JPH1129854A - 機能性薄膜の形成方法及び形成装置 - Google Patents

機能性薄膜の形成方法及び形成装置

Info

Publication number
JPH1129854A
JPH1129854A JP9188079A JP18807997A JPH1129854A JP H1129854 A JPH1129854 A JP H1129854A JP 9188079 A JP9188079 A JP 9188079A JP 18807997 A JP18807997 A JP 18807997A JP H1129854 A JPH1129854 A JP H1129854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
functional
heating
substrate
functional material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9188079A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3508484B2 (ja
Inventor
Toshiaki Kunieda
敏明 国枝
Toshibumi Kamiyama
俊文 神山
Yoshiyuki Okazaki
禎之 岡崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP18807997A priority Critical patent/JP3508484B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to PCT/JP1998/003125 priority patent/WO1999004057A1/ja
Priority to CNB988068745A priority patent/CN1189588C/zh
Priority to EP98931067A priority patent/EP0997552B1/en
Priority to TW087111346A priority patent/TW377438B/zh
Priority to DE69826478T priority patent/DE69826478T2/de
Priority to KR1019997012309A priority patent/KR100330338B1/ko
Priority to US09/462,580 priority patent/US6337105B1/en
Publication of JPH1129854A publication Critical patent/JPH1129854A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3508484B2 publication Critical patent/JP3508484B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 機能性を有する薄膜を真空蒸着法により形成
する場合、機能性材料を上方より加熱することにより、
蒸発時に機能性材料自身の突沸やスプラッシュが発生し
ない機能性薄膜の形成方法を提供すること。 【解決手段】 機能性材料７を収納容器８に収納し、上
方より機能性材料７を上加熱ヒーター９で加熱すること
により突沸やスプラッシュを抑える。その結果、スプラ
ッシュやピンホールの無い均質な機能性薄膜が得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機能性薄膜の形成
方法、および形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、機能性薄膜は光記録媒体や感光ド
ラムなどの情報記録用やカラーフィルター、薄膜ＥＬパ
ネルなどの情報表示用、さらには、エネルギー変換用、
医療診断用などの幅広い分野で用いられている。これら
の薄膜は何れもスピンコートなどの湿式工法や真空蒸着
やスパッタなどの乾式工法で形成されている。
【０００３】中でも、光記録媒体のひとつで機能性色素
を使用した追記型光ディスク（ＣＤ−Ｒ）がＣＤプレー
ヤやＣＤ−ＲＯＭドライブで信号を読み出すことができ
るという利便性から最近、注目視されている。従来、こ
の記録層は色素溶液を塗布し乾燥させることにより形成
しているが、製造許容度が狭く経験的なノウハウ・熟練
度を必要としている。
【０００４】これに対し、均一な膜が比較的形成容易な
蒸着で記録層を形成する試みも考えられている。例え
ば、特公平８−１３５７２号公報には、モリブデンボー
トから蒸着により基板上に有機薄膜を形成させた光記録
媒体が記載されている。一方、装置としては、特公平７
−６２２４９号公報に光ディスクの記録層を蒸着により
形成させる装置が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記真空
蒸着法では、有機色素材料を加熱した時に突沸やスプラ
ッシュが頻繁に発生して、ピンホールなどの膜欠陥が生
じ実用化されていないのが現状である。
【０００６】本発明は、それらの課題を解決し、欠陥の
少ない均質な薄膜を形成する形成方法及び形成装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、蒸発容器に機能性材料を収納し、真空中で
加熱、蒸発させ基板に機能性薄膜を形成する方法におい
て、機能性材料を上方より加熱し、蒸発させて基板に機
能性薄膜を形成させるものである。
【０００８】この発明によればピンホールの無い高品質
な機能性薄膜が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、蒸発容器に機能性材料を収納し、真空中で加熱、蒸
発させ基板に機能性薄膜を形成する方法において、機能
性材料を上方より加熱するものであり、これにより収納
された機能性材料は材料の上方が内部より温度が高くな
り、さらに加熱すると、上方より順次、機能性材料が突
沸やスプラッシュを起こすことなく蒸発できる。これに
対し、従来では、内部の温度の方が上方よりも高く、温
度の高い内部において発生した蒸発分子が温度の低い上
部の中を通過するために突沸やスプラッシュが発生して
いた。
【００１０】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。図１、図２及び図３は本発明の
機能性薄膜の形成方法及び形成装置を、図４は本実施例
に於いて製造される光記録媒体の基本構造の一例を説明
する図である。
【００１１】（実施の形態１）図１に示す本実施の形態
の装置において、１はベースプレートであり、この上に
中が良く見えるガラスベルジャータイプの真空槽２が載
置されている。この中は拡散ポンプやクライオポンプ、
ターボ分子ポンプなどの真空ポンプ３により真空排気さ
れる。
【００１２】この真空槽２内の上方には基板４、膜厚モ
ニター５、シャッター６が配置され、下方には機能性材
料７を収納している収納容器８、上加熱ヒーター９、予
備加熱ヒーター１０が配置されている。基板４と収納容
器８との間隔は２０〜３０ｃｍであり、基板４とシャッ
ター６の間隔は３〜５ｃｍである。
【００１３】膜厚モニター５は水晶振動子型の一般的な
ものである。基板４はポリカーボネイトやポリオレフィ
ン、ポリメチルメタアクリレートなどのプラスチック材
料である。機能性材料７はフタロシアニン系、ナフタロ
シアニン系、スクアリリウム系、コロコニウム系、ピリ
リウム系、ナフトキノン系、アントラキノン系、キサン
テン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒ
ドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン
系染料、ポリメチン系色素などの有機色素材料である。
【００１４】収納容器８の形状は特に規定はないが材質
は５００度程度の耐熱性があること、また発熱時にアウ
トガスの少ないことが求められる。金属に比べ熱伝導率
の低いセラミックなどを使用すると熱効率のよい蒸着が
できる。
【００１５】上加熱ヒーター９はタンタルやモリブデ
ン、タングステンなどの高融点金属材料からなってお
り、その形状としては図２に示しているようにワイヤー
型Ａ、渦巻き型Ｂ、網目型Ｃ、平板に複数個の貫通孔を
有する多孔型Ｄなどからなっている。これらの中で、特
に板状の多孔型Ｄのヒーターは蒸発効率に優れている。
【００１６】予備加熱ヒーター１０はニクロム線タイプ
のヒーターで構成され、発熱時にアウトガスがほとんど
出ないように設計されている。
【００１７】各ヒーターはそれぞれリード線１１ａ，１
１ｂで電極導入端子１２ａ、１２ｂと接続されている。
これらの端子はベースプレート１の真空外で直流、ある
いは交流の加熱電源に接続されている。
【００１８】次に薄膜形成プロセスの説明に移る。ま
ず、機能性材料７のひとつである有機色素材料を収納容
器８に入れ、基板４をセットし、シャッター６を閉じ、
真空槽２をベースプレート１に載置して内部を真空ポン
プ３で１×１０-5Ｔｏｒｒまで排気する。次に上加熱ヒ
ーター９に電流を流し有機色素材料を上から加熱する。
ここで電流を増やしていくと蒸発が始まる。
【００１９】次に、シャッター６をあけ基板４に薄膜を
形成させる。ここで膜厚モニター５で膜厚を観測しなが
ら、所定の膜厚になったら、シャッター６を閉じる。蒸
着時間は約１分間である。このとき、上加熱ヒーター９
を加熱する前に、蒸発が起こらない範囲内で予備加熱ヒ
ーター１０を入れておくと上加熱ヒーター９を加熱した
時に蒸発レートが高くとれ、より短時間で効率良く蒸着
ができる。
【００２０】予備加熱ヒーター１０のみで下から加熱し
て蒸発させようとすると真空中での機能性材料の熱伝導
が悪いため内部と上方で温度差が起こり、上方の低い温
度のところに温度の高い下方の蒸発分子が入ってくるた
め突沸やスプラッシュが起こる。
【００２１】（実施の形態２）図３に示す本実施の形態
の装置に於いて、ほぼ実施の形態１と同じであるが、上
加熱ヒーターの代わりに真空槽２には、光ビーム導入筒
１３と導入ガラス窓１４、集光機構１６が備わった光ビ
ーム源１５が加わっている。
【００２２】光ビーム源１５は真空槽２外の大気から光
エネルギーを真空内の有機色素材料に供給するもので、
ハロゲンランプなどが使用される。光ビーム源１５は発
生した光エネルギーを効率良く用いるために、ミラーか
らなる集光機構１６とセットになっている。
【００２３】また、この集光機構をもった光ビーム源の
代わりにレーザー光源を用いてもいいことはいうまでも
ない。導入ガラス窓１４は光吸収の少ない石英板からな
っている。光ビーム導入筒１３は真空槽２に追加加工し
て設けている。
【００２４】この場合の薄膜形成プロセスは、機能性材
料７の加熱を光ビーム源１５で行う以外は実施形態１と
同じである。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の具体例として実施した光記録
媒体を説明する。本実施例では１．２ｍｍのポリカボネ
ート基板上に膜厚０．１５μｍのフタロシアニン系の機
能性材料からなる光記録膜層を本発明により形成し、続
いてその上に、０．１μｍの金の反射膜層をスパッタ法
により形成し、その後、真空槽から取り出して、さらに
その上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜層４をスピンコ
ータ法により５μｍ形成して光記録媒体を作製した。
【００２６】図４はこのようにして作製した光記録媒体
の断面構成図を示す。３はスパイラル状のグルーブが刻
まれているポリカボネートの基板、１７はフタロシアニ
ン系の光記録膜層、１８は金の反射膜層、１９は紫外線
硬化樹脂の保護膜層である。
【００２７】（実施例１）図１において、上加熱ヒータ
ー９に直流電流７０アンペアを流して、フタロシアニン
系の色素材料を上方より加熱し、蒸発させて基板に色素
薄膜を形成させた光記録媒体を３０枚試作した。
【００２８】（実施例２）図３において、光ビーム源１
４に２００ワットの電力を投入してフタロシアニン系の
色素材料を上方より加熱し、蒸発させて基板に色素薄膜
を形成させた光記録媒体を３０枚試作した。
【００２９】（比較例）図１において、上加熱ヒーター
９は用いずに補助加熱ヒーター１０に１５０ワットの電
力を投入してフタロシアニン系の色素材料を補助加熱ヒ
ーター１０のみを用いて下方より加熱し、蒸発させて基
板に色素薄膜を形成させた光記録媒体を３０枚試作し
た。
【００３０】上記のようにして得られた光記録媒体につ
いて、ビットエラーレートを測定し、さらに全領域にお
ける大きさが３０μｍ以上のピンホールの数を求め、１
枚当たりの数が基準値である１０個を越えたディスクの
枚数を抽出した。
【００３１】（１）ビットエラーレート ビットエラーレートは１ｓｅｃ当たりのバイトエラー数
で、１７６４００バイト／ｓｅｃで構成したとき、１バ
イトのエラー発生頻度がビットエラーレート５．６×１
０-６に相当する。
【００３２】（２）ピンホール ピンホールは、ディスクの裏面から光を照射し、目視で
その個数をカウントする。
【００３３】その結果、（実施例１）に於いては、３０
枚の平均ビットエラーレートは２．０×１０-５で、ピ
ンホール数が基準を超えたディスクは１枚であった。
【００３４】（実施例２）に於いては、３０枚の平均ビ
ットエラーレートは１．０×１０-5で、ピンホール数が
基準を超えたディスクは０枚であった。
【００３５】（比較例）に於いては、３０枚の平均ビッ
トエラーレートは２２．０×１０-5で、ピンホール数が
基準を超えたディスクは１６枚であった。
【００３６】上記のようにフタロシアニン系の色素材料
を上方より加熱し、蒸発させて基板に色素薄膜を形成す
ると、ピンホールの少ない、均質化が図られた光記録媒
体ができ、ビットエラーレートなどの品質が向上する。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板上に
機能性薄膜を形成する時に、機能性材料を上方から加熱
することにより、機能性材料の突沸やスプラッシュなど
を抑えることができ、その結果、基板上には飛来物であ
るスプラッシュやその抜け殻であるピンホールが無い均
質な機能性薄膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に於ける機能性薄膜の形
成装置を示す図
【図２】本発明の実施の形態１に於ける上加熱ヒーター
の形状を示す図
【図３】本発明の実施の形態２に於ける機能性薄膜の形
成装置を示す図
【図４】本発明の実施例である光記録媒体の断面構成図
【符号の説明】
１ ベースプレート ２ 真空槽 ３ 真空ポンプ ４ 基板 ５ 膜厚モニター ６ シャッター ７ 機能性材料 ８ 収納容器 ９ 上加熱ヒーター １０ 予備加熱ヒーター １１ リード線 １２ 電極導入端子 １３ 光ビーム導入筒 １４ 導入ガラス窓 １５ 光ビーム源 １６ 集光機構 １７ 光記録膜層 １８ 反射膜層 １９ 保護膜層

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】蒸発容器に機能性材料を収納し、真空中で
    加熱、蒸発させ基板に機能性薄膜を形成する方法であっ
    て、機能性材料を上方より加熱し、蒸発させて基板に機
    能性薄膜を形成する機能性薄膜の形成方法。
  2. 【請求項２】基板に真空蒸着により機能性薄膜を形成す
    る薄膜形成装置であって、上方より加熱する加熱源を備
    えた機能性薄膜の形成装置。
  3. 【請求項３】蒸発容器が機能性材料の蒸発温度以下で加
    熱されていることを特徴とする請求項１記載の機能性薄
    膜の形成方法。
  4. 【請求項４】蒸発容器を機能性材料の蒸発温度以下で加
    熱する加熱源を備えた請求項２記載の機能性薄膜の形成
    装置。
  5. 【請求項５】機能性材料を上方より加熱する加熱源が複
    数個の貫通孔を有する電気ヒーターであることを特徴と
    する請求項１記載の機能性薄膜の形成方法。
  6. 【請求項６】機能性材料を上方より加熱する加熱源が複
    数個の貫通孔を有する電気ヒーターであることを特徴と
    する請求項２記載の機能性薄膜の形成装置。
  7. 【請求項７】機能性材料を上方より加熱する加熱源が集
    光機構を有する光ビーム源であることを特徴とする請求
    項１記載の機能性薄膜の形成方法。
  8. 【請求項８】機能性材料を上方より加熱する加熱源が集
    光機構を有する光ビーム源であることを特徴とする請求
    項２記載の機能性薄膜の形成装置。
  9. 【請求項９】機能性材料を上方より加熱する加熱源がレ
    ーザー光源であることを特徴とする請求項１記載の機能
    性薄膜の形成方法。
  10. 【請求項１０】機能性材料を上方より加熱する加熱源が
    レーザー光源であることを特徴とする請求項２記載の機
    能性薄膜の形成装置。
  11. 【請求項１１】機能性材料が有機色素材料である請求項
    １または３記載の機能性薄膜の形成方法。
JP18807997A 1997-07-14 1997-07-14 機能性薄膜の形成方法及び形成装置 Expired - Fee Related JP3508484B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18807997A JP3508484B2 (ja) 1997-07-14 1997-07-14 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
CNB988068745A CN1189588C (zh) 1997-07-14 1998-07-13 功能性薄膜的形成方法及形成装置
EP98931067A EP0997552B1 (en) 1997-07-14 1998-07-13 Method and apparatus for forming thin functional film
TW087111346A TW377438B (en) 1997-07-14 1998-07-13 Method of forming functional thin film and apparatus for the same
PCT/JP1998/003125 WO1999004057A1 (fr) 1997-07-14 1998-07-13 Procede de fabrication de film fonctionnel mince et appareil correspondant
DE69826478T DE69826478T2 (de) 1997-07-14 1998-07-13 Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dünnen funktionsfilmen
KR1019997012309A KR100330338B1 (ko) 1997-07-14 1998-07-13 기능성 박막의 형성방법 및 형성장치
US09/462,580 US6337105B1 (en) 1997-07-14 1998-07-13 Method and apparatus for forming thin functional film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18807997A JP3508484B2 (ja) 1997-07-14 1997-07-14 機能性薄膜の形成方法及び形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1129854A true JPH1129854A (ja) 1999-02-02
JP3508484B2 JP3508484B2 (ja) 2004-03-22

Family

ID=16217345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18807997A Expired - Fee Related JP3508484B2 (ja) 1997-07-14 1997-07-14 機能性薄膜の形成方法及び形成装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6337105B1 (ja)
EP (1) EP0997552B1 (ja)
JP (1) JP3508484B2 (ja)
KR (1) KR100330338B1 (ja)
CN (1) CN1189588C (ja)
DE (1) DE69826478T2 (ja)
TW (1) TW377438B (ja)
WO (1) WO1999004057A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007039767A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着用蒸発装置
JP2007039768A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着用蒸発方法および装置
JP2007231368A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Fujifilm Corp 蒸着材料蒸発装置
JP2011256427A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置
JP2013091857A (ja) * 2004-06-17 2013-05-16 Global Oled Technology Llc 温度に敏感な材料の気化

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
US6513451B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device
KR100524593B1 (ko) * 2001-07-03 2005-10-28 주식회사 컴텍스 열매체히팅소스를 이용한 유기el표시소자용 진공증착장치
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
EP1369499A3 (en) 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
JP2004006465A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
KR100623374B1 (ko) 2003-08-18 2006-09-18 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
WO2005072242A2 (en) * 2004-01-21 2005-08-11 Microcontinuum, Inc. Pre-formatted linear optical data storage medium
US9307648B2 (en) 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
US7402779B2 (en) * 2004-07-13 2008-07-22 Lucent Technologies Inc. Effusion cell and method for use in molecular beam deposition
US7431807B2 (en) 2005-01-07 2008-10-07 Universal Display Corporation Evaporation method using infrared guiding heater
CA2643510C (en) 2006-02-27 2014-04-29 Microcontinuum, Inc. Formation of pattern replicating tools
US20100159132A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-24 Veeco Instruments, Inc. Linear Deposition Source
WO2011065998A1 (en) * 2008-12-18 2011-06-03 Veeco Instruments Inc. Linear deposition source
US20130160712A1 (en) * 2010-09-01 2013-06-27 Sharp Kabushiki Kaisha Evaporation cell and vacuum deposition system the same
US9589797B2 (en) 2013-05-17 2017-03-07 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices
CN106894252A (zh) * 2015-12-17 2017-06-27 睿想科技有限公司 一种纺织品无水染色技术
CN106079955A (zh) * 2016-06-12 2016-11-09 青岛海尔空调器有限总公司 模内转印方法、膜内转印装置和模内转印面板
JP6436544B1 (ja) * 2017-08-07 2018-12-12 キヤノントッキ株式会社 蒸発源装置およびその制御方法
CN110021715B (zh) * 2018-01-09 2021-12-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀源及有机发光二极管显示面板的制造方法
EP3749796B1 (en) * 2018-02-05 2022-06-08 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus for depositing evaporated material and methods therefor
EP3866977A1 (en) * 2018-10-15 2021-08-25 Universiteit Maastricht Sample preparation apparatus
DE102020111081A1 (de) 2020-04-23 2021-10-28 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren, Steuervorrichtung und Prozessiervorrichtung

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2435997A (en) 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
US3570449A (en) * 1969-03-13 1971-03-16 United Aircraft Corp Sensor system for a vacuum deposition apparatus
JPS5234039B2 (ja) 1973-06-04 1977-09-01
JPS5022639A (ja) * 1973-06-28 1975-03-11
US4015029A (en) * 1975-06-27 1977-03-29 Xerox Corporation Selenium and selenium alloy evaporation technique
US4340655A (en) * 1980-06-18 1982-07-20 Eastman Kodak Company Thermal and mechanical barrier layers for optical recording elements
JPS59126775A (ja) * 1983-01-06 1984-07-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
JPS6069834A (ja) * 1983-09-24 1985-04-20 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法およびその装置
JPS6169960A (ja) * 1984-09-12 1986-04-10 Hitachi Ltd 保護膜形成方法及びその装置
JPS6277455A (ja) * 1985-09-30 1987-04-09 Teijin Ltd 近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方法
JPS6318053A (ja) * 1986-07-08 1988-01-25 Nippon Kentetsu Co Ltd 有色薄膜の生成方法
US4921780A (en) 1987-06-12 1990-05-01 Canon Kabushiki Kaisha Optical recording medium
JPH02310363A (ja) * 1989-05-24 1990-12-26 Mitsubishi Electric Corp レーザ蒸着装置
JPH04271031A (ja) 1991-01-17 1992-09-28 Pioneer Electron Corp 光記録媒体
JP3421064B2 (ja) * 1992-12-11 2003-06-30 株式会社アルバック ガスバリヤフィルムの製造方法と装置
JP3373610B2 (ja) 1993-08-23 2003-02-04 オリヱント化学工業株式会社 帯電性樹脂粉体及びその関連技術
JPH0813572A (ja) 1994-06-22 1996-01-16 Inax Corp トイレルームにおける排水構造
JP2762044B2 (ja) 1994-12-07 1998-06-04 川崎重工業株式会社 分子配向膜の製造方法及び装置
JPH09111441A (ja) 1995-10-20 1997-04-28 Nisshin Steel Co Ltd Ｍｇ蒸発方法
JPH1025563A (ja) * 1996-07-08 1998-01-27 Shinko Seiki Co Ltd 真空蒸着装置及び真空蒸着方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013091857A (ja) * 2004-06-17 2013-05-16 Global Oled Technology Llc 温度に敏感な材料の気化
JP2007039767A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着用蒸発装置
JP2007039768A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着用蒸発方法および装置
JP4679291B2 (ja) * 2005-08-05 2011-04-27 日立造船株式会社 真空蒸着用蒸発方法および装置
JP4726570B2 (ja) * 2005-08-05 2011-07-20 日立造船株式会社 真空蒸着用蒸発装置
JP2007231368A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Fujifilm Corp 蒸着材料蒸発装置
JP2011256427A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1189588C (zh) 2005-02-16
US6337105B1 (en) 2002-01-08
CN1261926A (zh) 2000-08-02
EP0997552A1 (en) 2000-05-03
DE69826478T2 (de) 2005-02-03
EP0997552B1 (en) 2004-09-22
KR20010014222A (ko) 2001-02-26
WO1999004057A1 (fr) 1999-01-28
JP3508484B2 (ja) 2004-03-22
TW377438B (en) 1999-12-21
EP0997552A4 (en) 2001-05-02
DE69826478D1 (de) 2004-10-28
KR100330338B1 (ko) 2002-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3508484B2 (ja) 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
US4335198A (en) Process for recording
JPH11328725A (ja) 記録媒体およびその製造方法
EP0927995A1 (en) Optical recording medium and method of its manufacture
JPH01228894A (ja) 光学的情報記録媒体およびその製法
US6355311B1 (en) Method for making an optical recording medium and an optical recording medium obtained by the method
JPS593731A (ja) 情報原盤の製造方法
JPS58158056A (ja) レ−ザ記録媒体およびその製造方法
JP3085145B2 (ja) 光記録媒体の製造方法
JPH10310863A (ja) 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
JP2725806B2 (ja) 強誘電性高分子光記録媒体
JP4755680B2 (ja) 光情報記録媒体およびその製造方法
JP2663912B2 (ja) ディスクの製造方法
JP2002116313A (ja) 反射シート及びそれを用いたリフレクター
JPH0298847A (ja) 情報記録媒体の製造方法
JPS60187952A (ja) 光デイスク用スタンパの製造方法
JP2009093725A (ja) 光情報記録媒体
JP2007077490A (ja) スパッタリング方法及び装置
JPH09326139A (ja) 相変化型光ディスクの製造方法
JPH06208730A (ja) 光記録媒体
JPH09274744A (ja) 金属原盤製造方法
JP2003217189A (ja) 光学記録媒体製造用スタンパの製造方法
JP2002092990A (ja) 光情報記録媒体の製造方法及び光情報記録媒体
JPH04316889A (ja) 光記録媒体
JPS62192042A (ja) 光記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20031215

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees