JPS6277455A - 近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方法 - Google Patents
近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6277455A JPS6277455A JP21519185A JP21519185A JPS6277455A JP S6277455 A JPS6277455 A JP S6277455A JP 21519185 A JP21519185 A JP 21519185A JP 21519185 A JP21519185 A JP 21519185A JP S6277455 A JPS6277455 A JP S6277455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposited
- near infrared
- vapor
- phthalocyanine
- inert gas
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なフタロシアニン＃ｙｔの製造方法に関
する。さらに訂しくに、近亦外呻ｍ（城に吸収極大を有
するフタロシアニン蒸着膜の製造方法に関する。
する。さらに訂しくに、近亦外呻ｍ（城に吸収極大を有
するフタロシアニン蒸着膜の製造方法に関する。
従来、金属含有フタロシアニンは、その１１ｈ・１熱性
、化学的安定性にカロえ、特１奴的な発色や光学的又は
電気的！ｌ：質をｔ４ｉｉえていることから、励料や光
４ 砿体等、様々の分野で使用されてきた。
、化学的安定性にカロえ、特１奴的な発色や光学的又は
電気的！ｌ：質をｔ４ｉｉえていることから、励料や光
４ 砿体等、様々の分野で使用されてきた。
一方、近年、小型で妊鼠かつ安価な半導体レーザの波長
域に吸収窪大を仔する光記録材料の出金にフタロシアニ
ンが提案されている（ ｆｉｌえば特１）１）昭５９−
１６１５３号、及び同５８−５６８９２号各公報）。通
常の具を蒸着条件下で作成された金属フタロシアニンは
６００〜７００ ｎｍ にしか吸収を有さないが、上
’ａｔ公＠Ｊ記載の方法に従えば、その吸収スペクトル
は８ｏＯ〜９００ｏｍにシフトすると報告されている。
域に吸収窪大を仔する光記録材料の出金にフタロシアニ
ンが提案されている（ ｆｉｌえば特１）１）昭５９−
１６１５３号、及び同５８−５６８９２号各公報）。通
常の具を蒸着条件下で作成された金属フタロシアニンは
６００〜７００ ｎｍ にしか吸収を有さないが、上
’ａｔ公＠Ｊ記載の方法に従えば、その吸収スペクトル
は８ｏＯ〜９００ｏｍにシフトすると報告されている。
しかしながら、前者（特囲昭５９−１６１５３号公報）
記載の方法では、蒸Ｃイ（の７タロシアニンＩ４膜を、
吸収スペクトルシフト化バ１ｊの溶成中に浸漬し、’ｌ
’Ｌ燥するという繁維守手順を便する。１だ、饋酋の沼
見（荷開昭５８−５６８９２号公法）によれば、ガ晋感
水素Ｑ子をフッ素原子で置換した金属フタロシアニンは
、８００ｏｍ 近辺に吸収を示すようになるが、その
Ｉ＆元係数は小さく、実用的でない。
記載の方法では、蒸Ｃイ（の７タロシアニンＩ４膜を、
吸収スペクトルシフト化バ１ｊの溶成中に浸漬し、’ｌ
’Ｌ燥するという繁維守手順を便する。１だ、饋酋の沼
見（荷開昭５８−５６８９２号公法）によれば、ガ晋感
水素Ｑ子をフッ素原子で置換した金属フタロシアニンは
、８００ｏｍ 近辺に吸収を示すようになるが、その
Ｉ＆元係数は小さく、実用的でない。
以上の点に鑑みて、本発明者らは近赤外線領域に充分な
吸収強度を有するフタロシアニン薄膜を、→べく、その
１製造法を鋭意研究の結果、驚くべきことに７タロシ７
ニンの蒸着を不ｒ＾性ガスの存在下で行なうだけで、上
記目的、に合った蒸４Ｊ膜が得られることを見い出し、
本発明を完成するに到った。
吸収強度を有するフタロシアニン薄膜を、→べく、その
１製造法を鋭意研究の結果、驚くべきことに７タロシ７
ニンの蒸着を不ｒ＾性ガスの存在下で行なうだけで、上
記目的、に合った蒸４Ｊ膜が得られることを見い出し、
本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明は、下記式（Ｉ）で表わされる金シア
ニン隔ｎ族の製造法であるＯ ２Ｘ２ 本発明に用いられる不活性気体としては、アルゴン、ヘ
リウム、ネオン、窒素、クリプトン等が挙げられるが中
でもアルゴン、又はヘリウムが好ましい。これらの不活
性ガスは、金属フタｐンアニン分子を蒸着中に充分散乱
させるのに必要な圧力、即ち、１ＯＰ１１以上、好まし
くは２０Ｐａ 以上となる様に系に導入される。
ニン隔ｎ族の製造法であるＯ ２Ｘ２ 本発明に用いられる不活性気体としては、アルゴン、ヘ
リウム、ネオン、窒素、クリプトン等が挙げられるが中
でもアルゴン、又はヘリウムが好ましい。これらの不活
性ガスは、金属フタｐンアニン分子を蒸着中に充分散乱
させるのに必要な圧力、即ち、１ＯＰ１１以上、好まし
くは２０Ｐａ 以上となる様に系に導入される。
不活性ガスの導入効果は１５０Ｐａ近辺で飽和するが゛
必要に応じてこれ以上の圧力、例えば常圧又は加圧下で
行ってもよい。その圧力は、金属フタロシアニンの４４
類によっても異なるが、例えば、銅フタロシアニンの場
合、２３Ｐ！１ 以上が適当である。また、本うＬ明
に用いられる金属フタロシアニンの金属としては、銅、
錫、鉛、亜鉛、白金、ルテチウム、エルビウム、コバル
ト、ニッケル、及びチタンのいずれかが好ましい。
必要に応じてこれ以上の圧力、例えば常圧又は加圧下で
行ってもよい。その圧力は、金属フタロシアニンの４４
類によっても異なるが、例えば、銅フタロシアニンの場
合、２３Ｐ！１ 以上が適当である。また、本うＬ明
に用いられる金属フタロシアニンの金属としては、銅、
錫、鉛、亜鉛、白金、ルテチウム、エルビウム、コバル
ト、ニッケル、及びチタンのいずれかが好ましい。
また、フタロシアニンはその芳香ねｔの水素Ｄ’Ａ 子
の一部又は全てがクロル又はフッ素原子等のハロゲン原
子において置換されていても横わない。
の一部又は全てがクロル又はフッ素原子等のハロゲン原
子において置換されていても横わない。
蒸着の際に用いる基板としては、９イに制限はなく、ガ
ラス叡、尚分子フィルムおよびこれらの表面に金属また
は金属化合ｍｌ！Ｉ（例えば、酸化ウス（工塩化窃）を
予め熱着したもの等を用いることが可１ｔである。本つ
６ψＪの熱材条件は、金属フタロシアニンと不ｌ古仙鷹
（悴の４ｊｌ！力４によって、実験により決のられ、焦
看膜か近亦外市域に吸収スペクトルを有する様に条件直
定される。
ラス叡、尚分子フィルムおよびこれらの表面に金属また
は金属化合ｍｌ！Ｉ（例えば、酸化ウス（工塩化窃）を
予め熱着したもの等を用いることが可１ｔである。本つ
６ψＪの熱材条件は、金属フタロシアニンと不ｌ古仙鷹
（悴の４ｊｌ！力４によって、実験により決のられ、焦
看膜か近亦外市域に吸収スペクトルを有する様に条件直
定される。
以下、実施ｗすをあげ本発明をさらに詳しく説明する１
゜ 実施？＋１１ 紺フタロシアニン旬末をＩＬ空蒸抄１ｉ内に人ｉｔ、４
００〜５００℃ｔて２）０熱し、系内の圧力が１３３
Ｐａ になるようにアルゴンカスな導入しながら石英ガ
ラス搬上にフタロシアニン薄膜を蒸着した。
゜ 実施？＋１１ 紺フタロシアニン旬末をＩＬ空蒸抄１ｉ内に人ｉｔ、４
００〜５００℃ｔて２）０熱し、系内の圧力が１３３
Ｐａ になるようにアルゴンカスな導入しながら石英ガ
ラス搬上にフタロシアニン薄膜を蒸着した。
触針法（タリスデツプ）によるし！厚は１２０ＣＩＡで
あった。このものをｕｖ−ｖｒｓスペクトルメーターを
用いてａ収曲線を求めると、６０５ｏｍ（ｌｏｇ ｔ
： ４．夕１）と７９０ｏｍ（ｌｏｇｓ： ！Ｅ；、
３ｏ）Ｖｃ極大吸収を存することが分った。
あった。このものをｕｖ−ｖｒｓスペクトルメーターを
用いてａ収曲線を求めると、６０５ｏｍ（ｌｏｇ ｔ
： ４．夕１）と７９０ｏｍ（ｌｏｇｓ： ！Ｅ；、
３ｏ）Ｖｃ極大吸収を存することが分った。
比較レロ
′ＸＡ袖ｔｐｌｊ Ｉ Ｖｃ於て、アルゴンガスを用い
ないで１０−５〜１Ｏ−６１ｏｒｒの真空下で同様に銅
フタロシアニンを石矢玖上に蒸着した。
ないで１０−５〜１Ｏ−６１ｏｒｒの真空下で同様に銅
フタロシアニンを石矢玖上に蒸着した。
このものは、ＬＩＶ−ＶＩＳ吸収曲線に於て６１０と６
９０ｎｍＫＪｉ大吸収を示したが、７５０ｎｍ以上には
仲人吸収を示さなかった。
９０ｎｍＫＪｉ大吸収を示したが、７５０ｎｍ以上には
仲人吸収を示さなかった。
央九′１す２
実施列ｌに於て、アルゴンガスの代りにヘリウムガス’
ｋ１３３ｉ’ａの圧力になるよう導入しながら同様に鋼
、ツタ−シアニンの蒸着を行なった結果、６０３ｎｍ
（Ｉｏｇｔ： ４． Ｆ？） ）と７７５ｎｍ（ｌｏｇ
ｔ：”３ 、１０ ） ｉｃ吸収極太ヲ有するＵＶ−
ＶＩ８スペクトルかえられた。
ｋ１３３ｉ’ａの圧力になるよう導入しながら同様に鋼
、ツタ−シアニンの蒸着を行なった結果、６０３ｎｍ
（Ｉｏｇｔ： ４． Ｆ？） ）と７７５ｎｍ（ｌｏｇ
ｔ：”３ 、１０ ） ｉｃ吸収極太ヲ有するＵＶ−
ＶＩ８スペクトルかえられた。
実施例３〜１１
実施例１に於て謁フタロシア二ノの代りに、下記−Ａ１
に示したｉ ｒ、Ｌｓ ７りｐシアニンを用いて同様に
蒸着を行なった。
に示したｉ ｒ、Ｌｓ ７りｐシアニンを用いて同様に
蒸着を行なった。
イＵられた黒ａノ良の４に大吸収教茨を表１に示した。
実施例１２
実施例１に於て、嗣フタロシアニンの代りにヘキサデカ
フルオｔｙ ｍｉミツタロシアニン用いて同様に蒸着膜
を１陪た。このもののヤｉ大吸ｌ又波長は一６０３１１
ｍ（ｌｏｇε’、１７！、ｙ、ｐ＞ と７８４ｎｍ（
ｌｏｇ ｇ ： Ｊ’ 、 Ｊ７ ）であった。
フルオｔｙ ｍｉミツタロシアニン用いて同様に蒸着膜
を１陪た。このもののヤｉ大吸ｌ又波長は一６０３１１
ｍ（ｌｏｇε’、１７！、ｙ、ｐ＞ と７８４ｎｍ（
ｌｏｇ ｇ ： Ｊ’ 、 Ｊ７ ）であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記式（ I ）で表わされる金属フタロシアニンを
、不活性気体の雰囲気下で固体基板上に蒸着することを
特徴とする近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方
法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３及びＸ＿４は各々独立
に、水素原子、またはハロゲン原子のいずれかを表す。 また、Ｍは重金属又は遷移金属を表わす。〕 ２ 当該
不活性気体が、アルゴン又は／及びヘリウムである特許
請求の範囲第１項記載の近赤外線吸収フタロシアニン蒸
着膜の製造方法。 ３ 当該式（ I ）中のＭが、銅、錫、鉛、亜鉛、白金
、ルテチウム、エルビウム、コバルト、ニッケル、チタ
ンのいずれかである特許請求の範囲第１項記載の近赤外
線吸収金属フタロシアニン蒸着膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21519185A JPS6277455A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21519185A JPS6277455A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277455A true JPS6277455A (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=16668185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21519185A Pending JPS6277455A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 近赤外線吸収フタロシアニン蒸着膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277455A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307255A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機機能性材料薄膜の製造方法及びその製造装置 |
| US5139592A (en) * | 1988-07-13 | 1992-08-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Low gravity enhanced growth of phthalocyanine polymorphs and films |
| WO1999004057A1 (fr) * | 1997-07-14 | 1999-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication de film fonctionnel mince et appareil correspondant |
| US6291031B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for preparing optical recording medium and preparation apparatus therefor |
| CN102268001A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-12-07 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一维金属酞菁化合物纳米晶的制备方法 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21519185A patent/JPS6277455A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307255A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機機能性材料薄膜の製造方法及びその製造装置 |
| US5139592A (en) * | 1988-07-13 | 1992-08-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Low gravity enhanced growth of phthalocyanine polymorphs and films |
| WO1999004057A1 (fr) * | 1997-07-14 | 1999-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication de film fonctionnel mince et appareil correspondant |
| US6337105B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for forming thin functional film |
| US6291031B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for preparing optical recording medium and preparation apparatus therefor |
| CN102268001A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-12-07 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一维金属酞菁化合物纳米晶的制备方法 |
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