CN106811731A - 一种二硫化钨的可控制备方法 - Google Patents
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Abstract
二维二硫化钨是一种类石墨烯的新型二维材料，在电学器件、能源、生物和复合材料等方面有极大的应用潜力。制备二维二硫化钨方法包括机械剥离、电化学锂离子插层法、液相剥离法。水热法以及化学气相沉积法等，其中化学气相沉积法在制备二维二硫化钨时有着尺寸、层数可控，材料结晶质量高等方面的优势。目前CVD法制备二硫化钨的研究较少，已有的报道中制备的二维二硫化钨尺寸只有几十到一百微米，无法达到可控生长的目的。本专利围绕化学气相沉积法，改进生长工艺，使生长过程不再需要真空低压条件，在常压下就可进行，使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的，使实验过程更加简单，实验成本大大降低，并且提高了实验制备的可控性。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料的制备方法，具体而言，涉及一种二硫化钨的可控制备方法。
背景技术
二维材料因为其优良的电学、光学、热学等特性，激发了无数学者的研究热情，受到材料学领域的广泛关注。而二维材料的性质与层数、缺陷等因素密切相关，二维材料的制备是研究其性质与应用的基础。因此可控制备大尺寸高质量的二维材料是这一领域的研究重点。二维二硫化钨是一种类石墨烯的新型二维材料，在电学器件、能源、生物和复合材料等方面有极大的应用潜力。
制备二维二硫化钨方法包括机械剥离、电化学锂离子插层法、液相剥离法。水热法以及化学气相沉积法等，其中化学气相沉积法在制备二维二硫化钨时有着尺寸、层数可控，材料结晶质量高等方面的优势。目前CVD法制备二硫化钨的研究较少，已有的报道中制备的二维二硫化钨尺寸只有几十到一百微米，无法达到可控生长的目的。我们围绕化学气相沉积法，改进生长工艺，使生长过程不再需要真空低压条件，在常压下就可进行，使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的，使实验过程更加简单，实验成本大大降低，并且提高了实验制备的可控性。
发明内容
基于上述问题，本发明的目的在于提供一种可控制备大面积二维二硫化钨的方法，能够可控制备出大面积的二维二硫化钨。
为解决上述问题，本发明提供了一种可控制备大面积二维二硫化钨的方法：
步骤1，清洗衬底。
(1)按尺寸挑选硅片，处理后硅片表面覆盖了一层二氧化硅，二氧化硅表面抛光，二氧化硅的厚度可以是100-300nm，形成二氧化硅/硅衬底。该衬底放置于加入洗洁剂的去离子水中，超声30-60min；
(2)将衬底用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-30min；
(3)将衬底放入无水乙醇溶液中超生10-20min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-20min；
(4)将衬底放入丙酮溶液中超声15-25min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-20min，最后放置于无水乙醇中备用。
步骤2，将一定重量的S放置于石英舟中并将其置于距管式炉进气口25cm处；将一定重量的WO3放置于另外一个石英舟中，将二氧化硅/硅衬底斜搭在石英舟上，将其置于加热区中心。管式炉预先通氮气25-60分钟，氮气流量为60-200sccm，将管中空气排净。
步骤3，将氮气流量调整为50-200sccm，以15-30℃/min的加热速度将管式炉升温至800-950℃，保温15-45min。
步骤4，待管式炉自然降温到室温时，降至室温时取出样品，打开炉盖取出样品。
本发明的有益效果：
(1)二维二硫化钨的生长过程可控；(2)制备的二维二硫化钨面积大，三角形晶粒的边长可达120μm左右，连续薄膜的横向尺寸可达毫米量级；(3)简化了衬底的清洗方式、过程，减少了清洗衬底的操作步骤；(4)采用常压化学气相沉积法，不需要抽真空过程，进一步减少了操作步骤，使得实验可以快捷方便地进行。
本发明经过大量实验验证，总结出一种行之有效的制备方法，不仅工艺简便，而且产物质量高。
附图说明
图1实验装置示意图；
图2 WS2的光学显微镜图(a)、拉曼光谱(b)和光致发光谱(c)；
图3不同温度下生长的WS2光学显微镜图、拉曼光谱和光致发光谱：(a)850℃光学显微镜图；(b)900℃光学显微镜图；(c)拉曼光谱图；(d)光致发光谱图；
实施实例
具体实施例中的清洗衬底的方法如下：(1)将切割好的硅片(1cm×1cm)处理后形成二氧化硅/硅衬底，该衬底放置于加入洗洁剂的去离子水中，超声40min；衬底先在洗洁精溶液中超声30-60min；(2)将衬底用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声18min；(3)将衬底放入无水乙醇溶液中超生10-20min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-20min；(4)将衬底放入丙酮溶液中超声15min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-20min，最后放置于无水乙醇中备用。
实施实例一
采用常压化学气相沉积法；称取一定0.2gWO3和1gS，并放在两个石英舟中；将放置S的石英舟置于距管式炉进气口25cm处；将放置WO3的石英舟中，将清洗好的二氧化硅/硅衬底(1cm×1cm)用氮气气枪吹干后，再用氧等离子清洗机清洗3min。将硅片衬底斜搭在石英舟上，将其置于加热区中心。管式炉预先通氮气60分钟，氮气流量为200sccm，将管中空气排净。将氮气流量调整为100sccm，以30℃/min的加热速度将管式炉升温至950℃，保温15min。待管式炉自然降温到室温时，打开炉盖获取所需样品。
实施实例二
采用常压化学气相沉积法；称取一定0.2gWO3和1gS，并放在两个石英舟中；将放置S的石英舟置于距管式炉进气口25cm处；将放置WO3的石英舟中，将清洗好的二氧化硅/硅衬底(1cm×1cm)用氮气气枪吹干后，再用氧等离子清洗机清洗3min。将硅片衬底斜搭在石英舟上，将其置于加热区中心。管式炉预先通氮气50分钟，氮气流量为250sccm，将管中空气排净。将氮气流量调整为150sccm，以30℃/min的加热速度将管式炉升温至900℃，保温25min。待管式炉自然降温到室温时，打开炉盖获取所需样品。
实施实例三
采用常压化学气相沉积法；称取一定0.1gWO3和1gS，并放在两个石英舟中；将放置S的石英舟置于距管式炉进气口25cm处；将放置WO3的石英舟中，将清洗好的二氧化硅/硅衬底(1cm×1cm)用氮气气枪吹干后，再用氧等离子清洗机清洗3min。将硅片衬底斜搭在石英舟上，将其置于加热区中心。管式炉预先通氮气60分钟，氮气流量为200sccm，将管中空气排净。将氮气流量调整为100sccm，以30℃/min的加热速度将管式炉升温至850℃，保温20min。待管式炉自然降温到室温时，打开炉盖获取所需样品。
实施实例四
采用常压化学气相沉积法；称取一定0.1gWO3和1gS，并放在两个石英舟中；将放置S的石英舟置于距管式炉进气口25cm处；将放置WO3的石英舟中，将清洗好的二氧化硅/硅衬底(1cm×1cm)用氮气气枪吹干后，再用氧等离子清洗机清洗3min。将硅片衬底斜搭在石英舟上，将其置于加热区中心。管式炉预先通氮气60分钟，氮气流量为200sccm，将管中空气排净。将氮气流量调整为100sccm，以30℃/min的加热速度将管式炉升温至950℃，保温15min。待管式炉自然降温到室温时，打开炉盖获取所需样品。
Claims (5)
1.一种二硫化钨的可控制备方法，其特征在于，1)提供一种在二氧化硅/硅衬底上可控制备二维二硫化钨(WS2)方法；2)采用常压化学气相沉积法，硫源为硫粉(S)，钨源为三氧化钨(WO3)粉末，衬底为处理后的硅片；3)提供一种简化的清洗衬底的方法。
2.根据权利要求1所述的可控制备大面积二维二硫化钨的方法，其特征在于，挑选硅片，处理后硅片表面覆盖了一层二氧化硅，二氧化硅表面抛光，二氧化硅的厚度可以是500-300nm，形成二氧化硅/硅衬底。
3.根据权利要求1所述的可控制备大面积二维二硫化钨的方法，其特征在于，提供一种简化的清洗衬底的方法，包括：将切割好的硅片(1)1cm×1cm)处理后形成二氧化硅/硅衬底，该衬底放置于含有洗洁剂的去离子水中，超声30-60min；(2)将所述衬底用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-30min；(3)将所述衬底放入无水乙醇溶液中超生10-20min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-20min；(4)将所述衬底放入丙酮溶液中超声15-25min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-20min，最后放置于无水乙醇中备用。
4.根据权利要求1所述的可控制备大面积二维二硫化钨的方法，其特征在于，提供一种二维二硫化钨可控制备方法，包括：(1)分别将一定重量的(0.05-5克)的S放置于石英舟中并将其置于距管式炉进气口25cm处；(2)将一定重量(0.02-2克)的WO3放置于另外一个石英舟中，将所述衬底斜搭在所述另外一个石英舟上，将其置于加热区中心。所述管式炉预先通氮气25-60分钟，氮气流量为60-200sccm，将所述管式炉中空气排净；(3)将氮气流量调整为50-200sccm，以15-30℃/min的加热速度将所述管式炉升温至800-950℃，保温15-45min；(4)待所述管式炉自然降温到室温时，打开所述管式炉的炉盖，取出样品。
5.根据权利要求1所述的可控制备大面积二维二硫化钨的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用控制变量法研究不同生长条件对所述二维二硫化钨生长的影响，确定所述二维二硫化钨的最佳生长条件；所述不同生长条件包括温度、生长时间以及样品用量。
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| CN (1) | CN106811731A (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107557754A (zh) * | 2017-07-21 | 2018-01-09 | 杭州电子科技大学 | 一种二硫化钨薄膜的制备方法 |
| CN107557753A (zh) * | 2017-07-12 | 2018-01-09 | 华东师范大学 | 一种室温磁性二维VSe2薄膜化学气相沉积生长方法 |
| CN108118395A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-05 | 北京科技大学 | 一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法 |
| CN109183156A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-11 | 西北工业大学 | 一种二硫化物单晶及其制备方法和用途 |
| CN110373718A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-10-25 | 杭州电子科技大学 | 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 |
| CN111501097A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种大晶畴尺寸ws2单晶的生长方法 |
| CN112695381A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-23 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种快速生长超薄大尺寸单晶过渡金属硫/硒化物的方法 |
| CN112871397A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-06-01 | 浙江爱润特汽车科技有限公司 | 一种纳米级二硫化钨材料及其制备方法、装置 |
| CN113136560A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-20 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种新型自组装分形结构硫化钨材料及其制备方法 |
| CN114014363A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-02-08 | 河北大学 | 一种二维wx2材料及其制备方法 |
| CN114990523A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-09-02 | 西北工业大学 | 一种二维材料扭角ws2的制备及二维材料扭角ws2 |
| WO2023193637A1 (zh) * | 2022-04-07 | 2023-10-12 | 北京大学 | 在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105887015A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-24 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 |
| CN106007796A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-10-12 | 浙江师范大学 | 一种二硫化钨单层薄膜的制备方法 |
-
2016
- 2016-11-17 CN CN201611013938.2A patent/CN106811731A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105887015A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-24 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 |
| CN106007796A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-10-12 | 浙江师范大学 | 一种二硫化钨单层薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| QI FU等: "Controllable synthesis of high quality monolayer WS2 on a SiO2/Si substrate by chemical vapor deposition", 《RSC ADVANCES》 * |
| 巩哲等: "化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨", 《发光学报》 * |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107557753A (zh) * | 2017-07-12 | 2018-01-09 | 华东师范大学 | 一种室温磁性二维VSe2薄膜化学气相沉积生长方法 |
| CN107557753B (zh) * | 2017-07-12 | 2018-08-10 | 华东师范大学 | 一种室温磁性二维VSe2薄膜化学气相沉积生长方法 |
| CN107557754A (zh) * | 2017-07-21 | 2018-01-09 | 杭州电子科技大学 | 一种二硫化钨薄膜的制备方法 |
| CN108118395A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-05 | 北京科技大学 | 一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法 |
| CN109183156A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-11 | 西北工业大学 | 一种二硫化物单晶及其制备方法和用途 |
| CN110373718A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-10-25 | 杭州电子科技大学 | 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 |
| CN111501097A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种大晶畴尺寸ws2单晶的生长方法 |
| CN112695381A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-23 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种快速生长超薄大尺寸单晶过渡金属硫/硒化物的方法 |
| CN112871397A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-06-01 | 浙江爱润特汽车科技有限公司 | 一种纳米级二硫化钨材料及其制备方法、装置 |
| CN113136560A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-20 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种新型自组装分形结构硫化钨材料及其制备方法 |
| CN114014363A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-02-08 | 河北大学 | 一种二维wx2材料及其制备方法 |
| WO2023193637A1 (zh) * | 2022-04-07 | 2023-10-12 | 北京大学 | 在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法 |
| CN114990523A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-09-02 | 西北工业大学 | 一种二维材料扭角ws2的制备及二维材料扭角ws2 |
| CN114990523B (zh) * | 2022-05-23 | 2024-04-26 | 西北工业大学 | 一种二维材料扭角ws2的制备及二维材料扭角ws2 |
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