JPH05164916A - 赤外線吸収フィルタ− - Google Patents
赤外線吸収フィルタ−Info
- Publication number
- JPH05164916A JPH05164916A JP33502191A JP33502191A JPH05164916A JP H05164916 A JPH05164916 A JP H05164916A JP 33502191 A JP33502191 A JP 33502191A JP 33502191 A JP33502191 A JP 33502191A JP H05164916 A JPH05164916 A JP H05164916A
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- JP
- Japan
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- groups
- infrared absorption
- filter
- phenylacetylene
- group
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ド−プされたアセチレン系高分子からなる有
機層が少なくとも一層以上設けられた赤外線吸収フィル
タ−。 【効果】 上記構成となされた赤外線吸収フィルタ−
は、均一な赤外線吸収強度を有している。また、有機層
の構成そのものを変えずに酸化ドープ量を変化させるこ
とにより、赤外線吸収強度を調節することができるし、
同じフィルターにおいてその一部の吸収強度を変化させ
ることも可能である。また、吸収領域の異なる２種以上
の成分を混合もしくは共重合することにより、広い吸収
域をもつフィルターを得ることができる。
機層が少なくとも一層以上設けられた赤外線吸収フィル
タ−。 【効果】 上記構成となされた赤外線吸収フィルタ−
は、均一な赤外線吸収強度を有している。また、有機層
の構成そのものを変えずに酸化ドープ量を変化させるこ
とにより、赤外線吸収強度を調節することができるし、
同じフィルターにおいてその一部の吸収強度を変化させ
ることも可能である。また、吸収領域の異なる２種以上
の成分を混合もしくは共重合することにより、広い吸収
域をもつフィルターを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線の透過量を調節
するための赤外線吸収フィルターに関する。
するための赤外線吸収フィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業、建築、農業等の各種の
産業分野において、フィルタ−による赤外領域の透過光
調節がさかんに行われており、中でも光学読み取り装置
においてその重要性が増加しつつある。
産業分野において、フィルタ−による赤外領域の透過光
調節がさかんに行われており、中でも光学読み取り装置
においてその重要性が増加しつつある。
【０００３】このような赤外線吸収フィルターとして
は、例えば、特開昭６１−１３４７０２号公報に開示さ
れているように、赤外線吸収体として、特定のナフタレ
ン誘導体が使用されている。
は、例えば、特開昭６１−１３４７０２号公報に開示さ
れているように、赤外線吸収体として、特定のナフタレ
ン誘導体が使用されている。
【０００４】しかしながら、上記赤外線吸収フィルタ−
においては、赤外線吸収体が低分子化合物であるため化
合物の分散性が悪く、従って、その化合物の分散状態に
よってフィルターの赤外線吸収特性が変わる恐れがあ
り、安定した赤外線吸収特性を有するフィルターが得ら
れないという欠点があり、しかもフィルターを作製した
後では、その赤外線吸収強度を変えることが出来ないの
で、例えば、用途や目的に応じて赤外線吸収強度の異な
る種々のフィルターを得たい場合には、フィルターの構
成や膜厚を変えて対応する必要があった。
においては、赤外線吸収体が低分子化合物であるため化
合物の分散性が悪く、従って、その化合物の分散状態に
よってフィルターの赤外線吸収特性が変わる恐れがあ
り、安定した赤外線吸収特性を有するフィルターが得ら
れないという欠点があり、しかもフィルターを作製した
後では、その赤外線吸収強度を変えることが出来ないの
で、例えば、用途や目的に応じて赤外線吸収強度の異な
る種々のフィルターを得たい場合には、フィルターの構
成や膜厚を変えて対応する必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、赤外線吸収特
性が均一で、しかも、吸収強度を後処理によって容易に
変化させることの出来る赤外線吸収フィルターを提供す
るところにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、赤外線吸収特
性が均一で、しかも、吸収強度を後処理によって容易に
変化させることの出来る赤外線吸収フィルターを提供す
るところにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線吸収フィ
ルターは、少なくとも一層以上の有機層で構成されてい
る。
ルターは、少なくとも一層以上の有機層で構成されてい
る。
【０００７】上記有機層は、化学的あるいは電気化学的
にド−ピングされたアセチレン系高分子を主体としてお
り、該アセチレン系高分子は、下記一般式(I) で表され
る構成単位を繰り返し単位とするフェニルアセチレン系
高分子を２種以上混合したもの、もしくは下記一般式
（II) で表されるフェニルアセチレン化合物を２種以上
共重合させたものである。
にド−ピングされたアセチレン系高分子を主体としてお
り、該アセチレン系高分子は、下記一般式(I) で表され
る構成単位を繰り返し単位とするフェニルアセチレン系
高分子を２種以上混合したもの、もしくは下記一般式
（II) で表されるフェニルアセチレン化合物を２種以上
共重合させたものである。
【０００８】
【化３】
【０００９】式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素、炭素数１
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基、
炭素数１０以下のペルフルオロアルキル基、アリール
基、アリールオキシ基、三置換シリル基、アミノ基、置
換アミノ基からなる群より選ばれる有機基であって、同
一であってもよいし、異なっていてもよい。
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基、
炭素数１０以下のペルフルオロアルキル基、アリール
基、アリールオキシ基、三置換シリル基、アミノ基、置
換アミノ基からなる群より選ばれる有機基であって、同
一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１０】
【化４】
【００１１】式中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は水素、炭素数１
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基、
炭素数１０以下のペルフルオロアルキル基、アリール
基、アリールオキシ基、三置換シリル基、アミノ基、置
換アミノ基からなる群より選ばれる有機基であって、同
一であってもよいし、異なっていてもよい。
０以下のアルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基、
炭素数１０以下のペルフルオロアルキル基、アリール
基、アリールオキシ基、三置換シリル基、アミノ基、置
換アミノ基からなる群より選ばれる有機基であって、同
一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１２】一般式（Ｉ）で表されるフェニルアセチレ
ン系高分子としては、例えば、ポリフェニルアセチレ
ン、ポリ〔ｏ−メチルフェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ
−メチルフェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−メトキシフ
ェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−メトキシフェニルアセ
チレン〕、ポリ〔ｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチ
レン〕、ポリ〔ｏ−ｎ−ブチルフェニルアセチレン〕、
ポリ〔２，６−ジメチル−４−ｔ−ブチルフェニルアセ
チレン〕、ポリ〔ｐ−フェノキシフェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｏ−トリフルオロメチルフェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｏ−トリメチルシリルフェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｏ−ジメチルフェニルシリルフェニルアセ
チレン〕、ポリ〔ｐ−アミノフェニルアセチレン〕、ポ
リ〔ｐ−ジメチルアミノフェニルアセチレン〕、ポリ
〔ｐ−ジエチルアミノフェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ
−ジ−ｎ−ブチルアミノフェニルアセチレン〕、ポリ
〔２，６−ジメチル−４−ジメチルアミノフェニルアセ
チレン〕などが挙げられる。
ン系高分子としては、例えば、ポリフェニルアセチレ
ン、ポリ〔ｏ−メチルフェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ
−メチルフェニルアセチレン〕、ポリ〔ｏ−メトキシフ
ェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ−メトキシフェニルアセ
チレン〕、ポリ〔ｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチ
レン〕、ポリ〔ｏ−ｎ−ブチルフェニルアセチレン〕、
ポリ〔２，６−ジメチル−４−ｔ−ブチルフェニルアセ
チレン〕、ポリ〔ｐ−フェノキシフェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｏ−トリフルオロメチルフェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｏ−トリメチルシリルフェニルアセチレ
ン〕、ポリ〔ｏ−ジメチルフェニルシリルフェニルアセ
チレン〕、ポリ〔ｐ−アミノフェニルアセチレン〕、ポ
リ〔ｐ−ジメチルアミノフェニルアセチレン〕、ポリ
〔ｐ−ジエチルアミノフェニルアセチレン〕、ポリ〔ｐ
−ジ−ｎ−ブチルアミノフェニルアセチレン〕、ポリ
〔２，６−ジメチル−４−ジメチルアミノフェニルアセ
チレン〕などが挙げられる。
【００１３】上記フェニルアセチレン系高分子の製造方
法は任意の方法が採用されてよく、例えば、特開昭６３
−９２６１９号公報に記載されている方法が挙げられ
る。一般式（II）で表されるフェニルアセチレン化合物
としては、例えば、フェニルアセチレン、ｏ−メチルフ
ェニルアセチレン、ｐ−メチルフェニルアセチレン、ｏ
−メトキシフェニルアセチレン、ｐ−メトキシフェニル
アセチレン、ｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチレ
ン、ｏ−ｎ−ブチルフェニルアセチレン、２，６−ジメ
チル−４−ｔ−ブチルフェニルアセチレン、ｐ−フェノ
キシフェニルアセチレン、ｏ−トリフルオロメチルフェ
ニルアセチレン、ｏ−トリメチルシリルフェニルアセチ
レン、ｏ−ジメチルフェニルシリルフェニルアセチレ
ン、ｏ−アミノフェニルアセチレン、ｐ−アミノフェニ
ルアセチレン、ｐ−ジメチルアミノフェニルアセチレ
ン、ｐ−ジエチルアミノフェニルアセチレン、ｐ−ジ−
ｎ−ブチルアミノフェニルアセチレン、２，６−ジメチ
ル−４−ジメチルアミノフェニルアセチレンなどが挙げ
られる。
法は任意の方法が採用されてよく、例えば、特開昭６３
−９２６１９号公報に記載されている方法が挙げられ
る。一般式（II）で表されるフェニルアセチレン化合物
としては、例えば、フェニルアセチレン、ｏ−メチルフ
ェニルアセチレン、ｐ−メチルフェニルアセチレン、ｏ
−メトキシフェニルアセチレン、ｐ−メトキシフェニル
アセチレン、ｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチレ
ン、ｏ−ｎ−ブチルフェニルアセチレン、２，６−ジメ
チル−４−ｔ−ブチルフェニルアセチレン、ｐ−フェノ
キシフェニルアセチレン、ｏ−トリフルオロメチルフェ
ニルアセチレン、ｏ−トリメチルシリルフェニルアセチ
レン、ｏ−ジメチルフェニルシリルフェニルアセチレ
ン、ｏ−アミノフェニルアセチレン、ｐ−アミノフェニ
ルアセチレン、ｐ−ジメチルアミノフェニルアセチレ
ン、ｐ−ジエチルアミノフェニルアセチレン、ｐ−ジ−
ｎ−ブチルアミノフェニルアセチレン、２，６−ジメチ
ル−４−ジメチルアミノフェニルアセチレンなどが挙げ
られる。
【００１４】上記フェニルアセチレン化合物を共重合す
るには、上記フェニルアセチレン系高分子を製造する際
使用されるのと同様の方法が採用されてよい。また、２
種以上のフェニルアセチレン系高分子の混合物及び２種
以上のフェニルアセチレン化合物の共重合体は、後処理
として、化学的方法あるいは電気化学的方法でド−プ
（酸化）することにより、赤外領域に強い吸収をもつ材
料となる。上記ド−プ方法としては、従来公知の方法が
使用でき、化学的方法としては、例えば、塩素や沃素、
硝酸、塩化第２鉄など種々の酸化剤を気相もしくは液相
で直接接触させる方法があり、電気化学的方法として
は、例えば、過塩素酸リチウムなどをアセトニトリル等
の溶媒に溶解した電解液中で電極酸化させる方法があ
る。なお、ドープ量の調節は酸化剤の濃度、接触時間、
電解時間などを制御することにより可能である。
るには、上記フェニルアセチレン系高分子を製造する際
使用されるのと同様の方法が採用されてよい。また、２
種以上のフェニルアセチレン系高分子の混合物及び２種
以上のフェニルアセチレン化合物の共重合体は、後処理
として、化学的方法あるいは電気化学的方法でド−プ
（酸化）することにより、赤外領域に強い吸収をもつ材
料となる。上記ド−プ方法としては、従来公知の方法が
使用でき、化学的方法としては、例えば、塩素や沃素、
硝酸、塩化第２鉄など種々の酸化剤を気相もしくは液相
で直接接触させる方法があり、電気化学的方法として
は、例えば、過塩素酸リチウムなどをアセトニトリル等
の溶媒に溶解した電解液中で電極酸化させる方法があ
る。なお、ドープ量の調節は酸化剤の濃度、接触時間、
電解時間などを制御することにより可能である。
【００１５】本発明の赤外線吸収フィルターは、２種以
上のフェニルアセチレン系高分子混合物もしくは２種以
上のフェニルアセチレン化合物共重合体のドーピングさ
れた有機層を少なくとも一層有しておればよく、前記有
機層が複数層となるように積層されていてもよい。
上のフェニルアセチレン系高分子混合物もしくは２種以
上のフェニルアセチレン化合物共重合体のドーピングさ
れた有機層を少なくとも一層有しておればよく、前記有
機層が複数層となるように積層されていてもよい。
【００１６】また、２種以上のフェニルアセチレン系高
分子混合物のドーピングされた有機層と、２種以上のフ
ェニルアセチレン化合物共重合体のドーピングされた有
機層とが組合わされて積層された複数層であってもよ
い。
分子混合物のドーピングされた有機層と、２種以上のフ
ェニルアセチレン化合物共重合体のドーピングされた有
機層とが組合わされて積層された複数層であってもよ
い。
【００１７】また、そのフィルターの形態は目的に応じ
て種々変更することができ、例えば、基材に有機層が積
層されていてもよいし、基材間に有機層が挟み込まれて
いてもよいが、基材に有機層が積層された形態が好まし
い。
て種々変更することができ、例えば、基材に有機層が積
層されていてもよいし、基材間に有機層が挟み込まれて
いてもよいが、基材に有機層が積層された形態が好まし
い。
【００１８】上記基材としては、目的とする赤外領域に
吸収を持たない透明性の材料が好ましく、このような材
料としては、例えば、ガラスや、アクリル系、ビニル
系、ビニル系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポ
リアミド系、ポリカーボネ−ト系等のホモポリマー、コ
ポリマー、ポリマーブレンド物などがあげられ、これら
の中から適宜選択して使用すればよい。
吸収を持たない透明性の材料が好ましく、このような材
料としては、例えば、ガラスや、アクリル系、ビニル
系、ビニル系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポ
リアミド系、ポリカーボネ−ト系等のホモポリマー、コ
ポリマー、ポリマーブレンド物などがあげられ、これら
の中から適宜選択して使用すればよい。
【００１９】上記基材に有機層を積層する方法としては
特に限定されるものではないが、前記フェニルアセチレ
ン系高分子混合物もしくはフェニルアセチレン化合物共
重合体をトルエン、クロロホルム、四塩化炭素等の溶媒
に溶解し、得られた溶液を基材に塗布して乾燥する方法
が好ましい また、上記有機層の膜厚は目的に応じて適宜設定すれば
よく、通常、５００〜８０００Åが好ましく、より好ま
しくは１０００〜６０００Åである。
特に限定されるものではないが、前記フェニルアセチレ
ン系高分子混合物もしくはフェニルアセチレン化合物共
重合体をトルエン、クロロホルム、四塩化炭素等の溶媒
に溶解し、得られた溶液を基材に塗布して乾燥する方法
が好ましい また、上記有機層の膜厚は目的に応じて適宜設定すれば
よく、通常、５００〜８０００Åが好ましく、より好ま
しくは１０００〜６０００Åである。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２１】（実施例１）２７．５ｍｇのポリ〔ｏ−ト
リメチルシリルフェニルアセチレン〕と２２．５ｍｇの
ポリ〔ｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチレン〕と
を、３．３ｍｌのトルエンに溶解し、その溶液をメンブ
レンフィルターにて濾過した後、濾過溶液をガラス基材
上にスピンコ−ト（８００ｒｐｍ×１０分間）し、乾燥
して未ド−プ状態のフィルタ−を得た（膜厚：２０００
Å）。
リメチルシリルフェニルアセチレン〕と２２．５ｍｇの
ポリ〔ｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチレン〕と
を、３．３ｍｌのトルエンに溶解し、その溶液をメンブ
レンフィルターにて濾過した後、濾過溶液をガラス基材
上にスピンコ−ト（８００ｒｐｍ×１０分間）し、乾燥
して未ド−プ状態のフィルタ−を得た（膜厚：２０００
Å）。
【００２２】上記未ド−プ状態のフィルタ−を濃硝酸の
飽和蒸気中に２５℃で１分間放置してド−プ（酸化）
し、赤外線吸収フィルタ−を得た。得られた赤外線吸収
フィルタ−の光透過特性を図１に示した。
飽和蒸気中に２５℃で１分間放置してド−プ（酸化）
し、赤外線吸収フィルタ−を得た。得られた赤外線吸収
フィルタ−の光透過特性を図１に示した。
【００２３】図１に示すように、波長８７０〜１７１０
ｎｍの領域で透過率が５０％以下になった。
ｎｍの領域で透過率が５０％以下になった。
【００２４】（実施例２）ｏ−トリメチルシリルフェニ
ルアセチレンとｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチレ
ンとの共重合体５０ｍｇを、３．３ｍｌのトルエンに溶
解し、実施例１と同様にして、未ド−プ状態のフィルタ
−を得た（膜厚：１６５０Å）。
ルアセチレンとｏ−ｉｓｏ−プロピルフェニルアセチレ
ンとの共重合体５０ｍｇを、３．３ｍｌのトルエンに溶
解し、実施例１と同様にして、未ド−プ状態のフィルタ
−を得た（膜厚：１６５０Å）。
【００２５】上記未ド−プ状態のフィルタ−を、実施例
１と同様にして、ドープし得られた赤外線吸収フィルタ
−の光透過特性を図２に示した。図２に示すように、波
長８６０〜１６９０ｎｍの領域で透過率が５０％以下に
なった。
１と同様にして、ドープし得られた赤外線吸収フィルタ
−の光透過特性を図２に示した。図２に示すように、波
長８６０〜１６９０ｎｍの領域で透過率が５０％以下に
なった。
【００２６】（比較例１）５０ｍｇのｏ−ｉｓｏ−プロ
ピルフェニルアセチレンを、３．３ｍｌのトルエンに溶
解し、実施例１と同様にして、未ド−プ状態のフィルタ
−を得た（膜厚：１８００Å）。上記未ド−プ状態のフ
ィルタ−を、実施例１と同様にして、ドープし得られた
赤外線吸収フィルタ−の光透過特性を図３に示した。
ピルフェニルアセチレンを、３．３ｍｌのトルエンに溶
解し、実施例１と同様にして、未ド−プ状態のフィルタ
−を得た（膜厚：１８００Å）。上記未ド−プ状態のフ
ィルタ−を、実施例１と同様にして、ドープし得られた
赤外線吸収フィルタ−の光透過特性を図３に示した。
【００２７】図３に示すように、波長１０１０〜１７２
０ｎｍの領域で透過率が５０％以下になった。
０ｎｍの領域で透過率が５０％以下になった。
【００２８】（比較例２）５０ｍｇのポリ〔ｏ−ｉｓｏ
−プロピルフェニルアセチレン〕を、３．３ｍｌのトル
エンに溶解し、実施例１と同様にして、未ド−プ状態の
フィルタ−を得た（膜厚：１８００Å）。上記未ド−プ
状態のフィルタ−を、実施例１と同様にして、ドープし
得られた赤外線吸収フィルタ−の光透過特性を図４に示
した。
−プロピルフェニルアセチレン〕を、３．３ｍｌのトル
エンに溶解し、実施例１と同様にして、未ド−プ状態の
フィルタ−を得た（膜厚：１８００Å）。上記未ド−プ
状態のフィルタ−を、実施例１と同様にして、ドープし
得られた赤外線吸収フィルタ−の光透過特性を図４に示
した。
【００２９】図４に示すように、波長８４０〜１２３０
ｎｍの領域で透過率が５０％以下になった。
ｎｍの領域で透過率が５０％以下になった。
【００３０】また、上記実施例１〜２及び比較例１〜２
で得られた赤外線吸収フィルターの特定波長における透
過率を測定し、その結果を表１に示した。
で得られた赤外線吸収フィルターの特定波長における透
過率を測定し、その結果を表１に示した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明の赤外線吸収フイルターは、上述
したように、２種以上のフェニルアセチレン系高分子も
しくは２種以上のフェニルアセチレン化合物の共重合体
からなる有機層を使用しているから、溶剤キャスティン
グ法により、均一な組成の膜が作製可能となり、しかも
ドーピングにより均一な赤外線吸収強度を有するフィル
ターを容易に得ることができる。また、有機層の構成そ
のものを変えずに酸化ドープ量を変化させることによ
り、赤外線吸収強度を調節することができるし、同じフ
ィルターにおいてその一部の吸収強度を変化させること
も可能である。
したように、２種以上のフェニルアセチレン系高分子も
しくは２種以上のフェニルアセチレン化合物の共重合体
からなる有機層を使用しているから、溶剤キャスティン
グ法により、均一な組成の膜が作製可能となり、しかも
ドーピングにより均一な赤外線吸収強度を有するフィル
ターを容易に得ることができる。また、有機層の構成そ
のものを変えずに酸化ドープ量を変化させることによ
り、赤外線吸収強度を調節することができるし、同じフ
ィルターにおいてその一部の吸収強度を変化させること
も可能である。
【００３３】さらに、吸収領域の異なる２種以上のフェ
ニルアセチレン系高分子を混合した有機層、もしくは吸
収領域の異なる２種以上のフェニルアセチレン化合物を
共重合した有機層を使用することにより、赤外線吸収領
域の広いフィルターを得ることができる。
ニルアセチレン系高分子を混合した有機層、もしくは吸
収領域の異なる２種以上のフェニルアセチレン化合物を
共重合した有機層を使用することにより、赤外線吸収領
域の広いフィルターを得ることができる。
【図１】実施例１における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
【図２】実施例２における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
【図３】比較例１における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
【図４】比較例２における赤外線吸収フィルタ−の光透
過特性を示す図。
過特性を示す図。
Claims (1)
- 【請求項１】 化学的あるいは電気化学的にドーピング
されたアセチレン系高分子を主体とする少なくとも一層
以上の有機層からなる赤外線吸収フィルタ−において、
上記アセチレン系高分子が、下記一般式(I) で表される
構成単位を繰り返し単位とするフェニルアセチレン系高
分子を２種以上混合したもの、もしくは下記一般式（I
I) で表されるフェニルアセチレン化合物を２種以上共
重合させたものであることを特徴とする赤外線吸収フィ
ルター。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素、炭素数１０以下のア
ルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基、炭素数１０
以下のペルフルオロアルキル基、アリール基、アリール
オキシ基、三置換シリル基、アミノ基、置換アミノ基か
らなる群より選ばれる有機基であって、同一であっても
よいし、異なっていてもよい。） 【化２】 （式中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は水素、炭素数１０以下のア
ルキル基、炭素数１０以下のアルコキシ基、炭素数１０
以下のペルフルオロアルキル基、アリール基、アリール
オキシ基、三置換シリル基、アミノ基、置換アミノ基か
らなる群より選ばれる有機基であって、同一であっても
よいし、異なっていてもよい。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33502191A JPH05164916A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 赤外線吸収フィルタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33502191A JPH05164916A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 赤外線吸収フィルタ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05164916A true JPH05164916A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18283860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33502191A Pending JPH05164916A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 赤外線吸収フィルタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05164916A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007094111A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 透明遮熱材及び透明遮熱調光材 |
| WO2007061061A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 調光材料及び調光フィルム |
| JP2007169621A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-07-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 共役系透明高分子材料組成物 |
| JP2007169619A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-07-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 共役系透明高分子材料組成物 |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP33502191A patent/JPH05164916A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007094111A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 透明遮熱材及び透明遮熱調光材 |
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| US7715083B2 (en) | 2005-11-25 | 2010-05-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Light control material and light control film |
| AU2006316998B2 (en) * | 2005-11-25 | 2011-09-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Light control material and light control film |
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