CN104047056A - 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法 - Google Patents

一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104047056A
CN104047056A CN201310079863.8A CN201310079863A CN104047056A CN 104047056 A CN104047056 A CN 104047056A CN 201310079863 A CN201310079863 A CN 201310079863A CN 104047056 A CN104047056 A CN 104047056A
Authority
CN
China
Prior art keywords
indium phosphide
polycrystalline particles
growth
vacuum
putting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310079863.8A
Other languages
English (en)
Inventor
关活明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017 Of Huaxing Of Taishan City
Original Assignee
Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017 Of Huaxing Of Taishan City
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017 Of Huaxing Of Taishan City filed Critical Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017 Of Huaxing Of Taishan City
Priority to CN201310079863.8A priority Critical patent/CN104047056A/zh
Publication of CN104047056A publication Critical patent/CN104047056A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，包括：1.先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟；2.取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；3.冷却后取出放置于真空干燥器中待用。该方法简单易行，通过溶液的浸泡作用于磷化铟表面，清洁效果显著。

Description

一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法
技术领域：
本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法。
背景技术
磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。在军事上应用于电子对抗、电子战、精确制导、预警探测、卫星通讯、雷达领域。在民事上应用于是无线通讯、光通讯、光信息处理、工业自动控制、医疗器械、激光技术、电子计算机、电子通信、电视广播、红外线科技以及更为先进的微波传导，激光开关，医疗诊断和治疗，及航天事业，生物及数据处理及许多其它领域。
美国贝尔实验室的Monberg等人在1980年代中期首先将VGF-垂直温度梯度结晶生长法(温梯法)技术应用于III-V化合物半导体单晶的生长。该方法因为生长速度较慢，生长过程能保证InP单晶的化学配比，温度梯度很小，晶体所受应力较小，可以生长出位错密度非常低的单晶材料。
采用多温场加热控温技术，使得加热炉形成适合晶体生长的温度梯度，从而使得熔化在竖立坩埚中磷化铟多晶材料由经置于坩埚底部子晶，缓慢地由下向上结晶放大成所需要的晶体尺寸，因而过程中需要加入磷化铟多晶碎料。但在空气中，磷化铟(InP)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，这些直接影响由它制作的器件的寿命和其他特性。
发明内容
根据以上情况，本发明的目的在于提供一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，可去除磷化铟(InP)材料表面的氧、碳沾污，保证InP单晶的生成质量。
为实现上述目的，本方法包括：
1)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟；
2)取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；
3)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
本发明的优点在于：该方法简单易行，通过溶液的浸泡作用于磷化铟表面，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡15分钟，再放入乙醇溶液中浸泡5分钟，然后取出放入超声波清水洗5分钟；将预处理好的磷化铟生长的多晶碎料置入真空烘烤炉，依次用机械泵、分子涡轮泵将烘烤炉真空度抽至10-5Pa，温度150℃，持续30分钟。冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
本方法操作步骤简便，可达到较好的对磷化铟生长的多晶碎料表面清洁的目的。

Claims (1)

1.一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，其特征在于：
1)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟；
2)取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100℃-150℃，持续10-40分钟；
3)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
CN201310079863.8A 2013-03-12 2013-03-12 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法 Pending CN104047056A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310079863.8A CN104047056A (zh) 2013-03-12 2013-03-12 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310079863.8A CN104047056A (zh) 2013-03-12 2013-03-12 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104047056A true CN104047056A (zh) 2014-09-17

Family

ID=51500435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310079863.8A Pending CN104047056A (zh) 2013-03-12 2013-03-12 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104047056A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107338481A (zh) * 2017-06-27 2017-11-10 台山市华兴光电科技有限公司 一种磷化铟多晶材料的清洗方法
CN107829141A (zh) * 2017-11-10 2018-03-23 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 富铟磷化铟多晶料的循环利用方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1206932A (zh) * 1997-07-25 1999-02-03 三星电子株式会社 制造半导体器件的清洗组合物和用其制备该器件的方法
CN102206859A (zh) * 2011-06-30 2011-10-05 白尔隽 超高纯锗单晶制备工艺及专用设备
CN102243997A (zh) * 2010-05-12 2011-11-16 上海华虹Nec电子有限公司 外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法
CN102649625A (zh) * 2012-05-03 2012-08-29 北京鼎臣超导科技有限公司 一种镀膜用玻璃衬底的清洗方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1206932A (zh) * 1997-07-25 1999-02-03 三星电子株式会社 制造半导体器件的清洗组合物和用其制备该器件的方法
CN102243997A (zh) * 2010-05-12 2011-11-16 上海华虹Nec电子有限公司 外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法
CN102206859A (zh) * 2011-06-30 2011-10-05 白尔隽 超高纯锗单晶制备工艺及专用设备
CN102649625A (zh) * 2012-05-03 2012-08-29 北京鼎臣超导科技有限公司 一种镀膜用玻璃衬底的清洗方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107338481A (zh) * 2017-06-27 2017-11-10 台山市华兴光电科技有限公司 一种磷化铟多晶材料的清洗方法
CN107829141A (zh) * 2017-11-10 2018-03-23 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 富铟磷化铟多晶料的循环利用方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105386124B (zh) 石墨烯单晶及其快速生长方法
CN102120574A (zh) 制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法
CN106811731A (zh) 一种二硫化钨的可控制备方法
US20100285229A1 (en) Method for Generating Oxidic Nanoparticles from a Material Forming Oxide Particles
CN103193224B (zh) 在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法
CN104674343B (zh) 一种大单晶石墨烯及其制备方法
CN106757361A (zh) 基于CVD法生长MoS2二维晶体的方法
CN102965734A (zh) 磷化铟多晶材料的快速合成方法及其多管石英磷泡
CN103215633A (zh) 一种多晶硅的铸锭方法
CN104047056A (zh) 一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法
CN107338481A (zh) 一种磷化铟多晶材料的清洗方法
CN108314019A (zh) 一种层数均匀的大面积高质量石墨烯薄膜的制备方法
CN103691962A (zh) 一种尺寸可控的金属纳米颗粒的制备方法
CN102373425A (zh) 一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
CN103981500B (zh) 一种提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构
CN104477995A (zh) 一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片
CN104952972A (zh) 自支撑CdZnTe薄膜的制备方法
CN102994953B (zh) 一种在Cu/Ti薄膜表面生成枝晶图案的方法
CN104099586B (zh) 一种薄膜的制备方法
CN102618935B (zh) 含易挥发组分多元化合物红外非线性单晶的退火方法
CN106883844A (zh) 一种基于溶液加工的均匀离散型绒球状红荧烯晶体生长的方法
CN100593584C (zh) 一种无催化剂无碳条件下ZnO纳米棒阵列的制备方法
CN103693691A (zh) 一种双温区还原法制备二氧化钒的方法
CN202610310U (zh) 超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置
CN103014701A (zh) 一种二氧化钒薄膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140917

RJ01 Rejection of invention patent application after publication