応する基準マークが位置決めされる位置と、該位置から退避する位置との間で可動である基板貼り合わせ装置。 - 請求項26に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記マーク部材を駆動するマーク駆動装置をさらに備える基板貼り合わせ装置。 - 請求項27に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記マーク駆動装置は、前記第2ステージに設けられている基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1検出系は、対象マークを透過した光を検出する透過型の顕微鏡及び対象マークからの反射光を検出する反射型の顕微鏡のいずれかを含み、
前記第2検出系は、前記透過型の顕微鏡及び前記反射型の顕微鏡のいずれかを含む基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜29のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1ステージは、前記二次元平面に直交する方向に移動可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項30に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1ステージは、該第1ステージが保持する基板の表面が前記第2検出系の検出点を含む前記二次元平面に平行な面に位置決めされる第1位置と該第1位置から退避する第2位置との間で移動可能である基板貼り合わせ装置。 - 請求項1〜31のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置において、
前記第1ステージ及び前記第2ステージは、基板保持部材を介して前記基板をそれぞれ保持する基板貼り合わせ装置。 - 2枚の基板を貼り合わせる基板貼り合わせ方法であって、
前記2枚の基板の一方の第1基板を、第1部材に保持させる第1工程と;
前記2枚の基板の他方の第2基板を、少なくとも前記第1部材が対向する二次元平面内で移動可能な第2部材に保持させる第2工程と;
第1検出系と、前記第2部材に搭載された第2検出系とを用いて、共通の基準マークをそれぞれ検出する第3工程と;
前記第2部材に保持された前記第2基板の複数のアライメントマークを前記第1検出系を用いて検出するとともに、各アライメントマークの検出時の前記第2部材の位置情報を計測する第4工程と;
前記第1部材に保持された前記第1基板の複数のアライメントマークを前記第2検出系を用いて検出するとともに、各アライメントマークの検出時の前記第2部材の位置情報を計測する第5工程と;
前記第3、第4及び第5工程の結果に基づいて、前記2枚の基板を重ね合わせる第6工程と;
を含む基板貼り合わせ方法。 - 請求項33に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程及び前記第5工程では、それぞれ前記第2部材を前記二次元平面内で移動させる基板貼り合わせ方法。 - 請求項33に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程では、前記第2基板の複数のアライメントマークを、前記第1検出系が有する複数の検出装置を用いて同時に検出し、
前記第5工程では、前記第1基板の複数のアライメントマークを、前記第2検出系が有する複数の検出装置を用いて同時に検出する基板貼り合わせ方法。 - 請求項35に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程及び前記第5工程の少なくとも一方では、前記複数のアライメントマークの検出に先立って、前記複数の検出装置のうち、一の検出装置と他の検出装置とを前記二次元平面内で相対移動し、それぞれの検出視野内に前記アライメントマークを位置決めする基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜36のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程では、前記複数のアライメントマークの検出に先立って、前記第2部材の少なくとも前記第2基板を保持する部分を、前記二次元平面に直交する方向に駆動して前記第2基板の表面を前記第1検出系の検出点に位置決めする基板貼り合わせ方法。 - 請求項37に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程では、前記複数のアライメントマークの検出の後、前記第2部材の少なくとも前記第2基板を保持する部分を、前記二次元平面に直交する方向に駆動して前記第2基板の表面を前記第1検出系の検出点から退避させる基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜38のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第5工程では、前記アライメントマークの検出に先立って、前記第1部材を前記二次元平面に直交する方向に駆動して前記第1基板の表面を前記第2検出系の検出点に位置決めする基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜39のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第3工程では、前記基準マークの検出に先立って、前記基準マークが形成されたマーク部材を所定位置に位置決めし、前記第1、第2検出系を用いて前記基準マークをそれぞれ検出した後、前記マーク部材を前記位置決め位置から退避させる基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜40のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第3工程では、さらに、前記第1検出系に対する前記第2検出系のベースラインを求める基板貼り合わせ方法。 - 請求項41に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程では、さらに、前記基準マークと前記第2基板の表面に設けられた複数のアライメントマークとの第1の相対位置関係を求める基板貼り合わせ方法。 - 請求項42に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第5工程では、さらに、前記基準マークと前記第1基板の表面に設けられた複数のアライメントマークとの第2の相対位置関係を求める基板貼り合わせ方法。 - 請求項43に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第6工程では、さらに、前記ベースラインと、前記第1の相対位置関係と、前記第2の相対位置関係と、から、前記第2部材と前記第1部材とにそれぞれ保持された前記2枚の基板が所望の重ね合わせ条件を満たす前記第2部材の目標位置を求める基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜43のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第6工程は、前記第3、第4及び第5工程の結果を用いて、前記第1、第2基板の所望の重ね合わせ条件を満たす前記第2部材の目標位置を算出する工程を含む基板貼り合わせ方法。 - 請求項44又は45に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記所望の重ね合わせ条件とは、前記2枚の基板の表面に設けられた複数のアライメントマークの間において、対となるアライメントマーク間の前記二次元平面上での相対距離の自乗和が最小となる位置関係である基板貼り合わせ方法。 - 請求項44又は45に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記所望の重ね合わせ条件とは、前記2枚の基板の表面に設けられた複数のアライメントマークの間において、対となるアライメントマーク間の前記二次元平面上での相対距離の絶対値が、すべての対についてほぼ等しくなる位置関係である基板貼り合わせ方法。 - 請求項44〜47のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第6工程は、前記目標位置に前記第2部材を位置決めし、前記第2部材の少なくとも前記第2基板を保持する部分を、前記二次元平面に直交する方向に駆動して、前記第1基板と前記第2基板とを重ね合わせる工程をさらに含む基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜48のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第1部材に保持されている前記第1基板の前記二次元平面内での回転方向を含む位置情報を計測する第7工程をさらに含み、
前記第2工程では、計測された位置情報を考慮して前記第1基板に対する前記第2基板の少なくとも回転ずれを調整した状態で、前記第2基板を前記第2部材に保持させる基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜48のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第1部材に保持されている前記第1基板の前記二次元平面内での回転方向を含む位置情報を計測する第7工程と;
前記第2工程と前記第4工程の間で、前記第7工程で計測された位置情報を考慮して前記第2部材の少なくとも前記第2基板を保持する部分を回転させることで、前記第1基板に対する前記第2基板の少なくとも回転ずれを、調整する第8工程と;をさらに含む基板貼り合わせ方法。 - 請求項49又は50に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第2工程に先立って、前記第1部材を前記二次元平面に直交する方向に駆動して、前記第1部材に保持された前記第1基板を退避させる工程をさらに含む基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜51のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第1及び第2工程では、2つの保持部材を介して前記第1基板、及び第2基板を前記第1部材及び第2部材にそれぞれ保持させ、
前記第6工程では、さらに、前記2つの保持部材を留め具を用いて重ね固定し、該2つの保持部材のそれぞれを前記第1部材と前記第2部材とから取り外す基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜52のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第4工程及び前記第5工程では、前記二次元平面と直交するように前記第2部材に設けられた反射面に少なくとも1本の測長ビームを投射する少なくとも1つの干渉計と、前記二次元平面および前記反射面と直交するように前記第2部材に設けられた別の反射面に少なくとも1本の測長ビームを投射する少なくとも2つの干渉計と、の少なくとも3つの干渉計を含む位置計測系を用いて、前記第2部材の位置情報を計測する基板貼り合わせ方法。 - 請求項33〜53のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法において、
相対位置関係が既知の複数のマークが設けられた基準部材を前記第1部材に保持させ、前記第2部材の位置情報を計測しながら該第2部材を前記二次元平面内で移動させて、前記複数のマークを前記第2検出系を用いて検出することによって該複数のマークの相対位置関係を再計測し、該再計測された相対位置関係と前記既知の相対位置関係とを用いて、前記第2検出系の前記第2部材の位置に関係する物理量に依存する検出誤差を補正する基板貼り合わせ方法。 - 請求項54に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記複数のマークの相対位置関係を、前記基準部材を前記第2部材に保持させ、該第2部材の位置情報を計測しながら該第2部材を前記二次元平面内で移動させて、前記複数のマークを前記第1検出系を用いて検出することによって求める基板貼り合わせ方法。 - 請求項54又は55に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第2部材の位置に関係する前記物理量とは、前記第2部材の停止位置と、該停止位置に至る直前の停止位置からの距離と、方向と、時間と、速度と、加速度と、のうちの少なくとも1つを含む基板貼り合わせ方法。 - 2枚の基板を貼り合わせる基板貼り合わせ方法であって、
前記2枚の基板のうちの一方の第1基板を、第1部材に、所定の二次元平面に平行に保持させる第1工程と;
前記第1部材に保持された前記第1基板の前記二次元平面内での回転方向を含む位置情報を計測する第2工程と;
前記2枚の基板のうちの他方の第2基板を、前記二次元平面内で移動可能な第2部材に保持させる第3工程と;
前記第1部材に保持された前記第1基板に対する前記第2部材に保持された前記第2基板の相対位置を調整して両基板を貼り合わせる第4工程と;を含む基板貼り合わせ方法。 - 請求項57に記載の基板貼り合わせ方法において、
前記第3工程では、計測された位置情報を考慮して前記第1基板に対する前記第2基板の少なくとも回転ずれを調整した状態で、前記第2基板を前記第2部材に保持させる基板貼り合わせ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009528027A JP5354382B2 (ja) | 2007-08-10 | 2008-08-07 | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法、並びに積層半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007209781 | 2007-08-10 | ||
JP2007209781 | 2007-08-10 | ||
JP2008172396 | 2008-07-01 | ||
JP2008172396 | 2008-07-01 | ||
PCT/JP2008/002146 WO2009022457A1 (ja) | 2007-08-10 | 2008-08-07 | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 |
JP2009528027A JP5354382B2 (ja) | 2007-08-10 | 2008-08-07 | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法、並びに積層半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013173076A Division JP2014030025A (ja) | 2007-08-10 | 2013-08-23 | 基板貼り合わせ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009022457A1 true JPWO2009022457A1 (ja) | 2010-11-11 |
JP5354382B2 JP5354382B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=40350515
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009528027A Active JP5354382B2 (ja) | 2007-08-10 | 2008-08-07 | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法、並びに積層半導体装置の製造方法 |
JP2013173076A Pending JP2014030025A (ja) | 2007-08-10 | 2013-08-23 | 基板貼り合わせ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013173076A Pending JP2014030025A (ja) | 2007-08-10 | 2013-08-23 | 基板貼り合わせ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8454771B2 (ja) |
JP (2) | JP5354382B2 (ja) |
KR (1) | KR101484348B1 (ja) |
CN (2) | CN101779270B (ja) |
TW (1) | TWI478271B (ja) |
WO (1) | WO2009022457A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10886156B2 (en) | 2010-12-20 | 2021-01-05 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Accomodating device for retaining wafers |
US11776931B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-10-03 | Kioxia Corporation | Substrate bonding apparatus, manufacturing system, and semiconductor device manufacturing method |
Families Citing this family (269)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010023935A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 株式会社ニコン | 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法および積層型半導体の製造方法 |
US8362482B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-01-29 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9509313B2 (en) | 2009-04-14 | 2016-11-29 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8395191B2 (en) | 2009-10-12 | 2013-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8669778B1 (en) | 2009-04-14 | 2014-03-11 | Monolithic 3D Inc. | Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device |
US20110199116A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | NuPGA Corporation | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8058137B1 (en) | 2009-04-14 | 2011-11-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US9577642B2 (en) | 2009-04-14 | 2017-02-21 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device |
JP5487698B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 複数の基板を重ね合わせる重ね合わせ装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP5549108B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-07-16 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ装置、重ね合わせ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5463729B2 (ja) * | 2009-05-13 | 2014-04-09 | 株式会社ニコン | 半導体処理装置 |
JP5487740B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ装置、位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および重ね合わせ方法 |
JP5481950B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-04-23 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ方法、重ね合わせ装置、位置合わせ装置および貼り合わせ装置 |
JP2011021916A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nikon Corp | 位置検出装置、位置検出方法および基板重ね合わせ装置 |
JP5524550B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-06-18 | 株式会社ニコン | 基板接合装置、基板接合方法およびデバイスの製造方法 |
EP3731258A1 (de) * | 2009-09-22 | 2020-10-28 | EV Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung zum ausrichten zweier substrate |
US10157909B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-12-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11984445B2 (en) | 2009-10-12 | 2024-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with metal layers |
US10354995B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US10910364B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-02-02 | Monolitaic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US9099424B1 (en) | 2012-08-10 | 2015-08-04 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system, device and structure with heat removal |
US10366970B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11018133B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D integrated circuit |
US10043781B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-08-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11374118B2 (en) | 2009-10-12 | 2022-06-28 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D integrated circuit |
US10388863B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
JP5600952B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-10-08 | 株式会社ニコン | 位置検出装置、基板貼り合わせ装置、位置検出方法、基板貼り合わせ方法、及びデバイスの製造方法 |
US8026521B1 (en) | 2010-10-11 | 2011-09-27 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8492886B2 (en) | 2010-02-16 | 2013-07-23 | Monolithic 3D Inc | 3D integrated circuit with logic |
US9099526B2 (en) | 2010-02-16 | 2015-08-04 | Monolithic 3D Inc. | Integrated circuit device and structure |
TWI534938B (zh) * | 2010-02-25 | 2016-05-21 | 尼康股份有限公司 | Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method |
JP5454239B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-03-26 | 株式会社ニコン | 基板貼り合せ装置、基板貼り合せ方法、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
US10217667B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-02-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device, fabrication method and system |
US8901613B2 (en) | 2011-03-06 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US9219005B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-12-22 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system and device |
US9953925B2 (en) | 2011-06-28 | 2018-04-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system and device |
US11482440B2 (en) | 2010-12-16 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits |
US8163581B1 (en) | 2010-10-13 | 2012-04-24 | Monolith IC 3D | Semiconductor and optoelectronic devices |
US10497713B2 (en) | 2010-11-18 | 2019-12-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11158674B2 (en) | 2010-10-11 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a 3D semiconductor device and structure |
US11315980B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-04-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with transistors |
US10290682B2 (en) | 2010-10-11 | 2019-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory |
US11600667B1 (en) | 2010-10-11 | 2023-03-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
US11257867B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-02-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with oxide bonds |
US11227897B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-01-18 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11469271B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-10-11 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
US11024673B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-06-01 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11018191B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10896931B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-01-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11855100B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11869915B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11929372B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11164898B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US11404466B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-08-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US11327227B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
US11437368B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-09-06 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11163112B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
US11133344B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-09-28 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US10679977B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-06-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
US11984438B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-05-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11063071B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-07-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
US9197804B1 (en) | 2011-10-14 | 2015-11-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor and optoelectronic devices |
US11855114B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US10943934B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-03-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US11605663B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-03-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US10998374B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-05-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US11694922B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US10833108B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-11-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
US10978501B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-04-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
US11043523B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-06-22 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US11569117B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-01-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
US11482438B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11508605B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US8564000B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs) |
US11018042B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11610802B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-21 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes |
US11121021B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-09-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11495484B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers |
US11923230B1 (en) | 2010-11-18 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11094576B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-17 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11211279B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-12-28 | Monolithic 3D Inc. | Method for processing a 3D integrated circuit and structure |
US11521888B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-12-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors |
US11901210B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-02-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11804396B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-31 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
USD707192S1 (en) | 2010-11-18 | 2014-06-17 | Cree, Inc. | Light emitting device |
US11482439B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors |
USD721339S1 (en) * | 2010-12-03 | 2015-01-20 | Cree, Inc. | Light emitter device |
US11355381B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11615977B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
USD712850S1 (en) * | 2010-11-18 | 2014-09-09 | Cree, Inc. | Light emitter device |
US11107721B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with NAND logic |
US11355380B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks |
US11004719B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11735462B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
US11443971B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-09-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11031275B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11784082B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11862503B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-01-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11854857B1 (en) | 2010-11-18 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11164770B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US9000470B2 (en) | 2010-11-22 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Light emitter devices |
US9490235B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-11-08 | Cree, Inc. | Light emitting devices, systems, and methods |
US8624271B2 (en) | 2010-11-22 | 2014-01-07 | Cree, Inc. | Light emitting devices |
US8575639B2 (en) | 2011-02-16 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs) |
US9300062B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-03-29 | Cree, Inc. | Attachment devices and methods for light emitting devices |
USD706231S1 (en) * | 2010-12-03 | 2014-06-03 | Cree, Inc. | Light emitting device |
US8455908B2 (en) | 2011-02-16 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | Light emitting devices |
US8809880B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-08-19 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays |
USD702653S1 (en) | 2011-10-26 | 2014-04-15 | Cree, Inc. | Light emitting device component |
JP5389847B2 (ja) | 2011-03-04 | 2014-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
US8975670B2 (en) | 2011-03-06 | 2015-03-10 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
WO2012172603A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | クライムプロダクツ株式会社 | ワークの精密貼合装置、およびワークの精密貼合方法 |
US10388568B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and system |
US8687399B2 (en) | 2011-10-02 | 2014-04-01 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
USD705181S1 (en) | 2011-10-26 | 2014-05-20 | Cree, Inc. | Light emitting device component |
WO2013070696A1 (en) | 2011-11-07 | 2013-05-16 | Cree, Inc. | High voltage array light emitting diode (led) devices, fixtures and methods |
JP5139604B1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-02-06 | 信越エンジニアリング株式会社 | 基板搬送装置及び基板組み立てライン |
JP5792831B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2015-10-14 | タツモ株式会社 | 貼り合せ装置および貼り合せ方法 |
US9360772B2 (en) * | 2011-12-29 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2629325B1 (de) * | 2012-02-17 | 2014-10-22 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Anordnung und Verfahren zur Positionierung eines Bearbeitungswerkzeuges gegenüber einem Werkstück |
US9735198B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
US10134961B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-11-20 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US11735501B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11088050B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers |
US11164811B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding |
US11881443B2 (en) | 2012-04-09 | 2024-01-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11694944B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11594473B2 (en) | 2012-04-09 | 2023-02-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11410912B2 (en) | 2012-04-09 | 2022-08-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with vias and isolation layers |
US11476181B1 (en) | 2012-04-09 | 2022-10-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US8557632B1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US11616004B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US10600888B2 (en) | 2012-04-09 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
USD740768S1 (en) * | 2012-06-15 | 2015-10-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP6264831B2 (ja) * | 2012-11-06 | 2018-01-24 | 株式会社ニコン | アライメント装置、位置合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法 |
JP2014115115A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Advantest Corp | 補正装置、プローブ装置、および試験装置 |
CN103862275A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | 富泰华工业(深圳)有限公司 | 定位系统 |
US11063024B1 (en) | 2012-12-22 | 2021-07-13 | Monlithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11967583B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-04-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11217565B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-01-04 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11309292B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-04-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11916045B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-02-27 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11784169B2 (en) | 2012-12-22 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11018116B2 (en) | 2012-12-22 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US8674470B1 (en) | 2012-12-22 | 2014-03-18 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11961827B1 (en) | 2012-12-22 | 2024-04-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11430668B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US10903089B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11087995B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10115663B2 (en) | 2012-12-29 | 2018-10-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10892169B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9871034B1 (en) | 2012-12-29 | 2018-01-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11004694B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10651054B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-05-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11177140B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-11-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10600657B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc | 3D semiconductor device and structure |
US9385058B1 (en) | 2012-12-29 | 2016-07-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11430667B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
EP2752870A1 (en) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | Süss Microtec Lithography GmbH | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
KR101633577B1 (ko) * | 2013-01-30 | 2016-06-24 | 오리진 일렉트릭 캄파니 리미티드 | 부재 접합 시스템 |
US11935949B1 (en) | 2013-03-11 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
US11869965B2 (en) | 2013-03-11 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
US10325651B2 (en) | 2013-03-11 | 2019-06-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with stacked memory |
US8902663B1 (en) | 2013-03-11 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Method of maintaining a memory state |
US11923374B2 (en) | 2013-03-12 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11088130B2 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US8994404B1 (en) | 2013-03-12 | 2015-03-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11398569B2 (en) | 2013-03-12 | 2022-07-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10840239B2 (en) | 2014-08-26 | 2020-11-17 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10224279B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-03-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9117749B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9021414B1 (en) | 2013-04-15 | 2015-04-28 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11270055B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-03-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11720736B2 (en) | 2013-04-15 | 2023-08-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
US11487928B2 (en) | 2013-04-15 | 2022-11-01 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11574109B1 (en) | 2013-04-15 | 2023-02-07 | Monolithic 3D Inc | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
US11341309B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-05-24 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11030371B2 (en) | 2013-04-15 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US8900885B1 (en) | 2013-05-28 | 2014-12-02 | International Business Machines Corporation | Wafer bonding misalignment reduction |
EP3011589B9 (de) * | 2013-06-17 | 2018-09-05 | Ev Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von substraten |
USD739565S1 (en) | 2013-06-27 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Light emitter unit |
USD740453S1 (en) | 2013-06-27 | 2015-10-06 | Cree, Inc. | Light emitter unit |
JP2015018919A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
TWI495894B (zh) * | 2013-08-07 | 2015-08-11 | Wistron Corp | 用來檢測工件是否正確置放之檢測裝置及其方法 |
US9646860B2 (en) * | 2013-08-09 | 2017-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Alignment systems and wafer bonding systems and methods |
CN105247670B (zh) * | 2013-12-06 | 2018-06-12 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于对齐衬底的装置和方法 |
US9837291B2 (en) | 2014-01-24 | 2017-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer processing method and apparatus |
US10297586B2 (en) | 2015-03-09 | 2019-05-21 | Monolithic 3D Inc. | Methods for processing a 3D semiconductor device |
US11107808B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11031394B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
JP6363854B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 形成方法、および物品の製造方法 |
JP5943030B2 (ja) * | 2014-04-23 | 2016-06-29 | 株式会社ニコン | 基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法 |
JP6165102B2 (ja) * | 2014-05-20 | 2017-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体 |
US9576827B2 (en) | 2014-06-06 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for wafer level bonding |
US10186450B2 (en) * | 2014-07-21 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for adjusting a pedestal assembly for a reactor |
US9490158B2 (en) | 2015-01-08 | 2016-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bond chuck, methods of bonding, and tool including bond chuck |
USD774474S1 (en) * | 2015-02-04 | 2016-12-20 | Xiaofeng Li | Light emitting diodes on a printed circuit board |
JP5971367B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2016-08-17 | 株式会社ニコン | 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法 |
US10718606B2 (en) | 2015-04-17 | 2020-07-21 | Nikon Corporation | Determination of customized components for fitting wafer profile |
US11011507B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-05-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11056468B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-07-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10825779B2 (en) | 2015-04-19 | 2020-11-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10381328B2 (en) | 2015-04-19 | 2019-08-13 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
DE102015108901A1 (de) * | 2015-06-05 | 2016-12-08 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Ausrichten von Substraten vor dem Bonden |
US11956952B2 (en) | 2015-08-23 | 2024-04-09 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
WO2017053329A1 (en) | 2015-09-21 | 2017-03-30 | Monolithic 3D Inc | 3d semiconductor device and structure |
US11114427B2 (en) | 2015-11-07 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor processor and memory device and structure |
US11978731B2 (en) | 2015-09-21 | 2024-05-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure |
US11937422B2 (en) | 2015-11-07 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US10522225B1 (en) | 2015-10-02 | 2019-12-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device with non-volatile memory |
US12016181B2 (en) | 2015-10-24 | 2024-06-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with logic and memory |
US11114464B2 (en) | 2015-10-24 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10847540B2 (en) | 2015-10-24 | 2020-11-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11296115B1 (en) | 2015-10-24 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10418369B2 (en) | 2015-10-24 | 2019-09-17 | Monolithic 3D Inc. | Multi-level semiconductor memory device and structure |
US11991884B1 (en) | 2015-10-24 | 2024-05-21 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with logic and memory |
US10707107B2 (en) * | 2015-12-16 | 2020-07-07 | Kla-Tencor Corporation | Adaptive alignment methods and systems |
JP6685153B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2020-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合システム |
CN107665847B (zh) * | 2016-07-29 | 2020-01-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种键合对准设备和方法 |
SG11201901050SA (en) * | 2016-08-29 | 2019-03-28 | Ev Group E Thallner Gmbh | Method and device for aligning substrates |
CN107785287A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 键合设备及方法 |
USD823492S1 (en) | 2016-10-04 | 2018-07-17 | Cree, Inc. | Light emitting device |
US11711928B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-07-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
US11869591B2 (en) | 2016-10-10 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
US11930648B1 (en) | 2016-10-10 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with metal layers |
US11812620B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-11-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D DRAM memory devices and structures with control circuits |
US11329059B1 (en) | 2016-10-10 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates |
US11251149B2 (en) | 2016-10-10 | 2022-02-15 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
CN106365113B (zh) * | 2016-10-26 | 2017-10-31 | 华东师范大学 | 一种堆垛二维层状异质材料的自动校准式操作台 |
CN116682759A (zh) * | 2016-11-09 | 2023-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 接合装置、接合系统、接合方法和计算机存储介质 |
NL2017773B1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-24 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Positioning device |
CN108122808B (zh) * | 2016-11-30 | 2020-12-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 真空装置、基片对准设备及形成预键合片的方法 |
JP6909021B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2021-07-28 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP6846958B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2021-03-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
KR102395194B1 (ko) * | 2017-06-21 | 2022-05-06 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 본딩 장치 및 그 장치를 포함한 웨이퍼 본딩 시스템 |
JP6983645B2 (ja) * | 2017-12-19 | 2021-12-17 | 株式会社エンプラス | 積層体組立ユニット、積層体、および積層体の製造方法 |
TW201944458A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-11-16 | 日商尼康股份有限公司 | 位置對準方法及位置對準裝置 |
US11791182B2 (en) * | 2018-04-23 | 2023-10-17 | Tokyo Electron Limited | Measuring method and measuring device |
JP6659765B2 (ja) * | 2018-05-02 | 2020-03-04 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェハの装着用受け取り手段 |
CN108444388A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-08-24 | 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 | 一种大尺寸贴合机ccd可视光圈 |
JP7066559B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合方法 |
JP6968762B2 (ja) * | 2018-07-23 | 2021-11-17 | Towa株式会社 | 搬送機構、電子部品製造装置、搬送方法および電子部品の製造方法 |
CN109285803B (zh) * | 2018-09-20 | 2020-11-13 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆键合方法及装置 |
KR20200093099A (ko) * | 2019-01-25 | 2020-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 제조용 스테이지 얼라인먼트 장치 및 방법 |
JP7253402B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-04-06 | 日本放送協会 | 積層型半導体集積回路およびその製造方法 |
US11158652B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11296106B2 (en) | 2019-04-08 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US10892016B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11763864B2 (en) | 2019-04-08 | 2023-09-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars |
US11018156B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
CN110246771B (zh) * | 2019-06-18 | 2021-06-15 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆键合的设备及方法 |
CN110421860B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-08-24 | 业成科技(成都)有限公司 | 贴合设备及镜片的贴合方法 |
US20220301907A1 (en) * | 2019-08-23 | 2022-09-22 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for the alignment of substrates |
JP7458161B2 (ja) * | 2019-09-24 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置の制御方法および検査装置 |
KR20210039661A (ko) | 2019-10-02 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 기판 본딩 장치 |
CN114730719A (zh) * | 2019-12-10 | 2022-07-08 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于对准基板的方法和装置 |
US11302030B2 (en) * | 2020-05-14 | 2022-04-12 | Kla Corporation | System, method, and target for wafer alignment |
DE102020126211A1 (de) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Photolithographie-Ausrichtungsprozess für gebondete Wafer |
US20230207513A1 (en) * | 2020-06-30 | 2023-06-29 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for the alignment of substrates |
KR20220008514A (ko) * | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 본딩 장치 및 웨이퍼 본딩 방법 |
WO2022024291A1 (ja) | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 株式会社新川 | 実装装置及び実装装置における平行度検出方法 |
JP7130720B2 (ja) * | 2020-11-25 | 2022-09-05 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を位置合わせする方法および装置 |
KR20220081143A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 제조 장치, 이를 이용하는 캐리어 위치 판독 방법 및 반도체 다이의 부착 방법 |
US20220344192A1 (en) * | 2021-04-26 | 2022-10-27 | Kla Corporation | Systems and methods for absolute sample positioning |
CN117043836A (zh) * | 2021-07-20 | 2023-11-10 | 信越工程株式会社 | 显示基板的贴合装置及贴合方法 |
KR102653108B1 (ko) * | 2021-10-28 | 2024-04-02 | 코스텍시스템(주) | 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법 |
CN116387220A (zh) * | 2021-12-22 | 2023-07-04 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 用于校准晶圆对准的方法及系统 |
CN114603972A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-06-10 | 业成科技(成都)有限公司 | 贴合方法和贴合装置 |
JP2023183276A (ja) * | 2022-06-15 | 2023-12-27 | キオクシア株式会社 | 接合装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06334022A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 半導体位置決め方法 |
JP2005142537A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Bondotekku:Kk | 縦振接合方法及び装置 |
JP2005145237A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Araco Corp | 車両用昇降装置 |
JP2005251972A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置 |
JP2005294824A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-10-20 | Bondotekku:Kk | 真空中での超音波接合方法及び装置 |
JP2005311298A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-11-04 | Bondotekku:Kk | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
DE4219774C1 (de) * | 1992-06-17 | 1994-01-27 | Mannesmann Kienzle Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Stapeln von Substraten, die durch Bonden miteinander zu verbinden sind |
JP2986141B2 (ja) | 1994-03-31 | 1999-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
JP3161362B2 (ja) * | 1997-05-01 | 2001-04-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 微小構造体、その製造方法、その製造装置、基板および成形型 |
US6207111B1 (en) * | 1997-12-31 | 2001-03-27 | Pem Technologies, Inc. | System for describing the physical distribution of an agent in a patient |
AT405775B (de) * | 1998-01-13 | 1999-11-25 | Thallner Erich | Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten |
JP3719965B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2005-11-24 | 住友重機械工業株式会社 | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 |
JP2003303865A (ja) | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 位置決め装置及びプローバ装置 |
JP4286562B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2009-07-01 | シャープ株式会社 | 基板貼り合わせ装置 |
JP2005026608A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法および接合装置 |
KR101256711B1 (ko) | 2004-01-07 | 2013-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 적층 장치 및 집적 회로 소자의 적층 방법 |
JP2007511781A (ja) * | 2004-01-16 | 2007-05-10 | シャープ株式会社 | 基板吸着装置及び基板貼り合わせ装置 |
JP4681241B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-05-11 | ボンドテック株式会社 | アライメント方法、この方法を用いた接合方法、接合装置 |
JP4751612B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-08-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 |
TWI278793B (en) * | 2005-01-27 | 2007-04-11 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate bonding apparatus and a bonding method and a bonding method for judging of a substrates bonding |
JP4710432B2 (ja) | 2005-06-22 | 2011-06-29 | ソニー株式会社 | 部品実装装置及び部品実装方法 |
-
2008
- 2008-08-07 TW TW097130147A patent/TWI478271B/zh active
- 2008-08-07 CN CN2008801024203A patent/CN101779270B/zh active Active
- 2008-08-07 JP JP2009528027A patent/JP5354382B2/ja active Active
- 2008-08-07 WO PCT/JP2008/002146 patent/WO2009022457A1/ja active Application Filing
- 2008-08-07 KR KR1020107003107A patent/KR101484348B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-07 CN CN201310181386.6A patent/CN103258762B/zh active Active
-
2010
- 2010-02-10 US US12/703,714 patent/US8454771B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-06 US US13/887,496 patent/US9299620B2/en active Active
- 2013-08-23 JP JP2013173076A patent/JP2014030025A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06334022A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 半導体位置決め方法 |
JP2005142537A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Bondotekku:Kk | 縦振接合方法及び装置 |
JP2005145237A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Araco Corp | 車両用昇降装置 |
JP2005311298A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-11-04 | Bondotekku:Kk | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 |
JP2005251972A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置 |
JP2005294824A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-10-20 | Bondotekku:Kk | 真空中での超音波接合方法及び装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10886156B2 (en) | 2010-12-20 | 2021-01-05 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Accomodating device for retaining wafers |
US11355374B2 (en) | 2010-12-20 | 2022-06-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Accommodating device for retaining wafers |
US11756818B2 (en) | 2010-12-20 | 2023-09-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Accommodating device for retaining wafers |
US11776931B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-10-03 | Kioxia Corporation | Substrate bonding apparatus, manufacturing system, and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014030025A (ja) | 2014-02-13 |
TW200924102A (en) | 2009-06-01 |
KR20100063000A (ko) | 2010-06-10 |
CN103258762A (zh) | 2013-08-21 |
US9299620B2 (en) | 2016-03-29 |
KR101484348B1 (ko) | 2015-01-19 |
US8454771B2 (en) | 2013-06-04 |
CN101779270B (zh) | 2013-06-12 |
US20130244350A1 (en) | 2013-09-19 |
TWI478271B (zh) | 2015-03-21 |
CN103258762B (zh) | 2016-08-03 |
CN101779270A (zh) | 2010-07-14 |
JP5354382B2 (ja) | 2013-11-27 |
US20100139836A1 (en) | 2010-06-10 |
WO2009022457A1 (ja) | 2009-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5354382B2 (ja) | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法、並びに積層半導体装置の製造方法 | |
TWI517290B (zh) | A substrate position alignment device, a substrate alignment method, and a manufacturing method of a multilayer semiconductor | |
CN109791379B (zh) | 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法 | |
JP5353892B2 (ja) | アラインメント装置およびアラインメント方法 | |
JP2009135166A (ja) | 露光方法及び装置、露光ユニット、並びにデバイス製造方法 | |
US20080013099A1 (en) | Exposure apparatus | |
JP2017215489A (ja) | パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法 | |
JP7147778B2 (ja) | 積層基板の製造方法、および製造装置 | |
JP2011066090A (ja) | 基板移載装置、基板位置合わせ装置、基板移載方法およびデバイスの製造方法 | |
JP5943030B2 (ja) | 基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法 | |
JP5531508B2 (ja) | 基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法 | |
CN112424908A (zh) | 接合方法以及接合装置 | |
US9007567B2 (en) | Method of aligning a wafer stage and apparatus for performing the same | |
JP2017215617A (ja) | 基板保持装置 | |
JP2015018903A (ja) | マーク検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
JP2015023233A (ja) | マーク検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
JP2011021916A (ja) | 位置検出装置、位置検出方法および基板重ね合わせ装置 | |
JP5454239B2 (ja) | 基板貼り合せ装置、基板貼り合せ方法、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
US20240194636A1 (en) | Bonding apparatus, bonding method, and article manufacturing method | |
JP2023077928A (ja) | 接合装置および接合方法 | |
CN116960025A (zh) | 一种键合装置及键合方法 | |
KR20240016197A (ko) | 접합장치, 접합방법, 추정방법, 및 물품의 제조방법 | |
WO2004051184A1 (ja) | 形状計測方法、形状計測装置、チルト計測方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5354382 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |