JP2848682B2 - 高速動作用半導体装置及びこの半導体装置に用いるフィルムキャリア - Google Patents

高速動作用半導体装置及びこの半導体装置に用いるフィルムキャリア

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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、フィルムキャリアを用いた半導体装置に係
り、とくに、例えば、GaAs半導体等を用いた高速動作の
半導体装置の配線構造に関する。
（従来の技術） LSIやICなど半導体装置の高集積化が進むにつれて入
出力信号や電源を供給する半導体素子の（以下、チップ
という。）電源パッド数は益々増大してその結果、消費
電力が増大し、動作速度も速くなってきた。例えば。ガ
リウム砒素（GaAs）基板上に電界効果トランジスタ（FE
T）を集積化した集積回路では100ps程度の高速のスイッ
チング動作を行なうものが得られている。またHEMT（Hi
gh Electron Mobility Transistor）やHBT（Hetero Bip
olar Transistor）など更に高速で動作するデバイスの
開発が行なわれている。
従来は、半導体装置のパッケージ内部配線とチップ上
のボンディングパッドとの間を接続する場合にボンディ
ングワイヤを介在させていた。しかし、通常弧を描いて
接続されるボンディングワイヤが、ギガビット/secの高
速信号処理を行なう集積回路ではオープンスタブとして
無視できない長さになる。また、そのバラツキは特性の
均一性を損う。集積回路の高集積化が進みボンディング
パッドが高密度になると、ボンディングツールが隣接す
るワイヤと接触してボンディングが不能になったり、パ
ッドの大きさやピッチをある程度以上小さくできないた
めチップサイズをあまり小さくできず、チップ上での信
号配線長を短くできないといった問題も生じている。こ
のような問題点等を回避し、高速動作を行なう集積回路
を実装する技術として第５図に示すような、長尺状の可
撓性フィルム基板（以下、フィルムという。）上に金属
箔配線を施こし、これとチップの入出力電極パッドとを
突起電極（バンプ）を介して接続を行なうTAB（Tape Au
tomated Bonding）技術が提唱され当技術の開発が行な
われている。このTAB技術を用いた実装形態を一般にフ
ィルムキャリアと呼ぶ。
第５図は、長尺上のフィルム７の要部を示したもの
で、このテープ状のフィルムにはリード配線がその周辺
に施こされたチップ載置部である開口部11が繰返し形成
されており、これにチップ１が次々に載置される。開口
部とその周辺のフィルム７上に形成された配線を囲んで
４個の開口部12が形成される。その囲まれた部分に樹脂
モールドが施こされ、囲りから切り離されて半導体装置
が形成される。リード配線は、信号線などの複数のリー
ド５からなり、各リード５は、チップと接続するインナ
ーリード2,半導体装置が組込まれる基板などの外部電極
と直接接続されるアウターリード４および両者の中間に
存在する部分（以下、中間リードという）から構成され
ている。インナーリード２は、フィルム７から突出し、
チップ載置用開口部11のチップ１の電極パッド（図示せ
ず）まで延びており、両者はバンプ電極を介して接続さ
れる。４つの開口部12は、アウターリード４を支持する
ものであるが、アウターリードは、半導体装置が完成し
たときにフィルム７から独立して存在するのであらかじ
めアウターリードを開口部に置くようにしてある。４つ
の開口部12間は、細長い架橋部13になっているが、この
４つの架橋部がフィルムの配線部分を支持することにな
る。なお、フィルムの両端には、フィルムを搬送するた
めの送り孔が所定間隔で形成してある。特に先に述べた
ような超高速に動作する集積回路チップに実装する際に
はフィルム基板上の信号線の特性インピーダンスを一定
に保つことが必要とする。最近このフィルムキャリア上
の金属箔配線を高速信号が伝送出来るように特性インピ
ーダンスを一定としたものが提案されている。たとえ
ば、特開昭64−14933号公報、特開昭64−14934号公報、
特開昭63−302531号公報等に記載されている提案によれ
ばフィルムキャリア上の伝送線路の特性インピーダンス
は50Ωに設計されて実用化されている。第６図にその伝
送線路の形態がいわゆるグランド付コプラナ線路の場合
の断面図を、第７図にその伝送線路の形態がいわゆるマ
イクロストリップ線路の場合の断面図をそれぞれ示す。
第６図において信号線路導体33は、その巾がW,グランド
導体面32は信号線路33と一定距離Ｇをおいて配置されて
いる。34は裏面グランド導体面34は、表面の導体パター
ン32,33とは絶縁材料基板35,36をはさんで距離Ｈだけは
なれて配置されている。絶縁材料36は接着剤シート35を
介して導体パターン32,33,34と接着されている。この様
な構造を有する伝送線路の特性インピーダンスは、前記
W,G,Hと表面の導体パターンの厚さＭ及び絶縁材料の比
誘電率εｒによって決まる。例としてフィルム材にポリ
イミドを用いて、そのときの比誘電率εｒ＝3.5,導体材
料にCu（Ｍ＝18μｍ）を用いた場合、Ｗ＝50μm,G＝30
μm,H＝75μｍにすると特性インピーダンスがほぼ50Ω
のものが得られる。このときの接触剤層の厚さＡは25μ
ｍ、絶縁フィルムの厚さＰは25μｍである。このように
して得られたフィルムキャリア37に集積回路チップを搭
載し、そのチップ裏面に放熱用基板が接続され、樹脂で
モールドされた半導体装置の断面構造を第11図に示す。
フィルム３上に配線された信号線５が延長されたインナ
ーリード２によってチップ１上のパッドと接続されてい
る。チップの裏面には放熱用基板６が接続されており、
これら全体が樹脂７でモールドされている。前記信号線
５は、外部実装基板上の外部電極（図示せず）と接続さ
れるように、アターリード４が設けられている。従来の
この部分は、金属導体が裸で整形されており、その長さ
は３〜5mm程度である。しかし、このようなパッケージ
を実装基板に搭載しても該アウターリード部分の特性イ
ンピーダンスが一定に保たれないので、該部分におい
て、波形歪が生じるという問題があった。
従来の普通の速度の入力信号が供給される場合には特
性インピーダンスの均一性は実質的に無視される。しか
し、たとえば、GaAs論理集積回路の信号入力部のMESFET
に信号配線を通して高速入力信号が供給される場合、リ
ード部分の特性インピーダンスが一定でないと、ゲート
部で信号の反射が生じ、その結果波形が歪んて正常な論
理動作に支障を来たすようになる。
（発明が解決しようとする課題） 以上のように、高速信号を伝送出来るように、フィル
ム上に伝送線路が形成されたTAB技術を用いたフィルム
キャリアにおいて、特性インピーダンスが一定に調整さ
れていないアウターリード部を整形して外部実装基板上
の電極に接続すると該部分の特性インピーダンスが、フ
ィルムキャリア上の伝送線路や外部実装基板上の伝送線
路の特性インピーダンスと異なるために、高速信号が該
部で反射を生じ信号波形に歪を生じるという課題が生じ
ていた。本発明は、この様な事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体装置が実装される基板上の外部電極の直
前まで特性インピーダンスを一定にできる高速動作用半
導体装置及びこの半導体装置に用いられるフィルムキャ
リアを提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段） 本発明は、高速動作をする半導体装置において、特性
インピーダンスが一定に調整されているフィルム上の信
号線が施こされている領域を整形し外部実装基板上の電
極の高さに合せて、該電極の直前まで特性インピーダン
スを一定に調整することを特徴としている。
（作用） このように、特性インピーダンスが一定に調整されて
いるフィルム上の信号線が施こされている領域を整形す
ることにより、外部実装基板上に設けられた外部電極及
びそれに続く伝送線路の直前まで特性インピーダンスを
一定に調整したフィルム上の伝送線路を配置することが
可能となり、電気的な不連続点を排除することが可能と
なる。また、補強用金属膜がフィルムの加工性を向上さ
せるようになる。
（実施例） 以下に本発明の一実施例について図面を参照して説明
する。
実施例１ 第１図は本発明の実施例１の半導体装置の要部を切り
欠いた斜視図である。第２図は、その断面構造を示す。
フィルム７の上に設けられた金属箔配線リード５は、た
とえばGaAs集積回路などのチップ１が載置される開口部
11のインナーリード２まで延長され、この部分でチップ
１上のパッドに接続される。またこの配線リード５は外
部接続端子であるアウターリード４を有している。該配
線は、裏面グランド導体面８を有し、第７図に示したよ
うな断面構造を持った特性インピーダンスが50Ωである
マイクロストリップ型伝送線路として用いられる。フィ
ルムキャリアは、可撓性のポリイミドあるいは、エポキ
シ樹脂などのフィルムに、フォトエッチングを利用して
リード配線を形成したものである。まず、35mm幅のポリ
イミドフィルムにチップ載置用開口部およびアウターリ
ード用開口部を所定間隔毎に形成し、裏面に18μｍ厚の
銅箔をポリイミド接着剤層を用いて貼り合せる。この銅
箔をフォトエッチングで所定のパターンに加工する。こ
のあと表面にやはり、18μｍ厚の銅箔を同様に貼り合せ
る。そして、裏面をフォトレジストで覆い、表面には所
定パターンのフォトレジストを形成してフォトエッチン
グを配線パターンを形成する。表裏のフォトレジストは
その後除去する。インナーリード２とチップ１上のパッ
ドとはこのパッド上に形成したバンプ電極を介して接続
される。バンプ電極は、Ti−Ni−Pd,Ti−Ｗ−Au,Ti−Pt
−Au,Cr−Cu−Au等のバリア金属を介してAuメッキで形
成される。対するインナーリード２は、銅箔にAuもしく
はSnメッキを施こして形成される。
両者は、350〜500℃程度に加熱されたツールを30〜80
g/リード程度で押し付けられて、共晶接合もしくは熱圧
着接合で結合される。チップ１の裏面にはたとえば、銅
板などからなる放熱用基板６が接着剤で接合されてい
る。この基板は、本発明では本質的なものではなく、こ
れを取り去ることも可能である。その場合には、チップ
やフィルムキャリアを封止するエポキシもしくはシリコ
ーンなどの樹脂モールド９に溶融シリカや結晶性シリカ
など熱伝導性の良いフィラーを添加して樹脂の熱伝導性
を良くすることもできる。この樹脂モールド９は、フィ
ルム７全部を被覆せず、アウターリード近傍の伝送線路
を有するフィルム領域３は、被覆されずに外部に露出し
ている。この領域近傍からこのフィルムはＳ字状に整形
されて、この部分からその先のアウターリード４まで、
半導体装置が実装される基板の外部電極と同じ高さに保
たれている。
このような形状とすることにより特性インピーダンス
の不連続性をなくして外部電極とリードとを接合するこ
とができる。
実施例２ 第３図は、実施例２の半導体装置の断面図である。本
実施例では、実施例１と同じフィルムキャリアを用いる
が、樹脂モールド９の領域が異なる。この例では、アウ
ターリード近傍のフィルム領域３が樹脂モールドされて
いる。このとき該領域は、第１の実施例と同様に外部に
設けられた実装基板の外部電極と同じ高さになるように
Ｓ字状に整形される。このような形状とすることにより
特性インピーダンスの不連続部分なしに実装基板の外部
電極に接続される。
実施例３ 第４図は、実施例３の半導体装置に用いられるフィル
ムキャリアの要部断面図を示したもである。本実施例の
伝送線路の形態は第７図に示すマイクロストリップ線路
と同じである。しかし、このフィルムキャリアには伝送
線路が形成されていない部分に銅などの金属膜38が形成
されている。これは、フィルムの補強のために形成され
る。この金属膜がないとフィルムのアウターリード近傍
領域３をＳ字状に整形してもいわゆるスプリングバック
現象によってフィルムが次第に元に戻ってしまうが、こ
の補強用金属膜38が存在すると整形が容易になると同時
に元に戻ることもなくなる。これは、実施例１と同様に
樹脂モールドされる。この金属膜は、フィルムのマージ
ン部に形成するので、金属膜の存在によってキャリアフ
ィルムが大型化することはない。
実施例４ 第８図は、実施例４の半導体装置に用いられるフィル
ムキャリアの要部平面図を示したものである。また９図
はフィルムの中心部を送り口を含む外側部分から切りは
なした状態のフィルムキャリア平面図である。本実施例
の伝送線路の形態は第４図に示すマイクロストリップ線
路と同じである。これは実施例１と同様に樹脂モールド
される。この金属膜は、フィルムのマージン部に形成す
るので金属膜の存在によってフィルムキャリアが大型化
することはない。図中の14は長尺状のフィルムから切り
離される場合に切断される位置を示す。フィルムキャリ
アは、この点線14とアウターリードを切断することによ
り、第９図に示したような形状が得られる。このフィル
ムキャリアのアウターリード近傍領域３が断面Ｓ字状に
整形される。切断部分14は、図のように角部を確実に除
去することになるので、整形が容易になる。なお第９図
のＡ−Ａ′部分の断面構造は、第４図に示すものと同一
構造である。
実施例５ 第10図は、実施例５の半導体装置に用いられるフィル
ムキャリアの要部平面図である。本実施例は第４の実施
例の架橋部13の位置が異なることと、フィルムキャリア
が長尺状のフィルムから切断される箇所14の位置が異な
っている。切断箇所14で切断された後に得られるフィル
ムキャリアは、実施例４で参照した第９図と同じ形状に
なる。この実施例では、架橋部が切断しやすい形状にな
っているのが特徴である。
以上、本実施例のフィルムキャリアを用いることによ
り特性インピーダンスの不連続性をなくして外部電極と
リードとを有効に接続することができる。
実施例１〜５において、アウターリードは３〜5mm程
度の長さであり、そして、このアウターリードと同じ高
さであるアウターリードに続く前記領域３の中間リード
の長さは5mm程度以下である。また、ここでいう外部電
極とアウターリード等が「同じ高さ」であるということ
は、前記外部電極とアウターリード等が同一平面をなし
て接合される場合は勿論、この電極上にアウターリード
が接触して接合される場合も含まれる。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、高速で動作する
半導体装置を実装するフィルムキャリアにおける伝送線
路の特性インピーダンスの不連続性を極小にすることが
可能になるので、良好な高周波特性が得られる。また、
フィルムキャリアに取り付けた金属膜は、その加工性を
著しく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１における半導体装置の一部を
切り欠いた斜視図、第２図は第１図の半導体装置の断面
図、第３図は実施例２の半導体装置の断面図、第４図は
実施例３の半導体装置に用いられるフィルムキャリアの
伝送線部分を示す要部断面図、第５図は本発明および従
来例に用いられるフィルムキャリアの部分平面図、第６
図及び第７図は実施例１の半導体装置に用いられるフィ
ルムキャリアの伝送部分を示す要部断面図、第８図，第
９図は実施例４に用いられるフィルムキャリアの平面
図、第10図は実施例５に用いられるフィルムキャリアの
平面図、第11図は従来の半導体装置の断面図である。 １……チップ、２……インナーリード、 ３……フィルムのアウターリード近傍領域、 ４……アウターリード、５……リード（信号線）、 ６……放熱用基板、7,36……フィルム、 8,34……接地導体面（裏面）、 ９……樹脂モールド、10……送り孔、 11……チップ載置部用開口部、 12……アウターリード用開口部、13……架橋部、 14……フィルムの切断箇所、32……接地導体面、 33……信号線路、35……接着剤層、 37……フィルムキャリア、38……金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 正生 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 平３−88345（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−24634（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−10849（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 321 H01L 21/60 311

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数の端子を有する半導体素子と、 前記半導体素子が搭載される開口部を有し、前記開口部
    が周辺部とは高さが異なるように曲げられている第１及
    び第２の面を有する樹脂フィルムと、 前記樹脂フィルムの第１の面に形成され、インナーリー
    ド、中間リード及びアウターリードから構成され、前記
    インナーリードが前記開口部に隣接して前記半導体素子
    の端子にそれぞれ接続され、前記アウターリードが樹脂
    フィルムの周辺部にもしくは近接して形成され、かつ外
    部電極に接続され、前記中間リードがこれらインナーリ
    ードとアウターリードとの間に形成され、前記中間リー
    ドがマイクロストリップ型伝送線路あるいはグランド付
    コプラナ線路構造を有している複数のリードと、 前記各アウターリード、及び前記アウターリードに近い
    中間リードが押折されて前記樹脂フィルムの周辺部の端
    部が前記外部電極と実質的に同じ高さになるようにして
    インピーダンス調整を行う手段とを備えたことを特徴と
    するフィルムキャリアを有する高速動作用半導体装置。
  2. 【請求項２】樹脂フィルムの端部は、前記外部電極とは
    隔離されており、前記中間リードから延在しているアウ
    ターリードは、前記外部電極に電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の高速動作用半導体装
    置。
  3. 【請求項３】前記中間リードから延在している前記アウ
    ターリードは、前記外部電極とは実質的に同じ高さに位
    置していることを特徴とする請求項２に記載の高速動作
    用半導体装置。
  4. 【請求項４】前記第１及び第２の面の１つの端部は、前
    記外部電極の表面より高い位置にあり、前記中間リード
    から延在している前記アウターリードは、前記外部電極
    と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の高
    速動作用半導体装置。
  5. 【請求項５】前記アウターリードは、前記第１及び第２
    の面の１つの上に形成され、前記外部電極の表面に接続
    されていることを特徴とする請求項４に記載の高速動作
    用半導体装置。
  6. 【請求項６】前記樹脂フィルムの第１及び第２の面に補
    強及び変形を防ぐために形成された金属膜をさらに有す
    ることを特徴とする請求項１に記載の高速動作用半導体
    装置。
  7. 【請求項７】少なくとも前記樹脂フィルムの一部を被覆
    し、その上に前記インナーリード及び前記中間リードが
    形成された絶縁物をさらに有していることを特徴とする
    請求項１に記載の高速動作用半導体装置。
  8. 【請求項８】前記樹脂フィルムの大部分がこの絶縁物に
    よって被覆されていることを特徴とする請求項７に記載
    の高速動作用半導体装置。
  9. 【請求項９】第１の基板と、 前記第１の基板に搭載された複数の端子を有する半導体
    素子と、 前記半導体素子が搭載される開口部を有し、前記開口部
    が周辺部とは高さが異なるように曲げられている第１及
    び第２の面を有する樹脂フィルムと、 前記樹脂フィルムの第１の面に形成され、インナーリー
    ド、中間リード及びアウターリードから構成され、前記
    インナーリードが前記開口部に隣接して前記半導体素子
    の端子にそれぞれ接続され、前記アウターリードが樹脂
    フィルムの周辺部にもしくは近接して形成され、かつ外
    部電極に接続され、前記中間リードがこれらインナーリ
    ードとアウターリードとの間に形成され、前記中間リー
    ドがマイクロストリップ型伝送線路あるいはグランド付
    コプラナ線路構造を有している複数のリードと、 前記各アウターリードがそれぞれ接続された複数の外部
    電極と、 前記各アウターリード及び前記アウターリードに近い中
    間リードが押折されて前記樹脂フィルムの周辺部の端部
    が前記外部電極と実質的に同じ高さになるようにしてイ
    ンピーダンス調整を行う手段と、 前記外部電極が取り付けられた第２の基板とを備えたこ
    とを特徴とするフィルムキャリアを有する高速動作用半
    導体装置。
  10. 【請求項１０】樹脂フィルムの端部は、前記外部電極と
    は隔離されており、前記中間リードから延在しているア
    ウターリードは、前記外部電極に電気的に接続されてい
    ることを特徴とする請求項９に記載の高速動作用半導体
    装置。
  11. 【請求項１１】前記中間リードから延在している前記ア
    ウターリードは、前記外部電極とは実質的に同じ高さに
    位置していることを特徴とする請求項10に記載の高速動
    作用半導体装置。
  12. 【請求項１２】前記第１及び第２の面の１つの端部は前
    記第２の基板表面と同じ高さにあり、前記中間リードか
    ら延在している前記アウターリードは前記外部電極と同
    じ高さにあることを特徴とする請求項10に記載の高速動
    作用半導体装置。
  13. 【請求項１３】前記第１及び第２の面の他の１つの端部
    は前記第２の基板表面と同じ高さにあり、前記中間リー
    ドから延在しているアウターリードは前記外部電極と同
    じ高さにあることを特徴とする請求項10に記載の高速動
    作用半導体装置。
  14. 【請求項１４】前記第１及び第２の面の１つの端部は前
    記外部電極の表面より高い位置にあり、前記中間リード
    から延在している前記アウターリードは前記外部電極と
    接続されていることを特徴とする請求項９に記載の高速
    動作用半導体装置。
  15. 【請求項１５】前記アウターリードは、前記第１及び第
    ２の面の１つの上に形成され、前記外部電極の表面に接
    続されていることを特徴とする請求項14に記載の高速動
    作用半導体装置。
  16. 【請求項１６】前記樹脂フィルムの第１及び第２の面に
    補強及び変形を防ぐために形成された金属膜をさらに有
    することを特徴とする請求項９に記載の高速動作用半導
    体装置。
  17. 【請求項１７】少なくとも前記樹脂フィルムの一部を被
    覆し、その上に前記インナーリード及び前記中間リード
    が形成された絶縁物をさらに有していることを特徴とす
    る請求項９に記載の高速動作用半導体装置。
  18. 【請求項１８】前記樹脂フィルムの大部分がこの絶縁物
    によって被覆されていることを特徴とする請求項17に記
    載の高速動作用半導体装置。
  19. 【請求項１９】半導体素子がマウントされる第１の開口
    部を有し、第１及び第２の平面を有する樹脂フィルム
    と、 各々インナーリード、中間リード及びアウターリードを
    有し、前記中間リードは前記インナーリードと前記アウ
    ターリードの間に位置し、前記インナーリードに対応す
    る前記半導体素子の端子にそれぞれ接続されるように形
    成され、前記中間リードは前記樹脂フィルムの第１の平
    面上に形成され、前記アウターリードは対応する外部電
    極にそれぞれ接続されるように形成され、前記中間リー
    ドがマイクロストリップ型伝送線路あるいはグランド付
    コプラナ線路構造を有している複数のリードとを備え、 前記樹脂フィルムは、前記アウターリードの下に第２の
    開口部を有し、この第２の開口部は前記アウターリード
    の主要部を前記樹脂フィルムから分離するように完全に
    貫通する窓を構成し、前記第２の開口部は、前記第１の
    開口部を囲むように配置されていることを特徴とする高
    速動作用半導体装置に用いるフィルムキャリア。
  20. 【請求項２０】前記第２のホールに囲まれている樹脂フ
    ィルムの領域は、実質的に矩形であり、この領域の４つ
    の角は、この領域の端部を曲げることができるようにカ
    ッティング部を有することを特徴とする請求項19に記載
    の高速動作用半導体装置に用いるフィルムキャリア。
  21. 【請求項２１】複数の端子を有する半導体素子と、 前記半導体素子がマウントされる第１の開口部を有し、
    第１及び第２の平面を有する樹脂フィルムと、 各々インナーリード、中間リード及びアウターリードを
    有し、前記中間リードは前記インナーリードと前記アウ
    ターリードの間に位置し、前記インナーリードは対応す
    る前記半導体素子の端子にそれぞれ接続されるように形
    成され、前記中間リードは前記樹脂フィルムの第１の平
    面上に形成され、前記アウターリードは対応する外部電
    極にそれぞれ接続されるように形成され、前記中間リー
    ドがマイクロストリップ型伝送線路あるいはグランド付
    コプラナ線路構造を有している複数のリードと、 少なくとも前記樹脂フィルムの一部を被覆し、その上に
    前記インナーリード及び前記中間リードが形成された絶
    縁物と、 前記各絶縁物から露出しているアウターリード及び前記
    アウターリードに近い中間リードが押折されて前記樹脂
    フィルムの周辺部の端部が前記外部電極と実質的に同じ
    高さになるようにしてインピーダンス調整を行う手段と
    を備えたことを特徴とする高速動作用半導体装置に用い
    るフィルムキャリア。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2661442B2 (ja) * 1991-12-03 1997-10-08 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2934357B2 (ja) * 1992-10-20 1999-08-16 富士通株式会社 半導体装置
US6084309A (en) * 1992-10-20 2000-07-04 Fujitsu Limited Semiconductor device and semiconductor device mounting structure
US6165819A (en) 1992-10-20 2000-12-26 Fujitsu Limited Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure
US5399902A (en) * 1993-03-04 1995-03-21 International Business Machines Corporation Semiconductor chip packaging structure including a ground plane
JP2643074B2 (ja) * 1993-03-17 1997-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 電気的接続構造
JPH06302653A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Rohm Co Ltd 半導体装置
US5536906A (en) * 1993-07-23 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Package for integrated circuits
US5397746A (en) * 1993-11-03 1995-03-14 Intel Corporation Quad flat package heat slug composition
US6686226B1 (en) 1994-02-10 2004-02-03 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device a ball grid array package structure using a supporting frame
US5468996A (en) * 1994-03-25 1995-11-21 International Business Machines Corporation Electronic package assembly and connector for use therewith
JP3339602B2 (ja) * 1994-06-03 2002-10-28 ローム株式会社 パワー用半導体装置の製造方法
JPH0878605A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Hitachi Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置
US6103547A (en) 1997-01-17 2000-08-15 Micron Technology, Inc. High speed IC package configuration
US6177722B1 (en) * 1998-04-21 2001-01-23 Atmel Corporation Leadless array package
DE10314172B4 (de) * 2003-03-28 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Betreiben einer Anordnung aus einem elektrischen Bauelement auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen der Anordnung
DE10339762B4 (de) * 2003-08-27 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Chipstapel von Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
US7161232B1 (en) 2004-09-14 2007-01-09 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for miniature semiconductor packages
DE102005002707B4 (de) * 2005-01-19 2007-07-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungen in einem Halbleiterbauteil mittels koaxialer Mikroverbindungselemente
JP5022576B2 (ja) * 2005-07-08 2012-09-12 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示パネルおよび表示装置
US7989934B2 (en) * 2007-02-14 2011-08-02 Nxp B.V. Carrier for bonding a semiconductor chip onto and a method of contracting a semiconductor chip to a carrier
DE102010026312B4 (de) * 2010-07-06 2022-10-20 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Anschlusskontakt und Verfahren zur Herstellung von Anschlusskontakten

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4246595A (en) * 1977-03-08 1981-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronics circuit device and method of making the same
US4147889A (en) * 1978-02-28 1979-04-03 Amp Incorporated Chip carrier
JPS6290953A (ja) * 1985-10-01 1987-04-25 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH0740600B2 (ja) * 1987-04-30 1995-05-01 三菱電機株式会社 半導体装置
US4953173A (en) * 1987-08-08 1990-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JPH0793402B2 (ja) * 1987-08-08 1995-10-09 株式会社東芝 半導体装置
JP2507476B2 (ja) * 1987-09-28 1996-06-12 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US5028983A (en) * 1988-10-28 1991-07-02 International Business Machines Corporation Multilevel integrated circuit packaging structures

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