JPS63273341A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS63273341A
JPS63273341A JP62109327A JP10932787A JPS63273341A JP S63273341 A JPS63273341 A JP S63273341A JP 62109327 A JP62109327 A JP 62109327A JP 10932787 A JP10932787 A JP 10932787A JP S63273341 A JPS63273341 A JP S63273341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
semiconductor chip
lead
chip
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62109327A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0740600B2 (ja
Inventor
Tetsuya Ueda
哲也 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62109327A priority Critical patent/JPH0740600B2/ja
Priority to DE3814469A priority patent/DE3814469A1/de
Publication of JPS63273341A publication Critical patent/JPS63273341A/ja
Priority to US07/598,788 priority patent/US5073817A/en
Publication of JPH0740600B2 publication Critical patent/JPH0740600B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、テープキャリア上に接合する半導体チップを
備えた半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置（樹脂封止前）は第１４図（
ａｌおよび（ｂ）に示すように構成されている。
これを同図、第１５図および第１６図に基づいて説明す
ると、同図において、符号１で示すものは半導体チップ
２が臨む開口部（通称センターデバイス孔）３およびこ
の開口部３内の半導体チップ２の表面に接続するリード
パターン４を有し例えばポリイミド系の合成樹脂からな
る帯状のフィルム（テープキャリア）である。このフィ
ルム１のリードパターン４は、インナーリード４ａ、ア
ウターリード４ｂおよびテストパッド４ｃからなり、こ
のうちインナーリード４ａはサポート５によって支持さ
れている。また、６は架橋部、７はアウターリード孔、
８はパーフォレーション孔、９はパッケージである。な
お、１０は前記半導体チップ２に設けられ前記リードパ
ターン４のインナーリード４ａに接続するハンプである
。
次に、このように構成された半導体装置の組立方法につ
いて説明する。
先ず、第１５図（ａ）、　（ｂｌおよび第１６図（ａ）
、　（ｂＨ：：示すように半導体チップ２をフィルム１
の開口部３内に臨ませて電極２ａとインナーリード４ａ
とを接続する。次に、アウターリード４ｂとテストバッ
ド４ｃ問および架橋部６を切断する。しかる後、第１４
図（ａｌおよび（ｂｌに示すように半導体チップ２をパ
ッケージ９によって樹脂封止する。
このようにして、半導体装置を組み立てることができる
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の半導体装置においては、パッケージ９
によって半導体チップ２の全体を樹脂封止するものであ
るため、動作時に半導体チフブ２から外部への放熱性が
悪く、半導体装置の特性のみならず動作上の信頼性が低
下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、動作時
における半導体チップから外部への放熱性を良好に行う
ことができ、もって半導体装置の特性ならびに動作上の
信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する
ものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、半導体チップが臨む開口部
および半導体チップの表面側に接続するリードを有する
第１フィルムと、この第１フィルムに設けられ半導体チ
ップの裏面に接合する放熱体を有する第２フィルムとを
備え、この第２フィルムの放熱体上でリードの一部およ
び半導体チップのリード側部をパンケージによって樹脂
封止したものである。
〔作　用〕
本発明においては、半導体チップに接合する放熱体を外
部に露呈させることができる。
〔実施例〕
第１図は本発明に係る半導体装置の全体を示す断面図、
第２図（ａ）、　（ｂ）および第３図は同じく半導体装
置の要部を示す平面図と分解斜視図である。
同図において、符号１１で示すものは帯状の第１フィル
ムで、全体が例えばポリイミド系の合成樹脂材料によっ
て形成されている。この第１フィルム１１には、半導体
チップ１２が臨む開口部１３およびこの開口部１３内の
半導体チップ１２の表面側（電極）に接続するリードパ
ターン１４が設けられている。このリードパターン１４
はインナーリード１４ａ、アウターリード１４ｂおよび
テストパッド１４ｃからなり、このうちインナーリード
１４ａは前記第１フィルム１１のサポート部１５によっ
て支持されている。１６は帯状の第２フィルムで、前記
第１フィルム１１に設けられており、全体が熱伝導性を
有する金属材料によって形成されている。この第２フィ
ルム１６には前記第１フィルム１１と同様に前記半導体
チップ１２が臨む開口部１７が設けられており、この開
口部１７の周縁には前記半導体チップ１２の裏面に例え
ばエポキシ樹脂系の接着剤１８によって接合する放熱体
１９が設けられている。この放熱体１９は全体が前記第
２フィルム１６と同一の金属材料によって形成されてい
る。２０は例えばエポキシ。
シリコーン系の合成樹脂材料からなるパッケージで、前
記第２フィルム１６の放熱体１９上で前記リードパター
ン１４の一部および前記半導体チップ１２のリード側部
を樹脂封止している。なお、２１は前記半導体チップ１
２の表面側に設けられ前記リードパターン１４のインナ
ーリード１４ａに接続するバンプである。また、２２お
よび２３は架橋部、２４および２５はアウターリード孔
、２５および２６はパーフォレーション孔、２７は前記
第２フィルム１６に設けられたサポート部である。
このように構成された半導体装置においては、半導体チ
ップ１２に接合する放熱体１９の非接合面を外部に露呈
させることができるから、動作時に半導体チップ１２か
ら生じる熱を外部に放散して温度上昇を抑制することが
できる。
次に、前記した構成による半導体装置の組立方法につい
て説明する。
先ず、半導体チップ１２を第１フィルム１１の開口部１
３内に臨ませてインナーリード１４ａに接続する。次に
、第１フィルム１１に第２フィルム１６を接合する。こ
のとき、放熱体１９は半導体チップ１２の裏面に接合さ
れている。そして、アウターリード１４ｂとテストパッ
ド１４ｃ問および架橋部２２．２３を切断した後、パッ
ケージ２０によって放熱体１９上でリードパターン１４
の一部および半導体チップ１２のリード側部を樹脂封止
する。
このようにして、半導体装置を組み立てることができる
。
なお、本実施例においては、放熱体１９が第２フィルム
１６の裏面側に設ける場合を示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、第４図に示すように第２フィ
ルム１６の表面側に放熱体２８を設けるものでも実施例
と同様の効果を奏する。
このように構成された半導体装置を組み立てるには、実
施例と同様に第５図（ａ）、　（ｂ）および第６図に示
す第１フィルム１１と第２フィルム１６とを接合するこ
とにより行うことができる。
また、本実施例においては、第２フィルム１６と放熱体
１９とが別体である場合を示したが、本発明は第７図に
示すように第２フィルム２９と放熱体３０が一体である
ものでも勿論よ（、この場合第８図（ａｌ、　（ｂ）お
よび第９図に示す第１フィルム１１と第２フィルム２９
とを接合することにより半導体装置を組み立てることが
できる。この他、第１０図および第１１図に示すように
放熱体３０（第２フィルム２９）に多数のフィン３１を
設けることにより、第１２図および第１３図に示すよう
に放熱体１９にフィン３２を設けることにより、放熱効
果を一層高めることができる。
さらに、実施例においては、第２フィルム１６として金
属材料からなる例を示したが、本発明は第１フィルム１
１と同様にポリイミド系の合成樹脂材料からなるもので
も何等差し支えない。
さらにまた、本発明における接着剤は前述した実施例に
限定されず、例えば半田等によって接合してもよく、そ
の接着剤は適宜変更することが自由である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、開口部内の半導体
チップの表面側に接続するリードを有する第１フィルム
と、この第１フィルムに設けられ半導体チップの裏面に
接合する放熱体を有する第２フィルムとを備え、この第
２フィルムの放熱体上でリードの一部および半導体チッ
プのリード側部をパッケージによって樹脂封止したので
、半導体チップに接合する放熱体を外部に露呈させるこ
とができる。したがって、動作時における半導体チップ
から外部への放熱性を良好に行うことができるから、半
導体装置の特性ならびに動作上の信頼性を向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体装置の全体を示す断面図、
第２図（ａ）、　（ｂｌおよび第３図は同じく半導体装
置の要部を示す平面図と分解斜視図、第４図は他の第２
実施例を示す断面図、第５図（ａ）、　（ｂｌおよび第
６図はその要部を示す平面図と分解斜視図、第７図は他
の第３実施例を示す断面図、第８図（ａ）。 （ｂｌおよび第９図はその要部を示す平面図と分解斜視
図、第１０図は他の第４実施例を示す断面図、第１１図
はその要部を示す断面図、第１２図は他の第５実施例を
示す断面図、第１３図はその要部を示す断面図、第１４
図（ａｌおよび（ｂ）は従来の半導体装置の全体を示す
断面図、第１５図（ａ）、　ｆｂ）および第１６図［８
１，（ｂ）はその半導体装置の組立方法を説明するため
の斜視図、平面図および断面図である。 １１・・・・第１フィルム、１２・・・・半導体チップ
、１３・・・・開口部、１４・・・・リードパターン、
１６・・・・第２フィルム、１９・・・・放熱体、２０
・・・・パッケージ。 代　理　人　大岩増雄 第１図 １１゛才１フィルム １２、キ再イ本ナッフ。 １３・　因　口　部 ＋４＝　’）−）’バクーン １６：オ２フイ１しム １９・　万丈こ巷　イＡ（ ２０：　　バツブージ゛ 第２図 ロロロロロ 第３図 第４図 第５図 １ｂ−′ ロロロロロ 第６図 第７図 第８図 ０ロロロロ ロロロロロ 第９図 第１０図 ｎ 第１１図 １４ｏ　　　　１４ｂ 第１２図 第１３図 第１４図 ７、 （ｂ） 第１６図 （ｂ） 手続補正書（す々） ６２１２’１ 昭和　　年　　月　　日

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体チップが臨む開口部およびこの開口部内の
    半導体チップの表面側に接続するリードを有する第１フ
    ィルムと、この第１フィルムに設けられ前記半導体チッ
    プの裏面に接合する放熱体を有する第２フィルムとを備
    え、この第２フィルムの放熱体上で前記リードの一部お
    よび前記半導体チップのリード側部をパッケージによっ
    て樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）第２フィルムと放熱体とが別体である特許請求の
    範囲第１項記載の半導体装置。
  3. （３）第２フィルムは熱伝導性材料によって形成されて
    いる特許請求の範囲第１項、または第２項記載の半導体
    装置。
  4. （４）第２フィルムと放熱体とが一体である特許請求の
    範囲第１項記載の半導体装置。
JP62109327A 1987-04-30 1987-04-30 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0740600B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62109327A JPH0740600B2 (ja) 1987-04-30 1987-04-30 半導体装置
DE3814469A DE3814469A1 (de) 1987-04-30 1988-04-28 Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
US07/598,788 US5073817A (en) 1987-04-30 1990-10-17 Resin encapsulated semiconductor device with heat radiator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62109327A JPH0740600B2 (ja) 1987-04-30 1987-04-30 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63273341A true JPS63273341A (ja) 1988-11-10
JPH0740600B2 JPH0740600B2 (ja) 1995-05-01

Family

ID=14507418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62109327A Expired - Lifetime JPH0740600B2 (ja) 1987-04-30 1987-04-30 半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5073817A (ja)
JP (1) JPH0740600B2 (ja)
DE (1) DE3814469A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713851B1 (en) * 1998-09-02 2004-03-30 Texas Instruments Incorporated Lead over chip semiconductor device including a heat sink for heat dissipation

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011649B1 (ko) * 1988-03-10 1997-07-12 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 장치의 제조방법
JP2708191B2 (ja) * 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH03505146A (ja) * 1988-12-07 1991-11-07 トリボテック テープ自動接着導線パッケージ及び該パッケージに使用する再使用可能な送りテープ
JPH0810744B2 (ja) * 1989-08-28 1996-01-31 三菱電機株式会社 半導体装置
USRE37707E1 (en) * 1990-02-22 2002-05-21 Stmicroelectronics S.R.L. Leadframe with heat dissipator connected to S-shaped fingers
JPH03257953A (ja) * 1990-03-08 1991-11-18 Nobuo Mikoshiba 半導体素子
US5227662A (en) * 1990-05-24 1993-07-13 Nippon Steel Corporation Composite lead frame and semiconductor device using the same
KR940008342B1 (ko) * 1990-06-01 1994-09-12 가부시키가이샤 도시바 필름캐리어를 이용한 반도체장치
JP2848682B2 (ja) * 1990-06-01 1999-01-20 株式会社東芝 高速動作用半導体装置及びこの半導体装置に用いるフィルムキャリア
JPH04123448A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Toshiba Corp 半導体実装装置
JP2501950B2 (ja) * 1990-11-06 1996-05-29 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2857725B2 (ja) * 1991-08-05 1999-02-17 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
JP2923096B2 (ja) * 1991-09-10 1999-07-26 株式会社日立製作所 テープキャリアパッケージおよび高周波加熱はんだ接合装置
JP2812014B2 (ja) * 1991-10-21 1998-10-15 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2661442B2 (ja) * 1991-12-03 1997-10-08 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
EP0566872A3 (en) * 1992-04-21 1994-05-11 Motorola Inc A thermally enhanced semiconductor device and method for making the same
DE4234022C2 (de) * 1992-10-09 1995-05-24 Telefunken Microelectron Schichtschaltung mit mindestens einem Leistungswiderstand
JP3238004B2 (ja) * 1993-07-29 2001-12-10 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2500785B2 (ja) * 1993-09-20 1996-05-29 日本電気株式会社 半導体パッケ―ジ用フィルムキャリアテ−プ及びこれを用いた半導体装置
US5583370A (en) * 1994-03-04 1996-12-10 Motorola Inc. Tab semiconductor device having die edge protection and method for making the same
DE19500655B4 (de) * 1995-01-12 2004-02-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Chipträger-Anordnung zur Herstellung einer Chip-Gehäusung
DE19520676A1 (de) * 1995-06-07 1996-12-12 Deutsche Telekom Ag Hybridschaltung und Verfahren zur Herstellung derselben
KR0155843B1 (ko) * 1995-07-07 1998-12-01 이대원 반도체장치
JP3429921B2 (ja) * 1995-10-26 2003-07-28 三菱電機株式会社 半導体装置
US5847445A (en) * 1996-11-04 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Die assemblies using suspended bond wires, carrier substrates and dice having wire suspension structures, and methods of fabricating same
KR19980067735A (ko) * 1997-02-11 1998-10-15 문정환 반도체 패키지의 제조방법
US6104093A (en) * 1997-04-24 2000-08-15 International Business Machines Corporation Thermally enhanced and mechanically balanced flip chip package and method of forming
CN1146030C (zh) * 1998-07-28 2004-04-14 精工爱普生株式会社 半导体装置及其制造方法、半导体模块、电路基板以及电子装置
JP4594237B2 (ja) * 2003-09-04 2010-12-08 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2006339354A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Tdk Corp 半導体ｉｃ及びその製造方法、並びに、半導体ｉｃ内蔵モジュール及びその製造方法
US7265445B2 (en) * 2005-03-23 2007-09-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit package
US8803185B2 (en) * 2012-02-21 2014-08-12 Peiching Ling Light emitting diode package and method of fabricating the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5543871A (en) * 1978-09-22 1980-03-27 Casio Comput Co Ltd Packaging of semiconductor device
JPS5732590U (ja) * 1980-08-01 1982-02-20

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1469611A1 (de) * 1964-10-23 1968-12-19 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Pigmentfaerbungen und -drucken auf Fasergut
DE2124887C3 (de) * 1971-05-19 1980-04-17 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Elektrisches Bauelement, vorzugsweise Halbleiterbauelement, mit Folienkontaktierung
US3820153A (en) * 1972-08-28 1974-06-25 Zyrotron Ind Inc Plurality of semiconductor elements mounted on common base
US3839660A (en) * 1973-02-05 1974-10-01 Gen Motors Corp Power semiconductor device package
US3946428A (en) * 1973-09-19 1976-03-23 Nippon Electric Company, Limited Encapsulation package for a semiconductor element
US4023198A (en) * 1974-08-16 1977-05-10 Motorola, Inc. High frequency, high power semiconductor package
GB1478797A (en) * 1974-09-17 1977-07-06 Siemens Ag Semiconductor arrangements
US4150393A (en) * 1975-09-29 1979-04-17 Motorola, Inc. High frequency semiconductor package
JPS53103659U (ja) * 1977-01-25 1978-08-21
DE2742882C2 (de) * 1977-09-23 1986-10-09 Blaupunkt-Werke Gmbh, 3200 Hildesheim Elektronisches Bauelement
DE2752655A1 (de) * 1977-09-23 1979-06-07 Blaupunkt Werke Gmbh Elektronisches bauelement
US4209355A (en) * 1978-07-26 1980-06-24 National Semiconductor Corporation Manufacture of bumped composite tape for automatic gang bonding of semiconductor devices
JPS6020943Y2 (ja) * 1979-08-29 1985-06-22 三菱電機株式会社 半導体装置
JPS5979417A (ja) * 1982-10-28 1984-05-08 Sony Corp 磁気ヘツド装置
US4524238A (en) * 1982-12-29 1985-06-18 Olin Corporation Semiconductor packages
US4891687A (en) * 1987-01-12 1990-01-02 Intel Corporation Multi-layer molded plastic IC package
US4731700A (en) * 1987-02-12 1988-03-15 Delco Electronics Corporation Semiconductor connection and crossover apparatus
JP2641869B2 (ja) * 1987-07-24 1997-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US4967260A (en) * 1988-05-04 1990-10-30 International Electronic Research Corp. Hermetic microminiature packages

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5543871A (en) * 1978-09-22 1980-03-27 Casio Comput Co Ltd Packaging of semiconductor device
JPS5732590U (ja) * 1980-08-01 1982-02-20

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713851B1 (en) * 1998-09-02 2004-03-30 Texas Instruments Incorporated Lead over chip semiconductor device including a heat sink for heat dissipation
US6784022B2 (en) 1998-09-02 2004-08-31 Texas Instruments Incorporated Method of dicing a semiconductor wafer and heat sink into individual semiconductor integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
DE3814469C2 (ja) 1992-12-03
JPH0740600B2 (ja) 1995-05-01
US5073817A (en) 1991-12-17
DE3814469A1 (de) 1988-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63273341A (ja) 半導体装置
JP2006261519A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3532693B2 (ja) 半導体装置
JP2001035977A (ja) 半導体装置用容器
JPS59219942A (ja) チツプキヤリア
JP3119649B2 (ja) 両面に放熱構造を具えた半導体装置及びその製造方法
JPH04263457A (ja) 半導体装置
JPH0487354A (ja) 半導体装置
JP2788011B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2790675B2 (ja) リードフレーム
JPH046860A (ja) 半導体装置
JP2551349B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH08130267A (ja) 樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPS6252949A (ja) 積層型セラミツクパツケ−ジ
JPH056714Y2 (ja)
JPS6279637A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0347585B2 (ja)
JPH034039Y2 (ja)
JPS58182256A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62114253A (ja) 集積回路の放熱構造
JPH04348550A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH02277259A (ja) 半導体装置
JPH04199668A (ja) リードフレーム、このリードフレームを用いた半導体装置およびこの半導体装置の組立方法
JPH05275570A (ja) 半導体装置
JPS62117351A (ja) プラスチツク・パツケ−ジ型半導体装置