JPS6373650A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6373650A
JPS6373650A JP61218301A JP21830186A JPS6373650A JP S6373650 A JPS6373650 A JP S6373650A JP 61218301 A JP61218301 A JP 61218301A JP 21830186 A JP21830186 A JP 21830186A JP S6373650 A JPS6373650 A JP S6373650A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体装置において、開口を有する１−ヤップ
により半導体素子の気密封止を可能とし、■つ放熱部材
の半導体素子との接触を可能とし、気密封止は確実とし
つつ小型化を図り放熱効率を向上させるようにしたもの
である。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特にキャップ及びヒートシンクの
取付構造に関する。
〔従来の技術〕
半田バンブを有する半導体素子（フリップデツプ）又は
周囲に突き出した微小リードを有する半導体素子は、ワ
イヤを使用せずに、フェイスダウン方式で基板上の多層
配線層に電気的に接続されて基板に固定される。半導体
素子は、周囲を曇根上面に半田付けされたキャップによ
り覆われて気密封止されている。ヒートシンクはキャッ
プ上に固定しである。
半導体素子で発生した熱は、一旦キャップの厚さ方向に
伝導した後、ヒートシンクにｉリリ、ヒートシンク内を
伝導してこの表面より放熱される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
キャップには、熱膨張係数及び加工性の点より、一般に
、コバールが使用されている。コバールの熱伝導率は２
０Ｗ／ｍ−Ｋであり、良くはない。
このため、上記構造の半導体装置では、キャップが熱伝
導に対して抵抗となり、放熱効率を向上させる上で障害
となっているという問題点があった。
また放熱効率向上のために、ヒートシンクを半導体素子
の上面に直接取り付ける構造も考えられるが、この構造
では半導体素子の気密封止を完全にし、且つ小型化を図
るのが困難であるという問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上述の問題点を解消する半導体装置を提供する
ものであり、 配線層が形成された基板と、 該基板上に表面が下向きで搭載され上記配線層に電気的
に接続された少なくとも一つの半導体素子と、 該半導体素子の外形よりも小さい開口を有し、周縁部が
上記基板に、該開口の周囲部が上記半導体素子の上面に
夫々接着され気密封止するヤヤップと、 該キャップの開口に嵌合して上記半導体素子の裏面に固
定された放熱部材を有することを特徴とする。
（作用） 放熱部材が半導体素子の上面に直接固定された構成は、
熱伝導に対して抵抗となるキャップを、放熱のための熱
伝導路より除外し、放熱効率を向上させる。
半導体素子の外形より小さい開口を有するキャップは、
半導体素子を支障なく気密封止する。
〔実施例〕
第１図乃至第７図は本発明の第１実施例になる半導体装
置１０を示す。
特に、第１図、第２図及び第６図に示すように、半導体
装置１０は、大略、半導体素子１１と、基板１２と、キ
ャップ１３と、放熱部材としてのヒートシンク１４とに
より構成される。
半導体素子１１は、第６図に示すように、表面１１ａの
周囲より外方に０．７ｗｒ延出した多数の微小なリード
１５を有する。回路素子または回路が形成された表面１
１ａ上には、第５図に示すように、α線対策のために、
厚さ５０〜１００μｍのポリイミド層１６が形成しであ
る。
半導体素子１１は、第５図及び第６図に示すように、表
面１１ｂが上、表面１１ａが下を向いたフェイスダウン
の向きで、基板１２の上面の多層配線層１７上にワイヤ
を使用せずに実装してあり、多層配線層１７と電気的且
つ機械的に接続されている。
多層配線層１７は、第５図に示すように、配線パターン
が、厚さ１０μ顔のポリイミド製の絶縁層を介して３〜
４層に積重された構成である３基板１２は例えばＡ［Ｎ
又はＳｉＣ，或いはＡｅｚＯｓ￥Ｊであり、厚さは例え
ば０．６１１１１１１である。
第１図、第５図、第６図に示すように、基板１２を貫通
する多数のピアホール１８内には、１ｙｌｏ。
Ｗなどの金１ｉ！ｉ１９が充填されメタライズされてい
る。基板１２の下面には、多数のビン２０がロー付は又
は半田付けされて、上記各焼結金属１９に対応して固定
しである。各ビン２０と対応するリード１５とが、焼結
金属１９及び多層配線層１７を介して電気的に接続され
ている。
ビン２０は、Ｎｉメッキされたコバール又は、Ｎｉメッ
キされた３ｅ−ＣＬＪ、或いはＮｉメッキされたＷ製で
ある。またビン２０は径が０．１〜０．１５ｍ５＋、長
さが１．０〜１．５ｓである。またビン２０は、第４図
に示すように、基板１２の中央部と外周部とを除いた部
分に、ピッチＰ＋が０、ＡＳｍ、ピッチＰ２が０．９０
履で並んでいる。
キャップ１３は、例えば、コバール製であり、第７図に
示すように略四角形状の隆起部１３ａを有する逆皿形状
であり、周縁に張り出し部１３ｂ、隆起部１３ａの中央
に矩形状の開口１３ｃを有する。開口１３Ｃは半導体素
子１１の外形より−まわり小さいサイズである。キャッ
プ１３は、第１図及び第５図に示すように、張り出し部
１３ｂを基板１２上に半田２１により半田付けされ、隆
起部１３ａのうち開口１３ｃの周囲部を半導体素子１１
の上面（裏面１１ｂ）の周辺部に半田２２により半田付
けされて固定しである。これにより、半導体素子１１は
気密封止され、且つ小型にパッケージングされる。キャ
ップ１３の半導体素子１１の上面への半田し３ａは０．
５ｉｍ＊である。半導体素子１１の周囲の空間２３は、
例えば窒素ガス又は水素ガスで満たされている。
このように、本発明のキャップは開口を有していること
で、この開口部分から内の半導体素子の上面が所定の高
さになってキャップに良好に半田付けできるかどうか確
認できるので、半導体素子とキャップの接続状態を良好
に確実に為すことができ、さらに、十分小型化が図れる
。
ヒートシンク１４は、特に第２図及び第７図に示すよう
に、基板１２と同サイズであり、厚さが０．８謂の矩形
板状であり、下面に偏平凸部１４ａを有する。偏平凸部
１４ａは、上記キャップ１３の開口１３ｃに対応する形
状を有し、キャップ１３の板厚ｔに略対応する寸法す突
出している。
このヒートシンク１４は、第１図及び第５図に示すよう
に、偏平凸部１４ａが開口１３ｃと嵌合し、偏平凸部１
４ａの頂面１４ｂが半導体素子１１の裏面１１ｂに半田
２４より半田付けされて、キャップ１３を覆って固定し
である。
ヒートシンク１４は、Ｍｏ、Ｃｕ、△之。
ＡＥＮ又はＳ　ｉ　ＣＷＩＪである。熱伝導率はＭＯが
１３６Ｗ／ｍ　−Ｋ　、　Ｃｕが３９４Ｗ／ｍ　−Ｋ　
、　Ａ　ｅが２３９Ｗ／ｍ−に、ＡＪ！Ｎが１５０〜２
００Ｗ／ｍ−Ｋ、ＳｉＣが１７０〜２７０Ｗ／ｍ　−Ｋ
であり、共にコバールの熱伝導率より高い。ＡＥＮ又は
Ｓ　ｉ　Ｃ’Ｍの場合には、上記頂面１４ｂにＮｉ又は
ＡＵがメタライズされている。
上記構成の半導体装置１０は、ビン２０をプリント基板
（図示せず）の対応する導電パターン上に接続し表面実
装される。半導体装置１０が実装されたプリント基板は
例えばコンピュータ装置（図示せず）内に組み込まれ、
ヒートシンク１４の上面には伝導冷却手段（図示せず）
が接触する。
コンピュータ装置の動作時に半導体鬼子１１より発生し
た熱は、キャップ１３を介さずに、直接ヒートシンク１
４に伝導し、ヒートシンク１４内を伝導し、ヒートシン
ク１４の上面より上記伝導冷却手段に伝導して、放熱さ
れる。叩ら半導体素子１１と伝導冷却手段との間には、
熱伝導に対して抵抗となるキャップ１３は介在しないた
め、半導体素子１１の熱は従来に比べて効率よく放熱さ
れる。
次に上記の半導体装置１０の製造方法について、第６図
を参照して説明する。
まず、基板１２の製造方法について説明する。
基板１２は、グリーンシートにピアホール１８を穿設し
、ピアホール１８にＭｏ、Ｗ等の金属粉末を充填して、
グリーンシートを焼成する。焼成時にピアホール１８内
の金属粉末（ま焼結する。これにより、上記基板１２を
得る。
次に、基板１２の下面に導電性の肋膜または厚膜でビン
用パッドを設はビン１２をロー付は又は半田付けする。
次に、基板１２の上面に多層配線層１７を形成する。
次に、多層配Ｆｉｔ層１７上に、半導体素子１１を実装
する。
次に、窒素ガス又は水素ガス雰囲気中で、枠状で厚さが
５０〜１００μｍの半田プリフォーム２５を基板１２上
に載置し、半導体素子１１の上面に厚さが１００〜２０
０μ■の半田プリフォーム２６をＭｆｆｌし、キャップ
１３を被せ、ヒートシンク１４を中ね、３００〜３３０
℃に加熱する。
これにより、半田プリフォーム２５．２６がリフローし
、キャップ１３及びヒートシンク１４が同時に半田付は
固定される。これと同時に、半導体素子１１がキャップ
１３により気密封止される。
半田プリフォーム２５が半田２１を形成し、半田プリフ
ォーム２６が半田２２．２４を形成する。
キャップ１３はプレス成形品であり、隆起部１３ａと張
り出し部１３ｂとの間の高さ寸法りは精度が良好である
。また、半導体素子１１の上面の高さにばらつきが生じ
てもキャップ１３の開口１３Ｇからキャップ１３と半田
プリフォーム２６の接触状態を確認し、例えば所望の厚
さの半田プリフォーム２６を選択できる。このため、キ
ャップ１３と基板１２及び半導体素子１１との位＠関係
を高精度に設定でき、キャップ１３は、基板１２及び半
導体素子１１に対して良好に半田付けされる。
ヒートシンク１４は、偏平凸部１４ａが開口１３ｃに嵌
合することにより、容易にしかも精度良く重ね合わされ
る。
上記の方法によれば、半導体装置１０は、簡単な工程で
製造され、ω産性に好適である。
この方法では、半田プリフォーム２６により半導体素子
１１とキャップ１３及びヒートシンク１４を同時に半田
付けしたが、別の方法としてまず半導体素子１１にキャ
ップ１３だけ半田付けし、キャップの固着状態を開口１
３Ｃの部分より確認し、次にヒートシンク１４を半田付
けするようにすればより信頼性の高い気密１１止がなさ
れた半導体装置が得られる。
尚、本発明の半導体装置では、上記の半導体素子１１の
代わりに、ハンダバンブを有するフリップチップを使用
してもよい。
第８図及び第９図は夫々本発明の第２．第３実施例にな
る半導体装置３０．４０を示す。半導体装ｆｆ３０．４
０は、ヒートシンク以外は第１図の半導体装ｆｉｆｆｌ
ｏと同一構成であり、第８図及び第９図中、第１図に示
す構成部分と同一部分には同一符号を付し、その説明は
省略する。
第８図の半導体装置３０においては、放熱部材としての
フィン３１が半導体素子１１と直接半田付けされて固定
しである。
第９図の半導体［１４０においては、放熱部材としての
フィン４１が半導体素子１１と直接半田付けされて固定
しである。
第８図の半導体装置３０は、空冷で冷却され、第９図の
半導体装置４０は、フロロカーボン等に浸漬されて冷却
される。
第１０図乃至第１３図は夫々本発明の第４実施例になる
半導体装置５０を示す。この半導体５０はキャップ以外
は第１図の半導体装置１０と同一構成であり、第１０図
乃至第１３図中、第１図。
第２図及び第５図に示す構成部分と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
キャップ５１は、第５図中の張り出し部１３ｂの無い構
成であり、開口５１ａの周囲部が半導体素子１１に半田
付けされ、垂立壁５１ｂの下端が基板１２上に半田５２
により半田付けされている。
この構成の半導体装置５０は、張り出し部１３ｂの無い
分だけ、小型となる。
第１３図及び第１４図は夫々本発明の第５実施例の半導
体装置６０を示す。この半導体装置６０は、基板６１上
に、半導体素子１１が４Ｍ４実装された構成である。
キャップ６２は、各半導体素子１１に対応して開口６２
ａを有し、各開口６２ａの周囲部を各半導体素子１１に
、周囲の張り出し部６２ｂを基板６１に夫々半田付けさ
れており、各半導体素子１１はまとめて気密封止されて
いる。
放熱部材としてのヒートシンク６３は、各半導体素子１
１に対応して偏平凸部６３ａを有する。
このヒートシンク６３は、各偏平凸部６３ａが開口６２
ａに嵌合し、半導体素子１１に直接半田付けされて取り
付けられている。各半導体素子１１は、ヒートシンク６
３を介して、前記第１実施例になる半導体装置１０の場
合と同様に冷却される。
〔発明の効果〕
本発明によれば、キャップにより半導体素子を気密封止
することが出来ると共に、半導体素子の熱がキャップを
介さずに直接放熱部材に伝導されるため、放熱効率の向
上を図ることが出来、更には、比較的容易に組み立てる
ことが出来、恒産に好適である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例になる半導体装置の断面図
、 第２図、第３図、第４図は夫々本発明の第１実施例にな
る半導体装置の正面図、ヒートシンクを一部切截して示
す平面図、底面図、 第５図は第１図中左端部を拡大して示す図、第６図は第
１図の半導体装置の分解図、第７図はキャップとヒート
シンクとを対応させて示す斜視図、 第８図は本発明の第２実施例になる半導体装置の断面図
、 第９図は本発明の第３実施例になる半導体装置の断面図
、 第１０図及び第１１図は夫々本発明の第４実施例になる
半導体装置の断面図及び正面図、第１２図は第１０図中
左端部を拡大して示す図、第１３図は本発明の第５実施
例の半導体装置の平面図、 第１４図は第１３図中ＸｒＶ−ＸＩＶ線に沿う断面矢視
図である。 図において、 １０．３０，４０．５０．６０は半導体装置、１１は半
導体素子、 １１ａは表面、 １１ｂは裏面、 １２．６１は基板、 １３．５１．６２はキャップ、 １３ａは隆起部、 １３ｂは張り出し部、 １３ｃ、５１ａ、６２ａは開口、 １４．６３はヒートシンク、 １４ａ、６３ａは偏平凸部、 １４ｂは頂面、 １７は多層配線層、 ２０はビン、 ２１．２２，２４．５２は平田、 ２３は空間、 ２５．２６は半田プリフォーム、 ３１．４１はフィン、 ５１ｂは垂立壁である。 ｉ４図 鵠づ図中左ｎ者ｉ’Ｉｆ’と１広づ（しＴ′示１１幻第
Ｓ図 第′１図の′＋導イ本装遣の分角省図 第６図 第７図 ３０牛導イ本装置 第８図 第９図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 上面に配線層（１７）が形成された基板（１２、６１）
    と、 該基板上に表面（１１ａ）が下向きで搭載され上記配線
    層（１７）に電気的に接続された少なくとも一つの半導
    体素子（１１）と、 該半導体素子の外形よりも小さい開口（１３ｃ、５１ａ
    、６２ａ）を有し、周縁部が上記基板（１２、６１）に
    、該開口の周囲部が上記半導体素子（１１）の上面に夫
    々接着され気密封止するキャップ（１３、５１、６２）
    と、 該キャップの開口（１３ｃ、５１ａ、６２ａ）に嵌合し
    て上記半導体素子（１１）の裏面に固定された放熱部材
    （１４、３１、４１、６３）とを有してなることを特徴
    とする半導体装置。
JP61218301A 1986-09-17 1986-09-17 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JPH0777247B2 (ja)

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DE87100849T DE3786861T2 (de) 1986-09-17 1987-01-22 Halbleiteranordnung mit Gehäuse mit Kühlungsmitteln.
KR1019870001156A KR900003828B1 (ko) 1986-09-17 1987-02-12 반도체장치 및 그의 제조방법
US07/076,762 US4742024A (en) 1986-09-17 1987-07-23 Semiconductor device and method of producing semiconductor device
US07/154,046 US4803546A (en) 1986-09-17 1988-02-09 Heatsink package for flip-chip IC

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DE (1) DE3786861T2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0366128A (ja) * 1989-08-04 1991-03-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層配線構造体およびその製造方法
US5055914A (en) * 1989-02-10 1991-10-08 Fujitsu Limited Ceramic package type semiconductor device and method of assembling the same
JPH03283549A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Ngk Insulators Ltd 集積回路用パッケージ
US5251100A (en) * 1991-08-28 1993-10-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device with cooling system and manufacturing method therefor
JP2001196498A (ja) * 1999-11-09 2001-07-19 Fujitsu Ltd ピン付きモジュール及びピン付きモジュールの製造方法

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4796077A (en) * 1986-08-13 1989-01-03 Hitachi, Ltd. Electrical insulating, sintered aluminum nitride body having a high thermal conductivity and process for preparing the same
JPS63181399A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 日本特殊陶業株式会社 高熱伝導性厚膜多層配線基板
US4979015A (en) * 1987-01-28 1990-12-18 Texas Instruments Incorporated Insulated substrate for flip-chip integrated circuit device
US5144412A (en) * 1987-02-19 1992-09-01 Olin Corporation Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby
US4862249A (en) * 1987-04-17 1989-08-29 Xoc Devices, Inc. Packaging system for stacking integrated circuits
US4953005A (en) * 1987-04-17 1990-08-28 Xoc Devices, Inc. Packaging system for stacking integrated circuits
US4849857A (en) * 1987-10-05 1989-07-18 Olin Corporation Heat dissipating interconnect tape for use in tape automated bonding
DE3824654A1 (de) * 1988-07-20 1990-02-01 Ibm Deutschland Elektronische baueinheit
US5089881A (en) * 1988-11-03 1992-02-18 Micro Substrates, Inc. Fine-pitch chip carrier
CA2002213C (en) * 1988-11-10 1999-03-30 Iwona Turlik High performance integrated circuit chip package and method of making same
US4949148A (en) * 1989-01-11 1990-08-14 Bartelink Dirk J Self-aligning integrated circuit assembly
EP0405755B1 (en) * 1989-05-31 1995-11-29 Fujitsu Limited Pin grid array packaging structure
GB2233821A (en) * 1989-07-11 1991-01-16 Oxley Dev Co Ltd Ceramic package including a semiconductor chip
WO1991007777A1 (en) * 1989-11-22 1991-05-30 Tactical Fabs, Inc. High density multichip package
US5182632A (en) * 1989-11-22 1993-01-26 Tactical Fabs, Inc. High density multichip package with interconnect structure and heatsink
US5041902A (en) * 1989-12-14 1991-08-20 Motorola, Inc. Molded electronic package with compression structures
EP0463758A1 (en) * 1990-06-22 1992-01-02 Digital Equipment Corporation Hollow chip package and method of manufacture
US5097387A (en) * 1990-06-27 1992-03-17 Digital Equipment Corporation Circuit chip package employing low melting point solder for heat transfer
US5003429A (en) * 1990-07-09 1991-03-26 International Business Machines Corporation Electronic assembly with enhanced heat sinking
US5057908A (en) * 1990-07-10 1991-10-15 Iowa State University Research Foundation, Inc. High power semiconductor device with integral heat sink
US7198969B1 (en) * 1990-09-24 2007-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5148265A (en) 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
EP0477600A1 (de) * 1990-09-26 1992-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Befestigen eines mit wenigstens einem Halbleiterbauelement versehenen Halbleiterkörpers auf einem Substrat
US5219794A (en) * 1991-03-14 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating same
JPH05160292A (ja) * 1991-06-06 1993-06-25 Toshiba Corp 多層パッケージ
US5102829A (en) * 1991-07-22 1992-04-07 At&T Bell Laboratories Plastic pin grid array package
JP2936819B2 (ja) * 1991-07-24 1999-08-23 日本電気株式会社 Ｉｃチップの実装構造
US5334874A (en) * 1991-09-13 1994-08-02 Metzler Richard A Electronic device package
US5455382A (en) * 1991-10-31 1995-10-03 Sumitomo Metal Industries, Ltd. IC package heat sink fin
JP2715752B2 (ja) * 1991-10-31 1998-02-18 住友金属工業株式会社 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法
EP0560259B1 (en) * 1992-03-09 1996-10-30 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Heat sink having good heat dissipating characteristics and process for producing the same
DE4217289C2 (de) * 1992-05-25 1996-08-29 Mannesmann Ag Fluidgekühlte Leistungstransistoranordnung
TW238431B (ja) 1992-12-01 1995-01-11 Stanford W Crane Jr
US5634821A (en) * 1992-12-01 1997-06-03 Crane, Jr.; Stanford W. High-density electrical interconnect system
US6205654B1 (en) 1992-12-11 2001-03-27 Staktek Group L.P. Method of manufacturing a surface mount package
US5297618A (en) * 1992-12-31 1994-03-29 International Business Machines Corporation Apparatus for removing a heatsink from an electronic module or package
US6262477B1 (en) 1993-03-19 2001-07-17 Advanced Interconnect Technologies Ball grid array electronic package
EP0633608B1 (en) * 1993-07-08 2000-10-11 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Process for producing a pin-finned heat sink
US5397921A (en) * 1993-09-03 1995-03-14 Advanced Semiconductor Assembly Technology Tab grid array
US6864570B2 (en) * 1993-12-17 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures
US5475263A (en) * 1994-02-14 1995-12-12 Delco Electronics Corp. Thick film hybrid multilayer circuit
US6339191B1 (en) 1994-03-11 2002-01-15 Silicon Bandwidth Inc. Prefabricated semiconductor chip carrier
EP0977127A2 (en) * 1994-03-11 2000-02-02 The Panda Project Method for configuring a computer system
US5824950A (en) * 1994-03-11 1998-10-20 The Panda Project Low profile semiconductor die carrier
US5821457A (en) * 1994-03-11 1998-10-13 The Panda Project Semiconductor die carrier having a dielectric epoxy between adjacent leads
US5543586A (en) * 1994-03-11 1996-08-06 The Panda Project Apparatus having inner layers supporting surface-mount components
US5541449A (en) * 1994-03-11 1996-07-30 The Panda Project Semiconductor chip carrier affording a high-density external interface
US5500540A (en) * 1994-04-15 1996-03-19 Photonics Research Incorporated Wafer scale optoelectronic package
US5576931A (en) * 1994-05-03 1996-11-19 The Panda Project Computer with two fans and two air circulation areas
MY112145A (en) * 1994-07-11 2001-04-30 Ibm Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy
US5514907A (en) * 1995-03-21 1996-05-07 Simple Technology Incorporated Apparatus for stacking semiconductor chips
JP3226752B2 (ja) * 1995-04-12 2001-11-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5643818A (en) * 1996-05-02 1997-07-01 International Business Machines Corporation Removal of residues from metallic insert used in manufacture of multi-layer ceramic substrate with cavity for microelectronic chip
US5847929A (en) * 1996-06-28 1998-12-08 International Business Machines Corporation Attaching heat sinks directly to flip chips and ceramic chip carriers
US6489668B1 (en) * 1997-03-24 2002-12-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5952716A (en) 1997-04-16 1999-09-14 International Business Machines Corporation Pin attach structure for an electronic package
US5909056A (en) * 1997-06-03 1999-06-01 Lsi Logic Corporation High performance heat spreader for flip chip packages
US6016256A (en) * 1997-11-14 2000-01-18 The Panda Project Multi-chip module having interconnect dies
JP3462979B2 (ja) * 1997-12-01 2003-11-05 株式会社東芝 半導体装置
US5933324A (en) * 1997-12-16 1999-08-03 Intel Corporation Apparatus for dissipating heat from a conductive layer in a circuit board
US6078102A (en) * 1998-03-03 2000-06-20 Silicon Bandwidth, Inc. Semiconductor die package for mounting in horizontal and upright configurations
US6141869A (en) 1998-10-26 2000-11-07 Silicon Bandwidth, Inc. Apparatus for and method of manufacturing a semiconductor die carrier
US6572387B2 (en) 1999-09-24 2003-06-03 Staktek Group, L.P. Flexible circuit connector for stacked chip module
US6250127B1 (en) 1999-10-11 2001-06-26 Polese Company, Inc. Heat-dissipating aluminum silicon carbide composite manufacturing method
US6347036B1 (en) 2000-03-29 2002-02-12 Dell Products L.P. Apparatus and method for mounting a heat generating component in a computer system
JP2001332644A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp 半導体装置及びインターポーザー、並びにこれらの製造方法
US6608763B1 (en) 2000-09-15 2003-08-19 Staktek Group L.P. Stacking system and method
US6667724B2 (en) 2001-02-26 2003-12-23 Time Domain Corporation Impulse radar antenna array and method
US6552677B2 (en) 2001-02-26 2003-04-22 Time Domain Corporation Method of envelope detection and image generation
US6462408B1 (en) 2001-03-27 2002-10-08 Staktek Group, L.P. Contact member stacking system and method
US20030168730A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Howard Davidson Carbon foam heat exchanger for integrated circuit
US20040105244A1 (en) * 2002-08-06 2004-06-03 Ilyas Mohammed Lead assemblies with offset portions and microelectronic assemblies with leads having offset portions
EP1641035A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-29 STMicroelectronics S.r.l. Mounting method of electronic power components on printed circuit boards
US7561436B2 (en) * 2005-06-06 2009-07-14 Delphi Technologies, Inc. Circuit assembly with surface-mount IC package and heat sink
US20070147008A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Intel Corporation Use of porous materials to cool the surfaces of a computing device
US7671696B1 (en) * 2006-09-21 2010-03-02 Raytheon Company Radio frequency interconnect circuits and techniques
US8279131B2 (en) * 2006-09-21 2012-10-02 Raytheon Company Panel array
US9172145B2 (en) 2006-09-21 2015-10-27 Raytheon Company Transmit/receive daughter card with integral circulator
US9019166B2 (en) 2009-06-15 2015-04-28 Raytheon Company Active electronically scanned array (AESA) card
JP2008153305A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Nec Electronics Corp 半導体装置
US7859835B2 (en) * 2009-03-24 2010-12-28 Allegro Microsystems, Inc. Method and apparatus for thermal management of a radio frequency system
US8537552B2 (en) * 2009-09-25 2013-09-17 Raytheon Company Heat sink interface having three-dimensional tolerance compensation
US8508943B2 (en) 2009-10-16 2013-08-13 Raytheon Company Cooling active circuits
CN102185580A (zh) * 2010-01-18 2011-09-14 精工爱普生株式会社 电子装置、基板的制造方法以及电子装置的制造方法
US8427371B2 (en) 2010-04-09 2013-04-23 Raytheon Company RF feed network for modular active aperture electronically steered arrays
US8363413B2 (en) 2010-09-13 2013-01-29 Raytheon Company Assembly to provide thermal cooling
US8810448B1 (en) 2010-11-18 2014-08-19 Raytheon Company Modular architecture for scalable phased array radars
US8355255B2 (en) 2010-12-22 2013-01-15 Raytheon Company Cooling of coplanar active circuits
US9124361B2 (en) 2011-10-06 2015-09-01 Raytheon Company Scalable, analog monopulse network
USD754083S1 (en) 2013-10-17 2016-04-19 Vlt, Inc. Electric terminal
US11088049B2 (en) * 2018-10-23 2021-08-10 Nlight Inc. Heat sink formed from a high pipe density silicon carbide substrate
US11051407B2 (en) 2018-10-23 2021-06-29 International Business Machines Corporation Facilitating filling a plated through-hole of a circuit board with solder
US10729016B1 (en) 2019-03-13 2020-07-28 International Business Machines Corporation Shape-memory alloy connector for plated through-hole
US11948855B1 (en) 2019-09-27 2024-04-02 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit (IC) package with cantilever multi-chip module (MCM) heat spreader
JP2021158202A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 シャープ株式会社 シールド構造および電子機器
US12080614B2 (en) * 2020-10-26 2024-09-03 Mediatek Inc. Lidded semiconductor package

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5014360U (ja) * 1973-06-06 1975-02-14
JPS5892241A (ja) * 1981-11-28 1983-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用容器
JPS58225656A (ja) * 1982-06-24 1983-12-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3171067A (en) * 1960-02-19 1965-02-23 Texas Instruments Inc Base washer contact for transistor and method of fabricating same
US3249982A (en) * 1963-01-07 1966-05-10 Hughes Aircraft Co Semiconductor diode and method of making same
US3476986A (en) * 1966-09-17 1969-11-04 Nippon Electric Co Pressure contact semiconductor devices
US3735211A (en) * 1971-06-21 1973-05-22 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor package containing a dual epoxy and metal seal between a cover and a substrate, and method for forming said seal
US4069498A (en) * 1976-11-03 1978-01-17 International Business Machines Corporation Studded heat exchanger for integrated circuit package
JPS5471572A (en) * 1977-11-18 1979-06-08 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4396935A (en) * 1980-10-06 1983-08-02 Ncr Corporation VLSI Packaging system
DE3040867C2 (de) * 1980-10-30 1985-01-17 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
JPS57107063A (en) * 1980-12-25 1982-07-03 Nec Corp Semiconductor package
US4620215A (en) * 1982-04-16 1986-10-28 Amdahl Corporation Integrated circuit packaging systems with double surface heat dissipation
US4561011A (en) * 1982-10-05 1985-12-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dimensionally stable semiconductor device
US4620216A (en) * 1983-04-29 1986-10-28 International Business Machines Corporation Unitary slotted heat sink for semiconductor packages
JPS60115247A (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 Fujitsu Ltd 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5014360U (ja) * 1973-06-06 1975-02-14
JPS5892241A (ja) * 1981-11-28 1983-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用容器
JPS58225656A (ja) * 1982-06-24 1983-12-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055914A (en) * 1989-02-10 1991-10-08 Fujitsu Limited Ceramic package type semiconductor device and method of assembling the same
JPH0366128A (ja) * 1989-08-04 1991-03-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層配線構造体およびその製造方法
JPH03283549A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Ngk Insulators Ltd 集積回路用パッケージ
US5251100A (en) * 1991-08-28 1993-10-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device with cooling system and manufacturing method therefor
JP2001196498A (ja) * 1999-11-09 2001-07-19 Fujitsu Ltd ピン付きモジュール及びピン付きモジュールの製造方法
JP4633911B2 (ja) * 1999-11-09 2011-02-16 富士通株式会社 装置モジュールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR880004566A (ko) 1988-06-07
EP0260370B1 (en) 1993-08-04
EP0260370A2 (en) 1988-03-23
US4698663A (en) 1987-10-06
US4742024A (en) 1988-05-03
EP0260370A3 (en) 1989-01-25
JPH0777247B2 (ja) 1995-08-16
DE3786861D1 (de) 1993-09-09
KR900003828B1 (ko) 1990-06-02
DE3786861T2 (de) 1994-03-10

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