JPH0347585B2 - - Google Patents

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JPH0347585B2
JPH0347585B2 JP59255950A JP25595084A JPH0347585B2 JP H0347585 B2 JPH0347585 B2 JP H0347585B2 JP 59255950 A JP59255950 A JP 59255950A JP 25595084 A JP25595084 A JP 25595084A JP H0347585 B2 JPH0347585 B2 JP H0347585B2
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JP
Japan
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heat dissipation
heat
semiconductor chip
semiconductor device
lid
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JP59255950A
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JPS61133649A (ja
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Muneo Hatsuta
Shin Nakao
Masanobu Obara
Kazuhito To
Hideki Minashiro
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H—ELECTRICITY
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置に係り、特に、集積回路
を実装するモジユールにおいて、各半導体チツプ
の放熱特性を可及的に均一にすることができる半
導体装置の構造に関するものである。
［従来の技術］ 第３図はたとえば特開昭59−65457号公報に示
された従来の半導体装置を示す断面図であり、図
において、１は半導体チツプ等からなるフリツプ
チツプ、２は伝熱性の良い接着剤であり、半導体
チツプ１を放熱用金属板３に接合するための構成
である。４はヒートシンク、５は伝熱性の良い接
着剤であり、ヒートシンク４を蓋体６に接合する
ための構成である。また、蓋体６は伝熱性の良い
接着剤７によつてモジユール基板９に接合されて
いる。なお、モジユール基板９はその下端面に入
出力ピン８を備えている。また、放熱用金属板３
と蓋体６との間には微細な間隙１０が設けられて
いる。そしてこの間隙１０には伝熱性の良い気体
１１が満たされている。
次にその作用について説明する。半導体チツプ
１に熱が発生し、その熱は半田のような熱伝導性
の良い接着剤２を介して放熱用金属板３に伝わ
り、さらにヘリウムのような熱伝導性の良い気体
１１によつて満たされた間隙１０から蓋体６およ
び熱伝導性の良い接着剤５を介してヒートンシン
ク４に伝わり、ここで強制空冷によつて冷却され
る。
上述の構成で着目する特徴的な構成は、蓋体６
の内側頂面の形状である。図示するように、その
頂面は各放熱用金属板３の面に対してほぼ平行に
平坦な面に形成されている。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の半導体装置は上述のごとく構成されてい
るので、放熱用金属板３が接着剤２によつて半導
体チツプ１に接合されるとき、第４図に示すごと
く、金属板３の位置が半導体チツプ１に対して真
正面の位置からずれてしまうことがある。その結
果、各半導体チツプ１の間の放熱特性がその均一
性を欠き、放熱効果の低減を招くなどの問題があ
つた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、各半導体チツプ間の放熱特性
の均一性が良好な半導体装置を得ることを目的と
している。
［問題点を解決するための手段］ この発明に従つた半導体装置は、基板と、その
基板上に配置された半導体チツプと、半導体チツ
プの一方面に接合された放熱基板と、半導体チツ
プを覆うように基板に取り付けられた蓋体とを備
えたモジユール型式の半導体装置である。蓋体は
孔を有する。その孔は放熱基板の全体を受け入れ
るように形成されている。また、その孔は半導体
チツプの一方面全体に対向する底面を有する。
［作用］ この発明においては、放熱基板の全体を受け入
れるように蓋体に孔が形成される。そのため、こ
の放熱基板をその孔に嵌合させた状態で、半田の
ような熱伝導性の良好な接着剤によつて放熱基板
を半導体チツプに接合することができる。その結
果、放熱基板がその孔によつて蓋体に対して正確
に位置決められる。これにより、半導体チツプか
ら放熱基板に伝えられた熱のほぼ全部が孔を介し
て蓋体に伝えられ得る。
また、この発明においては、蓋体に形成された
孔は、半導体チツプの一方面全体に対向する底面
を有する。そのため、半導体チツプの一方面から
発生した熱のほぼ全部が孔を介して蓋体に伝えら
れ得る。
したがつて、各半導体チツプの放熱経路が均一
になり、半導体装置全体の放熱効果の均一・向上
を図ることができる。
［発明の実施例］ 以下に本発明の好適一実施例について添付図面
に従つて説明する。
第１図は従来技術を示す第３図に対応してお
り、したがつて同様の構成については同一の参照
番号を付すことによつて重複する説明を省略す
る。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置
を示す断面図である。図において、半導体チツプ
等からなるフリツプチツプ１はモジユール基板９
の上に配列されて設けられている。フリツプチツ
プ１はその上面に半田のような熱伝導性の良い接
着剤２を介して放熱用金属板３が接合されてい
る。この放熱用金属板３はたとえば銅等の熱伝導
性の良い金属からなり、その形状はフリツプチツ
プ１の平面形状とほぼ等しく、通常はほぼ矩形に
形成される。蓋体６の内側頂面には、モジユール
基板９の上に配列されて取付けられたフリツプチ
ツプ１の位置に対応してそのほぼ真正面に向かい
合う位置に放熱用金属板３の位置決め凹部１２が
形成されている。位置決め凹部１２の形状は放熱
用金属板３とほぼ同様の矩形に形成され、その大
きさは放熱用金属板３の取付位置の許容誤差だけ
当該放熱用金属板３の大きさよりも大きく設定さ
れている。
上述のごとき構成の半導体装置を組立てる場合
の手順としては、位置決め凹部１２の形成された
蓋体６を下にして、放熱用金属板３と半田のよう
な熱伝導性の良い接着剤２をこの位置決め凹部１
２内に入れる。そしてその上にフリツプチツプ１
を実装したモジユール基板９を上下逆にして置
き、加熱して接着剤２を溶融状態にしておいてモ
ジユール基板９を蓋体６に組み付ける。このとき
フリツプチツプ１の位置と位置決め凹部１２との
位置は真正面に向かい合つて対応しており、放熱
用金属板３はフリツプチツプ１に対して好ましい
位置関係を保持したままこのフリツプチツプ１に
接合される。なお、蓋体６をモジユール基板９に
組み付ける際には、これらの間に熱伝導性の良い
接着剤７が用いられる。
以上のように構成された半導体装置にあつて
は、各フリツプチツプ１に発生する熱は、それぞ
れ同等の伝熱経路に沿つてヒートンシンク４へ伝
えられる。そしてその熱は強制空冷によつて冷却
される。
特にこの発明の半導体装置においては、放熱用
基板３は位置決め凹部１２内にその全体が受け入
れられた状態で位置決めされる。また、位置決め
凹部１２はフリツプチツプ１の上面全体に対向す
る底面を有する。このことから、フリツプチツプ
１の上面から発生した熱のほぼ全部が、蓋体６の
内側頂面に設けられた位置決め凹部１２を介して
蓋体６、ヒートシンク４に伝わる。その結果、各
フリツプチツプ１の放熱経路が均一になり、半導
体装置全体の放熱効果の均一・向上を図ることが
できる。
なお、上記実施例では、モジユール基板９の上
にフリツプチツプ１を多数実装するマルチチツプ
モジユールを示したが、第２図に示すように、基
板９の上のフリツプチツプ１を１個実装したもの
であつてもよいのはもちろんである。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば放熱基板の全
体を受け入れるように蓋体に孔が形成され、その
孔は半導体チツプの一方面全体に対向する底面を
有するので、放熱基板の位置決めを正確に行なう
ことができるとともに、半導体装置全体の放熱効
果の均一・向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置
を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例に
よる半導体装置を示す断面図、第３図は従来の半
導体装置を示す断面図、第４図はこの発明が解決
しようとする問題点を示す模式図である。 なお、図中１は半導体チツプとしてのフリツプ
チツプ、３は放熱用金属板、６は蓋体、９はモジ
ユール基板、１２は位置決め凹部である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板と、前記基板上に配置された半導体チツ
    プと、前記半導体チツプの一方面に接合された放
    熱基板と、前記半導体チツプを覆うように前記基
    板に取り付けられた蓋体とを備えたモジユール型
    式の半導体装置において、 前記蓋体は孔を有し、前記孔は前記放熱基板の
    全体を受け入れるように形成され、かつ前記半導
    体チツプの一方面全体に対向する底面を有するこ
    とを特徴とする、半導体装置。
JP25595084A 1984-12-03 1984-12-03 半導体装置 Granted JPS61133649A (ja)

Priority Applications (1)

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JP25595084A JPS61133649A (ja) 1984-12-03 1984-12-03 半導体装置

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JP25595084A JPS61133649A (ja) 1984-12-03 1984-12-03 半導体装置

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JPS61133649A JPS61133649A (ja) 1986-06-20
JPH0347585B2 true JPH0347585B2 (ja) 1991-07-19

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022123621A1 (ja) 2020-12-07 2022-06-16 株式会社秀峰 種シート製造装置及び種シート

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