JPH1154473A - 半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH1154473A JPH1154473A JP10096106A JP9610698A JPH1154473A JP H1154473 A JPH1154473 A JP H1154473A JP 10096106 A JP10096106 A JP 10096106A JP 9610698 A JP9610698 A JP 9610698A JP H1154473 A JPH1154473 A JP H1154473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- cleaning composition
- cleaning
- lower electrode
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 24
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- -1 Isopropy l Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄効果が高く、工程の単純化を図ることも
でき、しかもキャパシタの静電容量をより大きく確保で
きる半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利
用した半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ストレージ電極パターン14' の露出面上
に半球形シリコン層（HSG −Si）16を形成した後、本発
明による洗浄用組成物を使用して洗浄及び自然酸化膜除
去工程を１段階の工程で行う。洗浄用組成物は、0.5 重
量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量の
H2O を混合して製造される。
でき、しかもキャパシタの静電容量をより大きく確保で
きる半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利
用した半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ストレージ電極パターン14' の露出面上
に半球形シリコン層（HSG −Si）16を形成した後、本発
明による洗浄用組成物を使用して洗浄及び自然酸化膜除
去工程を１段階の工程で行う。洗浄用組成物は、0.5 重
量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量の
H2O を混合して製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造のた
めの洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造
方法に関するもので、より詳しくはHF、H2O2、IPA (Iso
propyl Alcohol）及びH2O を混合して製造される半導体
装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導
体装置の製造方法に関するものである。
めの洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造
方法に関するもので、より詳しくはHF、H2O2、IPA (Iso
propyl Alcohol）及びH2O を混合して製造される半導体
装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導
体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリ装置のうちDRAM（Dynamic
Random Access Memory）は一つのモス（MOS)トランジス
タと一つのキャパシタを単位セルとして情報を記憶する
装置で半導体素子の高集積化と共に単位セルの面積の縮
小が不可避である。これにより単位セルでキャパシタの
占有面積も減少するようになり、反面情報記憶のための
十分なキャパシタの容量値が確保されなければならない
ので高誘電体を採択する方法以外にもキャパシタの有効
断面積を拡張させる努力が続けられてきた。このような
努力の一環としてキャパシタの下部電極として使用され
るストレージ電極の下端をエッチングしてキャパシタの
有効面積を増加させるか、ポリシリコンからなる下部電
極の表面上に半球形シリコン層を形成させキャパシタの
有効面積を増加させる方法などが使用されてきた。
Random Access Memory）は一つのモス（MOS)トランジス
タと一つのキャパシタを単位セルとして情報を記憶する
装置で半導体素子の高集積化と共に単位セルの面積の縮
小が不可避である。これにより単位セルでキャパシタの
占有面積も減少するようになり、反面情報記憶のための
十分なキャパシタの容量値が確保されなければならない
ので高誘電体を採択する方法以外にもキャパシタの有効
断面積を拡張させる努力が続けられてきた。このような
努力の一環としてキャパシタの下部電極として使用され
るストレージ電極の下端をエッチングしてキャパシタの
有効面積を増加させるか、ポリシリコンからなる下部電
極の表面上に半球形シリコン層を形成させキャパシタの
有効面積を増加させる方法などが使用されてきた。
【０００３】一方、半導体素子の高集積化と共に高品質
の素子を実現するために、半導体装置製造工程の進行中
に発生されるパーティクル、金属不純物、有機物、水分
等の各種の汚染物や工程に不必要な自然酸化膜を除去す
るための数十回の化学的洗浄工程を行うようになる。半
導体装置製造工程中の化学的洗浄工程に使用されるケミ
カルとしては、世界の半導体業界で一般的に標準洗浄液
（Standard Cleaning ：NH4OH 、H2O2、H2Oの混合物で
以下「SC-1」と称する）を使用している。
の素子を実現するために、半導体装置製造工程の進行中
に発生されるパーティクル、金属不純物、有機物、水分
等の各種の汚染物や工程に不必要な自然酸化膜を除去す
るための数十回の化学的洗浄工程を行うようになる。半
導体装置製造工程中の化学的洗浄工程に使用されるケミ
カルとしては、世界の半導体業界で一般的に標準洗浄液
（Standard Cleaning ：NH4OH 、H2O2、H2Oの混合物で
以下「SC-1」と称する）を使用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した半球
形シリコン（HSG-Si）層形成工程の後、前記SC-1を適用
して洗浄を実施すると、SC-1の構成物質の化学的特性で
既に形成された半球形シリコン層の消耗が起こりキャパ
シタの有効面積が減少するという問題点がある。即ち、
SC-1の構成物質である過酸化水素（H2O2）と半球形シリ
コン粒子のシリコンが反応して半球形シリコン層の表面
に酸化膜（SiO2）を形成させるようになる。即ち、過酸
化水素がイオン化され (H2O2=H+ +HO2 - ) 、シリコン粒
子がこれらと反応して表面に酸化膜を形成させる（Si＋
2HO2 - =2OH- ＋SiO2、Si＋2H2O2 =2H2O＋SiO2）。これ
ら半球形シリコン層の表面に形成された酸化膜は後続さ
れる洗浄工程によって除去されるので、半球形シリコン
層が表面に形成されたキャパシタの有効断面積がその分
減少するようになる。一方、高品質の半導体素子を実現
するためにはウェハ表面からパーティクル、金属汚染
物、有機不純物、自然酸化膜等が除去されるように洗浄
工程を行うことが必要で、これは半導体クリーンルーム
の清潔度を向上させるために必要なものである。
形シリコン（HSG-Si）層形成工程の後、前記SC-1を適用
して洗浄を実施すると、SC-1の構成物質の化学的特性で
既に形成された半球形シリコン層の消耗が起こりキャパ
シタの有効面積が減少するという問題点がある。即ち、
SC-1の構成物質である過酸化水素（H2O2）と半球形シリ
コン粒子のシリコンが反応して半球形シリコン層の表面
に酸化膜（SiO2）を形成させるようになる。即ち、過酸
化水素がイオン化され (H2O2=H+ +HO2 - ) 、シリコン粒
子がこれらと反応して表面に酸化膜を形成させる（Si＋
2HO2 - =2OH- ＋SiO2、Si＋2H2O2 =2H2O＋SiO2）。これ
ら半球形シリコン層の表面に形成された酸化膜は後続さ
れる洗浄工程によって除去されるので、半球形シリコン
層が表面に形成されたキャパシタの有効断面積がその分
減少するようになる。一方、高品質の半導体素子を実現
するためにはウェハ表面からパーティクル、金属汚染
物、有機不純物、自然酸化膜等が除去されるように洗浄
工程を行うことが必要で、これは半導体クリーンルーム
の清潔度を向上させるために必要なものである。
【０００５】本発明の目的は、優秀な洗浄効果を示す半
導体装置製造用洗浄用組成物を提供することにある。本
発明の他の目的は洗浄時、半球形シリコン層の消耗を誘
発しない半導体装置製造用洗浄用組成物を提供すること
にある。本発明の更に他の目的は、本発明の洗浄用組成
物を利用して工程の単純化を実現することができる半導
体装置の製造方法を提供することにある。本発明の更に
他の目的は本発明の洗浄用組成物を利用して洗浄時有効
断面積が減少されないキャパシタを実現することができ
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
導体装置製造用洗浄用組成物を提供することにある。本
発明の他の目的は洗浄時、半球形シリコン層の消耗を誘
発しない半導体装置製造用洗浄用組成物を提供すること
にある。本発明の更に他の目的は、本発明の洗浄用組成
物を利用して工程の単純化を実現することができる半導
体装置の製造方法を提供することにある。本発明の更に
他の目的は本発明の洗浄用組成物を利用して洗浄時有効
断面積が減少されないキャパシタを実現することができ
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し前記目
的を達成するための本発明による半導体装置製造のため
の洗浄用組成物は、0.01ないし10重量％のHF、１ないし
10重量％のH2O2、0.01ないし30重量％のIPA （Isopropy
l Alcohol)及び残量のH2O を混合して製造される。特
に、半導体装置製造工程中のエッチング対象と洗浄用途
によって前記洗浄用組成物中のHFの濃度を調整して使用
することができ、例えば、工程条件によって0.2 重量％
のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O
を混合して製造される洗浄用組成物、0.5 重量％のHF、
３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合
して製造される洗浄用組成物、0.9 重量％のHF、３重量
％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合して製
造される洗浄用組成物とすることができる。
的を達成するための本発明による半導体装置製造のため
の洗浄用組成物は、0.01ないし10重量％のHF、１ないし
10重量％のH2O2、0.01ないし30重量％のIPA （Isopropy
l Alcohol)及び残量のH2O を混合して製造される。特
に、半導体装置製造工程中のエッチング対象と洗浄用途
によって前記洗浄用組成物中のHFの濃度を調整して使用
することができ、例えば、工程条件によって0.2 重量％
のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O
を混合して製造される洗浄用組成物、0.5 重量％のHF、
３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合
して製造される洗浄用組成物、0.9 重量％のHF、３重量
％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合して製
造される洗浄用組成物とすることができる。
【０００７】一方、課題を解決し本発明の他の目的を達
成するための半導体装置の製造方法は、半導体基板上の
コンタクトホールが形成された絶縁膜上に第１導電物質
を積層させた後、パターニングしてキャパシタの下部電
極を形成する段階と、前記下部電極のパターンをエッチ
ングマスクにして前記下部電極の下部の前記絶縁膜の一
部を洗浄用組成物を利用してアンダカットすると同時に
前記露出された下部電極の表面を洗浄する段階と、前記
露出された下部電極の表面上に誘電体膜を形成する段階
とを備えてなる。前記アンダカット及び洗浄を同時に行
う洗浄用組成物は0.01ないし10重量％のHF、１ないし10
重量％のH2O2、0.01ないし30重量％のIPA (Isopropyl A
lcohol）及び残量のH2O を混合して製造され、望ましく
は0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及
び残量のH2O を混合して製造される洗浄用組成物を使用
する。前記アンダカットされる絶縁膜は高温酸化膜（HT
O)であるし、高温酸化膜の下部に他の層間絶縁膜が存在
してもよい。前記第１導電物質としてはポリシリコンま
たは非晶質シリコンを使用することができ、不純物が注
入されるか、されないものを使用することができる。
成するための半導体装置の製造方法は、半導体基板上の
コンタクトホールが形成された絶縁膜上に第１導電物質
を積層させた後、パターニングしてキャパシタの下部電
極を形成する段階と、前記下部電極のパターンをエッチ
ングマスクにして前記下部電極の下部の前記絶縁膜の一
部を洗浄用組成物を利用してアンダカットすると同時に
前記露出された下部電極の表面を洗浄する段階と、前記
露出された下部電極の表面上に誘電体膜を形成する段階
とを備えてなる。前記アンダカット及び洗浄を同時に行
う洗浄用組成物は0.01ないし10重量％のHF、１ないし10
重量％のH2O2、0.01ないし30重量％のIPA (Isopropyl A
lcohol）及び残量のH2O を混合して製造され、望ましく
は0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及
び残量のH2O を混合して製造される洗浄用組成物を使用
する。前記アンダカットされる絶縁膜は高温酸化膜（HT
O)であるし、高温酸化膜の下部に他の層間絶縁膜が存在
してもよい。前記第１導電物質としてはポリシリコンま
たは非晶質シリコンを使用することができ、不純物が注
入されるか、されないものを使用することができる。
【０００８】また、前記露出された下部電極の表面を洗
浄する段階の後に前記露出された下部電極の表面上に半
球形シリコン層（Hemi-Spherical Grained-Si ；HSG-S
i）を形成する段階及び洗浄用組成物を利用して下部電
極の表面上に形成される酸化膜を除去し同時に洗浄する
段階を更に備えることもできる。この際、前記洗浄用組
成物は0.5 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIP
A 及び残量のH2O を混合して製造されたものを使用する
ことができる。
浄する段階の後に前記露出された下部電極の表面上に半
球形シリコン層（Hemi-Spherical Grained-Si ；HSG-S
i）を形成する段階及び洗浄用組成物を利用して下部電
極の表面上に形成される酸化膜を除去し同時に洗浄する
段階を更に備えることもできる。この際、前記洗浄用組
成物は0.5 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIP
A 及び残量のH2O を混合して製造されたものを使用する
ことができる。
【０００９】課題を解決し本発明の前記他の目的を達成
するための半導体装置の製造方法は、半導体基板上のコ
ンタクトホールが形成された絶縁膜上に第１導電物質を
積層させた後、パターニングしてキャパシタの下部電極
を形成する段階と、前記露出された下部電極の表面上に
半球形シリコン層（Hemi-Spherical Grained-Si ；HSG-
Si）を形成する段階と、洗浄用組成物を利用して前記下
部電極下部の前記絶縁膜の一部をアンダカットし同時に
下部電極の表面上に形成される酸化膜を除去及び洗浄す
る段階と、前記露出された下部電極の表面上に誘電体膜
を形成する段階とを備えてなる。この際、前記洗浄用組
成物は0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIP
A 及び残量のH2O を混合して製造されたものを使用する
ことができる。
するための半導体装置の製造方法は、半導体基板上のコ
ンタクトホールが形成された絶縁膜上に第１導電物質を
積層させた後、パターニングしてキャパシタの下部電極
を形成する段階と、前記露出された下部電極の表面上に
半球形シリコン層（Hemi-Spherical Grained-Si ；HSG-
Si）を形成する段階と、洗浄用組成物を利用して前記下
部電極下部の前記絶縁膜の一部をアンダカットし同時に
下部電極の表面上に形成される酸化膜を除去及び洗浄す
る段階と、前記露出された下部電極の表面上に誘電体膜
を形成する段階とを備えてなる。この際、前記洗浄用組
成物は0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIP
A 及び残量のH2O を混合して製造されたものを使用する
ことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
した図面を参照して詳細に説明する。本発明による半導
体装置製造のための洗浄用組成物は0.01ないし10重量％
の弗化水素（HF）、１ないし10重量％の過酸化水素（H2
O2）、0.01ないし30重量％のイソプロピルアルコール
（Isopropyl Alcohol ；IPA ）及び残量としての脱イオ
ン水（H2O)を混合して製造される。前記弗化水素は、酸
化膜の除去とウェハ表面のパッシベーションの増大及び
不純物粒子の吸着ないし付着を減少させる役割をし、常
用的に販売される49％の純度のものを使用することがで
きる。前記過酸化水素は銅等のような金属の除去効率を
増大させるために使用されるもので、これは過酸化水素
の自己分解による発生期酸素の発生に起因する強い酸化
剤としての役割をするためで、やはり常用的に販売され
る純度のものを使用することができる。前記イソプロピ
ルアルコールは不純物粒子の密度を低下させ、ウェハの
表面自由エネルギを減少させ最適の洗浄効果を示すよう
になる。前記洗浄用組成物はイソプロピルアルコールと
脱イオン水を混合した後、この混合物に過酸化水素水を
加えて混合し、継続して弗化水素を加えて混合すること
により製造される。
した図面を参照して詳細に説明する。本発明による半導
体装置製造のための洗浄用組成物は0.01ないし10重量％
の弗化水素（HF）、１ないし10重量％の過酸化水素（H2
O2）、0.01ないし30重量％のイソプロピルアルコール
（Isopropyl Alcohol ；IPA ）及び残量としての脱イオ
ン水（H2O)を混合して製造される。前記弗化水素は、酸
化膜の除去とウェハ表面のパッシベーションの増大及び
不純物粒子の吸着ないし付着を減少させる役割をし、常
用的に販売される49％の純度のものを使用することがで
きる。前記過酸化水素は銅等のような金属の除去効率を
増大させるために使用されるもので、これは過酸化水素
の自己分解による発生期酸素の発生に起因する強い酸化
剤としての役割をするためで、やはり常用的に販売され
る純度のものを使用することができる。前記イソプロピ
ルアルコールは不純物粒子の密度を低下させ、ウェハの
表面自由エネルギを減少させ最適の洗浄効果を示すよう
になる。前記洗浄用組成物はイソプロピルアルコールと
脱イオン水を混合した後、この混合物に過酸化水素水を
加えて混合し、継続して弗化水素を加えて混合すること
により製造される。
【００１１】本発明では前記洗浄用組成物の用途によっ
て前記洗浄用組成物の構成物質中、弗化水素の濃度を調
整することができる。本発明の実施の形態に適用した洗
浄用組成物としては大きく次の３つの形態のものとする
ことができる。 １） 0.2重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA
及び残量のH2O を混合して製造したもの。 ２） 0.5重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA
及び残量のH2O を混合して製造したもの。 ３） 0.9重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA
及び残量のH2O を混合して製造したもの。 前記洗浄用組成物中弗化水素が0.5 重量％であることは
主に洗浄と酸化膜除去のためで、他方弗化水素が0.9 重
量％の洗浄用組成物はエッチング及び洗浄工程を行うた
めに用いる。
て前記洗浄用組成物の構成物質中、弗化水素の濃度を調
整することができる。本発明の実施の形態に適用した洗
浄用組成物としては大きく次の３つの形態のものとする
ことができる。 １） 0.2重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA
及び残量のH2O を混合して製造したもの。 ２） 0.5重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA
及び残量のH2O を混合して製造したもの。 ３） 0.9重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA
及び残量のH2O を混合して製造したもの。 前記洗浄用組成物中弗化水素が0.5 重量％であることは
主に洗浄と酸化膜除去のためで、他方弗化水素が0.9 重
量％の洗浄用組成物はエッチング及び洗浄工程を行うた
めに用いる。
【００１２】次に、本発明の他の実施の形態である前記
洗浄用組成物を利用した半導体装置の製造方法を図１な
いし図５を参照して詳細に説明する。図１ないし図５は
半導体メモリ装置のうちDRAMに関するもので、特にDRAM
の単位セル中キャパシタ部分を図式的に示したものであ
る。
洗浄用組成物を利用した半導体装置の製造方法を図１な
いし図５を参照して詳細に説明する。図１ないし図５は
半導体メモリ装置のうちDRAMに関するもので、特にDRAM
の単位セル中キャパシタ部分を図式的に示したものであ
る。
【００１３】図１を参照すると、半導体基板10上に絶縁
膜12を形成させる。ここで、半導体基板10としてはシリ
コン基板を使用し、素子の活性領域のために不純物が注
入されるか後続工程によって不純物が注入される。絶縁
膜12は層間絶縁膜の役割をするもので単一膜または多層
膜であり得るし、酸化膜、窒化膜または高温酸化膜等が
使用される。本実施の形態で絶縁膜12は高温酸化膜（HT
O)を使用した。
膜12を形成させる。ここで、半導体基板10としてはシリ
コン基板を使用し、素子の活性領域のために不純物が注
入されるか後続工程によって不純物が注入される。絶縁
膜12は層間絶縁膜の役割をするもので単一膜または多層
膜であり得るし、酸化膜、窒化膜または高温酸化膜等が
使用される。本実施の形態で絶縁膜12は高温酸化膜（HT
O)を使用した。
【００１４】図２を参照すると、絶縁膜12の所定領域に
コンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを
含むウェハの全表面に第１導電層としてポリシリコン層
14を形成させる。このポリシリコン層14はキャパシタの
下部電極であるストレージ電極の役割をするもので、不
純物が注入されるかされない場合もあり、非晶質シリコ
ン層や他の導電層が使用される場合もある。
コンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを
含むウェハの全表面に第１導電層としてポリシリコン層
14を形成させる。このポリシリコン層14はキャパシタの
下部電極であるストレージ電極の役割をするもので、不
純物が注入されるかされない場合もあり、非晶質シリコ
ン層や他の導電層が使用される場合もある。
【００１５】図３を参照すると、通常のフォトリソグラ
フィ工程によってポリシリコン層14をパターニングして
ストレージ電極パターン14' を形成させる。
フィ工程によってポリシリコン層14をパターニングして
ストレージ電極パターン14' を形成させる。
【００１６】図４はキャパシタの有効面積を増大させる
ために前記ストレージ電極パターン14' の下部面の一部
が露出されるように前記ストレージ電極パターン14' を
マスクとして前記絶縁膜12をエッチングして前記絶縁膜
12にアンダカットを形成したものを示す。従来は前記ア
ンダカットを行うために一般的に等方性エッチングが行
われる湿式エッチングをした後、前述したSC-1洗浄液を
使用してウェハの表面を洗浄したが、本実施の形態では
前記従来の２段階工程を本発明による洗浄用組成物を使
用して１段階で行う。本実施の形態では0.9 重量％のH
F、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を
混合して製造された洗浄用組成物を使用してアンダカッ
トと洗浄を同時に行った。
ために前記ストレージ電極パターン14' の下部面の一部
が露出されるように前記ストレージ電極パターン14' を
マスクとして前記絶縁膜12をエッチングして前記絶縁膜
12にアンダカットを形成したものを示す。従来は前記ア
ンダカットを行うために一般的に等方性エッチングが行
われる湿式エッチングをした後、前述したSC-1洗浄液を
使用してウェハの表面を洗浄したが、本実施の形態では
前記従来の２段階工程を本発明による洗浄用組成物を使
用して１段階で行う。本実施の形態では0.9 重量％のH
F、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を
混合して製造された洗浄用組成物を使用してアンダカッ
トと洗浄を同時に行った。
【００１７】続いて、前記洗浄されたストレージ電極パ
ターン14' の露出表面にキャパシタの誘電体膜を形成し
た後、キャパシタの上部電極を形成してキャパシタ形成
を完了するようになる。
ターン14' の露出表面にキャパシタの誘電体膜を形成し
た後、キャパシタの上部電極を形成してキャパシタ形成
を完了するようになる。
【００１８】図５はキャパシタの有効面積を増大させる
ためにストレージ電極パターン14'の露出面上に半球形
シリコン層（HSG −Si）16を形成させたものを示す。半
球形シリコン層はキャパシタの有効面積を広げるための
方法で、物質自体の性質を利用するものである。
ためにストレージ電極パターン14'の露出面上に半球形
シリコン層（HSG −Si）16を形成させたものを示す。半
球形シリコン層はキャパシタの有効面積を広げるための
方法で、物質自体の性質を利用するものである。
【００１９】前記半球形シリコン層を下部電極の露出面
に形成する方法の例を上げれば、非晶質シリコン（a −
Si）またはポリシリコンが低圧化学気相蒸着法によって
形成され不純物がドープされないか、燐がドープされる
場合もある。この半球形シリコン形成工程は、シリコン
の結晶と非結晶状態の転移範囲温度領域でシリコンの移
動（Migration)によって表面エネルギがとても安定され
た形態である半球形模様の領域を形成する現象を利用す
る工程である。従って、HSG 形成工程は、表面反応性が
強いシリコン系ガス（Si2H6 、SiH4）や膜中のシリコン
が、ウェハ表面の構造上の異状部位や一部蒸着粒子を核
にそれぞれの異状部位周辺に突出された模様の領域を形
成する性質を利用して、形成膜に多数の突出部を有する
粗い表面を作り、それによって表面積を広げ半導体装置
のキャパシタの容量を大きくする方法である。
に形成する方法の例を上げれば、非晶質シリコン（a −
Si）またはポリシリコンが低圧化学気相蒸着法によって
形成され不純物がドープされないか、燐がドープされる
場合もある。この半球形シリコン形成工程は、シリコン
の結晶と非結晶状態の転移範囲温度領域でシリコンの移
動（Migration)によって表面エネルギがとても安定され
た形態である半球形模様の領域を形成する現象を利用す
る工程である。従って、HSG 形成工程は、表面反応性が
強いシリコン系ガス（Si2H6 、SiH4）や膜中のシリコン
が、ウェハ表面の構造上の異状部位や一部蒸着粒子を核
にそれぞれの異状部位周辺に突出された模様の領域を形
成する性質を利用して、形成膜に多数の突出部を有する
粗い表面を作り、それによって表面積を広げ半導体装置
のキャパシタの容量を大きくする方法である。
【００２０】従来は、前記半球形シリコン層を形成した
後、誘電体膜を形成する前にウェハの表面をSC-1洗浄液
を使用して洗浄し、さらに、希釈させた弗化水素でスト
レージ電極パターン14' 及び半球形シリコン層16上に形
成された自然酸化膜を除去する２段階工程を行ったが、
本発明では前記半球形シリコン層16を形成した後、本発
明による洗浄用組成物を使用して前記洗浄及び自然酸化
膜除去工程を１段階の工程で行って完了する。本実施の
形態で使用する洗浄用組成物は、0.5 重量％のHF、３重
量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合して
製造したものを使用した。続いて、前記洗浄されたスト
レージ電極14' の露出表面にキャパシタの誘電体膜（図
示しない）を形成した後、キャパシタの上部電極（図示
しない）を形成してキャパシタ形成を完了するようにな
る。
後、誘電体膜を形成する前にウェハの表面をSC-1洗浄液
を使用して洗浄し、さらに、希釈させた弗化水素でスト
レージ電極パターン14' 及び半球形シリコン層16上に形
成された自然酸化膜を除去する２段階工程を行ったが、
本発明では前記半球形シリコン層16を形成した後、本発
明による洗浄用組成物を使用して前記洗浄及び自然酸化
膜除去工程を１段階の工程で行って完了する。本実施の
形態で使用する洗浄用組成物は、0.5 重量％のHF、３重
量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合して
製造したものを使用した。続いて、前記洗浄されたスト
レージ電極14' の露出表面にキャパシタの誘電体膜（図
示しない）を形成した後、キャパシタの上部電極（図示
しない）を形成してキャパシタ形成を完了するようにな
る。
【００２１】本発明の更に他の実施の形態による半導体
装置の製造方法においては、前記図３で示されたように
ストレージ電極パターン14' を形成した後、アンダカッ
ト工程及び洗浄工程を実施しないでストレージ電極パタ
ーン14' の露出面上に半球形シリコン層16を形成させた
後、本発明による洗浄用組成物を使用して１段階の工程
のみで全てを行うようにする。即ち、図４のアンダカッ
ト工程及び洗浄工程と図５の洗浄工程及び酸化膜除去工
程を１段階の工程で一回で全て行うようにする。この工
程では0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIP
A 及び残量のH2O を混合して製造したものを使用した。
装置の製造方法においては、前記図３で示されたように
ストレージ電極パターン14' を形成した後、アンダカッ
ト工程及び洗浄工程を実施しないでストレージ電極パタ
ーン14' の露出面上に半球形シリコン層16を形成させた
後、本発明による洗浄用組成物を使用して１段階の工程
のみで全てを行うようにする。即ち、図４のアンダカッ
ト工程及び洗浄工程と図５の洗浄工程及び酸化膜除去工
程を１段階の工程で一回で全て行うようにする。この工
程では0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIP
A 及び残量のH2O を混合して製造したものを使用した。
【００２２】表１は、従来技術と本発明を比較したもの
で、絶縁膜12は高温酸化膜で、ストレージ電極パターン
14' はポリシリコンで構成される。従来技術は、図４の
ストレージ電極パターン14' の形成段階の後に、等方性
エッチングとSC-1による洗浄を５分間行い、さらに図５
の半球形シリコン層形成段階の後に、SC-1による洗浄を
５分間行い、その後弗化水素で酸化膜を除去した後、後
続工程によって誘電体膜と上部電極を形成した場合の実
験結果である。本発明は、ストレージ電極パターン14'
を形成した後、その露出表面に半球形シリコン層16を形
成させた後、本発明の洗浄用組成物の１つである0.9 重
量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量の
H2O を混合したものを使用してアンダカット工程、洗浄
工程、酸化膜除去工程を同時に行った後、後続工程によ
って誘電体膜と上部電極を形成した場合の実験結果であ
る。
で、絶縁膜12は高温酸化膜で、ストレージ電極パターン
14' はポリシリコンで構成される。従来技術は、図４の
ストレージ電極パターン14' の形成段階の後に、等方性
エッチングとSC-1による洗浄を５分間行い、さらに図５
の半球形シリコン層形成段階の後に、SC-1による洗浄を
５分間行い、その後弗化水素で酸化膜を除去した後、後
続工程によって誘電体膜と上部電極を形成した場合の実
験結果である。本発明は、ストレージ電極パターン14'
を形成した後、その露出表面に半球形シリコン層16を形
成させた後、本発明の洗浄用組成物の１つである0.9 重
量％のHF、３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量の
H2O を混合したものを使用してアンダカット工程、洗浄
工程、酸化膜除去工程を同時に行った後、後続工程によ
って誘電体膜と上部電極を形成した場合の実験結果であ
る。
【００２３】
【表１】 表１から分かるように、本発明によると半球形シリコン
層の消耗が発生されないのでキャパシタの有効面積が従
来の技術に比べ大きく、従って、最小キャパシタンス
（Ｃmin)が従来の技術に比べ1.41ft増加し、最小キャパ
シタンスに対する最大キャパシタンス（Ｃmax)の比が６
％に上昇した。
層の消耗が発生されないのでキャパシタの有効面積が従
来の技術に比べ大きく、従って、最小キャパシタンス
（Ｃmin)が従来の技術に比べ1.41ft増加し、最小キャパ
シタンスに対する最大キャパシタンス（Ｃmax)の比が６
％に上昇した。
【００２４】表２は従来の技術の洗浄液と本発明による
洗浄用組成物を使用した場合の洗浄能力に対する実験結
果である。
洗浄用組成物を使用した場合の洗浄能力に対する実験結
果である。
【表２】 表２から分かるように、本発明によると従来技術に比べ
ポリシリコン及び高温酸化膜に対して全てパーティクル
除去効率と金属汚染物除去能力が向上し洗浄効果が優れ
ている。
ポリシリコン及び高温酸化膜に対して全てパーティクル
除去効率と金属汚染物除去能力が向上し洗浄効果が優れ
ている。
【００２５】従って、本発明による洗浄用組成物による
とパーティクル除去効率や金属汚染物除去能力等の洗浄
効果が向上する効果がある。また、本発明の洗浄用組成
物によると半球形シリコン層の消耗が発生されなく、よ
り大きい静電容量を確保することができる効果がある。
また、本発明による半導体装置の製造方法によると工程
がとても単純化される効果がある。さらに、洗浄時有効
断面積が減少されないキャパシタを実現できる。
とパーティクル除去効率や金属汚染物除去能力等の洗浄
効果が向上する効果がある。また、本発明の洗浄用組成
物によると半球形シリコン層の消耗が発生されなく、よ
り大きい静電容量を確保することができる効果がある。
また、本発明による半導体装置の製造方法によると工程
がとても単純化される効果がある。さらに、洗浄時有効
断面積が減少されないキャパシタを実現できる。
【００２６】なお、以上の実施の形態は単なる一例にす
ぎない。本発明は、本発明の技術思想の範囲内で多様な
変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白な
ことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲
の範疇に属することは当然なことである。
ぎない。本発明は、本発明の技術思想の範囲内で多様な
変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白な
ことであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲
の範疇に属することは当然なことである。
【００２７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の半導
体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半
導体装置の製造方法よれば、洗浄効果が高く、工程の単
純化を図ることもでき、しかもキャパシタの静電容量を
より大きく確保できる。
体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半
導体装置の製造方法よれば、洗浄効果が高く、工程の単
純化を図ることもでき、しかもキャパシタの静電容量を
より大きく確保できる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を
示す断面図。
示す断面図。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を
示す断面図。
示す断面図。
10 半導体基板 12 絶縁膜 14 ポリシリコン層 14' ストレージ電極パターン 16 半球形シリコン層（HSG −Si）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尹 永 煥 大韓民国ソウル永登浦区堂山洞４街92番地 現代２次アパート505 (72)発明者 郭 奎 煥 大韓民国京畿道水原市勸善区勸善洞 豊林 新案アパート307−105 (72)発明者 全 相 文 大韓民国京畿道城南市盆唐区亭子洞鮮京ビ ラ114−106
Claims (15)
- 【請求項１】 0.01ないし10重量％のHF、１ないし10重
量％のH2O2、0.01ないし30重量％のIPA （Isopropyl Al
cohol ）及び残量のH2O を混合して製造されることを特
徴とする半導体装置製造のための洗浄用組成物。 - 【請求項２】 0.2 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重
量％のIPA 及び残量のH2O を混合して製造されることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置製造のための洗浄
用組成物。 - 【請求項３】 0.5 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重
量％のIPA 及び残量のH2O を混合して製造されることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置製造のための洗浄
用組成物。 - 【請求項４】 0.9 重量％のHF、３重量％のH2O2、30重
量％のIPA 及び残量のH2O を混合して製造されることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置製造のための洗浄
用組成物。 - 【請求項５】 半導体基板上のコンタクトホールが形成
された絶縁膜上に第１導電物質を積層させた後、パター
ニングしてキャパシタの下部電極を形成する段階と、 前記下部電極のパターンをエッチングマスクにして前記
下部電極の下部の前記絶縁膜の一部を洗浄用組成物を利
用してアンダカットすると同時に前記露出された下部電
極の表面を洗浄する段階と、 前記露出された下部電極の表面上に誘電体膜を形成する
段階とを備えてなることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 前記洗浄用組成物は0.01ないし10重量％
のHF、１ないし10重量％のH2O2、0.01ないし30重量％の
IPA (Isopropyl Alcohol）及び残量のH2O を混合して製
造されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項７】 前記洗浄用組成物は0.9 重量％のHF、３
重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合し
て製造されることを特徴とする請求項６記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項８】 前記アンダカットされる絶縁膜は高温酸
化膜（HTO)であることを特徴とする請求項５記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１導電物質はポリシリコンまたは
非晶質シリコンであることを特徴とする請求項５記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記露出された下部電極の表面を洗浄
する段階の後に前記露出された下部電極の表面上に半球
形シリコン層（Hemi-Spherical Grained-Si；HSG-Si）
を形成する段階及び洗浄用組成物を利用して下部電極の
表面上に形成される酸化膜を除去し同時に洗浄する段階
とを更に備えることを特徴とする請求項５記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記洗浄用組成物は0.5 重量％のHF、
３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合
して製造されることを特徴とする請求項１０記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 半導体基板上のコンタクトホールが形
成された絶縁膜上に第１導電物質を積層させた後、パタ
ーニングしてキャパシタの下部電極を形成する段階と、 前記露出された下部電極の表面上に半球形シリコン層
（Hemi-Spherical Grained-Si ；HSG-Si）を形成する段
階と、 洗浄用組成物を利用して前記下部電極下部の前記絶縁膜
の一部をアンダカットし同時に下部電極の表面上に形成
された酸化膜を除去及び洗浄する段階と、 前記露出された下部電極の表面上に誘電体膜を形成する
段階とを備えてなることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１３】 前記洗浄用組成物は0.9 重量％のHF、
３重量％のH2O2、30重量％のIPA 及び残量のH2O を混合
して製造されることを特徴とする請求項１２記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記アンダカットされる絶縁膜は高温
酸化膜（HTO)であることを特徴とする請求項１２記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１導電物質はポリシリコンまた
は非晶質シリコンであることを特徴とする請求項１２記
載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P-35185 | 1997-07-25 | ||
| KR1019970035185A KR100253086B1 (ko) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 반도체장치제조를위한세정용조성물및이를이용한반도체장치의제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154473A true JPH1154473A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=19515727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10096106A Pending JPH1154473A (ja) | 1997-07-25 | 1998-04-08 | 半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6100203A (ja) |
| JP (1) | JPH1154473A (ja) |
| KR (1) | KR100253086B1 (ja) |
| CN (1) | CN1113395C (ja) |
| DE (1) | DE19817486C2 (ja) |
| GB (1) | GB2328216B (ja) |
| TW (1) | TW432696B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057414A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-02-27 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 |
| US6541807B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-04-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440886B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 |
| KR20010008406A (ko) * | 1998-10-29 | 2001-02-05 | 김영환 | 커패시터의 전하저장전극 형성방법 |
| JP3125770B2 (ja) * | 1998-11-11 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | 容量素子の形成方法 |
| KR100318316B1 (ko) * | 1999-04-02 | 2001-12-22 | 김영환 | 커패시터의 제조방법 |
| US6531414B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-03-11 | The United States Of America As Represented By The National Security Agency | Method of oxidizing strain-compensated superlattice of group III-V semiconductor |
| JP4876306B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2012-02-15 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100673208B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 커패시터 형성 방법 |
| KR100474856B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-03-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 세정 방법 |
| US6703320B1 (en) | 2002-01-04 | 2004-03-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Successful and easy method to remove polysilicon film |
| US7176041B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | PAA-based etchant, methods of using same, and resultant structures |
| DE10335102B4 (de) * | 2003-07-31 | 2008-06-26 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung einer epitaxialen Schicht für erhöhte Drain- und Sourcegebiete durch Entfernen von Kontaminationsstoffen |
| CN1292822C (zh) * | 2004-04-01 | 2007-01-03 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 应用在清洗液循环系统中可延长过滤器寿命的清洗装置 |
| US7723285B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-05-25 | Michigan Molecular Institute | Beneficial agent delivery systems |
| DE102006031105A1 (de) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Reinigung von Polysilicium-Bruch |
| DE102007040851A1 (de) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zum Reinigen von polykristallinem Silicium |
| WO2010003456A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Garbo S.R.L. | Method for purification and compaction of feedstock for photovoltaic applications |
| US8153533B2 (en) * | 2008-09-24 | 2012-04-10 | Lam Research | Methods and systems for preventing feature collapse during microelectronic topography fabrication |
| US8961701B2 (en) * | 2008-09-24 | 2015-02-24 | Lam Research Corporation | Method and system of drying a microelectronic topography |
| US9620410B1 (en) | 2009-01-20 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Methods for preventing precipitation of etch byproducts during an etch process and/or subsequent rinse process |
| US20100184301A1 (en) * | 2009-01-20 | 2010-07-22 | Lam Research | Methods for Preventing Precipitation of Etch Byproducts During an Etch Process and/or Subsequent Rinse Process |
| KR101147993B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2012-05-24 | 주식회사 동성에코어 | 오일 회수용 응축장치 |
| CN104047056A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 台山市华兴光电科技有限公司 | 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法 |
| CN113956925B (zh) * | 2021-11-10 | 2023-06-23 | 重庆臻宝科技股份有限公司 | 一种用于半导体材料的金属离子清洗剂 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4171242A (en) * | 1976-12-17 | 1979-10-16 | International Business Machines Corporation | Neutral pH silicon etchant for etching silicon in the presence of phosphosilicate glass |
| US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
| US5164337A (en) * | 1989-11-01 | 1992-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device having a capacitor in a stacked memory cell |
| US5366917A (en) * | 1990-03-20 | 1994-11-22 | Nec Corporation | Method for fabricating polycrystalline silicon having micro roughness on the surface |
| JP2886280B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1999-04-26 | 宮城沖電気株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
| US5340763A (en) * | 1993-02-12 | 1994-08-23 | Micron Semiconductor, Inc. | Multi-pin stacked capacitor utilizing micro villus patterning in a container cell and method to fabricate same |
| KR0126799B1 (ko) * | 1993-12-31 | 1997-12-29 | 김광호 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
| JPH07263402A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| CN1044948C (zh) * | 1994-06-22 | 1999-09-01 | 现代电子产业株式会社 | 用于制造半导体器件叠层电容器的方法 |
| US5583069A (en) * | 1994-07-08 | 1996-12-10 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for making a fine annular charge storage electrode in a semiconductor device using a phase-shift mask |
| ES2099027B1 (es) * | 1994-12-20 | 1998-01-16 | Roldan S A | Estabilizante del agua oxigenada contenido en un baño de decapado de acero inoxidable, baño y procedimiento de decapado. |
| KR0165499B1 (en) * | 1995-01-26 | 1998-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Capacitor fabrication method of semiconductor device |
| US5928969A (en) * | 1996-01-22 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Method for controlled selective polysilicon etching |
| KR100219483B1 (ko) * | 1996-06-03 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
| JP2962250B2 (ja) * | 1996-11-12 | 1999-10-12 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-25 KR KR1019970035185A patent/KR100253086B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-30 TW TW087104736A patent/TW432696B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-08 JP JP10096106A patent/JPH1154473A/ja active Pending
- 1998-04-20 DE DE19817486A patent/DE19817486C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-20 CN CN98101421A patent/CN1113395C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-27 GB GB9808754A patent/GB2328216B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-16 US US09/116,790 patent/US6100203A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057414A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-02-27 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 |
| US6541807B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-04-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6100203A (en) | 2000-08-08 |
| KR19990011930A (ko) | 1999-02-18 |
| GB2328216B (en) | 2001-06-20 |
| DE19817486C2 (de) | 2001-10-04 |
| CN1113395C (zh) | 2003-07-02 |
| KR100253086B1 (ko) | 2000-04-15 |
| DE19817486A1 (de) | 1999-01-28 |
| CN1206932A (zh) | 1999-02-03 |
| GB2328216A (en) | 1999-02-17 |
| TW432696B (en) | 2001-05-01 |
| GB9808754D0 (en) | 1998-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1154473A (ja) | 半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造方法 | |
| TW517330B (en) | Capacitor of semiconductor device and its manufacturing method | |
| US6653199B2 (en) | Method of forming inside rough and outside smooth HSG electrodes and capacitor structure | |
| KR100505675B1 (ko) | 전극 표면에 대한 다단계 습식 처리 과정을 도입한커패시터 제조 방법 | |
| KR100470722B1 (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 | |
| TW559926B (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| KR100541682B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| JP2005120373A (ja) | 高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| WO2004061917A1 (en) | Encapsulation of ferroelectric capacitors | |
| US6451650B1 (en) | Low thermal budget method for forming MIM capacitor | |
| JP4067959B2 (ja) | 電荷貯蔵電極の形成方法 | |
| TWI284250B (en) | Hardmask with high selectivity for Ir barriers for ferroelectric capacitor manufacturing | |
| JP4667742B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
| US5976981A (en) | Method for manufacturing a reverse crown capacitor for DRAM memory cell | |
| JP2006148052A (ja) | 半導体素子の格納電極形成方法 | |
| KR100585056B1 (ko) | 반도체기판의세정방법 | |
| JP2001223343A (ja) | キャパシタの下部電極及びその製造方法 | |
| TW552673B (en) | A method of fabricating a semiconductor device | |
| JP2001007301A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN115707229A (zh) | 半导体结构及其制备方法 | |
| JP2000022107A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR101090475B1 (ko) | 반도체 소자의 커패시터 형성방법 | |
| KR20010004727A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR20050024979A (ko) | 캐패시터 형성 방법 | |
| KR100884345B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050223 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050601 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050701 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20051216 |