JPH10326559A - プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法 - Google Patents

プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法

Info

Publication number
JPH10326559A
JPH10326559A JP9062198A JP9062198A JPH10326559A JP H10326559 A JPH10326559 A JP H10326559A JP 9062198 A JP9062198 A JP 9062198A JP 9062198 A JP9062198 A JP 9062198A JP H10326559 A JPH10326559 A JP H10326559A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
electron
droplet
manufacturing
ink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9062198A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Miyamoto
雅彦 宮本
Kazuhiro Mitsumichi
和宏 三道
Mitsutoshi Hasegawa
光利 長谷川
Kazuya Shigeoka
和也 重岡
Masato Yamanobe
正人 山野辺
Takayuki Tejima
隆行 手島
Toshifumi Yoshioka
利文 吉岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to DE69807554T priority Critical patent/DE69807554T2/de
Priority to CNB981087310A priority patent/CN1153240C/zh
Priority to JP9062198A priority patent/JPH10326559A/ja
Priority to DE69827856T priority patent/DE69827856T2/de
Priority to EP02076379A priority patent/EP1225056B1/en
Priority to EP98302128A priority patent/EP0865931B1/en
Priority to KR10-1998-0009861A priority patent/KR100375279B1/ko
Priority to US09/045,688 priority patent/US6613399B2/en
Publication of JPH10326559A publication Critical patent/JPH10326559A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/50—Recording sheets characterised by the coating used to improve ink, dye or pigment receptivity, e.g. for ink-jet or thermal dye transfer recording
    • B41M5/52—Macromolecular coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/50—Recording sheets characterised by the coating used to improve ink, dye or pigment receptivity, e.g. for ink-jet or thermal dye transfer recording
    • B41M5/52—Macromolecular coatings
    • B41M5/529—Macromolecular coatings characterised by the use of fluorine- or silicon-containing organic compounds
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/027—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of thin film cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0011—Pre-treatment or treatment during printing of the recording material, e.g. heating, irradiating
    • B41M5/0017—Application of ink-fixing material, e.g. mordant, precipitating agent, on the substrate prior to printing, e.g. by ink-jet printing, coating or spraying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0041—Digital printing on surfaces other than ordinary paper
    • B41M5/0047—Digital printing on surfaces other than ordinary paper by ink-jet printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0041—Digital printing on surfaces other than ordinary paper
    • B41M5/007—Digital printing on surfaces other than ordinary paper on glass, ceramic, tiles, concrete, stones, etc.
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Ink Jet (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで高精細なパターニングを行なう。 【解決手段】 基板面に所望の部材を形成するために、
該部材の構成材料を含む液体の液滴を該基板面に付与す
る工程を有するプリント基板の製造方法において、前記
液滴を該基板面に付与する工程に先立って、付与される
該液滴の該基板面との接触角が２０°〜５０°の範囲内
となるように該基板の表面処理を施す工程を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子デバイ
ス、とりわけ、画像表示装置などの電気・電子デバイス
の構成部材のパターニングがなされたプリント基板の製
造方法に関する。また、かかる方法を用いた、電子放出
素子、電子源、および、画像形成装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子放出素子には大別して熱
電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類が知られて
いる。冷陰極電子放出素子には電界放出型（以下、「Ｆ
Ｅ型」という）、金属／絶縁層／金属型（以下、「ＭＩ
Ｍ型」という）や、表面伝導型電子放出素子等がある。
【０００３】ＦＥ型電子放出素子の例としては、Ｗ．
Ｐ．Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｒａｎ，“Ｆｉｅｌｄ Ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）あるいは
Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐ
ｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ
ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍ
ｏｌｙｂｄｅｎｉｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等に開示された
ものが知られている。
【０００４】ＭＩＭ型電子放出素子の例としては、Ｃ．
Ａ．Ｍｅａｄ，“Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎ
ｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）等に開示
されたものが知られている。
【０００５】表面伝導型電子放出素子の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）等
に開示されたものがある。
【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
り電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表
面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によ
るＳｎＯ2 薄膜を用いたものの他、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌ
ｍｓ，９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3 ／ＳｎＯ2
薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ
Ｃｏｎｆ．，５１９（１９７５）］およびカーボン薄
膜によるもの［荒木久 他：真空、第２６巻、第１号、
２２頁（１９８３）］等が報告されている。
【０００７】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図２３
に模式的に示す。同図において１は基板である。４は導
電性薄膜で、スパッタによりＨ型形状のパターンに形成
された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミ
ングと呼ばれる通電処理により電子放出部５が形成され
る。なお、図中の素子電極２，３の間隔Ｌは、０．５〜
１ｍｍ、Ｗ’は、０．１ｍｍに設定されている。
【０００８】これらの表面伝導型電子放出素子において
は、電子放出を行なう前に導電性薄膜４に予め通電フォ
ーミングと呼ばれる通電処理を施して電子放出部５を形
成するのが一般的であった。すなわち、通電フォーミン
グとは前記導電性薄膜４の両端に直流電圧あるいは非常
にゆっくりとした昇電圧を印加通電し、導電性薄膜を局
所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗
な状態にした電子放出部５を形成することである。例え
ば、導電性薄膜４の一部に亀裂が発生し、その亀裂付近
から電子放出が行なわれる。前記通電フォーミング処理
を施した表面伝導型電子放出素子は、上述の導電性薄膜
４に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより、上述
の電子放出部５より電子を放出せしめるものである。
【０００９】上述の表面伝導型電子放出素子は、構造が
単純で製造も従来の半導体製造技術を利用可能なことか
ら、この特徴を活かした荷電ビーム源や表示装置等の応
用研究がなされている。
【００１０】多数の表面伝導型電子放出素子を配列形成
した例としては、後述する様に梯子型配置と呼ぶ並列に
表面伝導型電子放出素子を配列し、個々の素子の両端を
配線（共通配線とも呼ぶ）でそれぞれ結線した行を多数
行配列した電子源が挙げられる（例えば、特開昭６４−
０３１３３２、特開平１−２８３７４９、特開平２−２
５７５５２等）。また、特に表示装置等の画像形成装置
においては、近年、液晶を用いた平板型表示装置がＣＲ
Ｔに替わって普及してきたが、自発光型でないためバッ
クライトを持たなければならない等の問題点があり、自
発光型の表示装置の開発が望まれてきた。自発光型表示
装置としては、上述した表面伝導型電子放出素子を多数
配置した電子源と、その電子源より放出された電子によ
って可視光を発光せしめる蛍光体とを組み合わせた表示
装置である画像形成装置が挙げられる。
【００１１】表面伝導型電子放出素子の導電性薄膜の上
記従来例による製造方法では、導電性薄膜を成膜した
後、さらに半導体プロセスにおけるフォトリソグラフィ
ー・エッチング法を用いてパター二ングするものであ
り、大面積に渡って素子を形成するには、大規模なフォ
トリソグラフィー・エッチング設備が必要不可欠で、工
程数も多く、生産コストが高くなるといった欠点があっ
た。
【００１２】そこで、表面伝導型電子放出素子の製造方
法において、大面積に有利な製造方法として、特開平８
−１７１８５０号公報には、前記導電性薄膜の所望の形
状にパターニング工程において、フォトグラフィー・エ
ッチング法を用いず、インクジェット法によって、基体
上に、有機金属含有溶液の液滴を付与し、所望の形状の
導電性薄膜を形成する製造方法が提案されている。さら
に、同公報においては、有機金属含有溶液の基体への付
与の工程に先立ち、撥水材の液体を基体に塗布すること
が、提案されている。
【００１３】また、液晶表示装置に用いられるカラーフ
ィルターを印刷法やインクジェット法を用いて製造する
ことが行なわれている。特にインクジェット法を用いる
ことは印刷法に比べ、より高精細な画素のパターニング
を行なえる可能性を有している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基体上への
高精細なパターニングが可能なプリント基板の製造方法
を提供することを目的とする。
【００１５】また、本発明は、良好な電子放出特性を有
する電子放出素子を製造する方法を提供することを目的
とする。
【００１６】また、本発明は、複数の電子放出素子を備
える電子源において、電子放出素子間の電子放出特性の
均一性の向上した電子源を製造する方法を提供すること
を目的とする。
【００１７】また、本発明は、高品位画像を形成し得る
画像形成装置を製造する方法を提供することを目的とす
る。
【００１８】また、本発明は、歩留まりの向上する電子
源、画像形成装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明のプリント
基板の製造方法は、基板面に所望の部材を形成するため
に、該部材の構成材料を含む液体の液滴を該基板面に付
与する工程を有するプリント基板の製造方法において、
前記液滴を該基板面に付与する工程に先立って、付与さ
れる該液滴の該基板面との接触角が２０°〜５０°の範
囲内となるように該基板の表面処理を施す工程を有する
ことを特徴とする。
【００２０】また、本発明の電子放出素子の製造方法は
電極間に、電子放出部を有する導電性膜を備える電子放
出素子の製造方法において、前記電子放出部が形成され
る導電性膜の形成工程が、一対の電極が配置された基板
の該電極間に該導電性膜の構成材料を含む液体の液滴を
付与する工程と、該液滴を付与する工程に先立って、該
液滴の該基板面との接触角が２０゜〜５０゜の範囲内と
なるように該基板の表面処理を施す工程を有することを
特徴とする。
【００２１】さらに、本発明の電極間に、電子放出部を
有する導電性膜を備える電子放出素子の複数が基板上に
配置されている電子源、および、電極間に、電子放出部
を有する導電性膜を備える電子放出素子の複数が基板上
に配置されている電子源と、該電子源からの電子の照射
により画像を形成する画像形成部材とを有する画像形成
装置は、それぞれ前記電子放出素子の各々を上記の方法
にて製造することを特徴とする。
【００２２】
【作用】基板面に所望の部材の構成材料を含む液体の液
滴を付与する工程に先立って、付与される該液滴の該基
板面との接触角が２０°〜５０°の範囲内となるように
該基板の表面処理を施すことにより、より高精細なパタ
ーンニングが可能になる。特に大面積に多数の電子放出
素子を形成する際、フォトリソグラフィー・エッチング
法を用いず、素子電極間の導電性薄膜の形成を成膜と同
時にパターニングを行なうことが可能であり、生産コス
ト低減につながる。さらに、均一性が高く良好な電気特
性の電子放出素子が作成できる。
【００２３】したがって、本発明の表面伝導型電子放出
素子を用いた電子源基板および画像形成装置も同様にロ
ーコストでばらつきの少ない安定した画像形成装置が実
現できる。
【００２４】
【実施の形態】本発明は、電気・電子デバイスの構成部
材を基板上にパターニングする場合に、より高精細なパ
ターニングを可能とするものである。本発明におけるプ
リント基板とは、上述の電気・電子デバイスの構成部材
がパターニングされた基板のことであり、例えば、液晶
ディスプレーのカラーフィルター基板あるいは液晶ディ
スプレー、プラズマディスプレー、電子線ディスプレー
等各種ディスプレーの駆動用電極がパターニングされた
基板、電子源の構成部品がパターニングされた基板など
を包含する。
【００２５】本発明は、基板面に所望の部材を液滴の付
与によって形成する際、該所望の部材を形成するための
液滴を該基板面に付与するに先立って、該基板面の表面
エネルギーを所望の値に調整する工程を有するものであ
る。また、本発明において好ましくは、上記付与される
液滴の基板面との接触角は２０°〜５０°の範囲内とな
るように、前記液滴の付与に先立って調整される。ま
た、本発明は、基板とは異種材料からなる部材が配置さ
れた基板に、更に別の部材を液滴の付与によって形成す
る際、該別部材を形成するための液滴を該基板面に付与
するに先立って、該基板面および該基板に配置されてい
る部材の双方の表面エネルギーを所望の値に調整する工
程を有することを特徴とするものでもある。この場合
も、好ましくは、上記付与される液滴の、基板面との接
触角および該基板に配置されている部材面との接触角は
いずれも２０°〜５０°の範囲内となるように、前記液
滴の付与に先立って調整される。
【００２６】以下に本発明について、好ましい実施態様
を挙げて説明する。まず、本発明が適用される表面伝導
型電子放出素子の一例を説明する。図４は、本発明に係
る表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式的平面図お
よび断面図である。同図において、１は基体としての基
板、２と３は素子電極、４は導電性薄膜、５は電子放出
部である。
【００２７】基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量を低減させたガラス、青板ガラス、ＳｉＯ2
を表面に堆積させたガラス基板、およびアルミナ等のセ
ラミックス基板等を用いることができる。
【００２８】対向する素子電極２，３の材料としては、
様々な導電材料を用いることができる。これは例えばＮ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，
Ｐｄ等の金属または合金、Ｐｄ，Ａｓ，Ａｇ，Ａｕ，Ｒ
ｕＯ2 ，Ｐｄ−Ａｇ等の金属または金属酸化物とガラス
等から構成される印刷導体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透
明電導体、およびポリシリコン等の半導体材料等から適
宜選択することができる。
【００２９】素子電極間隔Ｌ、素子電極長さＷ、導電性
薄膜４の形状等は、応用される形態等を考慮して設計さ
れる。素子電極間隔Ｌは、好ましくは数千Åから数百μ
ｍの範囲であり、より好ましくは素子電極間に印加する
電圧等を考慮して１μｍから１００μｍの範囲である。
【００３０】素子電極長さＷは、電極の抵抗値、電子放
出特性を考慮して、数μｍから数百μｍの範囲である。
素子電極２，３の膜厚ｄは、１００Åから１μｍの範囲
である。
【００３１】導電性薄膜４には良好な電子放出特性を得
るために、微粒子で構成された微粒子膜を用いるのが好
ましい。その膜厚は、素子電極２，３へのステップカバ
レージ、素子電極２，３間の抵抗値および後述する通電
フォーミング条件等を考慮して適宜設定されるが、通常
は数Åから数千Åの範囲とすることが好ましく、より好
ましくは１０Åより５００Åの範囲とするのが良い。そ
の抵抗値は、ＲS が１０2〜１０7Ω／□の値である。な
おＲS は、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄膜の抵抗Ｒ
を、Ｒ＝ＲS （ｌ／ｗ）と表わしたときに現われる値
で、薄膜材料の抵抗率をρとするとＲS ＝ρ／ｔで表わ
される。ここで、フォーミング処理については以後通電
処理を例に挙げて説明するが、フォーミング処理はこれ
に限られるものではなく、膜に亀裂等を生じさせて高抵
抗状態を形成する方法であればいかなる方法でも良い。
【００３２】導電性膜４を構成する材料は、Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆ
ｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ2 ，Ｉｎ2Ｏ3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2Ｏ3 等の金属酸化
物、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＬａＢ6，ＣｅＢ6 ，ＹＢ
4 ，ＧｄＢ4 等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｔ
ａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、およびカーボン
等の中から適宜選択される。
【００３３】ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子
が集合した膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に
分散配置した状態あるいは微粒子が互いに隣接、あるい
は重なり合った状態（いくつかの微粒子が集合し、全体
として島状構造を形成している場合も含む）をとってい
る。微粒子の粒径は、数Åから１μｍの範囲、好ましく
は１０Åから２００Åの範囲である。
【００３４】また、電子放出部５は、導電性薄膜４の一
部に形成された亀裂等の間隙により構成され、導電性薄
膜４の膜厚、膜質、材料および後述する通電フォーミン
グ、活性化工程等に依存したものとなる。電子放出部５
の内部には、数オングストロームから数百オングストロ
ームの範囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もあ
る。この導電性微粒子は、導電性薄膜４を構成する材料
の元素の一部、あるいは全ての元素を含有するものとな
る。亀裂の先端部およびその近傍の導電性薄膜４には、
炭素を含む膜を有する。炭素を含む膜とは、例えばグラ
ファイトや非晶質カーボンであり、その膜厚は、５００
Å以下の範囲とするものが好ましく３００Å以下の範囲
とすることがより好ましい。
【００３５】また、本発明が適用される表面伝導型電子
放出素子には、図２１に示される構成を有する場合もあ
る。
【００３６】図２１に示された表面伝導型電子放出素子
は、先に述べた図４のものに対して、基板１表面に被覆
層６を有する点で異なっている。この被覆層６は、以後
に詳述される本発明の製造過程において設けられるもの
で、本発明においては、シラン層等の撥水性の膜、ある
いは酸化チタン膜等が好ましい。また、この被覆層６の
好ましい膜厚は１ｎｍ〜３００ｎｍの範囲である。
【００３７】次に、本発明の製造方法について、上述し
た表面伝導型電子放出素子の導電性膜の形成方法を例に
挙げて説明する。図１は本発明の液滴付与方法を示す概
略図、図２は本発明に用いた液滴の表面張力と接触角を
示すグラフである。図１において、１は基板、２，３は
素子電極、１０はインクジェットヘッド、１２は液滴で
ある。
【００３８】液滴付与機構としては、任意の液滴を定量
吐出できるもの、特に数十ｎｇ程度の液滴を形成できる
インクジェット方式の機構が望ましい。インクジェット
方式としては、圧電素子等の機械的エネルギーを利用し
て溶液を吐出するいわゆるピエゾジェット方式、ヒータ
ーの熱エネルギーを利用して気泡を発生させ、該気泡の
生成に基づいて溶液を吐出するいわゆるバブルジェット
方式等いずれでも構わない。
【００３９】本発明に用いられるインクジェットの例を
図５および図６に示す。図５は、バブルジェット方式の
ヘッドユニットを示す。同図において、２２１は基板、
２２２は熱発生部、２２３は支持板、２２４は液流路、
２２５は第１ノズル、２２６は第２ノズル、２２７はイ
ンク流路間隔壁、２２８，２２９はインク液室、２２１
０，２２１１はインク液の供給口、２２１２は天井板を
それぞれ示す。
【００４０】また、図６はピエゾジェット方式のヘッド
ユニットを示す。同図において、２３１はガラス製第１
ノズル、２３２はガラス製第２ノズル、２３３は円筒型
ピエゾ、２３４はフィルター、２３５，２３６はインク
液供給チューブ、２３７は電気信号入力端子をそれぞれ
示す。なお、図５，６においては、ノズルを２本で示し
たがこれに限るものではない。
【００４１】図１，２に戻って、液滴１２の材料には、
先に述べた導電性薄膜となる元素または化合物を含有す
る水溶液等を用いることができる。例えば、導電性薄膜
となる元素または化合物がパラジウム系の例を以下に示
すと、酢酸パラジウム−エタノールアミン錯体（ＰＡ−
ＭＥ）、酢酸パラジウム−ジエタノールアミン錯体（Ｐ
Ａ−ＤＥ）、酢酸パラジウム−トリエタノールアミン錯
体（ＰＡ−ＴＥ）、酢酸パラジウム−ブチルエタノール
アミン錯体（ＰＡ−ＢＥ）、酢酸パラジウム−ジメチル
エタノールアミン錯体（ＰＡ−ＤＭＥ）等のエタノール
アミン系錯体を含んだ水溶液、または、パラジウム−グ
リシン錯体（Ｐｄ−Ｇｌｙ）、パラジウム−β−アラニ
ン錯体（Ｐｄ−β−Ａｌａ）、パラジウム−ＤＬ−アラ
ニン錯体（Ｐｄ−Ｄｌ−Ａｌａ）等のアミノ酸系錯体を
含んだ水溶液等が挙げられる。
【００４２】また、水溶液の溶媒成分として、ＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）を５〜３０ｗｔ％含有さ
せ、インクの表面張力を３０〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍの範
囲に調整したものが好ましい。また、それらのインクに
よる前記素子電極材料と基板材料とのそれぞれの初期接
触角は２０°〜５０°の範囲にあることが好ましく、前
記素子電極材料と基板材料との初期接触角の差異が３０
°を越えないことが好ましい。
【００４３】図２は、上記水溶液に溶媒成分としてＩＰ
Ａを用い、有機金属含有水溶液の表面張力を抑制した例
を示す。図２に示されるように、ＩＰＡを混合すること
により表面張力が抑制され、水溶液を上記好ましい表面
張力である３０〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲に適合させ
ることができる。
【００４４】一方、基板材料および素子電極材料の表面
エネルギーは、基板上に該素子電極を形成後、これを充
分に洗浄する。あるいは、酸化チタン膜で被覆された基
板の該被覆面に該素子電極を形成後、光を照射するなど
により、親水面がガラス基板、電極材料において一様に
形成される。この基板を管理された環境下に放置する
と、時間とともに撥水面を形成し、上記接触角は２０°
〜５０°の好ましい値に飽和する。こうして、基板、電
極材料の表面エネルギーが飽和した値となるために、大
型の基板を用いた場合にも、液滴を付与する時間が長く
ても、表面エネルギーは一様で安定した値になる。この
ようにして基板上に付与された有機金属液滴は焼成する
ことで熱分解され導電性薄膜となる。ここで、上述の管
理された環境下とは、所定濃度の有機物が存在する環境
下を意味する。
【００４５】本発明において好ましい上記環境は、例え
ば以下のようにして形成される。 （１）上記基板を、チャンバー内に設置し、ドライ窒素
ガス等を導入してチャンバー内を置換した後、チャンバ
ー内に窒素ガス等で適宜希釈された有機物ガスを導入
し、基板の表面エネルギーを飽和状態になるまで放置す
る。放置時間は、導入される有機物によって適宜選択さ
れる。本工程は、これに限るわけではなく、上記基板を
チャンバー内に設置し、チャンバー内を真空排気した
後、チャンバー内に適当な分圧で有機物ガスを導入し、
基板の表面エネルギーを飽和状態になるまで、放置して
も良い。本工程では、有機物が基板表面に付着し、基板
の表面状態は撥水面と変化する。
【００４６】上記の有機物は、極性によらず、親水基を
有してなく、脱離エネルギーが２０Ｋｃａｌ／ｍｏｌｅ
以上の脂肪族系、芳香族系等の有機物、例えば、Ｄｉ−
２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｐｈｔｈａｌｔｅ等が好ま
しくは用いられる。
【００４７】（２）上記撥水処理を施された基板をデシ
ケーター中に保管する。保管をデシケーター中で行なう
ことにより、通常の室内に保管するよりも雰囲気中の有
機物の濃度が一定な状態となる。デシケーター中での保
管は保管時間と共に接触角の増加が見られるが、これは
デシケーター内の雰囲気中に存在する有機物が基板上に
吸着することによって基板の表面エネルギーが徐々に低
下している（撥水面になっている）ためと考えられる。
【００４８】また、デシケーター内は、湿度管理されて
おり、よって基板を低湿度な環境下においておくことに
より、基板上の水の吸着量が減少し、有機物の吸着を促
進し、接触角の上昇を促進していると考えられる。
【００４９】本発明において、かかるデシケーター中で
の保管をなす場合は湿度は２０％以下に管理されている
ことが好ましい。
【００５０】以上のように本発明における、所定濃度の
有機物が存在する環境下への放置は、基板および素子電
極の表面に有機物を付着させることを主たる目的とす
る。よって、以下の方法を採用することもまた、本発明
においては好ましい。即ち、シランカップリング剤など
の疎水化剤を上記基板表面に付着させる。具体的には、
シランカップリング剤の蒸気を飽和させた容器内に基板
を設置する。また、シランカップリング剤で飽和させた
窒素等を基板に吹き付ける方法等があげられる。また、
付着の方法は、前記の方法のみではなくエタノール等の
有機溶媒で希釈した溶液に浸漬させたり、あるいは吹き
付け塗布いずれの付着方法でもよい。
【００５１】その後、シランカップリング剤の付着した
基体を加熱処理あるいは放置して、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）
の形でガラス表面のケイ素Ｓｉと結合させ、ガラス表面
に強固に固着して撥水性を備えた被膜が形成される。
【００５２】本発明の製造方法は、特に以上述べた電極
が形成された基板の表面エネルギーの調整を、所望の水
溶液の液滴の基板への付与に先立って行なう点に特徴を
有する。
【００５３】以下に、上述のごとく形成された導電性膜
を用いた表面伝導型電子放出素子の製造方法について述
べる。
【００５４】こうして形成された導電性薄膜４にフォー
ミング処理を施す。このフォーミング処理方法の一例と
して通電処理による方法を説明する。素子電極２，３間
に、不図示の電源を用いて、通電を行なうと、導電性薄
膜４の部位に構造の変化した電子放出部５が形成され
る。
【００５５】通電フォーミングによれば導電性薄膜４に
局所的に破壊、変形もしくは変質等の構造の変化した部
位が形成される。該部位が電子放出部５となる。通電フ
ォーミングの電圧波形の例を図７に示す。電圧波形は、
パルス波形が好ましい。これにはパルス波高値を定電圧
としたパルスを連続的に印加する図７ａに示した手法
と、パルス波高値を増加させながら電圧パルスを印加す
る図７ｂに示した手法がある。
【００５６】図７ａにおけるＴ１およびＴ２は電圧波形
のパルス幅とパルス間隔である。通常Ｔ１は１μ秒〜１
０ｍ秒、Ｔ２は、１０μ秒〜１００ｍ秒の範囲で設定さ
れる。三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電
圧）は、表面伝導型電子放出素子の形態に応じて適宜選
択される。このような条件のもと、例えば数秒から数十
分間電圧を印加する。パルス波形は三角波に限定される
ものではなく、矩形波など所望の波形を採用することが
できる。
【００５７】図７ｂにおけるＴ１およびＴ２は、図７ａ
に示したのと同様とすることができる。三角波の波高値
（通電フォーミング時のピーク電圧）は、例えば、０．
１［Ｖ］ステップ程度ずつ、増加させることができる。
【００５８】通電フォーミング処理の終了は、パルス間
隔Ｔ２中に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形しない
程度の電圧を印加し、電流を測定して検知することがで
きる。例えば０．１［Ｖ］程度の電圧印加により流れる
素子電流を測定し、抵抗値を求めて、１ＭΩ以上の抵抗
を示した時、通電フォーミングを終了させる。フォーミ
ングを終えた素子には活性化処理を施すのが好ましい。
活性化処理を施すことにより、素子電流Ｉｆや放出電流
Ｉｅが著しく変化する。
【００５９】活性化処理は、例えば、有機物質のガスを
含有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様に、パル
スの印加を繰り返すことで行なうことができる。この雰
囲気は、例えば油拡散ポンプやロータリーポンプなどを
用いて真空容器内を排気した場合に雰囲気内に残留する
有機ガスを利用して形成することができる他、イオンポ
ンプなどにより一旦十分に排気した真空中に適当な有機
物質のガスを導入することによっても得られる。このと
きの好ましい有機物質のガス圧は、前述の応用の形態、
真空容器の形状や、有機物質の種類などにより異なるた
め、場合に応じ適宜設定される。適当な有機物質として
は、アルカン、アルケン、アルキン等の脂肪族炭化水素
類、芳香族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、
ケトン類、アミン類、フェノール、カルボン酸、スルホ
ン酸等の有機酸類等を挙げることができ、具体的には、
メタン、エタン、プロパンなどＣnＨ2n+2で表わされる
飽和炭化水素、エチレン、プロピレンなどＣnＨ2n等の
組成式で表わされる不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、メタノール、エタノール、ホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
アミン、エチルアミン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロ
ピオン酸等が使用できる。この処理により、雰囲気中に
存在する有機物質から炭素あるいは炭素化合物が素子上
に堆積し、素子電流Ｉｆや放出電流Ｉｅが著しく変化す
る。
【００６０】活性化処理の終了判定は素子電流Ｉｆと放
出電流Ｉｅを測定しながら行なう。なお、パルス幅、パ
ルス間隔、パルス波高値などは適宜設定される。
【００６１】前記炭素あるいは炭素化合物とは、例えば
グラファイト（単結晶、多結晶の両者を示す）、非晶質
カーボン（非晶質カーボン、または非晶質カーボンと前
記グラファイトの微結晶の混合物を含むカーボン）であ
り、その膜厚は５００Å以下にするのが好ましく、３０
０Å以下であればより好ましい。
【００６２】活性化処理工程を経て得られた電子放出素
子は、安定化処理を行なうことが好ましい。この処理
は、真空容器内の有機物質の分圧が１×１０-8Ｔｏｒｒ
以下で行なうのが好ましく、１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下
で行なうのが特に好ましい。真空容器内の圧力は、１×
１０-6.5〜１０-7Ｔｏｒｒが好ましく、１×１０-8Ｔｏ
ｒｒ以下が特に好ましい。真空容器を排気する真空排気
装置は、装置から発生するオイルが素子の特性に影響を
与えないように、オイルを使用しないものを用いるのが
好ましい。具体的には、ソープションポンプ、イオンポ
ンプ等の真空排気装置を挙げることが出来る。さらに真
空容器内を排気するときには、真空容器全体を加熱し
て、真空容器内壁や電子放出素子に吸着した有機物質分
子を排気しやすくするのが好ましい。このときの加熱し
た状態での真空排気条件は８０〜２００℃で５時間以上
が望ましいが、特にこの条件に限るものではなく、真空
容器の大きさや形状、電子放出素子の構成などの諸条件
により適宜選択する。なお、上記有機物質の分圧測定
は、質量分析装置により、炭素と水素を主成分とする質
量数が１０〜２００の有機分子の分圧を測定し、それら
の分圧を積算することにより求める。
【００６３】安定化処理を経た後の、駆動時の雰囲気
は、上記安定処理終了時の雰囲気を維持するのが好まし
いが、これに限るものではなく、有機物質が十分除去さ
れていれば、真空度自体は多少低下しても十分安定な特
性を維持することが出来る。このような真空雰囲気を採
用することにより、新たな炭素あるいは炭素化合物の堆
積を抑制でき、結果として素子電流Ｉｆおよび放出電流
Ｉｅが安定する。
【００６４】次に、本発明に係る画像形成装置について
述べる。画像形成装置に用いる電子源基板の電子放出素
子の配列については種々のものが採用できる。
【００６５】まず、並列に配置した多数の電子放出素子
の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数個配し
（行方向と呼ぶ）、この配線と直交する方向（列方向と
呼ぶ）で該電子放出素子の上方に配した制御電極（グリ
ッドとも呼ぶ）により、電子放出素子からの電子を制御
駆動する梯子状配置のものがある。これとは別に、電子
放出素子をＸ方向およびＹ方向に行列状に複数配し、同
じ行に配された複数の電子放出素子の電極の一方をＸ方
向の配線に共通に接続し、同じ列に配された複数の電子
放出素子の電極の他方をＹ方向の配線に共通に接続する
ものが挙げられる。このようなものは所謂単純マトリク
ス配置である。この単純マトリクス配置について以下に
詳述する。
【００６６】本発明に係る電子放出素子を複数個マトリ
クス状に配して得られる基板について、図８を用いて説
明する。図８において、７１は電子源基板、７２はＸ方
向配線、７３はＹ方向配線である。７４は表面伝導型電
子放出素子、７５は結線である。
【００６７】ｍ本のＸ方向配線７２はＤx1，Ｄx2，‥
‥，Ｄxmからなり、導電性金属等で構成することができ
る。配線の材料、膜厚、幅は、適宜設定される。Ｙ方向
配線７３はＤy1，Ｄy2，‥‥，Ｄynのｎ本の配線よりな
り、Ｘ方向配線７２と同様に形成される。これらｍ本の
Ｘ方向配線７２とｎ本のＹ方向配線７３との間には、不
図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分
離している（ｍ，ｎは、共に正の整数）。
【００６８】不図示の層間絶縁層は、ＳｉＯ2 等で構成
される。例えば、Ｘ方向配線７２を形成した基板７１の
全面あるいは一部に所望の形状で形成され、特に、Ｘ方
向配線７２とＹ方向配線７３の交差部の電位差に耐え得
るように、膜厚、材料、製法が適宜設定される。Ｘ方向
配線７２とＹ方向配線７３は、それぞれ外部端子として
引き出されている。
【００６９】電子放出素子７４を構成する一対の電極
（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向配
線７３と導電性金属等からなる結線７５によって電気的
に接続されている。
【００７０】配線７２と配線７３を構成する材料、結線
７５を構成する材料および一対の素子電極を構成する材
料は、その構成元素の一部あるいは全部が同一であって
も、またそれぞれ異なってもよい。これら材料は、例え
ば前述の素子電極の材料より適宜選択される。素子電極
を構成する材料と配線材料が同一である場合には、素子
電極に接続した配線は素子電極ということもできる。
【００７１】Ｘ方向配線７２には、Ｘ方向に配列した電
子放出素子７４の行を選択するための走査信号を印加す
る不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方
向配線７３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子７４の
各列を入力信号に応じて変調するための不図示の変調信
号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される
駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号
の差電圧として供給される。
【００７２】上記構成においては、単純なマトリクス配
線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とす
ることができる。
【００７３】このような単純マトリクス配置の電子源基
板を用いて構成した画像形成装置について、図９〜図１
１を用いて説明する。図９は画像形成装置の表示パネル
の一例を示す模式図であり、図１０は図９の表示パネル
に使用される蛍光膜の模式図であり、図１１はＮＴＳＣ
方式のテレビ信号に応じて表示を行なうための駆動回路
の一例を示すブロック図である。
【００７４】図９において、７１は電子放出素子を複数
配した基板であり、８１は基板７１を固定したリアプレ
ート、８６はガラス基板８３の内面に蛍光膜８４とメタ
ルバック８５等が形成されたフェースプレートである。
８２は支持枠であり、該支持枠８２には、リアプレート
８１およびフェースプレート８６がフリットガラス等を
用いて接続されている。８８は外囲器であり、例えば大
気中あるいは窒素中で、４００〜５００℃の温度範囲で
１０分以上焼成され、封着される。
【００７５】７４は図４で示した表面伝導型電子放出素
子の１素子に相当する。７２，７３は表面伝導型電子放
出素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線および
Ｙ方向配線である。
【００７６】外囲器８８は、上述のフェースプレート８
６、支持枠８２およびリアプレート８１で構成される。
リアプレート８１は主に基板７１の強度を補強する目的
で設けられるため、電子源基板７１自体で十分な強度を
持つ場合は別体のリアプレート８１は不要とすることが
できる。すなわち、基板７１に直接支持枠８２を封着
し、フェースプレート８６、支持枠８２および基板７１
で外囲器８８を構成しても良い。一方、フェースプレー
ト８６とリアプレート８１との間に、スペーサー（耐大
気圧支持部材）と呼ばれる不図示の支持体を設置するこ
とにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器８８
の構成することもできる。
【００７７】図１０は、蛍光膜を示す模式図である。蛍
光膜は、モノクロームの場合は蛍光体のみから構成する
ことができる。カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列
によりブラックストライプ（図１０ａ）あるいはブラッ
クマトリクス（図１０ｂ）などと呼ばれる黒色部材９１
と蛍光体９２とから構成することができる。ブラックス
トライプまたはブラックマトリクスを設ける目的は、カ
ラー表示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体９
２間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなく
することと、外光反射によるコントラストの低下を抑制
することにある。ブラックストライプあるいはブラック
マトリクスの材料としては、通常用いられている黒鉛を
主成分とする材料の他、光の透過および反射が少ない材
料であれば、これを用いることができる。
【００７８】ガラス基板８３に蛍光体を塗布する方法は
モノクローム、カラーによらず、沈殿法、印刷法等が採
用できる。蛍光膜８４の内面側には通常メタルバック８
５が設けられる。メタルバックを設ける目的は、蛍光体
の発光のうち内面側への光をフェースプレート８６側へ
鏡面反射することにより輝度を向上させること、電子ビ
ーム加速電圧を印加するための電極として作用させるこ
と、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージ
から蛍光体を保護すること等である。メタルバックは、
蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通
常、「フィルミング」と呼ばれる）を行ない、その後Ａ
１を真空蒸着等を用いて堆積させることで作製できる。
【００７９】フェースプレート８６には、更に蛍光膜８
４の導電性を高めるため、蛍光膜８４の外面側（ガラス
基板８３側）に透明電極（不図示）を設けてもよい。前
述の封着を行なう際には、カラーの場合は各色蛍光体と
電子放出素子とを対応させる必要があり、十分な位置合
わせが不可欠となる。
【００８０】図９に示した画像形成装置は、例えば以下
のようにして製造される。外囲器８８は、前述の安定化
処理工程と同様に、適宜加熱しながら、イオンポンプ、
ソープションポンプなどのオイルを使用しない排気装置
により不図示の排気管を通じて排気し、１０-7Ｔｏｒｒ
程度の真空度の、有機物質の十分少ない雰囲気にした
後、封止される。外囲器８８の封止後の圧力を維持する
ために、ゲッター処理を行なうこともできる。これは、
外囲器８８の封止を行なう直前あるいは封止後に、抵抗
加熱あるいは高周波加熱等を用いた加熱により、外囲器
８８内の所定の位置に配置されたゲッター（不図示）を
加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターは通常
Ｂａ等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により、外
囲器８８内を、例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒの真空度
に維持するものである。
【００８１】次に、はしご型配置の電子源基板および画
像形成装置について図１２を用いて説明する。図１２
は、はしご型配置の電子源基板の一例を示す模式図であ
る。図１２において、１１０は電子源基板、１１１は電
子放出素子である。１１２（Ｄx1〜Ｄx10 ）は、電子放
出素子１１１を接続するための共通配線である。電子放
出素子１１１は、基板１１０上に、Ｘ方向に並列に複数
個配されている（これを素子行と呼ぶ）。この素子行が
複数個配されて、電子源を構成している。各素子行の共
通配線間に駆動電圧を印加することで、各素子行を独立
に駆動させることができる。すなわち、電子ビームを放
出させたい素子行には、電子放出しきい値以上の電圧
を、電子ビームを放出しない素子行には、電子放出しき
い値未満の電圧を印加する。各素子行間の共通配線Ｄx2
〜Ｄx9は、例えばＤx2，Ｄx3を同一配線とすることもで
きる。
【００８２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳しく説明す
る。 ［実施例１］図１，２，３により表面伝導型電子放出素
子の製造方法を説明する。この表面伝導型電子放出素子
は実施形態の項で説明した構成であり、図４と同様、基
板１、素子電極２，３、導電性薄膜（微粒子膜）４より
なっている。本実施例ではこの導電性薄膜４の作成方法
にインクジェット式液滴付与機構１０を用いており、図
１はこの導電性薄膜４の作成工程の概略図を示す。図２
は、本実施例で用いたインクの表面張力を、また図３
は、図１における液滴１２と基板１との接触角（図３の
■）または図１における液滴１２と素子電極２，３との
接触角（図３の●）をそれぞれ示すグラフである。
【００８３】まず、絶縁基板として厚さ１．８ｍｍの一
般的な青板ガラスを用い、これを有機溶剤等により充分
洗浄後、１２０℃の乾燥炉で乾燥させた。この基板上に
真空成膜およびフォトリソエッチングでＰｔ膜（膜厚１
０００Å）による電極幅５００μｍ、電極ギャップ間隔
２０μｍの素子電極２，３を形成した（図１）。以下、
素子電極のギャップ部分への導電性薄膜の形成法を図１
および図２を用いて述べる。まず、液滴の原料溶液とし
ては、水溶液系のもので、酢酸パラジウム−エタノール
−アミン錯体の水溶液を用いた。本水溶液中の水の含有
率は７０ｗｔ％以上で、他の溶媒成分はＩＰＡ（イソプ
ロパノール）であり、ＩＰＡ濃度は５〜２５ｗｔ％の範
囲とし、かかる水溶液（インク）そのものの表面張力
が、図２に示すように３０〜５０ｄｙｎｎ／ｃｍの範囲
となるものを用いた。
【００８４】前述の素子電極を作り込んだ青板ガラスを
有機溶剤等により充分洗浄後、１２０℃の乾燥炉で乾燥
させた。この基板の電極ギャップ部に前記インクのＩＰ
Ａ１５ｗｔ％のものを図１のごとくバブルジェット方式
によるインクジェットヘッドを用い付与したが、ギャッ
プ部のガラス面でインクが流れてしまい、ドット形状を
形成できなかった。このときの基板および電極の表面エ
ネルギーは親水面が形成されていた。
【００８５】そこで基板処理を各種検討した結果、上記
の素子電極が形成された青板ガラスを、純水超音波洗浄
および８０℃温純水洗浄し引き上げ乾燥させたところ、
洗浄直後では上記同様ガラス部位で流れてしまうが、こ
れをデシケーター（電気式）保管し、洗浄後４８時間経
過したものでは、ギャップ部のガラス面上で流れること
なく、電極のＰｔとギャップ部のガラスとをまたがって
ドットを安定して形成できた。
【００８６】図３が、この際の青板ガラス表面とＰｔ薄
膜表面とにおけるＩＰＡ１５ｗｔ％インクの接触角の洗
浄後の経時変化を示すグラフであり、これより、初期接
触角が２０°〜５０°の範囲にありかつ異種材料間 (Ｐ
ｔとガラス) の初期接触角の差異が３０°以内であれ
ば、電極のＰｔとギャップ部のガラスとをまたがったド
ットを安定して形成できることを意味している。
【００８７】この条件により、液滴を素子電極のギャッ
プ部分へ４回重ねて付与した。ドットの直径は約９０μ
ｍであった。この状況が図１に示されている。
【００８８】上記の工程後、素子電極基板を３５０℃の
焼成炉で３０分間加熱し、有機成分を完全に除去するこ
とで、電極部には酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子から
なる導電性薄膜が形成された。焼成後の円状の直径は、
付与後と同じで約９０μｍで、膜厚は１５０Åであっ
た。素子長は約９０μｍということになる。
【００８９】さらに、導電性薄膜が形成された素子電極
２，３間に電圧を印加して、導電性薄膜を通電フォーミ
ングし、電子放出部を形成、これで表面伝導型電子放出
素子が完成した。以上の実施例１で示した方法で作製さ
れた表面伝導型電子放出素子は、従来の真空成膜・フォ
トリソ・エッチングプロセスによるものと同等の電子放
出特性が得られた。
【００９０】上記インクの表面張力の測定には、ウイル
ヘルミー型表面張力測定器を利用した。また、インクの
表面張力は図２で示されているように、ＩＰＡ濃度を変
えることによって調整することが可能であった。また、
上記初期接触角とは、インクが基板表面に接触した直後
から、１分以内に測定される接触角のことを意味し、市
販されているゴニオメーター等を利用することにより直
接測定することが可能である。また、初期接触角を測定
するときのインク滴の量は１０μｌ以下の量で測定され
る。
【００９１】本実施例における上述の図３に示される接
触角の測定は、接触角測定器として協和界面科学（株）
製のＣＡ−Ｘ型を使用し、上記の素子電極の形成に用い
られた基板と同じ青板ガラス基板と、該青板ガラス基板
上に１０００Åの厚さで上記同様の方法にてＰｔ膜が形
成された基板の両基板に対し、純水超音波洗浄および８
０℃温純水洗浄引き上げ乾燥を行ない、該両基板を湿度
２０％以下に管理された同じデシケーター（電気式）内
に保管し、この保管時間を変化させた両基板に上記同様
のＩＰＡ１５ｗｔ％インクを４μｌ付与して３秒後の接
触角を測定することでなされた。
【００９２】［実施例２］本発明の表面伝導型電子放出
素子を複数個有する電子源基板の製造方法とこの電子源
基板を用いた画像形成装置の製造方法を説明する。な
お、本実施例では、図１２のように電極が複数個行列状
に配置され、その電極が配線と梯子状に接続されたもの
を用いた。また、この表面伝導型電子放出素子の作製方
法は、実施例１と基本的に同様のものである。
【００９３】まず絶縁基板として厚さ２．８ｍｍの青板
ガラス基板を用い、これを有機溶剤等により充分洗浄
後、１２０℃の乾燥炉で乾燥させた。この基板上にＰｔ
膜（膜厚１０００Å）を用いて電極幅５００μｍ、電極
ギャップ間隔２０μｍの素子電極２，３を形成した。こ
の電極に梯子状のＡｇ配線を接続した（不図示）。
【００９４】液滴の原料溶液としては、実施例１と同様
の水溶液（インク）で、酢酸パラジウム−エタノール−
アミン錯体のＩＰＡ１５ｗｔ％水溶液を用いた。液滴付
与装置としてはピエゾジェット方式によるインクジェッ
トヘッドを用いた。
【００９５】素子電極と配線とが形成された上記の基板
を、純水超音波洗浄および８０℃温純水洗浄を行ない、
引き上げ乾燥後実施例１と同様のデシケーター（電気
式）に保管し確実に４８時間経過させるため丸二日経過
したものに、液滴を素子電極のギャップ部分へ４回重ね
て付与した。この場合もドット状に液滴を安定に形成す
ることができ、その直径は約９０μｍであった。この工
程後、電子源基板を３５０℃の焼成炉で３０分間加熱
し、有機成分を除去することで、各素子電極には酸化パ
ラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる導電性薄膜が形成さ
れた。焼成後の円状の直径は、液滴付与後と同じで約９
０μｍで、膜厚は１５０Åであった。素子長は約９０μ
ｍ ということになる。
【００９６】さらに、導電性薄膜が形成された素子電極
２，３間に電圧を印加して、導電性薄膜を通電フォーミ
ングし、電子放出部を形成、これで複数の表面伝導型電
子放出素子を有した梯子型配線による電子源基板が完成
した。
【００９７】この電子源基板にフェースプレート８６と
支持枠８２とリアプレート８１とにより外囲器を形成
し、真空封止を行ない、図９のような梯子型配線による
表示パネルを形成、図１１に示すようなＮＴＳＣ方式の
テレビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうための駆
動回路を有する画像形成装置を作製した。
【００９８】以上の実施例２で示した方法で作製された
表面伝導型電子放出素子の梯子型配線による画像形成装
置は、従来の真空成膜・フォトリソ・エッチングプロセ
スによるものと同等の画像が得られた。
【００９９】［実施例３］さらに、本発明の表面伝導型
電子放出素子を複数個有する画像形成装置の製造方法を
説明する。この画像形成装置の電子源基板の製造方法
は、実施例２と同様であるが、本実施例３の電子源基板
の配線としては、図８に示す単純マトリックス配置によ
る配線を用いた。
【０１００】実施例２と同様に、絶縁基板として厚さ
２．８ｍｍの青板ガラス基板を用い、これを有機溶剤等
により充分洗浄後、１２０℃の乾燥炉で乾燥させた。こ
の基板上にＰｔ膜（膜厚１０００Å）を用いて電極幅５
００μｍ、電極ギャップ間隔２０μｍの素子電極２，３
を形成した。この電極にマトリクス状のＡｇ配線を接続
した（不図示）。
【０１０１】以下、素子電極のギャップ部分への導電性
薄膜の形成法は、実施例２とほぼ同様で、液滴の原料溶
液としては、実施例１と同様の水溶液（インク）で、酢
酸パラジウム−エタノール−アミン錯体のＩＰＡ１５ｗ
ｔ％水溶液を用いた。液滴付与装置としてはバブルジェ
ット方式によるインクジェットヘッドを用いた。
【０１０２】素子電極と配線とが形成された上記の基板
を、純水超音波洗浄および８０℃温純水洗浄を行ない、
引き上げ乾燥後実施例１と同様のデシケーター（電気
式）に保管し確実に４８時間経過させるため丸二日経過
したものに、液滴を素子電極のギャップ部分へ４回重ね
て直径は約９０μｍのドット状の液滴を安定に形成し
た。この工程後、電子源基板を３５０℃の焼成炉で３０
分間加熱し、有機成分を除去することで、各素子電極に
は酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる膜厚１５０
Å、素子長約９０μｍの導電性薄膜が形成された。
【０１０３】実施例２と同様の手順により、液滴付与、
乾燥、焼成を実施後、導電性薄膜を通電処理 (フォーミ
ング処理) し、電子放出部を形成、これで複数の表面伝
導型電子放出素子を有したマトリクス配線による電子源
基板が完成した。
【０１０４】この電子源基板にフェースプレート８６と
支持枠８２とリアプレート８１とにより外囲器８８を形
成し、真空封止を行ない、図９のようなマトリクス配線
による表示パネルを形成、図１１に示すようなＮＴＳＣ
方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうた
めの駆動回路を有する画像形成装置を作製した。
【０１０５】以上の実施例３で示した方法で作製された
表面伝導型電子放出素子のマトリクス配線による画像形
成装置は、従来の真空成膜・フォトリソ・エッチングプ
ロセスによるものと同等の画像が得られた。
【０１０６】［実施例４］電子放出素子として図４
（ａ），４（ｂ）に示すタイプの電子放出素子を作成し
た。図１３を用いて、本実施例の電子放出素子の作成方
法を述べる。基体１として石英ガラス基体を用い、これ
を有機溶剤により充分に洗浄後、基体面上にＰｔからな
る素子電極２，３を形成した（図１３（ａ））。素子電
極間隔Ｌは２０μｍとし、素子電極長さＷを５００μ
ｍ、その厚さｄを１０００Åとした。
【０１０７】次に、電極２，３を形成したガラス基板
を、ジメチルジエトキシシランで疎水化処理した。素子
電極を形成した基板を、純水超音波洗浄および８０℃温
水洗浄し引き上げ乾燥した後、ジメチルジエトキシシラ
ンの蒸気をガラス板材の被膜形成面に付着させた。具体
的には、ジメチルジエトキシシランの蒸気を飽和させた
容器内に基板を設置し、室温（約２２℃）で１時間放置
した後取り出した。引き続き、１１０℃、１０分間の加
熱処理を行なった。この加熱により、ジメチルジエトキ
シシランにおけるＳｉと、ガラス板材の被膜形成面にお
けるＳｉとが（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）の形態で結合（シロキ
サン結合）し、ガラス板材の被膜形成面にはアルキルシ
ランが強固に固着する。以上の方法によりガラス表面に
疎水基としてジメチルジエトキシシラン由来のメチル基
を有する撥水性を備えた被膜が形成される。なお、本加
熱処理は短時間で基板とシランカップリング剤の結合を
安定的なものにするために行なっており、液滴とガラス
面の接触角を安定化する効果があるが、常温下でも一日
程度の放置で安定的な結合を形成することが可能であ
る。また、所望の接触角の条件を満たす範囲であれば、
加熱処理を行なわないで液滴の付与工程を行なうことも
可能である。
【０１０８】この被膜の形成過程では次のような反応が
進行していると考えられる。つまり、図１４に示すよう
に、ジメチルジエトキシシランにおける加水分解基であ
るエトキシ基が加水分解されて、ジメチルジエトキシシ
ラン側にシラノール基（−ＳｉＯＨ）が生成する。そし
て、ガラス基板の被膜形成面側のシラノール基との間で
脱水縮合が起き、図１５に示すようにジメチルジエトキ
シシランにおけるＳｉとガラス基板の被膜形成面におけ
るＳｉとがシロキサン結合する。また、図１５に示すよ
うにガラス板材の被膜形成面におけるＳｉと一方がシラ
ノール結合をし、もう一方は隣接するジメチルジエトキ
シシランのＳｉとシラノール結合をしていると考えられ
る。
【０１０９】ジメチルジエトキシシランは、加水分解基
を二つ有するシランカップリング剤で、ガラス表面上に
対する付着速度が適度であるため、接触角を２０°〜５
０゜の範囲に制御することが比較的容易にできる。
【０１１０】また、素子電極表面にはジメチルジエトキ
シシランが加水分解し生成したシラノール基と結合でき
る部位を有さないため、化学結合をつくって付着するも
のは基本的になく、一部ジメチルジエトキシシラン同士
で重合したものが付着する程度で、ガラス表面上と比較
すると素子電極上にはシラン層はあまり形成されないと
考えられる。しかしながら、素子電極上は水による洗浄
等により表面が親水化された場合でも、素子電極表面そ
のものでも、通常は表面の水分が飛ぶと共にごく短時間
のうちに液滴の接触角は２０°〜５０゜の範囲内の値と
なるため、シランカップリング剤の層が形成されていな
くても実用上ほとんど問題ない。
【０１１１】次に本実施例では導電性膜形成材料として
ポリビニルアルコールを重量濃度０．０５％、２−プロ
パノールを重量濃度１５％、エチレングリコールを重量
濃度１％溶解した水溶液に、テトラモノエタノールアミ
ン−パラジウム酢酸（Ｐｄ（ＮＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）
4（ＣＨ3ＣＯＯ）2）をパラジウム重量濃度が約０．１
５％となるように溶解させた水溶液を用いた。
【０１１２】上記の水溶液（インク）の液滴をバブルジ
ェット方式のインクジェット装置（キヤノン（株）製バ
ブルジェットプリンタヘッドＢＣ−０１を使用）によっ
て電極２，３を形成した石英基体の上に電極２，３にま
たがるように付与した（図１３（ｂ））。この時、基板
上での液滴の形状は、拡がることはなく、安定性、再現
性とも良好であった。次に３５０℃で２０分間焼成して
導電性薄膜４を形成した（図１３（ｃ））。
【０１１３】この時作製した素子数は１０素子であり、
それぞれの膜厚を原子間力顕微鏡で測定した結果、平均
１５ｎｍであり、１０素子間のバラツキは５％であっ
た。また素子電極間の抵抗は平均２．５ＫΩで、１０素
子間のバラツキは±９０Ωであった。また、液滴とガラ
ス表面との初期接触角は接触角測定器（協和界面科学、
ＣＡ−Ｘ）によって測定したところ４２°で１０素子間
のバラツキは±３°であった。
【０１１４】次に、真空容器中で素子電極２および３の
間に電圧を印加し、導電性薄膜４を通電処理（フォーミ
ング処理）することにより、電子放出部５を作成した
（図１３（ｄ））。フォーミング処理の電圧波形を図７
（ｂ）に示す。
【０１１５】本実施例では電圧波形のパルス幅Ｔ１を１
ｍ秒、パルス間隔Ｔ２を１０ｍ秒とし、三角波の波高値
（フォーミング時のピーク電圧）は漸増させ、フォーミ
ング処理は約１×１０-8Ｔｏｒｒの真空雰囲気下で行な
った。
【０１１６】以上のようにして作成された素子につい
て、アセトンを約１×１０-5Ｔｏｒｒ導入した雰囲気下
で、約４０分間、素子電極間に電圧を印加して活性化処
理を行なった。なお活性化処理は、フォーミング処理と
同じ電圧波形（図７（ａ））を用い、三角波の波高値
（フォーミング時のピーク電圧）を１４Ｖとして行なっ
た。その後、約１×１０-8Ｔｏｒｒまで排気を行なっ
た。
【０１１７】以上のようにして作成された素子につい
て、その電子放出特性を図１６の構成の測定評価装置に
より測定した。本電子放出素子およびアノード電極１７
４は真空装置１７５内に設置されており、その真空装置
には排気ポンプ１７６および不図示の真空計等の真空装
置に必要な機器が具備されており、所望の真空下で本素
子の測定評価を行なえるようになっている。なお本実施
例では、アノード電極と電子放出素子間の距離Ｈを４ｍ
ｍ、アノード電極の電位を１ｋＶ、電子放出特性測定時
の真空装置内の真空度を１×１０-8Ｔｏｒｒとした。
【０１１８】以上のような測定評価装置を用いて、本電
子放出素子の電極２および３の間に素子電圧を印加し、
その時に流れる素子電流Ｉｆおよび放出電流Ｉｅを測定
したところ、図２４に示したような電流−電圧特性が得
られた。本素子では、素子電圧７Ｖ程度から急激に放出
電流Ｉｅが増加し、素子電圧１４Ｖでは素子電流Ｉｆが
２．０ｍＡ、放出電流Ｉｅが３．０μＡとなった。
【０１１９】以上説明した実施例中、電子放出部を形成
する際に、素子の電極間に三角波パルスを印加してフォ
ーミング処理を行なっているが、素子の電極間に印加す
る波形は三角波に限定することはなく、矩形波など所望
の波形を用いても良く、その波高値およびパルス幅・パ
ルス間隔等についても上述の値に限ることなく、電子放
出部が良好に形成されれば所望の値を選択することがで
きる。
【０１２０】［実施例５］ガラス基板の疎水化処理剤と
して、ジメチルジクロロシランを用いた以外は実施例４
とまったく同様にして液滴を付与し、実施例４と同様に
して電子放出素子を作製した。その結果、同じく液滴の
ドット形状は所望の位置以外に拡がることなく安定し、
再現性も良好であり、素子間の膜厚のバラツキも小さか
った。
【０１２１】［実施例６］１６行１６列の２５６個素子
電極とマトリクス状配線とを形成した基板（図８）の各
対向電極に対して、それぞれ実施例４と同様にして液滴
をバブルジェット方式のインクジェット装置（キヤノン
（株）製バブルジェットプリンタヘッドＢＣ−０１を使
用）により、疎水化処理した基板に付与し、焼成したの
ち、実施例４と同様にしてフォーミング、活性化処理を
行ない電子源基板とした。この電子源に、リアプレート
８１、支持枠８２、フェースプレート８６を接続し真空
封止して図９に示すような画像形成装置を作成した。
【０１２２】このようにして作成された画像形成装置で
は、液滴のドット形状は所望の位置以外に拡がることな
く安定しているため、電子放出特性が均一になり、輝度
むら等の欠陥の少ない良好な画像を再現性良く得ること
ができた。また、導電性膜を形成するためのパターニン
グ等が不要なため、製造工程を簡略化でき、コストを抑
えることができた。
【０１２３】［参考例１］素子電極を作製した基板を、
純水超音波洗浄および８０℃温水洗浄して引き上げ乾燥
した後、ジメチルジエトキシシランによる処理を行なわ
ず、洗浄後すぐに用いること以外は実施例４と全く同様
にしてインクの液滴を基板上に付与することで１０素子
作製した。
【０１２４】上記インクの付与時、所望の位置以外にも
液滴が拡がり焼成後の膜厚を原子間力顕微鏡で測定した
結果、１０素子の膜厚を平均すると４ｎｍであり、実施
例４の１／２以下であった。また、１０素子の膜厚のバ
ラツキは３５％であった。また抵抗値も増加していた。
これらの結果を実施例４の結果と併せて表１に示す。
【０１２５】
【表１】 このように基板の被膜形成面を疎水化処理することによ
り、液滴の拡がりを抑制し、液滴と基板の被膜形成面と
の接触角を２０°〜５０°に制御し、膜厚バラツキの小
さい安定性、再現性の良い導電性膜を作製することがで
きる。
【０１２６】［実施例７］電子放出素子として図４に示
すタイプの電子放出素子を作成した。図１３を用いて、
本実施例の電子放出素子の作成方法を述べる。基体１と
して石英ガラス基体を用い、これを有機溶剤により充分
に洗浄後、基体面上にＰｔからなる素子電極２，３を形
成した（図１３（ａ））。素子電極間隔Ｌは２０μｍと
し、素子電極長さＷを５００μｍ、その厚さｄを１００
０Åとした。
【０１２７】次に、電極２，３を形成したガラス基板
を、下記化学式で表わされるトリメチルエトキシシラン
で疎水化処理した。
【０１２８】
【化１】 素子電極を作製した基板を、純水超音波洗浄および８０
℃温水洗浄して引き上げ乾燥した後、トリメチルエトキ
シシランの蒸気をガラス板材の被膜形成面に付着させ
た。具体的には、トリメチルエトキシシランの蒸気を飽
和させた容器内に基板を設置し、室温（約２２℃）で８
時間放置した後取り出した。引き続き、形成された被膜
の安定性を高めるために１１０℃、１０分間の加熱処理
を行なった。この加熱により、トリメチルエトキシシラ
ンにおけるＳｉと、ガラス表面におけるＳｉとが（Ｓｉ
−Ｏ−Ｓｉ）の形態で結合（シロキサン結合）し、ガラ
ス表面の被膜形成面にはアルキルシランが強固に固着す
る。以上の方法によりガラス表面に疎水基としてトリメ
チルエトキシシラン由来のメチル基を有する撥水性を備
えた被膜が形成される。なお、本加熱処理は短時間で基
板とシランカップリング剤の結合を安定的なものとする
ために行なっており、液滴とガラス面の接触角を安定化
する効果があるが、常温下でも一日程度の放置で安定的
な結合を形成することが可能である。また、所望の接触
角の条件を満たす範囲であれば、加熱処理を行なわない
で液滴の付与工程を行なうことも可能である。
【０１２９】この被膜の形成過程では次のような反応が
進行していると考えられる。つまり、図１７に示すよう
に、トリメチルエトキシシランにおける加水分解基であ
るエトキシ基が大気中の水分またはガラスの吸着水によ
って加水分解されて、トリメチルエトキシシラン側にシ
ラノール基（−ＳｉＯＨ）が生成する。そして、ガラス
基板の被膜形成面側のシラノール基との間で脱水縮合が
起き、図１８に示すようにトリメチルエトキシシランに
おけるＳｉとガラス基板の被膜形成面におけるＳｉとが
シロキサン結合する。一つのみの加水分解基を有するシ
ランカップリング剤であるために、シランカップリング
剤同士で重合した場合は基板と結合するためのシラノー
ル基を失う為、完全な或いは不完全なシラン単層を容易
にガラス表面上に形成し、接触角が高くなりすぎること
もなく、２０°〜５０゜の範囲に容易に制御することが
できる。また、素子電極表面にはトリメチルエトキシシ
ランが加水分解し生成したシラノール基と結合できる部
位を有さず、さらに一つのみの加水分解基しかもたない
シランカップリング剤であるため、シランカップリング
剤同士が、重合しても３量体以上にはならないため化学
結合を作らないで付着するものはほとんどなく素子電極
上にはシラン層は形成されないと考えられる。しかしな
がら、素子電極上は水による洗浄等により表面が親水化
された場合でも、素子電極表面そのものでも、通常は表
面の水分が飛ぶと共にごく短時間のうちに液滴の接触角
は２０°〜５０゜の範囲内の値となるため、シランカッ
プリング剤の層が形成されていなくても実用上ほとんど
問題ない。
【０１３０】次に本実施例では導電性薄膜形成材料とし
てポリビニルアルコールを重量濃度０．０５％、２−プ
ロパノールを重量濃度１５％、エチレングリコールを重
量濃度１％溶解した水溶液に、テトラモノエタノールア
ミン−パラジウム酢酸（Ｐｄ（ＮＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）4
（ＣＨ3ＣＯＯ）2）をパラジウム重量濃度が約０．１５
％となるように溶解させた水溶液を用いた。
【０１３１】上記の水溶液の液滴をバブルジェット方式
のインクジェット装置（キヤノン（株）製バブルジェッ
トプリンタヘッドＢＣ−０１を使用）によって電極２，
３を形成した石英基体の上に電極２，３にまたがるよう
に４回同個所に付与した（図１３（ｂ））。この時、基
板上での液滴の形状は、拡がることはなく、安定性、再
現性とも良好であった。次に３５０℃で２０分間焼成し
て導電性薄膜４を形成した（図１３（ｃ））。この時作
成した素子数は１０素子であり、それぞれの膜厚を原子
間力顕微鏡で測定した結果、平均１５ｎｍであり、１０
素子間のバラツキは５％であった。また、ドット径は平
均９０μｍであり、１０素子間のバラツキは３％であっ
た。さらに、素子電極間の抵抗は平均２．６ｋΩであ
り、１０素子間のバラツキは±１００Ωであった。ま
た、液滴とガラス表面との初期接触角は接触角測定器
（協和界面科学、ＣＡ−Ｘ）によって測定したところ４
０°であった。
【０１３２】以上のようにして作成された素子に実施例
４と同様のフォーミング処理および活性化処理を行なっ
た。以上のようにして作成された素子について、その電
子放出特性を図１６の構成の測定評価装置により実施例
４と同じ条件にて測定した。この結果、実施例７の電子
放出特性は、上記同様に作成し、同様の条件にて測定さ
れた１０素子の平均値で素子電流Ｉｆが２ｍＡ±０．０
５ｍＡ、放出電流Ｉｅが３μＡ±０．０５μＡであっ
た。
【０１３３】［参考例２］素子電極を作製した基板を、
純水超音波洗浄および８０℃温水洗浄して引き上げ乾燥
した後、トリメチルエトキシシランによる処理を行なわ
ず、洗浄後すぐに用いること以外は実施例７と全く同様
にして素子電極間隔にバブルジェット方式のインクジェ
ット装置（キヤノン（株）製バブルジェットプリンタヘ
ッドＢＣ−０１を使用）によって電極２，３を形成した
石英基体の上に電極２、３にまたがるように４回同個所
に付与し１０素子作製した。
【０１３４】この時、液滴は素子電極間のガラス表面
で、所望の位置以外にも液滴が拡がった。また、焼成後
の膜厚を原子間力顕微鏡で測定した結果、１０素子の膜
厚を平均すると４ｎｍであり、実施例７の１／２以下で
あった。また、１０素子の膜厚のバラツキは３８％であ
った。さらに素子電極間の抵抗は平均１３ｋΩであり、
１０素子間の膜厚のバラツキは±５ｋΩであった。液滴
とガラス表面との初期接触角は接触角測定器（協和界面
科学、ＣＡ−Ｘ）によって測定したところ、７°であっ
た。これらの結果を実施例７の結果と併せて表２に示
す。
【０１３５】
【表２】
【０１３６】このように基板のガラス表面を疎水化処理
することにより、液滴と基板のガラス表面との接触角を
２０°〜５０°に制御でき、ガラス表面と素子電極との
表面エネルギーの差を縮め液滴の拡がりを抑制し、膜厚
バラツキの小さい安定性、再現性のよい導電性薄膜を作
製することができる。
【０１３７】［実施例８］本実施例では電極２、３を形
成したガラス基板の疎水化処理をトリメチルエトキシシ
ランに代えて、下記化学式で表わされるトリメチルクロ
ロシランで行なったこと以外は実施例７と同様にして図
４の電子放出素子を作製した。その結果、加水分解基が
塩素であるためにより反応性は高く、その疎水化処理は
実施例７よりも短い時間で済んだ。また、液滴のドット
形状は同じく所望の位置以外に拡がることなく安定し、
再現性も良好であり、素子間の膜厚のバラツキ、ドット
径のバラツキも小さかった。
【０１３８】
【化２】
【０１３９】［実施例９］電子放出素子として図４に示
すタイプの電子放出素子を作成した。図１３を用いて、
本実施例の電子放出素子の作成方法を述べる。基体１と
して石英ガラス基体を用い、これを有機溶剤により充分
に洗浄後、基体面上にＰｔからなる素子電極２、３を形
成した。（図１３（ａ））。素子電極間隔Ｌは２０μｍ
とし、素子電極長さＷを５００μｍ、その厚さｄを１０
００Åとした。
【０１４０】次に電極２、３を形成したガラス基板を、
下記化学式で表わされる３−アミノプロピルジメチルエ
トキシシランで疎水化処理した。
【０１４１】
【化３】 素子電極を作成した基板を、純水超音波洗浄および８０
℃温水洗浄して引き上げ乾燥した後、３−アミノプロピ
ルジメチルエトキシシランの蒸気をガラス板材の被膜形
成面に付着させた。具体的には、３−アミノプロピルジ
メチルエトキシシランの蒸気を飽和させた容器内に基板
を設置し、室温（２２℃）で１時間放置した後取り出し
た。引き続き、形成された被膜の安定性を高めるため
に、１１０℃、１０分間の加熱処理を行なった。この加
熱により、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン
におけるＳｉと、ガラス板材におけるＳｉと、ガラス板
材の被膜形成面におけるＳｉとが（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）の
形態で結合（シロキサン結合）し、ガラス表面の被膜形
成面にはアミノアルキルシランが強固に固着して、撥水
性を備えた安定なシラン層が形成される。
【０１４２】このシラン層の形成過程では次のような反
応が進行していると考えられる。つまり、図１９に示す
ように、３−アミノプロピルジメチルエトキシシランに
おける加水分解基であるエトキシ基が大気中の水分また
は基体の吸着水によって加水分解されて、３−アミノプ
ロピルジメチルエトキシシラン側にシラノール基（−Ｓ
ｉＯＨ）が生成する。そして、ガラス基板側のシラノー
ル基との間で脱水縮合が起き、図２０に示すように３−
アミノプロピルジメチルエトキシシランにおけるＳｉと
ガラス基板の被膜６形成面におけるＳｉとがシロキサン
結合する。
【０１４３】次に本実施例では導電性薄膜形成材料とし
てポリビニルアルコールを重量濃度０．０５％、２−プ
ロパノールを重量濃度１５％、エチレングリコールを重
量濃度１％溶解した水溶液に、テトラモノエタノールア
ミン−パラジウム酢酸（Ｐｄ（ＮＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）4
（ＣＨ3ＣＯＯ）2 ）をパラジウム重量濃度が約０．１
５％となるように溶解させた水溶液インクを用いた。
【０１４４】上記の水溶液の液滴をバブルジェット方式
のインクジェット装置（キヤノン（株）製バブルジェッ
トプリンタヘッドＢＣ−０１を使用）によって電極２、
３を形成した石英基体の上に電極２、３にまたがるよう
に４回同個所に付与した（図１３（ｂ））。
【０１４５】この時、基板上での液滴の形状は、拡がる
ことはなく、安定性、再現性とも良好であった。次に３
５０℃で２０分間焼成して導電性薄膜４を形成した（図
１３（ｃ））。この時作製した素子数は１０素子であ
り、それぞれの膜厚を原子間力顕微鏡で測定した結果、
平均１５ｎｍであり、１０素子間のバラツキは５％であ
った。また、液滴とガラス表面との初期接触角は接触角
測定器（協和界面科学、ＣＡ−Ｘ）によって測定したと
ころ、３８°であった。
【０１４６】以上のようにして作成された素子に実施例
４と同様のフォーミング処理および活性化処理を行なっ
た。以上のように作成された電子放出素子について、そ
の電子放出特性を図１６に示された評価装置により実施
例４と同じ条件にて測定した。この結果、実施例１の電
子放出特性は、作成した１０素子の平均値で、素子電流
Ｉｆが２ｍＡ±０．０４ｍＡ、放出電流Ｉｅが３μＡ±
０．０４μＡであった。
【０１４７】［参考例３］素子電極を作製した基板を、
純水超音波洗浄および８０℃温水洗浄して引き上げ乾燥
した後、３−アミノプロピルジメチルエトキシシランに
よる処理を行なわず、洗浄後すぐに用いること以外は実
施例９と全く同様にして素子電極間にバブルジェット方
式のインクジェット装置（キヤノン（株）製バブルジェ
ットプリンタヘッドＢＣ−０１を使用）によって電極
２、３を形成した石英基体の上に電極２、３にまたがる
ように実施例９と同様のインクを４回同個所に付与し、
以降の工程は実施例９と同様に行ない１０素子作製し
た。
【０１４８】上記インクの付与時に、その液滴は素子電
極間のガラス表面で、所望の位置以外にも液滴が拡がっ
た。また、焼成後の膜厚を原子間力顕微鏡で測定した結
果、１０素子の膜厚を平均すると４ｎｍであり、実施例
９の１／２以下であった。また、１０素子間の膜厚のバ
ラツキは３０％であった。さらに、素子電極間の抵抗は
平均１６ｋΩであり、１０素子間のバラツキは±７ｋΩ
であった。液滴とガラス表面との初期接触角は接触角測
定器（協和界面科学、ＣＡ−Ｘ）によって測定したとこ
ろ、５°であった。これらの結果を実施例９の結果と併
せて表３に示す。
【０１４９】
【表３】
【０１５０】このように基板を疎水化処理することによ
り、液滴の接触する面と液滴との接触角を２０°〜５０
°に制御でき、液滴の拡がりを抑制し、膜厚、抵抗のバ
ラツキの小さい安定性、再現性の良い導電性薄膜を作製
することができる。また、本実施例の導電性薄膜を構成
する主たる金属はパラジウムであり、シラン層内に存在
する電子供与性官能基であるアミノ基と導電性薄膜中の
パラジウムとの相互作用により参考例に比べ密着性の高
い導電性薄膜が形成される。
【０１５１】さらに、電気的な耐熱温度が高まると考え
られる。なぜなら、シラン層内に存在する電子供与性官
能基であるアミノ基と導電性薄膜中のパラジウムとの相
互作用により、導電性薄膜の疑集と思われる現象によっ
て急激に電気抵抗値が高くなることが抑制されると考え
られるからである。なお、「電気的な耐熱温度」とは、
導電性薄膜の疑集が進行し導通がとれなくなる温度を指
す。
【０１５２】［実施例１０］本実施例では、電極２、３
を形成したガラス基板の疎水化処理を、下記化学式で表
わされるエトキシジメチルビニルシランで行なったこと
以外は実施例９と同様にして図４の電子放出素子を作製
した。液滴のドット形状は同じく所望の位置以外に拡が
ることなく安定し、再現性も良好であり、素子間の膜厚
のバラツキ、抵抗のバラツキも小さかった。
【０１５３】
【化４】
【０１５４】［実施例１１］本実施例の電子放出素子の
構成は図４の電子放出素子と同様である。以下、本実施
例の製造方法について図１３を用いて説明する。 工程−１ 清浄化した青板ガラス基板１上に、素子電極のパターン
をホトレジスト形成し、真空蒸着法により厚さ５００Å
のＰｔを堆積した。ホトレジストパターンを有機溶剤で
溶解し、堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔Ｌは２０
ミクロンとした素子電極２、３を形成した（図１３
（ａ））。さらに純水で浄水した。
【０１５５】工程−２ 素子電極２、３を形成した基板１を温水洗浄した後、有
機金属含有水溶液の液滴を基板に適量付与し、接触角計
で接触角を測定した。
【０１５６】工程−３ 工程−２で作成した基板を、チャンバーに設置し、チャ
ンバー内を大気圧下、窒素によって置換した後、有機物
ガスを導入し放置した。有機物は、Ｄｉ−２−ｅｔｈｙ
ｌｈｅｘｙｌ ｐｈｔｈａｌｔｅを１１３〜１２２℃で
精製し低沸点物質および高沸点物質を除いたものを該チ
ャンバーに設けられたアンプルにいれ、これを１００℃
で加熱し、その飽和蒸気圧である２×１０-8Ｔｏｒｒを
該チャンバー内に導入した。１０分後、有機物ガスの導
入を停止し、窒素ガスで置換し、放置した。有機物導入
中および有機物の導入をやめ、窒素置換以降、工程−２
と同様に、適宜基板１を取り出し、接触角を測定した。
【０１５７】工程−４ Ｐｄ有機金属化合物の水溶液（Ｐｄ０．１５ｗｔ％、Ｉ
ＰＡ１５ｗｔ％、エチレングリコール１ｗｔ％、ポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）０．０５ｗｔ％の水溶液）の
液滴をバブルジェット法と呼ばれるインクジェット法に
よって、工程−１で形成した素子電極および素子電極間
に４回塗布した（図１３（ｂ））。 工程−５ 工程−４で作成した試料を３５０℃で大気中で焼成し
た。こうして焼成されたＰｄＯからなる微粒子構造の導
電性薄膜４を作成した。以上の工程により基板１上に、
素子電極２，３、導電性薄膜４等を形成した（図１３
（ｃ））。以上の素子を１０素子作成し、工程２、３で
の接触角の測定、工程５での導電性薄膜の抵抗の測定を
行なった結果を表４に示す。
【０１５８】［参考例４］実施例１１と工程１、工程２
を同様に行ない、工程３においては、工程２で作成した
基板を、シリカゲルを乾燥剤としたデシケーター中で、
数日、放置した。工程−２と同様に４時間ごとに接触角
を測定した。また工程４以降は実施例１１と同様に行な
った。以上の素子を１０素子作成した。
【０１５９】［参考例５］実施例１１の工程３を省略
し、それ以外は実施例１１と同様に行なった。以上の素
子を１０素子作成した。以上の結果を表４に示す。
【０１６０】
【表４】
【０１６１】以上の結果から以下のことが示された。工
程−２においては濡性が高く親水面が形成されている。
工程−３においては、実施例１１、参考例４のいずれも
撥水面を有機物雰囲気下での放置時間とともに形成し飽
和傾向であるが、実施例１１は、数分レベルで接触角が
飽和に達するのに対し、参考例４は、接触角の飽和時間
として２４時間以上を要する。実施例１１、参考例４の
接触角のばらつきは小さいが、参考例５はばらつきが大
きいことがわかる。これは、形態観察によれば、実施例
１１、参考例４が、均一性の高い円形の導電性膜の形態
であるが、一方、参考例５は、種々の形態であり工程３
を行なわなかったため濡性が高いことによると思われ
る。
【０１６２】以上の様に、基板を温水洗浄することで親
水面が形成され、基板の表面エネルギーの調整工程で
は、表面エネルギーのばらつきが減少し、有機金属含有
水溶液のインクジェット法で液滴として付与した際の形
状が安定した結果、導電性薄膜の抵抗値もばらつきの少
ないものとなったと考えられる。また、参考例４におい
ては、微量に存在する有機物が本実施例と同様に長時間
をかけて付着し、撥水面を形成したと考えられる。
【０１６３】以上の素子に、実施例４と同様のフォーミ
ング処理および活性化処理を行なった。
【０１６４】以上のように、作成された電子放出素子に
ついて、その電子放出特性を図１６の評価装置により、
実施例４と同じ条件にて測定した。
【０１６５】実施例１１の電子放出素子の特性は、１０
素子の平均値で、素子電流がＩｆが２．０ｍＡ±０．０
３ｍＡ、放出電流Ｉｅが３．０μＡ±０．０３μＡであ
った。一方、参考例４に対応した素子は、実施例１１と
同様にばらつきの少ないものであった。他方、参考例５
の電子放出素子の特性は、１０素子の平均値で、素子電
流Ｉｆが０．２９ｍＡ±０．２ｍＡ、放出電流Ｉｅが
０．７μＡ±０．０５μＡであった。この結果、実施例
１１、参考例４の電子放出特性は参考例５に比べ、ばら
つきが少なく、良好な特性であることがわかった。以上
の様に、基板の表面エネルギーの調整工程を有機物のガ
ス雰囲気下で行なうことで、導電性膜の形態が制御され
た結果、電子放出素子の特性のばらつきの低下にも寄与
することがわかった。
【０１６６】［実施例１２］本実施例は図２１の電子放
出素子の作成方法に関するもので、基板の表面エネルギ
ーを調整後、基板が長期大気中で放置された際、接触角
が好適な接触角２０°〜５０°よりずれを発生した場合
の基板の再処理の実施例である。以下順を追って説明す
る。なお、実施例１１と同様に、以下の工程により１０
素子を作成した。
【０１６７】工程−１ 清浄化した青板ガラス１上に厚さ０．２ミクロンの酸化
チタン６をスパッタ法で形成した基板１上に、素子電極
のパターンをホトレジスト形成し、真空蒸着法により厚
さ５００ÅのＰｔを堆積した。ホトレジストパターンを
有機溶剤で溶解し、堆積膜をリフトオフし、素子電極間
隔Ｌは３０ミクロンとした素子電極２、３を形成した。
【０１６８】工程−２ 更に、純水で洗浄した後、素子電極２、３を形成した基
板１にハロゲンランプで紫外光を５分間照射した後、有
機金属含有水溶液の液滴を基板に適量付与し、接触角計
で接触角を測定した。
【０１６９】工程−３ 工程−２で作成した基板をチャンバーに設置し、チャン
バー内を真空排気後、実施例１１と同様に、Ｄｉ−２−
ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｐｈｔｈａｌｔｅの精製物を該
チャンバーに設けられたアンプルにいれ、これを１００
℃で加熱し、その飽和蒸気圧である２×１０-8Ｔｏｒｒ
を該チャンバー内に導入した。１０分後、有機物ガスの
導入を停止し、排気後、基板を大気中に取り出し、７０
日間大気中に放置した。工程−２と同様に、接触角を測
定した。接触角は４５°±８°であった。１０素子の中
で、接触角が２０°〜５０°の範囲外の素子が存在した
ため、上記工程２および工程３の有機物ガスへの暴露を
再び行ない、以後下記工程を行なった。
【０１７０】工程−４ Ｐｄ有機金属化合物の水溶液（Ｐｄ０．１５ｗｔ％，Ｉ
ＰＡ１５ｗｔ％、エチレングリコール１ｗｔ％，ポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）０．０５ｗｔ％の水溶液の液
滴をバブルジェット法と呼ばれるインクジェット法によ
って、素子電極および素子電極間に４回塗布した。
【０１７１】工程−５ 工程−４で作成した試料を、３５０℃で大気中で焼成し
た。こうして形成されたＰｄＯからなる微粒子構造の導
電性薄膜を形成した。以上の工程により基板１上に、素
子電極２、３、導電性薄膜４等を形成した。以後、実施
例４と同様のフォーミング処理および活性化処理を行な
った。以上のように作成された電子放出素子について、
その電子放出特性を図１６の評価装置により、実施例４
と同じ条件にて測定した。
【０１７２】以下の表５に結果を示す。表５に示される
様に、実施例１２は、基板の接触角が大幅に適正値より
ずれたのにもかかわらず、工程−２、３を繰り返すこと
で、実施例１１と同様の結果が得られた。以上により、
基板の表面エネルギーが、有機金属含有水溶液を付与す
る工程前でなんらかの原因で、基準値より工程許容値を
越えた場合、光を照射して基体の表面エネルギーを低下
し初期化する工程、前記基体の表面エネルギーを調整す
る工程を繰り返し行ない、以降の製造工程を行なうこと
で、均一性が高く、良好な電子放出特性の電子放出素子
が得られるため、部止りが高く安価な電子放出素子が製
造できる。
【０１７３】
【表５】
【０１７４】［実施例１３］本実施例の電子放出素子の
構成は、図２１の電子放出素子と同様である。
【０１７５】以下、本実施例の製造方法について説明す
る。
【０１７６】工程−ａ 清浄化した青板ガラス１上に厚さ２００Åの酸化チタン
６をスパッタ法で形成した基板１上に、素子電極のパタ
ーンをホトレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ，日立化成社
製）形成し、真空蒸着法により厚さ５００ÅのＰｔを堆
積した。ホトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、堆
積膜をリフトオフし、素子電極間隔Ｌは２０ミクロンと
した素子電極２、３を形成した。
【０１７７】工程−ｂ 素子電極２、３を形成した基板１を純水で洗浄した後、
ハロゲンランプで紫外光を５分間照射した後、有機金属
含有水溶液の液滴を基板隅の４点に適量付与し、接触角
計で接触角を測定した。
【０１７８】工程−ｃ 工程−ｂで作成した基板をシリカゲルを乾燥剤としたデ
シケータ中で、数日、放置した。工程−ｂと同様に、８
時間ごとに接触角を測定した。
【０１７９】工程−ｄ 酸化パラジウム−モノエタノールアミン（Ｐｄ０．１５
ｗｔ％）、イソプロピルアルコール１５ｗｔ％、エチレ
ングリコール１ｗｔ％、ポリビニルアルコール０．０５
ｗｔ％の水溶液の液滴をバブルジェット法と呼ばれるイ
ンクジェット法によって、上記工程−ｃの基板の素子電
極および素子電極間に４回塗布した。
【０１８０】工程−ｅ 工程−ｄで作成した試料を、３５０℃で大気中で焼成し
た。こうして形成されたＰｄＯからなる微粒子構造の導
電性薄膜を形成した。以上の工程により基板１上に、素
子電極２、３、導電性薄膜４等を形成した。以上の工程
にて１０個の素子を作成した。
【０１８１】［参考例６］工程−ｂの紫外光照射は行な
わず、他の工程は、実施例１３と同様の工程で電子放出
素子の導電性薄膜を形成した。工程−ｂでは、接触角の
測定のみは行なった。以上の素子を１０素子作成した。
【０１８２】［参考例７］工程−ａの一部の変更と工程
−ｂを行なった以外は実施例１３と同様の工程で電子放
出素子の導電性薄膜を形成した。工程−ａにおいては、
清浄化した青板ガラス１上に酸化チタンにかわって、厚
さ０．５ミクロンのＳｉＯx をスパッタ法で形成した以
外は、同様に行なった。以上の１０素子を作成した。実
施例１３、参考例６、７の工程途中の接触角、抵抗等の
測定結果を表６に示す。なお、表の結果は、いずれも１
０素子の平均値である。
【０１８３】
【表６】
【０１８４】表６より以下のことが示された。工程−ｂ
においては、実施例１３では、酸化チタン層の表面は、
ハロゲンを光源とする光の照射で、濡性が高く接触角の
測定が不可である親水面が形成されている。一方、参考
例６、７では、親水面であるが、ばらつきのある表面エ
ネルギーである。工程−ｃにおいては、いずれも撥水面
を放置時間とともに形成し飽和傾向であるが、実施例１
３の接触角のばらつきは小さいのに対し、参考例６、７
ともばらつきがやや大きいことがわかる。これは基板の
表面エネルギーの初期化する工程に依存していると推定
される。工程−ｅにおいては、抵抗値のばらつきが、実
施例１３は小さいが、参考例６、７はばらつきが大きい
様であった。これもまた、基板の表面エネルギーの初期
化する工程に依存して、インクジェット法で付与された
液滴の安定性が影響され、形状のばらつきに対応してい
ると推定される。
【０１８５】以上の様に、酸化チタン層を基板に積層
し、光照射することで、親水面が形成され、基板の表面
エネルギーが初期化されることで、表面エネルギーの調
整工程での表面エネルギーのばらつきが減少し、有機金
属含有水溶液のインクジェット法で液滴として付与した
際の形状が安定した結果、導電性薄膜の抵抗値もばらつ
きの少ないものとなったと考えられる。
【０１８６】以後、実施例４と同様のフォーミング処理
および活性化処理を行なった。以上のように作成された
電子放出素子について、その電子放出特性を図１６の評
価装置により、実施例４と同じ条件にて測定した。
【０１８７】実施例１３の電子放出素子の特性は、１０
素子の平均値で、素子電流Ｉｆが２ｍＡ±０．０４ｍ
Ａ、放出電流Ｉｅが３μＡ±０．０５μＡであった。一
方、参考例７の電子放出素子の特性は、１０素子の平均
値で、素子電流Ｉｆが１．８ｍＡ±０．１ｍＡ、放出電
流Ｉｅが２．７μＡ±０．０９μＡであった。また、素
子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅとも、素子電圧に対して、非
線形特性を示し、明確な閾値を有していた。
【０１８８】この結果、実施例１３の電子放出特性は、
参考例７に比べ、ばらつきが少なく、良好な特性である
ことがわかった。また、一定時間駆動後、電子放出特性
の測定を行なったところ、実施例１３は、参考例７に比
べ、素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅとも減少が少なかっ
た。
【０１８９】以上の様に、基板の表面エネルギーの初期
化工程を行なうことで、電子放出素子の特性のばらつき
の低下にも寄与することがわかった。駆動時の安定性に
ついては、酸化チタン層を基板に積層したので、導電性
薄膜と基板の密着性が増加した結果と考えられる。
【０１９０】［実施例１４］本実施例は、実施例１３の
工程−ｃで基板を長期大気中で放置し、接触角が、好適
な接触角２０°〜５０°よりずれを発生した場合の基板
の再処理の実施例である。以下順を追って説明する。実
施例１３の工程−ａ、ｂ、ｃをおこなった基板を作成
し、７０日間大気中に放置した。その後、実施例１３と
同様に接触角を測定したところ、接触角は、増加し、１
０素子の平均が４０°±１２°となった。本実施例で
は、次に、実施例１３の工程−ｂ、工程−ｃを再び行な
い、以降実施例１３の工程−ｄ，ｅ、およびフォーミン
グ処理と活性化処理を行なった。
【０１９１】［参考例８］実施例１４と同様に、実施例
１３の工程−ａ、ｂ、ｃを行なった基板を作成し、７０
日間大気中に放置した。その後、実施例１３と同様に接
触角を測定したところ、接触角は、４０°±１２°であ
った。その後、実施例１３の工程−ｄ，ｅおよびフォー
ミング処理と活性化処理を行なった。
【０１９２】表７に結果を示す。表７に示される様に、
実施例１４は、基板の接触角が大幅に適正値よりずれた
のにもかかわらず、工程ｂ、ｃを繰り返すことで実施例
１３と同様の結果が得られた。一方、参考例８では、基
板の接触角が大幅に適正値よりずれにより、電子放出特
性の悪化とばらつきの増加を生じたと推定される。
【０１９３】以上により、基板の表面エネルギーが、有
機金属含有水溶液を付与する工程前でなんらかの原因
で、基準値より工程許容値を超えた場合、光を照射して
基体の表面エネルギーを低下し初期化する工程、前記基
体の表面エネルギーを調整する工程を繰り返し行ない、
以降の製造工程を行なうことで、均一性が高く、良好な
電子放出特性の電子放出素子が得られるため、部止りが
高く安価な電子放出素子が製造できる。
【０１９４】
【表７】
【０１９５】［実施例１５］本実施例は、画像形成装置
を作成した例である。電子源の一部の平面図を図２２
（ａ）に示す。また、一部の素子の断面図を図２２
（ｂ）に示す。図において、９１は基体、９８は図９の
Ｄ0xm に対応する行方向配線、９９はＤ0yn に対応する
列方向配線、９４は導電性薄膜、９２、９３は素子電
極、９７は層間絶縁層である。本実施例の画像形成装置
は図９と同様であるが、リアプレートとして基体９１を
用いた。
【０１９６】次に、製造方法を工程順に従って具体的に
説明する。 工程−１：清浄化した青板ガラス基体１上に素子電極９
２，９３をオフセット印刷法によって作成した。素子電
極間隔Ｌは２０μｍ、素子電極の幅Ｗを１２５μｍとし
た。
【０１９７】工程−２：列配線９９をスクリーン印刷法
で作成した。次に厚さ１０μｍの層間絶縁層９７をスク
リーン印刷法により作成した。さらに行配線９８を印刷
した。
【０１９８】工程−３：次に、上記の素子電極、配線、
層間絶縁層が形成された基体を、実施例７で用いたトリ
メチルエトキシシラン（（ＣＨ3）3ＳｉＯＣＨ2ＣＨ3）
にて、疎水化処理を行なった。この疎水化処理は実施例
７と同様の方法にて行なわれた。
【０１９９】工程−４：ポリビニルアルコールを重量濃
度０．０５％、２−プロパノールを重量濃度１５％、エ
チレングリコールを重量濃度１％を溶解した水溶液に、
テトラモノエタノールアミン−パラジウム酢酸（Ｐｄ
（ＮＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）4 （ＣＨ3ＣＯＯ）2 ）をパラ
ジウム重量濃度が約０．１５％となるように溶解させた
水溶液（インク）の液滴をバブルジェット方式のインク
ジェット装置（キヤノン（株）製バブルジェットプリン
タヘッドＢＣ−０１を使用）によってそれぞれの素子電
極２、３間の上記基体面に素子電極２、３にまたがるよ
うに４回同個所に付与し、これを焼成して素子電極間に
またがる導電性膜９４を形成した。
【０２００】工程５：次にフェースプレートを形成し
た。フェースプレートは、ガラス基体の内面に蛍光体が
配置された蛍光膜とメタルバックが形成されて構成とし
た。蛍光体の配列は、三原色蛍光体の各蛍光体間ブラッ
クストライプを設けた。ブラックストライプの材料とし
ては、通常用いられている黒鉛を主成分とする材料を用
いた。これらは、いずれもスクリーン印刷法によって形
成した。
【０２０１】工程−６：工程１〜４で形成した基体をリ
アプレートとして、支持枠を介してフェースプレートを
封着した。支持枠には予め通排気に使用される排気管を
接着した。
【０２０２】工程−７：１０-7Ｔｏｒｒまで排気後、各
配線Ｄｘ0m 、Ｄｙ0n より各素子に電圧を供給できる製
造装置で、ライン毎にフォーミング処理を行なった。フ
ォーミング処理の条件は、実施例７と同様である。
【０２０３】工程−８：１０-7Ｔｏｒｒまで排気後、ア
セトンを１０-3Ｔｏｒｒまで排気管から導入し、各配線
Ｄｘ0m 、Ｄｙ0n より各素子に電圧を供給できる製造装
置で、線順走査を実施例７と同様のパルス電圧が各素子
に印加されるように電圧を印加し、活性化工程を行なっ
た。各ライン２５分間の電圧印加されたとき、各ライン
とも素子電流が平均で３ｍＡになったとき、活性化工程
を終了した。
【０２０４】工程９：続いて、排気管より排気を充分に
行なった後、２５０℃で３時間容器全体を加熱しながら
排気した。最後にゲッタをフラッシュし、排気管を封止
した。
【０２０５】以上のようにして作成した単純マトリクス
配列の電子源を用いて構成した画像形成装置に、ＮＴＳ
Ｃ方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行な
うための駆動回路の構成例について、図１１を用いて説
明する。
【０２０６】図１１において、１０１は画像表示パネ
ル、１０２は走査回路、１０３は制御回路、１０４はシ
フトレジスタである。１０５はラインメモリ、１０６は
同期信号分離回路、１０７は変調信号発生器、Ｖｘおよ
びＶａは直流電圧源である。なお、本実施例では、ｍ＝
１５０，ｎ＝４５０とした。
【０２０７】表示パネル１０１は、端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏ
ｘｍ、端子Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎ、および高圧端子Ｈｖを
介して外部の電気回路と接続している。端子Ｄｏｘ１〜
Ｄｏｘｍには、表示パネル内に設けられている電子源、
即ち、Ｍ行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された電子放
出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動するための走査
信号が印加される。
【０２０８】端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎには、前記走査信号に
より選択された一行の電子放出素子の各素子の出力電子
ビームを制御するための変調信号が印加される。高圧端
子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、例えば１０ｋＶの直
流電圧が供給されるが、これは電子放出素子から放出さ
れる電子ビームに蛍光体を励起するのに十分なエネルギ
ーを付与するための加速電圧である。
【０２０９】走査回路１０２について説明する。同回路
は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図
中、Ｓ１〜Ｓｍで模式的に示している）ある。各スイッ
チング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧と０Ｖ（グラ
ンドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネル１０
１の端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍと電気的に接続される。Ｓ
１〜Ｓｍの各スイッチング素子は、制御回路１０３が出
力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動作するものであ
り、例えばＦＥＴのようなスイッチング素子を組み合わ
せることにより構成することができる。
【０２１０】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には電子放
出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づき、走査
されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出しき
い値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう設定
されている。
【０２１１】制御回路１０３は、外部より入力する画像
信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動
作を整合させる機能を有する。制御回路１０３は、同期
信号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに
基づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆｔおよ
びＴｍｒｙの各制御信号を発生する。
【０２１２】同期信号分離回路１０６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で、一般的な周波数
分離（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信
号分離回路１０６により分離された同期信号は、垂直同
期信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜
上、Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。前記テレビ信号か
ら分離された画像の輝度信号成分を便宜上ＤＡＴＡ信号
と表した。該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１０４に入
力される。
【０２１３】シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて
動作する（即ち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ
１０４のシフトクロックであると言うこともできる）。
シリアル／パラレル変換された画像１ライン分（電子放
出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、Ｉｄ
１ないしＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフトレジ
スタ１０４より出力される。
【０２１４】ラインメモリ１０５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であ
り、制御回路１０３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従
って適宜Ｉｄ１〜Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶された
内容は、Ｉｄ’１〜Ｉｄ’ｎとして出力され、変調信号
発生器１０７に入力される。
【０２１５】変調信号発生器１０７は、画像データＩ
ｄ’１〜Ｉｄ’ｎの各々に応じて電子放出素子の各々を
適切に駆動変調するための信号源であり、その出力信号
は、端子Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じて表示パネル１０１
内の電子放出素子に印加される。
【０２１６】ここでは、パルス幅変調方式によって変調
を行なった。パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルス
の幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いる
ことができる。
【０２１７】シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０
５は、デジタル信号式のものでもアナログ信号式のもの
でも採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や
記憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。
【０２１８】このような駆動回路により、表示パネルの
各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍ、Ｄ
ｏｙ１〜Ｄｏｙｎを介して電圧を印加することにより、
電子放出が生ずる。
【０２１９】高圧端子Ｈｖを介してメタルバック６５に
高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速された電子
は、蛍光膜８４に衝突し、発光が生じて画像が形成され
る。以上のような工程によって、輝度のバラツキが少な
く安定な画像形成装置を再現性良く製造することができ
る。
【０２２０】［実施例１６］本実施例では、実施例１５
の工程３における疎水化処理をトリメチルエトキシシラ
ンに代えて、トリメチルクロロシランを用いて行なった
以外は、実施例１５と同様にして画像形成装置を作成し
た。本実施例においても輝度のバラツキが少なく安定な
画像形成装置を再現性良く製造することができる。
【０２２１】［実施例１７］本実施例では、実施例１５
の工程３における疎水化処理をトリメチルエトキシシラ
ンに代えて、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラ
ンを用い、実施例９と同様の方法により、行なった以外
は、実施例１５と同様にして画像形成装置を作成した。
本実施例においても輝度のバラツキが少なく安定な画像
形成装置を再現性良く製造することができる。
【０２２２】［実施例１８］本実施例では、実施例１５
の工程３における疎水化処理をトリメチルエトキシシラ
ンに代えて、エトキシジメチルビニルシランを用い、実
施例１０と同様の方法により行なった以外は、実施例１
５と同様にして画像形成装置を作成した。本実施例にお
いても輝度のバラツキが少なく安定な画像形成装置を再
現性良く製造することができる。
【０２２３】［実施例１９］本実施例の画像形成装置
は、図２２に示される電子源を用いた図９と同様の画像
形成装置であるが、以下の方法により作成される。
【０２２４】工程−１：清浄化した青板ガラス上に厚さ
０．１ミクロンの酸化チタン膜をスパッタ法で形成した
基板９１上に、素子電極９２、９３をオフセット印刷法
によって作成した。素子電極間隔Ｌは２０μｍ、素子電
極の幅Ｗを１２５μｍとした。
【０２２５】工程−２：次に、列方向配線９９、層間絶
縁層９７、行方向配線９８をスクリーン印刷法により作
成した。
【０２２６】工程−３：こうして作成した行、列配線、
素子電極を形成した基板を純水で洗浄後、乾燥した。
【０２２７】工程−４：基板９１にハロゲンランプで紫
外光を５分間照射した後、基板端部の接触角のモニター
部で、有機金属含有水溶液の液滴を基板に適量付与し、
接触角計で接触角を測定した。
【０２２８】工程−５：工程−４で作成した基板を、チ
ャンバーに設置し、チャンバー内を大気圧下、窒素によ
って、置換した後、実施例１１と同様にガスを導入し放
置した。工程−６に基板を投入する直前に接触角を測定
した。測定した接触角が、４５°以上、３０°未満の場
合は、工程−４に戻り、再び初期化を行ないさらに工程
−５を行なった。
【０２２９】工程−６：Ｐｄ有機金属化合物の水溶液
（Ｐｄ０．１５ｗｔ％、ＩＰＡ１５ｗｔ％、エチレング
リコール１ｗｔ％、ポリビニルアルコール０．０５ｗｔ
％の水溶液）の液滴をピエゾジェット法と呼ばれるイン
クジェット法によって、各素子電極および素子電極間に
３回、同一箇所に付与し、これを焼成して素子電極間に
またがる導電性膜を形成した。各素子電極間の抵抗を測
定した。所望の抵抗値であることを確認し、以後、実施
例１５の工程５〜９を行なって、画像形成装置を作成し
た。実施例１５で用いた駆動回路により、表示パネルの
各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍ、Ｄ
ｏｙ１〜Ｄｏｙｎを介して電圧を印加することにより、
電子放出が生ずる。
【０２３０】高圧端子Ｈｖを介してメタルバック６５に
高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速された電子
は、蛍光膜８４に衝突し、発光が生じて画像が形成され
る。以上のような工程によって、輝度のバラツキが少な
く安定な画像形成装置を再現性良く製造することができ
る。
【０２３１】［実施例２０］本実施例の画像形成装置
は、図２２に示される電子源を用いた図９と同様の画像
形成装置であるが、以下の方法により作成される。
【０２３２】工程−１：清浄化した青板ガラス上に厚さ
０．１ミクロンの酸化チタン膜をスパッタ法で形成した
基板９１上に、素子電極９２、９３をオフセット印刷法
によって作成した。素子電極間隔Ｌは２０μｍ、素子電
極の幅Ｗを１２５μｍとした。
【０２３３】工程−２：列配線９９をスクリーン印刷法
で作成した。次に、厚さ１．０μｍの層間絶縁層９７を
スクリーン印刷法により作成した。さらに、行配線９８
を印刷した。
【０２３４】工程−３：こうして作成した行、列配線、
素子電極を形成した基板を純水で洗浄後、乾燥した。
【０２３５】工程−４：基板９１上にハロゲンランプで
紫外光を５分間照射した後、基板端部の接触角のモニタ
ー部で、有機金属含有水溶液の液滴を基板に適量付与
し、接触角計で接触角を測定した。
【０２３６】工程−５：工程−４で作成した基板を、シ
リカゲルを乾燥剤としたデシケータ中で、３日放置し
た。工程−６に基板を投入する直前に接触角を測定し
た。測定した接触角が、４５°以上、３０°未満の場合
は、工程−４に戻り、再び初期化を行なった。
【０２３７】工程−６：酢酸パラジウム−モノエタノー
ルアミン（Ｐｄ０．１５ｗｔ％）、イソプロピルアルコ
ール１５ｗｔ％、エチレングリコール０．８ｗｔ％、ポ
リビニルアルコール０．０５ｗｔ％の水溶液の液滴をピ
エゾジェット法と呼ばれるインクジェット法によって、
各素子電極および素子電極間に５回、同一箇所に付与
し、これを焼成して素子電極間にまたがる導電性膜を形
成した。各素子電極間の抵抗を測定した。所望の抵抗値
であることを確認し、以後、実施例１５の工程５〜９を
行なって画像形成装置を作成した。実施例１５で用いた
駆動回路により、表示パネルの各電子放出素子に、容器
外端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎを介し
て電圧を印加することにより、電子放出が生ずる。
【０２３８】高圧端子Ｈｖを介してメタルバック６５に
高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速された電子
は、蛍光膜８４に衝突し、発光が生じて画像が形成され
る。
【０２３９】以上のような工程によって、輝度のバラツ
キが少なく安定な画像形成装置を再現性良く製造するこ
とができる。また、以上の実施例１９、２０において
は、さらに、歩留まりの向上が図れる。
【０２４０】
【発明の効果】本発明によれば、基板面に所望の部材の
構成材料を含む液体の液滴を付与する工程に先立って、
付与される該液滴の該基板面との接触角が２０°〜５０
°の範囲内となるように該基板の表面処理を施すことに
より、より高精細なパターンニングが可能になる。特
に、プリント基板として大面積の基板に多数の電子放出
素子を形成する際、フォトリソグラフィー・エッチング
法を用いず、素子電極間の導電性薄膜の形成を成膜と同
時にパターニングを行なうことが可能となり、生産コス
ト低減につながる。さらに、均一性が高く良好な電気特
性の電子放出素子が作成できる。したがって、本発明の
表面伝導型電子放出素子を用いた電子源基板および画像
形成装置も同様にローコストでばらつきの少ない安定し
た画像形成装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る導電性薄膜形成方法
を示す概略斜視図である。
【図２】 本発明の実施例で用いたインクの表面張力を
示すグラフである。
【図３】 本発明の実施例で用いたインクの接触角を示
すグラフである。
【図４】 本発明が適用される表面伝導型電子放出素子
の構成を示す模式的平面図および断面図である。
【図５】 本発明に用いられるインクジェットの一例を
示す構成図である。
【図６】 本発明に用いられるインクジェットの他の例
を示す構成図である。
【図７】 本発明の表面伝導型電子放出素子の製造に際
して採用できる通電フォーミング処理における電圧波形
の一例を示す模式図である。
【図８】 本発明が適用されるマトリクス配置型の電子
源基板を示す模式図である。
【図９】 本発明が適用される画像形成装置のマトリク
ス配線式表示パネルを示す模式図である。
【図１０】 画像形成装置に用いられる蛍光膜の一例を
示す模式図である。
【図１１】 本発明の方法により作成された画像形成装
置にＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行なうた
めの駆動回路の一例を示すブロック図である。
【図１２】 本発明が適用されるはしご型配線による電
子源基板を示す模式図である。
【図１３】 本発明の製造方法を説明する図である。
【図１４】 本発明の製造方法における疎水化処理を説
明する図である。
【図１５】 本発明の製造方法における疎水化処理を説
明する図である。
【図１６】 電子放出素子の放出特性を評価する装置を
説明する図である。
【図１７】 本発明の製造方法における疎水化処理を説
明する図である。
【図１８】 本発明の製造方法における疎水化処理を説
明する図である。
【図１９】 本発明の製造方法における疎水化処理を説
明する図である。
【図２０】 本発明の製造方法における疎水化処理を説
明する図である。
【図２１】 本発明が適用される別の表面伝導型電子放
出素子の構成を示す模式的平面図および断面図である。
【図２２】 本発明が適用される電子源の構成を示す模
式図である。
【図２３】 従来の電子放出素子を説明する図である。
【図２４】 本発明の実施例４で製造された電子放出素
子の電流−電圧特性図である。
【符号の説明】
１：基板、２，３：素子電極、４：導電性薄膜、５：電
子放出部、１０：インクジェットヘッド、１２：液滴、
７１：電子源基板、７２：Ｘ方向配線、７３：Ｙ方向配
線、７４：表面伝導型電子放出素子、７５：結線、８
１：リアプレート、８２：支持枠、８３：ガラス基板、
８４：蛍光膜、８５：メタルバック、８６：フェースプ
レート、８８：外囲器、９１：黒色部材、９２：蛍光
体、１０１：表示パネル、１０２：走査回路、１０３：
制御回路、１０４：シフトレジスタ、１０５：ラインメ
モリ、１０６：同期信号分離回路、１０７：変調信号発
生器、１１０：電子源基板、１１１：電子放出素子、１
１２（Ｄx1〜Ｄx10 ）：共通配線、２２１：基板、２２
２：熱発生部、２２３：支持板、２２４：液流路、２２
５：第１ノズル、２２６：第２ノズル、２２７：インク
流路間隔壁、２２８，２２９：インク液室、２２１０，
２２１１：インク液の供給口、２２１２：天井板、２３
１：第１ノズル、２３２：第２ノズル、２３３：円筒型
ピエゾ、２３４：フィルター、２３５，２３６：インク
液供給チューブ、２３７：電気信号入力端子、Ｖｘ，Ｖ
ａ：直流電圧源、Ｈｖ：高圧端子。
フロントページの続き (72)発明者 重岡 和也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 山野辺 正人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 手島 隆行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 吉岡 利文 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板面に所望の部材を形成するために、
    該部材の構成材料を含む液体の液滴を該基板面に付与す
    る工程を有するプリント基板の製造方法において、前記
    液滴を該基板面に付与する工程に先立って、付与される
    該液滴の該基板面との接触角が２０°〜５０°の範囲内
    となるように該基板の表面処理を施す工程を有すること
    を特徴とするプリント基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記基板は、該基板とは異種材料よりな
    る部材が配置された基板であって、前記基板の表面処理
    を施す工程は、付与される該液滴の該基板面との接触角
    および該液滴の該異種材料よりなる部材との接触角がい
    ずれも２０゜〜５０°の範囲内となるように該基板面お
    よび異種材料よりなる部材面の表面処理を施す工程であ
    る請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記基板の表面処理を施す工程に先立っ
    て、該基板表面の洗浄工程を有する請求項１に記載のプ
    リント基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記基板の表面処理を施す工程に先立っ
    て、該基板表面に光を照射する工程を有する請求項１に
    記載のプリント基板の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記基板の表面処理を施す工程に先立っ
    て、該基板表面および該異種材料よりなる部材表面を洗
    浄する工程を有する請求項２に記載のプリント基板の製
    造方法。
  6. 【請求項６】 前記基板の表面処理を施す工程は、該基
    板表面を有機物質の存在下に曝露する工程を有する請求
    項１に記載のプリント基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記基板の表面処理を施す工程は、該基
    板表面および該異種材料からなる部材表面を有機物質の
    存在下に曝露する工程を有する請求項２に記載のプリン
    ト基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記液滴を該基板面に付与する工程は、
    該液滴を該基板面の複数箇所に付与する工程である請求
    項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記液体の表面張力が、３０ｄｙｎｅ／
    ｃｍ〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲内にある請求項１また
    は２に記載のプリント基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記液滴を該基板面に付与する工程
    は、該液滴をインクジェット方式により該基板面に付与
    する工程である請求項１または２に記載のプリント基板
    の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記インクジェット方式は、インクに
    熱的エネルギーを与えることによりインクを吐出させる
    方式である請求項１０に記載のプリント基板の製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記インクジェット方式は、インクに
    機械的エネルギーを与えることによりインクを吐出させ
    る方式である請求項１０に記載のプリント基板の製造方
    法。
  13. 【請求項１３】 電極間に、電子放出部を有する導電性
    膜を備える電子放出素子の製造方法において、前記電子
    放出部が形成される導電性膜の形成工程が、一対の電極
    が配置された基板の該電極間に該導電性膜の構成材料を
    含む液体の液滴を付与する工程と、該液滴を付与する工
    程に先立って、該液滴の該基板面との接触角が２０゜〜
    ５０゜の範囲内となるように該基板の表面処理を施す工
    程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記基板の表面処理を施す工程は、該
    液滴の該基板面との接触角および該液滴の該電極面との
    接触角がいずれも２０゜〜５０゜の範囲内となるように
    該基板面および該電極面の表面処理を施す工程である請
    求項１３に記載の電子放出素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記基板の表面処理を施す工程に先立
    って、該基板表面に光を照射する工程を有する請求項１
    ３に記載の電子放出素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記基板の表面処理を施す工程に先立
    って、該基板表面を洗浄する工程を有する請求項１３に
    記載の電子放出素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記基板の表面処理を施す工程に先立
    って、該基板表面および該電極表面を洗浄する工程を有
    する請求項１４に記載の電子放出素子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記基板の表面処理を施す工程は、該
    基板表面を有機物質の存在下に曝露する工程を有する請
    求項１３に記載の電子放出素子の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記基板の表面処理を施す工程は、該
    基板表面および前記電極表面を有機物質の存在下に曝露
    する工程を有する請求項１４に記載の電子放出素子の製
    造方法。
  20. 【請求項２０】 前記液体の表面張力が、３０ｄｙｎｅ
    ／ｃｍ〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲内にある請求項１３
    または１４に記載の電子放出素子の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記液滴を該基板面に付与する工程
    は、該液滴をインクジェット方式により該基板面に付与
    する工程である請求項１３または１４に記載の電子放出
    素子の製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記インクジェット方式は、インクに
    熱的エネルギーを与えることによりインクを吐出させる
    方式である請求項２１に記載の電子放出素子の製造方
    法。
  23. 【請求項２３】 前記インクジェット方式は、インクに
    機械的エネルギーを与えることによりインクを吐出させ
    る方式である請求項２１に記載の電子放出素子の製造方
    法。
  24. 【請求項２４】 前記電子放出素子は、表面伝導型電子
    放出素子である請求項１３〜２３のいずれかに記載の電
    子放出素子の製造方法。
  25. 【請求項２５】 電極間に、電子放出部を有する導電性
    膜を備える電子放出素子の複数が基板上に配置されてい
    る電子源の製造方法において、前記電子放出素子の各々
    を請求項１３〜２４のいずれかの方法にて製造すること
    を特徴とする電子源の製造方法。
  26. 【請求項２６】 電極間に、電子放出部を有する導電性
    膜を備える電子放出素子の複数が基板上に配置されてい
    る電子源と、該電子源からの電子の照射により画像を形
    成する画像形成部材とを有する画像形成装置の製造方法
    において、前記電子放出素子の各々を請求項１３〜２４
    のいずれかの方法にて製造することを特徴とする画像形
    成装置の製造方法。
JP9062198A 1997-03-21 1998-03-20 プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法 Pending JPH10326559A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69807554T DE69807554T2 (de) 1997-03-21 1998-03-20 Verfahren zur Herstellung eines bedruckten Substrats, elektronenemittierendes Element, Elektronenquelle und Bilderzeugungsgerät
CNB981087310A CN1153240C (zh) 1997-03-21 1998-03-20 印制基片、电子发射元件、电子源和图象形成装置的制造方法
JP9062198A JPH10326559A (ja) 1997-03-21 1998-03-20 プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法
DE69827856T DE69827856T2 (de) 1997-03-21 1998-03-20 Verfahren zur Herstellung eines bedruckten Substrats
EP02076379A EP1225056B1 (en) 1997-03-21 1998-03-20 Process for producing a printed substrate
EP98302128A EP0865931B1 (en) 1997-03-21 1998-03-20 Production processes of printed substrate, electron-emitting element, electron source and image-forming apparatus
KR10-1998-0009861A KR100375279B1 (ko) 1997-03-21 1998-03-21 인쇄기판,전자방출소자,전자소스및화상형성장치의제조방법
US09/045,688 US6613399B2 (en) 1997-03-21 1998-03-23 Production processes of printed substrate, electron-emitting element, electron source and image-forming apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8554697 1997-03-21
JP9-85546 1997-03-21
JP9062198A JPH10326559A (ja) 1997-03-21 1998-03-20 プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10326559A true JPH10326559A (ja) 1998-12-08

Family

ID=26426552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9062198A Pending JPH10326559A (ja) 1997-03-21 1998-03-20 プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6613399B2 (ja)
EP (2) EP0865931B1 (ja)
JP (1) JPH10326559A (ja)
KR (1) KR100375279B1 (ja)
CN (1) CN1153240C (ja)
DE (2) DE69827856T2 (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630556B2 (en) 2001-04-17 2003-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Metal composition for making conductive film, metal composition for making electron emission element, and method for making electron emission element and image forming apparatus using the same
EP1355522A2 (en) * 2002-04-16 2003-10-22 Seiko Epson Corporation Multilayered wiring board, method of producing multilayered wiring board, electronic device and electronic apparatus
US6715871B2 (en) 2001-06-26 2004-04-06 Seiko Epson Corporation Method of forming film pattern, device for forming film pattern, conductive film wiring, electro-optical device, electronic device, and non-contact card medium
US6737287B1 (en) 1999-02-17 2004-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Ink used for ink jet, and methods for manufacturing conductive film, electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus
JP2005175468A (ja) * 2002-09-30 2005-06-30 Seiko Epson Corp 配線形成方法、配線製造装置、導電膜配線、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
WO2005107346A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Component placement substrate and production method thereof
JP2006036933A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Bando Chem Ind Ltd 複合基材及びそれを用いたプリント配線基板の製造方法
JP2006222157A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumitomo Rubber Ind Ltd 電極印刷法および該電極を備えた電極板
US7098121B2 (en) 2002-03-14 2006-08-29 Seiko Epson Corporation Method of forming a film of predetermined pattern on a surface as well as device manufactured by employing the same, and method of manufacturing device
JP2006228495A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Seiko Epson Corp 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器
JP2006228444A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Seiko Epson Corp 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器
US7138157B2 (en) 2002-07-30 2006-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device manufacture method and image display apparatus manufacture method
KR100712632B1 (ko) * 2002-09-30 2007-05-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 배선 형성 방법, 배선 형성 장치, 도전막 배선, 전기 광학장치, 전자 기기, 및 비접촉형 카드 매체
CN100397580C (zh) * 2002-09-30 2008-06-25 精工爱普生株式会社 膜图案的形成方法、薄膜制造装置、导电膜布线
US7557369B2 (en) 2004-07-29 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display and method for manufacturing the same
JP2009253145A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 拡散層形成時の前処理方法
JP2010232497A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 導電材の形成方法
US8187478B2 (en) 2008-06-05 2012-05-29 Unimicron Technology Corp. Fabricating process of structure with embedded circuit
JP2014185334A (ja) * 2013-02-22 2014-10-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 撥水／撥油皮膜及びその製造方法
US10370546B2 (en) 2014-10-31 2019-08-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Water/oil-repellent coating composition
US10400137B2 (en) 2014-11-12 2019-09-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Water-repellant and oil-repellant coating composition and transparent film
US10472378B2 (en) 2014-10-31 2019-11-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Transparent film
WO2021193143A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 富士フイルム株式会社 金属パターンの形成方法
US11203674B2 (en) 2014-10-31 2021-12-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Transparent film

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3352385B2 (ja) * 1997-03-21 2002-12-03 キヤノン株式会社 電子源基板およびそれを用いた電子装置の製造方法
US20030180441A1 (en) * 1997-09-30 2003-09-25 Hitoshi Fukushima Manufacture of a microsensor device and a method for evaluating the function of a liquid by the use thereof
US6396207B1 (en) 1998-10-20 2002-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus and method for producing the same
JP3135118B2 (ja) 1998-11-18 2001-02-13 キヤノン株式会社 電子源形成用基板、電子源及び画像形成装置並びにそれらの製造方法
JP3937890B2 (ja) * 2001-09-27 2007-06-27 Ｊｓｒ株式会社 インクジェット方式カラーフィルタ用隔壁とその形成方法
US6852372B2 (en) * 2002-10-17 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Fabrication method for electron source substrate
US7064475B2 (en) * 2002-12-26 2006-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Electron source structure covered with resistance film
JP2004311958A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp 表面処理方法、表面処理装置、表面処理基板及び電気光学装置並びに電子機器
JP2005012179A (ja) * 2003-05-16 2005-01-13 Seiko Epson Corp 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法
US7862849B2 (en) * 2003-10-17 2011-01-04 Massachusetts Institute Of Technology Nanocontact printing
US7226819B2 (en) * 2003-10-28 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
KR101166358B1 (ko) * 2003-10-28 2012-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선 형성 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법, 및 액적 토출방법
CA2475456A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-20 Biophys, Inc. Method and device to optimize analyte and antibody substrate binding by least energy adsorption
KR100697606B1 (ko) * 2005-10-05 2007-03-22 주식회사 두산 곡면의 반사 거울면을 포함하는 광 도파로 및 그 제조 방법
TWI366418B (en) * 2006-05-12 2012-06-11 Ind Tech Res Inst Substrate structures for display application and fabrication method thereof
US8121389B2 (en) * 2008-06-11 2012-02-21 Sirona Dental Systems Gmbh System, apparatus, method and computer program product for optical position recognition
US8290240B2 (en) * 2008-06-11 2012-10-16 Sirona Dental Systems Gmbh System, apparatus, method, and computer program product for determining spatial characteristics of an object using a camera and a search pattern
US8559799B2 (en) * 2008-11-04 2013-10-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method for heating substrate by photo-irradiation
KR20120052043A (ko) * 2010-11-15 2012-05-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 기판의 표면 개질 방법
JP5350424B2 (ja) * 2011-03-24 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 表面処理方法
KR101844412B1 (ko) * 2011-10-31 2018-05-15 삼성전자주식회사 잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 기판의 표면에 도전성 패턴을 형성하는 방법
KR20160098376A (ko) * 2013-12-12 2016-08-18 카티바, 인크. 두께를 제어하기 위해 하프토닝을 이용하는 잉크-기반 층 제조
EP3611234B1 (en) * 2017-05-19 2023-06-21 Institute of Chemistry, Chinese Academy of Science Ink for producing laser light sources
CN115307255B (zh) * 2022-07-06 2023-07-07 广东久量股份有限公司 带负离子净化功能的护眼灯控制方法、系统、设备及介质

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3142374C2 (de) * 1981-10-26 1984-10-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Bedrucken einer Ader
JPS6431332A (en) 1987-07-28 1989-02-01 Canon Kk Electron beam generating apparatus and its driving method
JP2610160B2 (ja) 1988-05-10 1997-05-14 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2782224B2 (ja) 1989-03-30 1998-07-30 キヤノン株式会社 画像形成装置の駆動方法
GB8916732D0 (en) * 1989-07-21 1989-09-06 Ici Plc Inkable sheet
FR2691673B1 (fr) * 1992-05-27 1994-07-22 Imaje Procede de marquage et de decoration de ceramiques.
EP0665449B1 (en) * 1994-01-28 2001-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Color filter, production process thereof, and liquid crystal panel
JP3208526B2 (ja) * 1994-08-01 2001-09-17 キヤノン株式会社 導電性膜形成用材料、該材料を用いる導電性膜の形成方法、及び、該形成方法を用いる液晶配向膜の形成方法
ATE261611T1 (de) * 1994-09-22 2004-03-15 Canon Kk Verfahren zur herstellung einer elektronen- emittierenden einrichtung sowie einer elektronenquelle und eines bilderzeugungsgerätes mit derartigen elektronen-emittierenden einrichtungen
JP3234730B2 (ja) 1994-12-16 2001-12-04 キヤノン株式会社 電子放出素子および電子源基板の製造方法
JP3241251B2 (ja) 1994-12-16 2001-12-25 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法及び電子源基板の製造方法
JPH08179113A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Canon Inc カラーフィルタの製造方法、該方法により得られたカラーフィルタ及び該カラーフィルタを配して構成した液晶表示パネル
US5906871A (en) * 1995-05-15 1999-05-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Latent image, preparation and development thereof and articles with the image
JP3234748B2 (ja) 1995-07-14 2001-12-04 キヤノン株式会社 基板の選択的撥水処理方法、遮光部材形成基板及びこの遮光部材形成基板を用いたカラ−フィルタ−基板の製造方法
JP3174999B2 (ja) * 1995-08-03 2001-06-11 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、それを用いた画像形成装置、及びそれらの製造方法
JP3302278B2 (ja) 1995-12-12 2002-07-15 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法並びに該製造方法を用いた電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3372848B2 (ja) 1996-10-31 2003-02-04 キヤノン株式会社 電子放出素子及び画像表示装置及びそれらの製造方法
JPH1125851A (ja) 1997-05-09 1999-01-29 Canon Inc 電子源、その製造方法及び製造装置並びに画像形成装置及びその製造方法
US6220912B1 (en) 1997-05-09 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing electron source using dispenser to produce electron emitting portions

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6737287B1 (en) 1999-02-17 2004-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Ink used for ink jet, and methods for manufacturing conductive film, electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus
US6630556B2 (en) 2001-04-17 2003-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Metal composition for making conductive film, metal composition for making electron emission element, and method for making electron emission element and image forming apparatus using the same
US6715871B2 (en) 2001-06-26 2004-04-06 Seiko Epson Corporation Method of forming film pattern, device for forming film pattern, conductive film wiring, electro-optical device, electronic device, and non-contact card medium
US7098121B2 (en) 2002-03-14 2006-08-29 Seiko Epson Corporation Method of forming a film of predetermined pattern on a surface as well as device manufactured by employing the same, and method of manufacturing device
EP1355522A3 (en) * 2002-04-16 2004-11-10 Seiko Epson Corporation Multilayered wiring board, method of producing multilayered wiring board, electronic device and electronic apparatus
US7285305B2 (en) 2002-04-16 2007-10-23 Seiko Epson Corporation Multilayered wiring board, method of producing multilayered wiring board, electronic device and electronic apparatus
EP1355522A2 (en) * 2002-04-16 2003-10-22 Seiko Epson Corporation Multilayered wiring board, method of producing multilayered wiring board, electronic device and electronic apparatus
US7749558B2 (en) 2002-07-30 2010-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device manufacture method and image display apparatus manufacture method
US7138157B2 (en) 2002-07-30 2006-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device manufacture method and image display apparatus manufacture method
CN100397581C (zh) * 2002-09-30 2008-06-25 精工爱普生株式会社 膜图案的形成方法、薄膜制造装置、导电膜布线
JP2005175468A (ja) * 2002-09-30 2005-06-30 Seiko Epson Corp 配線形成方法、配線製造装置、導電膜配線、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US8197882B2 (en) 2002-09-30 2012-06-12 Seiko Epson Corporation Method for forming thin film pattern, thin film manufacturing device, conductive thin film wiring, electro-optic device, electronic apparatus, and non-contact card medium
CN100397580C (zh) * 2002-09-30 2008-06-25 精工爱普生株式会社 膜图案的形成方法、薄膜制造装置、导电膜布线
KR100712632B1 (ko) * 2002-09-30 2007-05-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 배선 형성 방법, 배선 형성 장치, 도전막 배선, 전기 광학장치, 전자 기기, 및 비접촉형 카드 매체
US7718903B2 (en) 2004-04-30 2010-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Component placement substrate and production method thereof
WO2005107346A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Component placement substrate and production method thereof
JP4557620B2 (ja) * 2004-07-27 2010-10-06 バンドー化学株式会社 複合基材及びそれを用いたプリント配線基板の製造方法
JP2006036933A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Bando Chem Ind Ltd 複合基材及びそれを用いたプリント配線基板の製造方法
US7557369B2 (en) 2004-07-29 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display and method for manufacturing the same
JP2006222157A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumitomo Rubber Ind Ltd 電極印刷法および該電極を備えた電極板
JP4630683B2 (ja) * 2005-02-08 2011-02-09 住友ゴム工業株式会社 電極印刷法および該電極を備えた電極板
JP2006228444A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Seiko Epson Corp 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器
JP2006228495A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Seiko Epson Corp 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器
JP2009253145A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 拡散層形成時の前処理方法
US8187478B2 (en) 2008-06-05 2012-05-29 Unimicron Technology Corp. Fabricating process of structure with embedded circuit
JP2010232497A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 導電材の形成方法
JP2014185334A (ja) * 2013-02-22 2014-10-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 撥水／撥油皮膜及びその製造方法
US10138380B2 (en) 2014-02-21 2018-11-27 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Water/oil repellant coating film and manufacturing method thereof
US10370546B2 (en) 2014-10-31 2019-08-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Water/oil-repellent coating composition
US10472378B2 (en) 2014-10-31 2019-11-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Transparent film
US11203674B2 (en) 2014-10-31 2021-12-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Transparent film
US10400137B2 (en) 2014-11-12 2019-09-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Water-repellant and oil-repellant coating composition and transparent film
WO2021193143A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 富士フイルム株式会社 金属パターンの形成方法
JPWO2021193143A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30
CN115299189A (zh) * 2020-03-24 2022-11-04 富士胶片株式会社 金属图案的形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69807554T2 (de) 2003-05-22
US6613399B2 (en) 2003-09-02
CN1153240C (zh) 2004-06-09
US20020015800A1 (en) 2002-02-07
CN1204850A (zh) 1999-01-13
EP1225056A1 (en) 2002-07-24
DE69827856T2 (de) 2005-11-03
EP1225056B1 (en) 2004-11-24
DE69827856D1 (de) 2004-12-30
EP0865931A1 (en) 1998-09-23
KR19980080529A (ko) 1998-11-25
DE69807554D1 (de) 2002-10-10
EP0865931B1 (en) 2002-09-04
KR100375279B1 (ko) 2003-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10326559A (ja) プリント基板、電子放出素子、電子源、および画像形成装置の製造方法
JP2000309734A (ja) インクジェット用インク、導電性膜、電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
US6210245B1 (en) Method for producing electron source having electron emitting portions, and apparatus for producing electron source
JP3352385B2 (ja) 電子源基板およびそれを用いた電子装置の製造方法
JP2000182513A (ja) 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
JP3397569B2 (ja) 表面伝導型電子放出素子およびその製造方法、ならびに同電子放出素子を備えた電子源、画像形成装置
JP2000195415A (ja) 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
JPH1125852A (ja) 電子源の製造方法、電子源、画像形成装置の製造方法、画像形成装置及び電子源基板の製造装置
JP3416376B2 (ja) 表面伝導型電子放出素子の製造方法並びにそれを用いた電子源基板および画像形成装置の製造方法
JP2002313220A (ja) 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP2000231876A (ja) 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
JP2000015838A (ja) インクジェット方式塗布装置
JP3428806B2 (ja) 電子放出素子、電子源基板、および画像形成装置の製造方法
JPH1012136A (ja) 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、該素子を用いた電子源、表示パネルおよび画像形成装置
JPH11329221A (ja) ペースト状物質の塗布方法及び前記塗布方法を用いた画像表示装置
JP3943864B2 (ja) 電子源基板及びその製造方法並びに電子源基板を用いた画像形成装置
JP3416377B2 (ja) 電子放出素子、電子源、表示パネルおよび画像形成装置の製造方法
JPH08273533A (ja) 電子放出素子、電子源、表示パネルおよび画像形成装置の製造方法
JP2000011861A (ja) 電子放出素子の製造方法
JPH09274851A (ja) 電子放出素子製造用の金属含有水溶液、それを用いた電子放出素子、電子源、表示素子および画像形成装置の製造方法
JP2000251795A (ja) 画像形成装置
JP2000243231A (ja) 電子源基板およびそれを用いた画像形成装置
JP2000251633A (ja) 電子源基板及びそれを用いた画像形成装置
JPH11283494A (ja) 電子放出素子及び電子源及び画像形成装置の製造方法
JP2000243221A (ja) 電子源基板およびそれを用いた画像形成装置