JPS61133649A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61133649A
JPS61133649A JP25595084A JP25595084A JPS61133649A JP S61133649 A JPS61133649 A JP S61133649A JP 25595084 A JP25595084 A JP 25595084A JP 25595084 A JP25595084 A JP 25595084A JP S61133649 A JPS61133649 A JP S61133649A
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八田　宗生
Shin Nakao
中尾　伸
Masanobu Obara
小原　雅信
Kazuhito To
塘　一仁
Hideki Motoshiro
源城　英毅
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置に係り、特に、集積回路を実装す
るモジュールにおいて、各半導体チップの放熱特性を可
及的に均一することができる半導体装置の構造に関する
ものである。
［従来の技術］ 第３図はたとえば特開昭５９−６５４５７号公報に示さ
れた従来の半導体装置を示す断面図であり、図において
、１は半導体チップ等からなるフリップチップ、２は伝
熱性の良い接着剤であり、半導体チップ１を放熱用金属
板３に接合するための構成である。４はヒートシンク、
５は伝熱性の良い接着剤であり、ヒートシンク４を蓋体
６に接合するための構成であ。また、蓋体６は伝熱性の
良い接着剤７によってモジュール基板９に接合されてい
る。なお、モジュール基板９はその下端面に入出力ピン
８を備えている。また、放熱用金属板３と蓋体６との間
には微細な間隙１０が設けられている。そしてこの間隙
１０には伝熱性の良い気体１１が満たされている。
次にその作用について説明する。半導体チップ１に熱が
発生し、その熱は半田のような熱伝導性の良い接着剤２
を介して放熱用金属板３に伝わり、さらにヘリウムのよ
うな熱伝導性の良い気体１１によって満たされた間１１
ｆ１０から蓋体６および熱伝導性の良い接着剤５を介し
てヒートシンク４に伝わり、ここで強制空冷によって冷
却される。
上述の構成で着目する特徴的な構成は、蓋体６の内側頂
面の形状である。図示するように、その頂面は各放熱用
金属板３の面に対してほぼ平行に平坦な面に形成されて
いる。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の半導体装置は上述のごとく構成されているので、
放熱用金属板３が接着剤２によって半導体チップ１に接
合されるとき、第４図に示すごとく、金属板３の位置が
半導体チップ１に対して真正面の位置からずれてしまう
ことがある。その結果、各半導体チップ１の間の放熱特
性がその均一性を欠き、放熱効果の低減を招くなどの問
題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各半導体チップ間の放熱特性の均一性が良好
な半導体装置を得ることを目的としている。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、モジュール基板上に配置
された半導体チップの位置に正対向させて、放熱用金属
板の位置決め凹部を蓋体に形成したものである。
［作用］ この発明において蓋体に形成される位置決め凹部は、半
田のような熱伝導性の良い接着剤によって放熱用金属板
を半導体チップに接合するに際して、放熱用金属板をそ
の凹部に嵌合させることによってこの金属板を正しい位
置に固定する。
［発明の実施例］ 以下に本発明の好適一実施例について添付図面に従って
説明する。
第１図は従来技術を示す第３図に対応しており、したが
って同様の構成については同一の参照番号を付すことに
よって重複する説明を省略する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図である。図において、半導体チップ等からなるフリ
ップチップ１はモジュール！Ｉ［９の上に配列されて設
けられている。フリップチップ１はその上面に半田のよ
うな熱伝導性の良い接着剤２を介して放熱用金属板３が
接合されている。
この放熱用金属板３はたとえば銅等の熱伝導性の良い金
属からなり、その形状はフリップチップ１の平面形状と
ほぼ等しく、通常はほぼ矩形に形成される。蓋体６の内
側頂面には、モジュール基板９の上に配列されて取付け
られたフリップチップ１の位置に対応してそのほぼ真正
面に向かい合う位置に放熱用金属板３の位置決め凹部１
２が形成されている。位置決め凹部１２の形状は放熱用
金属板３とほぼ同様の矩形に形成され、その大きさは放
熱用金属板３の取付位置の許容誤差だけ当該放熱用金属
板３の大きさよりも大きく設定されている。
上述のごとき構成の半導体装置を組立てる場合の手順と
しては、位置決め凹部１２の形成された蓋体６を下にし
て、放熱用金属板３と半田のような熱伝導性の良い接着
剤２をこの位置決め凹部１２内に入れる。そして接着剤
２を溶融状態あるいは半溶融状態にしておいて、フリッ
プチップ１を実装したモジュール基板９を蓋体６に組み
付ける。
このときフリップチップ１の位置と位置決め凹部１２と
の位置は真正面に向かい合って対応しており、放熱用金
属板３はフリップチップ１に対して好ましい位置関係を
保持したままこのフリップチップ１に接合される。なお
、蓋体６をモジュール基板９に組み付ける際には、これ
らの間に熱伝導性の良い接着剤７が用いられる。
以上のように構成された半導体装置にあっては、各フリ
ップチップ１に発生する熱は、それぞれ同等の伝熱経路
に沿ってヒートシンク４へ伝えられる。そしてその熱は
強制空冷によって冷却される。
なお、上記実施例では、モジュール基板９の上に７リツ
プチツブ１を多数実装するマルチチップモジュールを示
したが、第２図に示すように、基板９の上の７リツプチ
ツブ１を１個実装したものであってもよいのはもちろん
である。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によればモジュールの蓋体に放
熱用金属板の位置決め凹部を形成したので、放熱用金属
板の位置決めを正確に行なうことができ、放熱特性の均
一性が良好な半導体装置を得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図はこの発明の他の実施例による半導体＠−
を示す断面図、第３図は従来の半導体装置を示す断面図
、第４図はこの発明が解決しようとする問題点を示す模
式図である。 なお、図中１は半導体チップとしてのフリップチップ、
３は放熱用金属板、６は蓋体、９はモジュール基板、１
２は位置決め凹部である。 代　　理　　人　　　　　大　　岩　　増　　雄纂１図 Ｆ −」 第２図 一４３：放塾ｍ／＆４極、 一７ｇ：入湯〃ピン −９９二　七モ耳２１□−−フレｍ ＩＯ：　Ｍ　ｉ ？１１］Ｕ本 １２ごａ−ＩＪａあ凹一番Ｐ′

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　放熱用金属板が上面に接合される半導体チップをモジ
    ユール基板上に配置し、該半導体チップ上を覆つて前記
    モジュール基板に取付けられる蓋体を備えた、集積回路
    を実装するモジュールにおいて、 前記半導体チップの位置に正対向させて、前記放熱用金
    属板の位置決め凹部を前記蓋体に形成したことを特徴と
    する半導体装置。
JP25595084A 1984-12-03 1984-12-03 半導体装置 Granted JPS61133649A (ja)

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JP25595084A JPS61133649A (ja) 1984-12-03 1984-12-03 半導体装置

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JP25595084A JPS61133649A (ja) 1984-12-03 1984-12-03 半導体装置

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JPS61133649A true JPS61133649A (ja) 1986-06-20
JPH0347585B2 JPH0347585B2 (ja) 1991-07-19

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