JP2715752B2 - ヒートシンク放熱フィンとその製造方法 - Google Patents

ヒートシンク放熱フィンとその製造方法

Info

Publication number
JP2715752B2
JP2715752B2 JP3286769A JP28676991A JP2715752B2 JP 2715752 B2 JP2715752 B2 JP 2715752B2 JP 3286769 A JP3286769 A JP 3286769A JP 28676991 A JP28676991 A JP 28676991A JP 2715752 B2 JP2715752 B2 JP 2715752B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
heat
fin
row
heat sink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3286769A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05129485A (ja
Inventor
正康 小嶋
千博 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority to JP3286769A priority Critical patent/JP2715752B2/ja
Priority to KR92019713A priority patent/KR0123798B1/ko
Priority to EP92402935A priority patent/EP0540420B1/en
Priority to DE69227978T priority patent/DE69227978T2/de
Publication of JPH05129485A publication Critical patent/JPH05129485A/ja
Priority to US08/332,738 priority patent/US5519938A/en
Priority to US08/335,952 priority patent/US5455382A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2715752B2 publication Critical patent/JP2715752B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878Mechanical treatment, e.g. deforming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4935Heat exchanger or boiler making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/53Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/53113Heat exchanger
    • Y10T29/53122Heat exchanger including deforming means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒートシンク放熱フィ
ンおよびその製造方法、さらに詳しくはマルチワイヤソ
ーによって製造されるヒートシンク放熱フィンおよびそ
の製造方法に関する。本発明にかかるヒートシンク放熱
フィンは各種の用途に適用し得るが、ここではその代表
であるICパッケージ用のヒートシンク放熱フィンを例
にとって記述する。
【0002】
【従来の技術】ICパッケージはICチップを気密封着
した最も基本的なエレクトロニクスデバイスである。図
1はその典型的な一例であるセラミックス製のパッケー
ジを示し、図1(イ)は平面図、同 (ロ)は断面図である。
【0003】ICチップ1は、セラミックスベース2と
セラミックスキャップ3で構成された気密空間4内に収
納され、べース2の中心凹み部に固定されている。ベー
ス2とキャップ3の合わせ面はリード5をはさんだ状態
でガラス層6で封着される。リード5とICチップ1は
リードワイヤ7で連結される。ここで、ベース2、キャ
ップ3、リード5およびガラス層6の線膨脹係数は略同
一となるようにその材質が選定され、パッケージの気密
性、信頼性が保たれるように細心の注意が払われてい
る。
【0004】ところで、ICの集積度が向上するにつ
れ、ICチップ1から発生する熱をパッケージの外に放
熱する必要が生じる。これは、熱によってICに誤動作
が生じたり、パッケージの気密性が損なわれて機能が停
止するなどの重大なトラブルをきたすからである。図1
(ロ) に示すベース2を熱伝導率が良い材質のものにする
のも1つの方法であるが、ベース2の表面からだけの放
熱であるので、その放熱性能には限界がある。そこで、
ICで発生する熱をパッケージの外部に効率的に逃がす
ための構造のパッケージが考案されている。
【0005】図2はその一例で、ピングリッドアレイ型
セラミックスパッケージに適用した場合である。ICチ
ップ1は伝熱基板12の中心に固定され、額縁状のセラミ
ックス板9、10およびリッド13で構成された気密空間14
内に収納される。金属製のリッド13とセラミックス板
9、伝熱基板12とセラミックス板10はロウ付けなどの方
法で接合され、セラミックス板9と10の合わせ面はガラ
ス層で封着されている。セラミックス板9に差し込まれ
たピン11とICチップ1の回路はリードワイヤ7および
セラミックス板10の表面10a に描かれた導通回路を介し
て電気的に連絡されている。
【0006】伝熱基板12は熱伝導率が大きく、かつチッ
プ1との線膨脹率の差が少ない材質のものが選定され、
例えば銅を含浸させたタングステンあるいはコバールな
どが用いられる。伝熱基板12の下面には放熱フィン8が
接合される。放熱フィン8は伝熱基板12に取付けられる
底板部8bと複数の放熱部8aで構成される。ICチップ1
で発生した熱は伝熱基板12を通して底板部8bおよび放熱
部8aに伝わり、フィン表面8dから放散される。この熱放
散を促進するため、放熱部8aには気体あるいは液体の
冷却媒体が流される。すなわち、放熱フィン8には熱伝
導性と熱伝達性が要求される。
【0007】放熱フィン8の熱伝導性を向上させるに
は、アルミニウム、銅などの熱伝導率が優れた材質を使
用し、かつ放熱部8aの合計断面積を大きくとることが必
要である。放熱フィン8の熱伝導性を向上させるには、
冷却媒体が放熱部8aを通過する際の圧損を極力小さく
し、かつ放熱部8aの全表面積を大きくとることが必要で
ある。以上の観点からこれまでに各種の形状の放熱フィ
ンが検討されている。
【0008】図3(イ) 、(ロ) はそれぞれ放熱フィン8の
代表的な例を示す。図3(イ) は板状の放熱部8a'(以下、
放熱板という) を平行に配列させたチャンネル状放熱フ
ィン8' (以下、チャンネルフィンという) である。図3
(ロ)はピン状の放熱部8a"(以下、放熱ピンという)を林
立させたピン状放熱フィン8" (以下、ピンフィンとい
う) である。
【0009】両者の違いは、放熱部8a' 、8a" での冷却
媒体の流れにある。図3(イ) のチャンネルフィン8'では
放熱板8a'に沿った一方向の流れに限定される。一方、
図3(ロ)のピンフィン8"では四方八方の流れが可能であ
る。また、冷却媒体が衝突する面が多いので、いわゆる
前縁効果によって冷却が促進される。次に、チャンネル
フィン8'、ピンフィン8"の従来の製造方法について説明
する。チャンネルフィン8'の製造方法としては、塑性加
工による方法と切削加工による方法がある。
【0010】図4は、従来の塑性加工法としての熱間押
出しの説明図である。コンテナ15内に装入された加熱済
みのビレット16を後方より押金17で加圧し、ダイス18に
設けられた、図3(イ) の斜線部Aと同一形状のダイス穴
20から長尺の半成品19を押出し、これを所定ピッチで切
断してチャンネルフィン8'が製造される。ところで、押
出加工でチャンネルフィン8' を製造する場合には、図
3(イ) に示す放熱板8a' の厚さt、間隙gが制約され
る。厚さtに関しては、押出し加工上のむづかしさか
ら、2mm程度が下限とされている。間隙gに関しては、
ダイス穴20の強度上の制約から3mm程度が下限とされて
いる。なお、放熱板8a' の高さhについても、同じくダ
イス穴20の強度上の制約から、間隙gの高さ5倍程度が
限界とされている。
【0011】機械加工でチャンネルフィン8'を製造する
場合にはフライス加工が採用されている。図5はフライ
ス加工の状況を示し、チャンネルフィン8'と同一外形寸
法の素材ブロックであるワーク22を所定枚数のフライス
カッタ21を回転させながら溝23を加工し、溝23の深さを
徐々に増加させていく。フライス加工でチャンネルフィ
ン8'を加工する場合にも図3(イ) に示す放熱板8a' の厚
さt、間隙gが制約される。厚さtに関しては、溝23の
壁に作用する切削力による壁の破断を防止するために1.
5mm 程度が下限とされている。間隙gに関しては、フラ
イスカッタ21の剛性の問題から2mm程度が実用上の下限
とされている。なお、放熱板8a' の高さhについても、
同じくフライスカッタ21の剛性上の制約から、gの高々
10倍程度が限界とされている。
【0012】以上のように、従来の塑性加工あるいは切
削加工で製造したチャンネルフィン8'は、放熱板8a' の
厚さtと間隙gが大きい一方、高さhが制約されるの
で、所定枚数の放熱板8a' を設けて表面積と断面積を確
保しようとすれば、チャンネルフィン8'の平面寸法W1×
W2が大きくならざるを得ない。
【0013】次に、ピンフィン8"の製造方法について説
明する。ピンフィン8"の製造方法としては、切削加工
法、ダイキャスト法などが考えられるが、いずれも生産
能率が悪く、工業的規模で生産するにはコスト的に困難
である。ここでは一例としてフライスによる切削加工法
を説明する。
【0014】図5に示すように、まずワーク22の一面に
一方向の浅い溝を加工し、次いでワーク22を同一平面内
で90°ターンし、前記の溝と直交する方向に溝を加工す
る。これを繰り返して徐々に溝深さを増加させ、最終的
に図3(ロ) に示すピンフィン8"を得る。溝深さを徐々に
深くしていくのは、前段の加工で形成した溝壁がフライ
スカッタ21の切削力で変形するのを防止するためであ
る。この加工法においては切削加工中の変形を防止する
ための寸法上の制約があり、放熱ピン8a" の太さd1(d2)
は2mm程度、間隙g1(g2)は2.5mm程度、高さhはg1(g2)
の10倍程度が限界とされている。
【0015】結局、切削加工で製造したピンフィン8"に
おいても、放熱ピン8a" の太さd1(d2)と間隙g1(g2)が大
きい一方、高さhが制約されるので、所定本数の放熱ピ
ン8a" を設けて表面積と断面積を確保しようとすれば、
ピンフィン8"の平面寸法W1×W2が大きくならざるを得な
いのである。平面寸法W1×W2を大きくすると当然のこと
ながら収納するエレクトロニクス機器も大きくなるの
で、これは採用し難い。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ICチップの集積度は
今後ますます高まる趨勢にあり、放熱フィンの寸法を大
きくすることなしに、その放熱散性を高めていく必要が
ある。本発明の目的は、上記の如き従来のチャンネルフ
ィンあるいはピンフィンが抱える放熱面積の制約を解決
すべく、限られた平面寸法の中で放熱面積を飛躍的に向
上させ得るヒートシンク放熱フィンの製造方法を提供す
ることである。
【0017】
【課題を解決するための手段】放熱フィンの平面寸法W1
×W2 (図3) を増加させずに放熱面積を増加させるに
は、チャンネルフィンの放熱板の厚さあるいはピンフィ
ンの放熱ピンの太さをできるだけ小さく、かつこれらの
間隙を圧損に支障のない範囲で狭くする必要がある。な
お、高さH (図3) は、放熱フィンの小形化の点から、
放熱機能を満足する範囲で小さい方が好ましい。
【0018】本発明者らは、このための加工法を種々検
討した結果、高密度に配列した放熱板あるいは放熱ピン
の加工法として、従来はもっぱらシリコンなどの脆性材
料の切断に用いられてきたマルチワイヤソーによる研削
加工が最適であることを見い出し、本発明を完成したの
である。
【0019】かくして、本発明の要旨とするところは、
発熱体からの熱を受ける底板部と、該底板部に直立して
平行に配列した放熱板とが一体に成形されたヒートシン
ク放熱フィンの製造方法において、該放熱板のピッチと
同一ピッチで張設されたワイヤ列を走行せしめ、該ワイ
ヤ列と素材の間に砥粒を含む加工液を介在させた状態で
該ワイヤ列と該素材とを押しつけ、該砥粒の研削作用に
よって前記素材に所定の深さと幅を有する平行溝列を形
成せしめることを特徴とするヒートシンク放熱フィンの
製造方法である。
【0020】別の面からは、本発明は、発熱体からの熱
を受ける底板部と、該底板部に直立して、該底板部の面
内二方向(X、Y)に整列して配列した放熱ピンとが一
体に成形されたヒートシンク放熱フィンの製造方法にお
いて、該放熱ピンのX方向ピッチと同一ピッチで張設さ
れたワイヤ列を走行せしめ、該ワイヤ列と素材の間に砥
粒を含む加工液を介在させた状態で該ワイヤ列と素材と
を押しつけ、該砥粒の研削作用によって所定の深さと幅
を有する平行溝列を成形した半成品となし、次いで、前
記放熱ピンのY方向ピッチと同一ピッチで張設されたワ
イヤ列を走行せしめ、該ワイヤ列に前記半成品の平行溝
列が交差するように該ワイヤ列と前記半成品とを押しつ
け、同じく砥粒の研削作用によって前記半成品の前記平
行溝列間の平行壁列を所定の深さまで寸断することを特
徴とするヒートシンク放熱フィンの製造方法である。
【0021】上述のX方向およびY方向の研削加工は、
X方向に張設されたワイヤ列とY方向に張設されたワイ
ヤ列に高低差を設けて同時に行ようにしてもよい。さ
らに別の面からは、本発明は、発熱体からの熱を受ける
底板部と、該底板部に直立して複数平行に配列した放熱
板とが一体に成形されたヒートシンク放熱フィンであっ
て、該放熱板の厚さが1mm以下、放熱板の間の間隙が
1.5mm以下であり、かつ両端の放熱板をその内側の
放熱板よりも厚くしたヒートシンク放熱フィンである。
【0022】おさらに別の面からは、本発明は、発
熱体からの熱を受ける底板部と、該底板部に直立して複
数に配列した放熱ピンとが一体に成形されたヒートシン
ク放熱フィンであって、該放熱ピンの平面寸法が1mm
×1mm以下、放熱ピンの間の間隙が1.5mm以下で
ある、好ましくはマルチワイヤソーで製造されるヒート
シンク放熱フィンである。本発明の好適態様によれば、
上記ヒートシンク放熱フィンにおいて四隅および/また
は四辺の放熱ピンの太さをその内側の放熱ピンよりも大
きくする。
【0023】
【作用】次に、添付図面を参照しながら、本発明にかか
る放熱フィンの製造方法についてICパッケージ用放熱
フィンを例にとって以下に説明する。はじめに、本発明
で使用するマルチワイヤソー (以下、単にワイヤソーと
いう) について簡単に説明する。
【0024】図6(イ) 、(ロ) は、ワイヤソーの一例を示
す略式斜視図および略式断面図である。ワイヤソーに
は、例えば、特公昭56−198 号に記載されているワイヤ
往復式と、例えば特開昭61−100361号に記載されている
ワイヤを一方向走行式に大別され、図6(イ) 、(ロ) は後
者の例を示す。本発明では、いずれのタイプのワイヤソ
ーも使用しうるが、ここでは加工能率が優れた後者を例
にとって説明する。
【0025】図6(イ) はワイヤソーの加工部を示し、左
方より図示しないワイヤ繰出し装置から送られた、例え
ばピアノ線であるワイヤ31は、溝ローラ32、32' 、32"
を周回して巻きつけられ、所定の本数とピッチのワイヤ
列33が形成される。溝ローラ32から右方向に向かうワイ
ヤ31" は図示しないワイヤ巻取り装置に巻取られる。ワ
イヤ繰出し装置およびワイヤ巻取り装置にはワイヤに所
定の張力を付加する機構が設置され、ワイヤ列33はたる
みがない状態で張られている。
【0026】図6(ロ) は溝ローラ32、32' 、32" の各々
におけるワイヤ31' の巻きつけ状態を示す断面図であ
る。溝ローラの表面には、所定ピッチPでV字形のリン
グ状の溝32a が刻設されており、ワイヤ31' を溝32a 内
に収めることによってワイヤピッチPが確保される。
【0027】溝ローラ32、32' 、32" のうち少なくとも
1本を回転駆動してワイヤ列33を一方向に走行せしめ、
加工液供給管34によってホッパ36に供給された砥粒を含
む加工液35は、ホッパ36の下部に設けられたスリット穴
からワイヤ列33上にカーテンフロー状に流出し、ワイヤ
列33に付着した加工液がワーク37の切断部に供給され
る。ワーク37は押上台38にボルト40で締付固定されたベ
ース39に接着などの方法で固定されている。押上台38を
徐々に上昇させてワーク37をワイヤ列33に押しつける
と、ワイヤ列33に付着した加工液に含まれる砥粒の研削
作用によって、ワイヤ列33が押しつけられる部分がワー
ク37から削りとられていく。なお、遊離砥粒を使用する
ので、ワークに作用する研削力は極めて軽微である。
【0028】次に、上記ワイヤソーによるチャンネルフ
ィンの加工方法について説明する。図7(イ)、
(ロ)、(ハ)は、本発明で加工するチャンネルフィン
26を示すぞれぞれ平面図、側面図、およびその部分拡
大図である。前述したように、本発明によるチャンネル
フィン26は、放熱板26aの厚さtを従来よりも画期
的に薄くできるのが特徴である。tが極端に小さいと加
工中に放熱板26aが曲がることがあり、実用的な最小
値は0.2mm程度である。tが小さい場合には、チャ
ンネルフィン26のハンドリングの際に放熱板26aが
変形する危険があるので、図7(イ)、(ロ)に示すよ
うに両端に内側の放熱板26aより厚い放熱板26bを
設けるのがよい。放熱板26bの厚さbは0.5〜1m
m程度あれば十分である
【0029】図7に示すチャンネルフィン26の外径寸法
(W1×W2×H)と同一の直方体素材ブロックをワーク37と
して、図6(イ) に示すようにセットし、ワイヤソーによ
って研削加工を行い、切り込み深さが図7に示すhに到
達した時点でワーク37の押上げを停止する。
【0030】図8(イ)、(ロ)はこの状態をそれぞれ
斜視図および拡大断面図で示すものである。ワイヤ3
1’と砥粒によって形成された溝26dの幅gm+3
q(m:ワイヤ径、q:砥粒径)であり、ワイヤ径と砥
粒径の組み合わせで図7(ハ)に示す放熱板26aの間
隙gを自在に調整することができる。ワイヤ31’は円
形断面であるので、図7(ハ)に示すように溝底部26
cは正確に言えば半円形状となる。溝26dの深さhは
ワイヤソーの押上台38の押上げストロークによって自
在に設定できるので、従来の製造法におけるような放熱
板26aの高さの制約はない。なお、ワイヤソーによる
加工において放熱板26aの厚さを小さくできるのは、
前述したように加工液中の遊離砥粒による研削加工であ
るため、放熱板26aに作用する加工力が極めて小さい
ことによる。
【0031】ところで、図8(イ) 、(ロ) の状態からチャ
ンネルフィン26を抜き出すには、例えば次のように行
う。図6において、まず、ワイヤ列33をゆっくり走行さ
せながら押上台38を降下せしめ、ワイヤ列33をチャンネ
ルフィン26の溝26dから抜きとる。次いで、溝26dに充
満した加工液を灯油などで洗浄し、ボルト40を緩めてベ
ース39を押上台38から取外し、しかるのちベース39から
チャンネルフィン26を分離する。
【0032】以上は1個のチャンネルフィンを加工する
場合の説明であるが、図9の如くワーク37を複数個整列
せしめ、複数組のワイヤ列33によって同時加工すること
も可能である。別法として、ワーク37を製品が数個採取
できる長さとし、ワイヤソーで溝加工したのちに製品1
個つづの長さに切断する方法もあるが、切断時の放熱板
26aの変形を防ぐ必要がある。次に、ワイヤソーによる
ピンフィンの加工方法について説明する。
【0033】図10(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)
は、本発明方法によって製造されるピンフィン30のそ
れぞれ平面図、その部分拡大図、側面図、そしてその部
分拡大図である。前述したように、本発明により製造さ
れるピンフィン30は、放熱ピン30aの平面寸法t
×tを従来よりも小さくできるのが特徴である。しか
し、t、tが極端に小さいと加工中に放熱ピン30
aが曲がることがあり、実用的な最小値はt、t
に0.2mm程度である。t、tが小さい場合に
は、ピンフィン30のハンドリングの際に放熱ピン30
aが変形する危険がある。そこで、四隅には平面寸法w
×wの太い放熱ピン30b、四辺部には平面寸法t
×w、t×wの放熱ピン30f、30gを設け
るのがよい。w、wの大きさは1〜2mm程度あれ
ば十分である
【0034】図10(イ) 〜(ニ) に示すピンフィン30の外形
寸法 (W1×W2×H)と同一の直方体素材ブロックをワーク
37とし、まず前述のチャンネルフィンの加工方法を適用
して図10のX方向溝加工を行い、一方向溝を有する半成
品26' を得る。次いで、図11に示すように半成品26' に
加工されたX方向の溝と交差、好ましくは直交するワイ
ヤ列33' を用いてY方向の研削加工を行い、ピンフィン
30を得る。この場合、半成品26' の溝26d'に充満した砥
粒を残した状態でY方向の研削加工を行った方がよい。
これは充満した砥粒が半成品26' の溝壁26a'の倒れを防
止するのに役立つからである。なお、ワイヤソーによる
ピンフィン30の加工においても、ワーク37を平面内に複
数個並べてX方向、Y方向の研削加工を実施すれば1個
当たりの加工時間を短縮できる。
【0035】以上はX方向、Y方向の研削加工を独立し
て行う方法であるが、図12のようにしてこれを同時に行
うことも可能である。図12(イ)は平面図、同 (ロ)は側面
図である。図12(イ) に示すように、素材ワーク37に対し
てX方向のワイヤ列33、Y方向のワイヤ列33' を交差、
好ましくは直交してセットする。2組のワイヤ列33、3
3' は図12 (ロ)に示すように若干の高低差δをつけて張
設されている。その結果として、ワイヤ列33による切込
み深さとワイヤ列33' による切込み深さに差が生ずる
が、δは高々0.5 mm程度にセットできるので実用上は全
く問題ない。
【0036】本発明において用いるワイヤソーはすでに
公知のものを使用すればよく、ワイヤ素材、砥粒等に特
段の制限はなく、ワークの材質に応じて適宜選択すれば
よい。
【0037】
【実施例】次に本発明の実施例を示す。 〔実施例1〕図6に示すように、厚さ20mmの純アルミニ
ウム熱間圧延板から切り出した平面寸法28.2mm×28.2mm
のワーク64個を8列の正方形状に密着整列せしめてベー
ス上に接着固定し、直径0.7 mmのピアノ線を1.1 mmピッ
チで25本づつ張設した8組のワイヤ列を各ワークの列の
直上に対向せしめ、該ワイヤ列を毎分400 mの速度で走
行させながら、該ワイヤ列に#600GC砥粒をラッピングオ
イルに混合した加工液を塗布し、前記ワークを毎分0.2
mmの速度で上昇させて前記ワイヤ列に押しつけ、深さ19
mmまで研削加工し、両サイドに厚さ0.5 mmの放熱板、そ
の間に厚さ0.3mmの放熱板が0.8 mmの間隙を保って24枚
平行整列し、底板部の厚さが1mmのチャンネルフィンを
得た。発熱量と風速を変え、風洞実験を行ったところ、
発熱量5〜10W、風速1.0 〜1.5m/secの条件で熱抵抗値
は大体 2.5〜2.1 ℃/Wの範囲にあり、画期的な冷却性能
を示した。
【0038】
【0039】〔実施例〕 実施例1と同様にして、平面寸法19.7mm×19.
7mm、厚さ15mmの高力アルミニウム合金4種の焼
鈍済ワーク100個を10列の正方形状に密着整列せし
めてベース上に接着固定し、直径0.6mmのピアノ線
を1.0mmピッチで18本づつ張設した10組のワイ
ヤ列を各ワークの列の直上に対向せしめ、該ワイヤ列を
毎分400mの速度で走行させながら、該ワイヤ列に#
600GC砥粒をラッピングオイルに混合した加工液を
塗布し、前記ワークを毎分0.2mmの速度で上昇させ
て前記ワイヤ列に押しつけ、深さ14mmまで研削加工
した後、前記の正方形状に密着整列したワークを平面内
で90度回転し、再び同様の研削加工を行うことによっ
て、4隅に1.0mm角の放熱ピン、4辺に平面寸法
0.3mm×1.0mmの放熱ピン合計68本、これら
に囲まれた部分に0.3mm角の放熱ピン289本(1
7×17本)が0.7mmの間隔を保って整列した、底
板部の厚さ1mmの加工品を得たのち、焼入処理を施し
てピンフィンを得た。発熱量と風速を変え、風洞実験を
行ったところ、発熱量5〜10W、風速1.0〜1.5
m/secの条件で熱抵抗値は大体1.8〜1.5℃/
Wの範囲にあり、画期的な冷却性能を示した。
【0040】〔実施例〕 実施例1と同様にして、平面寸法14.3mm×14.
3mm、厚さ15mmの耐食アルミニウム合金2種の焼
鈍済ワーク100個を10列の正方形状に密着整列せし
めてベース上に接着固定し、直径0.5mmのピアノ線
を0.9mmピッチで14本づつ、合計20組のワイヤ
列を10組みづつ0.5mmの間隙の高低差をつけて張
設し、各ワイヤ列の交差部を各ワークの直上に対向せし
め、該ワイヤ列を毎分400mの速度で走行させなが
ら、該ワイヤ列に#600GC砥粒をラッピングオイル
に混合した加工液を塗布し、前記ワークを毎分0.2m
mの速度で上昇させて前記ワイヤ列に押しつけ、下側の
ワイヤ列が深さ14mmに達するまで研削加工を行い、
4隅に1.0mm角の放熱ピン、4辺に平面寸法0.3
mm×1.0mmの放熱ピン合計52本、これらに囲ま
れた部分に0.3mm角の放熱ピン169本(13×1
3本)が0.6mmの間隔を保って整列したピンフィン
を得た。発熱量と風速を変え、風洞実験を行ったとこ
ろ、発熱量5〜10W、風速1.0〜1.5m/sec
の条件で熱抵抗値は大体2.0〜1.7℃/Wの範囲に
あり、画期的な冷却性能を示した。
【0041】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によれば、
従来法と比較してチャンネルフィンの放熱板の厚さある
いはピンフィンの放熱ピンの太さをはるかに小さくする
ことができるので、同一平面寸法の放熱フィンであって
も放熱板の枚数あるいは放熱ピンの本数が増加し、放熱
性能を格段に向上させることができるのである。また、
ワイヤソーによる遊離砥粒研削加工であるので、塑性加
工が困難な低延性の金属材料あるいは切削加工が困難な
高硬度の材料にも適用することができ、放熱フィンの材
質選択の幅を広げることも可能となる。
【0042】本発明をICパッケージ用の放熱フィンに
適用すれば、放熱性能の向上によって放熱フィン自体の
寸法をコンパクトにできるのでエレクトロニクス機器の
小型化も可能となる。また今後のICチップの集積度の
さらなる増大にも、放熱フィンを大型化することなしに
対応できるようになるなど、エレクトロニクス産業の発
展に大なる寄与をなすものといえる。
【図面の簡単な説明】
【図1】セラミックスICパッケージの説明図であり、
図1(イ) は平面図そして図1(ロ) は断面図である。
【図2】ピングリッドアレイ型セラミックスICパッケ
ージに装着した放熱フィンの説明図である。
【図3】図3(イ) および(ロ) は、それぞれ放熱フィンの
代表例であるチャンネルフィンとピンフィンの斜視図で
ある。
【図4】押出し加工の説明図である。
【図5】フライス加工の説明図である。
【図6】図6(イ) はワイヤソーの加工部の略式斜視図、
図6(ロ) はその部分拡大図である。
【図7】本発明の方法によるチャンネルフィンの説明図
であり、図7(イ) は平面図、図7(ロ) は断面図、そして
図7(ハ) は部分断面図である。
【図8】ワイヤソーによる研削加工終了時の状態の説明
図であり、図8(イ) は斜視図、図8(ロ) は部分断面図で
ある。
【図9】多数のワークに対するワイヤソーのワイヤ列の
セッティングの説明図である。
【図10】本発明の方法によるピンフィンの説明図であ
り、図10(イ)は平面図、図10(ロ)はその部分拡大図、図10
(ハ) は側面図、そして図10(ニ) はその部分拡大図であ
る。
【図11】二段階加工によるピンフィンの加工における
ワークとワイヤの位置関係の説明図であり、図11(イ) は
平面図、図11(ロ) は側面図である。
【図12】直交2方向のワイヤ列によるピンフィンの加
工におけるワークとワイヤの位置関係の説明図であり、
図12(イ) は平面図、図12(ロ) は側面図である。
【符号の説明】
1: ICチップ 2:ベース 3: キャップ 5: リード 8: 放熱フィン 8': チャンネルフィン 8": ピンフィン 8a': 放熱板 8a": 放熱ピン 8b: 底板部 12:伝熱基板 31: ワイヤ 32 :溝ローラ 33: ワイヤ列 37:ワーク

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発熱体からの熱を受ける底板部と、該底
    板部に直立して平行に配列した放熱板とが一体に成形さ
    れたヒートシンク放熱フィンの製造方法において、該放
    熱板のピッチと同一ピッチで張設されたワイヤ列を走行
    せしめ、該ワイヤ列と素材の間に砥粒を含む加工液を介
    在させた状態で該ワイヤ列と該素材とを押しつけ、該砥
    粒の研削作用によって前記素材に所定の深さと幅を有す
    る平行溝列を形成せしめることを特徴とするヒートシン
    ク放熱フィンの製造方法。
  2. 【請求項2】 発熱体からの熱を受ける底板部と、該底
    板部に直立して、該底板部の面内二方向(X、Y)に整
    列して配列した放熱ピンとが一体に成形されたヒートシ
    ンク放熱フィンの製造方法において、該放熱ピンのX方
    向ピッチと同一ピッチで張設されたワイヤ列を走行せし
    め、該ワイヤ列と素材の間に砥粒を含む加工液を介在さ
    せた状態で該ワイヤ列と素材とを押しつけ、該砥粒の研
    削作用によって所定の深さと幅を有する平行溝列を成形
    した半成品となし、次いで、前記放熱ピンのY方向ピッ
    チと同一ピッチで張設されたワイヤ列を走行せしめ、該
    ワイヤ列に前記半成品の平行溝列が交差するように該ワ
    イヤ列と前記半成品とを押しつけ、同じく砥粒の研削作
    用によって前記半成品の前記平行溝列間の平行壁列を所
    定の深さまで寸断することを特徴とするヒートシンク放
    熱フィンの製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のX方向およびY方向の研
    削加工を、X方向に張設されたワイヤ列とY方向に張設
    されたワイヤ列に高低差を設けて同時に行うことを特徴
    とするヒートシンク放熱フィンの製造方法。
  4. 【請求項4】 発熱体からの熱を受ける底板部と、該底
    板部に直立して複数に配列した放熱ピンとが一体に成形
    されたヒートシンク放熱フィンであって、該放熱ピンの
    平面寸法が1mm×1mm以下、放熱ピンの間の間隙が
    1.5mm以下であり、かつ四隅および/または四辺の
    放熱ピンをその内側の放熱ピンよりも太径となしたヒー
    トシンク放熱フィン。
JP3286769A 1991-10-31 1991-10-31 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法 Expired - Fee Related JP2715752B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3286769A JP2715752B2 (ja) 1991-10-31 1991-10-31 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法
KR92019713A KR0123798B1 (en) 1991-10-31 1992-10-26 Heat sink fin and production process therefor
EP92402935A EP0540420B1 (en) 1991-10-31 1992-10-29 Heat sink fin and production process therefor
DE69227978T DE69227978T2 (de) 1991-10-31 1992-10-29 Wärmesenke mit Kühlrippen und Herstellungsverfahren
US08/332,738 US5519938A (en) 1991-10-31 1994-11-01 Process for producing a heat sink fin
US08/335,952 US5455382A (en) 1991-10-31 1994-11-03 IC package heat sink fin

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3286769A JP2715752B2 (ja) 1991-10-31 1991-10-31 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05129485A JPH05129485A (ja) 1993-05-25
JP2715752B2 true JP2715752B2 (ja) 1998-02-18

Family

ID=17708814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3286769A Expired - Fee Related JP2715752B2 (ja) 1991-10-31 1991-10-31 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5519938A (ja)
EP (1) EP0540420B1 (ja)
JP (1) JP2715752B2 (ja)
KR (1) KR0123798B1 (ja)
DE (1) DE69227978T2 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2715752B2 (ja) * 1991-10-31 1998-02-18 住友金属工業株式会社 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法
US5455382A (en) * 1991-10-31 1995-10-03 Sumitomo Metal Industries, Ltd. IC package heat sink fin
DE69305667T2 (de) * 1992-03-09 1997-05-28 Sumitomo Metal Ind Wärmesenke mit guten wärmezerstreuenden Eigenschaften und Herstellungsverfahren
GB9310993D0 (en) * 1993-05-27 1993-07-14 Redpoint Limited A process and an apparatus for forming a profiled element
EP0633608B1 (en) * 1993-07-08 2000-10-11 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Process for producing a pin-finned heat sink
US5609148A (en) * 1995-03-31 1997-03-11 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for dicing semiconductor wafers
CZ283541B6 (cs) * 1996-03-06 1998-04-15 Trimex Tesla, S.R.O. Způsob řezání ingotů z tvrdých materiálů na desky a pila k provádění tohoto způsobu
US5890481A (en) * 1996-04-01 1999-04-06 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Method and apparatus for cutting diamond
SE509451C2 (sv) * 1997-05-13 1999-01-25 Webra Ind Ab Förfarande för åstadkommande av en för värmeöverföringsändamål avsedd anordning
US6134783A (en) * 1997-10-29 2000-10-24 Bargman; Ronald D. Heat sink and process of manufacture
US5937518A (en) * 1998-01-05 1999-08-17 International Electronic Research Corp. Burr-free workpiece and method of forming
EP1030545B1 (en) * 1998-07-01 2003-10-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Alternating-current generator for vehicles and heat sink incorporated therein
JP2000061803A (ja) 1998-08-27 2000-02-29 Hitachi Cable Ltd ソーワイヤ集合体及びそれを用いた切断方法及びその装置
US6308771B1 (en) * 1998-10-29 2001-10-30 Advanced Thermal Solutions, Inc. High performance fan tail heat exchanger
DE69938615T2 (de) * 1999-02-09 2009-06-10 Hitachi, Ltd. Hochdruckbrennstoffpumpe für eine Brennkraftmaschine
WO2002089206A1 (en) * 2001-04-23 2002-11-07 Showa Denko K.K. Heat sink
JP4147987B2 (ja) * 2003-03-17 2008-09-10 株式会社日立製作所 多相式交流回転電機
DE102004058661A1 (de) * 2004-12-06 2006-06-14 Robert Bosch Gmbh Lagerschild und Gehäuse für eine elektrische Maschine
US20070251516A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Nieber Albert R Precision slicing of large work pieces
CN103548134B (zh) * 2011-05-17 2017-04-12 开利公司 用于冷却电力电子设备的散热器
US11604035B2 (en) * 2013-09-29 2023-03-14 Huawei Technologies Co., Ltd. Support plateheat dissipation apparatus
US20180238238A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-23 Unison Industries, Llc Annular surface cooler and method of forming multiple fins in a heat exchanger
JP6249319B1 (ja) * 2017-03-30 2017-12-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 ソーワイヤー及び切断装置
EP3388682B1 (de) * 2017-04-12 2021-11-17 Pfeiffer Vacuum Gmbh Vakuumpumpe mit einem kühlkörper und verfahren zur herstellung des kühlkörpers
JP6751900B2 (ja) * 2018-01-29 2020-09-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 金属線及びソーワイヤー
CN110000667B (zh) * 2019-04-18 2020-03-17 郑州工业应用技术学院 一种计算机散热片打毛装置
CN113134716B (zh) * 2021-04-28 2022-06-10 苏州苏驼通信科技股份有限公司 一种智能无线通信设备散热器件成型制备工艺
JP2022173661A (ja) * 2021-05-10 2022-11-22 日本軽金属株式会社 ヒートシンク及びヒートシンクの製造方法
DE102021112412A1 (de) * 2021-05-12 2022-11-17 Erwin Quarder Systemtechnik Gmbh Kühlkörper aus Metall sowie Verfahren zur Herstellung desselben

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229534B2 (ja) * 1984-04-25 1990-06-29 Teijin Ltd

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3180404A (en) * 1959-12-02 1965-04-27 United Aircraft Prod Cooling electronic heat producing elements and the like
US3961666A (en) * 1972-11-24 1976-06-08 Sony Corporation Heat dispersion device for use in an electronic apparatus
US3873187A (en) * 1973-10-29 1975-03-25 Trw Inc Light modulator array and method of making it
US4044509A (en) * 1974-07-05 1977-08-30 U.S. Philips Corporation Method of and device for grinding grooves
JPS56198A (en) * 1979-06-15 1981-01-06 Mitsuo Koji Molding
US4296455A (en) * 1979-11-23 1981-10-20 International Business Machines Corporation Slotted heat sinks for high powered air cooled modules
DE3041656A1 (de) * 1980-11-05 1982-05-13 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiter-schaltungsaufbau
US4766875A (en) * 1982-11-22 1988-08-30 Stanford University Endless wire saw having material recovery capability
US4574769A (en) * 1984-02-18 1986-03-11 Ishikawa Ken Ichi Multi-wire vibratory cutting method and apparatus
JPS6151931A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体放射線検出素子の製造方法
JPS61100361A (ja) * 1984-10-22 1986-05-19 Sumitomo Metal Ind Ltd ワイヤ式切断装置
US4694378A (en) * 1984-12-21 1987-09-15 Hitachi, Ltd. Apparatus for cooling integrated circuit chips
US4823869A (en) * 1986-06-19 1989-04-25 International Business Machines Corporation Heat sink
JPS632357A (ja) * 1986-06-19 1988-01-07 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション ヒート・シンク装置
JPH0777247B2 (ja) * 1986-09-17 1995-08-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US4879891A (en) * 1987-04-27 1989-11-14 Thermalloy Incorporated Method of manufacturing heat sink apparatus
GB2204181B (en) * 1987-04-27 1990-03-21 Thermalloy Inc Heat sink apparatus and method of manufacture
US4903682A (en) * 1987-04-30 1990-02-27 Technoslice Ltd. Wire saw
US4899210A (en) * 1988-01-20 1990-02-06 Wakefield Engineering, Inc. Heat sink
US4884631A (en) * 1988-03-17 1989-12-05 California Institute Of Technology Forced air heat sink apparatus
JPH0229534U (ja) * 1988-08-16 1990-02-26
US5083194A (en) * 1990-01-16 1992-01-21 Cray Research, Inc. Air jet impingement on miniature pin-fin heat sinks for cooling electronic components
US5003429A (en) * 1990-07-09 1991-03-26 International Business Machines Corporation Electronic assembly with enhanced heat sinking
US5155579A (en) * 1991-02-05 1992-10-13 Advanced Micro Devices Molded heat sink for integrated circuit package
JP2715752B2 (ja) * 1991-10-31 1998-02-18 住友金属工業株式会社 ヒートシンク放熱フィンとその製造方法
US5158136A (en) * 1991-11-12 1992-10-27 At&T Laboratories Pin fin heat sink including flow enhancement

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229534B2 (ja) * 1984-04-25 1990-06-29 Teijin Ltd

Also Published As

Publication number Publication date
DE69227978T2 (de) 1999-07-15
DE69227978D1 (de) 1999-02-04
KR930009489A (ko) 1993-05-22
US5519938A (en) 1996-05-28
EP0540420A2 (en) 1993-05-05
EP0540420A3 (en) 1993-09-08
JPH05129485A (ja) 1993-05-25
KR0123798B1 (en) 1997-12-04
EP0540420B1 (en) 1998-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2715752B2 (ja) ヒートシンク放熱フィンとその製造方法
US5455382A (en) IC package heat sink fin
US5726495A (en) Heat sink having good heat dissipating characteristics
JP3158983B2 (ja) Lsiパッケージ冷却用コルゲート型放熱フィン
US6390181B1 (en) Densely finned tungsten carbide and polycrystalline diamond cooling module
US4374457A (en) Method of fabricating complex micro-circuit boards and substrates
US5205353A (en) Heat exchanging member
JP2981586B2 (ja) ヒートシンク
CN100568491C (zh) 用于半导体集成电路封装的微通道冷却的设备和方法
US5514906A (en) Apparatus for cooling semiconductor chips in multichip modules
DE10393588T5 (de) Optimales Ausbreitungssystem, Vorrichtung und Verfahren für flüssigkeitsgekühlten, mikroskalierten Wärmetausch
JP3303870B2 (ja) ヒートシンクとその製造方法およびそれを用いた冷却装置
US7242101B2 (en) Integrated circuit die with pedestal
JP2894243B2 (ja) 熱放散特性に優れたヒートシンク
US4531145A (en) Method of fabricating complex micro-circuit boards and substrates and substrate
JPH0951057A (ja) 熱シンク構造およびその作製方法
US6956252B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP2005011922A (ja) ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置
JPH09298259A (ja) ヒートシンクおよびその製造方法
US9839159B1 (en) Dispense pattern for thermal interface material for a high aspect ratio thermal interface
JPS61168951A (ja) 半導体集積回路チツプの実装構造
JP2946930B2 (ja) 熱放散特性に優れたヒートシンク冷却フィンおよびその製造法
JP3028673B2 (ja) マルチチップモジュール用ヒートシンクとその製造法
JP2701687B2 (ja) ピン型冷却フィン
JPH06244326A (ja) ヒートシンク放熱フィンおよびその製造法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19961112

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19971007

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees